JP6890631B2 - 光ファイバー給電システムの光コネクタ及び給電装置並びに光ファイバー給電システム - Google Patents

光ファイバー給電システムの光コネクタ及び給電装置並びに光ファイバー給電システム Download PDF

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Description

本開示は、光給電に関する。
近時、電力を光(給電光と呼ばれる)に変換して伝送し、当該給電光を電気エネルギーに変換して電力として利用する光給電システムが研究されている。
特許文献1には、電気信号で変調された信号光、及び電力を供給するための給電光を発信する光発信機と、上記信号光を伝送するコア、上記コアの周囲に形成され上記コアより屈折率が小さく上記給電光を伝送する第1クラッド、及び上記第1クラッドの周囲に形成され上記第1クラッドより屈折率が小さい第2クラッド、を有する光ファイバーと、上記光ファイバーの第1クラッドで伝送された上記給電光を変換した電力で動作し、上記光ファイバーのコアで伝送された上記信号光を上記電気信号に変換する光受信機と、を備えた光通信装置が記載されている。
特開2010−135989号公報
光給電においては、より高エネルギーの光伝送が行われるようになることが見込まれる。
光ファイバー給電システムの敷設時および運用中に、不慮の事故でコネクタが外れてしまったままとなっている場合、給電光のエネルギーによる事故に繋がる危険性がある。よってコネクタが外れている場合には早期に発見する必要がある。
本開示の1つの態様の光ファイバー給電システムの光コネクタは、光ファイバー給電システムの給電光の出力端に配置される光コネクタであって、接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされている。
また、1つの態様の光ファイバー給電システムの光コネクタは、光ファイバー給電システムの給電光の出力端に配置された光コネクタであって、接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が波長変換材により構成されている。
本開示の1つの態様の光ファイバー給電システムの光コネクタによれば、コネクタ外れを容易に検出することができる。
本開示の第1実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第2実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第2実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、光コネクタ等を図示したものある。 本開示の他の一実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 シャッターを備えた光コネクタと、相手方コネクタを示す模式図である。 本開示の第2実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、制御装置を加えて図示したものある。
以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。
(1)システム概要
〔第1実施形態〕
図1に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber)システム1Aは、給電装置(PSE:Power Sourcing Equipment)110と、光ファイバーケーブル200Aと、受電装置(PD:Powered Device)310を備える。
なお、本開示における給電装置は電力を光エネルギーに変換して供給する装置であり、受電装置は光エネルギーの供給を受け当該光エネルギーを電力に変換する装置である。
給電装置110は、給電用半導体レーザー111を含む。
光ファイバーケーブル200Aは、給電光の伝送路を形成する光ファイバー250Aを含む。
受電装置310は、光電変換素子311を含む。
給電装置110は電源に接続され、給電用半導体レーザー111等が電気駆動される。
給電用半導体レーザー111は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光112を出力する。
光ファイバーケーブル200Aは、一端201Aが給電装置110に接続可能とされ、他端202Aが受電装置310に接続可能とされ、給電光112を伝送する。
給電装置110からの給電光112が、光ファイバーケーブル200Aの一端201Aに入力され、給電光112は光ファイバー250A中を伝搬し、他端202Aから受電装置310に出力される。
光電変換素子311は、光ファイバーケーブル200Aを通して伝送されてきた給電光112を電力に変換する。光電変換素子311により変換された電力が、受電装置310内で必要な駆動電力とされる。さらに受電装置310は光電変換素子311により変換された電力を外部機器用に出力可能とされる。
給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が500nm以下の短波長のレーザー波長をもった半導体とされる。
短波長のレーザー波長をもった半導体は、バンドギャップが大きく光電変換効率が高いので、光給電の発電側及び受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
そのためには、同半導体材料として、例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、GaN等、レーザー波長(基本波)が200〜500nmのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
また、同半導体材料として、2.4eV以上のバンドギャップを有した半導体が適用される。
例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、GaN等、バンドギャップ2.4〜6.2eVのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
なお、レーザー光は長波長ほど伝送効率が良く、短波長ほど光電変換効率が良い傾向にある。したがって、長距離伝送の場合には、レーザー波長(基本波)が500nmより大きいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。また、光電変換効率を優先する場合には、レーザー波長(基本波)が200nmより小さいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
これらの半導体材料は、給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311のいずれか一方に適用してもよい。給電側又は受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
〔第2実施形態〕
図2に示すように本実施形態の光ファイバー給電(PoF:Power over Fiber)システム1は、光ファイバーを介した給電システムと光通信システムとを含むものであり、給電装置(PSE:Power Sourcing Equipment)110を含む第1のデータ通信装置100と、光ファイバーケーブル200と、受電装置(PD:Powered Device)310を含む第2のデータ通信装置300とを備える。
給電装置110は、給電用半導体レーザー111を含む。第1のデータ通信装置100は、給電装置110のほか、データ通信を行う発信部120と、受信部130とを含む。第1のデータ通信装置100は、データ端末装置(DTEP(Date Terminal Equipment))、中継器(Repeater)等に相当する。発信部120は、信号用半導体レーザー121と、モジュレーター122とを含む。受信部130は、信号用フォトダイオード131を含む。
光ファイバーケーブル200は、信号光の伝送路を形成するコア210と、コア210の外周に配置され、給電光の伝送路を形成するクラッド220と有する光ファイバー250を含む。
受電装置310は、光電変換素子311を含む。第2のデータ通信装置300は、受電装置310のほか、発信部320と、受信部330と、データ処理ユニット340とを含む。第2のデータ通信装置300は、パワーエンドステーション(Power End Station)等に相当する。発信部320は、信号用半導体レーザー321と、モジュレーター322とを含む。受信部330は、信号用フォトダイオード331を含む。データ処理ユニット340は、受信した信号を処理するユニットである。また、第2のデータ通信装置300は、通信ネットワークにおけるノードである。または第2のデータ通信装置300は、他のノードと通信するノードでもよい。
第1のデータ通信装置100は電源に接続され、給電用半導体レーザー111、信号用半導体レーザー121と、モジュレーター122、信号用フォトダイオード131等が電気駆動される。また、第1のデータ通信装置100は、通信ネットワークにおけるノードである。または第1のデータ通信装置100は、他のノードと通信するノードでもよい。
給電用半導体レーザー111は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光112を出力する。
光電変換素子311は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた給電光112を電力に変換する。光電変換素子311により変換された電力は、発信部320、受信部330及びデータ処理ユニット340の駆動電力、その他の第2のデータ通信装置300内で必要となる駆動電力とされる。さらに第2のデータ通信装置300は、光電変換素子311により変換された電力を外部機器用に出力可能とされていてもよい。
一方、発信部120のモジュレーター122は、信号用半導体レーザー121からのレーザー光123を送信データ124に基づき変調して信号光125として出力する。
受信部330の信号用フォトダイオード331は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた信号光125を電気信号に復調し、データ処理ユニット340に出力する。データ処理ユニット340は、当該電気信号によるデータをノードに送信し、その一方で当該ノードからデータを受信し、送信データ324としてモジュレーター322に出力する。
発信部320のモジュレーター322は、信号用半導体レーザー321からのレーザー光323を送信データ324に基づき変調して信号光325として出力する。
受信部130の信号用フォトダイオード131は、光ファイバーケーブル200を通して伝送されてきた信号光325を電気信号に復調し出力する。当該電気信号によるデータがノードに送信され、その一方で当該ノードからデータが送信データ124とされる。
第1のデータ通信装置100からの給電光112及び信号光125が、光ファイバーケーブル200の一端201に入力され、給電光112はクラッド220を伝搬し、信号光125はコア210を伝搬し、他端202から第2のデータ通信装置300に出力される。
第2のデータ通信装置300からの信号光325が、光ファイバーケーブル200の他端202に入力され、コア210を伝搬し、一端201から第1のデータ通信装置100に出力される。
なお、図3に示すように第1のデータ通信装置100に光入出力部140とこれに付設された光コネクタ141が設けられる。また、第2のデータ通信装置300に光入出力部350とこれに付設された光コネクタ351が設けられる。光ファイバーケーブル200の一端201に設けられた光コネクタ230が光コネクタ141に接続する。光ファイバーケーブル200の他端202に設けられた光コネクタ240が光コネクタ351に接続する。光入出力部140は、給電光112をクラッド220に導光し、信号光125をコア210に導光し、信号光325を受信部130に導光する。光入出力部350は、給電光112を受電装置310に導光し、信号光125を受信部330に導光し、信号光325をコア210に導光する。
以上のように、光ファイバーケーブル200は、一端201が第1のデータ通信装置100に接続可能とされ、他端202が第2のデータ通信装置300に接続可能とされ、給電光112を伝送する。さらに本実施形態では、光ファイバーケーブル200は、信号光125,325を双方向伝送する。
給電用半導体レーザー111及び光電変換素子311の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料としては上記第1実施形態と同様のものが適用され、高い光給電効率が実現される。
なお、図4に示す光ファイバー給電システム1Bの光ファイバーケーブル200Bように、信号光を伝送する光ファイバー260と、給電光を伝送する光ファイバー270とを別々に設けてもよい。光ファイバーケーブル200Bも複数本で構成してもよい。
(2)シャッターを備えた光コネクタについて
次に、シャッターを備えた光コネクタにつき図5を参照して説明する。
図5に示すように光コネクタ410は、以上の光ファイバー給電システム1又は1A,1Bの給電光112の出力端401に配置される。
光コネクタ420は、光コネクタ410と接続する相手方コネクタである。
図3に示した光コネクタ141や光コネクタ351として光コネクタ410が適用され、図3に示した光コネクタ230や光コネクタ240として光コネクタ420が適用される。
光コネクタ410はシャッター411を有する。
シャッター411は、光コネクタ410と光コネクタ420との接続動作に連動して開き当該接続を可能とする。
それとともにシャッター411は、光コネクタ410と光コネクタ420との離脱動作に連動して閉じられて給電光112の外部への出射を遮る。シャッター411を閉じる機構は、シャッター411を閉じる側に付勢する弾性部材を有したヒンジ機構等により構成される。
一つの形態としては図5に示すように閉じられている時のシャッター411の給電光112の受光面412が鏡面とされている形態を実施する。すなわち、シャッター411の内面である受光面412が鏡面とされている。受光面412を構成する部材413が反射鏡であり、その鏡面により受光面412が構成される。
したがって、シャッター411が閉じられているとき、給電光112は反射鏡(413)の鏡面(412)に反射して戻り光402となりその一部は出力端401に入射する。
一方、図6に示す制御装置150は、シャッター411から放射される戻り光402を検出することによりコネクタ外れを検出し、給電装置110による給電光112の出力を停止する制御を実行する。
戻り光402は、給電光の伝搬路又は信号光の伝搬路を通って戻ってくるから、これをフォトダイオードで受信し制御装置150により分析して、コネクタ外れを検出することができる。当該フォトダイオードとしては、信号用フォトダイオード131を利用してもよいし、特別に設けてもよい。
又は以上の反射鏡に代え蛍光材等の波長変換材を適用する。すなわち、図5に示すように閉じられている時のシャッター411の給電光112の受光面412が波長変換材により構成されている形態を実施する。すなわち、シャッター411の内面である受光面412を構成する部材413が波長変換材である。
したがって、シャッター411が閉じられているとき、給電光112は波長変換材(413)に照射され、波長変換材(413)から給電光112とは異なる波長の光を含む戻り光402が放射され、その一部は出力端401に入射する。
一方、図6に示す制御装置150は、シャッター411から放射される戻り光402に含まれる上記異なる波長の成分を検出することによりコネクタ外れを検出し、給電装置110による給電光112の出力を停止する制御を実行する。
戻り光402に、給電光112でも信号光でもない波長の光が含まれるように、波長変換材を選択することで、戻り光402の識別性を良好にすることができる。
波長変換材としては、受けた光を異なる波長に全変換する性質のものでも、受けた光の波長と受けた光とは異なる波長とに亘ってスペクトラム拡散する性質のものでもよい。
以上のようにシャッター411により、コネクタ外れ時の給電光112の漏洩を防止することができる。
また、シャッター411から放射される戻り光402によりシャッター外れを検出することが容易である。
シャッター411の給電光112の受光面412が鏡面とされる場合には、戻り光402の光強度を確保することができ、戻り経路が長距離となる場合にも検出可能にする。
シャッター411の給電光112の受光面412が波長変換材により構成される場合には、内部由来の迷光などの他の光との識別性が良好であり、コネクタ外れの検出精度を確保できる。
また、制御装置150が給電光112の出力を停止するので、シャッター411への長時間の給電光112の照射による発熱や破壊を避けて未然に事故を防止できるとともに、無駄な電力消費を停止することができる。
以上本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。
1A 光ファイバー給電システム(光給電システム)
1 光ファイバー給電システム(光給電システム)
1B 光ファイバー給電システム(光給電システム)
100 第1のデータ通信装置
110 給電装置
111 給電用半導体レーザー
112 給電光
120 発信部
125 信号光
130 受信部
140 光入出力部
141 光コネクタ
200A 光ファイバーケーブル
200 光ファイバーケーブル
200B 光ファイバーケーブル
210 コア
220 クラッド
250A 光ファイバー
250 光ファイバー
260 光ファイバー
270 光ファイバー
300 第2のデータ通信装置
310 受電装置
311 光電変換素子
320 発信部
325 信号光
330 受信部
350 光入出力部
351 光コネクタ
410 光コネクタ
411 シャッター
420 光コネクタ

Claims (8)

  1. 光ファイバー給電システムの給電光の出力端に配置された光コネクタであって、
    接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が波長変換材により構成された光ファイバー給電システムの光コネクタ。
  2. 請求項1に記載の光コネクタを給電光の出力端に有し、電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置であって、前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされた光ファイバー給電システムの給電装置。
  3. 接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタ、又は請求項1に記載の光コネクタを給電光の出力端に有し、電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置であって、前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされ、
    前記シャッターから放射される戻り光を検出することによりコネクタ外れを検出し、前記給電光の出力を停止する制御装置を備える光ファイバー給電システムの給電装置。
  4. 請求項2に記載の給電装置と、
    当該給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、
    一端が前記給電装置に接続可能とされ他端が前記受電装置に接続可能とされ前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルとを備え、
    接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタ、又は請求項1に記載の光コネクタを前記光ファイバーケーブルの前記他端に有する光ファイバー給電システム。
  5. 接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタを給電光の出力端に有し、電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置であって、前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされた給電装置、又は請求項2に記載の給電装置と、
    当該給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、
    一端が前記給電装置に接続可能とされ他端が前記受電装置に接続可能とされ前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルとを備え、
    請求項1に記載の光コネクタを前記光ファイバーケーブルの前記他端に有する光ファイバー給電システム。
  6. 前記シャッターから放射される戻り光を検出することによりコネクタ外れを検出し、前記給電光の出力を停止する制御装置を備える請求項4又は請求項5に記載の光ファイバー給電システム。
  7. 接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタを給電光の出力端に有し、電力によりレーザー発振して給電光を出力する半導体レーザーを含む給電装置であって、前記半導体レーザーの光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が、レーザー波長500nm以下のレーザー媒体とされた給電装置と、
    当該給電装置による給電光を電力に変換する光電変換素子を含む受電装置と、
    一端が前記給電装置に接続可能とされ他端が前記受電装置に接続可能とされ前記給電光を伝送する光ファイバーケーブルとを備え、
    接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタを前記光ファイバーケーブルの前記他端に有する光ファイバー給電システムであって、
    前記シャッターから放射される戻り光を検出することによりコネクタ外れを検出し、前記給電光の出力を停止する制御装置を備える光ファイバー給電システム。
  8. 接続動作に連動して開き当該接続を可能とするとともに離脱動作に連動して閉じられて給電光の出射を遮るシャッターを有し、閉じられている時の当該シャッターの給電光の受光面が鏡面とされた光コネクタ、又は請求項1に記載の光コネクタを給電光の出力端に有し、
    前記シャッターから放射される戻り光を検出することによりコネクタ外れを検出し、前記給電光の出力を停止する制御装置を備える光ファイバー給電システム。
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