TWI662357B - 用於增加圖案定位之準確度之方法、非暫時性電腦程式產品及系統 - Google Patents

用於增加圖案定位之準確度之方法、非暫時性電腦程式產品及系統 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種方法，其包括：獲得指示相對於一目標位置來定位形成於一基板上之一層上之一圖案的準確度之誤差資訊，其中該圖案已藉由運用藉由一圖案化器件圖案化之一輻射光束來輻照該層而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。

Description

用於增加圖案定位之準確度之方法、非暫時性電腦程式產品及系統
本發明之描述係關於用於產生修改資訊以用於增加定位圖案之準確度的一種方法及一種系統。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)或經設計為功能性的其他器件之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地被稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於經設計為功能性的器件之個別層上的器件圖案。可將此圖案轉印至基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包括晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用數個製造程序來處理基板 (例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此類層及特徵。可在一基板上之複數個晶粒上製造多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。此器件製造程序可被認為是圖案化程序。圖案化程序涉及圖案化步驟，諸如使用微影裝置之光學及/或奈米壓印微影，以在基板上提供圖案且通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置之抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤基板、使用蝕刻裝置使用圖案進行蝕刻等。另外，在圖案化程序中涉及一或多個度量衡程序。
在圖案化程序期間在各種步驟下使用度量衡程序以監視及控制該程序。舉例而言，使用度量衡程序以量測基板之一或多個特性，諸如在該圖案化程序期間形成於基板上之特徵之相對部位(例如對齊、疊對、對準等)或尺寸(例如線寬、臨界尺寸(CD)、厚度等)，使得例如可自該一或多個特性判定圖案化程序之效能。若該一或多個特性係不可接受的(例如在特性之預定範圍之外)，則該一或多個特性之量測可用以變更圖案化程序之一或多個參數使得藉由該圖案化程序製造之另外基板具有可接受的特性。
幾十年來，隨著微影及其他圖案化程序技術之改進，功能性元件之尺寸已不斷地減小，而每器件功能性元件(諸如電晶體)之量已穩定地增加。同時，對在疊對、臨界尺寸(CD)等方面之準確度要求已變得愈來愈嚴格。將在圖案化程序中不可避免地產生誤差，諸如疊對誤差、CD誤差等。舉例而言，可自光學像差、圖案化器件加熱、圖案化器件誤差及/或基板加熱產生成像誤差，且可依據例如疊對誤差、CD誤差等來特性化成像誤差。另外或替代地，可在圖案化程序之其他部分中(諸如在蝕刻、顯影、烘烤等中)引入誤差，且相似地，可依據例如疊對誤差、CD誤差等來 特性化該等誤差。該等誤差可直接造成在器件之功能方面之問題，包括器件運行之故障，或運行器件之一或多個電氣問題。
用於圖案化程序中之一或多個裝置可用以校正(例如，至少部分地(若非完全))誤差中之一或多者。舉例而言，微影裝置可能夠藉由調整微影裝置中之一或多個致動器而校正誤差之一部分。但，藉由微影裝置中之一或多個致動器不可校正剩餘誤差。因此，一般而言，需要提供可進一步或較佳地校正圖案化程序中之誤差之方法及/或裝置。
用以校正誤差(尤其是疊對誤差)之一種方式為控制微影裝置之圖案化器件(例如倍縮光罩)內之應變。然而，通常圖案化器件中之應變經調整以校正藉由特定微影裝置形成之兩個圖案之間的疊對。結果，藉由其他微影裝置形成(例如在特定微影裝置不可用時)之其他圖案或相同圖案之未對齊誤差未經最佳地校正。因此，需要減小圖案化器件校正對正使用之特定微影裝置之相依性。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得指示相對於一目標位置來定位形成於一基板上之一層上之一圖案的準確度之誤差資訊，其中該圖案已藉由運用藉由一圖案化器件圖案化之一輻射光束來輻照該層而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
在一態樣中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產 品，該等機器可讀指令用於致使一處理器系統引起本文中所描述之一方法之執行。
在一態樣中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統引起如本文中所描述之一方法之執行。
在一態樣中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統：獲得指示形成於一基板上之一層上之一圖案相對於一目標位置如何準確地定位之誤差資訊，其中該圖案已藉由運用藉由一圖案化器件圖案化之一輻射光束來輻照該層而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊以用於修改該圖案化器件，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
300‧‧‧圖案化系統
310‧‧‧度量衡裝置
320‧‧‧圖案化器件修改工具
330‧‧‧軟體應用程式
410‧‧‧圖案化器件
420‧‧‧台
430‧‧‧輻射輸出件/源
435‧‧‧光束
440‧‧‧聚焦接物鏡
445‧‧‧光學元件
450‧‧‧定位載物台
460‧‧‧電腦系統/電腦
465‧‧‧電荷耦合器件(CCD)攝影機
480‧‧‧控制器
490‧‧‧操縱鏡面
500‧‧‧步驟
510‧‧‧步驟
520‧‧‧步驟
530‧‧‧步驟
AD‧‧‧調整器
AM‧‧‧調整機構
AS‧‧‧對準感測器
B‧‧‧輻射光束
BD‧‧‧光束遞送系統
BK‧‧‧烘烤板
C‧‧‧目標部分
CH‧‧‧冷卻板
CO‧‧‧聚光器
DE‧‧‧顯影器
IF‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統/照明器
IN‧‧‧積光器
I/O1‧‧‧輸入/輸出埠
I/O2‧‧‧輸入/輸出埠
LA‧‧‧微影裝置
LACU‧‧‧微影控制單元
LB‧‧‧裝載匣
LC‧‧‧微影製造單元
LS‧‧‧位階感測器
L1‧‧‧作用層
L2‧‧‧閘極層
L3‧‧‧接觸層
L4‧‧‧金屬層
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MET‧‧‧度量衡系統
MT‧‧‧支撐結構
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器
RF‧‧‧參考框架
RO‧‧‧基板處置器或機器人
SC‧‧‧旋塗器
SCS‧‧‧監督控制系統
SO‧‧‧輻射源
TCU‧‧‧塗佈顯影系統控制單元
W‧‧‧基板
WS‧‧‧基板堆疊
WTa‧‧‧基板台
WTb‧‧‧基板台
現在將參看隨附圖式而僅作為實例來描述實施例，在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置之實施例；圖2示意性地描繪微影製造單元或叢集之實施例；圖3示意性地描繪微影處理、度量衡及圖案化器件修改系統之實施例；圖4示意性地描繪圖案化器件修改上具之實施例； 圖5示意性地描繪藉由圖案化器件修改工具進行之圖案化器件修改之方法的實施例的流程圖；圖6示意性地描繪圖案位置誤差如何在基板堆疊之不同層之間發生變化；圖7描繪對針對基板堆疊之特定層之圖案位置誤差的投影系統及圖案化器件貢獻；圖8示意性地描繪如何自每一層之位置誤差計算兩個層之間的位置誤差；圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例在基板堆疊之層中不存在位置誤差；圖10描繪基板堆疊之兩個層之間的位置誤差；圖11示意性地描繪基板堆疊之不同層中之位置誤差；圖12描繪圖11中所展示之基板堆疊之層中之兩者之間的位置誤差；及圖13描繪在實施本發明之一實施例時基板堆疊之層中之兩者之間的位置誤差。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA。該微影裝置LA包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)；- 支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA 之第一定位器PM；- 基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板W之第二定位器PW；及- 投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上，該投影系統PS被支撐於參考框架RF上。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐結構MT以取決於圖案化器件MA之定向、微影裝置LA之設計及其他條件(諸如圖案化器件MA是否被固持於真空環境中)之方式來支撐該圖案化器件MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可根據需要而固定或可移動。支撐結構MT可確保圖案化器件MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用皆與更一般之術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應被廣泛地解譯為係指可用以在基板之目標部分C中賦予圖案的任何器件。在一實施例中，圖案化器件MA為可用以在輻射光束B之橫截面中向該輻射光束B賦予圖案，以在基板W之目標部分C中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若被賦予至輻射光束B之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板W之目標部分C中之所要圖案。通常，被賦予至輻射光束B之 圖案將對應於目標部分C中產生之器件(諸如積體電路)中之特定功能層。
圖案化器件MA可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影中係熟知的，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合式光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉移函數。對於非偏振輻射，此等效應可由兩個純量映圖相當良好地描述，該兩個純量映圖描述依據射出投影系統PS之輻射之光瞳平面中之位置而變化的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可被稱作透射映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基底函數全集之線性組合。特別適宜的集合為任尼克(Zernike)多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。每一純量映射之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，故可藉由依次計算經量測純量映圖與每一任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之範數之平方來判定任尼克係數。
透射映圖及相對相位映圖係場及系統相依的。亦即，一般而言，每 一投影系統PS將針對每一場點(亦即，針對投影系統PS之影像平面中之每一空間部位)具有一不同任尼克展開式。可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源之輻射投影通過投影系統PS且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計係共同路徑干涉計且因此，有利的是，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含投影系統之影像平面(亦即，基板台WT)中之繞射光柵，例如二維柵格；及偵測器，其經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之干涉圖案。干涉圖案係與輻射之相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標的導數相關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如(例如)電荷耦合器件(CCD)。
可在兩個垂直方向上依序掃描繞射光柵，該兩個垂直方向可與投影系統PS之座標系之軸線(x及y)重合或可與此等軸線成諸如45度之角度。可遍及整數個光柵週期(例如，一個光柵週期)執行掃描。掃描使在一個方向上之相位變化達到平均數，從而允許重新建構在另一方向上之相位變化。此情形允許依據兩個方向來判定波前。
微影裝置之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此，可使用相位步進技術(諸如(例如)移動繞射光柵)來增強波前判定之準確度。可在繞射光柵之平面中且在垂直於量測之掃描方向之方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，在x方向上針對一不同位置執行每一掃描量測。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準 偵測器。
可藉由將(例如)來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之類點源之輻射投影通過投影系統PS且使用偵測器來量測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差的偵測器同一個偵測器。
投影系統PS可包含複數個光學(例如透鏡)元件且可進一步包含調整機構AM，該調整機構AM經組態以調整光學元件中之一或多者，以校正像差(橫越貫穿場之光瞳平面之相位變化)。為了達成此調整，調整機構AM可操作而以一或多種不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如透鏡)元件。投影系統PS可具有座標系，其中該投影系統之光軸在z方向上延伸。調整機構AM可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；及/或使一或多個光學元件變形。光學元件之位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常出自垂直於光軸之平面藉由圍繞在x及/或y方向上之軸線旋轉而進行，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如像散)及/或高頻形狀(例如，自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力及/或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區來執行光學元件之變形。一般而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(橫越光瞳平面之透射變化)。可在設計用於微影裝置LA之圖案化器件(例如光罩)MA時使用投影系統PS之透射映圖。使用計算微影技術，圖案化器件MA可經設計為用以至少部分地校正變跡。
如此處所描繪，微影裝置LA屬於透射類型(例如使用透射光罩)。替代地，微影裝置LA可屬於反射類型(例如使用如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置LA可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個台(例如兩個或多於兩個基板台WTa、WTb、兩個或多於兩個圖案化器件台、在無專用於例如促進量測及/或清潔等之基板的情況下在投影系統PS下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測及/或使用位階感測器LS之位階(高度、傾角等)量測。
微影裝置LA亦可屬於如下類型：其中基板W之至少一部分可由具有相對高折射率之液體(例如水)覆蓋，以填充投影系統PS與基板W之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置LA中之其他空間，例如圖案化器件MA與投影系統PS之間的空間。浸潤技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文中所使用之術語「浸潤」不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統PS與基板W之間。
參看圖1，照明系統IL自輻射源SO接收輻射光束B。舉例而言，當輻射源SO為準分子雷射時，輻射源SO及微影裝置LA可為單獨實體。在此類狀況下，不認為輻射源SO形成微影裝置LA之部分，且輻射光束B係憑藉包含例如合適導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明系統IL。在其他狀況下，舉例而言，當輻射源SO為水銀燈時，輻射源SO可為微影裝置LA之整體部分。輻射源SO及照明系統IL連同光束 遞送系統BD在需要時可被稱作輻射系統。
照明系統IL可包含經組態以調整輻射光束之角強度分佈之調整器AD。通常，可調整照明系統IL之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。另外，照明系統IL可包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統IL可用以調節輻射光束B，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於被固持於支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且係由該圖案化器件MA圖案化。在已橫穿圖案化器件MA的情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以例如在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。一般而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分之長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。相似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分C，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。相似地，在多於一個晶粒被提供於圖案化器件MA上的情形中，圖案化器件對準標記M1、M2可位 於該等晶粒之間。
所描繪微影裝置LA可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描支撐結構MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分C之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分C之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，使支撐結構MT保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可使用上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影製造單元LC(有時亦被稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部分，微影製造單元LC亦包括用以對 基板W執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。通常，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH及/或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取一或多個基板，在不同程序裝置之間移動基板且將基板遞送至微影裝置LA之裝載匣LB。常常被集體地稱作塗佈顯影系統(track)之此等裝置由塗佈顯影系統控制單元TCU控制，塗佈顯影系統控制單元TCU自身受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU而控制微影裝置LA。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為了正確且一致地曝光由微影裝置LA曝光之基板W，需要檢測經曝光基板以量測一或多個屬性，諸如後續層之間的疊對誤差、線厚度、臨界尺寸(CD)、焦點偏移、材料屬性等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，該度量衡系統MET接收已在微影製造單元LC中處理之基板W中的一些或全部。度量衡系統MET可為微影製造單元LC之部分，例如，其可為微影裝置LA之部分。
可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速進行檢測使得該批量之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)及/或對經曝光基板之後續曝光進行調整。又，已經曝光之基板可被剝離及重工以改良產率，或被捨棄，藉此避免對已知有缺陷之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之狀況下，可僅對良好的彼等目標部分執行進一步曝光。
在度量衡系統MET內，檢測裝置係用以判定基板之一或多個屬性，且尤其判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在不同 層間如何變化。檢測裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。為實現快速量測，需要使檢測裝置緊接在曝光之後量測經曝光抗蝕劑層中之一或多個屬性。然而，抗蝕劑中之潛影具有低對比度-在已曝光至輻射的抗蝕劑之部分與尚未曝光至輻射的抗蝕劑之部分之間僅存在極小折射率差-且並非所有檢測裝置皆具有足夠敏感度來進行潛影之有用量測。因此，可在曝光後烘烤步驟(PEB)之後進行量測，曝光後烘烤步驟通常為對經曝光基板進行之第一步驟且增加抗蝕劑之經曝光部分與未經曝光部分之間的對比度。在此階段，抗蝕劑中之影像可被稱作半潛像(semi-latent)。亦有可能對經顯影之抗蝕劑影像進行量測-此時，抗蝕劑之經曝光部分或未經曝光部分已被移除-或在諸如蝕刻之圖案轉印步驟之後對經顯影抗蝕劑影像進行量測。後者可能性限制重工有缺陷基板之可能性，但仍可提供有用資訊。
為了監視包括至少一個圖案化步驟(例如光學微影步驟)之圖案化程序(例如器件製造程序)，檢測經圖案化基板W且量測經圖案化基板之一或多個參數。舉例而言，該一或多個參數可包括：形成於經圖案化基板中或上之順次層之間的疊對誤差、(例如)形成於經圖案化基板中或上之特徵之臨界尺寸(CD)(例如臨界線寬)、光學微影步驟之焦點或聚焦誤差、光學微影步驟之劑量或劑量誤差、光學微影步驟之光學像差，等。可對產品基板自身之目標執行此量測及/或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。存在用於對在圖案化程序中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、以影像為基礎之量測或檢測工具及/或各種特殊化工具。特殊化度量衡及/或檢測工具之快速且非侵入形式為輻射光束經導向至基板之表面上之目標上且量測散射(繞射/反射)光束之屬性之形式。藉由 比較光束在其已由基板散射之前及之後的一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可被稱為以繞射為基礎之度量衡或檢測。此以繞射為基礎之度量衡或檢測之一特定應用係在週期性目標內之特徵不對稱性之量測中。此量測可用作為例如疊對誤差之量度，但其他應用亦為已知的。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如，比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)而量測不對稱性。此量測可簡單地如(例如)全文以引用方式併入本文中之美國專利申請公開案US2006-066855中所描述來進行。
用以啟用圖案化程序之顯著態樣包括使該程序自身顯影、設置該程序以用於監視及控制，且接著實際上監視及控制該程序自身。在假定圖案化程序之基本因素之組態(諸如圖案化器件圖案、抗蝕劑類型、微影後程序步驟(諸如顯影、蝕刻等)等)的情況下，微影裝置LA經設置以用於將圖案轉印至基板上、一或多個度量衡目標經顯影以監視該程序、度量衡程序經設置以量測度量衡目標，且接著實施基於量測之監控及控制該程序之程序。雖然本申請案中之論述將考慮經設計以量測形成於基板上之器件之一或多個層之間的疊對及/或聚焦誤差(亦即，圖案化系統之光學系統相對於基板之最佳聚焦之差)之度量衡程序及度量衡目標的實施例，但本文中之實施例同樣適用於其他度量衡程序及/或目標，諸如，用以量測兩個物件之間(例如，圖案化器件與基板之間)的對準之度量衡程序及/或目標、用以量測臨界尺寸之度量衡程序及/或目標、用以量測表面之位置(例如，使用位階感測器進行的基板表面之高度及/或旋轉位置)之度量衡程序及/或目標等，且使用此資料以產生用於圖案化系統之修改裝置或用於圖案化器件校正裝置之修改資訊。因此，本文中對疊對度量衡目標、疊對資料等之參考 應被認為經合適修改以啟用其他種類之度量衡程序及/或目標。
參看圖3，展示微影處理、度量衡及圖案化器件修改系統。該系統包含：圖案化系統(例如奈米壓印微影工具、諸如關於圖1所描述的光學微影裝置LA、諸如關於圖2所描述的塗佈顯影系統工具、蝕刻工具、圖案化程序中之另一裝置，或選自其之任何組合)300、度量衡裝置310、圖案化器件修改工具320及軟體應用程式330。圖案化系統300、度量衡裝置310及圖案化器件修改工具320中之一些或全部係與軟體應用程式330通信，使得圖案化系統300、度量衡裝置310及/或圖案化器件修改工具320之結果、設計、資料等可藉由軟體應用程式330同時或在不同時間儲存及分析。
如上文所提及，圖案化系統300可經組態為圖1中之微影裝置LA。圖案化系統300可經設置以用於執行圖案化程序之圖案化態樣，且視情況，可經組態以校正在圖案化系統300內或在圖案化程序中之一或多個其他程序或裝置中出現的偏差。在一實施例中，圖案化系統300可能夠藉由調整圖案化系統300之一或多個修改裝置而應用誤差(例如成像誤差、聚焦誤差、劑量誤差等)之校正。亦即，在一實施例中，可藉由圖案化系統中之可有目的地修改圖案化誤差之任何製造處理工具來進行校正。
在例如圖案化系統300包含光學微影裝置的情況下，誤差之校正可藉由調整微影裝置之一或多個修改裝置來進行，例如藉由使用調整機構AM以校正或應用光學像差、藉由使用調整器AD以校正或修改照明強度分佈、藉由使用圖案化器件支撐結構MT之定位器PM及/或基板台WT之定位器PW以分別校正或修改圖案化器件支撐結構MT及/或基板台WT之位置等。在例如圖案化系統300包含塗佈顯影系統工具的情況下，誤差之校正可藉由調整塗佈顯影系統工具之一或多個修改裝置來進行，例如修改塗佈 顯影系統之烘烤工具之烘烤溫度、修改塗佈顯影系統之顯影工具之顯影參數等。相似地，在例如圖案化系統300包含蝕刻工具的情況下，誤差之校正可藉由調整蝕刻工具之一或多個修改裝置來進行，例如修改諸如蝕刻劑類型、蝕刻劑速率之蝕刻參數等。相似地，在例如圖案化系統300包含平坦化工具的情況下，誤差之校正可藉由調整平坦化工具之一或多個修改裝置來進行，例如修改平坦化參數。相似地，在例如圖案化系統300包含沈積工具的情況下，誤差之校正可藉由調整沈積工具之一或多個修改裝置來進行，例如修改沈積參數。
在一實施例中，圖案化系統300之一或多個修改裝置可能夠應用誤差(例如成像誤差、聚焦誤差、劑量誤差等)之高達三階多項式校正。
度量衡裝置310經組態以獲得關於藉由圖案化系統300運用圖案而印刷的基板之量測。在一實施例中，度量衡裝置310經組態以量測或判定藉由圖案化系統300印刷之圖案之一或多個參數(例如疊對誤差、劑量、焦點、CD等)。在一實施例中，度量衡裝置310為可量測例如疊對、臨界尺寸及/或其他參數的以繞射為基礎之疊對度量衡工具。在一實施例中，度量衡裝置310為用以量測兩個物件之間(諸如圖案化器件與基板之間)的相對位置之對準裝置。在一實施例中，度量衡裝置310為用以量測表面之位置(例如基板表面之高度及/或旋轉位置)之位階感測器。
在一實施例中，度量衡裝置310量測及/或判定與圖案化程序中之誤差相關聯的一或多個參數(例如疊對誤差、CD、焦點、劑量等)之一或多個值。在度量衡裝置310結束量測或判定之後，軟體應用程式330基於量測資料(例如疊對誤差、CD、焦點、劑量等)而產生修改資訊。在一實施例中，軟體應用程式330評估一或多個參數之一或多個值以判定其是否在 容許範圍內。若否，則軟體應用程式330判定修改資訊以校正由一或多個參數之超出容許度的一或多個值反映之誤差。在一實施例中，軟體應用程式330使用一或多個數學模型以判定可藉由圖案化系統300之一或多個修改裝置校正之誤差，且提供用於圖案化系統300之一或多個修改裝置之一或多個參數的資訊(例如修改資訊)，該一或多個參數實現組態圖案化系統300之一或多個修改裝置以校正誤差(例如消除誤差或將誤差減小至容許範圍內)。在一實施例中，數學模型中之一或多者定義一旦經參數化就擬合資料之基底函數之集合。在一實施例中，一或多個數學模型包含經組態以模擬用於圖案化系統300之可校正誤差之模型。在一實施例中，該模型指定圖案化系統300之修改裝置中之一或多者可作出的修改之範圍且判定該範圍內之可校正誤差。亦即，該範圍可指定關於圖案化系統300之特定修改裝置可作出的修改之量的上限、下限及/或此兩者。
在一實施例中，軟體應用程式330使用一或多個數學模型以判定可藉由圖案化器件修改工具320校正之誤差，且提供用於圖案化器件修改工具320之一或多個參數之資訊(例如修改資訊)，該一或多個參數實現組態圖案化器件修改工具320以校正誤差(例如消除誤差或將誤差減小至容許範圍內)。在一實施例中，數學模型中之一或多者定義一旦經參數化就擬合資料之基底函數之集合。在一實施例中，一或多個數學模型包含經組態以模擬用於圖案化器件修改工具320之可校正誤差之模型。在一實施例中，該模型指定圖案化器件修改工具320可作出的修改之範圍且判定該範圍內之可校正誤差。亦即，該範圍可指定關於圖案化器件修改工具320可作出的修改之量之上限、下限及/或此兩者。
在一實施例中，提供可分別由圖案化系統300之一或多個修改裝置校 正及可由圖案化器件修改工具320校正之誤差之判定的共同最佳化。在一實施例中，提供可由圖案化系統300之複數個修改裝置校正之誤差之判定的共同最佳化。在一實施例中，使用用以判定可由圖案化系統300之一或多個修改裝置校正之誤差的一或多個數學模型及/或用以判定可由圖案化器件修改工具320校正之誤差的一或多個數學模型及/或將該等數學模型組合以實現共同最佳化。在一實施例中，共同最佳化導致由圖案化系統300之修改裝置之非可校正誤差變換成由圖案化系統300之一或多個其他修改裝置及/或藉由圖案化器件修改工具320進行之圖案化器件之修改之可校正誤差。作為此變換之一實例，具有用於圖案化系統300之修改裝置之不可校正空間解析度的誤差可藉由與另外誤差相加使得總誤差具有可藉由圖案化系統300之修改裝置校正的空間解析度而實現校正。在一實施例中，在圖案化系統300之複數個其他修改裝置之間分配所加誤差或在圖案化系統300之一或多個其他修改裝置以及圖案化器件修改工具320之間分配所加誤差。
在一實施例中，針對不同類型之誤差分離地或組合地執行共同最佳化，諸如針對疊對誤差、聚焦誤差、劑量誤差等分離地或組合地執行共同最佳化。在一實施例中，圖案化系統300之某些修改裝置可較佳能夠校正某些類型之誤差，且因此，在圖案化系統300之合適的不同修改裝置當中將誤差校正適當地加權或分配。
在一實施例中，使用者可自複數個數學模型之集合指定一或多個數學模型：彼數學模型是否經判定為擬合。舉例而言，介面(諸如圖形使用者介面)可允許使用者指定供考慮之數學資料模型。在一實施例中，判定或指定複數個量測數學資料模型。在一實施例中，一或多個數學模型可經 調諧以用於最佳雜訊抑制(例如消除冗餘階或減小高階之使用)。
舉例而言，在一實施例中，在座標(x,y)下在x方向上之可校正誤差△x係藉由如下方程式而模型化：△x=k1+k3x+k5y+k7x2+k9xy+k11y2+k13x3+k15x2y+k17xy2+k19y3 (1)
其中k1為參數(其可恆定)，且k3、k5、k7、k9、k11、k13、k15、k17及k19分別為用於項x、y、x2、xy、y2、x3、x2y、xy2及y3之參數(其可恆定)。k1、k3、k5、k7、k9、k11、k13、k15、k17及k19中之一或多者可為零。
相關地，在一實施例中，在座標(x,y)下在y方向上之可校正誤差△y係藉由以下方程式而模型化：△y=k2+k4y+k6x+k8y2+k10yx+k12x2+k14y3+k16y2x+k18yx2+k20x3 (2)
其中k2為參數(其可恆定)，且k4、k6、k8、k10、k12、k14、k16、k18及k20分別為用於項y、x、y2、yx、x2、y3、y2x、yx2及x3之參數(其可恆定)。k2、k4、k6、k8、k10、k12、k14、k16、k18及k20中之一或多者可為零。
在一實施例中，可校正誤差之至少部分係由圖案化系統300經由調整圖案化系統300之修改裝置中之一或多者而校正。因此，在一實施例中，擬合數學模型之誤差之一部分可由圖案化系統300藉由調整圖案化系統300之一或多個修改裝置而校正。
關於在圖案化程序中處理之某些基板之最小剩餘系統性變化可對用於該等基板之處理中之特定子程序或器件係特定的。最小剩餘系統性變化有時被稱作指紋。指紋不可藉由圖案化系統300之一或多個修改裝置來校正。在一實施例中，藉由使用圖案化器件修改工具320修改圖案化器件來校正指紋。在一實施例中，量測資料與使用模型(1)及模型(2)所計算的對 應資料之間的剩餘系統性變化係藉由最佳化參數(例如k1至k20中之一或多者)而最小化。
在一實施例中，軟體應用程式330產生用於藉由圖案化器件修改工具320修改圖案化器件之第一修改資訊且將第一修改資訊傳輸至圖案化器件修改工具320。在一實施例中，在藉由圖案化器件基於第一修改資訊進行修改後，第一修改資訊就將由圖案化系統300之非可校正誤差有效地變換成用於圖案化系統300之可校正誤差。在一實施例中，在修改圖案化器件之後，軟體應用程式330指導圖案化器件修改工具320將經修改圖案化器件傳輸至圖案化系統300以用於例如生產。在一實施例中，執行經修改圖案化器件之進一步誤差校正及/或驗證，如下文所論述。
在一實施例中，軟體應用程式330進一步產生用於圖案化系統300之一或多個修改裝置之第二修改資訊且將第二修改資訊傳輸至圖案化系統300。在一實施例中，第二修改資訊實現在藉由圖案化系統300之一或多個修改裝置及使用圖案化系統300中之經修改圖案化器件基於第二修改資訊而調整圖案化程序之後，藉由圖案化系統300之一或多個修改裝置來校正圖案化程序之可校正誤差。亦即，在一實施例中，圖案化系統300之一或多個修改裝置經組態以校正由基於第一修改資訊而修改之圖案化器件所產生的可校正誤差。在一實施例中，另外或替代地，第二修改資訊校正在基於第一修改資訊修改圖案化器件之後剩餘的殘餘圖案化誤差。
在一實施例中，將在圖案化系統300中運用經修改圖案化器件及/或經調整圖案化程序而處理之基板轉遞至度量衡裝置310以供量測。度量衡裝置310以與上文所論述相似之方式執行量測以評估誤差是否在容許範圍內(例如藉由評估由度量衡裝置310量測或判定之基板之一或多個參數(例 如疊對誤差、CD、焦點、劑量等)的一或多個值)。若誤差不在容許度內，則在一實施例中，以與本文中所論述相似之方式執行藉由圖案化器件修改工具320進行之圖案化器件之額外修改及/或圖案化系統300之一或多個修改裝置進行之一或多個參數之調整。
在一實施例中，在圖案化器件修改工具320基於第一及/或第二修改資訊修改圖案化器件之後，將圖案化器件轉移回至圖案化系統300以重複上文所描述之程序，直至圖案化誤差(例如疊對誤差、臨界尺寸誤差、側壁角誤差、底部表面傾斜誤差等)之週期分量係在容許度內。
圖4示意性地描繪經組態以修改圖案化器件(例如光微影光罩、用於奈米壓印微影之壓印模板等)之基板之實例圖案化器件修改工具320的方塊圖。該圖案化器件修改工具320包含台420，該台可在高達六個維度上可移動。圖案化器件410可由台420藉由使用例如夾持而固持。
圖案化器件修改工具320包括輻射輸出件(例如脈衝雷射源)430，該輻射輸出件經組態以產生輻射光束435(例如輻射之脈衝)。輸出件430提供具可變持續時間之輻射脈衝。通常，該輸出件經組態以提供光子能小於圖案化器件410之基板之帶隙的輻射，且能夠提供具有在飛秒範圍內之持續時間的輻射脈衝。
來自輸出件430(例如雷射系統)之飛秒或超短輻射脈衝可(例如)書寫圖案化器件之基板中的藉由變更彼基板之材料屬性(例如密度)之局部變形元素(例如局部密度變化)及/或局部透射變化之配置。局部變形元素可例如將圖案化器件之表面上之一或多個圖案元件移位至預定位置。結果，將局部應變引入至圖案化器件MA中。局部變形在圖案化器件MA之基板之平面內造成局部應變分量。因此，基板之誘發之變形元素可修改或校正例如 圖案化器件之表面上的圖案置放。另外或替代地，可在圖案化器件之基板中書寫修改或校正傳遞通過圖案化器件之輻射之光學透射率的局部透射變化之配置。以此方式，可在圖案化器件之基板之表面上不誘發一或多個圖案元件之移位的情況下實施修改或校正。可定義及書寫修改或校正圖案置放及光學透射的局部變形元素及/或局部透射變化之配置。在一實施例中，可將局部變形元素及/或局部透射變化引入基板之中心或內部部分中。將此類局部變形元素及/或局部透射變化應用於基板之中心或內部部分中可避免在(例如)修改或校正圖案置放及/或光學透射的同時基板之一部分彎曲。
操縱鏡面490將光束435導向至聚焦接物鏡440中。接物鏡440將光束435聚焦至圖案化器件410上。圖案化器件修改工具320亦包括一控制器480及一電腦系統460，該控制器480及該電腦系統460管理台420之定位載物台在大體上垂直於光束之平面(x及/或y方向)中的平移及/或圍繞平行於該平面之一軸線(圍繞x及/或y方向)之平移。控制器480及電腦系統460可控制台420在垂直於平面之方向(z方向)上之平移及/或圍繞彼方向(圍繞z方向)之旋轉。另外或替代地，控制器480及電腦系統460可控制接物鏡440經由該接物鏡440固定至之定位載物台450之平移及/或旋轉。在一實施例中，使接物鏡固定且使用台420執行所有運動。在一實施例中，圖案化器件修改工具320可包含一或多個感測器(僅出於方便起見而圖中未繪示)以偵測諸如台420及/或接物鏡440之組件之位置、判定聚焦/位階量測等。
圖案化器件修改工具320亦可提供包括電荷耦合器件(CCD)攝影機465之檢視系統，該CCD攝影機經由光學元件445接收來自配置於台420中的照明輸出件(例如輻射源)之輻射。檢視系統促進將圖案化器件410導航 至目標位置。另外，檢視系統亦可用以觀測到藉由源430之光束435而在圖案化器件410之基板材料上的經修改區域之形成。
電腦系統460可為微處理器、通用處理器、專用處理器、中央處理單元(central processing unit；CPU)、圖形處理單元(graphic processing unit；GPU)，或其類似者。該電腦系統可配置於控制器480中，或可為單獨單元，諸如個人電腦(personal computer；PC)、工作站、大型電腦等。電腦460可進一步包含輸入/輸出(input/output；I/O)單元，比如鍵盤、觸控板、滑鼠、視訊/圖形顯示器、印表機等。另外，電腦系統460亦可包含揮發性及/或非揮發性記憶體。電腦系統460可以硬體、軟體、韌體或其任何組合來實現。此外，電腦460可控制輸出件430。電腦系統460可含有以硬體、軟體或其兩者實現的一或多個演算法，其允許之自所接收資料(例如實驗資料)產生用於圖案化器件修改工具320之控制信號。控制信號可控制圖案化器件410之基板中的局部變形元素及/或局部透射變化之配置之書寫，以例如根據所接收資料校正圖案置放或光學透射。詳言之，電腦系統460可控制源430及/或台420定位及/或接物鏡440定位或光學參數及/或CCD攝影機465。
在一實施例中，局部變形元素及/或局部透射變化之效應可藉由表示由光束造成的變形或變化之物理數學模型來描述。變形或變化之方向係藉由將具有不同變形或變化屬性的不同局部變形元素及/或局部透射變化應用於基板中來控制。給定局部變形元素及/或局部透射變化之變形或變化屬性(諸如量值及方向)表示特定模式。舉例而言，「X模式」表示沿著X軸之變形或變化且藉由「X模式」屬性描述。當計算控制信號時，一或多個演算法計算應在何處及以何種密度書寫每一類型之局部變形元素及/或局 部透射變化。舉例而言，在X方向上之對齊誤差可藉由局部變形元素及/或局部透射變化之X模式類型來校正。該模型可使用若干模式以最佳化對於一特定問題之最佳可能解決方案。通常，將使用正交於彼此之X模式及Y模式，但在需要時亦可使用諸如45°及135°之其他模式。
因此，在一實例圖案化器件生產程序中，在圖案化器件之基板上之吸收層上運用圖案產生器書寫吸收元件之圖案。在後續蝕刻程序中，吸收圖案元件係由吸收材料形成。常常用於圖案化器件上之吸收層之材料為鉻或鎢。
在一實例圖案化器件修改程序中，所產生吸收圖案元件之位置可運用對齊度量衡系統(圖中未繪示)予以判定，以判定例如圖案書寫程序是否成功，亦即，圖案元件具有其預定大小及形式且處於所要位置。另外或替代地，如本文中所論述，可判定一或多個圖案化誤差(例如藉由量測及/或模擬)。若經判定誤差不在預定位準內，則使用例如圖4之圖案化器件修改工具320將局部變形元素及/或局部透射變化之配置書寫至圖案化器件之基板中。局部變形元素可將圖案化器件中或上之一或多個圖案元件之位置移位至預定位置，且局部透射變化可使一或多個圖案元件在將圖案賦予至光束方面以不同方式表現。接著，可量測圖案化器件之修改是否成功。舉例而言，若經量測定位誤差現在低於預定臨限值，則圖案化器件可經進一步處理(例如添加護膜)或直接用於生產中。
在一實施例中，圖案化器件修改工具320包含書寫圖案化器件之圖案之工具。舉例而言，電子束書寫器(e-beam writer)可用以產生圖案化器件之圖案。可將本文中所描述之修改資訊提供至此工具以修改圖案化器件之產生。在此狀況下，可基於使用圖案化器件之其他複本或使用相似圖案化 器件之量測及/或模擬結果來判定修改資訊。此資料可由所產生之圖案化器件之經量測資料(例如在產生圖案化器件時獲得之量測)補充。
參看圖5，展示圖案化器件修改之方法之實施例的流程圖。圖5之流程圖中所進行之方法可藉由軟體應用程式330執行。
在500處，針對用於圖案化系統中之圖案化器件獲得關於在圖案化時之誤差之資訊。在一實施例中，圖案化誤差為除了圖案化器件對齊誤差以外的誤差，或除圖案化器件對齊誤差之外之誤差。在一實施例中，誤差之一部分不可由圖案化系統(例如圖案化系統300)之修改裝置校正。在一實施例中，基於量測及/或模擬導出圖案化誤差資訊。在一實施例中，圖案化誤差資訊包含選自以下各者中之一或多者：臨界尺寸資訊、疊對誤差資訊、焦點資訊及/或劑量資訊。
在510處，產生用於基於誤差資訊修改圖案化器件之修改資訊。在一實施例中，當根據修改資訊修改圖案化器件時，修改資訊將誤差之部分變換成用於圖案化系統之修改裝置之可校正誤差。在一實施例中，基於圖案化系統之修改裝置之修改範圍而產生修改資訊。在一實施例中，修改資訊係由圖案化器件修改工具320(諸如相同於或相似於關於圖4所描述之系統的系統)使用。
在一實施例中，在510處，基於誤差資訊及用於修改圖案化器件之修改資訊而產生用於圖案化系統之修改裝置之修改資訊，其中用於圖案化系統之修改裝置之該修改資訊包括關於由經修改圖案化器件產生之可校正誤差之資訊。在一實施例中，將用於修改圖案化器件之修改資訊及用於調整圖案化系統之修改裝置之修改資訊共同最佳化。
在一實施例中，在510處，將修改資訊轉換(520)成在圖案化器件之 基板內橫越圖案化器件空間地分配一或多個誘發之局部變形元素及/或局部透射變化之配方。空間地分配之一或多個誘發之局部變形元素及/或局部透射變化將圖案化誤差之部分變換成用於圖案化系統(例如圖案化系統300)之可校正誤差。在530處，在圖案化器件之基板內產生一或多個誘發之局部變形元素及/或局部透射變化。在一實施例中，產生誘發之局部變形元素及/或局部透射變化包含藉由使用雷射脈衝以改變基板之材料屬性而產生誘發之局部密度及/或透射變化，如上文關於圖4所描述。該方法接著結束。
圖6示意性地描繪基板堆疊WS。基板堆疊WS包含基板W及形成於該基板W上之複數個層L1至L4。每一層L1至L4包含形成於基板W上之彼層上的圖案。在每一圖案如何形成於基板W上之對應層L1至L4上方面可存在不準確度。
在一實施例中，提供包含獲得誤差資訊之方法。誤差資訊指示定位形成於基板W之層L1至L4上之圖案相對於目標位置的準確度。目標位置為圖案意欲在層L1至L4上形成所處之地點。在此實例中，每一圖案已藉由運用由圖案化器件MA圖案化之輻射光束B輻照層L1至L4而形成；如應瞭解，圖案可藉由不同種類之圖案化器件MA諸如壓印圖案化器件而產生。在定位圖案時之不準確度係由例如由投影系統PS引起之失真造成及/或由圖案化器件MA引入之圖案化誤差造成。由圖案化器件MA引入之圖案化誤差有時被稱作倍縮光罩書寫誤差。
在一實施例中，方法包含產生修改資訊。修改資訊係用於增加定位使用圖案化器件MA而形成之圖案之準確度。詳言之，修改資訊包含橫越圖案化器件MA之位置移位之映圖。因此，修改資訊包含圖案化器件MA 之形狀應經如何修改以減小對由圖案化器件MA造成的圖案之位置誤差之貢獻之映圖。修改資訊適合於增加定位使用根據修改資訊而修改的圖案化器件MA而形成之圖案之準確度。
在一實施例中，修改資訊係基於誤差資訊。詳言之，修改資訊係基於指示相對於圖案之目標位置來定位圖案的準確度之誤差資訊。在一實施例中，修改資訊係基於自基板W上之特定層上之圖案採取之量測而產生。
涉及修改圖案化器件MA之先前技術係基於疊對資訊。疊對為基板堆疊WS中之兩個不同層之間的相對未對準。因此，疊對資訊指示基板堆疊WS中之兩個層L1至L4之間的相對位置誤差。此處，除了使用不同層之間的相對未對準以修改圖案化器件MA以外或替代使用不同層之間的相對未對準以修改圖案化器件MA，修改資訊亦係基於與基板W上之任何其他層無關之誤差資訊。
因此，先前技術將疊對資料用作為用於修改圖案化器件MA之輸入資料。舉例而言，參看圖6中所展示之基板堆疊WS，可將作用層L1與閘極層L2之間的置放之差用作為用於模型化之輸入資料。結果，圖案化器件MA之經修改版本係基於兩個層(例如作用層L1及閘極層L2)之特性。此等特性對於特定微影裝置LA(例如微影裝置LA之特定投影系統PS)係特定的且對於用於圖案化彼兩個層之特定圖案化器件係特定的。結果，經校正圖案化器件MA專用於用於形成兩個層L1、L2之一或多個特定微影裝置LA。此意謂經校正圖案化器件MA可僅適於搭配形成彼兩個層L1、L2的彼等一或多個特定微影裝置LA一起使用。此對微影裝置LA可用以在基板堆疊WS中形成層之靈活性有負面影響。因此，此對微影製造單元LC之產出率及/或生產力有影響。
與此對比，在一實施例中，疊對資料並不用作為用於模型化之輸入資料。替代地，輸入資料為與基板W上之僅一個層相關聯的誤差資訊，該誤差資訊與基板W上之任何其他層無關。換言之，圖案化器件MA之調諧或校正並不基於疊對輸入資料，而是基於每層之對齊誤差或錯位輸入資料。此被預期增加微影製造單元LC之產出率及/或生產力。詳言之，經校正圖案化器件MA理想地搭配與誤差資訊相關聯之微影裝置LA使用，但使用該經校正圖案化器件而圖案化之基板W可隨後使用在基板W上形成不同層L1至L4的任何其他微影裝置LA來處理。經修改圖案化器件MA不再專用於特定微影裝置LA。因此，為了在特定層上形成圖案而沒有必要等待特定微影裝置LA可用。
一實施例被預期改良基板堆疊WS之疊對效能。此參看圖6及圖10至圖12加以解釋。圖6示意性地展示基板堆疊WS中之不同層L1至L4之位置誤差。如圖6中示意性地展示，對於作用層L1及閘極層L2，存在顯著位置誤差。然而，相比於作用層L1及閘極層L2之位置誤差，接觸層L3及金屬層L4之位置誤差通常低得多。
使用先前技術，有可能補償作用層L1與閘極層L2之間的疊對誤差。作用層L1及閘極層L2兩者具有顯著位置誤差且其位置誤差係不同的(由圖6中之該等層之不同形狀展示)。然而，補償作用層L1與閘極層L2之間的疊對可接著不當地經由基板堆疊WS傳播至例如接觸層L3及金屬層L4。此可將非所要位置誤差引入至接觸層L3及金屬層L4中。此情形可導致使接觸層L3及金屬層L4之疊對效能較差。
舉例而言，圖11示意性地描繪已使用先前技術校正之基板堆疊WS。圖11展示作用層L1與閘極層L2之間的減小之疊對。然而，圖12展示閘極 層L2與接觸層L3之間的疊對。圖12中所展示之疊對包括已藉由為了補償作用層L1與閘極層L2之間的疊對而進行之校正引入的分量。閘極層L2與接觸層L3之間的該疊對已較差。相比較而言，本發明之實施例可經實施以減小如圖10中所展示之作用層L1與閘極層L2之間的疊對(亦即，與在先前技術中相同)。然而，誤差並未經由堆疊傳播。圖13展示根據本發明之一實施例在閘極層L2與接觸層L3之間的疊對。圖12與圖13之間的比較展示閘極層L2與接觸層L3之間的疊對在本發明之實施例經實施時較低。
本發明之實施例藉由基於與基板W上之任何其他層無關的誤差資訊產生修改資訊從而改良基板堆疊WS之疊對效能。因此，疊對誤差並不自一個層傳播至下一層。
圖7示意性地描繪對特定層中橫越基板W(x軸)之位置誤差(y軸)的不同貢獻。圖7展示三個曲線圖。每一曲線圖表示指示相對於目標位置定位形成於基板W上之一層上之圖案的準確度之位置誤差。圖7中所展示之頂部曲線圖表示由用以形成圖案之微影裝置LA之投影系統PS造成的誤差。由投影系統PS造成的貢獻有時被稱為透鏡指紋。對位置誤差之此貢獻通常可為靜態的或系統性的。
圖7中所展示之中間曲線圖表示對由圖案化器件MA造成的圖案化誤差之貢獻。對圖案化誤差之此貢獻有時被稱作倍縮光罩書寫指紋。
圖7中所展示之底部曲線圖表示前兩個曲線圖中所展示之貢獻之組合。底部曲線圖為前兩個曲線圖之總和。底部曲線圖表示總位置誤差，其展示形成於基板W上之層上之圖案定位的不準確度。
圖8示意性地描繪兩個層之間的疊對。圖8之中間曲線圖與圖7之底部曲線圖相同。換言之，圖8之中間曲線圖指示例如作用層L1中之位置誤 差。
同時，圖8之頂部曲線圖表示不同層例如閘極層L2中之位置誤差。圖8之底部曲線圖表示作用層L1與閘極層L2之間的疊對。圖8之底部曲線圖係藉由自頂部曲線圖減去中間曲線圖而形成。
在先前技術中，用於修改圖案化器件MA之輸入資料將為圖8中所展示之底部曲線圖，亦即疊對資料。與此對比，在本發明之一實施例中，用於修改圖案化器件MA之輸入資料為或包含特定層之位置誤差，亦即圖7之底部曲線圖。
換言之，在一實施例中，每一層L1至L4經校正為「零」。此意謂每一層L1至L4之位置經個別地校正至其自身目標位置。此校正係藉由基於與基板W上之任何其他層無關的誤差資訊產生修改資訊來進行。在一替代實施例中，每一層L1至L4經校正至另一共同基準。換言之，每一層可經校正而不擬合至其自身目標位置，而是擬合至相對於其目標位置之參考位置。
圖9示意性地描繪根據本發明之一實施例的基板堆疊WS，該基板堆疊WS已使用已使用修改資訊而修改之圖案化器件MA而形成。如圖9中所展示，每一層L1至L4已經校正以擬合至其目標位置。此係由每一層L1至L4之直線形狀指示。此與圖11中所展示之基板堆疊WS形成對比，在圖11中，每一層L1至L4未經校正為「零」，而是代替地相對於彼此予以校正。
在一實施例中，圖案化器件MA經修改以減小位置誤差。經修改圖案化器件MA在所形成圖案中引入較小圖案化誤差。然而，較小圖案化誤差足夠小而可藉由調諧微影裝置LA來校正。因此，微影製造單元LC中之該或每一微影裝置LA可經調適/調諧以校正由經修改圖案化器件MA引入之 小圖案化誤差。
預期本發明之一實施例增加微影製造單元之生產力。舉例而言，在基板W上之層L1至L4上形成圖案之前，可能沒有必要等待具有特定投影系統PS之特定微影裝置LA可用。
如上文所解釋，預期本發明之一實施例減小經校正圖案化器件MA對微影裝置LA之特定組態(組合)之相依性。另外，需要使圖案化器件MA並非特定用於特定機器。在一實施例中，針對至少兩個投影系統PS計算由投影系統PS造成之失真。每一投影系統PS係與一對應微影裝置LA相關聯。誤差資訊係基於針對至少兩個投影系統PS計算之平均失真。換言之，複數個微影裝置LA之平均效應可用以考量由投影系統PS引入之失真。
當然，藉由考量複數個微影裝置LA之平均效應，校正之品質相比於針對特定微影裝置LA之校正可能較低。然而，可能考量複數個微影裝置LA之平均效應之該校正仍係重要的，且因此對於改良微影製造單元LC之生產力係合意的。
在一實施例中，產生之修改資訊包含橫越圖案化器件MA之位置移位之映圖。位置移位可表示圖案化器件MA上之圖案自原始預期位置之位置移位。在一實施例中，方法包含使用軟體以將位置移位轉換成圖案化器件MA之局部應變。
在一實施例中，方法包含基於修改資訊來修改圖案化器件MA。舉例而言，在一實施例中，修改圖案化器件MA包含修改供製得圖案化器件MA之材料之局部應變。在一實施例中，修改局部應變包含將雷射脈衝輻照於圖案化器件MA上。換言之，工具片件(包含雷射)在圖案化器件MA之 材料上產生局部應變元素。此為修改圖案化器件MA之方法，如上文已參看圖3至圖5更詳細地解釋。
在一實施例中，獲得誤差資訊包含判定由將輻射光束B聚焦至層L1至L4上之投影系統PS造成之失真。該失真貢獻於圖案之不準確度。換言之，獲得誤差資訊之部分包含判定(計算及/或量測)圖7之頂部曲線圖中表示之失真。替代地或另外，可藉由僅判定如由圖7之中間曲線圖所表示的由圖案化器件MA造成之誤差來獲得誤差資訊。替代地或另外，可藉由量測總位置誤差、亦即圖7之底部曲線圖來獲得誤差資訊。
在一實施例中，獲得誤差資訊包含判定由圖案化器件MA造成之圖案化誤差。如上文所解釋，由圖案化器件MA造成之圖案化誤差貢獻於圖案之不準確度。由圖案化器件MA造成之圖案化誤差例如在圖7之中間曲線圖中表示。替代地或另外，可僅基於由投影系統PS造成之失真、亦即圖7之頂部曲線圖中所表示的貢獻來獲得誤差資訊。替代地或另外，可藉由判定總定位誤差、亦即圖7之底部曲線圖中所表示的資訊來獲得誤差資訊。
如上文所解釋，在一實施例中，可計算/量測由投影系統PS造成之失真及由圖案化器件MA造成之圖案化誤差兩者。判定來自投影系統PS之失真之方式不同於判定由圖案化器件MA造成之圖案化誤差之方式。因此，失真之格式可能不同於由圖案化器件MA造成的圖案化誤差之資料之格式。因此，可需要另外程序步驟以組合經判定失真及經判定圖案化誤差。
在一實施例中，方法包含組合經判定失真及經判定圖案化誤差使得修改資訊係基於該經判定失真及該經判定圖案化誤差兩者。替代地，若使用失真及圖案化誤差中之僅一者，則此組合步驟係不必要的。
在一實施例中，方法包含失真與經判定圖案化誤差之間的映射。詳 言之，可在第一類型之柵格上表示失真，該第一類型之柵格展示在X方向及Y方向上之失真效應。經判定圖案化誤差可由第二類型之柵格表示，該第二類型之柵格展示在X方向及Y方向上之圖案化誤差。該第一類型之柵格可能不同於該第二類型之柵格。在一實施例中，將由圖案化器件MA造成之圖案化誤差與關於投影系統PS之失真量測組合以形成另一柵格，該另一柵格展示待進行之實際修改，例如橫越圖案化器件MA之位置移位之映圖。在該等類型之柵格之間需要映射使得可將其組合。舉例而言，在一實施例中，失真資料及/或圖案化誤差資料經內插以使該等柵格之間的資料點之數目及/或分佈相等。替代地或另外，可執行模型化以執行一個資料集之增加取樣使得資料之分佈與另一資料集匹配。
在一實施例中，方法包含判定與圖案化器件MA上之經判定圖案化誤差相關聯的部位處之失真。舉例而言，有可能在圖案化器件MA上之大量部位處判定圖案化誤差，而在少量部位(亦即較低數目個資料點)處計算失真。因此，可存在與圖案化器件MA上之經判定圖案化誤差相關聯且不可得到失真資料之部位。在一實施例中，與圖案化器件MA上之經判定圖案化誤差相關聯的額外失真資料部位可經判定使得可將失真資料與經判定圖案化誤差資料組合。
在一實施例中，組合所計算失真及經判定圖案化誤差包含將所計算失真及經判定圖案化誤差映射至一共同柵格。
在一實施例中，將誤差資訊映射至與修改資訊相關聯之柵格中。因此，特定類型之柵格(亦即資料之格式)可用於修改資訊。將誤差資訊映射至彼柵格中。
在一實施例中，方法包含針對在基板W上具有對應圖案之複數個層 L1至L4中的每一者，重複獲得誤差資訊及產生修改資訊之步驟。因此，如圖9中所展示，可藉由獲得誤差資訊及產生修改資訊來校正每一層。
在一實施例中，方法包含判定對包含或使用圖案化器件MA之微影裝置LA之校正，該校正係與修改資訊相關聯。詳言之，存在可藉由調諧微影裝置LA而校正之一些類型之誤差，而其他類型之誤差藉由調諧微影裝置LA無法得以補償。舉例而言，作用層L1及閘極層L2之位置誤差通常過於高階或過大而不能僅僅藉由調諧微影裝置LA得以補償。替代地，如上文所解釋，使用修改資訊以輔助修改圖案化器件MA以補償此等高階誤差。
然而，其他類型之誤差為具有較低量值之低階誤差，且可僅僅藉由調諧微影裝置而得以補償。舉例而言，接觸層L3及/或金屬層L4中之位置誤差通常可藉由調諧微影裝置而得以補償。因此，在一實施例中，方法包含判定與可藉由微影裝置LA校正之偏移相關聯的校正。
如上文所解釋，圖案化器件MA之修改可包含修改供製得圖案化器件MA之材料之局部應變。局部應變之修改可不當地導致全域按比例調整誤差。舉例而言，圖案化器件MA之經修改版本可以相比於圖案化器件MA之未經修改版本不同的因數來放大圖案。
舉例而言，局部應變之總和可導致圖案化器件MA在其經歷修改時之微小擴展。藉由對局部應變求和，有可能判定藉由修改圖案化器件MA而引入之按比例調整誤差。將引入之按比例調整誤差可在使用經修改圖案化器件MA之前係已知的。可藉由調諧微影裝置LA而校正按比例調整誤差。因此，微影裝置LA可例如藉由改變圖案化器件MA與投影系統PS之間的距離來校正按比例調整誤差。在一實施例中，當產生修改資訊時，判定且 提供對微影裝置LA之適當校正(例如以校正全域按比例調整誤差)以用於控制微影裝置LA。
在一實施例中，方法包含判定對微影裝置LA之校正，其中該校正係與度量衡特徵及產品特徵之偏移相關聯。圖案化器件MA可包含度量衡特徵及產品特徵兩者。度量衡特徵係用於進行與使用圖案化器件MA而形成之圖案相關聯的量測。產品特徵為圖案化器件MA之貢獻於圖案之所需形狀(例如以形成特定電路)之特徵。度量衡特徵及產品特徵之偏移對應於圖案化器件MA上之度量衡特徵與產品特徵之間的距離。
在一實施例中，方法包含基於關聯於修改資訊之第一柵格與關聯於對微影裝置LA之校正之第二柵格之間的取樣密度之差來判定校正。詳言之，修改資訊可包含高密度資訊，高密度資訊包括橫越圖案化器件MA之大量資料點。因此，與修改資訊相關聯之第一柵格可包含特別緻密取樣。同時，與對微影裝置LA之校正相關聯的第二柵格可包含稀疏得多的資訊。舉例而言，與對微影裝置LA之校正相關聯的第二柵格之資料點之數目可能不到與修改資訊相關聯的第一柵格之資料點之數目的10%(例如為約1%)。
與對微影裝置LA之校正相關聯的第二柵格可較稀疏，且因此將提供較不準確的按比例調整偏移校正。然而，可自與修改資訊相關聯之較緻密第一柵格更準確地判定按比例調整偏移校正。因此，有可能預先計算出在計算按比例調整偏移校正方面之差將為多少，此取決於是否使用與修改資訊相關聯的第一柵格及與對微影裝置LA之校正相關聯的第二柵格。因此，校正可基於(至少部分地)第一柵格與第二柵格之間的取樣密度之差。
儘管上文已在全域按比例調整誤差之內容背景中解釋了可藉由微影 裝置LA校正之偏移，但可進行其他類型之校正。舉例而言，可藉由調諧微影裝置LA而校正之另一類型之誤差為旋轉。因此，藉由微影裝置LA自身進行之校正可包含按比例調整及/或旋轉。
可自修改資訊判定關於適當按比例調整及/或旋轉之資訊且將該資訊前饋至微影裝置LA。此意謂可藉由甚至在第一次使用經修改圖案化器件MA之前調諧微影裝置LA來進行適當校正。當然，隨後可使進一步校正基於在使用經修改圖案化器件MA之後進行之量測。
在一實施例中，提供一種方法，其包含：獲得指示相對於一目標位置來定位形成於一基板上之一層上之一圖案的準確度之誤差資訊，其中該圖案已藉由運用藉由一圖案化器件圖案化之一輻射光束來輻照該層而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
在一實施例中，獲得誤差資訊包含判定由將該輻射光束聚焦至該層上之一投影系統造成的失真，該失真貢獻於該圖案之不準確度。在一實施例中，針對至少兩個投影系統判定該失真，且該誤差資訊係基於針對該至少兩個投影系統計算之平均失真。在一實施例中，獲得誤差資訊包含判定由該圖案化器件造成之一圖案化誤差，該圖案化誤差貢獻於該圖案之不準確度。在一實施例中，該方法包含組合該經判定失真及該經判定圖案化誤差使得該修改資訊係至少基於該所計算失真及該經判定圖案化誤差兩者。在一實施例中，該方法包含判定與該圖案化器件上之一經判定圖案化誤差相關聯的一部位處之該失真。在一實施例中，組合該經判定失真及該經判 定圖案化誤差包含將該所計算失真及該經判定圖案化誤差映射至一共同柵格。在一實施例中，該誤差資訊經映射至與該修改資訊相關聯之一柵格上。在一實施例中，該方法包含基於該修改資訊來修改該圖案化器件。在一實施例中，修改該圖案化器件包含修改供製得該圖案化器件之一材料之一局部應變。在一實施例中，修改該局部應變(影響該圖案化器件之定位的局部屬性)包含將雷射脈衝輻照於該圖案化器件上。在一實施例中，該方法包含針對在該基板上具有對應圖案之複數個層中之每一者，重複獲得誤差資訊及產生修改資訊的該等步驟。在一實施例中，判定對包含該圖案化器件之一微影裝置之一校正，該校正係與該修改資訊相關聯。在一實施例中，該校正係進一步與可由該微影裝置校正之一偏移相關聯。在一實施例中，該校正係進一步與度量衡特徵及產品特徵之一偏移相關聯。在一實施例中，該校正係基於關聯於該修改資訊之一第一柵格與關聯於對該微影裝置之該校正之一第二柵格之間的取樣密度之一差。
在一實施例中，提供一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器系統引起如本文中所描述之一方法之執行。
在一實施例中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統：獲得指示形成於一基板上之一層上之一圖案相對於一目標位置如何準確地定位之誤差資訊，其中該圖案已藉由運用藉由一圖案化器件圖案化之一輻射光束來輻照該層而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊以用於修改該圖案化器件，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案 之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
在一實施例中，提供一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統引起如本文中所描述之一方法之執行。
本發明之一實施例可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如本文中所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。另外，可以兩個或多於兩個電腦程式體現機器可讀指令。該兩個或多於兩個電腦程式可儲存於一或多個不同記憶體及/或資料儲存媒體上。
本文中所描述之任何控制器可在一或多個電腦程式由位於微影裝置之至少一個組件內之一或多個電腦處理器讀取時各自或組合地可操作。控制器可各自或組合地具有用於接收、處理及發送信號之任何合適組態。一或多個處理器經組態以與控制器中之至少一者通信。舉例而言，每一控制器可包括用於執行包括用於上文所描述之方法之機器可讀指令的電腦程式之一或多個處理器。控制器可包括用於儲存此類電腦程式之資料儲存媒體，及/或用以收納此媒體之硬體。因此，該(該等)控制器可根據一或多個電腦程式之機器可讀指令而操作。儘管在本文中可特定地參考檢測裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之檢測裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或 之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管在上文可已特定地參考在光學微影之內容背景中之本發明之實施例的使用，但應理解，本發明可用於其他應用(例如奈米壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在奈米壓印微影之狀況下，圖案化器件為壓印模板或模具。本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如具有為或為約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有在5奈米至20奈米之範圍內之波長)，以及粒子束，諸如離子束或電子束。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文中對超越或超過臨限值之參考可包括具有低於特定值或低於或等於特定值之某物、具有高於特定值或高於或等於特定值之某物、基於例如參數而排名高於或低於其他某物(通過(例如)分類)的某物，等。
本文中對校正誤差或誤差之校正之參考包括消除誤差或將誤差減小至容許範圍內。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂調整微影裝置、圖案化程序等使得微影或圖案化處理之結果及/或程序具有較理想特性，諸如設計佈局在基板上的投影之較高準確度、較大程 序窗等。因此，如本文所使用之術語「最佳化(optimizing/optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供至少一個相關度量之改良，例如局部最佳。應相應地解釋「最佳」及其他相關術語。在一實施例中，可反覆地應用最佳化步驟，以提供一或多個度量之進一步改良。
在一系統之最佳化程序中，可將該系統或程序之優值(figure of merit)表示為成本函數。最佳化程序歸結為尋找最佳化(例如最小化或最大化)成本函數之系統或程序之參數集合(設計變數)的程序。成本函數可取決於最佳化之目標而具有任何合適形式。舉例而言，成本函數可為系統或程序之某些特性(評估點)相對於此等特性之預期值(例如，理想值)之偏差的加權均方根(RMS)；成本函數亦可為此等偏差之最大值(亦即，最差偏差)。本文中之術語「評估點」應被廣泛地解譯為包括系統或程序之任何特性。歸因於系統或程序之實施的實務性，系統之設計變數可限於有限範圍及/或可相互相依。在微影裝置或圖案化程序之狀況下，約束常常與硬體之物理屬性及特性(諸如可調諧範圍及/或圖案化器件可製造性設計規則)相關聯，且評估點可包括基板上之抗蝕劑影像上之實體點，以及諸如劑量及焦點之非物理特性。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取以下形式：電腦程式，其含有描述如上文所揭示之方法的機器可讀指令之一或多個序列；或資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)，其中儲存有此電腦程式。
在以下編號實施例之清單中揭示其他實施例：
1.一種方法，其包含：獲得指示相對於一目標位置來定位形成於一基板上之一層上之一圖案的準確度之誤差資訊，其中該圖案已使用一圖案化器件而形成於該層中；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
2.如實施例1之方法，其中獲得誤差資訊包含判定由將一輻射光束聚焦至該層上之一投影系統造成的失真，該失真貢獻於該圖案之不準確度。
3.如實施例2之方法，其中針對至少兩個投影系統判定該失真，且該誤差資訊係基於針對該至少兩個投影系統計算之平均失真。
4.如任何前述實施例之方法，其中獲得誤差資訊包含判定由該圖案化器件造成之一圖案化誤差，該圖案化誤差貢獻於該圖案之不準確度。
5.如實施例4之方法，其包含組合該經判定失真及該經判定圖案化誤差使得該修改資訊係至少基於該經判定失真及該經判定圖案化誤差兩者。
6.如實施例5之方法，其包含判定與該圖案化器件上之一經判定圖案化誤差相關聯的一部位處之該失真。
7.如實施例5或實施例6之方法，其中組合該經判定失真及該經判定圖案化誤差包含將該經判定失真及該經判定圖案化誤差映射至一共同柵 格。
8.如任何前述實施例之方法，其中該誤差資訊經映射至與該修改資訊相關聯之一柵格上。
9.如任何前述實施例之方法，其包含基於該修改資訊來修改該圖案化器件。
10.如實施例9之方法，其中修改該圖案化器件包含修改供製得該圖案化器件之一材料之一局部應變。
11.如實施例10之方法，其中修改該局部應變包含將雷射脈衝輻照於該圖案化器件上。
12.如任何前述實施例之方法，其包含針對在該基板上具有對應圖案之複數個層中之每一者，重複該獲得誤差資訊及產生修改資訊。
13.如任何前述實施例之方法，其包含判定對使用該圖案化器件之一微影裝置之一校正，該校正係與該修改資訊相關聯。
14.如實施例13之方法，其中該校正係進一步與可由該微影裝置校正之一偏移相關聯。
15.如實施例13或實施例14之方法，其中該校正係進一步與度量衡特徵及產品特徵之一偏移相關聯。
16.如實施例13至15中任一項之方法，其中該校正係基於關聯於該修改資訊之一第一柵格與關聯於對該微影裝置之該校正之一第二柵格之間的取樣密度之一差。
17.一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器系統引起如任何前述實施例之方法之執行。
18.一種系統，其包含： 一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統：獲得指示形成於一基板上之一層上之一圖案相對於一目標位置如何準確地定位之誤差資訊，其中該圖案已使用一圖案化器件而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊以用於修改該圖案化器件，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
19.一種系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統執行如實施例1至16中任一項之方法。
以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。

Claims (15)

  1. 一種用於增加圖案定位之準確度之方法，其包含：獲得指示相對於一目標位置來定位形成於一基板上之一層上之一圖案的準確度之誤差資訊，其中該圖案已使用一圖案化器件而形成於該層中；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
  2. 如請求項1之方法，其中獲得誤差資訊包含：判定由將一輻射光束聚焦至該層上之一投影系統造成的失真，該失真貢獻於該圖案之不準確度。
  3. 如請求項2之方法，其中針對至少兩個投影系統判定該失真，且該誤差資訊係基於針對該至少兩個投影系統計算之平均失真。
  4. 如請求項1之方法，其中獲得誤差資訊包含：判定由該圖案化器件造成之一圖案化誤差，該圖案化誤差貢獻於該圖案之不準確度。
  5. 如請求項4之方法，其包含組合該經判定失真及該經判定圖案化誤差使得該修改資訊係至少基於該經判定失真及該經判定圖案化誤差兩者。
  6. 如請求項5之方法，其包含判定與該圖案化器件上之一經判定圖案化誤差相關聯的一部位處之該失真。
  7. 如請求項5之方法，其中組合該經判定失真及該經判定圖案化誤差包含：將該經判定失真及該經判定圖案化誤差映射至一共同柵格。
  8. 如請求項1之方法，其中該誤差資訊經映射至與該修改資訊相關聯之一柵格上。
  9. 如請求項1之方法，其包含基於該修改資訊來修改該圖案化器件。
  10. 如請求項1之方法，其包含針對在該基板上具有對應圖案之複數個層中之每一者，重複該獲得誤差資訊及產生修改資訊。
  11. 如請求項1之方法，其包含判定對使用該圖案化器件之一微影裝置之一校正，該校正係與該修改資訊相關聯。
  12. 如請求項11之方法，其中該校正係基於關聯於該修改資訊之一第一柵格與關聯於對該微影裝置之該校正之一第二柵格之間的取樣密度之一差。
  13. 一種包含機器可讀指令之非暫時性電腦程式產品，該等機器可讀指令用於致使一處理器系統引起如請求項1之方法之執行。
  14. 一種用於增加圖案定位之準確度之系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統：獲得指示形成於一基板上之一層上之一圖案相對於一目標位置如何準確地定位之誤差資訊，其中該圖案已使用一圖案化器件而形成；及產生包含橫越該圖案化器件之位置移位之一映圖的修改資訊以用於修改該圖案化器件，以增加定位使用根據該修改資訊而修改之該圖案化器件形成的該圖案之該準確度，該修改資訊係基於該誤差資訊，其中該誤差資訊與該基板上之任何其他層無關。
  15. 一種用於增加圖案定位之準確度之系統，其包含：一硬體處理器系統；及儲存機器可讀指令之一非暫時性電腦可讀儲存媒體，其中該等機器可讀指令在經執行時致使該處理器系統執行如請求項1之方法。
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