JP6845799B2 - 半導体材料および半導体材料用のナフトフランマトリクス化合物 - Google Patents
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Description
有機化学によって生成された材料からなる部分を少なくとも備えている電子デバイスの中で、有機発光ダイオード(OLED)は重要な位置を占めている。1987年のTangらによる能率的なOLEDの実現(C.W.Tang et al.,Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987))以来、OLEDは有望な候補から高性能な市販用ディスプレイへと発展した。OLEDは、実質的に有機材料からなる一連の薄層を含んでいる。薄層の厚さは一般的に1nm〜5μmの範囲である。薄層は通例、真空蒸着によって形成されるかまたは溶液から形成され、例えば、スピンコーティングまたはジェットプリンティングによって形成される。
上記の課題を解決するために、半導体材料は、
少なくとも1つの電子伝達用構造部分と、少なくとも1つの極性構造部分と、を備えている電子伝達マトリクス化合物を含む半導体材料であって、上記少なくとも1つの極性構造部分は、
a)共有結合によって互いに結合した周期表第15族の1つの原子および周期表第16族の1つの原子からなる構造部分、または、
b)ピリジン‐2‐イル、ピリジン‐4‐イル、キノリン‐4‐イル、および1,3,5‐トリアジン‐2‐イルから選択されるヘテロアリール、または、
c)式(Ia)または(Ib)を有するベンズイミダゾリル部分から選択され、
(i)C1〜C24アルキル、
(ii)C3〜C24シクロアルキル、
(iii)C6〜C24アリール、
(iv)C7〜C24アリールアルキル、
(v)SiおよびGeから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC3〜C24ヘテロアルキルまたはC4〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC8〜C24アリール‐ヘテロアルキル、
(vi)BおよびPから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアルキルまたはC3〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC7〜C24アリール‐ヘテロアルキル、および、
(vii)N,O,およびSから個別に選択される4つまでのヘテロ原子を含むC2〜C24ヘテロアリール、から選択され;
上記少なくとも1つの電子伝達用構造部分は、ベンゾナフトフラン構造部分を備え、
ただし、上記ベンゾナフトフラン構造部分が構造(IIa)を有すると共に上記極性構造部分が構造(Ib)を有する場合を除く、
a)共有結合によって互いに結合した周期表第15族の1つの原子および周期表第16族の1つの原子からなる構造部分、または、
b)ピリジン‐2‐イル、ピリジン‐4‐イル、キノリン‐4‐イル、および1,3,5‐トリアジン‐2‐イルから選択されるヘテロアリール、または、
c)式(Ia)または(Ib)を有するベンズイミダゾリル部分から選択され、
(i)C1〜C24アルキル、
(ii)C3〜C24シクロアルキル、
(iii)C6〜C24アリール、
(iv)C7〜C24アリールアルキル、
(v)SiおよびGeから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC3〜C24ヘテロアルキルまたはC4〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC8〜C24アリール‐ヘテロアルキル、
(vi)BおよびPから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアルキルまたはC3〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC7〜C24アリール‐ヘテロアルキル、および、
(vii)N,O,およびSから個別に選択される4つまでのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアリール、
から選択される、化合物も対象とする。
図1は、本発明を組み込み得るデバイスの概略図である。
本発明に係る半導体材料は、OLEDにおいて特に有利に使用される。したがって、本発明のこの実施形態のデバイスについて、以下に詳細に説明する。
図1は、アノード(10)、発光層(EML)を含む有機半導体層(11)、電子伝達層(ETL)(12)、およびカソード(13)の積層体を示す。本明細書に記載のとおり、それらの図示した層の間に他の層を挿入してもよい。
イオン化ポテンシャル(IP)は、紫外光電子分光法(UPS)によって測定する。イオン化ポテンシャルは、固体状態の物質について測定することが普通であるが、気相のIPを測定することもできる。両方の値は、例えば、光イオン化処理中に起こる正孔の分極エネルギー等の固体状態効果によって区別される。分極エネルギーの典型的な値は約1eVであるが、値のより大きな差異も起こり得る。IPは、光電子の運動エネルギーが大きい領域、つまり、最も弱い束縛電子のエネルギーの領域における光電子放出スペクトルの始まりに関連する。UPSに関連する方法として、逆光電子分光法(IPES)を用いて電子親和力(EA)を測定することができる。しかしながら、この方法はそれほどよく使用されない。代わりに、溶液の電気化学測定を用いて、固体状態の酸化(Eox)‐還元(Ered)ポテンシャルを測定することができる。適当な方法としては、例えば、環状ボルタンメトリー(CV)が挙げられる。非常に多くの場合、red/oxポテンシャルの電子親和力およびイオン化ポテンシャルへの変換は、簡単な規則を用いて行われる:IP=4.8eV+e*Eox(対フェロセニウム/フェロセン(Fc+/Fc))であり、EA=4.8eV+e*Ered(対Fc+/Fc)である(B.W.D’Andrade,Org.Electron.6,11‐20(2005)参照)。他の基準電極または他のレドックス対が使用された場合に、電気化学ポテンシャルを補正する処理が知られている(A.J.Bard,L.R.Faulkner,「Electrochemical Methods:Fundamentals and Applications」,Wiley,2.Ausgabe 2000参照)。使用される溶液の効果に関する情報は、N.G.Connelly et al.,Chem.Rev.96,877(1996)に記載されている。「HOMOのエネルギー」E(HOMO)および「LUMOのエネルギー」E(LUMO)という用語はそれぞれ、厳密には正確ではないが、イオン化エネルギーおよび電子親和力(クープマンズの定理)の同義語としてしばしば用いられる。イオン化ポテンシャルおよび電子親和力は、その値が大きいほど、放出電子またはそれぞれの吸収電子の結合がより強いことを示していることを考慮する必要がある。フロンティア分子軌道(HOMO、LUMO)のエネルギー尺度はこれと反対である。従って、おおまかな近似において、IP=−E(HOMO)およびEA=E(LUMO)が成り立つ。与えられた電位は、固体状態の電位に対応する。
基板は柔らかいものでも硬いものでもよく、透明、不透明、反射的、または半透明のいずれであってもよい。OLEDによって生成した光を透過させる場合(ボトムエミッション)、透明または半透明の基板を用いる。OLEDによって生成した光が基板と反対方向に出射される場合(いわゆるトップエミッション型)、基板は不透明でもよい。OLEDも透明であってもよい。基板は、カソードまたはアノードのどちらの隣に配置してもよい。
電極は、ある程度の伝導性を有するアノードおよびカソードであり、優先的には伝導体である。優先的に、「第1電極」はカソードである。光をデバイスの外部へ透過させるため、少なくとも1つの電極は、半透明または透明である必要がある。電極は、典型的には、金属および/または透明導電性酸化物を含む複数の層または積層である。その他の例として、細い母線(例えば、細い金属グリッド)間の空間を、グラフェン、カーボンナノチューブ、有機ドープ半導体等のある程度の伝導性を有する透明材料によって満たす(コーティングする)ことによって電極を形成してもよい。
正孔伝達層は、広大ギャップ半導体を含み、アノードからの正孔またはCGLからEMLへの正孔の伝達を担う層である。HTLは、アノードおよびEMLの間、またはCGLの正孔生成側およびEMLの間に配置される。HTLは、他の物質、例えば、pドーパントと混合されてもよく、その場合、HTLはpドープされたと言われる。HTLは、複数の層から形成されてもよく、当該複数の層は組成が異なってもよい。HTLをpドープすることにより、その抵抗性が低下し、他のドープされていない半導体の高い抵抗性によるそれぞれのパワー損失を回避する。ドープされたHTLは、光スペーサとしても使用することができる。それは、抵抗性を大幅に増加させることなく1000nm以上と非常に厚くHTLを形成することができるからである。
正孔注入層は、アノードからまたは正孔生成側のCGLから隣接するHTLへの正孔の注入を促進する層である。一般的に、HILは極薄層(<10nm)である。正孔注入層は純pドーパント層であり、厚さが約1nmであってもよい。HTLがドープされる場合、注入機能がHTLに既に備わっているため、HILは必須ではない。
発光層は、少なくとも1つの発光材料を必ず含み、任意に追加の層を含む。EMLが2つ以上の物質の混合物を含む場合、電荷キャリアの注入は異なる物質中(例えば、エミッターではない物質等)において起こってもよく、または、電荷キャリアがエミッターに直接注入されてもよい。EML中または隣り合うEML中において、多数の異なるエネルギー伝達プロセスが起こり、異なるタイプの発光が起こり得る。例えば、ホスト物質中で形成された励起子が、一重項または三重項励起子として一重項または三重項エミッター物質へ伝達されることで、エミッターが光を発する。異なるタイプのエミッターを混合することによって、効率を向上させることができる。エミッターホストおよびエミッタードーパントからの発光を利用することにより、混合光を実現することができる。
電子伝達層は、広大ギャップ半導体を含み、カソードからまたはCGLもしくはEIL(後述)からEMLへの電子の伝達を担う層である。ETLは、カソードおよびEMLの間、またはCGLの電子生成側およびEMLの間に設けられる。ETLは、電気的nドーパントと混合されてもよく、その場合、ETLはnドープされたと言われる。ETLは、複数の層から形成されてもよく、当該複数の層は組成が異なってもよい。ETLを電気的にnドープすることにより、その抵抗性が低下し、および/またはその隣接する層への電子注入能力が向上し、他のドープされていない半導体の高い抵抗性(および/または低い注入能力)によるそれぞれのパワー損失を回避する。ドープされたETLは、光スペーサとしても使用することができる。それは、抵抗性を大幅に増加させることなく1000nm以上と非常に厚くETLを形成することができるからである。
OLEDは、電極と組み合わせて反転接点または積層OLEDにおける接続ユニットとして使用できるCGLを含んでもよい。CGLは、全く異なる構成および名称を有することができ、例えば、pn接合、接続ユニット、トンネル接合、等が含まれる。pn接合の例は、US2009/0045728A1、US2010/0288362A1に開示されている。金属層および/または絶縁層を使用することもできる。
OLEDがCGLによって隔てられた2つ以上のEMLを含む場合、当該OLEDは積層OLEDと呼ばれ、それ以外の場合は単体OLEDと呼ばれる。2つの最も近接するCGLの間または電極の内の1つおよび最も近接するCGLの間の層のグループを、エレクトロルミネセンスユニット(ELU)と呼ぶ。したがって、積層OLEDはアノード/ELU1/{CGLX/ELU1+X}X/カソードと記載することができ、そこで、xは正の整数であり、CGLXまたはELU1+Xのそれぞれは同じであっても異なっていてもよい。CGLは、US2009/0009072A1に開示されるように、2つのELUの隣接する層から形成されてもよい。積層OLEDに関しては、例えば、US2009/0045728A1、US2010/0288362A1、およびその中で引用される文献においてさらに説明されている。
本発明のディスプレイのどの有機半導体層も、真空熱蒸発(VTE)、有機気相堆積、レーザー誘起熱転写、スピンコーティング、ブレードコーティング、スロットダイコーティング、インクジェットプリンティング、等の公知の技術によって形成することができる。本発明に係るOLEDは、VTEで作製することが好ましい。
本発明は、有機半導体層の電気ドーピングに追加または組み合わせて使用することができる。
本発明の化合物の代わりに、極性構造部分とベンゾナフトフラン電子伝達用構造部分との本発明の組み合わせを含まない電子伝達マトリクスを有する比較デバイスとの比較に基づき、本発明の半導体材料の有利な効果を示す。比較化合物は以下のとおりである:
合成に関する一般的事項:
すべての反応は、オーブンで乾燥させたガラス器具を用いてアルゴン雰囲気下にて行った。出発物質はさらに純化することなく、購入時の状態で使用した。OLEDを構成する材料は、勾配純化によって最高純度に純化した。本分野において公知である下記の一般手順を用いて、ベンゾナフトフラン構造部分および極性構造部分を有する本発明に係る電子伝達マトリクス化合物の合成を行うことができる。
ハロゲン化合物をTHFに溶解した。2.5Mのn‐BuLiヘキサン溶液をこの溶液にゆっくりと滴下し、‐80℃まで冷却した(溶液の温度を直接測定した)。撹拌を1時間連続で行った。塩化ジフェニルホスフィンまたは二塩化フェニルホスフィンを、それぞれ、‐80℃でゆっくりと添加した。反応混合物を室温(RT)まで温め、一晩中撹拌した。メタノールを添加・還元して乾燥させた後、残渣をジクロロメタン(DCM)に溶解した。有機相を水で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させて乾かせた。
ハロゲン化合物、ボロン酸、Pd(PtBu3)4、および溶媒を混合した。脱気した2MのK2CO3水溶液を添加した。混合物を85℃(オイルバス温度)で18時間撹拌し、その後冷却した。固体が沈殿した場合は、当該固体を濾過によって取り出し、カラムクロマトグラフィによって直接純化した。その他の有機相は水で洗浄し、Na2SO4上で乾燥させて乾かせた後、カラムクロマトグラフィによって純化した。
1,4‐ジブロモベンゼン:10.00g(42.4mmol、1.0eq)
n‐ブチルリチウム、ヘキサン中で2.5M:17mL(42.4mmol、1.0eq)
クロロジフェニルホスフィン:9.35g(42.4mmol、1.0eq)
THF:50mL
DCM:50mL
H2O2、水中で30wt.%:10mL
カラムクロマトグラフィ:SiO2、酢酸エチル
収量:6.84gの白色固体(理論上45%)
mp:166℃
GC‐MS:m/z=356、358。
1,4‐ジブロモベンゼン:10.00g(42.4mmol、1.0eq)
n‐ブチルリチウム、ヘキサン中で2.5M:17mL(42.4mmol、1.0eq)
ジクロロフェニルホスフィン:3.79g(21.2mmol、0.5eq)、50mLのTHFに溶解
THF:100mL
DCM:50mL
H2O2、水中で30wt.%:10mL
カラムクロマトグラフィ:SiO2、酢酸エチル
収量:5.0gの粘性オイル(54%)
mp:125℃
GC‐MS:m/z=433、435、437。
1,3‐ジブロモベンゼン:10.00g(42.4mmol、1.0eq)
n‐ブチルリチウム、ヘキサン中で2.5M:17ML(42.4mmol、1.0eq)
クロロジフェニルホスフィン:9.35g(42.4mmol、1.0eq)
THF:50mL
DCM:50mL
H2O2、水中で30wt.%:10mL
カラムクロマトグラフィ:SiO2、酢酸エチル、Rf=0.52
収量:9.6gの白色固体(63%)
mp:95℃
GC‐MS:m/z=356、358。
1,3‐ジブロモベンゼン:10.00g(42.4mmol、1.0eq)
n‐ブチルリチウム、ヘキサン中で2.5M:17mL(42.4mmol、1.0eq)
ジクロロフェニルホスフィン:3.58g(21.2mmol、0.5eq)、50mLのTHFに溶解
THF:100mL
DCM:50mL
H2O2、水中で30wt.%:10mL
カラムクロマトグラフィ:SiO2、酢酸エチル
収量:6.86g(74%)の白色固体
mp:103℃
GC‐MS:m/z=434、436、438。
磁気撹拌棒、隔壁、および還流冷却器を備え、アルゴン注入口を有する丸底フラスコ(オーブン乾燥、二首、1L)に、2‐(ピリジン‐2‐イル)‐1H‐ベンゾ[d]イミダゾール(0.128mmol、1eq)、1‐ヨード‐4‐ブロモベンゼン(19.2mmol、1.5eq)、ヨウ化銅(0.042mmol、0.33eq)、1,10‐フェナントロリン(0.081mmol、0.63eq)、およびCs2CO3(0.1885mmol、1.45eq)を入れる。フラスコを密封して排気し、代わりにアルゴンで満たす。無水DMF(500mL)を、反応フラスコに直接挿入したカニューレを介して注入し、隔壁をストッパーに置き換え、混合物をアルゴン下、150℃で一晩中撹拌した。反応混合物をRTまで冷却し、短いフロリジルパッド(〜3cm)を用いて濾過し、水分を蒸発させて乾燥させる。残渣をクロロホルムに溶解し、EDTA水溶液(1wt.%)、水(3倍)およびブライン(1倍)を用いて洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥させ、濾過し、水分を蒸発させることで乾燥させる。イソプロピルアルコールを用いて残渣を一晩中すり潰し、濾過して乾燥させる。最後に、固体をジクロロメタンに再溶解し、5gのSiO2を用いて処理し、濾過し、水分を蒸発させることで乾燥させる。
1‐ヨード‐4‐ブロモベンゼンの代わりに1‐ヨード‐3‐ブロモベンゼンを用いて、同じように精製した。
(4‐ブロモフェニル)ジフェニルホスフィン酸化物:1.88g(5.3mmol、1.0eq)
(9,10‐ジ(ナフタレン‐2‐イル)アントラセン‐2‐イル)ボロン酸:3.0g(6.3mmol、1.2eq)
Pd(PPh3)4:183mg(0.16mmol、3mol.%)
K2CO3、2M:8mL
DME:20mL
カラムクロマトグラフィ:SiO2、酢酸エチル
収量:3.0g(81%)の黄色固体
mp:無し(ガラス状)
EI‐MS:m/z=706。
2‐ブロモ‐9,10‐ジ(ナフタ‐2‐イル)‐アントラセン:5.00g(1.0eq、9.81mmol)
n‐ブチルリチウム、ヘキサン中で2.5M:4.7mL(1.2eq、11.77mmol)
THF:50mL
クロロジフェニルホスフィン:2.1mL(1.2eq、11.77mmol)
DCM:60mL
H2O2、水中で30wt.%:15mL
カラムクロマトグラフィ(SiO2、ヘキサン:EE 1:1)
収量:3.20g(52%)
融点:無し(ガラス状化合物)
ESI‐MS:m/z=631(M+H+)。
リチウムキノリン‐8‐オレート(D1)
ビス(3‐(ジナフト[2,1‐b:1’,2’‐d]フラン‐6‐イル)フェニル)(フェニル)ホスフィン酸化物(A3)
[1,1’‐ビナフタレン]‐2,2’‐ジオール(30.0g、0.105モル、1.0eq.)をフラスコに入れ、アルゴンを流した。無水トルエン(300mL)を添加し、続けてトリフルオロメタンスルホン酸(11.7mL、0.210モル、2.0eq.)を添加した。さらに脱ガス処理をした後、混合物をアルゴン下で48時間還流させた。冷却後、水(500mL)を用いて反応混合物を抽出し、MgSO4上で乾燥させ、固体の沈殿が始まるまで真空状態でその体積を減少させた。その後、ヘキサン(300mL)を添加し、生成された懸濁液を2時間撹拌し、沈殿物を濾過して取り出した。この固体をジクロロメタン(DCM)に溶解し、体積比2:1のヘキサン‐DCM混合物を含む溶出液を用いて、シリカ床の上でフラッシュクロマトグラフィに供した。主要部分の体積を約50mLまで減少させ、得られた結晶を濾過によって取り出し、真空状態において室温で乾燥させた。収量:19.9g(71%)。
前ステップからのジナフト[2,1‐b:1’,2’‐d]フラン(14.1g、52.6mmol、1.0eq.)をフラスコに入れ、アルゴンを用いて脱気し、100mLの無水THFに溶解した。得られた溶液を0℃まで冷却し、n‐ブチルリチウム(36.2mL、57.8mmol、1.1eq)を20分間かけて滴下して加えた。得られた黄色懸濁液を室温(RT)で一晩中撹拌し、その後、2‐イソプロポキシ‐4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン(21.5mL、105.2mmol、2.0eq.)を滴下して加えることによって停止させた。さらに20時間撹拌した後、混合物の水分を蒸発させて乾燥させ、オレンジ油を得た。粗生成物は、シリカ上でクロマトグラフィ(9:1(v/v)のヘキサン‐DCMによる溶出、その後DCMによる溶出)によって純化した。収量:14.5g(70%)。
2‐(ジナフト[2,1‐b:1’,2’‐d]フラン‐6‐イル)‐4,4,5,5‐テトラメチル‐1,3,2‐ジオキサボロラン(4.2g、10.7mmol、1.0eq.)、1‐ブロモ‐3‐ヨードベンゼン(3.62g、12.8mmol、1.2eq)、Pd触媒(246mg、2モル%)、および塩基(4.4g、32mmol、3.0eq.)をフラスコに入れ、DMEおよび水の2.5:1混合物(56mL)に溶解した。得られた溶液をアルゴンによって脱気し、100℃で2時間還流し、室温で一晩中撹拌し、翌日さらに100℃で9時間還流し、室温で一晩冷却した。形成された沈殿物を濾過によって取り出し、少量の水およびDMEで洗浄した。生成物を、80mLのCHCl3から再結晶化した。濾過によって回収した黄色固体を少量のCHCl3で洗浄し、真空状態で乾燥することで生成物の第1の収穫物を得た(2.34g、52%)。母液は20mLまで減少した。一晩撹拌しながら室温まで冷却した後、形成された沈殿物を濾過によって取り出してCHCl3で洗浄することで、第2の収穫物(0.73g、16%)を得た。
6‐(3‐ブロモフェニル)ジナフト[2,1‐b:1’,2’‐d]フラン(3.0g、7.1mmol、1.0eq)を不活性雰囲気下のフラスコに入れ、THF(30mL)に溶解した。得られた懸濁液を−80℃まで冷却し、その後、n‐ヘキシルリチウム(n‐ヘキサン中の33%(w/w)溶液、7.1mmol、1.0eq.)を15分間にわたって添加した。−80℃で3時間撹拌した後、20mLの無水THFに溶解したジクロロ(フェニル)ホスフィン(0.63g、3.5mmol、0.5eq)を添加した。−80℃で1時間撹拌した後、反応混合物を室温まで温めた。3mLのMeOHを添加して反応を停止させ、減圧下で溶液の体積を減少させた。得られたオイルを200mLのCHCl3に溶解し、2×150mLの水で有機相を洗浄し、MgSO4上で乾燥させ、濾過した。H2O2(3.5mL、30%w/w水溶液)を濾液に添加し、得られた混合物をRTで一晩中撹拌した。それを水(2×150mL)で洗浄し、有機層をMgSO4上で乾燥させ、水分を蒸発させることで乾かせた。その後、粗生成物(約3.2g)を下記2回の連続カラムクロマトグラフィ工程によって純化した:1)シリカ、99:1のDCM/MeOHによる溶出、および2)シリカ、酢酸エチルによる溶出。最後に、固体をCHCl3に溶解し、ヘキサンを用いて沈殿させた。収量:1.5g。ESI‐MS:m/z=1、実測:811.24(M+H+)、理論値:811.23。融点:観測なし。
最終的に得られた物質を、質量分析法(MS)およびプロトン磁気共鳴(1H‐NMR)によって評価した。他に断りのない限り、NMRサンプルはCD2Cl2に溶解した。融点(mp)は示差走査熱量測定(DSC)によって測定した。ピーク温度が報告されている。生成物の評価にガスクロマトグラフィ‐質量分析法(GC‐MS)、またはエレクトロスプレーイオン化質量分析(ESI‐MS)による高速液体クロマトグラフィ(HPLC)を用いた場合、分子ピークの質量/電荷(m/z)比のみが報告される。臭素化中間体について、対応する同位体多重項が報告されている。
サイクリックボルタンメトリー
特定の化合物に与えられるレドックス電位は、被測定物質のアルゴン脱気した乾燥THF(0.1M)溶液中、アルゴン雰囲気下で、白金作用電極間の0.1Mヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム支持電解質および塩化銀に覆われた銀ワイヤからなるAg/AgCl疑似標準電極を用いて、測定溶液に直接含浸され、走査速度100mV/sで測定した。最初の測定は、作用電極に設定される電位の最大範囲で行われ、以降の測定においてその範囲を適宜調整した。最後の3回の測定は、基準としてフェロセン(濃度0.1M)を添加して行った。対象化合物のカソードおよびアノードのピークに対応する電位の平均は、基準Fc+/Fcレドックス対について測定されたカソードおよびアノードの電位の平均を差し引いた後、最終的に上述の報告された値をもたらした。報告された比較化合物だけでなく、すべての対象ホスフィン酸化化合物も明確な可逆電気化学的性質を示した。
ここに記載するすべてのデータは典型例である。表1のデータは、典型として16の同一のダイオードに関する中央値であり、以下の実施例において説明する。
2,2’,2''‐(シクロプロパン‐1,2,3‐トリイリデン)トリス(2‐(p‐シアノテトラフルオロフェニル)アセトニトリル)(PD2、マトリクス対ドーパントの重量比が92:8)によってドープされたN4,N4''‐ジ(ナフタレン‐1‐イル)‐N4,N4''‐ジフェニル‐[1,1’:4’,1''‐テルフェニル]‐4,4''‐ジアミン(HTM3)の10nmの層を、厚さ90nmのITOガラス基板上に形成し、その後、ドープされていないHTM3の120nmの層を形成することで、ボトムエミッション型の青色発光OLEDを作製した。次に、NUBD370(Sun Fine Chemicals製)によってドープされたABH113(Sun Fine Chemicals製)(重量比3:97)の青色蛍光層を、厚さ20nmで形成した。対象となる本発明の化合物または比較化合物の36nmの層を、ETLとして50wt.%のD1またはD2、もしくは5wt.%のMgと共に発光層上に形成した。次に、厚さ100nmのアルミ層を形成した。
CGL 電荷発生層
CV 環状ボルタンメトリー
DCM ジクロロメタン
DSC 示差走査熱量測定
DFT 密度汎関数法
DME 1,2‐ジメトキシエタン
EA 電子親和力
EE エチルエステル(酢酸エチル)
EI 電子衝撃(直接導入質量分析)
EIL 電子注入層
ESI エレクトロスプレーイオン化(質量分析)
ETL 電子伝達層
ETM 電子伝達マトリクス
Fc+/Fc フェロセニウム/フェロセン基準系
GC ガスクロマトグラフィ
HIL 正孔注入層
HPLC 高速液体クロマトグラフィ
HOMO 最高被占分子軌道
HTL 正孔伝達層
HTM 正孔伝達マトリクス
IP イオン化ポテンシャル
IPES 逆光電子分光法
ITO インジウムスズ酸化物
LDA リチウムジイソプロピルアミド
LUMO 最低空分子軌道
MS 質量分析
NMR 核磁気共鳴
OLED 有機発光ダイオード
RT 室温
SPS 溶媒浄化系
TGA 熱重量熱分析
THF テトラヒドロフラン
TLC 薄層クロマトグラフィ
UPS 紫外光電子分光法
UV 紫外/可視光線スペクトルにおける分光法
VTE 真空熱蒸発
eq 化学当量
mol.% モルパーセント
vol.% 体積パーセント
wt.% 重量(質量)パーセント
mp 融点
Claims (8)
- 少なくとも1つの電子伝達用構造部分と、少なくとも1つの極性構造部分と、を備えている電子伝達マトリクス化合物を含む半導体材料であって、上記少なくとも1つの極性構造部分は、
a)共有結合によって互いに結合した周期表第15族の1つの原子および周期表第16族の1つの原子からなる構造部分、または、
b)ピリジン‐2‐イル、ピリジン‐4‐イル、キノリン‐4‐イル、および1,3,5‐トリアジン‐2‐イルから選択されるヘテロアリール、または、
c)式(Ia)または(Ib)を有するベンズイミダゾリル部分から選択され、
式中、破線は式(Ia)または(Ib)におけるベンズイミダゾリル部分と分子の他の構造部分との結合を示し、R1およびR2は、
(i)C1〜C24アルキル、
(ii)C3〜C24シクロアルキル、
(iii)C6〜C24アリール、
(iv)C7〜C24アリールアルキル、
(v)SiおよびGeから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC3〜C24ヘテロアルキルまたはC4〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC8〜C24アリール‐ヘテロアルキル、
(vi)BおよびPから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアルキルまたはC3〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC7〜C24アリール‐ヘテロアルキル、および、
(vii)N,O,およびSから個別に選択される4つまでのヘテロ原子を含むC2〜C24ヘテロアリール、から選択され;
上記少なくとも1つの電子伝達用構造部分は、ベンゾナフトフラン構造部分を備え、
上記ベンゾナフトフラン構造部分は、ジナフトフラン構造部分であり、
上記ジナフトフラン構造部分は、式(II)に記載の構造を有する、
半導体材料。 - 上記ベンゾナフトフラン構造部分および上記極性構造部分は、アリーレンリンカーまたはヘテロアリーレンリンカーによって互いに接続されている、請求項1に記載の半導体材料。
- 上記アリーレンリンカーは、フェニレンである、請求項2に記載の半導体材料。
- 上記極性構造部分は、アレーン構造部分およびヘテロアレーン構造部分から個別に選択される構造部分に直接結合したホスフィンオキシド基である、請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体材料。
- 上記半導体材料は、電気的ドーパントをさらに含む、請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体材料。
- 上記電気的ドーパントは、実質的に元素形態である金属および/または金属塩から選択される、請求項5に記載の半導体材料。
- 請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体材料を含む少なくとも1つの実質的に有機的な層を、2つの電極の間に備えている、電子デバイス。
- 式(II)を有する少なくとも1つの構造部分と、
少なくとも1つの極性構造部分と、を備えている化合物であって、上記少なくとも1つの極性構造部分は、
a)共有結合によって互いに結合した周期表第15族の1つの原子および周期表第16族の1つの原子からなる構造部分、または、
b)ピリジン‐2‐イル、ピリジン‐4‐イル、キノリン‐4‐イル、および1,3,5‐トリアジン‐2‐イルから選択されるヘテロアリール、または、
c)式(Ia)または(Ib)を有するベンズイミダゾリル部分から選択され、
式中、破線は式(Ia)または(Ib)におけるベンズイミダゾリル部分と分子の他の構造部分との結合を示し、R1およびR2は、
(i)C1〜C24アルキル、
(ii)C3〜C24シクロアルキル、
(iii)C6〜C24アリール、
(iv)C7〜C24アリールアルキル、
(v)SiおよびGeから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC3〜C24ヘテロアルキルまたはC4〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC8〜C24アリール‐ヘテロアルキル、
(vi)BおよびPから選択される少なくとも1つのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアルキルまたはC3〜C24ヘテロシクロアルキルまたはC7〜C24アリール‐ヘテロアルキル、および、
(vii)N,O,およびSから個別に選択される4つまでのヘテロ原子をそれぞれが含むC2〜C24ヘテロアリール、
から選択される、化合物。
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