DE102006057567B4 - Mikrooptisches Element mit einem Substrat, an dem an einer optisch wirksamen Oberfläche mindestens eine Höhenstufe ausgebildet ist, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendungen - Google Patents

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Abstract

Mikrooptisches Element mit einem Substrat, an dem an einer optisch wirksamen Oberfläche mindestens eine Höhenstufe ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhenstufe(n) jeweils mit einer Zwischenschicht (9), die zwischen mindestens zwei Schichten (10', 10'') des Substrats (10) eingeschlossen ist, gebildet ist/sind.

Description

  • Die Erfindung betrifft mikrooptische Elemente mit einem Substrat, Verfahren zur Herstellung dieser Elemente und deren Verwendung. Dabei weisen die Substrate an einer optisch wirksamen Oberfläche mindestens eine Höhenstufe auf. Sie können um eine Ruhelage, bevorzugt elektrostatisch ausgelenkt werden.
  • Neben der Erhöhung der Steifigkeit und Festigkeit gegen eine Verwindung und Durchbiegung können Höhenstufen auch optische Einflüsse erreichen. So ist eine Phasenmodulation von reflektierten oder transmittierten elektromagnetischen Wellen möglich. Dabei ist ein Einsatz für optische Gitter, sowie Entspiegelung von Oberflächen durch gitterartige Interferenz-Strukturen möglich.
  • Ein besonderer Einsatzfall sind Flächenlichtmodulatoren (spatial light modulator, SLM) in Form von Matrizen, die mit einer Vielzahl translatorisch oder rotatorisch auslenkbarer reflektierender Elemente gebildet werden können. Um bei einer Anwendung derartiger Elemente in der Mikrolithographie, insbesondere für die Belichtung von Masken oder Wafern Phasen-Kontrast-Techniken anwenden zu können, ist es erforderlich einander zugeordnete Auslenkzustände der mikrooptischen Elemente zu realisieren, für die einfallende elektromagnetische Strahlung mit gleicher Intensität, jedoch mit einer um bis zu 180° verschobenen Phasenlage reflektiert werden kann.
  • Herkömmliche SLM, bei denen die verkippbaren mikromechanischen Elemente eine ebene Oberfläche aufweisen, sind dazu nicht in der Lage. Sie erreichen die maximale Reflektivität im Ruhezustand. Gegenüber der im Ruhezustand reflektierten elektromagnetischen Strahlung um 180° phasenverschobene Strahlung lässt sich für das ausgelenkte Element zwar darstellen, jedoch nur mit einem Bruchteil der Intensität. Dadurch kann der Phasenkontrast nur eingeschränkt genutzt werden. Zur Lösung des Problems wurde daher vorgeschlagen, zwischen den durch die Rotationsachse getrennten planparallelen reflektierenden Bereichen einen optischen Gangunterschied von einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 (λ Arbeitswellenlänge) einzuführen, wobei die Reflektivität beider Bereiche etwa konstant bleiben soll. In diesem Fall ist die vom unausgelenkten Element senkrecht reflektierte Intensität minimal und steigt mit zunehmender Auslenkung auf einen Maximalwert von etwa der halben einfallenden Intensität an. Für die beiden möglichen Richtungen der Auslen kung ist dabei wie gefordert die Phasenlage der reflektierten Strahlung um 180° verschieden.
  • Ein hierfür geeignetes mikrooptisches Element und Möglichkeiten zu seiner Herstellung sind in WO 2005/057291 A1 beschrieben.
  • Dabei werden üblicherweise transparente oder semitransparente Schichten auf ein Substrat aufgebracht und lithografisch strukturiert, um Höhenstufen beispielsweise zur Erzielung der erwähnten Gangunterschiede auszubilden. Eine entsprechende Ausbildung kann mit 10 verdeutlicht werden. Hier ist ein Substrat 10 mittels Pfosten 11 an einem Träger 1 gehalten und kann um eine Rotationsachse verkippt werden. Auf dem Träger 1 sind Elektroden 3 und 4 für eine elektrostatische Auslenkung des Substrates 10 vorhanden. Die Höhenstufe ist mit einer zusätzlichen aus einem vom Substratwerkstoff abweichenden Stoff gebildeten Schicht 10.1 ausgebildet worden.
  • Bei den bekannten Lösungen treten aber Probleme bzgl. der Planarität und einer erhöhten Temperaturabhängigkeit auf.
  • Dabei kann ein Substrat ohne Beschichtung sicher in planarer Form zur Verfügung gestellt werden. Erfolgt dann aber eine Beschichtung, ist und bleibt der beschichtete Bereich nur dann in gewünschter Form planar, wenn an der Grenzfläche zur Beschichtung keine Kräfte wirken. Dies ist in der Regel aber nicht der Fall, da die Schichtspannungen in Substrat und Beschichtung nicht gleich sind.
  • Da weiterhin die thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Beschichtung und Träger nicht identisch sind, werden durch Temperaturänderungen (z. B. verursacht durch Laserbestrahlung) oder lokale Temperaturgradienten (Verlustwärme von ggf. in den SLM integrierten Schaltungen) in reflektierenden Elementen der beschriebenen Art, wie bei einem Bimetall-Streifen, mechanische Spannungen erzeugt, die zu einer Verbiegung bzw. einer Verschlechterung der Planarität führen, wodurch sich die Abbildungseigenschaften der Elemente drastisch verschlechtern.
  • Die unterschiedliche Reflektivität in beschichteten und unbeschichteten Bereichen kann bei Betrieb mit extrem kurzen Laserpulsen zu einer lokal unterschiedlichen Erwärmung und so zu starken mechanischen Spannungen führen. Im Extremfall kann ggf. sogar eine Delamination der Beschichtung auftreten.
  • Bei der Herstellung von in Rede stehenden mikrooptischen Elementen ist es erforderlich eine dauerhafte und temperaturunabhängige Planarität einzuhalten sowie insbesondere bei optisch wirksamen Oberflächen über deren gesamte Fläche weitere Parameter zu berücksichtigen.
  • So ist es bei mikrooptischen Elementen mit phasenschiebenden Eigenschaften gewünscht, den oder die Phasensprünge exakt reproduzierbar und möglichst homogen einstellen und einhalten zu können. Über die gesamte optisch wirksame Oberfläche sollte eine homogene Reflektivität oder Transparenz eingehalten werden können.
  • Ein Einsatz sollte auch im Wellenlängenbereich der DUV-Strahlung (insbesondere bei 248 nm, 193 nm), VUV (157 nm) und EUV-Strahlung (insbesondere bei 13,4 nm) möglich sein.
  • Bei der Herstellung sollte auf bekannte und bewährte Technologien zurückgegriffen werden können.
  • Außerdem ist aus EP 1 528 038 A1 ein beugender Dünnfilm-Piezoelektrischer-Mikrospiegel bekannt.
  • Die WO 2005/057291 A1 betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Strukturierung von Werkstücken. Die Vorrichtung weist dabei mindestens eine schwenkbare reflektierende Oberfläche auf, mit der eine Phasenschiebung möglich ist.
  • In EP 1 230 574 B1 ist ein schwenkbarer räumlicher Lichtmodulator mit aufgesetztem Scharnier und einem schwenkbaren Element beschrieben.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, mikrooptische Elemente zur Verfügung zu stellen, die an optisch wirksamen Oberflächen Höhenstufen aufweisen, dabei beidseitig der Höhenstufe(n) eine homogene Reflektivität einhalten sowie dauerhaft und temperaturunabhängig eine hohe Planarität beibehalten.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit mikrooptischen Elementen, die die Merkmale des Anspruchs 1 aufweisen, gelöst. Sie können mit einem Verfahren nach Anspruch 18 hergestellt werden. Vorteilhafte Verwendungen sind mit Anspruch 25 benannt.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung können mit in untergeordneten Ansprüchen bezeichneten Merkmalen erreicht werden.
  • Die erfindungsgemäßen mikrooptischen Elemente mit einem Substrat sind dabei so ausgebildet, dass mindestens eine Höhenstufe an einer optisch wirksamen Ober fläche ausgebildet ist.
  • Das Substrat mit der/den Höhenstufe(n) ist dabei mit einer Zwischenschicht, die zwischen mindestens zwei Schichten des Substrats, bevorzugt symmetrisch eingeschlossen ist, gebildet. Die Schichten sollten jeweils aus einem homogenen Werkstoff bzw. einem Nanolaminat bestehen.
  • Für das Substrat sollten amorphe Werkstoffe oder solche, die eine nanokristalline Struktur aufweisen, eingesetzt werden.
  • Dabei kann die optisch wirksame Oberseite unmittelbar vom Substrat gebildet sein. Es besteht aber auch die Möglichkeit die gesamte Oberseite mit einer geeigneten beispielsweise hochreflektierenden Beschichtung zu versehen. Eine solche Beschichtung sollte dabei ebenfalls aus einem homogenen Werkstoff gebildet sein und über die gesamte Fläche eine konstante Schichtdicke aufweisen, um die Nachteile der aus WO 2005/057291 A1 bekannten Lösung zu vermeiden.
  • Die Schicht kann für die elektromagnetische Strahlung reflektierend sein. Der die Beschichtung bildende Stoff sollte einen zumindest nahezu gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten, wie das Substrat und einen an dieses angepassten Spannungszustand aufweisen, zumindest dann, wenn Sie lediglich an der Oberseite aufgebracht ist.
  • Unterschiede im Spannungszustand und/oder Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Substrat bzw. der Beschichtung an seiner Oberseite können weitgehend kompensiert werden, wenn eine bezüglich Stoff, Spannungszustand und Schichtdicke gleiche Beschichtung auch an der Unterseite ausgebildet wird.
  • Die eine ggf. aber auch mehrere Höhenstufe(n) ist/sind dabei unmittelbar am Substrat mittels der Zwischenschicht ausgebildet.
  • Als Nanolaminat soll hier ein aus mehreren miteinander verbundenen Einzelschichten bestehender Schichtstapel bezeichnet werden. Ein mit Nanolaminat ausgebildetes Substrat kann mit mindestens drei einzelnen dünnen Schichten gebildet sein, die sich in der Art des Stoffes und/oder in anderen Schichteigenschaften unterscheiden. Bevorzugt kann ein Nanolaminat mit Schichten aus mindestens zwei unterschiedlichen Stoffen oder Stoffgemischen gebildet sein. Für ein als Nanolaminat ausgebildetes Substrat kann dabei vorteilhaft ein Aufbau aus alternierenden Dünnschichten verschiedener Stoffe gewählt werden, der in Richtung der Schichtnormalen gesehen, symmetrisch zur Mittelebene des Nanolaminats ist.
  • Die Höhenstufe(n) sind lokal differenziert jeweils mit einer Zwischenschicht ausgebildet, die in strukturierter Form auf der ersten substratbildenden Schicht und vor Ausbildung der zweiten substratbildenden Schicht, ausgebildet werden soll.
  • Um einen bereits angesprochenen phasenschiebenden Effekt zu erreichen kann die mindestens eine Höhenstufe eine Stufenhöhe von λ/4 oder einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 der gewählten Arbeitswellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Sie kann dann vorteilhaft an einer Rotationsachse und/oder parallel zu dieser ausgerichtet an einem um die Rotationsachse verschwenkbaren mikrooptischen Element angeordnet sein.
  • Die Stufenhöhe wird mit der Schichtdicke der Zwischenschicht(en) vorgegeben.
  • Die beiden substratbildenden Schichten sollten zumindest in Bereichen mit optisch wirksamer Oberfläche eine konstante und jeweils gleiche Schichtdicke aufweisen, um symmetrische Verhältnisse einhalten zu können.
  • Es können, wie bereits angedeutet, mehr als nur zwei Schichten für die Substratbildung genutzt werden. Dabei sollte jedoch auch ein symmetrischer Aufbau eingehalten sein, d. h. in Bezug zu einer parallel zur optisch wirksamen Oberfläche gelegenen Symmetrieebene in Spiegelmitte sollten jeweils gleiche Schichten an deren beiden Seiten spiegelsymmetrisch ausgebildet sein. Eine oder mehrere Zwischenschichten sind dann von beiden Seiten in gleicher Form von mehreren Schichten oder Nanolaminat eingefasst. Die jeweiligen einzelnen Schichten sollten dann identische Schichtdicken aufweisen und aus gleichen Werkstoffen gebildet sein.
  • Um einen bereits angesprochenen phasenschiebenden Effekt zu erreichen kann die mindestens eine Höhenstufe eine Stufenhöhe von λ/4 oder einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 der gewählten Arbeitswellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung aufweisen. Sie kann dann vorteilhaft an einer Rotationsachse und/oder parallel zu dieser ausgerichtet an einem um die Rotationsachse verschwenkbaren mikrooptischen Element angeordnet sein.
  • Mit mehreren parallel zueinander ausgerichteten und in einem geeigneten Abstand zueinander angeordneten Höhenstufen kann aber auch ein optisches Gitter zur Verfügung gestellt werden.
  • Für eine Auslenkung können unterhalb des Substrates, also an der einer optisch wirksamen Oberfläche gegenüberliegenden Seite, Elektroden angeordnet sein, die in geeigneter Form elektrisch angesteuert werden können, um eine gewünschte Auslenkung/Verschwenkung zu erreichen.
  • Das Substrat des mikrooptischen Elements kann mittels Pfosten mit einem Träger verbunden und in einem Abstand zu diesem gehalten sein. Mit den Pfosten kann das Substrat über elastisch verformbare Federelemente verbunden sein. Die Federelemente können bei einem um eine Rotationsachse verschwenkbaren mikrooptischen Element als Torsionsfedern ausgeführt sein.
  • Der Träger kann bevorzugt ein Siliziumsubstrat in Form eines Wafers mit integrierter CMOS-Schaltung sein, die wiederum mit den bereits angesprochenen Elektroden elektrisch kontaktiert ist.
  • Selbstverständlich können eine Vielzahl von erfindungsgemäßen mikrooptischen Elementen auch in Form eines Arrays zur Verfügung gestellt werden.
  • Bei der Herstellung kann so vorgegangen werden, dass auf einer Oberfläche eines Trägers zuerst eine Opferschicht ausgebildet wird. Die Opferschicht sollte dabei eine homogene Schichtdicke und nur eine geringe Oberflächenrauhigkeit aufweisen. Sie kann nach ihrer späteren Entfernung den Abstand des Substrates zur Oberfläche des Trägers vorgeben. Opferschicht(en) können mit amorphem Silizium, Siliziumdioxid, einem Photolack, Polyimid, TixAly, Aluminium, MoxSiyNz, TaxSiyNz, CoxSiyNz, SixNyOz, GeOx (mit 0 < x ≤ 1, 0 ≤ y, z < 1) und/oder Molybdän gebildet werden.
  • Auf der einen Opferschicht wird dann das Substrat ausgebildet oder dort aufgebracht. Die Ausbildung des Substrates kann durch Ausbildung zweier Schichten, mit im Bereich von Höhenstufen eingeschlossener Zwischenschicht erfolgen. Dies kann durch ein an sich bekanntes Bedampfen im Vakuum, CVD-Verfahren oder auch durch Sputtern erreicht werden.
  • Das Substrat kann aus Silizium, Aluminium aber auch einem anderen Werkstoff, der bei der Arbeitswellenlänge die gewünschten optischen Eigenschaften aufweist, beispielsweise auch mit einem Nanolaminat, gebildet sein. Als hochreflektierender Werkstoff kann beispielsweise Aluminium eingesetzt werden. Die Zwischenschicht(en) können beispielsweise mit Siliziumoxid, Molybdän, Molybdänoxid, Germanium oder Germaniumoxid ausgebildet werden. Eine Zwischenschicht sollte möglichst dem Substrat angepasste Eigenspannungen aufweisen und aus einem Werkstoff gebildet sein, der selektiv zum Substratwerkstoff strukturierbar ist. Außerdem sollte der Werkstoff der Zwischenschicht inert gegenüber den Ätzprozessen sein, die zur Entfernung der Opferschicht und zur Herstellung der nachfolgend noch erläuterten Durchbrechungen eingesetzt werden.
  • Nach Ausbildung eines Substrats mit teilweise eingeschlossener Zwischenschicht werden Durchbrechungen ausgebildet, mit deren Hilfe durch Ätzprozesse eine Entfernung der Opferschicht erfolgen und dadurch das Substrat freigelegt werden kann.
  • Die Substrate der erfindungsgemäßen Elemente sind in erhabenen Bereichen mit ihren Höhenstufen zwar gegenüber abgesenkten Bereichen unterschiedlich aufgebaut, sind an der Oberfläche aber aus einem einzigen homogenen Werkstoff gebildet. Somit ist eine homogene Reflektivität gegeben. Das Substrat ist dabei symmetrisch ausgebildet, was auf die erhabenen und die abgesenkten Bereiche zutrifft. Das Substrat ist dabei im Hinblick auf Werkstoffe und Schichtdicken vorzugsweise symmetrisch zur Mittelebene der Zwischenschicht ausgebildet, wodurch eine thermische Kompensation erreicht und eine Änderung der Planarität bei Tempera turschwankungen vermieden wird. Es kann so eine thermische Kompensation erreicht und dadurch eine Veränderung der Planarität bei Temperaturschwankungen vermieden werden. Bei Einhaltung der Prozessparameter bei der Ausbildung und Entfernung der Schichten kann die Eigenspannung in den zu beiden Seiten der Symmetrieebene gelegenen einander zugeordneten identisch aufgebauten Teilen des Substrates jeweils auf den gleichen Wert eingestellt werden, so dass wegen der eingehaltenen Symmetrie keine Deformationen in Folge der für verschiedene Schichtwerkstoffe unterschiedlichen Eigenspannungen auftreten. Darüber hinaus wird durch den symmetrischen Aufbau erreicht, dass die Planarität der Elemente relativ unempfindlich auf leichte Änderungen der Schichteigenschaften, beispielsweise durch Targetabnutzung bei einer Sputterbeschichtung, reagiert, da die Änderungen gleichermaßen zu beiden Seiten der Symmetrieebene wirken und sich damit kompensieren.
  • Ggf. vorhandene Gradienten der Eigenspannung in Schichten können die Symmetrie des Elements brechen, und zu einer schlechteren Planarität führen. Sie lassen sich aber durch eine angepasste Prozessführung minimieren.
  • Die Erfindung kann vorteilhaft für die Direktbelichtung von Wafern, die Herstellung von Masken, Belichtung von Leiterplatten, die Projektion von Abbildungen, die Modifikation von Abbildungseigenschaften optischer Systeme, als optisches Gitter oder Anwendungen in der adaptiven Optik eingesetzt werden.
  • Nachfolgend soll die Erfindung beispielhaft näher erläutert werden.
  • Dabei zeigen:
  • 1 bis 9 sukzessive die Herstellung eines Beispiels eines erfindungsgemäßen mikrooptischen Elementes, als Phasenschieber mit einer Höhenstufe, das um eine Rotationsachse verschwenkbar ist und
  • 10 ein Beispiel nach dem Stand der Technik.
  • Für die Herstellung eines Beispiels eines erfindungsgemäßen mikrooptischen Elements wird ein Träger 1 eingesetzt. Dieser ist ein Siliziumsubstrat mit einem fest verdrahteten Elektrodenarray bzw. einer integrierten CMOS-Schaltung. Letztere ist über elektrisch leitende Verbindungen mit einer Gegenelektrode 3, einer Substratelektrode 4 und einer Adresselektrode 5 kontaktiert. Die genannten Verbindungen sind in einer dielektrischen Passivierungsschicht 2, die aus Siliziumdioxid und/oder Aluminiumoxid gebildet ist, eingebettet (vgl. 1).
  • Darauf wird beispielsweise in CVD-Technologie eine dielektrische Passivierungsschicht 6 aufgebracht (vgl. 2). Diese wird später beispielsweise durch chemisch-mechanisches Polieren geglättet und dabei teilweise abgetragen (vgl. 3). Sie bildet eine elektrische Isolation zwischen den Elektroden 3, 4 und 5. Auf Elektroden können dann Stopper 7 als Schicht abgeschieden und strukturiert werden. Diese können einen elektrischen Kurzschluss zwischen Substrat 10 und Elektroden 3, 4 und 5 bei unbeabsichtigt auftretenden zu hohen Auslenkungen vermeiden (vgl. 4).
  • Darauf wird eine erste Opferschicht 8 in CVD- oder Sputtertechnik, bzw. durch Aufschleudern eines flüs sigen Precursors abgeschieden (vgl. 5). Diese kann beispielsweise aus amorphem Silizium, Siliziumoxid oder einem Polymer (z. B. Polyimid) gebildet sein. Sie gibt den späteren Abstand zwischen Substrat 10 und den Elektroden 3, 4 und 5 vor und bestimmt somit auch die Spannungs-Auslenkungskennlinie beim elektrischen Betrieb mit Auslenkung des mikrooptischen Elements.
  • Bei dem Beispiel wird nach der Ausbildung von Durchbrechungen 13' in der Opferschicht 8, die für eine Ausbildung von Pfosten 11 vorgesehen sind, dann auf die Opferschicht 8 und in die Durchbrechungen 13' eine erste substratbildende Schicht 10' abgeschieden. Diese Schicht 10' sollte zumindest in Bereichen, die später eine optisch wirksame Oberfläche bilden, eine homogene Schichtdicke aufweisen.
  • Auf die Oberfläche der ersten substratbildenden Schicht 10' wird dann in strukturierter Form, also auf Bereichen, an denen Höhenstufen ausgebildet werden sollen, eine Zwischenschicht 9 durch eine homogene Abscheidung und nachfolgende Strukturierung ausgebildet. Die Zwischenschicht 9 wird mit einer Schichtdicke, die einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 der vorgegebenen Arbeitswellenlänge der elektromagnetischen Strahlung entspricht, abgeschieden (vgl. 6).
  • Die Zwischenschicht 9 kann dabei aus Siliziumoxid, Molybdän, Molybdänoxid, Germanium oder Germaniumoxid gebildet werden.
  • Die Anordnung und die Dimension mit der Stufenhöhe der Höhenstufe(n) sind zu diesem Zeitpunkt bereits vorgegeben.
  • Auf die so strukturierte Oberfläche, also sowohl auf Bereiche mit Zwischenschicht 9 als auch auf Oberflächenbereiche die nur mit erster substratbildender Schicht 10' gebildet sind, wird eine zweite substratbildende Schicht 10'' ausgebildet, wie in 7 gezeigt. Diese zweite Schicht 10'' soll dabei zur Einhaltung einer Symmetrie die gleiche Schichtdicke, wie die erste substratbildende Schicht 10' aufweisen. So ist im Bereich der Höhenstufen die Zwischenschicht 9 symmetrisch im Substratwerkstoff eingeschlossen und gibt dabei die Stufenhöhe der Höhenstufe vor.
  • Es werden Durchbrechungen 13 durch Substrat 10 und Zwischenschicht 9 durch Ätzen ausgebildet, was aus 8 hervorgeht. Dabei sollten Durchbrechungen 13 bevorzugt im Bereich von Pfosten 11 ausgebildet sein. Mit Pfosten 11 wird dann das Substrat 10 am Träger 1 über im gezeigten Querschnitt nicht sichtbare Federelemente gehalten.
  • In einem isotropen Trockenätzprozess wird dann die Opferschicht 8 zwischen Substrat 10 und Träger 1 vollständig entfernt und das Substrat 10 freigelegt, wie dies als fertig hergestelltes mikrooptisches Element in 9 gezeigt ist.

Claims (25)

  1. Mikrooptisches Element mit einem Substrat, an dem an einer optisch wirksamen Oberfläche mindestens eine Höhenstufe ausgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Höhenstufe(n) jeweils mit einer Zwischenschicht (9), die zwischen mindestens zwei Schichten (10', 10'') des Substrats (10) eingeschlossen ist, gebildet ist/sind.
  2. Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (9) zwischen Schichten (10', 10'') des Substrats (10) symmetrisch eingeschlossen ist und die Schichten (10', 10'') die gleiche Schichtdicke aufweisen.
  3. Element nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Schichtdicke der Zwischenschicht(en) (9) der Stufenhöhe der Höhenstufe(n) entspricht.
  4. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass das Element translatorisch oder rotatorisch auslenkbar ist.
  5. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die die Höhenstufe(n) bildenden Zwischenschicht(en) (9) eine Schichtdicke von λ/4 oder einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 einer vorgegebenen Arbeitswellenlänge aufweisen.
  6. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kante einer Höhenstufe an einer Rotationsachse des Elements vorhanden und/oder parallel zu dieser ausgerichtet ist.
  7. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit Höhenstufen ein optisches Gitter gebildet ist.
  8. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die optisch wirksame Oberfläche mit einer auf dem Substrat (10) ausgebildeten reflektierenden Schicht gebildet ist.
  9. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) mit der lokal darin eingebetteten Zwischenschicht (9) an seiner Ober- und Unterseite von zwei Schichten, die aus jeweils dem gleichen Werkstoff gebildet sind, eingefasst ist.
  10. Element nach dem vorangegangenen Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die beiden Schichten das Substrat (10) symmetrisch einfassen und/oder jeweils die gleiche Schichtdicke aufweisen.
  11. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der/die das Substrat (10) bildende(n) Werkstoff(e) amorphe oder nanokristalline Struktur aufweisen und/oder durch ein Nanolaminat gebildet werden.
  12. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass unterhalb des Substrates (10) Elektroden (3, 4, 5) für eine Auslenkung des Elementes angeordnet sind.
  13. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) mittels Pfosten (11) und/oder mittels Federelementen mit einem Träger (1) verbunden und in einem Abstand zu diesem angeordnet ist.
  14. Element nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass der Träger (1) als ein Siliziumsubstrat mit integrierter CMOS-Schaltung oder mit einem Array fest verdrahteter extern ansteuerbarer Elektroden gebildet ist.
  15. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (10) aus AlxTiy, MoxSiyNz, TaxSiyNz, a-Si CoxSiyNz, SixNyOz, GexOy (mit 0 < x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1) gebildet ist.
  16. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht(en) (9) aus AlxTiy, SixOy, MoOx, GeOx, MoxSiyNz, TaxSiyNz, a-Si (mit 0 < x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ z ≤ 1) gebildet ist/sind.
  17. Element nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Stapel aus substratbildenden Schichten (10') und (10''), Zwischenschicht (9) und/oder zusätzlicher Beschichtungen an der Ober- und Unterseite des Elements Spiegelsymmetrie zur Mittelebene des Elements, parallel zur optisch aktiven Oberfläche, aufweist.
  18. Verfahren zur Herstellung eines Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem auf einem Träger (1) eine Opferschicht (8) ausgebildet wird; oberhalb der Opferschicht (8) mindestens eine erste substratbildende Schicht (10') und auf dieser/diesen ersten Schicht(en) (10') im Bereich einer oder mehrererauszubildender Höhenstufe(n) eine Zwischenschicht (9) ausgebildet wird; im Anschluss daran auf die gesamte Oberfläche mindestens eine zweite substratbildende Schicht (10'') ausgebildet wird; nachfolgend durch das Substrat (10) Durchbrechungen (13) ausgebildet werden durch die durch Ätzprozesse eine Entfernung der Opferschicht (8) erfolgt.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die zweite(n) Schicht(en) (10'') mit der gleichen Schichtdicke, wie die erste(n) Schicht(en) (10') ausgebildet wird/werden.
  20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass in der Opferschicht (8) in Bereichen in denen Pfosten (11) ausgebildet werden sollen, Durchbrechungen (13') ausgebildet werden, bevor die erste(n) substratbildende(n) Schicht(en) (10') aufgebracht wird/werden.
  21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 oder 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (9) mit einer Schichtdicke, die λ/4 oder einem ungeradzahligen Vielfachen von λ/4 einer vorgegebenen Wellenlänge entspricht, ausgebildet wird.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Opferschicht (8) mit AlxTiy, SixOy, MoxOy, GexOy (mit 0 < x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1), und/oder einem Polymer gebildet wird.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 22, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Träger (1) mit Elektroden (3, 4, 5) eine die Elektroden (3, 4, 5) elektrisch isolierende Passivierungsschicht (6), die dann bis zur Freilegung der Elektroden (3, 4, 5) wieder entfernt wird, aufgebracht wird.
  24. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass auf Elektroden (3, 4, 5) Stopper (7) aus einem dielektrischen oder hochohmigen Stoff aufgebracht werden.
  25. Verwendung eines Elements nach einem der Ansprüche 1 bis 17 für die Direktbelichtung von Wafern, die Herstellung von Masken, die Herstellung von Masken für die Waferbelichtung, Belichtung von Leiterplatten, die Projektion von Abbildungen, die Modifikation von Abbildungseigenschaften optischer Systeme, Anwendungen in der adaptiven Optik oder als optisches Gitter.
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