JP2020502030A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
プラズマトーチの注入ノズルを通して標準温度および標準圧力（ＳＴＰ）で少なくとも６０ｍ／ｓの速度でプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入して前記グラフェンナノシートの核を形成することと、
クエンチガスを前記プラズマトーチの内部にかつ前記炭素含有物質とは別に注入することと、
前記グラフェンナノシートを１０００℃以下のクエンチガスでクエンチすることとを含み、
前記グラフェンナノシートは約０．７重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、
プラズマプロセス。 - 前記グラフェンナノシートは約０．０１重量％〜約０．５重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは約０．０１重量％〜約０．３重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは約０．１重量％〜約０．３重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、１分あたりの炭素１モルあたりのクエンチガスが約１００ｓｌｐｍ〜約２５０ｓｌｐｍのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項４に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは約０．１５重量％〜約０．２５重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは６００℃未満の温度を有するクエンチガスでクエンチされる、請求項１に記載のプロセス。
- 前記グラフェンナノシートは３００℃未満の温度を有するクエンチガスでクエンチされる、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、１分あたりの炭素１モルあたりのクエンチガスが少なくとも５０ｓｌｐｍのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、１分あたりの炭素１モルあたりのクエンチガスが少なくとも１６０ｓｌｐｍのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、１分あたりの炭素１モルあたりのクエンチガスが少なくとも２５０ｓｌｐｍのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は、１分あたりの炭素１モルあたりのクエンチガスが約５０ｓｌｐｍ〜約１２５ｓｌｐｍのクエンチガス対炭素比で注入される、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有ガスはＣ１〜Ｃ４炭化水素である、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質はメタンまたは天然ガスである、請求項１に記載のプロセス。
- 前記クエンチガスは、供給プラズマトーチ電力１ｋＷにつき１〜１０ｓｌｐｍのガスの割合で給送される、請求項１に記載のプロセス。
- 前記熱領域は約４０００℃〜約１１０００℃の温度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記熱領域は約２６００℃〜約５０００℃の温度を有する、請求項１に記載のプロセス。
- 前記炭素含有物質は約６０〜約１００ｍ／ｓ ＳＴＰの速度で注入される、請求項１に記載のプロセス。
- グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
少なくとも６０ｍ／ｓ ＳＴＰの速度、および１分あたりに注入される炭素１モルあたりのクエンチガスが少なくとも７５標準リットル毎分（ｓｌｐｍ）のクエンチガス対炭素比で、注入ノズルを通してプラズマの熱領域中に炭素含有物質からなる少なくとも１つのジェットを注入し、それにより前記グラフェンナノシートを作製することを含み、
前記グラフェンナノシートは約０．７重量％未満の多環芳香族炭化水素濃度を有する、
プラズマプロセス。 - グラフェンナノシートを作製するためのプラズマプロセスであって、
プラズマトーチの注入ノズルを通してプラズマの熱領域中に炭素含有物質を注入することであって、前記炭素含有物質の前記注入は、複数のジェットを使用して少なくとも６０ｍ／ｓ ＳＴＰの速度で実行され、前記注入された炭素含有物質がトーチ軸の周りに放射状に分配かつ、前記プラズマトーチの内部にかつ前記炭素含有物質とは別に注入されたクエンチガスに到達する前に希釈されるように誘導され、それにより５１４ｎｍの入射レーザ波長を使用した測定で３以上のラマンＧ／Ｄ比および０．８以上のラマン２Ｄ／Ｇ比を有する前記グラフェンナノシートを作製することを含む、
プラズマプロセス。
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