JP6875846B2 - 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子 - Google Patents
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Description
本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子に関する。
マイクロリソグラフィは、例えば集積回路又はＬＣＤなどの微細構造部品の製造に使用される。マイクロリソグラフィプロセスは、照明デバイス及び投影レンズを備える、いわゆる投影露光装置で行われる。照明デバイスによって照射されたマスク（レチクル）の像は、この場合、感光層（フォトレジスト）によってコーティングされ、投影レンズの像面に配置された基板（例えばシリコンウエハ）上に投影レンズによって投影され、マスク構造が基板の感光性コーティングに転写される。
ＥＵＶ領域、すなわち、例えばおよそ１３ｎｍ又はおよそ７ｎｍの波長用に設計された投影レンズにおいて、適切な光透過性屈折材料がないため、結像工程の光学部品としてミラーが使用される。
ＥＵＶ領域で動作させるために設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイスにおいて、集束部品として特にファセットミラーを視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーの形態で使用することは、例えば、特許文献１（ドイツ国特許出願第10 2008 009 600号明細書）より周知である。このようなファセットミラーは、特定の照射角度分布を調整、又は実現するために、各々が屈曲ベアリングによって傾斜可能に設計された、多数のミラーまたはミラーファセットより構成される。そしてこれらのミラーファセットは複数のマイクロミラーを備えることができる。
更に、規定の照明設定（すなわち、照明デバイスの瞳面における輝度分布）を調整するための、ＶＵＶ領域の波長で動作させるために設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイスにおいて、相互に独立して調整可能な複数のミラー素子を備えるミラー構成体の使用も、例えば特許文献２（国際公開第2005/026843 A2号パンフレット）より周知である。
実際にミラー素子を製造する際、その屈折力をそれぞれ可及的正確に調整する必要性があり、屈折力は、用途に応じて（平面鏡素子に対応して）ゼロ、又はゼロとは異なる屈折力とすることができる。これに関する周知の手法は、各ミラー素子を製造する際、反射層系を含む積層体を基板上に適用する際に生成される機械的張力、及びその結果積層体によって基板にかけられる曲げ力を、ミラー素子の所望の意図される曲率に意図的に使用し、それによってミラー素子の所望の最終的な屈折力を生成することからなる（この場合、基板は、積層体を形成する前のミラー素子における所望の意図される曲率とは異なる曲率を有する）。
実際、ミラー素子が（起動中及びその後の各光学系の作動中）温度変化にさらされ、これは、（すなわちいわゆるバイメタリック効果の結果として）積層体と基板とで熱膨張が異なる場合、各ミラー素子の曲率又は屈折力に望ましくない変化を生じさせ、その結果、ミラー素子を備える光学系の光学特性の劣化がもたらされるという問題が発生する。
先行技術に関しては、特許文献３（国際公開第2015/114043 A1号パンフレット）、特許文献４（ドイツ国特許出願第10 2010 028 488号明細書）及び特許文献５（ドイツ国特許出願第10 2006 057 567号明細書）を単なる例として参照する。
本発明の目的は、作動中に温度変化が発生した場合、熱的に誘導されるミラー素子の屈折力の変化を少なくとも低減させるミラー素子を提供することである。
この目的は独立請求項の特徴に従ったミラー素子によって達成される。
本発明の一態様によれば、本発明による、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子は、
‐基板と、
‐基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体とを備え、
‐ミラー素子の曲率は、所定の動作温度に対する所望の意図される曲率に基づいて、積層体によってかけられる非消失の曲げ力によって生成され、
‐生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔に亘って１０％以下で変化する。
‐基板と、
‐基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体とを備え、
‐ミラー素子の曲率は、所定の動作温度に対する所望の意図される曲率に基づいて、積層体によってかけられる非消失の曲げ力によって生成され、
‐生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔に亘って１０％以下で変化する。
本態様によれば、本発明は元来、反射層系を含む積層体を基板に適用する際に発生する機械的張力と、その結果積層体によって基板にかけられる曲げ力とを意図的に使用して、ミラー素子の所望の意図される曲率又は屈折力を生成するという原理から生じたものである（この場合、基板は、積層体の形成前の、ミラー素子の所望の意図される曲率とは異なる曲率を有する）。
そして本発明は、基板及び積層体で構成される（全）システムを、少なくとも限られた温度間隔内で温度変化が発生する場合であっても、ミラー素子の曲率の大きな変動やそれによるミラー素子の屈折力の大きな変動がないように設計する、すなわち、少なくとも制限された温度範囲に亘って、望ましくないバイメタリック効果が大幅に回避されるように設計するという概念に基づくものである。
一実施形態によれば、発生した曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔（ΔＴ）に亘って１％以下、特に０．１％以下で変化する。
一実施形態によれば、ミラー素子は補償層を備え、これは、温度間隔内で発生する、積層体によってかけられる温度変化を伴う曲げ力の変動を、この曲げ力のミラー素子の曲率への影響に関して、少なくとも部分的に補償する。従って、本手法によれば、本発明によるバイメタリック効果の補償は、この目的のために提供される追加層によって実行され、この追加層は、全体構造の中でのこの追加層の基板及び積層体に対する配置に応じて、曲げ力を基板にかけるだけであり、この曲げ力は、温度変化によって更に誘発される積層体の曲げ力と比較すると、同じ強さ又は反対符合で（opposite sign）同じ強さであり、理想的には、積層体の曲げ力の熱的に誘導される変化が補償され、曲率又は屈折力の熱的に誘導される変化がシステム全体又はミラー素子においてそれ以上発生しない。
一実施形態によれば、ミラー素子は均等層を備え、これは、均等層を備えていない類似の構成と比較すると、積層体と基板との間の機械的張力の伝達を低減する。従ってこの手法によれば、本発明によるバイメタリック効果の補償は、「ソフトな」均等層によって提供される積層体と基板との間の機械的分離によってもたらされる。
一実施形態によれば、ミラー素子は、基板の平均熱膨張係数が第１の値を有し、積層体の平均熱膨張係数が第２の値を有するように構成され、これら第１の値及び第２の値は、２つの値の内の大きな方に対して、±１０％以下、特に±３％以下、更に特に±１％以下である。
従って本手法によれば、本発明によるバイメタリック効果の補償は、基板の構成を、基板に使用される材料を考慮して、積層体の構成に、それぞれの平均熱膨張係数に関して調整することによって行われる。
一実施形態によれば、基板は少なくとも２つの異なる材料から製造される。
本発明は、最初に記載した、積層体によって基板にかけられる曲げ力を意図的に使用して、ミラー素子の所望の意図される曲率又は屈折力を生成させるという原理（この場合、基板は、積層体を形成する前の、ミラー素子の所望の意図される曲率とは異なる曲率を有する）の適用に制限されるのではなく、基板が最初からほぼ所望の意図される曲率で製造されているミラー素子にも適用することができる。この場合、積層体によって基板にかけられる曲げ力は、（例えば基板が比較的厚いため）非常に小さい。これは、（本発明に従って補償される）積層体と基板の異なる熱膨張による影響、又はそれによって発生するミラー素子の曲率又は屈折力の望ましくない変化の影響が、最初に記載された、例えば、視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーなどのファセットミラーのミラー素子を含む用途において、例えばマイクロリソグラフィ投影露光装置の動作中に光学特性の著しい低下をもたらすほど十分に深刻なままだからである。
従って本発明は更に、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置用のミラー素子に関し、これは、
‐基板と、
‐基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体と、
‐均等層のない同等の設計と比較して、積層体と基板との間の機械的張力の伝達を低減させる均等層とを備える。
‐基板と、
‐基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体と、
‐均等層のない同等の設計と比較して、積層体と基板との間の機械的張力の伝達を低減させる均等層とを備える。
一実施形態によれば、ミラー素子は追加の張力誘導層を備える。この追加の張力誘導層は、所望の機械的張力又は積層体によって基板にかけられる所望の曲げ力が、最終的に達成されるように構成することができる。
一実施形態によれば、ミラー素子は複数のミラー素子から成るミラー構成体のミラー素子である。具体的には、これらのミラー素子は相互に独立して傾斜可能である。
原理上、本発明は各ミラー素子の特定の寸法に制限されない。よってミラー素子は、例えば、いわゆるＭＥＭＳ部品であってもよく、その寸法の単なる例として、厚さ５０μｍ、エッジ長さ１ｍｍ、又は、厚さ数ミリ（ｍｍ）、エッジ長さ約１００ｍｍの、例えばファセットミラーの比較的巨視的なミラー素子である。
一実施形態によれば、ミラー構成体はファセットミラー、特に視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーである。
一実施形態によれば、ミラー素子は３０ｎｍ以下、特に１５ｎｍ以下の動作波長用に設計される。しかしながら本発明はそれに限定されず、更なる用途において、ミラー素子はＶＵＶ範囲の波長、特に２００ｎｍ以下の波長用にも設計することができる。
一実施形態によれば、ミラー素子はマイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー素子である。しかしながら本発明はそれに限定されず、特にＥＵＶでの動作用に設計された測定構造にも使用可能である。
本発明は更にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、特に照明デバイス又は投影レンズ、及びマイクロリソグラフィ投影露光装置に関する。
本発明の更なる構成は明細書及び従属請求項に記載される。
本発明を添付の図面に記載された実施形態に基づいて、以下に詳述する。
本発明によるミラー素子の実施可能な実施形態を、先ず、図１〜図５を参照して以下に記載する。
製造されるミラー素子は、例えば、視野ファセットミラーの形態のミラー構成体におけるミラー素子又はマイクロミラーとすることができ（本発明ではこれらに制限されない）、各ミラー素子は同じ又は異なる曲率又は屈折力を有する。
全ての実施形態において、（例えば、モリブデン層及びシリコン層で構成される多層系としての）反射層系を有する積層体は、各々の場合において基板に適用される。ミラー基板材料は、例えば、二酸化チタン（ＴｉＯ２）の添加されたシリコン（Ｓｉ）又は石英ガラスであり、使用可能な材料の例として、（コーニング社による）ＵＬＥ（登録商標）又は（ショット・アーゲーによる）Ｚｅｒｏｄｕｒ（登録商標）がある。更なる実施形態において、ミラー基板材料には、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ダイアモンド、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、Ａｌ２Ｏ３、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又は炭化ケイ素（ＳｉＣ）もある。例えば、キャッピング層（「キャップ層」）、基板保護層などの更なる機能層を周知の方法によって任意に設けることもできる。
ここで、反射層系を含む積層体を形成する場合、積層体のゼロではない曲げ力を、コーティングパラメータ及び／又は後処理並びにそれによって生成される機械的張力のパラメータを適切に調整することによって、基板にかけることができる。この場合、各積層体を形成する際、機械的張力は、特に反射層系において所望されるやり方で設定される材料と厚さの比率（例えば、一周期における全体の厚さに対する吸収層の厚さの比率、この厚さの比率をここではΓと称する）により、周知の方法で設定することができる。機械的張力を設定する際の手順は、例えばドイツ国特許出願第10 2008 042 212号明細書より当業者に周知である。更にドイツ国特許出願第10 2011 003 357号明細書より当業者に周知である様に、機械的張力は、コーティング中、酸素ドーピング又は酸素の添加によって積層体を適用する際に設定することもできる。
反射層系を備える積層体の形成中に基板に発生するこの機械的張力により、基板の曲率は、コーティング前の状態における元来の曲率から変化する。コーティング前の基板のこの元来の曲率は、ゼロ（すなわち、基板はコーティング前の平らな状態）、又は完成されたミラー素子の所望の意図される曲率に未だ対応していない最終曲率（例えば、凸状曲率）である。図５ａによれば、例えば、同じ曲率又は屈折力を有する複数のミラー素子は、初期状態において平らな（ミラー）基板５１１，５１２・・・を、同じコーティングパラメータの設定された反射層系を備える積層体５２１，５２２・・・によってそれぞれコーティングすることによって製造することができ、このコーティング中、生成される機械的張力及びこの機械的張力によって生じるそれぞれの基板５１１，５２２・・・上の曲げ力は、（それぞれの場合において各ミラー素子と同一の）所望される曲率が各々の完成されたミラー素子において設定されるように選択される。図５ｂによれば、基板５１３，５１４・・・はそれぞれ初期状態（コーティング前）において最終曲率を有することもでき、この最終曲率は最終的に所望される曲率には未だ対応しておらず、この基板曲率は、積層体を適用する際に生成される機械的張力又はかけられる曲げ力によって変えられる。具体的には、図５ｂの例において、コーティング前の初期の状態で存在する基板５１３，５１４・・・の凸状曲率はゼロとなる、すなわち、完成したミラー素子の平らな幾何学的形状が最終的に生成される。
ここで本発明によるミラー素子の実施可能な実施形態を、図１のａ）〜ｅ）を参照して以下に説明する。実施形態において、本発明による「バイメタリック効果」の補償、すなわち、積層体によってかけられる、温度変化を伴う曲げ力のミラー素子の曲率への影響に関する変動の補償は、基板の構成を積層体の構成に、特にそれぞれに存在する平均熱膨張係数に関して適切に調整することによって実現される。
具体的には、図１のａ）〜ｅ）によれば、ミラー素子１１０ａ〜１１０ｅの基板は、基板に使用される材料を考慮して、基板の平均熱膨張係数が、その値に関して、積層体の平均熱膨張係数にほぼ対応するように設計される（好適には、２つの値の内の大きい方に対して±３％以内）。
一方の積層体と他方の基板との間の平均熱膨張係数の、基板の部分に対して求められる調整に関して適用される本発明による手段により、積層体又は反射層系の場合と異なる、材料の選択と設計が基板部分におけるミラー素子の所望される光学効果によって予め定められない状況は、基板部分が比較的大きな設計自由度を有するように利用される。
図１のａ）〜ｅ）の各場合において略的に示すように、上述のような（図１のａ）〜ｅ）においてそれぞれ１１１，１１２，１１３，１１４及び１１５で示される）基板の（図１のａ）〜ｅ）においてそれぞれ１２１，１２２，１２３，１２４及び１２５で示される）積層体への適合は、基板（図１のａ））の構成が均一の場合、基板材料は積層体の値にほぼ適合する適切な平均熱膨張係数をすでに有している、又は、基板部分のこの適合は、異なる熱膨張係数を有する別の材料のドーピング（図１のｂ））、若しくは別の材料の層（図１のｃ））又はカラム（図１のｄ））によって達成されるという事実によって実行することができる。図１のｅ）は更なる実施可能な実施形態の略図であり、この場合、基板１１５部分において、選択された種々の基板材料の混合物が複数の層に分布され、その結果、熱膨張係数の勾配が生じている。
例えば、図１のｂ）において積層体１２２が５×１０−６Ｋ−１の平均熱膨張係数を有する場合、基板１１２部分に存在する熱膨張係数の所望される対応は、シリコン（Ｓｉ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とで製造された合金として構成される基板によって達成することができる。シリコン（α＝２．６×１０−６Ｋ−１）とゲルマニウム（α＝５．９×１０−６Ｋ−１）の対応する熱膨張係数の値を考慮すると、この例示的実施形態に対して理想的なシリコン（Ｓｉ）含有率は２７％となる。第一次近似において、これは図１のｃ）及び図１のｄ）による例示的実施形態にも適用される。
従って本発明は、上述の態様によれば、積層体の熱膨張係数が所定値の場合、基板の熱膨張係数を（「自由」パラメータとして）適切に選択することにより、結果として所望の補償効果を達成するという概念を含んでいる。
更に実施可能な実施形態を、図２〜図４を参照して以下に説明する。これらの実施形態において、本発明によるバイメタリック効果の補償は、基板又は基板材料の適切な適用によってのみでなく、一つ又は複数の追加層の使用によって達成される。
図２のａ）〜ｃ）によれば、基板は２１１，２１２又は２１３で示され、積層体（反射層系及び更なる機能層を任意に含む）は２２１，２２２又は２２３で示される。図２のａ）〜図２のｃ）の例示的実施形態に共通していることは、各ミラー素子がそれぞれ補償層２３１，２３２又は２３３を有し、これは、温度変化を伴う、積層体２２１，２２２又は２２３によってかけられる曲げ力の変動を、それぞれのミラー素子２１０ａ，２１０ｂ又は２１０ｃの曲率への影響に関して、少なくとも部分的に補償する働きをする。
図２のａ）によれば、補償層２３１は基板２１１と積層体２２１の間に配置されている。この場合、補償層２３１は、例えば少なくとも１０Ｋの温度間隔内の温度変化を伴う補償層２３１によってかけられる曲げ力の変動が、この温度変化によって熱的に誘導される積層体２２１の部分における曲げ力の変化と、強さに関して反対の符合で同等となるように構成される。換言すれば、以下の関係が当てはまる。
上式において、ｔｆ１及びｔｆ２はそれぞれ積層体２２１及び補償層２３１の厚さを示し、各々の場合、基板２１１, 積層体２２１及び補償層２３１の２軸絶対値又はポアソン比の適合が行われたものとする。
例えば、積層体２２１部分の平均熱膨張係数がα＝５×１０−６Ｋ−１、積層体２２１の厚さが５００ｎｍであり、基板が熱膨張係数α＝２．６×１０−６Ｋ−１のシリコン（Ｓｉ）で製造されている場合、補償層２３１は熱膨張係数０．５５×１０−６Ｋ−１の二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で製造することができ、この場合、補償層２３１の厚さは理想値５８５ｎｍである。
従って本態様によれば、本発明は、基板及び積層体の熱膨張係数α並びに積層体の厚さの所定値に基づき、補償層の対応するパラメータを適切に選択することによって、所望の補償効果を実現させるという概念を含んでいる。換言すれば、補償層の導入により、方程式（１）の所定のパラメータ、すなわちα基板、α積層体及びｔｆ１を維持しつつ、（材料および厚さに関する）補償層の目標とする構成によって、所望の補償効果をより容易に達成することができる。
図２のｂ）によれば、補償層２３２は積層体２２２と反対側の基板２１２の側面に配置することもできる。この場合、特定の温度間隔内で上述の温度変化によって熱的に誘導される補償層２３２の曲げ力は、好適には、積層体２２２によってかけられる曲げ力と、強さ及び符合に関して理想的に同等である。すなわち、以下の式が適用される：
図２のｂ）における基板２１２及び積層体２２２の構成の場合、これは、補償層２３２の理想的な厚さが５９ｎｍの場合、補償層２３２を熱膨張係数２３×１０−６Ｋ−１のアルミニウム（Ａｌ）で製造することによって達成することができる。
図２のｃ）によれば、補償層２３３は更に、基板２１３の内部（すなわち、基板の上部でも下部でもない）にも配置させることができる。
図３のａ）〜ｍ）に略的に示す更なる実施形態において、更に張力誘導層を設けることができ、これは、所望の機械的張力又は所望の曲げ力が積層体によって基板にかけられるように構成されている。図３のａ）〜ｍ）において、基板はそれぞれ３１１ａ，３１１ｂ・・・で示され、積層体はそれぞれ３２１ａ，３２１ｂ・・・で示され、任意に追加されて存在する補償層はそれぞれ３５１ｂ，３５１ｃ・・・で示されている。
図３のａ）、ｈ）及びｋ）においては、全体に亘る機械的張力、又は積層体３２１ａ，３２１ｈ若しくは３２１ｋによってかけられる曲げ力に対する調整は補償層３３１ａ，３３１ｈ又は３３１ｋによって行われ、一方で残りの実施形態、すなわち、図３のｂ）〜ｇ）、図３のｉ）〜ｊ）及び図３のｌ）〜ｍ）には追加の張力誘導層３５１ｂ，３５１ｃ・・・が設けられると仮定して、図２のａ）〜ｃ）に基づいて説明した上述の実施形態から生じる違いについて説明する。
図４のａ）は本発明の更なる実施形態を示す。本発明によるバイメタリック効果の補償は、均等層４４１の存在によって達成され、均等層は、（均等層４４１によって基板４１１と積層体４２１の間に機械的分離が生じるように）基板４１１と積層体４２１の間の機械的張力の伝達を低減させる。
図４のｂ）及び図４のｃ）は更なる例示的実施形態を示しており、これには、図３のａ）〜ｍ）と同様に、追加の張力誘導層４５２又は４５３が設けられている。
図６は、ＥＵＶでの動作用に設計された、本発明を実現させることのできる例示的投影露光装置の略図である。
図６によれば、ＥＵＶ用に設計された投影露光装置６００内の照明デバイスは、視野ファセットミラー６０３及び瞳ファセットミラー６０４を備えている。プラズマ光源６０１及び集光ミラー６０２を備える光源部からの光は視野ファセットミラー６０３に向けられる。第１望遠鏡ミラー６０５及び第２望遠鏡ミラー６０６は瞳ファセットミラー６０４の下流の光路に配置されている。偏向ミラー６０７は光路の下流に配置され、これは、偏向ミラーに入射する光を、６つのミラー６５１〜６５６を含む投影レンズの物体平面の物体視野に向ける。物体視野にあるマスクステージ６２０には反射構造を有するマスク６２１が配置され、このマスクは投影レンズによって像面に結像され、ウエハステージ６６０上には感光層（フォトレジスト）でコーティングされた基板６６１がある。
本発明はこれに限定されず、本発明による方法は、図６の視野ファセットミラー６０３又は瞳ファセットミラー６０４の製造に特に有利に適用することができ、更に、特に視野ファセットミラー６０３の各々の視野ファセット又は瞳ファセットミラー６０４の各々の瞳ファセットが各々のミラー素子又はマイクロミラーで構成されている場合、更に特に有利に適用することができる。
本発明を特定の実施形態に基づいて説明してきたが、例えば、各々の実施形態の特徴の組合せ及び／又は交換による多くの種々の代替実施形態が当業者には明らかであろう。従って、当業者にとって言うまでもないことだが、このような変形及び代替実施形態は本発明に付随して含まれ、本発明の範囲は、添付する特許請求項及びその同等物の範囲内のみに限定される。
Claims (12)
- ミラー素子であって、
‐基板（１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，２１１，２１２，２１３，３１１ａ〜３１１ｍ，４１１，４１２，４１３）と、
‐前記基板上の、少なくとも１つの反射層系を有する積層体（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５，２２１，２２２，２２３，３２１ａ〜３２１ｍ，４２１，４２２，４２３）とを備え、
‐前記ミラー素子の曲率は、所定の動作温度に対する所望の意図される曲率に基づいて、前記積層体によってかけられる非消失の曲げ力によって生成され、
‐前記生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔（ΔＴ）に亘って１０％以下で変動し、
前記ミラー素子は、補償層（２３１，２３２，２３３，３３１ａ，３３１ｂ，・・・）を備え、該補償層は、前記温度間隔（ΔＴ）内で生じる温度変化を伴う、前記積層体（２２１，２２２，２２３，３２１ａ，３２１ｂ・・・）によってかけられる曲げ力の変動を、該曲げ力の前記ミラー素子の曲率への影響に関して、少なくとも部分的に補償し、
前記ミラー素子は、所望の機械的張力又は所望の曲げ力が前記積層体によって前記基板にかけられるように構成された張力誘導層（３５１ｂ，３５１ｃ，・・・；４５２，４５３）を更に備え、該張力誘導層は、前記基板により前記補償層から分離されるミラー素子。 - 請求項１に記載のミラー素子において、前記生成された曲率は、少なくとも１０Ｋの温度間隔（ΔＴ）に亘って、１％以下で変動することを特徴とするミラー素子。
- 請求項１又は２に記載のミラー素子において、前記積層体（４２１，４２２，４２３）と前記基板（４１１，４１２，４１３）の間の機械的張力の伝達を低減する均等層（４４１，４４２，４４３）を備えることを特徴とするミラー素子。
- 請求項１〜３の何れか一項に記載のミラー素子において、前記基板（１１１，１１２，１１３，１１４，１１５）の平均熱膨張係数は第１の値を有し、前記積層体（１２１，１２２，１２３，１２４，１２５）の平均熱膨張係数は第２の値を有し、前記第１の値及び前記第２の値は、これら２つの値の内の大きい値に対して、±１０％以内で対応することを特徴とするミラー素子。
- 請求項４に記載のミラー素子において、前記基板（１１２，１１３，１１４，１１５）は少なくとも２つの異なる熱膨張係数を有する材料によって構成されることを特徴とするミラー素子。
- 請求項１〜５の何れか一項に記載のミラー素子において、複数のミラー素子から構成されるミラー構成体のミラー素子であることを特徴とするミラー素子。
- 請求項６に記載のミラー素子において、相互に独立して傾斜可能であることを特徴とするミラー素子。
- 請求項６又は７に記載のミラー素子において、前記ミラー構成体はファセットミラーであることを特徴とするミラー素子。
- 請求項１〜８の何れか一項に記載のミラー素子において、３０ｎｍ未満の動作波長用に設計されたものであることを特徴とするミラー素子。
- 請求項１〜９の何れか一項に記載のミラー素子において、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラー素子であることを特徴とするミラー素子。
- 請求項１０に記載の少なくとも１つのミラー素子を備える、マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系。
- 照明デバイス及び投影レンズを備えるマイクロリソグラフィ投影露光装置であって、請求項１１に記載の光学系を備えることを特徴とする投影露光装置。
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