JP6845138B2 - 高電圧スイッチ - Google Patents
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
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- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
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- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
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Description
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある(国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む)。
(先行技術文献)
(特許文献)
(特許文献1) 国際公開第2010/088783号
(特許文献2) 国際公開第2011/123962号
(非特許文献)
(非特許文献1) BIELA J ET AL: "Balancing circuit for a 5KV/50ns pulsed power switch based on Sic−JFET Super Cascode",PULSED POWER CONFERENCE,2009.PPC ‘09.IEEE,IEEE,PISCATAWAY,NJ,USA,28 June 2009(2009−06−28),pages 635−640,XPO31615057,ISBN: 978−1−4244−4064−1
前記スイッチ70は、図6のスイッチ60と同様に動作する。図8および図9に図示したように、前記電圧クランプ素子D2〜Dnの漏れ電流を制御し、前記JFET J2〜Jnのターンオン過程およびターンオフ過程を同期させるために、前記スイッチ70に追加の負荷回路およびダイナミックバランス回路を追加することができる。
図8は、図7のスイッチ70に基づいた高電圧スイッチング装置80を示している。相違点は、図8のスイッチ80は、各々が前記JFET J2〜Jnのうちの1つのドレイン端子とゲート端子との間に接続されている追加の負荷回路R2〜Rnと、各々が前記JFET J2〜Jnのうちの1つのゲート端子と前記高電圧ノーマリーオフ型MOSFET M2のソース端子との間に接続されている追加のバランス回路C2〜Cnとを含んでいることである。
Claims (8)
- 高電圧スイッチであって、
ゲート端子と、ドレイン端子と、ソース端子とを有するノーマリーオフ型Nチャネル素子であるスイッチング素子と、
各々がゲート端子と、ドレイン端子と、ソース端子とを有するノーマリーオン型Nチャネル接合型電界効果トランジスタ(JFET)であるトランジスタのチェーンであって、前記トランジスタはドレイン−ソース間で直列接続されており、前記チェーン内の1番目のトランジスタのソースは前記スイッチング素子の前記ドレインに接続されているものである、前記チェーンと、
前記チェーン内の2番目のトランジスタから前記チェーン内の最後から2番目のトランジスタまでの各トランジスタに関連付けられたクランプ素子であって、前記クランプ素子のアノードは各トランジスタのソースに接続されており、前記クランプ素子のカソードは前記チェーン内の次段のトランジスタのゲートに接続されているものである、前記クランプ素子と、
追加のクランプ素子であって、該追加のクランプ素子のアノードは前記チェーン内の前記1番目のトランジスタの前記ソースに接続されており、前記追加のクランプ素子のカソードは前記チェーン内の前記2番目のトランジスタの前記ゲートに接続されているものであり、前記チェーン内の前記1番目のトランジスタのゲートは、前記スイッチング素子の前記ソースに接続されているものである、前記追加のクランプ素子と、
抵抗器を有する負荷回路であって、該負荷回路は、前記チェーン内の前記2番目のトランジスタから前記チェーン内の最後のトランジスタまでの各トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されているものである、前記負荷回路と
を有する高電圧スイッチ。 - 高電圧スイッチであって、
ゲート端子と、ドレイン端子と、ソース端子とを有するノーマリーオフ型Nチャネル素子であるスイッチング素子と、
各々がゲート端子と、ドレイン端子と、ソース端子とを有するノーマリーオン型Nチャネル接合型電界効果トランジスタ(JFET)であるトランジスタのチェーンであって、前記トランジスタはドレイン−ソース間で直列接続されており、前記チェーン内の1番目のトランジスタのソースは前記スイッチング素子の前記ドレインに接続されているものである、前記チェーンと、
前記チェーン内の2番目のトランジスタから前記チェーン内の最後から2番目のトランジスタまでの各トランジスタに関連付けられたクランプ素子であって、前記クランプ素子のアノードは各トランジスタのソースに接続されており、前記クランプ素子のカソードは前記チェーン内の次段のトランジスタのゲートに接続されているものである、前記クランプ素子と、
抵抗器を有する負荷回路であって、該負荷回路は、前記チェーン内の前記2番目のトランジスタから前記チェーン内の最後のトランジスタまでの各トランジスタのドレインとゲートとの間に接続されているものである、前記負荷回路と、
第1の追加のクランプ素子であって、該第1の追加のクランプ素子のアノードは前記スイッチング素子の前記ソースに接続されており、該記第1の追加のクランプ素子のカソードは前記チェーン内の前記1番目のトランジスタのゲートに接続されているものである、前記第1の追加のクランプ素子と、
第2の追加のクランプ素子であって、該第2の追加のクランプ素子のアノードは前記チェーン内の前記1番目のトランジスタの前記ソースに接続されており、該第2の追加のクランプ素子のカソードは前記チェーン内の前記2番目のトランジスタの前記ゲートに接続されているものである、前記第2の追加のクランプ素子と、
前記ドレインと前記チェーン内の前記1番目のトランジスタの前記ゲートとの間に接続されている追加の負荷回路と
を有するものである高電圧スイッチ。 - 請求項1〜2のいずれか1つに記載の高電圧スイッチにおいて、前記スイッチング素子は、Nチャネル型の金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)、接合型電界効果トランジスタ(JFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)、BJT、または絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)である高電圧スイッチ。
- 請求項1〜3のいずれか1つに記載の高電圧スイッチにおいて、前記スイッチング素子はNチャネル型の金属酸化物電界効果トランジスタ(MOSFET)である高電圧スイッチ。
- 請求項1〜4のいずれか1つに記載の高電圧スイッチにおいて、前記スイッチング素子は、50Vまたは50V未満の定格電圧を有するものである高電圧スイッチ。
- 請求項1〜5のいずれか1つに記載の高電圧スイッチにおいて、各負荷回路は、さらに、トランジスタを有するものである高電圧スイッチ。
- 請求項1に記載の高電圧スイッチにおいて、さらに、
コンデンサを有するダイナミックバランス回路を有し、該ダイナミックバランス回路は、前記チェーン内の前記2番目のトランジスタから前記チェーン内の最後のトランジスタまでの各トランジスタの前記ゲートと前記スイッチング素子の前記ソースとの間に接続されているものである高電圧スイッチ。 - 請求項1〜7のいずれか1つに記載の高電圧スイッチにおいて、さらに、
コンデンサを有するダイナミックバランス回路を有し、該ダイナミックバランス回路は、前記チェーン内の前記1番目のトランジスタから前記チェーン内の最後から2番目のトランジスタまでの各トランジスタの前記ソースと前記チェーン内の次段のトランジスタの前記ゲートとの間に接続されているものである高電圧スイッチ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/592,542 US9190993B1 (en) | 2015-01-08 | 2015-01-08 | High voltage switch |
US14/592,542 | 2015-01-08 | ||
PCT/US2015/054887 WO2016111732A1 (en) | 2015-01-08 | 2015-10-09 | High voltage switch |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018504818A JP2018504818A (ja) | 2018-02-15 |
JP2018504818A5 JP2018504818A5 (ja) | 2018-11-01 |
JP6845138B2 true JP6845138B2 (ja) | 2021-03-17 |
Family
ID=54347883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017532004A Active JP6845138B2 (ja) | 2015-01-08 | 2015-10-09 | 高電圧スイッチ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9190993B1 (ja) |
EP (1) | EP3243276B1 (ja) |
JP (1) | JP6845138B2 (ja) |
CN (1) | CN107431482B (ja) |
ES (1) | ES2756325T3 (ja) |
WO (1) | WO2016111732A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10455729B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-22 | Reno Technologies, Inc. | Enclosure cooling system |
US10431428B2 (en) | 2014-01-10 | 2019-10-01 | Reno Technologies, Inc. | System for providing variable capacitance |
US9844127B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Reno Technologies, Inc. | High voltage switching circuit |
US10340879B2 (en) | 2015-02-18 | 2019-07-02 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9525412B2 (en) | 2015-02-18 | 2016-12-20 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US9729122B2 (en) | 2015-02-18 | 2017-08-08 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit |
US11017983B2 (en) | 2015-02-18 | 2021-05-25 | Reno Technologies, Inc. | RF power amplifier |
US11081316B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-08-03 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10984986B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-04-20 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11150283B2 (en) | 2015-06-29 | 2021-10-19 | Reno Technologies, Inc. | Amplitude and phase detection circuit |
US11342160B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Filter for impedance matching |
US11342161B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-24 | Reno Technologies, Inc. | Switching circuit with voltage bias |
US10692699B2 (en) | 2015-06-29 | 2020-06-23 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with restricted capacitor switching |
US11335540B2 (en) | 2015-06-29 | 2022-05-17 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
KR102265460B1 (ko) * | 2016-01-11 | 2021-06-16 | 한국전자통신연구원 | 캐스코드 스위치 회로 |
JP6356718B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2018-07-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US9866213B1 (en) * | 2016-09-08 | 2018-01-09 | United Silicon Carbide, Inc. | High voltage switch module |
US10714314B1 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-14 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US10483090B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-11-19 | Reno Technologies, Inc. | Restricted capacitor switching |
US11101110B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-24 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11393659B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-19 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11315758B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-04-26 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching using electronically variable capacitance and frequency considerations |
US11476091B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-10-18 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network for diagnosing plasma chamber |
US11289307B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-03-29 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method |
US11114280B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-09-07 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching with multi-level power setpoint |
US11521833B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Combined RF generator and RF solid-state matching network |
US11398370B2 (en) | 2017-07-10 | 2022-07-26 | Reno Technologies, Inc. | Semiconductor manufacturing using artificial intelligence |
US10727029B2 (en) | 2017-07-10 | 2020-07-28 | Reno Technologies, Inc | Impedance matching using independent capacitance and frequency control |
US11258439B2 (en) | 2017-09-07 | 2022-02-22 | Visic Technologies Ltd. | High-voltage fast switching devices |
US11838021B1 (en) | 2017-11-07 | 2023-12-05 | Matthew Barlow | SiC jfet logic output level-shifting using integrated-series forward-biased jfet gate-to-channel diode junctions |
CN108092493B (zh) * | 2017-12-26 | 2020-12-25 | 南京工程学院 | 一种SiC MOSFET串联电路 |
US11521831B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-12-06 | Reno Technologies, Inc. | Impedance matching network and method with reduced memory requirements |
WO2020252561A1 (en) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | Smartd Technologies Inc. | Dynamic balancing of transistors |
US11784641B2 (en) | 2021-01-15 | 2023-10-10 | North Carolina State University | High voltage cascaded supercascode power switch |
US11250997B1 (en) | 2021-05-12 | 2022-02-15 | Jeffrey Ross Gray | High voltage switch |
CN113725209A (zh) * | 2021-07-29 | 2021-11-30 | 西安交通大学 | 一种SiC/Si Cascode器件用多芯片并联结构 |
US11728804B1 (en) * | 2022-05-05 | 2023-08-15 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | High voltage switch with cascaded transistor topology |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54152845A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-01 | Hitachi Ltd | High dielectric strength mosfet circuit |
EP0140349B1 (en) * | 1983-10-28 | 1992-01-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor switching device |
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DE19926109B4 (de) * | 1999-06-08 | 2004-08-19 | Infineon Technologies Ag | Leistungsschalter |
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US6617906B1 (en) * | 2002-10-01 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Low-current compliance stack using nondeterministically biased Zener strings |
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US20120262220A1 (en) * | 2011-04-13 | 2012-10-18 | Semisouth Laboratories, Inc. | Cascode switches including normally-off and normally-on devices and circuits comprising the switches |
US8866253B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-10-21 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Semiconductor arrangement with active drift zone |
CN103326360B (zh) * | 2012-03-19 | 2015-10-21 | 利思电气(上海)有限公司 | 一种用于高电压系统的实时动态有源谐波补偿装置 |
US9035690B2 (en) * | 2012-08-30 | 2015-05-19 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices |
JP6088331B2 (ja) * | 2013-04-10 | 2017-03-01 | 富士通株式会社 | 充放電信号回路およびdcdcコンバータ |
-
2015
- 2015-01-08 US US14/592,542 patent/US9190993B1/en active Active
- 2015-07-02 US US14/790,071 patent/US9312847B1/en active Active
- 2015-07-02 US US14/790,051 patent/US9325306B1/en active Active
- 2015-10-09 JP JP2017532004A patent/JP6845138B2/ja active Active
- 2015-10-09 ES ES15784874T patent/ES2756325T3/es active Active
- 2015-10-09 WO PCT/US2015/054887 patent/WO2016111732A1/en active Application Filing
- 2015-10-09 EP EP15784874.8A patent/EP3243276B1/en active Active
- 2015-10-09 CN CN201580071756.8A patent/CN107431482B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3243276B1 (en) | 2019-09-11 |
CN107431482B (zh) | 2021-03-02 |
US9190993B1 (en) | 2015-11-17 |
WO2016111732A1 (en) | 2016-07-14 |
ES2756325T3 (es) | 2020-04-27 |
CN107431482A (zh) | 2017-12-01 |
US9312847B1 (en) | 2016-04-12 |
US9325306B1 (en) | 2016-04-26 |
JP2018504818A (ja) | 2018-02-15 |
EP3243276A1 (en) | 2017-11-15 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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