JP6869359B2 - パターンの位置決め精度を高めるための方法及びシステム - Google Patents

Description

本発明は、パターンの位置決め精度を高めるための修正情報を生成する方法及びシステムに関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）又は機能するように設計された他のデバイスの製造に使用できる。その場合、代わりにマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、機能するように設計されたデバイスの個々の層に形成されるデバイスパターンを生成することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つ、又はいくつかのダイを含む）に転写することができる。パターンの転写は、典型的には、基板上に設けられた放射線感受性材料（レジスト）の層への画像化によるものである。一般に、単一の基板には、連続的にパターン化された隣接するターゲット部分のネットワークが含まれる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を一度にターゲット部分に露光することによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパーと、所定の方向（「スキャン」方向）で放射ビームを通してパターンをスキャンすることによって各ターゲット部分が照射され、同時にこの方向に平行又は反平行に基板を同期スキャンする、いわゆるスキャナーを含む。パターンを基板にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

半導体デバイスなどのデバイスの製造では、通常、多数の製造プロセスを使用して基板（たとえば、半導体ウェーハ）を処理し、デバイスのさまざまな機能と複数の層を形成する。そのような層及びフィーチャは、通常、例えば、堆積、リソグラフィ、エッチング、化学機械研磨、及びイオン注入を使用して製造及び処理される。基板上の複数のダイ上に複数のデバイスを作成し、個々のデバイスに分離することができる。このデバイス製造プロセスは、パターニングプロセスと見なすことができる。パターンニングプロセスは、基板上にパターンを提供するために、リソグラフィ装置を使用した光学及び／又はナノインプリントリソグラフィなどのパターンニングステップを含み、通常、しかしオプションとして、現像装置によるレジスト現像、ベークツールを使用した基板のベーキング、エッチング装置を使用したパターンを使用したエッチングなどの１つ以上の関連するパターン処理ステップを含む。さらに、１つ以上の計測プロセスがパターニングプロセスに関与している。

計測プロセスは、プロセスを監視及び制御するために、パターニングプロセス中のさまざまなステップで使用される。例えば、計測プロセスは、パターニングプロセスのパフォーマンスが１つ以上の特徴から判断できるように、パターニングプロセス中に基板上に形成されたフィーチャの相対位置（レジストレーション、オーバーレイ、アライメントなど）又は寸法（線幅、クリティカルディメンション（ＣＤ）、厚さ等）など、基板の１つ以上の特性を測定するために使用される。１つ以上の特性が許容できない場合（例えば、特性の所定の範囲外）、１つ以上の特性の測定値を使用して、パターニングプロセスによって製造される更なる基板が許容可能な特性を有するように、パターニングプロセスの１つ以上のパラメータを変更することができる。

リソグラフィ及びその他のパターニングプロセステクノロジーの進歩により、デバイスごとのトランジスタなどの機能要素の量は数十年にわたって着実に増加している一方で、機能要素の寸法は継続的に縮小されている。一方、オーバーレイ、クリティカルディメンション（ＣＤ）などの観点からの精度の要件は、ますます厳しくなっている。オーバーレイ誤差、ＣＤ誤差などの誤差は、パターニングプロセスで必ず発生する。例えば、結像誤差は、光学収差、パターニングデバイスの加熱、パターニングデバイスの誤差、及び／又は基板の加熱から生じる可能性があり、例えば、オーバーレイ誤差、ＣＤ誤差などに関して特徴付けることができる。追加的又は代替的に、エッチング、現像、ベークなど、パターニングプロセスの他の部分に誤差が導入される可能性があり、同様に、例えば、オーバーレイ誤差、ＣＤ誤差などに関して特徴付けることができる。誤差は、デバイスの機能障害、又は機能しているデバイスの１つ以上の電気的問題など、デバイスの機能に関する問題を直接引き起こす可能性がある。

パターニングプロセスで使用される１つ又は複数の装置を使用して、１つ又は複数の誤差を修正する（たとえば、完全ではないにしても少なくとも部分的に）ことができる。例えば、リソグラフィ装置は、リソグラフィ装置内の１つ又は複数のアクチュエータを調整することにより、誤差の一部を修正できる場合がある。しかし、残りの誤差は、リソグラフィ装置内の１つ又は複数のアクチュエータによって修正できない場合がある。したがって、一般に、パターニングプロセスの誤差をさらに又はより良く修正できる方法及び／又は装置を提供することが望ましい。

誤差（特にオーバーレイ誤差）を修正する１つの方法は、リソグラフィ装置のパターニングデバイス（レチクルなど）内の歪みを制御することである。しかしながら、典型的には、パターニングデバイスの歪みは、特定のリソグラフィ装置によって形成された２つのパターン間のオーバーレイを修正するように調整される。結果として、他のパターン又は他のリソグラフィ装置によって形成された同じパターンの位置合わせ誤差（たとえば、特定のリソグラフィ装置が利用できない場合）は最適に修正されない。したがって、使用されている特定のリソグラフィ装置に対するパターニングデバイスの補正の依存性を低減することが望ましい。

一実施形態では、以下を含む方法が提供される：
基板上の層に形成されたパターンを、ターゲット位置に対して位置決めする精度を示す誤差情報を取得し、パターンは、パターニングデバイスによってパターン化された放射ビームを層に照射することによって形成されており、
修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるように、パターニングデバイスにわたる位置ずれのマップを含む修正情報を生成し、修正情報は、誤差情報に基づいており、誤差情報は基板上の他の層から独立している、方法。

一態様では、プロセッサシステムに本明細書に記載の方法の実行を生じさせるための機械可読命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品が提供される。

一態様では、以下を含むシステムが提供される：ハードウェアプロセッサシステム、及び機械可読命令を格納する非一時的なコンピュータ可読記憶媒体を含み、実行されたとき、機械可読命令は、プロセッサシステムに本明細書に記載の方法の実行を引き起こさせる、システム。

一態様では、以下を含むシステムが提供される：
ハードウェアプロセッサシステムと、
機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを含み、実行されると、機械可読命令はプロセッサシステムに以下を行わせる：
基板上の層に形成されたパターンがターゲット位置に対してどれだけ正確に位置決めされているかを示す誤差情報を取得し、パターンは、パターニングデバイスによってパターン化された放射ビームで層を照射することによって形成されており、
修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるように、パターニングデバイスにわたる位置ずれのマップを含む修正情報を生成し、修正情報は、誤差情報に基づいており、誤差情報は基板上の他の層から独立している、システム。

ここで、添付の図面を参照して、実施形態を単なる例として説明する。

リソグラフィ装置の一実施形態を概略的に示す図である。 リソグラフィセル又はクラスタの実施形態を概略的に示す図である。 リソグラフィ処理、計測、及びパターニングデバイス修正システムの実施形態を概略的に示す。 パターニングデバイス修正ツールの実施形態を概略的に示す図である。 パターニングデバイス修正ツールによるパターニングデバイス修正方法の実施形態のフロー図を概略的に示す。 パターン位置誤差が基板スタックの異なる層間でどのように変化するかを概略的に示している。 基板スタックの特定の層のパターン位置誤差に対する投影システム及びパターニングデバイスの寄与を示している。 ２つのレイヤー間の位置誤差が各レイヤーの位置誤差からどのように計算されるかを模式的に示している。 本発明の一実施形態による基板スタックの層に位置誤差がないことを概略的に示す図である。 基板スタックの２つのレイヤー間の位置誤差を示している。 基板スタックの異なる層における位置誤差を概略的に示している。 図１１に示される基板スタックの２つの層の間の位置誤差を示している。 本発明の実施形態が実施されるときの基板スタックの２つの層の間の位置誤差を示す。

実施形態を詳細に説明する前に、実施形態が実装され得る例示的な環境を提示することは有益である。

図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示している。リソグラフィ装置ＬＡは、
放射ビームＢ（ＵＶ放射又はＤＵＶ放射を調整するように構成された照明システム（照明器）ＩＬ（例えば、イルミネータ）、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続された支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴ、
基板（例えば、レジストコーティングされたウエハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴ、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗ上のターゲット部分Ｃ（例えば１つ以上のダイを含む）に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳ含み、投影システムＰＳは、基準フレームＲＦ上に支持されている。

照明システムＩＬは、放射の誘導、整形、又は制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電、若しくは他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置ＬＡの設計、及び例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているかどうかなどの他の条件に依存する方法でパターニングデバイスＭＡを支持する。支持構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式又は他のクランプ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルとすることができる。支持構造ＭＴは、例えば投影システムＰＳに対してパターニングデバイスＭＡが所望の位置にあることを保証することができる。本明細書における「レチクル」又は「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義と見なすことができる。

本明細書で使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを付与するために使用できるデバイスを指すと広く解釈されるべきである。一実施形態では、パターニングデバイスＭＡは放射ビームＢの断面にパターンを与え、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを作成するのに使用できるデバイスである。放射ビームＢに与えられたパターンは、例えば、パターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合のように、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内で所望のパターンに正確に対応しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などの標的部分Ｃに作成されるデバイスの特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィでよく知られており、バイナリ、交互位相シフト、減衰位相シフトなどのマスクタイプ、及びさまざまなハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの例では、小さなミラーのマトリックス配置を使用している。各ミラーは、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾けることができる。傾斜ミラーは放射ビームにパターンを与え、ミラーマトリックスによって反射される。

本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射、又は液浸液の使用若しくは真空の使用に適するように、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電光学システム、又はそれらの組み合わせを含む、あらゆるタイプの投影システムを包含すると広く解釈されるべきである、本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義と見なすことができる。

投影システムＰＳは、不均一な光学伝達関数を持ち、基板Ｗに結像されるパターンに影響を与える可能性がある。非偏光放射の場合、そのような効果は、瞳面の位置に応じて投影システムＰＳから出る放射の透過（アポダイゼーション）及び相対位相（収差）を説明する２つのスカラーマップにより説明できる。これらのスカラーマップは、透過マップ及び相対位相マップと呼ばれる場合があり、基底関数の完全なセットの線形結合として表される場合がある。特に便利なセットは、単位円Ａで定義された直交多項式のセットを形成するゼルニケ多項式である。各スカラーマップの決定には、そのような展開における係数の決定が含まれる。ゼルニケ多項式は単位円上で直交するため、ゼルニケ係数は、測定されたスカラーマップと各ゼルニケ多項式の内積を計算し、これをそのゼルニケ多項式のノルムの２乗で除算することによって決定できる。

伝送マップと相対位相マップは、フィールドとシステムに依存する。すなわち、一般に、各投影システムＰＳは、各フィールドポイントに対して（すなわち、その画像平面内の各空間位置に対して）異なるゼルニケ展開を有することになる。その瞳面における投影システムＰＳの相対位相は、例えば投影システムＰＳの物体平面（すなわちパターニングデバイスＭＡの平面）の点状光源からの放射を、投影を通して投影し、システムＰＳ及びせん断干渉計を使用して波面（つまり、同じ位相の点の軌跡）を測定することにより決定できる。せん断干渉計は一般的なパス干渉計であり、したがって、有利なことに、波面を測定するために二次参照ビームは必要ない。せん断干渉計は、投影システム（すなわち基板テーブルＷＴ）の画像平面内の回折格子、例えば二次元グリッド、及び瞳面に共役な平面内の干渉パターンを検出するように構成された検出器を備えてもよい。投影システムＰＳの。干渉パターンは、せん断方向の瞳面の座標に対する放射の位相の導関数に関連している。検出器は、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）などの検知素子のアレイを備えてもよい。

回折格子は、投影システムＰＳの座標系の軸（ｘ及びｙ）と一致するか、又はこれらの軸に対して４５度などの角度である２つの垂直方向に連続的にスキャンされ得る。スキャンは、整数の格子周期、例えば１つの格子周期にわたって実行されてもよい。スキャンにより、１つの方向の位相変動が平均化され、他の方向の位相変動を再構築できる。これにより、波面を両方向の関数として決定できる。

リソグラフィ装置の投影システムＰＳは、目に見える縞を生成しない可能性があり、したがって、例えば回折格子を動かすなどの位相ステップ技術を使用して、波面の決定の精度を高めることができる。回折格子の平面内で、測定の走査方向に垂直な方向にステップを実行することができる。ステッピング範囲は１つのグレーティング周期であり、少なくとも３つの（均一に分布した）位相ステップが使用される。したがって、例えば、ｙ方向に３つの走査測定を実行することができ、各走査測定はｘ方向の異なる位置に対して実行される。回折格子のこのステッピングは、位相変動を強度変動に効果的に変換し、位相情報を決定できるようにする。回折格子に垂直な方向（ｚ方向）に格子を階段状にして、検出器を較正することができる。

その瞳面における投影システムＰＳの透過（アポダイゼーション）は、例えば投影システムＰＳの物体平面（すなわち、パターニングデバイスＭＡの平面）の点状光源からの放射を投影し、投影システムＰＳ及び検出器を使用して、投影システムＰＳの瞳面に共役な平面内の放射の強度を測定することにより決定され得る。収差を決定するために波面を測定するために使用されるのと同じ検出器が使用されてもよい。

投影システムＰＳは、複数の光学（例えば、レンズ）要素を含むことができ、収差（視野全体の瞳面にわたる位相変動）を補正するように１つ以上の光学要素を調整するように構成される調整機構ＡＭをさらに含むことができる。これを達成するために、調整機構ＡＭは、１つ以上の異なる方法で投影システムＰＳ内の１つ以上の光学（例えば、レンズ）要素を操作するように動作可能であってもよい。投影システムＰＳは、その光軸がｚ方向に延びる座標系を有してもよい。調整機構ＡＭは、以下の任意の組み合わせを実行するように動作可能であってもよい：１つ以上の光学素子を傾け、及び／又は１つ以上の光学要素を変形させる。光学素子の変位は、任意の方向（ｘ、ｙ、ｚ、又はそれらの組み合わせ）であり得る。光学素子の傾斜は、通常、ｘ及び／又はｙ方向の軸を中心に回転することにより、光軸に垂直な平面から外れるが、非回転対称非球面光学素子にはｚ軸を中心とした回転を使用できる。光学素子の変形は、低周波形状（例えば、非点収差）及び／又は高周波形状（例えば、自由形状の非球面）を含み得る。光学素子の変形は、例えば、光学素子の１つ以上の側面に力を加えるために１つ以上のアクチュエータを使用することによって、及び／又は光学素子の１つ以上の選択された領域を加熱する１つ以上の加熱素子を使用することによって実行されてもよい。一般に、投影システムＰＳを調整してアポダイゼーション（瞳面全体の透過率の変動）を補正することは不可能である。投影システムＰＳの透過マップは、リソグラフィ装置ＬＡのパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを設計するときに使用することができる。計算リソグラフィ技術を使用して、パターニングデバイスＭＡは、アポディゼーションを少なくとも部分的に修正するように設計されてもよい。

本明細書に示されているように、リソグラフィ装置ＬＡは透過タイプである（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、リソグラフィ装置ＬＡは、反射型のもの（例えば、プログラマブルミラーアレイ又は反射型マスクを使用したもの）であってもよい。

リソグラフィ装置ＬＡは、２つ（デュアルステージ）以上のテーブル（例えば、２つ以上の基板テーブルＷＴａ、ＷＴｂ、２つ以上のパターニングデバイステーブル、基板テーブルＷＴａ、並びに測定の容易化、及び／又はクリーニングなど専用の基板を有さない投影システムＰＳの下のテーブルＷＴｂ）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械では、追加のテーブルを並行して使用したり、１つ以上の他のテーブルを露光に使用しながら１つ以上のテーブルで準備手順を実行したりできる。例えば、アライメントセンサーＡＳを使用したアライメント測定及び／又はレベルセンサーＬＳを使用したレベル（高さ、傾斜など）測定を行うことができる。

リソグラフィ装置ＬＡはまた、基板Ｗの少なくとも一部が、比較的高い屈折率を有する液体、例えば厚さで覆われるタイプのものであってもよい。液浸液は、リソグラフィ装置ＬＡの他の空間、例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳの間にも適用することができる。投影システムの開口数を増加させるための液浸技術は、当技術分野で周知である。本明細書で使用される「浸漬」という用語は、基板などの構造を液体に浸さなければならないことを意味するのではなく、露光中に液体が投影システムＰＳと基板Ｗの間に位置することを意味するだけである。

図１を参照すると、照明システムＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームＢを受け取る。放射源ＳＯ及びリソグラフィ装置ＬＡは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、別個の実体であってもよい。そのような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置ＬＡの一部を形成するとは見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダー含むビーム送達システムＢＤを用いて放射源ＳＯから照明システムＩＬに送られる。他の場合、例えば放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置ＬＡの一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及び照明システムＩＬは、必要に応じてビーム送達システムＢＤとともに、放射システムと呼ばれる場合がある。

照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するように構成された調整器ＡＤを備えてもよい。一般に、照明システムＩＬの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調整することができる。さらに、照明システムＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの様々な他のコンポーネントを備えてもよい。照明システムＩＬは、放射ビームＢを調整し、その断面に所望の均一性及び強度分布を持たせるために使用されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断すると、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。異なるターゲット部分を放射ビームＢの経路上に位置決めするために、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダ、２Ｄエンコーダ、又は静電容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは正確に移動できる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使用して、パターニングデバイスＭＡを、例えばマスクライブラリから機械的に取得した後、又はスキャン中に放射ビームＢの経路上に関して正確に位置決めすることができる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して実現することができる。（スキャナーとは対照的に）ステッパーの場合、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続されてもよく、又は固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ_１、Ｍ_２及び基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２を使用して位置合わせすることができる。図示の基板アライメントマークＰ_１、Ｐ_２は専用のターゲット部分Ｃを占めるが、それらはターゲット部分Ｃの間のスペースに配置することができる（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、２つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供される状況では、パターニングデバイスアライメントマークＭ_１、Ｍ_２はダイ間に配置されてもよい。

説明されるリソグラフィ装置ＬＡは、以下のモードのうちの少なくとも１つで使用することができる：
１．ステップモードでは、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に静止状態に保たれ、放射ビームＢに与えられたパターン全体が一度にターゲット部分Ｃに投影される（すなわち、単一の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴはＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃを露光できるようになる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の静的露光で撮像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
２．スキャンモードでは、放射ビームＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期的にスキャンされる（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び画像反転特性によって決定され得る。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズにより、１回の動的露光でのターゲット部分Ｃの幅（非スキャン方向）が制限されるが、スキャン動作の長さが（スキャン方向の）ターゲット部分Ｃの高さを決定する。
３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラム可能なパターニングデバイスを保持して本質的に静止状態に保たれ、放射ビームＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動又はスキャンされる。パルス放射源が使用され、プログラム可能なパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動後又はスキャン中の連続放射パルス間で必要に応じて更新される。この動作モードは、上述したタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上述の使用モードの組合せ及び／若しくは変形、又は全く異なる使用モードも使用することができる。

図２に示すように、リソグラフィ装置ＬＡは、リソセル又はクラスタとも呼ばれることがあるリソグラフィセルＬＣの一部を形成することができ、これは、基板Ｗに対して露光前及び露光後プロセスを実行する装置も含む。従来、これらは、１つ以上のレジスト層を堆積するスピンコーターＳＣ、１つ以上の露光されたレジストを現像する１つ以上の現像剤ＤＥ、１つ以上の冷却プレートＣＨ及び／又は１つ以上のベークプレートＢＫを含む。基板ハンドラ又はロボットＲＯが、１つ以上の基板を入出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２からピックアップし、異なるプロセス装置間で移動させ、リソグラフィ装置ＬＡのローディングベイＬＢに配送する。総称してトラックと呼ばれることが多いこれらの装置は、リソグラフィ制御装置ＬＡＣＵを介してリソグラフィ装置ＬＡを制御する監視制御システムＳＣＳによって制御されるトラック制御装置ＴＣＵの制御下にある。したがって、異なる装置を操作して、スループットと処理効率を最大化できる。

リソグラフィ装置ＬＡによって露光される基板Ｗが正確かつ一貫して露光されるように、露光された基板を検査して、後続の層間のオーバーレイ誤差、線の厚さ、限界寸法（ＣＤ）、フォーカスオフセット、材料特性などの１つ以上の特性を測定することが望ましい。したがって、リソグラフィセルＬＣが配置されている製造施設は、通常、リソグラフィセルＬＣで処理された基板Ｗの一部又はすべてを受け取る計測システムＭＥＴも含む。計測システムＭＥＴは、リソグラフィセルＬＣの一部であってもよく、例えば、リソグラフィ装置ＬＡの一部であってもよい。

計測結果は、直接又は間接的に監視制御システムＳＣＳに提供される。誤差が検出された場合、後続の基板の露光（特に、バッチの１つ以上の他の基板がまだ露光されるのに十分早く検査を行うことができる場合）及び／又は後続の露光される基板の露光の調整を行うことができる。また、すでに露光した基板は、歩留まりを改善するために剥がして再加工するか、廃棄することができ、それにより欠陥があることが知られている基板のさらなる処理の実行を回避する。基板の一部のターゲット部分のみに欠陥がある場合、良好なターゲット部分のみにさらされる。

計測システムＭＥＴ内で、検査装置を使用して、基板の１つ以上の特性、特に、異なる基板の１つ以上の特性がどのように変化するか、同じ基板の異なる層が層ごとに異なるかを決定する。検査装置は、リソグラフィ装置ＬＡ若しくはリソグラフィセルＬＣに統合されてもよく、又はスタンドアロンデバイスであってもよい。迅速な測定を可能にするために、検査装置は、露光直後に露光されたレジスト層の１つ又は複数の特性を測定することが望ましい。ただし、レジストの潜像のコントラストは低く、放射にさらされた部分とそうでない部分の屈折率の差はごくわずかであり、すべての検査装置が潜像の有用な測定を行うのに十分な感度を有していない。したがって、露光後のベークステップ（ＰＥＢ）の後に測定を行うことができ、これは通常、露光された基板上で実行される最初のステップであり、レジストの露光部分と非露光部分のコントラストを高める。この段階では、レジスト内の画像は半潜像と呼ばれることがある。また、レジストの露光部分又は未露光部分が除去されており、又はエッチングなどのパターン転写ステップの後、現像されたレジスト画像の測定を行うことも可能である。後者の可能性は、欠陥のある基板の再加工の可能性を制限するが、有用な情報を提供する可能性がある。

少なくとも１つのパターニングステップ（例えば、光リソグラフィーステップ）を含むパターニングプロセス（例えば、デバイス製造プロセス）を監視するために、パターニングされた基板Ｗが検査され、パターニングされた基板の１つ以上のパラメータが測定される。１つ以上のパラメータは、例えば、パターン化基板内又は上に形成された連続層間のオーバーレイ誤差、例えば、パターン化基板内又は上に形成されたフィーチャの限界寸法（ＣＤ）（例えば、臨界線幅）、又は光学リソグラフィ工程の焦点若しくはフォーカス誤差、光学リソグラフィ工程のドーズ量若しくはドーズ量誤差、光学リソグラフィ工程の光学収差などを含む。この測定は、製品基板自体のターゲット上及び／又は基板上に提供された専用の計測ターゲット上で実行されてもよい。走査電子顕微鏡、画像ベースの測定又は検査ツール、及び／又はさまざまな専用ツールの使用を含む、パターニングプロセスで形成された構造の測定を行うためのさまざまな手法がある。特殊な計測及び／又はインスペクションツールの高速で非侵襲的な形式は、放射ビームが基板表面のターゲットに向けられ、散乱（回折／反射）ビームの特性が測定されるものである。ビームが基板によって散乱される前後のビームの１つ以上の特性を比較することにより、基板の１つ以上の特性を決定することができる。これは、回折ベースの計測又は検査と呼ばれる場合がある。この回折ベースの計測又は検査の特定の用途は、周期的なターゲット内の形状の非対称性の測定である。これは、たとえばオーバーレイ誤差の測度として使用できるが、他のアプリケーションも知られている。たとえば、非対称性は、回折スペクトルの反対部分を比較することで測定できる（たとえば、周期格子の回折スペクトルの−１次と＋１次を比較する）。これは、例えば、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許出願公開ＵＳ２００６―０６６８５５に記載されているように簡単に行うことができる。

パターン化プロセスを可能にするための重要な側面には、プロセス自体の開発、監視と制御のための設定、そしてプロセス自体の実際の監視と制御が含まれる。パターニングプロセスの基本的な構成（パターニングデバイスパターン、レジストの種類、リソグラフィ後のプロセスステップ（現像、エッチングなど）など）を想定すると、リソグラフィ装置ＬＡは、パターンを基板に転写するためにセットアップされ、１つ以上の計測ターゲットがプロセスを監視するために開発され、計測プロセスが計測ターゲットを測定するためにセットアップされ、その後、計測に基づいてプロセスを監視及び制御するプロセスが実装される。本出願の議論では、基板上に形成されるデバイスの１つ以上の層の間のオーバーレイ及び／又はフォーカス誤差（すなわち、パターニングシステムの光学系の基板に対するベストフォーカスの違いに対する測定）を測定するように設計された計測プロセス及び計測ターゲットの実施形態を検討するが、本明細書の実施形態は、計測プロセス及び／又は２つの物体間（例えばパターニングデバイスと基板の間）のターゲット計測アライメント、計測プロセス及び／又はクリティカルディメンションを計測するターゲット、計測プロセス及び／又は表面の位置を計測（例えば、レベルセンサーを用いて基板表面の高さ及び／又は回転位置）するターゲットのような他の計測プロセスにも同様に適用可能であり、このような情報を用いてパターニング修正装置又はパターニングデバイス補正装置のために修正情報を作成するために使用する。したがって、本明細書におけるオーバーレイ計測ターゲット、オーバーレイデータなどへの言及は、他の種類の計測プロセス及び／又はターゲットを可能にするために適切に修正されたものとみなされるべきである。

図３を参照すると、リソグラフィ処理、計測、及びパターニングデバイス修正システムが示されている。このシステムは、パターニングシステム（例えば、ナノインプリントリソグラフィツール、図１に関して説明したような光学リソグラフィ装置ＬＡ、図２に関して説明したようなトラックツール、エッチングツール、パターニングプロセスの別の装置、又はそれらから選択された任意の組み合わせを含む）３００、計測装置３１０、パターニングデバイス修正ツール３２０、及びソフトウェアアプリケーション３３０を含む。パターニングシステム３００、計測装置３１０、及びパターニングデバイス修正ツール３２０の一部又は全部は、ソフトウェアアプリケーション３３０と通信しており、パターニングシステム３００、計測装置３１０、及び／又はパターニングデバイス修正ツール３２０の結果、設計、データなどが、同時に又は異なる時間にソフトウェアアプリケーション３３０によって格納され、分析される。

上述のように、パターニングシステム３００は、図１のリソグラフィ装置ＬＡとして構成されてもよい。パターニングシステム３００は、パターニングプロセスのパターニング態様を実行するためにセットアップされてもよく、オプションで、パターニングシステム３００内又はパターニングプロセス中の１つ以上の他のプロセス又は装置で生じる偏差を補正するように構成されてもよい。一実施形態では、パターニングシステム３００は、パターニングシステム３００の１つ以上の修正装置を調整することにより、誤差（例えば、撮像誤差、焦点誤差、ドーズ量誤差など）の修正を適用することができる場合がある。すなわち、一実施形態では、パターニング誤差を意図的に修正できるパターニングシステム内の任意の製造処理ツールによって修正を行うことができる。

例えば、パターニングシステム３００が光学リソグラフィ装置を含む場合、例えば、アジャスタ機構ＡＭを使用して光学収差を補正又は適用することにより、アジャスタＡＤを使用して照度強度分布を修正若しくは変更することにより、パターニングデバイス支持構造ＭＴのポジショナＰＭ及び／又は基板テーブルＷＴのポジショナＰＷを使用してパターニングデバイス支持構造ＭＴ及び／若しくは基板テーブルＷＴの位置を修正若しくは変更することにより、リソグラフィ装置の１つ以上の修正装置を調整し、誤差の補正を行うことができる。例えば、パターニングシステム３００がトラックツールを含む場合、トラックツールの１つ以上の修正装置を調整することにより、例えば、トラックのベークツールのベーク温度を修正し、トラックの現像ツールのパラメータを修正することにより、誤差の修正を行うことができる。同様に、例えば、パターニングシステム３００がエッチングツールを含む場合、例えば、エッチャントタイプ、エッチャントレートなどのエッチングパラメータを修正することにより、エッチングツールの１つ以上の修正装置を調整することにより修正を行うことができる。同様に、例えば、パターニングシステム３００が平坦化ツールを含む場合、例えば平坦化パラメータを修正することにより、平坦化ツールの１つ以上の修正装置を調整し、誤差の修正を行うことができる。同様に、例えば、パターニングシステム３００が堆積ツールを含む場合、例えば堆積パラメータを修正することにより、堆積ツールの１つ以上の修正装置を調整し、誤差の修正を行うことができる。

一実施形態では、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置は、誤差（例えば、結像誤差、焦点誤差、ドーズ量誤差など）の最大３次多項式補正を適用することができる場合がある。

計測装置３１０は、パターニングシステム３００によってパターンが印刷された基板に関する測定値を取得するように構成される。一実施形態では、計測装置３１０は、パターニングシステム３００によって印刷されたパターンの１つ又は複数のパラメータ（例えば、オーバーレイ誤差、ドーズ量、焦点、ＣＤなど）を測定又は決定するように構成される。一実施形態では、計測装置３１０は、例えば、オーバーレイ、クリティカルディメンション及び／又は他のパラメータを測定できる回折ベースのオーバーレイ計測ツールである。一実施形態では、計測装置３１０は、パターニングデバイスと基板との間など、２つの物体間の相対位置を測定するために使用されるアライメント装置である。一実施形態では、計測装置３１０は、表面の位置、例えば、基板表面の高さ及び／又は回転位置を測定するレベルセンサーである。

一実施形態では、計測装置３１０は、パターニングプロセスの誤差に関連する１つ以上のパラメータ（例えば、オーバーレイ誤差、ＣＤ、焦点、ドーズ量など）の１つ以上の値を測定及び／又は決定する。計測装置３１０が測定又は決定を終了した後、ソフトウェアアプリケーション３３０は、測定データ（例えば、オーバーレイ誤差、ＣＤ、焦点、ドーズ量など）に基づいて修正情報を作成する。一実施形態では、ソフトウェアアプリケーション３３０は、１つ以上のパラメータの１つ以上の値を評価して、それらが許容範囲内にあるかどうかを判定する。そうでない場合、ソフトウェアアプリケーション３３０は、修正情報を決定して、１つ以上のパラメータの１つ以上の値の許容範囲外によって反映される誤差を修正する。一実施形態では、ソフトウェアアプリケーション３３０は、１つ以上の数学モデルを使用して、パターニングシステム３００の１つ以上の修正装置によって修正可能な誤差を決定し、１つ以上の修正装置の１つ以上のパラメータに関する情報（例えば修正情報）を提供し、１つ以上のパラメータにより、パターニングシステム３００の１つ以上のパターニングシステム３００の修正装置の構成が誤差を修正（例えば、許容範囲内に排除又は低減）できるようにする。一実施形態では、１つ以上の数学的モデルは、パラメータ化されたデータに適合する基底関数のセットを定義する。一実施形態では、１つ又は複数の数学モデルは、パターニングシステム３００の修正可能な誤差をシミュレートするように構成されたモデルを含む。一実施形態では、モデルは、パターニングシステム３００の修正装置の１つ又は複数が行うことができる修正の範囲を指定し、その範囲内で修正可能な誤差を決定する。すなわち、範囲は、パターニングシステム３００の特定の修正装置が行うことができる修正量の上限、下限、及び／又は両方を指定することができる。

一実施形態では、ソフトウェアアプリケーション３３０は、１つ以上の数学的モデルを使用して、パターニングデバイス修正ツール３２０により修正可能な誤差を決定し、パターニングデバイス修正ツール３２０の１つ以上のパラメータに関する情報（例えば修正情報）を提供し、１つ以上のパラメータにより、パターニングデバイス修正ツール３２０の構成が誤差を修正する（たとえば、許容範囲内に排除又は低減する）ことが可能になる。一実施形態では、１つ以上の数学的モデルは、パラメータ化されたデータに適合する基底関数のセットを定義する。一実施形態では、１つ又は複数の数学モデルは、パターニングデバイス修正ツール３２０の修正可能な誤差をシミュレートするように構成されたモデルを含む。一実施形態では、モデルは、パターニングデバイス修正ツール３２０が行うことができる修正の範囲を指定し、その範囲内の修正可能な誤差を決定する。すなわち、範囲は、パターニングデバイス修正ツール３２０が修正する修正量の上限、下限、及び／又は両方を指定することができる。

一実施形態では、パターニングシステム３００のそれぞれ１つ以上の修正装置によって修正可能であり、パターニングデバイス修正ツール３２０によって修正可能な誤差の決定の共最適化が提供される。一実施形態では、パターニングシステム３００の複数の修正装置によって修正可能な誤差の決定の共最適化が提供される。一実施形態では、共最適化を有効にするために、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置によって修正可能な誤差を決定するための１つ又複数の数学モデル、及び／又はデバイス修正ツール３２０によって修正可能な誤差を決定するための１つ又は複数の数学モデルが使用される。一実施形態では、共最適化は、パターニングシステム３００の修正デバイスによる修正不可能な誤差のパターニングシステム３００の１つ以上の他の修正装置、及び／又はパターニングデバイス修正ツール３２０によるパターニングデバイスの修正による修正可能な誤差への変換につながる。そのような変換の一例として、パターニングシステム３００の修正装置により修正不可能な空間解像度を有する誤差は、全体の誤差がパターニングシステム３００の修正装置によって修正可能な空間解像度を有するように更なる誤差を追加することにより修正を可能になる。一実施形態では、追加された誤差は、パターニングシステム３００の他の複数の修正装置に分割されるか、パターニングシステム３００及びパターニングデバイス修正ツール３２０の１つ以上の他の修正装置に分割される。

一実施形態では、共最適化は、別々に、又はオーバーレイ誤差、フォーカス誤差、ドーズ量誤差などに対して別々に又は組み合わせて実行されるなど、異なるタイプの誤差に対して別々に又は組み合わせて実行される。一実施形態では、パターニングシステム３００の特定の修正装置は、特定のタイプの誤差をより良く修正することができるため、誤差修正は、パターニングシステム３００の適切な異なる修正装置間で適切に重み付け又は配分される。

一実施形態では、ユーザは、その数学モデルが近似であると判断されるかどうかにかかわらず、複数の数学モデルのコレクションから１つ又は複数の数学モデルを指定することができる。例えば、インターフェイス（グラフィカルユーザーインターフェイスなど）を使用すると、ユーザは数学的データモデルを指定して検討することができる。一実施形態では、複数の測定数学データモデルが決定又は特定される。一実施形態では、１つ以上の数学的モデルは、最適なノイズ抑制（例えば、冗長な次数の排除又はより高い次数の使用の削減）のために調整され得る。

例えば、一実施形態では、座標（ｘ、ｙ）でのｘ方向の修正可能な誤差Δｘは、以下によってモデル化される：
Δｘ＝ｋ_１＋ｋ_３ｘ＋ｋ_５ｙ＋ｋ_７ｘ^２＋ｋ_９ｘｙ＋ｋ_１１ｙ^２＋ｋ_１３ｘ^３＋ｋ_１５ｘ^２ｙ＋ｋ_１７ｘｙ^２＋ｋ_１９ｙ^３ （１）
ｋ_ｌは（定数でもよい）パラメータであり、ｋ_３、ｋ_５、ｋ_７、ｋ_９、ｋ_１１、ｋ_１３、ｋ_１５、ｋ_１７、及びｋ_１９は、それぞれ項ｘ、ｙ、ｘ^２、ｘｙ、ｙ^２、ｘ^３、ｘ^２ｙ、ｘｙ^２、及びｙ^３について（定数でもよい）パラメータである。ｋ_１、ｋ_３、ｋ_５、ｋ_７、ｋ_９、ｋ_１１、ｋ_１３、ｋ_１５、ｋ_１７、及びｋ_１９の１つ以上はゼロである場合がある。

関連して、一実施形態では、座標（ｘ、ｙ）におけるｙ方向の修正可能な誤差Δｙは、以下によってモデル化される：
Δｙ＝ｋ_２＋ｋ_４ｙ＋ｋ_６ｘ＋ｋ_８ｙ２＋ ｋ_１０ｙｘ＋ｋ_１２Ｘ^２＋ｋ_１４ｙ^３＋ｋ_１６ｙ^２ｘ＋ｋ_１８ｙｘ^２＋ｋ_２０ｘ^３ （２）
ここで、ｋ_２は（定数でもよい）パラメータであり、ｋ_４、ｋ_６、ｋ_８、ｋ_１０、ｋ_１２、ｋ_１４、ｋ_１６、ｋ_１８、及びｋ_２０は、それぞれ項ｙ、ｘ、ｙ^２、ｙｘ、ｘ^２、ｙ^３、ｙ^２ｘ、ｙｘ^３、及びｘ^３について（定数でもよい）パラメータである。ｋ_２、ｋ_４、ｋ_６、ｋ_８、ｋ_１０、ｋ_１２、ｋ_１４、ｋ_１６、ｋ_１８、及びｋ_２０の１つ以上がゼロになる場合がある。

一実施形態では、修正可能誤差の少なくとも一部は、パターニングシステム３００の修正装置の１つ又は複数を調整することにより、パターニングシステム３００によって修正される。したがって、一実施形態では、数学的モデルに適合する誤差の一部は、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置を調整することにより、パターニングシステム３００によって修正可能である。

パターニングプロセスで処理される特定の基板の残りの最小の系統的変動は、基板の処理で使用される特定のサブプロセス又はデバイスに固有のものであり得る。残りの最小の系統的変動は、フィンガープリントと呼ばれることもある。フィンガープリントは、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置によって修正可能でない場合がある。一実施形態では、フィンガープリントは、パターニングデバイス修正ツール３２０を使用してパターニングデバイスを修正することにより修正される。一実施形態において、測定データとモデル（１）及びモデル（２）を使用して計算された対応するデータとの間の残りの系統的変動は、パラメータ（例えばｋ_１〜ｋ_２０の１つ以上）を最適化することにより最小化される。

一実施形態では、ソフトウェアアプリケーション３３０は、パターニングデバイス修正ツール３２０によってパターニングデバイスを修正するための第１修正情報を作成し、第１修正情報をパターニングデバイス修正ツール３２０に送信する。一実施形態では、第１修正情報は、第１修正情報に基づくパターニングデバイスによる修正時に、パターニングシステム３００による修正不可能な誤差をパターニングシステム３００の修正可能誤差に効果的に変換する。一実施形態では、パターニングデバイスを修正した後、ソフトウェアアプリケーション３３０は、パターニングデバイス修正ツール３２０に、例えば生産で使用するために修正されたパターニングデバイスをパターニングシステム３００に送信するよう指示する。一実施形態では、以下で説明するように、修正されたパターニングデバイスのさらなる誤差修正及び／又は検証が実行される。

一実施形態では、ソフトウェアアプリケーション３３０は、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置のための第２修正情報をさらに作成し、第２修正情報をパターニングシステム３００に送信する。一実施形態では、第二修正情報は、パターニングシステム３００の１つ以上の修正装置及びパターニングシステム３００における修正されたパターニングデバイスの使用によるパターニングプロセスの第２修正情報に基づいた調整時に、パターニングシステム３００の１つ以上の修正装置によるパターニングプロセスの修正可能な誤差の修正を可能にする。すなわち、一実施形態では、パターニングシステム３００の１つ又は複数の修正装置は、第１修正情報に基づいて修正されたパターニングデバイスによって生成される修正可能な誤差を修正するように構成される。一実施形態では、追加的又は代替的に、第２修正情報は、第１修正情報に基づいてパターニングデバイスの修正後に残る残留パターニング誤差を修正する。

一実施形態では、修正されたパターニングデバイス及び／又は調整されたパターニングプロセスを有するパターニングシステム３００で処理された基板は、測定のために計測装置３１０に転送される。計測装置３１０は、上記と同様の方法で測定を実行して、誤差が許容範囲内にあるかどうかを（例えば、計測装置によって測定され又は決定された１つ以上のパラメータの１つ以上の値（例えば、オーバーレイ誤差、ＣＤ、焦点、ドーズ量など）を評価することにより）評価する。誤差が許容範囲内にない場合、一実施形態では、ここで説明したのと同様に、パターニングデバイス修正ツール３２０によるパターニングデバイスの追加修正及び／又はパターニングシステム３００の１つ以上の修正装置の１つ以上のパラメータの調整が実行される。

一実施形態では、パターニングデバイス修正ツール３２０が第１及び／又は第２修正情報に基づいてパターニングデバイスを修正した後、パターニングデバイスはパターニングシステム３００に戻され、パターニング誤差（オーバーレイ誤差、限界寸法誤差、側壁角度誤差、底面傾斜誤差など）が上述のプロセスを周期成分が許容範囲内になるまで繰り返す。

図４は、パターニングデバイス（例えば、フォトリソグラフィマスク、ナノインプリントリソグラフィ用のインプリントテンプレートなど）を修正するように構成された例示的なパターニングデバイス修正ツール３２０のブロック図を概略的に示す。パターニングデバイス修正ツール３２０は、６次元まで移動可能なテーブル４２０を含む。パターニングデバイス４１０は、例えばクランプを使用することにより、テーブル４２０によって保持されてもよい。

パターニングデバイス修正ツール３２０は、放射ビーム４３５（例えば放射パルス）を生成するように構成された放射出力（例えばパルスレーザー源）４３０を含む。出力４３０は、持続時間が可変の放射パルスを提供する。典型的には、出力は、パターニングデバイス４１０の基板のバンドギャップより小さい光子エネルギーを放射に提供し、フェムト秒範囲の持続時間を有する放射パルスを提供できるように構成される。

出力４３０（例えば、レーザーシステム）からのフェムト秒又は超短放射パルスは、例えば、その基板の材料」特性（密度など）を変更することによって、パターニングの基板における局所変形要素（例えば、局所密度変動）及び／又は局所透過変動の配置を書き込むことができる。局所変形要素は、例えば、パターニングデバイスの表面上の１つ又は複数のパターン要素を所定の位置に移動させることがある。その結果、局所歪みがパターニングデバイスＭＡに導入される。局所変形は、パターニングデバイスＭＡの基板の平面内に局所歪み成分を引き起こす。したがって、基板の誘発変形要素は、例えば、パターニングデバイスの表面上のパターン配置を修正又は修正することができる。追加又は代替として、パターニングデバイスを通過する放射の光学的透過を修正又は修正する局所的透過変動の配列をパターニングデバイスの基板に書き込むことができる。このようにして、パターニングデバイスの基板の表面上の１つ又は複数のパターン要素のシフトを誘発することなく、修正又は変更を実施することができる。パターンの配置と光透過を修正又は変更する、局所変形要素及び／又は局所透過変動の配置を定義し、書き込むことができる。一実施形態では、局所変形要素及び／又は局所透過変動は、基板の中央又は内側部分に導入されてもよい。そのような局所変形要素及び／又は局所透過率変動を基板の中央又は内側部分に適用することにより、例えばパターン配置及び／又は光透過率を修正又は変更しながら、基板の一部の曲げを回避することができる。

ステアリングミラー４９０は、ビーム４３５をフォーカス対物レンズ４４０に向ける。対物系４４０は、ビーム４３５をパターニングデバイス４１０上に集束させる。パターニングデバイス修正ツール３２０は、コントローラ４８０と、ビームにほぼ垂直な平面内のテーブル４２０の位置決めステージの移動（ｘ及び／又はｙ方向）及び／又は平面に平行な軸周り（ｘ及び／又はｙ方向周りに）の移動を管理するコンピュータシステム４６０も含む。コントローラ４８０及びコンピュータシステム４６０は、平面に垂直な方向（ｚ方向）へのテーブル４２０の移動及び／又はその方向の周り（ｚ方向の周り）の回転を制御することができる。追加的又は代替的に、コントローラ４８０及びコンピュータシステム４６０は、対物レンズ４４０が固定される位置決めステージ４５０を介して対物レンズ４４０の移動及び／又は回転を制御し得る。一実施形態では、対物系は固定され、すべての動作がテーブル４２０を使用して実行される。一実施形態では、パターニングデバイス修正ツール３２０は、テーブル４２０及び／又は対物レンズ４４０などの構成要素の位置を検出し、フォーカシング／レベリングなどを決定するための１つ又は複数のセンサ（便宜上不図示）を備えることができる。

パターニングデバイス修正ツール３２０はまた、光学素子４４５を介してテーブル４２０に配置された照明出力（例えば、放射線源）から放射線を受け取るＣＣＤ（電荷結合素子）カメラ４６５を含むビューイングシステムを提供してもよい。ビューイングシステムは、パターニングデバイス４１０のターゲット位置へのナビゲーションを容易にする。さらに、ビューイングシステムを使用して、光源４３０のビーム４３５によるパターニングデバイス４１０の基板材料上の修正領域の形成を観察することもできる。

コンピュータシステム４６０は、マイクロプロセッサ、汎用プロセッサ、専用プロセッサ、ＣＰＵ（中央処理装置）、ＧＰＵ（グラフィック処理装置）などであり得る。それは、コントローラ４８０に配置されてもよいし、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、ワークステーション、メインフレームなどのような別個のユニットであってもよい。コンピュータ４６０は、キーボード、タッチパッド、マウス、ビデオ／グラフィックディスプレイ、プリンタなどのようなＩ／Ｏ（入力／出力）ユニットをさらに備えてもよい。加えて、コンピュータシステム４６０は、揮発性及び／又は不揮発性メモリを備えてもよい。コンピュータシステム４６０は、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの任意の組み合わせで実現されてもよい。さらに、コンピュータ４６０は出力４３０を制御することができる。コンピュータシステム４６０は、ハードウェア、ソフトウェア、又はその両方で実現される１つ以上のアルゴリズムを含むことができ、これにより、受信データ、例えば実験データからパターニングデバイス修正ツール３２０の制御信号を作成できる。制御信号は、例えば、受信データに従ってパターン配置又は光透過を補正するために、パターニングデバイス４１０の基板における局所変形要素の配置及び／又は局所透過変動の書き込みを制御してもよい。特に、コンピュータシステム４６０は、光源４３０及び／又はテーブル４２０の位置決め及び／又は対物レンズ４４０の位置決め又は光学パラメータ及び／又はＣＣＤカメラ４６５を制御することができる。

一実施形態では、局所変形要素及び／又は局所透過変動の影響は、ビームによって引き起こされる変形又は変動を表す物理的数学モデルによって記述されてもよい。変形又は変動の方向は、異なる変形又は変動特性を有する基板に異なる局所変形要素及び／又は局所透過率変動を適用することにより制御される。大きさや方向など、特定の局所変形要素及び／又は局所透過率変動の変形又は変動特性は、特定のモードを表す。たとえば、「Ｘモード」はＸ軸に沿った変形又は変化を表し、「Ｘモード」プロパティによって記述される。制御信号が計算されると、１つ又は複数のアルゴリズムが、各タイプの局所変形要素及び／又は局所伝達変動をどこでどの密度で記述するかを計算する。例えば、Ｘ方向の位置合わせ誤差は、Ｘモードタイプの局所変形要素及び／又は局所伝達変動によって修正できる。モデルは、特定の問題に対して可能な限り最良のソリューションを最適化するために、いくつかのモードを使用できる。通常、互いに直交するＸモードとＹモードが使用されるが、必要に応じて４５°や１３５°などの他のモードも使用できる。

したがって、例示的なパターニングデバイス製造プロセスでは、吸収要素のパターンが、パターンジェネレータを備えたパターニングデバイスの基板上の吸収層に書き込まれる。後続のエッチングプロセスにおいて、吸収パターン要素は吸収材料から形成される。パターニングデバイスの吸収層によく使用される材料は、クロム又はタングステンである。

例示的なパターニングデバイス変更プロセスでは、生成された吸収パターン要素の位置は、例えばパターン描画プロセスが成功したかどうか、すなわちパターン要素が所定の値を有するかどうかを判定するために、位置合わせ計測システム（図示せず）で決定することができるサイズ及び形態、及び望ましい位置にある。追加的又は代替的に、本明細書で論じられるように、１つ又は複数のパターニング誤差が（たとえば、測定及び／又はシミュレーションによって）決定され得る。決定された誤差が所定のレベル内にない場合、例えば図４のパターニングデバイス修正ツール３２０を使用して、局所変形要素の配列及び／又は局所透過変動がパターニングデバイスの基板に書き込まれる。局所変形要素は、パターニングデバイス内又はパターニングデバイス上の１つ又は複数のパターン要素の位置を所定の位置にシフトさせることができ、局所的な透過変動により、１つ又は複数のパターン要素がビームにパターンを付与するという点で異なる動作をする可能性がある。次に、パターニングデバイスの修正が成功したかどうかを測定することができる。例えば、測定された位置決め誤差が所定の閾値を下回った場合、パターニングデバイスはさらに処理され（例えば、ペリクルの追加）、生産で直接使用されてもよい。

一実施形態では、パターニングデバイス修正ツール３２０は、パターニングデバイスのパターンを書き込むツールを含む。例えば、電子ビームライタを使用して、パターニングデバイスのパターンを作成できる。本明細書で説明される修正情報は、パターニングデバイスの作成を修正するためにそのようなツールに提供されてもよい。そのような場合、修正情報は、パターニングデバイスの他のコピーを使用して、又は同様のパターニングデバイスを使用して、測定及び／又はシミュレーション結果に基づいて決定され得る。そのようなデータは、作成されているパターニングデバイスの測定データ（例えば、パターニングデバイスの作成時に取得された測定）によって補足されてもよい。

図５を参照すると、デバイス修正をパターニングする方法の実施形態のフロー図が示されている。図５のフロー図で行われる方法は、ソフトウェアアプリケーション３３０によって実行されてもよい。

５００において、パターニングシステムで使用するパターニングデバイスについて、パターニングの誤差に関する情報が取得される。一実施形態では、パターニング誤差は、パターニングデバイス登録誤差に加えて、又はそれ以外の誤差である。一実施形態では、誤差の一部は、パターニングシステム（例えば、パターニングシステム３００）の修正装置によって修正可能ではない。一実施形態では、パターニング誤差情報は、測定及び／又はシミュレーションに基づいて導出される。一実施形態では、パターニング誤差情報は、限界寸法情報、オーバーレイ誤差情報、焦点情報、及び／又はドーズ量情報から選択される１つ又は複数を含む。

５１０において、誤差情報に基づいてパターニングデバイスを修正するための修正情報が作成される。一実施形態では、修正情報は、パターニングデバイスが修正情報に従って修正されるときに、パターニングシステムの修正装置の誤差の部分を修正可能な誤差に変換する。一実施形態では、修正情報は、パターニングシステムの修正装置の修正範囲に基づいて作成される。一実施形態では、修正情報は、パターニングデバイス修正ツール３２０（図４に関して説明したシステムと同一又は類似のシステムなど）によって使用される。

一実施形態では、５１０において、パターニングシステムの修正装置の修正情報は、パターニングデバイスを修正するための誤差情報及び修正情報に基づいて作成され、パターニングシステムの修正装置の修正情報は、変更されたパターニングデバイスによって生成された修正可能な誤差に関する情報を含む。一実施形態では、パターニングデバイスを修正するための修正情報と、パターニングシステムの修正装置を調整するための修正情報とが共最適化される。

一実施形態では、５１０において、修正情報は、パターニングデバイスの基板内の１つ又は複数の誘導局所変形要素及び／又は局所透過変動をパターニングデバイス全体に空間的に分配するレシピに変換２０される。空間的に分布された１つ以上の誘導局所変形要素及び／又は局所透過変動は、パターニング誤差の部分をパターニングシステム（例えば、パターニングシステム３００）の修正可能な誤差に変換する。５３０において、１つ又は複数の誘導局所変形要素及び／又は局所透過率変動がパターニングデバイスの基板内に作成される。一実施形態では、誘導局所変形要素及び／又は局所透過率変動を作成することは、図４に関して上述したように、レーザパルスを使用して基板の材料特性を変更することにより誘導局所密度及び／又は透過率変動を作成することを含む。ついて方法は終了する。

図６は、基板スタックＷＳを概略的に示している。基板スタックＷＳは、基板Ｗと、基板Ｗ上に形成された複数の層Ｌ１〜Ｌ４とを含む。各層Ｌ１〜Ｌ４は、基板Ｗ上のその層上に形成されたパターンを含む。各パターンの形成方法に不正確がある場合がある。基板Ｗ上の対応する層Ｌ１〜Ｌ４。
［００８８］
一実施形態では、誤差情報を取得することを含む方法が提供される。
誤差情報は、ターゲット位置に対して基板Ｗの層Ｌ１〜Ｌ４上に形成されたパターンを位置決めする精度を示す。ターゲット位置は、パターンがレイヤーＬ１〜Ｌ４に形成されることを意図した場所である。この例では、各パターンは、パターニングデバイスＭＡによってパターン化された放射ビームＢを層Ｌ１〜Ｌ４に照射することにより形成されている。理解されるように、パターンは、インプリントパターニングデバイスなどの異なる種類のパターニングデバイスＭＡによって作成することができる。パターンの位置決めの不正確さは、例えば、投影システムＰＳから生じるディストーション及び／又はパターニングデバイスＭＡによって導入されるパターニング誤差によって引き起こされる。パターニングデバイスＭＡによって導入されるパターニング誤差は、レチクル書き込み誤差と呼ばれることがある。

一実施形態では、この方法は、修正情報を生成することを含む。修正情報は、パターニングデバイスＭＡを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるために使用される。特に、修正情報は、パターニングデバイスＭＡを横切る位置シフトのマップを含む。したがって、修正情報は、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターンの位置誤差への寄与を低減するために、パターニングデバイスＭＡの形状をどのように修正すべきかのマップを含む。変更情報は、変更情報に従って変更されたパターニングデバイスＭＡを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるのに適している。

一実施形態では、修正情報は誤差情報に基づいている。特に、修正情報は、そのターゲット位置に対するパターンの位置決めの精度を示す誤差情報に基づいている。一実施形態では、修正情報は、基板Ｗ上の特定の層上のパターンから得られた測定値に基づいて生成される。

パターニングデバイスＭＡの変更を伴う以前の技術は、オーバーレイ情報に基づいていた。オーバーレイは、基板スタックＷＳの２つの異なる層間の相対的な位置ずれである。したがって、オーバーレイ情報は、基板スタックＷＳ内の２つの層Ｌ１〜Ｌ４間の相対的な位置誤差を示している。ここで、追加又は代替として、異なる層の間の相対的な位置ずれを使用してパターニングデバイスＭＡを修正する代わりに、修正情報は、基板Ｗ上の他の層に依存しない誤差情報に基づく。

したがって、従来技術は、パターニングデバイスＭＡを修正するための入力データとしてオーバーレイデータを使用していた。例えば、図６に示される基板スタックＷＳを参照すると、活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２との間の配置の違いは、モデリングのための入力データとして使用され得る。その結果、パターニングデバイスＭＡの修正バージョンは、２つの層、例えば活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２の特性に基づいている。これらの特性は、特定のリソグラフィ装置ＬＡ（例えば、リソグラフィ装置ＬＡの特定の投影システムＰＳ）に固有であり、これらの２つの層をパターニングするために使用された特定のパターニングデバイスに固有である。結果として、修正されたパターニングデバイスＭＡは、２つの層Ｌ１、Ｌ２を形成する際に使用された１つ以上の特定のリソグラフィ装置ＬＡ専用である。これは、修正されたパターニングデバイスＭＡは、これらの２つの層Ｌ１、Ｌ２を形成する１つ以上の特定のリソグラフィ装置ＬＡでしか適切に使用できないことを意味する。これは、リソグラフィ装置ＬＡを使用して基板スタックＷＳに層を形成できる柔軟性にマイナスの影響を与える。したがって、これは、リソグラフィセルＬＣのスループット及び／又は生産性に影響を与える。

対照的に、一実施形態では、オーバーレイデータはモデリングの入力データとして使用されない。代わりに、入力データは、基板Ｗ上の１つの層のみに関連する誤差情報であり、誤差情報は基板Ｗ上の他の層とは無関係である。言い換えると、パターニングデバイスＭＡの調整又は補正はオーバーレイ入力データに基づかず、登録誤差又は入力データごとの誤配置に基づく。これにより、リソグラフィセルＬＣのスループット及び／又は生産性が向上すると期待される。特に、補正されたパターニングデバイスＭＡは、誤差情報に関連付けられたリソグラフィ装置ＬＡとともに使用されることが望ましいが、補正されたパターニングデバイスを使用してパターニングされる基板Ｗは、異なる層Ｌ１〜Ｌ４を形成する他のリソグラフィ装置ＬＡを使用して続いて処理されてもよい。修正されたパターニングデバイスＭＡは、もはや特定のリソグラフィ装置ＬＡ専用ではない。したがって、特定の層にパターンを形成するために、特定のリソグラフィ装置ＬＡが利用可能になるのを待つ必要はない。

一実施形態は、基板スタックＷＳのオーバーレイ性能を改善することが期待される。これについては、図６及び図１０〜図１２を参照して説明する。図６は、基板スタックＷＳ内の異なる層Ｌ１〜Ｌ４の位置誤差を概略的に示している。図６に概略的に示されているように、活性層Ｌ１及びゲート層Ｌ２には大きな位置誤差がある。しかしながら、コンタクト層Ｌ３及び金属層Ｌ４の位置誤差は、典型的には、活性層Ｌ１及びゲート層Ｌ２の位置誤差と比較してはるかに小さい。

従来技術を使用して、活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２との間のオーバーレイ誤差を補償することが可能かもしれない。活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２は両方とも重大な位置誤差を有し、それらの位置誤差は異なっている（図６の層の異なる形状によって示されている）。しかしながら、活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２との間のオーバーレイの補償は、その後、例えば、基板スタックＷＳを介して、コンタクト層Ｌ３及び金属層Ｌ４に望ましくなく伝播する可能性がある。これにより、接触層Ｌ３及び金属層Ｌ４に望ましくない位置誤差が生じる可能性がある。これにより、コンタクト層Ｌ３及び金属層Ｌ４のオーバーレイ性能が悪化する可能性がある。

例えば、図１１は、従来技術を使用して修正された基板スタックＷＳを概略的に示している。図１１は、アクティブ層Ｌ１とゲート層Ｌ２の間のオーバーレイが縮小されていることを示している。ただし、図１２は、ゲート層Ｌ２とコンタクト層Ｌ３の間のオーバーレイを示している。図１２に示すオーバーレイには、アクティブ層ＬＩとゲート層Ｌ２の間のオーバーレイを補正するために行われた補正によって導入されたコンポーネントが含まれている。ゲート層Ｌ２とコンタクト層Ｌ３の間のオーバーレイはさらに悪化している。比較として、本発明の実施形態は、図１０に示されるように（すなわち、従来技術と同じ）活性層Ｌ１とゲート層Ｌ２との間のオーバーレイを低減するために実施することができる。ただし、スタックを介した誤差の伝播はない。図１３は、本発明の実施形態によるゲート層Ｌ２とコンタクト層Ｌ３との間のオーバーレイを示す。図１２と図１３との比較は、本発明の実施形態が実施されるとき、ゲート層Ｌ２とコンタクト層Ｌ３との間のオーバーレイがより低いことを示している。

本発明の一実施形態は、基板Ｗ上の他の層に依存しない誤差情報に基づいて修正情報を生成することにより、基板スタックＷＳのオーバーレイ性能を改善する。したがって、オーバーレイ誤差はある層から次の層に伝播しない。

図７は、特定の層の基板Ｗ（ｘ軸）全体の位置誤差（ｙ軸）へのさまざまな寄与を概略的に示している。図７は３つのグラフを示す。各グラフは、ターゲット位置に対する基板Ｗ上の層に形成されたパターンの位置決めの精度を示す位置誤差を表す。図７に示される上のグラフは、パターンを形成するために使用されるリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳによって引き起こされる誤差を表す。投影システムＰＳによって引き起こされる寄与は、レンズフィンガープリントと呼ばれることもある。位置誤差へのこの寄与は、通常静的又は系統的である。

図７に示す中央のグラフは、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差への寄与を表している。パターニング誤差へのこの寄与は、レチクル書き込みフィンガープリントと呼ばれることもある。

図７に示されている下のグラフは、最初の２つのグラフに示されている寄与の組み合わせを表している。下のグラフは、最初の２つのグラフの合計である。下のグラフは、基板Ｗ上の層に形成されたパターンの位置の不正確さを示す全体的な位置誤差を表す。

図８は、２つのレイヤー間のオーバーレイを概略的に示している。図８の中央のグラフは、図７の下のグラフと同じである。言い換えれば、図８の中央のグラフは、たとえば、活性層ＬＩの位置誤差を示している。

一方、図８の上のグラフは、異なる層、たとえばゲート層Ｌ２の位置誤差を表している。図８の下のグラフは、アクティブ層Ｌ１とゲート層Ｌ２の間のオーバーレイを表している。図８の下部のグラフは、上部のグラフから中央のグラフを差し引いたものである。

従来技術では、パターニングデバイスＭＡを修正するための入力データは、図８に示されている下のグラフ、すなわちオーバーレイデータであった。対照的に、本発明の一実施形態では、パターニングデバイスＭＡを修正するための入力データは、特定の層の位置誤差、すなわち図７の下のグラフであるか、それを含む。

言い換えれば、一実施形態では、各層Ｌ１〜Ｌ４は「ゼロ」に修正される。つまり、各レイヤーＬ１〜Ｌ４の位置は、それぞれのターゲット位置に個別に修正される。これは、基板Ｗ上の他の層に依存しない誤差情報に基づいて修正情報を生成することにより行われる。代替実施形態では、各層Ｌ１〜Ｌ４は別の共通基準に修正される。言い換えれば、各レイヤーは、自身のターゲット位置ではなく、ターゲット位置に対する基準位置に合うように修正することができる。

図９は、本発明の実施形態による修正情報を使用して修正されたパターニングデバイスＭＡを使用して形成された基板スタックＷＳを概略的に示す。図９に示すように、各レイヤーＬ１〜Ｌ４は、そのターゲット位置に合うように修正されている。これは、各層Ｌ１〜Ｌ４の直線形状によって示される。これは、図１１に示される基板スタックＷＳとは対照的であり、各層Ｌ１〜Ｌ４は「ゼロ」に修正されず、代わりに互いに対して修正される。

一実施形態では、パターニングデバイスＭＡは、位置誤差を低減するように修正される。変更されたパターニングデバイスＭＡは、形成されたパターンにより小さいパターニング誤差を導入する。しかしながら、より小さいパターニング誤差は、リソグラフィ装置ＬＡの調整により修正可能なほど小さい。したがって、修正されたパターニングデバイスＭＡによって導入された小さなパターニング誤差を補正するように、リソグラフィセルＬＣ内のリソグラフィ装置ＬＡ又は各リソグラフィ装置ＬＡを適合／調整することができる。

本発明の一実施形態は、リソグラフィセルの生産性を高めることが期待される。例えば、特定の投影システムＰＳを備えた特定のリソグラフィ装置ＬＡが利用可能になるのを待ってから、基板Ｗ上の層Ｌ１〜Ｌ４にパターンを形成する必要はないかもしれない。

上記で説明したように、本発明の実施形態は、リソグラフィ装置ＬＡの特定の構成（組み合わせ）に対する補正済みパターニングデバイスＭＡの依存性を低減することが期待される。さらに、パターニングデバイスＭＡを特定のマシンに非固有にすることが望ましい。一実施形態では、投影システムＰＳによって引き起こされるディストーションは、少なくとも２つの投影システムＰＳについて計算される。各投影システムＰＳは、対応するリソグラフィ装置ＬＡに関連付けられている。誤差情報は、少なくとも２つの投影システムＰＳについて計算された平均ディストーションに基づいている。言い換えると、複数のリソグラフィ装置ＬＡの平均効果を使用して、投影システムＰＳによって導入されるディストーションを考慮することができる。

もちろん、複数のリソグラフィ装置ＬＡの平均効果を考慮することにより、補正の品質は、特定のリソグラフィ装置ＬＡに対する補正と比較して低くなり得る。しかしながら、複数のリソグラフィ装置ＬＡの平均効果を考慮して可能な補正は依然として重要であり、したがって、リソグラフィセルＬＣの生産性を改善するために望ましい。

一実施形態では、生成される修正情報は、パターニングデバイスＭＡにわたる位置シフトのマップを含む。位置ずれは、パターニングデバイスＭＡ上のパターンの元の意図された位置からの位置ずれを表してもよい。一実施形態では、この方法は、ソフトウェアを使用して、位置ずれをパターニングデバイスＭＡの局所歪みに変換することを含む。

一実施形態では、この方法は、修正情報に基づいてパターニングデバイスＭＡを修正することを含む。例えば、一実施形態では、パターニングデバイスＭＡを修正することは、パターニングデバイスＭＡが作られる材料の局所歪みを修正することを含む。一実施形態では、局所歪みを修正することは、パターニングデバイスＭＡにレーザパルスを照射することを含む。言い換えれば、（レーザーを含む）ツーリングの一部は、パターニングデバイスＭＡの材料上に局所的な歪み要素を生成する。これは、図３から図５を参照して上記でより詳細に説明したように、パターニングデバイスＭＡがどのように修正されるかである。

一実施形態では、誤差情報を取得することは、放射ビームＢを層Ｌ１〜Ｌ４に集束させる投影システムＰＳによって引き起こされるディストーションを決定することを含む。ディストーションは、パターンの不正確さの一因となる。言い換えると、誤差情報を取得する部分には、図７の上のグラフに示されているディストーションを決定（計算及び／又は測定）することが含まれる。代替的又は追加的に、誤差情報は、図７の中央のグラフによって表されるように、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされる誤差のみを決定することによって取得されてもよい。代替的又は追加的に、誤差情報は、位置誤差全体、つまり図７の下のグラフを測定することで取得できる。

一実施形態では、誤差情報を取得することは、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差を決定することを含む。上述したように、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差は、パターンの不正確さに寄与する。パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差は、たとえば図７の中央のグラフに表されている。代替的又は追加的に、誤差情報は、投影システムＰＳによって引き起こされるディストーション、すなわち図７の上のグラフに表される寄与のみに基づいて取得されてもよい。代替的又は追加的に、全体的な位置決め誤差、すなわち図７の下のグラフに表される情報を決定することにより、誤差情報を取得することができる。

上述したように、一実施形態では、投影システムＰＳによって引き起こされるディストーションとパターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差の両方を計算／測定することができる。投影システムＰＳからのディストーションが決定される方法は、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差が決定される方法とは異なる。したがって、ディストーションのフォーマットは、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差のデータのフォーマットとは異なる場合がある。したがって、決定されたディストーションと決定されたパターニング誤差を組み合わせるために、さらなるプロセスステップが必要になる場合がある。

一実施形態では、方法は、修正情報が決定されたディストーションと決定されたパターニング誤差の両方に基づくように、決定されたディストーションと決定されたパターニング誤差を組み合わせるステップを含む。あるいは、ディストーションとパターニング誤差の一方のみが使用される場合、そのような結合ステップは必要ない。

一実施形態では、この方法は、ディストーションと決定されたパターニング誤差との間のマッピングを含む。特に、ディストーションは、Ｘ方向とＹ方向のディストーション効果を示す第１のタイプのグリッドで表すことができる。決定されたパターニング誤差は、Ｘ方向及びＹ方向のパターニング誤差を示す第２のタイプのグリッドによって表されてもよい。最初のタイプのグリッドは、２番目のタイプのグリッドとは異なる場合がある。一実施形態では、パターニングデバイスＭＡによって引き起こされるパターニング誤差は、投影システムＰＳに関連するディストーション測定値と組み合わされて、行われる実際の修正を示す、さらなるグリッド、例えばパターニングデバイスＭＡ全体の位置シフトのマップを形成する。それらを組み合わせるために、グリッド間でマッピングをする必要がある。例えば、一実施形態では、ディストーションデータ及び／又はパターニング誤差データは、グリッド間のデータポイントの数及び／又は分布を等しくするように補間される。代替的又は追加的に、データの分布が他のデータセットと一致するように、データセットのアップサンプリングを実行するためにモデリングが実行されてもよい。

一実施形態では、この方法は、パターニングデバイスＭＡ上の決定されたパターニング誤差に関連付けられた位置でディストーションを決定することを含む。例えば、パターニング誤差は、パターニングデバイスＭＡ上の多数の場所で決定され、ディストーションは、より少数の場所（すなわち、より少ない数のデータポイント）で計算されることがあり得る。したがって、ディストーションデータが利用できないパターニングデバイスＭＡ上の決定されたパターニング誤差に関連付けられた場所があり得る。一実施形態では、パターニングデバイスＭＡ上の決定されたパターニング誤差に関連する追加のディストーションデータ位置は、ディストーションデータを決定されたパターニング誤差データと組み合わせることができるように決定することができる。

一実施形態では、計算されたディストーションと決定されたパターニング誤差とを結合することは、計算されたディストーションと決定されたパターニング誤差を共通のグリッドにマッピングすることを含む。

一実施形態では、誤差情報は、修正情報に関連付けられたグリッドにマッピングされる。したがって、特定のタイプのグリッド（つまり、データの形式）を変更情報に使用できる。誤差情報はそのグリッドにマッピングされる。

一実施形態では、この方法は、誤差情報を取得するステップと、基板Ｗ上の対応するパターンを有する複数の層Ｌ１〜Ｌ４のそれぞれについて修正情報を生成するステップとを繰り返すことを含む。従って、図９に示すように、誤差情報を取得し、変更情報を生成することで各層を修正できる。

一実施形態では、この方法は、パターニングデバイスＭＡを含む又は使用するリソグラフィ装置ＬＡに対する補正を決定することを含み、補正は修正情報に関連する。特に、リソグラフィ装置ＬＡを調整することにより補正できるいくつかのタイプの誤差があり、一方、リソグラフィ装置ＬＡを調整することにより他のタイプの誤差を補償することはできない。例えば、活性層Ｌ１及びゲート層Ｌ２の位置誤差は、通常、高すぎるか、又は大きすぎて、リソグラフィ装置ＬＡの調整だけでは補償できない。代わりに、上記で説明したように、修正情報を使用して、これらの高次誤差を補償するようにパターニングデバイスＭＡを修正するのを支援する。

しかしながら、他のタイプの誤差は、より小さな大きさを有する低次誤差であり、リソグラフィ装置の調整によってのみ補償することができる。例えば、接触層Ｌ３及び／又は金属層Ｌ４の位置誤差は、通常、リソグラフィ装置の調整により補償され得る。したがって、一実施形態では、方法は、リソグラフィ装置ＬＡによって補正可能なオフセットに関連する補正を決定することを含む。

上述したように、パターニングデバイスＭＡの修正は、パターニングデバイスＭＡが作られる材料の局所歪みを修正することを含むことができる。局所的なひずみの修正は、望ましくないことに、全体的なスケーリング誤差につながる可能性がある。例えば、パターニングデバイスＭＡの修正されたバージョンは、パターニングデバイスＭＡの修正されていないバージョンと比較して異なる要因によってパターンを拡大することができる。

例えば、局所歪みの総和は、修正を受けるとき、パターニングデバイスＭＡのわずかな拡大をもたらし得る。局所歪みを合計することにより、パターニングデバイスＭＡを変更することにより導入されるスケーリング誤差を決定することができる。導入されるスケーリング誤差は、修正されたパターニングデバイスＭＡが使用される前に知ることができる。スケーリング誤差は、リソグラフィ装置ＬＡを調整することにより修正することができる。したがって、リソグラフィ装置ＬＡは、例えば、パターニングデバイスＭＡと投影システムＰＳとの間の距離を変更することにより、スケーリング誤差を修正することができる。一実施形態では、修正情報が生成されると、リソグラフィ装置ＬＡに対する適切な補正（例えば、グローバルスケーリング誤差を補正するための）が決定され、リソグラフィ装置ＬＡを制御するために提供される。

一実施形態では、この方法は、リソグラフィ装置ＬＡに対する補正を決定することを含み、ここで補正は計測フィーチャ及び製品フィーチャのオフセットに関連付けられる。パターニングデバイスＭＡは、計測フィーチャと製品フィーチャの両方を備えてもよい。計測フィーチャは、パターニングデバイスＭＡを使用して形成されたパターンに関連する測定を行うために使用される。製品フィーチャは、（たとえば、特定の回路を形成するために）パターンの必要な形状に寄与するパターニングデバイスＭＡの特徴である。計測フィーチャと製品フィーチャのオフセットは、パターニングデバイスＭＡ上の計測フィーチャと製品フィーチャ間の距離に対応する。

一実施形態では、この方法は、修正情報に関連付けられた第１グリッドとリソグラフィ装置ＬＡの修正に関連付けられた第２グリッドとの間のサンプリング密度の差に基づいて修正を決定することを含む。特に、修正情報は、パターニングデバイスＭＡにわたる多数のデータポイントを含む高密度情報を含むことができる。したがって、修正情報に関連付けられた最初のグリッドは、特に高密度のサンプリングを含むことがある。一方、リソグラフィ装置ＬＡに対する補正に関連する第２のグリッドは、はるかに少ない情報を含む場合がある。例えば、リソグラフィ装置ＬＡに対する補正に関連する第２のグリッドは、修正情報に関連する第１のグリッドとして、データ点の数の１０％未満（例えば、約１％）を有し得る。

リソグラフィ装置ＬＡへの補正に関連する第２グリッドは、よりまばらである可能性があり、したがって、精度の低いスケーリングオフセット補正を提供するであろう。ただし、スケーリングオフセット補正は、修正情報に関連付けられたより高密度の最初のグリッドからより正確に決定できる。したがって、修正情報に関連付けられた第１グリッドとリソグラフィ装置ＬＡに対する修正に関連付けられた第２グリッドを使用するかどうかに応じて、計算されたスケーリングオフセット修正の差がどうなるかを事前に計算することが可能である。したがって、補正は、（少なくとも部分的に）第１グリッドと第２グリッド間のサンプリング密度の差に基づくことができる。

リソグラフィ装置ＬＡによって修正可能なオフセットは、グローバルスケーリング誤差の文脈上で説明されたが、他のタイプの修正を行うことができる。例えば、リソグラフィ装置ＬＡを調整することにより修正可能な別のタイプの誤差は回転である。したがって、リソグラフィ装置ＬＡ自体によって行われる補正は、スケーリング及び／又は回転を含み得る。

適切なスケーリング及び／又は回転に関する情報は、修正情報から決定され、リソグラフィ装置ＬＡにフィードフォワードされ得る。これは、修正されたパターニングデバイスＭＡが初めて使用される前であっても、リソグラフィ装置ＬＡを調整することにより適切な補正を行うことができることを意味する。当然ながら、修正されたパターニングデバイスＭＡの使用後に行われた測定に基づいて、その後さらに補正を行うことができる。

一実施形態では、基板上の層に形成されたパターンをターゲット位置に対する位置決め精度を示す誤差情報を取得し、パターンは、パターニングデバイスによるパターン化された放射ビームで層を照射することによって形成されており、修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるように、パターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成し、修正情報は誤差情報に基づいており、誤差情報は基板上の他の層から独立している、方法が提供される。

一実施形態では、誤差情報を取得することは、放射ビームを層に集束させる投影システムによって引き起こされるディストーションを決定することを含み、ディストーションはパターンの不正確さに寄与する。一実施形態では、ディストーションは少なくとも２つの投影システムについて決定され、誤差情報は少なくとも２つの投影システムについて計算された平均ディストーションに基づいている。一実施形態では、誤差情報を取得することは、パターニングデバイスによって引き起こされるパターニング誤差を決定することを含み、パターニング誤差はパターンの不正確さに寄与する。一実施形態では、この方法は、修正情報が少なくとも計算された歪みと決定されたパターニング誤差の両方に基づくように、決定された歪みと決定されたパターニング誤差を組み合わせるステップを含む。一実施形態では、この方法は、パターニングデバイス上の決定されたパターニング誤差に関連する位置で歪みを決定することを含む。一実施形態では、計算された歪みと決定されたパターニング誤差とを結合することは、計算されたディストーションと決定されたパターニング誤差を共通のグリッドにマッピングすることを含む。一実施形態では、誤差情報は、修正情報に関連付けられたグリッドにマッピングされる。一実施形態では、この方法は、修正情報に基づいてパターニングデバイスを修正することを含む。一実施形態では、パターニングデバイスを修正することは、パターニングデバイスが作られる材料の局所歪みを修正することを含む。一実施形態では、局所歪みを修正するために、パターニングデバイスの位置決めに影響する局所特性は、パターニングデバイスにレーザパルスを照射することを含む。一実施形態では、この方法は、誤差情報を取得するステップと、基板上の対応するパターンを有する複数の層のそれぞれについて修正情報を生成するステップとを繰り返すことを含む。一実施形態では、パターニングデバイスを含むリソグラフィ装置に対する修正を決定し、修正は修正情報に関連付けられる。一実施形態では、補正は、リソグラフィ装置によって補正可能なオフセットにさらに関連付けられる。一実施形態では、補正はさらに、計測特性及び製品特性のオフセットに関連付けられる。一実施形態では、修正は、修正情報に関連する第１のグリッドとリソグラフィ装置の修正に関連する第２のグリッドとの間のサンプリング密度の差に基づく。

一実施形態では、プロセッサシステムに本明細書に記載の方法の実行を生じさせるための機械可読命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品が提供される。

一実施形態では、ハードウェアプロセッサシステムと、機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、実行されると、機械可読命令はプロセッサシステムに以下を行わせる：基板上の層に形成されたパターンがターゲット位置に対してどれだけ正確に位置決めされているかを示す誤差情報を取得し、パターンは、パターンニングデバイスによってパターン化された放射ビームを層に照射することによって形成され、修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成されたパターンの位置決めの精度を高めるために、パターニングデバイスを修正するためのパターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成し、修正情報は誤差情報に基づいて、誤差情報は、基板上の他の層とは独立している、システムが提供される。

一実施形態では、実行されると、機械可読命令は、プロセッサシステムに本明細書に記載の方法を実行させる、機械可読命令を記憶する非一時的コンピュータ可読記憶媒体を含むシステムが提供される。

本開示の一実施形態は、本明細書に開示される方法を説明する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形態を取り、そこに保存され得る。さらに、機械可読命令は、２つ以上のコンピュータプログラムで具現化されてもよい。２つ以上のコンピュータプログラムは、１つ以上の異なるメモリ及び／又はデータ記憶媒体に格納されてもよい。

本明細書に記載される任意のコントローラは、リソグラフィ装置の少なくとも１つのコンポーネント内に位置する１つ以上のコンピュータプロセッサにより１つ以上のコンピュータプログラムが読み取られる場合、それぞれ又は組み合わせて動作可能であってもよい。
コントローラは、それぞれ又は組み合わせて、信号の受信、処理、及び送信に適した構成をとることができる。１つ以上のプロセッサが、少なくとも１つのコントローラと通信するように構成されている。例えば、各コントローラは、上記の方法のための機械可読命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つ以上のプロセッサを含んでもよい。コントローラは、そのようなコンピュータプログラムを保存するためのデータ記憶媒体、及び／又はそのような媒体を受け取るためのハードウェアを含むことができる。したがって、コントローラは、１つ又は複数のコンピュータプログラムの機械可読命令に従って動作する。本明細書では、ＩＣの製造における検査装置の使用に特に言及する場合があるが、ここで説明する検査装置は、集積光学システムの製造、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの用途を有してもよい。当業者は、そのような代替用途の文脈において、本明細書における「ウエハ」又は「ダイ」という用語の使用はそれぞれ、より一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義と見なされ得ることを理解するであろう。本明細書で言及される基板は、露光の前後に、例えばトラック（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール及び／又は検査ツールで処理されてもよい。適用可能な場合、本明細書の開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用されてもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作成するために、基板を複数回処理することができ、したがって、本明細書で使用する基板という用語は、すでに複数の処理層を含む基板を指すこともある。

上記では、光リソグラフィの文脈における本開示の実施形態の使用を具体的に参照したが、本開示は、他の用途、例えばナノインプリントリソグラフィで使用されてもよく、文脈が許す限り光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。ナノインプリントリソグラフィの場合、パターニングデバイスはインプリントテンプレート又はモールドである。本明細書で使用される「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）及び極紫外線（ＥＵＶ）放射（５〜２０ｎｍの範囲の波長を持つ）、及びイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含する。

文脈上許される限り、「レンズ」という用語は、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電光学コンポーネントを含む、さまざまなタイプの光学コンポーネントのいずれか又は組み合わせを指す場合がある。

本明細書での閾値を超える又は通過するという言及は、特定の値より低い又は特定の値以下の値を有するもの、特定の値より高い又は特定の値以上の値を有するもの、何かがあるパラメータなどに基づいて、他のものよりも高い又は低いランク付け（ソートなど）を含んでもよい。

本明細書における誤差の訂正への言及は、誤差を除去すること、又は誤差を許容範囲内に減らすことを含む。

本明細書で使用される「最適化する」及び「最適化」という用語は、リソグラフィ又はパターニング処理の結果及び／又はプロセスが投影のより高い精度、基板上のデザインレイアウト、大きなプロセスウィンドウなどのより望ましい特性を有するように、リソグラフィ装置、パターニングプロセスなどを調整することを指し、又は意味する。したがって本明細書で使用される「最適化する」及び「最適化」とは、改善を提供する１つ又は複数のパラメータの１つ又は複数の値を識別するプロセスを指し、又は意味する。「最適」及びその他の関連用語はそれに応じて解釈する必要がある。一実施形態では、最適化ステップを繰り返し適用して、１つ又は複数のメトリックのさらなる改善、例えば、それらの１つ又は複数のパラメータの１つ又は複数の値の初期セットと比較した、少なくとも１つの関連するメトリックにおける局所最適を提供することができる。

システムの最適化プロセスでは、システム又はプロセスの性能指数をコスト関数として表すことができる。最適化プロセスは、コスト関数を最適化する（たとえば、最小化又は最大化する）システム又はプロセスの一連のパラメーター（設計変数）を見つけるプロセスに要約される。コスト関数は、最適化の目的に応じて、適切な形式にすることができる。たとえば、コスト関数は、システム又はプロセスの特定の特性（評価ポイント）の偏差の加重二乗平均平方根（ＲＭＳ）を、これらの特性の意図された値（たとえば、理想値）にすることができる。コスト関数は、これらの偏差の最大値（つまり、最悪の偏差）になることもある。本明細書の「評価ポイント」という用語は、システム又はプロセスの特性のあらゆるものを含むように広く解釈されるべきである。システムの設計変数は、システム又はプロセスの実装の実用性により、有限範囲に限定されたり、相互依存することがある。リソグラフィ装置又はパターニングプロセスの場合、制約は多くの場合、調整可能な範囲などのハードウェアの物理的特性及び特性、及び／又はパターニングデバイスの製造可能性設計ルールに関連付けられ、評価ポイントは基板上のレジストイメージ上の物理ポイント、及びドーズ量や焦点などの非物理的特性を含むことができる。

本開示の特定の実施形態が上記で説明されたが、本開示は、説明された以外の方法で実施され得ることが理解されるであろう。例えば、本開示は、上記で開示された方法を説明する機械可読命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又はそのようなコンピュータプログラムがそこに保存されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気又は光ディスク）の形をとってもよい。

さらなる実施形態が、以下の番号付き実施形態のリストに開示されている。
１． 以下を含む方法：
基板上の層に形成されたパターンをターゲット位置に対する位置決め精度を示す誤差情報を取得することであって、前記パターンがパターニングデバイスを使用して層に形成されていることと、
前記パターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成することであって、前記修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成された前記パターンの位置決め精度を高めるようにし、前記修正情報は前記誤差情報に基づいており、前記誤差情報は基板上の他の層から独立している、方法。
２． 前記情報を取得することは、放射ビームを層に集束させる投影システムによって引き起こされるディストーションを決定することを含み、このディストーションは前記パターンの不正確さに寄与する、実施形態１に記載の方法。
３． 前記ディストーションは、少なくとも２つの投影システムについて決定され、前記誤差情報は、前記少なくとも２つの投影システムについて計算された平均ディストーションに基づく、実施形態２に記載の方法。
４． 前記誤差情報を取得することは、前記パターニングデバイスによって引き起こされるパターニング誤差を決定することを含み、前記パターニング誤差は、前記パターンの不正確さに寄与する、先行する実施形態のいずれかの方法。
５． 前記修正情報が少なくとも前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差の両方に基づくように、前記決定された歪みと前記決定されたパターニング誤差を組み合わせることを含む、実施形態４に記載の方法。
６． 前記パターニングデバイス上の前記決定されたパターニング誤差に関連付けられた位置で前記ディストーションを決定することを含む、実施形態５に記載の方法。
７． 前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を組み合わせることが、前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を共通のグリッドにマッピングすることを含む、実施形態５又は６に記載の方法。
８． 前記誤差情報は、前記修正情報に関連付けられたグリッドにマッピングされる、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
９． 前記修正情報に基づいて前記パターニングデバイスを修正することを含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
１０． パターニングデバイスを修正することは、パターニングデバイスが作られる材料の局所歪みを修正することを含む、実施形態９に記載の方法。
１１． 局所歪みを修正することは、パターニングデバイスにレーザパルスを照射することを含む、実施形態１０に記載の方法。
１２． 前記誤差情報を取得することを繰り返し、前記基板上の対応するパターンを有する複数の層のそれぞれについて修正情報を生成することを含む、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
１３． 前記パターニングデバイスを使用してリソグラフィ装置に対する修正を決定することを含み、前記修正は修正情報に関連付けられている、先行する実施形態のいずれかに記載の方法。
１４． 前記修正が、リソグラフィ装置によって修正可能なオフセットにさらに関連付けられる、実施形態１３の方法。
１５． 前記修正は、計測特性及び製品特性のオフセットにさらに関連付けられる、実施形態１３又は実施形態１４に記載の方法。
１６． 前記修正は、前記修正情報に関連付けられた第１のグリッドと前記リソグラフィ装置に対する前記修正に関連付けられた第２のグリッドとの間のサンプリング密度の差に基づく、実施形態１３〜１５のいずれかの方法。
１７． プロセッサシステムに先行する実施形態の方法を実行させるための機械可読命令を含む非一時的コンピュータプログラム製品。
１８． ハードウェアプロセッサシステムと、
機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを備え、前記機械可読命令が実行されると、プロセッサシステムに以下を行わせる：
基板上の層に形成されたパターンをターゲット位置に対する位置決め精度を示す誤差情報を取得することであって、前記パターンがパターニングデバイスを使用して層に形成されていることと、
前記パターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成することであって、前記修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成された前記パターンの位置決め精度を高めるようにし、前記修正情報は前記誤差情報に基づいており、前記誤差情報は基板上の他の層から独立している、システム。
１９． ハードウェアプロセッサシステムと、
機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを備え、前記機械可読命令が実行されると、前記機械可読命令は前記プロセッサシステムに実施形態１〜１６に記載の方法を実行させる、システム。

上記の説明は、制限ではなく例示を目的としている。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、記載された開示に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

Claims (12)

1. 基板上の層に形成されたパターンのターゲット位置に対する位置決め精度を示す誤差情報を取得することであって、前記パターンがパターニングデバイスを使用して層に形成されていることと、
   前記パターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成することであって、前記修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成された前記パターンの位置決め精度を高めるようにし、前記修正情報は前記誤差情報に基づいており、前記誤差情報は基板上の他の層から独立しており、
   前記誤差情報を取得することは、放射ビームを層に集束させる投影システムによって引き起こされるディストーションを決定することを含み、このディストーションは前記パターンの不正確さに寄与し、
   前記誤差情報を取得することは、前記パターニングデバイスによって引き起こされるパターニング誤差を決定することを含み、前記パターニング誤差は、前記パターンの不正確さに寄与し、
   さらに、前記修正情報が少なくとも前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差の両方に基づくように、前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を組み合わせることを含む、方法。
2. 前記ディストーションは、少なくとも２つの投影システムについて決定され、前記誤差情報は、前記少なくとも２つの投影システムについて計算された平均ディストーションに基づく、請求項１に記載の方法。
3. 前記パターニングデバイス上の前記決定されたパターニング誤差に関連付けられた位置で前記ディストーションを決定することを含む、請求項１に記載の方法。
4. 前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を組み合わせることが、前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を共通のグリッドにマッピングすることを含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記誤差情報は、前記修正情報に関連付けられたグリッドにマッピングされる、請求項１に記載の方法。
6. 前記修正情報に基づいて前記パターニングデバイスを修正することを含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記誤差情報を取得することを繰り返し、前記基板上の対応するパターンを有する複数の層のそれぞれについて修正情報を生成することを含む、請求項１に記載の方法。
8. 前記パターニングデバイスを使用してリソグラフィ装置に対する修正を決定することを含み、前記修正は前記修正情報に関連付けられる、請求項１に記載の方法。
9. 前記修正は、前記修正情報に関連付けられた第１のグリッドと前記リソグラフィ装置に対する前記修正に関連付けられた第２のグリッドとの間のサンプリング密度の差に基づく、請求項８に記載の方法。
10. プロセッサシステムに請求項１の方法を実行させるための機械可読命令を含む非一時的コンピュータプログラム。
11. ハードウェアプロセッサシステムと、
    機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを備え、前記機械可読命令が実行されると、プロセッサシステムに以下を行わせる：
    基板上の層に形成されたパターンをターゲット位置に対する位置決め精度を示す誤差情報を取得することであって、前記パターンがパターニングデバイスを使用して層に形成されていることと、
    前記パターニングデバイス全体の位置ずれのマップを含む修正情報を生成することであって、前記修正情報に従って修正されたパターニングデバイスを使用して形成された前記パターンの位置決め精度を高めるようにし、前記修正情報は前記誤差情報に基づいており、前記誤差情報は基板上の他の層から独立しており、
    前記誤差情報を取得することは、放射ビームを層に集束させる投影システムによって引き起こされるディストーションを決定することを含み、このディストーションは前記パターンの不正確さに寄与し、
    前記誤差情報を取得することは、前記パターニングデバイスによって引き起こされるパターニング誤差を決定することを含み、前記パターニング誤差は、前記パターンの不正確さに寄与し、
    前記修正情報が少なくとも前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差の両方に基づくように、前記決定されたディストーションと前記決定されたパターニング誤差を組み合わせることを含む、システム。
12. ハードウェアプロセッサシステムと、
    機械可読命令を格納する非一時的コンピュータ可読記憶媒体とを備え、前記機械可読命令が実行されると、前記機械可読命令は前記プロセッサシステムに請求項１に記載の方法を実行させる、システム。

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