JP6855245B2 - 蛍光体充填ledパッケージ - Google Patents

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Description

本開示は、広義には、蛍光体充填発光ダイオード(LED)に関する。具体的には、本開示は、安定性の向上した蛍光体高濃度充填LEDパッケージ並びに蛍光体高濃度充填LEDパッケージの安定性を高めるための方法に関する。
LEDは、白熱電球のような他の光源の代替物として多用される半導体発光素子である。離散光又は高集束光光が望まれる用途での照明源として特に有用である。LEDパッケージで生成する光の色はその製造に用いられる半導体材料、及び蛍光体システムを使用する場合には、蛍光体ブレンドの種類に依存する。
発光ダイオード及びレーザ(いずれも本明細書では広くLEDという)を含む着色半導体LEDは、窒化ガリウム(GaN)などのIII−V族合金から製造されている。GaN系LEDでは、光は一般に電磁スペクトルのUV乃至緑色域で発光する。最近まで、LEDで生成する光の固有色のため、LEDは明るい白色光が必要とされる照明用途には適していなかった。
蛍光体は、放射(エネルギー)を可視光に変換する。様々な蛍光体の組合せは、様々な色の発光をもたらす。生成する可視光の色は、蛍光体材料の特定の成分に依存する。蛍光体材料は、1種類の蛍光体組成物或いは基本色の2種以上の蛍光体、例えば光の所望の色(色合い)を発光するための黄色及び赤色蛍光体の1種以上の特定の混合物を含むことができる。本明細書で用いる「蛍光体」及び「蛍光体材料」という用語は、単一の蛍光体組成物並びに2種以上の蛍光体組成物のブレンドを共に示すために使用される。
「白色」光が望まれる典型的な用途では、所望の特性の許容可能な正味の発光スペクトルを与えるため、LEDに蛍光体が使用される。「白色」光は、通常、2500K〜6000Kの相関色温度(CCT)の領域における色の黒体軌跡に近いものとして定義される。例えば、典型的な照明用途では、電磁スペクトルの青色領域で発光するInGaN(窒化インジウムガリウム)から作製されたLEDは、約2500KのCCTから6000K以上のCCTの範囲の合成スペクトル出力をもたらすため、黄色、緑色及び赤色蛍光体と共に使用される。得られる色温度及びCIE三刺激プロットの色点は、ダイオード発光素子の出力スペクトルパワー及び波長、ブレンド比、変換特性、並びに使用される蛍光体の量に依存する。
米国特許第7497973号には、半導体光源と、Mn4+で賦活された錯体蛍光体を含む蛍光体材料とを含むLEDが開示されている。特定の蛍光体材料は、K2[SiF6]:Mn4+(フッ化カリウムケイ素、PFSとも呼ばれる)である。
別のLEDは、PFS蛍光体及び蛍光体BSY(青色シフトイットリウムアルミニウムガーネット(YAG))の組合せを使用する。この組合せはBSY−PFSと呼ばれ、白色光が得られる。BSY−PFSの組合せを用いるLEDパッケージの1つの好適な実施形態は、中出力のLEDパッケージ(<1W)であり、このパッケージ、日亜化学工業のミント蛍光体(BSY)及び日亜化学工業の757パッケージ内のGE社のPFS蛍光体を用いて製造される。白色LEDにおけるガーネット蛍光体の使用は、米国特許第5998925号及び第7026756号に含まれている。当業者にとっては、本発明の要素の実施が日亜化学工業の757に限定されないことは明らかであろう。本発明は、PFSがBSY蛍光体又は同様のスペクトルの蛍光体と共に使用される多数の異なるLEDパッケージで実施することができる。
したがって、LEDパッケージに蛍光体を使用すると、幾つかの利点が得られ、一般的である。しかし、一般に、PFS蛍光体を含むLEDパッケージは、長期の色及びルーメンの安定性に問題がある。例えば、4000K Hi CRI(演色評価数)におけるBSY−PFS系の色要件は、シリコーン/蛍光体ディスク/モールドにおける蛍光体充填量を非常に高くする必要がある。湿度の存在下での信頼性試験では、通電LEDパッケージから得られる可視光放射は、色シフトを起こす。主にスペクトルパワー分布の赤色成分が動作時間と共に徐々に強度を失う。蛍光体の高濃度充填は、側壁「トレンチ」の形成その他正味の色点シフトを生じる影響なども生じる。
上述の短所は、BSY−PSF LEDなどのPSF LEDの有用性を著しく制限する。そこで、色の不安定性の問題を低減するLEDパッケージレベルを改善できれば有用であろう。
本発明は、PFS蛍光体を用いたLEDパッケージの安定性の向上に関する。一般にかかるパッケージでは、上述のように蛍光体充填量が高い。ここでいう、高濃度充填とは、蛍光体/シリコーン重量比が20%及びそれ以上であることを意味する。
国際公開第2014/016214号パンフレット
少なくとも一態様において、本開示は、安定性の向上した蛍光体高濃度充填LEDパッケージを提供する。好ましくは、LEDパッケージは、低乃至中出力のLEDである。1つの典型的な実施形態は、BSY−PFS蛍光体ブレンドを大量に含んだ日亜社の757という中出力LEDパッケージである。蛍光体ブレンドは、蛍光体を保護して色シフトにおける改善をもたらすシリコーンオーバーレイ層で覆われる。
別の実施形態では、本発明は、PFS蛍光体システムを使用するLEDパッケージの長期の安定性及び信頼性を改善するための方法を提供する。本方法においては、シリコーンオーバーレイ層が、シリコーン/蛍光体層の上に設けられる。
先行技術のLEDの概略図を示している。 シリコーンオーバーレイ層を備えるLEDパッケージを示している。
本開示は、種々の構成要素及び構成要素の配置、並びに種々のプロセス操作及びプロセス操作の配置の形態をとることができる。本開示が、添付の図面に示されるが、添付の図面の全体を通して、同様の参照符号は、種々の図において対応する部分又は類似の部分を指すことができる。図面は、好ましい実施形態を説明する目的のためのものにすぎず、本開示を限定するものと解釈されるべきではない。図面についての以下の本開示を実施可能にする説明に鑑み、本開示の新規な態様が、当業者にとって明らかになるであろう。
以下の詳細な説明は、本質的に単なる例示にすぎず、本明細書に開示される用途及び使用を限定しようとするものではない。さらに、本発明は、上述の背景又は概要或いは以下の詳細な説明に提示のいかなる理論にも拘束されるものではない。本技術の実施形態が、主としてPFS LEDパッケージ、とりわけ日亜社の757 BSY−PFS LEDパッケージに関連して本明細書において説明されるが、これらの考え方は、蛍光体を含む他の種類のLED、特には蛍光体を大量に含んでいる他の種類のLEDにも適用可能である。具体的には、これらの考え方は、蛍光体/シリコーン重量比が大(20%以上)であり、蛍光体の1種以上が水分などの周囲の雰囲気の構成要素の影響を受けやすいLEDパッケージに最も適用可能である。
図1が、典型的な先行技術のLEDパッケージ10を示している。パッケージ10は、発光ダイオード(LED)チップ12を備える。蛍光体/シリコーンブレンド層22が、チップ12を覆っている。LEDチップ12及び蛍光体/シリコーンブレンド層22は、レンズ18で包まれている。LEDパッケージ10は、外囲器30を備える。
蛍光体/シリコーンブレンド層22は、矢印24で示す方向においてLEDチップ12に放射に関して結合している。「放射に関して結合」とは、構成要素が一方から発せられた放射の少なくとも一部が他方に伝えられるように互いに組合せられていることを意味する。
安定性の向上した蛍光体高濃度充填LEDパッケージ50の一実施形態が、図2に示されている。パッケージ50は、発光ダイオード(LED)チップ52などの半導体UV又は可視放射源を備える。蛍光体/シリコーンブレンド層54が、チップ52を覆っている。
パッケージ50は、半導体可視又はUV光源を含むことができ、この光源が発する放射が蛍光体へと向けられたときに白色光を生成することができる。LEDチップ52の好ましいピーク放射は、使用される蛍光体の個性に依存し、例えば250〜550nmの範囲であり得る。しかしながら、ある好ましい実施形態では、LEDの放射は、紫〜青緑の領域にあり、約420〜約500nmの範囲内にピーク波長を有する。したがって、典型的には、半導体光源は、種々の不純物がドープされたLEDを含む。したがって、LEDは、任意の適切なIII−V、II−VI、又はIV−IV族半導体層に基づき、約250〜550nmのピーク放射波長を有している半導体ダイオードを含むことができる。
さらに、本明細書において説明される本発明の典型的な構造の一般的な説明は、無機LEDに基づく光源に向けられているが、特に断りのない限り、LEDチップを有機の発光構造又は他の放射源で置き換えることができ、LEDチップ又は半導体への言及が、任意の適切な放射源の代表例にすぎないことを理解すべきである。
蛍光体/シリコーンブレンド層54は、望ましくは、蛍光体を大量に含み、特には20重量%以上の蛍光体を含む。蛍光体/シリコーンブレンド層54は、一般に、約0.2mmの厚さである。好ましい実施形態では、蛍光体は、PFS蛍光体とBSY蛍光体又はスペクトル的に同様の蛍光体とのブレンドである。望ましくは、低乃至中出力のLEDパッケージにおいて、日亜社のMint蛍光体(BSY)及びGE社のPFS蛍光体が特に好ましい。一例は、日亜社の757パッケージである。
シリコーンオーバーレイ層56が、蛍光体/シリコーンブレンド層54の上に設けられる。オーバーレイ層は、約0.1mm、望ましくは約0.1〜0.5mmの間の厚さを有する。使用されるシリコーンは、望ましくは、蛍光体/シリコーンブレンド層54におけるシリコーンと同じ種類である。
シリコーンオーバーレイ層56は、望ましくは、シリコーン/蛍光体スラリーを施した直後にブレンドから施工又は合成的に生成され、次いで分離を避けるために同時に硬化させられる。好ましい実施形態では、LEDパッケージのシリコーン/蛍光体ブレンドの硬化に先立って、シリコーン保護オーバーレイ層56を、シリコーンブレンドにおける蛍光体の重力による沈降によって形成することができる。沈降のプロセスを、遠心分離又は同様の装置によって人工的に生成される追加の重力によって補助することができる。この重力の作用は、蛍光体/シリコーンブレンド層54をLEDチップ52上へと物理的に沈降させ、シリコーンが上部へと浸出してシリコーンのみの保護オーバーレイ層56を形成することを可能にする。
LEDチップ52及び蛍光体/シリコーンブレンド層54を、レンズ58によって封入することができる。レンズ58は、例えば、エポキシ、プラスチック、低温ガラス、ポリマー、熱可塑性物質、熱硬化性材料、樹脂、又は技術的に公知のとおりの他の種類のLED封入材料であってよい。随意により、レンズ58は、スピンオンガラス又は大きな屈折率を有する何らかの他の材料である。ある好ましい実施形態では、レンズ58は、エポキシ、シリコーン、又はシリコーンエポキシなどのポリマー材料であるが、他の有機又は無機のカプセル材料も使用可能である。
レンズ58は、好ましくは、LEDチップ52及び蛍光体/シリコーンブレンド材料54によって生成される光の波長に関して透明又は実質的に光透過性である。別の実施形態では、パッケージ50は、外側のレンズを備えずに、カプセル材料だけを備えてもよい。
LEDパッケージの外囲器60は、典型的には、ポリマー複合材料EMC(エポキシ成形化合物)で製作される。LEDチップ52を、例えば、リードフレーム(図示されていない)、自己支持電極、筐体60の底、或いはシェル又はリードフレームに取り付けられた基台(図示されていない)によって支持することができる。LEDチップ52は、外囲器60の下面に位置する電気接点へと電気的に取り付けられる。LEDパッケージ内に同様の機能的属性を有する複数のチップが存在してよいことは、当業者にとって公知である。
シリコーンオーバーレイ層56は、蛍光体の保護及び水などの周囲の構成要素からの絶縁ゆえに、シリコーンオーバーレイ層のない同じLEDパッケージと比べて、パッケージの色シフトにおいて約25%の改善をもたらすと数値化されている。
BSY−PFS蛍光体を大量に含む日亜社の757 LED(シリコーン:PFS:BSYの重量比が49:40:11)を、シリコーンオーバーレイ層あり、及びシリコーンオーバーレイ層なしにて製作し、管理された動作条件のもとで比較した。どちらの場合も、同じ量の蛍光体を使用し、LEDの駆動及び周囲条件を同じに保った。LEDの動作条件は、47Cの定温チャンバにおいて30mAとした。
下記の表1が、色シフトの相対的な改善を示している。
Figure 0006855245
500時間の動作後の色シフトの改善は、34%であり、4000時間の動作後の色シフトの改善は、29%であった。
本開示に依然として包含されると考えられる他の実施形態、実施例、及び変更を、当業者であれば、とりわけ以上の教示に照らして、行うことができる。さらに、本発明を説明するために使用した用語は、言葉の性質において限定を意図しているのではなく、説明を意味していることを、理解すべきである。
また、当業者であれば、上述した好ましい実施形態及び他の実施形態の種々の調整及び変更を、本開示の範囲及び精神から逸脱することなく構成できることを、理解できるであろう。したがって、添付の特許請求の範囲の技術的範囲内で、本発明を本明細書において具体的に述べたやり方以外のやり方で実施できることを、理解すべきである。

Claims (9)

  1. 蛍光体充填LEDパッケージであって、
    ポリマー材料で形成された外囲器と、
    当該外囲器の底に配置されたLEDと、
    当該外囲器内に配置された第1の層であって、当該LEDの上に設けられた重力により沈降した蛍光体とシリコーンのブレンドを含む第1の層であって、当該ブレンドが20%以上の蛍光体/シリコーン重量比を有し、当該ブレンドが少なくともK2SiF6:Mn4+蛍光体材料を含む、第1の層と、
    当該外囲器内に配置されたオーバーレイ層であって、シリコーンを含み、当該第1の層の上に設けられ、シリコーンオーバーレイ層が約0.1mm以上の厚さを有し、当該ブレンドにおけるシリコーンと同じ種類のシリコーンで作成されるオーバーレイ層と、
    ポリマー材料で形成され、当該外囲器と当該オーバーレイ層の上に配置されたレンズと、
    を備えるLEDパッケージ。
  2. 当該ブレンド中の蛍光体が、水分感受性を呈する、請求項1に記載のLEDパッケージ。
  3. 当該ブレンドがBSY蛍光体を含む、請求項1または2に記載のLEDパッケージ。
  4. BSY−PFS蛍光体を使用する、請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のLEDパッケージ。
  5. 蛍光体充填LEDパッケージであって、
    ポリマー材料で形成された外囲器と、
    当該外囲器の底に配置されたLEDと、
    当該外囲器内に配置された第1の層であって、当該LEDの上に設けられた重力による沈降した蛍光体とシリコーンのブレンドを含む第1の層であって、当該ブレンドが20%以上の蛍光体/シリコーン重量比を有し、当該ブレンドが少なくともYAG蛍光体とK2SiF6:Mn4+蛍光体材料を含む、第1の層と、
    当該外囲器内に配置されたオーバーレイ層であって、シリコーンを含み、当該第1の層の上に設けられる、当該ブレンドにおけるシリコーンと同じ種類のシリコーンで作成されるオーバーレイ層と、
    ポリマー材料で形成され、当該外囲器と当該オーバーレイ層の上に配置されたレンズと、
    を備えるLEDパッケージ。
  6. 当該オーバーレイ層が約0.1mm以上の厚さを有する、請求項5に記載のLEDパッケージ。
  7. 蛍光体充填LEDパッケージであって、
    ポリマー材料で形成された外囲器と、
    当該外囲器の底に配置されたLEDと、
    当該外囲器内に配置された第1の層であって、当該LEDの上に設けられた重力により沈降した蛍光体とシリコーンのブレンドを含む第1の層であって、当該ブレンドが20%以上の蛍光体/シリコーン重量比を有し、当該ブレンドが少なくともK2SiF6:Mn4+蛍光体材料を含む、第1の層と、
    当該外囲器内に配置されたオーバーレイ層であって、0.1mm以上の厚さを有するシリコーンを含み、当該第1の層の上に設けられる、当該ブレンドにおけるシリコーンと同じ種類のシリコーンで作成されるオーバーレイ層と、
    ポリマー材料で形成され、当該外囲器と当該オーバーレイ層の上に配置されたレンズと、
    を備えるLEDパッケージ。
  8. 当該ブレンドが約0.2mmの厚さを有する、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載のLEDパッケージ。
  9. 当該オーバーレイ層が0.1〜0.5mmの厚さを有する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載のLEDパッケージ。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9590148B2 (en) * 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
WO2018160743A1 (en) * 2017-02-28 2018-09-07 Quarkstar Llc Lifetime color stabilization of color-shifting artificial light sources
RU2666578C1 (ru) * 2017-08-08 2018-09-11 Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "Электрон" Светоизлучающий диод
JP7002665B2 (ja) 2018-02-12 2022-02-04 シグニファイ ホールディング ビー ヴィ フッ化物蛍光体を有するled光源
US11056625B2 (en) * 2018-02-19 2021-07-06 Creeled, Inc. Clear coating for light emitting device exterior having chemical resistance and related methods
CN109668062A (zh) * 2018-12-11 2019-04-23 业成科技(成都)有限公司 发光二极体面光源结构
GB2590450B (en) * 2019-12-18 2022-01-05 Plessey Semiconductors Ltd Light emitting diode precursor

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP4271747B2 (ja) 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US6204523B1 (en) 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス,発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
TWI245436B (en) 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
WO2006098450A1 (ja) * 2005-03-18 2006-09-21 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置、白色発光装置、照明装置及び画像表示装置
JP2007123390A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Kyocera Corp 発光装置
US7521728B2 (en) 2006-01-20 2009-04-21 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed reflectors and methods of forming the same
KR100785492B1 (ko) 2006-04-17 2007-12-13 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ce3+부활 실리케이트황색형광체, 그 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 백색발광 다이오드
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5578597B2 (ja) * 2007-09-03 2014-08-27 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
US8491816B2 (en) * 2008-02-07 2013-07-23 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor light emitting device, backlight, color image display device and phosphor to be used for them
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP2010093132A (ja) 2008-10-09 2010-04-22 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた画像表示装置、液晶表示装置
JP5308773B2 (ja) 2008-10-30 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US8039862B2 (en) 2009-03-10 2011-10-18 Nepes Led Corporation White light emitting diode package having enhanced white lighting efficiency and method of making the same
US8058667B2 (en) 2009-03-10 2011-11-15 Nepes Led Corporation Leadframe package for light emitting diode device
JP5423120B2 (ja) 2009-04-17 2014-02-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置
JP2011054958A (ja) * 2009-08-06 2011-03-17 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2011-02-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US20100276712A1 (en) * 2009-11-03 2010-11-04 Alexander Shaikevitch Light emitting diode with thin multilayer phosphor film
JP5076017B2 (ja) * 2010-08-23 2012-11-21 株式会社東芝 発光装置
RU2570356C2 (ru) * 2010-08-31 2015-12-10 Нития Корпорейшн Светоизлучающее устройство и способ его изготовления
JP5622494B2 (ja) 2010-09-09 2014-11-12 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
JP4974310B2 (ja) 2010-10-15 2012-07-11 三菱化学株式会社 白色発光装置及び照明器具
DE102010063760B4 (de) * 2010-12-21 2022-12-29 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
EP2669350B1 (en) * 2011-01-28 2018-11-07 Showa Denko K.K. Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
DE102011003969B4 (de) 2011-02-11 2023-03-09 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5762044B2 (ja) * 2011-02-23 2015-08-12 三菱電機株式会社 発光装置及び発光装置群及び製造方法
US8252613B1 (en) 2011-03-23 2012-08-28 General Electric Company Color stable manganese-doped phosphors
EP3664167B1 (en) 2011-03-25 2021-07-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
JP5105132B1 (ja) * 2011-06-02 2012-12-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
CN107068838B (zh) 2011-06-03 2021-11-30 西铁城电子株式会社 用于展示展示物的装置和用于展示展示物的系统
WO2013001687A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 パナソニック株式会社 発光装置
DE102011081083A1 (de) 2011-08-17 2013-02-21 Osram Ag Presswerkzeug und verfahren zum pressen eines silikonelements
US8841689B2 (en) * 2012-02-03 2014-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Heat-curable silicone resin sheet having phosphor-containing layer and phosphor-free layer, method of producing light emitting device utilizing same and light emitting semiconductor device obtained by the method
US9343441B2 (en) * 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
JP5840540B2 (ja) * 2012-03-15 2016-01-06 株式会社東芝 白色照明装置
DE102012208900A1 (de) 2012-05-25 2013-11-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente und Vorrichtung zum Herstellen optoelektronischer Bauelemente
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
JP2014041993A (ja) * 2012-07-24 2014-03-06 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102012213195A1 (de) 2012-07-26 2014-01-30 Osram Gmbh Verfahren zum Belegen einer Oberfläche mit Leuchtstoff
US9761763B2 (en) * 2012-12-21 2017-09-12 Soraa, Inc. Dense-luminescent-materials-coated violet LEDs
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability

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