CN109536905A - 一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法 - Google Patents

一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种铜表面用TiC‑Si固溶体导电涂层的制备方法，首先将纯度铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，之后真空烘干，最后采用直流磁控溅射法沉积TiC‑Si固溶体导电涂层，该TiC‑Si固溶体导电涂层具有良好耐磨性、高导电性和低的接触电阻；本发明方法通过磁控溅射法先在Cu基体上溅射一层Ti作为Cu的扩散阻挡层，再溅射TiC‑Si固溶体导电涂层，解决了在沉积过程或高温环境中Cu扩散到表面形成氧化铜、氧化亚铜导致电学性能下降的问题。

Description

一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法
技术领域
本发明属于涂层制备技术领域，具体涉及一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法。
背景技术
传统导电涂层常用Au、Ag通过电镀的方法制备，Au、Ag的电阻率很低，可以改善导电、导热性，但它的耐磨性差，大大降低了电触头的使用寿命，而且大幅度提升了成本，并且电镀的过程会产生污染环境的废液。纳米陶瓷复合涂层在电接触领域已成为Au、Ag的有竞争力的替代品，通过磁控溅射法在Cu基体制备可以得到相较于Au、Ag导电涂层具有更好的耐磨性、导电性和低的接触电阻的TiC-Si固溶体导电涂层，但是在沉积过程或高温环境中Cu扩散到表面形成氧化铜、氧化亚铜导致电学性能下降，因此要在基体和涂层之间增加基体的扩散势厽，传统的方法是电镀一层Ti作为Cu的扩散阻挡层，但电镀的过程会产生污染环境的废液，且工艺复杂。因此，寻找一种能够提高TiC-Si固溶体导电涂层导电导热性，耐磨性并且工艺更为优化，效率更高，成本更低，更加环保的制备方法是非常有必要的。
发明内容
本发明的目的是提供一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，解决了现有方法制备的导电涂层耐磨性差且成本高的问题。
本发明所采用的技术方案是，一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，之后真空烘干；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层。
本发明的特点还在于，
步骤2中，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为40～100W，预溅射时间5～10min；之后在将Ti靶溅射功率调至60～200W进行溅射，溅射时间为4～10min；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为60～100W，预溅射时间为6～12min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至100～250W进行溅射，溅射时间为30～180min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层。
步骤2.1中，预溅射和溅射时，氩气流量为15～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，溅射气压为1～3Pa，沉积厚度为0.5～3μm。
步骤2.2中，预溅射和溅射时，氩气流量为30～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，溅射气压为3～7Pa，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，沉积厚度为1～5μm。
步骤1中，清洗时间均为10～15min。
本发明的有益效果是，
该方法通过对基地体预处理、抽真空、升温、Ti靶溅射、Ti3SiC2复合靶溅射等一系列的步骤，得到了具有良好耐磨性、高导电性和低的接触电阻的TiC-Si固溶体导电涂层；解决了通过磁控溅射法在Cu基体制备TiC-Si固溶体导电涂层的沉积过程中或高温环境中Cu扩散到表面形成氧化铜、氧化亚铜导致电学性能下降的问题；且该方法相比较于传统制备工艺得到的导电涂层耐磨性好，工艺简单，经济环保。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为10～15min，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干，烘干温度为60～80℃，烘干时间为5～10min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为40～100W，预溅射时间5～10min；之后在将Ti靶溅射功率调至60～200W进行溅射，溅射时间为4～10min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为15～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，溅射气压为1～3Pa，沉积厚度为0.5～3μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为60～100W，预溅射时间为6～12min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至100～250W进行溅射，溅射时间为30～180min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为30～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，溅射气压为3～7Pa，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，沉积厚度为1～5μm。
实施例1
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为10，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干；烘干温度为60℃，烘干时间为5min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为40W，预溅射时间5min；之后在将Ti靶溅射功率调至60W进行溅射，溅射时间为4min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为15ml/s，铜基体温度为25℃，靶材与铜基体之间的距离为4cm，溅射气压为1Pa，沉积厚度为0.5μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为60W，预溅射时间为6min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至100W进行溅射，溅射时间为30min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为30ml/s，铜基体温度为25℃，溅射气压为3Pa，靶材与铜基体之间的距离为4cm，沉积厚度为1μm。
实施例2
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为12min，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干；烘干温度为65℃，烘干时间为6min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为2.0×10-4，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为60W，预溅射时间7min；之后在将Ti靶溅射功率调至80W进行溅射，溅射时间为6min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为30ml/s，铜基体温度为50℃，靶材与铜基体之间的距离为6cm，溅射气压为1.5Pa，沉积厚度为1μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为2×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为80W，预溅射时间为8min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至150W进行溅射，溅射时间为50min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为40ml/s，铜基体温度为50℃，溅射气压为4Pa，靶材与铜基体之间的距离为6cm，沉积厚度为2μm。
实施例3
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为14min，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干；烘干温度为70℃，烘干时间为8min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为3.0×10-4，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为80W，预溅射时间8min；之后在将Ti靶溅射功率调至100W进行溅射，溅射时间为8min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为40ml/s，铜基体温度为100℃，靶材与铜基体之间的距离为7m，溅射气压为2Pa，沉积厚度为2μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为3×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为90W，预溅射时间为10min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至200W进行溅射，溅射时间为100min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为45ml/s，铜基体温度为100℃，溅射气压为6Pa，靶材与铜基体之间的距离为8cm，沉积厚度为3μm。
实施例4
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为15min，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干；烘干温度为75℃，烘干时间为10min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为90W，预溅射时间9min；之后在将Ti靶溅射功率调至150W进行溅射，溅射时间为9min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为50ml/s，铜基体温度为200℃，靶材与铜基体之间的距离为8cm，溅射气压为2.5Pa，沉积厚度为2.5μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为95W，预溅射时间为11min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至225W进行溅射，溅射时间为150min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为50ml/s，铜基体温度为200℃，溅射气压为6Pa，靶材与铜基体之间的距离为9cm，沉积厚度为4μm。
实施例5
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，清洗时间均为15min，清除铜基体表面的油污、灰尘等杂质，之后真空烘干；烘干温度为80℃，烘干时间为10min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为100W，预溅射时间10min；之后在将Ti靶溅射功率调至200W进行溅射，溅射时间为10min；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为60ml/s，铜基体温度为300℃，靶材与铜基体之间的距离为10cm，溅射气压为3Pa，沉积厚度为3μm；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为100W，预溅射时间为12min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至250W进行溅射，溅射时间为180min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层；
其中，预溅射和溅射时，氩气流量为60ml/s，铜基体温度为300℃，溅射气压为7Pa，靶材与铜基体之间的距离为10cm，沉积厚度为5μm。
本发明一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，解决了通过磁控溅射法在Cu基体制备TiC-Si固溶体导电涂层的沉积过程中或高温环境中Cu扩散到表面形成氧化铜、氧化亚铜导致电学性能下降的问题；该方法相比较于传统制备工艺得到的导电涂层耐磨性好，成本低，工艺简单且环保。

Claims (5)

1.一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施，
步骤1，将纯度为99.99％的铜基体依次放入丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声清洗，之后真空烘干，烘干温度为60～80℃，烘干时间为5～10min；
步骤2，将经步骤1处理的铜基体放入磁控溅射真空室内的样品台上，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层。
2.根据权利要求1所述的一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，采用直流磁控溅射法沉积TiC-Si固溶体导电涂层，具体步骤如下：
步骤2.1，选用纯度为99.999％Ti靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti靶的预溅射，预溅射功率为40～100W，预溅射时间5～10min；之后在将Ti靶溅射功率调至60～200W进行溅射，溅射时间为4～10min；
步骤2.2，经步骤2.1后，选用Ti3SiC2复合靶作为靶材，以纯度为99.999％的Ar气作为起辉气体，本地真空度为1.0×10-4～4×10-4Pa，先通入氩气进行Ti3SiC2复合靶的预溅射，预溅射功率为60～100W，预溅射时间为6～12min，再将Ti3SiC2复合靶的溅射功率调至100～250W进行溅射，溅射时间为30～180min，即可得到TiC-Si固溶体导电涂层。
3.根据权利要求2所述的一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2.1中，预溅射和溅射时，氩气流量为15～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，溅射气压为1～3Pa，沉积厚度为0.5～3μm。
4.根据权利要求2所述的一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤2.2中，预溅射和溅射时，氩气流量为30～60ml/s，铜基体温度为25～300℃，溅射气压为3～7Pa，靶材与铜基体之间的距离为4～10cm，沉积厚度为1～5μm。
5.根据权利要求1所述的一种铜表面用TiC-Si固溶体导电涂层的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，清洗时间均为10～15min。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113913740A (zh) * 2021-10-19 2022-01-11 陈水和 一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103620085A (zh) * 2010-03-09 2014-03-05 菲特尔莫古布尔沙伊德有限公司 用于涂覆活塞环的至少内部面的方法和活塞环
CN104204274A (zh) * 2012-02-24 2014-12-10 梯尔镀层有限公司 具有导电和耐腐蚀特性的涂层
CN104404461A (zh) * 2014-11-13 2015-03-11 上海工具厂有限公司 基于磁控溅射共沉积技术的电触头Ag-TiC纳米复合涂层
CN108396306A (zh) * 2018-01-12 2018-08-14 华南理工大学 一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103620085A (zh) * 2010-03-09 2014-03-05 菲特尔莫古布尔沙伊德有限公司 用于涂覆活塞环的至少内部面的方法和活塞环
CN104204274A (zh) * 2012-02-24 2014-12-10 梯尔镀层有限公司 具有导电和耐腐蚀特性的涂层
CN104404461A (zh) * 2014-11-13 2015-03-11 上海工具厂有限公司 基于磁控溅射共沉积技术的电触头Ag-TiC纳米复合涂层
CN108396306A (zh) * 2018-01-12 2018-08-14 华南理工大学 一种低温沉积硬度可控的类金刚石复合薄膜的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
陈艳林等: "Cu与三元层状化合物复合材料研究现状", 《硅酸盐通报》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113913740A (zh) * 2021-10-19 2022-01-11 陈水和 一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法

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Application publication date: 20190329

Assignee: Pucheng Zhenggong Gas Co.,Ltd.

Assignor: XI'AN POLYTECHNIC University

Contract record no.: X2023980034734

Denomination of invention: A preparation method of TiC Si solid solution conductive coating for copper surface

Granted publication date: 20200922

License type: Common License

Record date: 20230419