KR20210035181A - 마이크로리소그래피용 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법 및 디바이스 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마이크로리소그래피용 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법 및 디바이스에 관한 것으로서, 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)로부터의 전자기 복사선의 수신에 기초하는 적어도 하나의 비접촉식 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)가 사용되고, 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)에 의해 검출된 복사선 범위는 광학 요소 내의 온도 분포를 결정하기 위해 변화된다.

Description

마이크로리소그래피용 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법 및 디바이스

본 출원은 2018년 7월 25일 출원된 독일 특허 출원 DE 10 2018 212 400.0호의 우선권을 주장한다. 이 DE 출원의 내용은 본 출원 명세서에 참조로서 합체되어 있다.

발명의 분야

본 발명은 마이크로리소그래피 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.

마이크로리소그래피가 예를 들어, 집적 회로 또는 LCD와 같은 마이크로구조화된 구성요소(microstructured component)를 제조를 위해 사용된다. 마이크로리소그래피 프로세스는 조명 디바이스 및 투영 렌즈를 포함하는 투영 노광 장치로서 알려진 설비에서 수행된다. 조명 디바이스에 의해 조명되는 마스크(= 레티클)의 화상은 이 경우에 기판의 감광 코팅에 마스크 구조를 전사하기 위해, 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상에 투영 렌즈에 의해 투영되고 투영 렌즈의 화상 평면 내에 배열된다.

EUV 범위에 대해, 즉 예를 들어 대략 13 nm 또는 대략 7 nm의 파장에서 설계된 투영 렌즈에 있어서, 미러가 적합한 투광 굴절성 재료의 이용 가능성의 결여에 기인하여 이미징 프로세스를 위한 광학 구성요소로서 사용된다. 실제에서 발생하는 일 문제점은, 다른 이유들 중에서도 EUV 광원에 의해 방출된 복사선의 흡수의 결과로서, EUV 미러가 가열되고 연관 열 팽창 또는 변형을 경험하는데, 이는 이어서 광학 시스템의 이미징 특성에 악영향을 미칠 수 있다.

이 효과를 고려하는 일 공지된 방법은, 초저 열 팽창을 갖는 재료("초저 팽창 재료"), 예를 들어 ULE^TM라는 명칭을 갖는 Corning Inc.에 의해 시판되는 티타늄 실리케이트 유리를 미러 기판 재료로서 사용하고, 광학적 유효면 부근의 영역에서 제로-교차 온도(zero-crossing temperature)로서 알려진 것을 설정하는 것이다. 예를 들어, ULE^TM에 대해 대략 = 30℃에 있는 이 제로-교차 온도에서, 열 팽창 계수는 그 온도 의존성에서, 그 부근에서 미러 기판 재료의 열 팽창이 없거나 단지 무시할만한 열 팽창만이 발생하는 제로 교차를 갖는다.

그러나, 실제로, 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 동작 중에 EUV 미러가, 특히 예를 들어 각각의 EUV 미러의 광학적 유효면에 걸쳐 변동하는 강도를 갖는 조명 설정의 사용에 기인하여 국부적으로, 그리고 또한 일시적으로 입사 전자기 복사선의 변화하는 강도에 노출되고, 관련 EUV 미러는 통상적으로 특히 마이크로리소그래피 노광 프로세스의 시작시에, 비교적 낮은 온도로부터 리소그래피 프로세스에서 도달된 그 동작 온도까지 가열되는 문제점이 여기서 발생한다.

전술된 문제점을 극복하고 특히 EUV 미러 내로의 다양한 열의 도입 및 연관 광학 수차에 의해 야기되는 표면 변형을 회피하기 위한 일 접근법은 예를 들어 적외선 복사선에 기초하는 예열기의 사용을 포함한다. 이러한 예열기에 의해, 능동 미러 가열이 유용한 EUV 복사선의 비교적 낮은 흡수의 페이즈(phases)에서 발생할 수 있는데, 상기 능동 미러 가열은 유용한 EUV 복사선의 흡수가 증가함에 따라 대응적으로 감소된다.

가능한 한 일정한 미러 온도(통상적으로 전술된 제로-교차 온도)를 유지하는 목표를 갖고 수행되는 이러한 예열기의 동작의 조절은, 예열 출력이 이에 따라 적응될 수 있도록 각각의 경우에 관련 미러 상에 입사되는 복사 출력의 인지를 요구한다. 이를 위해, 통상적으로 각각의 미러의 상이한 위치에서 가압 끼워맞춤 또는 밀착 방식으로 장착될 수 있는 예를 들어 열전쌍 또는 전기 저항에 기초하는 (예를 들어, NTC) 온도 센서의 형태의 온도 센서가 사용된다(설치 공간으로 인해 항상 실용적인 것은 아닌 적외선 카메라에 추가하여).

그러나, 이러한 열전쌍을 장착함으로써, 먼저 바람직하지 않은 기계적 응력이 미러 기판에 유도되는 것이 가능하고, 게다가 - 특히 다수의 온도 센서가 미러 내의 공간적으로 변하는 온도 분포를 확인하기 위해 요구될 때 - 제조 복잡성이 상당히 증가되고 가능하게는 미러의 기계적 안정성이 손상된다.

종래 기술과 관련하여, 단지 예로서 DE 36 05 737 A1호 및 DE 10 2005 004 460 A1호를 참조한다.

본 발명의 목적은 전술된 문제점을 회피하면서 가능한 한 정확한 가열 상태의 인지를 가능하게 하는, 마이크로리소그래피 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

이 목적은 독립 특허 청구항 1의 특징에 따른 방법 및 동격의 특허 청구항 13의 특징에 따른 장치에 의해 달성된다.

마이크로리소그래피 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 본 발명에 따른 방법에서, 광학 요소로부터 전자기 복사선의 수신에 기초하는 적어도 하나의 비접촉식 센서가 사용되고, 센서에 의해 포착된 복사선 범위는 광학 요소 내의 온도 분포를 확인하기 위해 변화된다.

특히, 본 발명은 광학 요소로부터의 전자기 복사선 또는 열 복사선의 수신에 기초하는 비접촉식 센서를 사용하여 리소그래피 광학 요소의 가열 상태의 비접촉식 결정을 실현하는 개념에 기초한다. 여기서, 본 발명에 따르면, 예를 들어 정밀한 온도 측정 - 예를 들어, 미러 또는 NTC 센서에 부착된 열전쌍을 사용하여 가능함 - 이 의도적으로 생략되고, 더욱이 장비의 견지에서 가능하게 증가된 지출 및 예를 들어 고온계의 사용을 위한 설치 공간의 증가된 요구가 수용된다.

그 댓가로, 첫째로, 예를 들어, 상기 열전쌍 또는 NTC 센서의 종래의 사용에 의해 수반되는 광학 요소 또는 미러 내로의 기계적 응력의 도입이 본 발명에 따라 회피된다. 둘째로, - 이하에서 더 상세히 설명하는 바와 같이 - 광학 요소의 (통상적으로 국부적으로 가변적인) 온도 분포를 확인하기 위해 이 센서에 의해 포착된 복사선 범위의 변화 - 상이한 실시예에서 실현 가능한 - 와 함께 비접촉식 복사선 기반 센서를 사용하는 본 발명에 따른 개념을 사용하는 것이 또한 가능하고, 이러한 온도 분포는 광학 요소의 상기 "구역 감지"(예를 들어, 이하에 설명되는 바와 같이 광학 및/또는 기계적 방식으로 달성 가능한 바와 같이)로 인해 하나 또는 단지 몇 개의 비접촉식 센서에 의해 미리 확인될 수 있다.

비접촉식 복사선 기반 센서의 본 발명에 따른 사용의 결과로서, 원리적으로 그 가열 상태에 관하여 측정될 광학 요소에 대한 모든 기계적 조작을 생략하는 것이 가능하다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에서, 예를 들어, 미러에 관련하여 비접촉식 복사선 기반 센서의 횡방향 및/또는 축방향 이동과 조합하여, 적합한 방식으로 미러의 구역 감지를 추가로 보조하기 위해, 타겟화된 방식으로 광학 요소 상의(예를 들어, 미러의 이면 상의) 하나 이상의 (특히 굴절) 표면의 기하학 형상을 추가로 설계하는 것이 또한 가능하다. 특히, 본 발명에 따르면, 적어도 하나의 절결부 또는 리세스 및/또는 적어도 하나의 상승된 구조체가 센서를 향하는 측면 상의 광학 요소에 제공될 수 있고, 그 결과, 예를 들어 비접촉식 복사선 기반 센서의 횡방향 이동과 함께, 광학 요소의 상이한 "고도"로부터 (열) 복사선이 센서에 도달한다.

원리적으로, 본 발명에 따른 비접촉식 센서에 의해 포착된 신호는 예를 들어 열전쌍 또는 NTC 온도 센서로 얻어진 실질적으로 정밀한 정보에 대조적으로, 광학 요소의 상이한 영역의 기여로부터의 중첩 신호를 표현한다. 그럼에도 불구하고, 높은 공간 분해능을 갖는 광학 요소의 공간 온도 분포는 시뮬레이션에 기초하여 그리고/또는 미리 모델에 기초하여 수행된 캘리브레이션 측정치와 비교에 의해 본 발명에 따라 확인될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 변화는 광학 요소와 센서 사이에 위치된 빔 성형 광학 유닛을 사용하여 구현된다. 광학 요소의 구역 감지는 이러한 변화에 의해 실현될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 빔 성형 광학 유닛은 줌-액시콘 시스템(zoom-axicon system)을 포함한다. 빔 성형 광학 유닛의 다른 실시예에서, 변위 가능 및/또는 회전 가능하도록(특히 또한 서로에 대해) 배열된 적합한(예를 들어, 웨지형 또는 원통형) 기하학 형상을 갖는 하나 이상의 광학 요소는 센서에 의해 포착된 복사선 영역을 변화시키기 위해 광학 요소와 비접촉식 센서 사이에 사용될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 변화는 광학 요소와 센서 사이의 상대 위치의 조작을 포함한다.

일 실시예에 따르면, 광학 요소는 미러이다.

일 실시예에 따르면, 광학 요소는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계된다.

가열 상태의 결정에 기초하여, 일 실시예에 따르면, 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 시간 경과에 따른 광학 요소의 가열 상태의 변화의 적어도 부분적인 보상을 위한 광학 요소의 예열이 존재한다. 다른 실시예에서, 광학 시스템의 가열 상태에 의해 야기되는 광학 수차의 보상은 또한 적합한 조작기(예를 들어, 적응형 미러)에 의해 수행될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 각각의 광학 시스템에서 가스 압력, 복사선 강도, 복사선 파장 및/또는 조명 설정의 대응하는 보상 변화가 또한 여기서 수행될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 가열 상태의 결정은 광학 시스템(예를 들어, 마이크로리소그래피 투영 노광 장치)의 동작 중에 수행된다.

본 발명은 또한 광학 시스템, 특히 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 미러의 가열 상태를 결정하기 위한 장치에 관한 것으로서, 장치는 광학 요소로부터의 전자기 복사선의 수신에 기초하는 적어도 하나의 비접촉식 센서 및 센서에 의해 포착된 복사선 영역을 변화시키기 위한 디바이스를 포함한다.

특히, 장치는 전술된 특징을 갖는 방법을 수행하도록 구성될 수 있다. 장치의 장점 및 장치의 바람직한 구성에 관하여, 본 발명에 따른 방법과 연관하여 상기 설명을 참조한다.

본 발명의 다른 구성은 상세한 설명 및 종속 청구항으로부터 얻어질 수 있다. 본 발명은 첨부 도면에 도시되어 있는 예시적인 실시예에 기초하여 이하에 더 상세히 설명된다.

도 1은 EUV에서 동작을 위해 설계된 마이크로리소그래피 투영 노광 장치의 가능한 구성의 개략도를 도시하고 있다.
도 2 내지 도 6은 본 발명에 따른 방법 또는 장치의 가능한 실시예를 설명하기 위한 개략도를 도시하고 있다.

도 1은 EUV에서 동작을 위해 설계되고 본 발명이 예로서 실현 가능한 투영 노광 장치(100)의 개략도를 도시하고 있다.

도 1에 따르면, 투영 노광 장치(100)의 조명 디바이스는 필드 파셋 미러(103) 및 동공 파셋 미러(104)를 포함한다. 예에서 EUV 광원(플라즈마 광원)(101) 및 집광기 미러(102)를 포함하는 광원 유닛으로부터의 광은 필드 파셋 미러(103) 상에 지향된다. 제1 신축식 미러(105) 및 제2 신축식 미러(106)가 동공 파셋 미러(104)의 하류에서 광로 내에 배열된다. 편향 미러(107)가 광로의 하류에 배열되고, 상기 편향 미러는 그 위에 입사된 복사선을 6개의 미러(121 내지 126)를 포함하는 투영 렌즈의 대물 평면 내의 대물 필드 상에 지향한다. 대물 필드의 장소에서, 반사 구조체 지지 마스크(131)가 마스크 스테이지(130) 상에 배열되는데, 상기 마스크는 투영 렌즈의 보조로 화상 평면 내에 이미징되고, 이 화상 평면에는 감광층(포토레지스트)으로 코팅된 기판(141)이 웨이퍼 스테이지(140) 상에 위치되어 있다.

마이크로리소그래피 투영 노광 장치(100)의 동작 중에, 광학적 유효면 또는 존재하는 미러의 입사면에 입사되는 전자기 복사선은 부분적으로 흡수되고, 도입부에서 설명된 바와 같이, 가열 및 연관 열 팽창 또는 변형을 야기하는데, 이는 이어서 이미징 특성의 손상을 유도할 수 있다.

광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 본 발명에 따른 방법 또는 본 발명에 따른 장치는 특히 예를 들어 도 1의 마이크로리소그래피 투영 노광 장치(100)의 임의의 원하는 미러에 사용될 수 있다.

이하, 본 발명에 따른 방법 및 장치의 상이한 실시예가 도 2 내지 도 6의 개략도를 참조하여 설명된다. 이들 실시예에 공통적인 것은 적어도 하나의 비접촉식 복사선 기반 센서가 가열 상태를 결정하기 위해 각각의 경우에 사용된다는 것이다.

이 비접촉식 센서는 이하에 설명된 각각의 예시적인 실시예에서 고온계로서 실현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, IR 포토다이오드 또는 광전 증폭관과 같은 다른 적합한 비접촉식 복사선 기반 센서가 또한 다른 실시예에서 사용될 수 있다.

더욱이, 관련 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 변화가, 그 가열 상태와 관련하여 측정될 광학 요소의 구역 감지에 의해 광학 요소 내에서 통상적으로 국부적으로 변하는 온도 분포를 확인하기 위해, 각각의 경우에 본 발명에 따라 사용되는 비접촉식 복사선 기반 센서와 조합하여, 도 2 내지 6에 기초하여 이하에 설명된 실시예에서 구현된다.

복사선 영역의 전술된 변화는 도 2, 도 3a 및 도 3b의 실시예에 따른 적합한 상류 광학 유닛에 의해 광학적으로, 추가적으로 또는 대안적으로, 기계적으로 또는 도 4 내지 도 6에 따른 광학 요소와 비접촉식 복사선 기반 센서 사이의 상대 위치의 조작에 의해 구현될 수 있다.

본 발명은 도 2 내지 6에 도시되어 있는 실시예에 한정되지 않고; 특히, 본 발명에 따른 비접촉식 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 변화가 상이한 방식으로(특히, 임의의 적합한 광학적 및/또는 기계적 액추에이터에 의해) 실현되거나 이러한 변화가 완전히 생략되는 구성이 또한 본 발명에 의해 포함되는 것으로 고려되어야 한다.

도 2, 도 3a 및 도 3b를 다시 참조하면, 줌-액시콘 원추 시스템(210)이 제1 예시적인 실시예에서, 그 가열 상태에 관하여 측정될 미러의 형태의 광학 요소(301)와 예시적인 실시예에서 고온계로서 구성되는 비접촉식 복사선 기반 센서(330) 사이에 위치되고, 상기 줌-액시콘 시스템(도 3a에서 점선에 의해 지시되어 있음)의 조정은 도 3a에 따른 비접촉식 센서 또는 고온계(330)에서 입사되는 (열) 복사선이 광학 요소(301)의 상이한 영역(도 2b에 따른 예에서 링형 영역)으로부터 유래하는 효과를 달성하는데, 이들 영역은 줌-액시콘 시스템의 2개의 상이한 설정에 대해 도 2b에서 1 내지 4 또는 1' 내지 4'로 표시되어 있다.

줌-액시콘 시스템에 의해 형성된 상류 광학 유닛의 전술된 기능성의 결과로서, 광학 요소(301)의 구역 감지 및 따라서 이 요소(301)에서 통상적으로 공간적으로 변하는 온도 분포의 확인은, 전술된 상류 광학 유닛이 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 연속적인 변화를 용이하게 하기 때문에, 단일 비접촉식 센서(330)를 사용하여(또는 적어도 단지 몇 개의 센서만을 사용하여) 미리 용이해진다. 달리 말하면, 본 발명에 따라 달성되는 것은 광학 요소(301)의 상이한 영역이 스캐닝 절차에서 하나의 동일한 센서(330)를 사용하여 가열 상태 또는 각각의 방출된 열 복사선에 관하여 포착되거나 또는 상기 가열 상태 또는 각각의 방출된 열 복사선이 센서(330) 상에 투영된다는 것이다.

다른 실시예에서, 센서(330)에 의해 포착된 복사선 영역을 변화시키기 위해 광학 요소(301)와 비접촉식 센서(330) 사이에 사용되는 가변 (상류) 광학 유닛은 또한, 예를 들어 적합하게 만곡된 광학적 굴절면(예를 들어, 웨지형 또는 원통형 기하학 형상의)을 갖는 하나 이상의 변위 가능하게 및/또는 회전 가능하게 배열된 광학 요소(소위 "Alvarez" 요소)에 의해, 임의의 다른 적합한 방식으로 실현될 수 있다. 더욱이, 상기 요소는 또한 검출된 복사선에 관하여 포착된 광학 요소(301)의 영역을 제한하기 위해 변위 가능 및/또는 회전 가능한 조리개(도 2a에 지시되어 있고 "220"으로 표시됨)와 조합될 수 있다.

도 3a에 따른 예시적인 실시예에서, 광학 요소(301) 또는 미러는 센서(330)를 향하는 그 이면에 원추형 보어를 갖는다. 광학 요소 상의 이러한 보어, 리세스 또는 오목부의 다른 실시예가 도 4 내지 도 6에 기초하여 설명될 것이다. 그러나, 본 발명은 그 특정 구성, 또는 심지어 광학 요소 상의 보어, 리세스 또는 오목부의 존재에 한정되지 않는다.

센서(330)에 의해 포착된 복사선이 도 3a의 실시예에서 줌-액시콘 시스템(210) 및 센서(330)의 모두에서 광축(플롯팅된 좌표계에서 z-축을 따라 연장함)에 평행하게 입사되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 따라서, 굴곡 빔 프로파일, 예를 들어 발산 빔 프로파일이 또한 줌-액시콘 시스템(310)의 구성요소의 적합한 적응에 의해 다른 실시예에서 실현될 수 있다.

도 3b는 광학 요소의 원추형 보어 또는 다른 방식으로 각형성된 이면이 생략되어 있는 줌-액시콘 시스템(310)의 다른 가능한 구성을 도시하고 있다. 이를 위해, 줌-액시콘 시스템(310)의 요소(310a, 310b) 중 적어도 하나에서 정점의 상이한 각도에 의해 또는 단면의 적응된 곡률에 의해 줌-액시콘 시스템(310)의 2개의 요소(310a, 310b)의 상보적인 형태로부터 타겟화된 굴곡이 존재한다.

도 2, 도 3a 및 도 3b에 기초하여 설명된 실시예에 따르면, 원리적으로 가변 (상류) 광학 유닛의 전술된 기능성으로 인해 공간적으로 변하는 온도 분포를 확인하기 위해 광학 요소(301)에 대한 비접촉식 센서(330)의 변위의 필요성이 존재하지 않는다. 그러나, 비접촉식 센서에 의해 포착된 복사선 영역의 변화의 전술된 광학적 실현에 추가로 또는 대안으로서, 각각의 광학 요소와 비접촉식 센서 사이의 상대 위치의 조작을 착수하는 것이 가능하다. 이를 위해, 도 4 내지 도 6은 가능한 실시예를 도시하고 있다.

도 4a 내지 도 4c에 따르면, 그 가열 상태와 관련하여 측정될 광학 요소(401 내지 403)와 관련하여, 비접촉식 센서(430)의 각각의 측방향 또는 횡방향 이동(플롯팅된 좌표계에 관련하여 x-방향으로)이 존재하고, 이들 실시예는 각각의 광학 요소 또는 미러(401 내지 403)의 센서(430)를 향하는 (이면) 측면의 특정 구성과 관련하여 서로 상이하다. 구체적으로, 광학 요소(401)는 경사진 보어(401a)를 갖고, 광학 요소(402)는 경사진 밀링된 홈(402a)을 갖고, 광학 요소(403)는 원형 절결부(403a)를 갖는다.

도 5a 내지 도 5d는 비접촉식 센서(531, 532, 533 또는 534)와 광학 요소(501, 502, 503, 504) 사이의 상대 이동의 다른 예시적인 실시예를 도시하고 있다. 구체적으로, 센서(531)는 도 5a에 따른 센서(531)를 향하는(플롯팅된 좌표계에 관련하여 x-방향에서) 광학 요소(501)의 이면에 평행하게 변위되고, x-방향에 관하여 경사진 센서(532)는 도 5b에 따라 x-방향으로 변위되고, 센서(533)는 도 5c에 따른 광학 요소(503)의 광학 요소(503)에 존재하는 오목부의 표면(503b)에 평행하게 변위되고, 센서(534)는 광학 요소(504)의 이면에 평행한 축 둘레로 또는 도 5d에 따른 플롯팅된 좌표계의 y-방향에 대해 회전된다.

다른 실시예에서, 그 가열 상태와 관련하여 측정될 광학 요소로부터 나오는 복사선은 또한 추가로 또는 대안적으로 하나 이상의 횡방향 비접촉식 센서(즉, 미러의 광학 요소의 이면을 향하지 않는 비접촉식 센서)에 의해 포착될 수 있다.

도 6은 다른 가능한 실시예의 개략도를 도시하고 있다.

도 6에 따르면, 본 발명에 따른 2개의 비접촉식 센서(631, 632)는 그 가열 상태에 관하여 측정될 광학 요소(601)에 관하여, 전기 기계 액추에이터(635)에 의해 독립적으로 축방향으로 변위 가능하도록 캡슐화된 유닛으로서 구현된 하우징(640)에 제공된다. 도 6에 따른 전자 보드(631a)에 접속된 센서(631, 632)의 변위는 각각의 경우에 광학 요소 또는 미러(601)에 존재하는 보어(601a, 601b)에서 구현되고, 각각의 센서(631 또는 632)에 의해 포착된 복사선 영역("605"에 의해 지시되어 있음)은 축방향 변위에 의해 변화될 수 있다. 포착된 복사선 영역의 이러한 기계적 변화는 광학적 변화(예를 들어, 도 2 내지 도 3에 기초하여 설명된 상류 광학 유닛)의 사용에 대안으로서 또는 추가하여 구현될 수 있다. 도 6에 따라 존재하는 상류 광학 유닛(610)은 정적 구성을 또한 가질 수 있다(즉, 도 2, 도 3a 및 도 3b의 줌-액시콘 시스템에 제공된 조정 가능성 없이).

실제로, 시뮬레이션은 또한 전술된 모든 실시예에서 미리 수행될 수 있는데, 이 시뮬레이션은 광학 요소의 특정 사용 시나리오(예를 들어, 미러를 위한 특정 복사선 상황)에 대해 비접촉식 센서 또는 고온계에서 예상되는 각각의 (중첩) 신호를 생성한다. 이 시뮬레이션에 기초하여, 가열 상태 또는 특정 조사 상황이 비접촉식 센서에서 실제로 얻어진 측정 신호로부터 추론될 수 있다. 그 후, 시간 경과에 따른 광학 요소의 가열 상태의 변화를 적어도 부분적으로 보상하기 위한 광학 요소의 예열이 가열 상태의 결정에 기초하여 수행될 수 있다.

본 발명이 특정 실시예에 기초하여 설명되었지만, 수많은 변형 및 대안 실시예가 예를 들어 개별 실시예의 특징의 조합 및/또는 교환을 통해 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 이에 따라, 이러한 변형 및 대안 실시예는 또한 본 발명에 의해 또한 포함되고, 본 발명의 범주는 단지 첨부된 특허 청구범위에 의해 제공된 바와 같이 제한된다는 것이 통상의 기술자에게 자명하다.

Claims (14)

1. 마이크로리소그래피 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 방법이며, 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)로부터 전자기 복사선의 수신에 기초하는 적어도 하나의 비접촉식 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)가 사용되고, 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)에 의해 포착된 복사선 범위는 광학 요소 내의 온도 분포를 확인하기 위해 변화되는, 방법.
2. 제1항에 있어서, 변화는 이 요소로부터 나오는 전자기 복사선에 관하여 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)의 구역 감지를 실현하는 것을 특징으로 하는, 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 변화는 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)와 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632) 사이에 위치된 빔 성형 광학 유닛을 사용하여 구현되는 것을 특징으로 하는, 방법.
4. 제3항에 있어서, 빔 성형 광학 유닛은 줌-액시콘 시스템(210, 310)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 변화는 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)와 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632) 사이의 상대 위치의 조작을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)는 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)를 향하는 측면에 적어도 하나의 절결부 또는 오목부 및/또는 적어도 하나의 상승된 구조체를 갖는 것을 특징으로 하는, 방법.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 고온계가 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 방법.
8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)는 미러인 것을 특징으로 하는, 방법.
9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 요소는 30 nm 미만, 특히 15 nm 미만의 동작 파장을 위해 설계되는 것을 특징으로 하는, 방법.
10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 상태의 결정에 기초하여, 광학 시스템의 동작 중에 발생하는, 시간 경과에 따른 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)의 가열 상태의 변화의 적어도 부분적인 보상, 및/또는 광학 시스템의 가열 상태에 의해 야기되는 광학 수차의 보상을 위한 광학 요소의 예열이 존재하는 것을 특징으로 하는, 방법.
11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 가열 상태는 광학 시스템의 동작 중에 결정되는 것을 특징으로 하는, 방법.
12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 광학 시스템은 마이크로리소그래피 투영 노광 장치인 것을 특징으로 하는, 방법.
13. 마이크로리소그래피 광학 시스템에서 광학 요소의 가열 상태를 결정하기 위한 장치이며,
    · 광학 요소(301, 401, 402, 403, 501, 502, 503, 504, 601)로부터의 전자기 복사선의 수신에 기초하는 적어도 하나의 비접촉식 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632); 및
    · 센서(330, 430, 531, 532, 533, 534, 631, 632)에 의해 포착된 복사선 범위를 변경하기 위한 디바이스를 포함하는, 장치.
14. 제13항에 있어서, 장치는 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는, 장치.

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