JP6911124B2 - グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセス - Google Patents
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Description
標準温度および標準圧力(STP)で少なくとも60m/sの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートを1000℃以下のクエンチガスでクエンチすることと
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートを1000℃以下のクエンチガスでクエンチし、それにより514nmの入射レーザ波長を使用した測定で3以上のラマンG/D比および0.8以上のラマン2D/G比を有するグラフェンナノシートを作製することと
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および1分あたりに注入される炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも75標準リットル毎分(slpm)のクエンチガス対炭素比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および供給プラズマトーチ電力1kWあたり少なくとも1.25slpmのクエンチガスの、クエンチガス対供給プラズマトーチ電力比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、炭素含有物質の注入は、複数のジェットを使用して少なくとも60m/s STPの速度で実行され、注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それにより514nmの入射レーザ波長を使用した測定で3以上のラマンG/D比および0.8以上のラマン2D/G比を有するグラフェンナノシートを作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および供給プラズマトーチ電力1kWあたり少なくとも1.25slpmのクエンチガスの、クエンチガス対供給プラズマトーチ電力比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも120g/hの速度で作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、炭素含有物質の注入は、複数のジェットを使用して少なくとも60m/s STPの速度で実行され、注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それによりグラフェンナノシートを少なくとも120g/hの速度で作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
少なくとも60m/sの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも2g/供給プラズマトーチ電力kWhの割合で作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
少なくとも60m/sの速度、および35kW超の供給プラズマトーチ電力で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも80g/hの速度で作製すること
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度でプラズマの熱領域中に天然ガスまたはメタンを注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートをクエンチガスでクエンチすることと
を含む、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
標準温度および標準圧力(STP)で少なくとも60m/sの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートを1000℃以下のクエンチガスでクエンチすることとを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートを1000℃以下のクエンチガスでクエンチし、それにより514nmの入射レーザ波長を使用した測定で3以上のラマンG/D比および0.8以上のラマン2D/G比を有するグラフェンナノシートを作製することとを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および1分あたりに注入される炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも75標準リットル毎分(slpm)のクエンチガス対炭素比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および供給プラズマトーチ電力1kWあたり少なくとも1.25slpmのクエンチガスの、クエンチガス対供給プラズマトーチ電力比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、炭素含有物質の注入は、複数のジェットを使用して少なくとも60m/s STPの速度で実行され、注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それにより514nmの入射レーザ波長を使用した測定で3以上のラマンG/D比および0.8以上のラマン2D/G比を有するグラフェンナノシートを作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度、および供給プラズマトーチ電力1kWあたり少なくとも1.25slpmのクエンチガスの、クエンチガス対供給プラズマトーチ電力比で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも120g/hの速度で作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、炭素含有物質の注入は、複数のジェットを使用して少なくとも60m/s STPの速度で実行され、注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それによりグラフェンナノシートを少なくとも120g/hの速度で作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
少なくとも60m/sの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも2g/供給プラズマトーチ電力kWhの割合で作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスである。
少なくとも60m/sの速度、および35kW超の供給プラズマトーチ電力で、プラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入し、それによりグラフェンナノシートを少なくとも80g/hの速度で作製することを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
少なくとも60m/s STPの速度でプラズマの熱領域中に天然ガスまたはメタンを注入してグラフェンナノシートの核を形成することと、グラフェンナノシートをクエンチガスでクエンチすることとを含み、
グラフェンナノシートは約0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスが提供される。
実施例1
1つの例示的実施形態では、炭化水素前駆物質はメタンであり、60kWの最大プレート電力で誘導結合プラズマトーチ(ICP)中に注入される。図4は、ICPトーチ100、ならびに炭素非含有ガスおよび炭素含有物質を含むガスの定性的な流れを示す。
逆に、実施例1で上に記載されたものと類似のパラメータを使用するが、単孔ノズルを使用して60m/s STP未満の注入速度でメタンを注入すると、かなりの割合の炭素ノジュールおよび球状炭素粒子が作製され、典型的なアセチレンブラックのラマンスペクトル(図3に示す)をもたらした。図5は、この反例で使用されたICPトーチ200、ならびに炭素非含有ガスおよび炭素含有物質を含むガスの定性的な流れを示す。
Zhiyong Wang,Nan Li,Zujin Shi and Zhennan Gu.,Low−cost and large−scale synthesis of graphene nanosheets by arc discharge in air.Nanotechnology 21(2010)175602.
Haibao Zhang,Tengfei Cao,Yi Cheng,Preparation of few−layer graphene nanosheets by radio−frequency induction thermal plasma.Carbon 86(2015)pp.38−45.
Ravil Amirov,Marina Shavelkina,Nariman Alihanov,Evgeny Shkolnikov,Alexander Tyuftyaev,and Natalya Vorob’eva.Direct Synthesis of Porous Multilayer Graphene Materials Using Thermal Plasma at Low Pressure.Journal of Nanomaterials(2015)Article ID 724508.
R Pristavita,NY Mendoza−Gonzalez,JL Meunier,D Berk,Plasma Chemistry and Plasma Processing 30(2010)No 2,267.
Ramona Pristavita,Norma−Yadira Mendoza−Gonzalez,Jean−Luc Meunier,Dimitrios Berk,Plasma Chemistry and Plasma Processing 31(2011)No 2,393.
Production de carbone par yroiyse du methane dans un plasma thermique (Masters Thesis of Emmanuel Bergeron;University of Sherbrooke,1997).
Synthese de noir de carbone a partir de propane,utilisant un plasma thermique(Masters Thesis of Martin Lavoie,University of Sherbrooke 1997).
Stephen Brunauer,P.H.Emmett,Edward Teller,The Journal of the American Chemical Society 60(1938)309.
E.W.Lemmon and R.T Jacobsen,International Journal of Thermophysics,Vol.25(2004)21−68.
Claims (19)
- グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
プラズマトーチの注入ノズルを通して標準温度および標準圧力(STP)で少なくとも60m/sの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入して前記グラフェンナノシートの核を形成することと、
クエンチガスを前記プラズマトーチの内部にかつ前記炭素含有物質とは別に注入することと、
前記グラフェンナノシートを1000℃以下のクエンチガスでクエンチすることとを含み、
前記グラフェンナノシートは0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有し、
前記熱領域は2600℃以上の温度を有し、
前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも50slpmのクエンチガス対炭素比で注入される、
プラズマプロセス。 - 前記グラフェンナノシートは0.01重量%〜0.5重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは0.01重量%〜0.3重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは0.1重量%〜0.3重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが100slpm〜250slpmのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項4に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは0.15重量%〜0.25重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは600℃未満の温度を有するクエンチガスでクエンチされる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは300℃未満の温度を有するクエンチガスでクエンチされる、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも160slpmのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも250slpmのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが50slpm〜125slpmのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質はC1〜C4炭化水素である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質はメタンまたは天然ガスである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記クエンチガスは、供給プラズマトーチ電力1kWにつき1〜10slpmのガスの割合で給送される、請求項1に記載のプロセス。
- 前記熱領域は4000℃〜11000℃の温度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記熱領域は2600℃〜5000℃の温度を有する、請求項1に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は60〜100m/s STPの速度で注入される、請求項1に記載のプロセス。
- グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
少なくとも60m/s STPの速度、および1分あたりに注入される炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも75標準リットル毎分(slpm)のクエンチガス対炭素比で、注入ノズルを通してプラズマの熱領域中に炭素含有物質からなる少なくとも1つのジェットを注入し、それにより前記グラフェンナノシートを作製することを含み、
前記グラフェンナノシートは0.7重量%未満の多環芳香族炭化水素濃度を有し、
前記熱領域は2600℃以上の温度を有し、
前記クエンチガスは1000℃以下の温度を有する、
プラズマプロセス。 - グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
プラズマトーチの注入ノズルを通してプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、前記炭素含有物質の前記注入は、複数のジェットを使用して少なくとも60m/s STPの速度で実行され、前記注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつ、前記プラズマトーチの内部にかつ前記炭素含有物質とは別に注入されたクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それにより514nmの入射レーザ波長を使用した測定で3以上のラマンG/D比および0.8以上のラマン2D/G比を有する前記グラフェンナノシートを作製することを含み、
前記炭素含有物質は、1分あたりの炭素1モルあたりのクエンチガスが少なくとも50slpmのクエンチガス対炭素比で注入され、
前記熱領域は2600℃以上の温度を有し、
前記クエンチガスは1000℃以下の温度を有する、
プラズマプロセス。
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