JP6841185B2 - 情報処理装置、及び画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、情報処理装置、及び画像形成装置に関する。

特許文献１に記載の情報処理装置は、情報処理装置の構成を示す構成条件（メモリーモジュール）が変化しない場合、補助記憶装置に記憶された過去のトレーニング結果をトレーニング初期条件に決定し、メモリートレーニングを実行する。

特開２０１６−９９７８８号公報

しかし、情報処理装置の使用環境が変化すると、許容遅延量、及び／又は、許容レベルも変化する。許容遅延量は、制御装置が信号を誤りなく受信可能な遅延量の範囲を示す。遅延量は、クロックを基準にした、信号の遅延量を示す。許容レベルは、信号の示す情報を制御装置が誤りなく算出できる基準電圧の範囲を示す。基準電圧は、信号の示す情報を制御装置が算出する際に用いる電圧を示す。従って、メモリートレーニングを実行し、許容遅延量の上限と、許容遅延量の下限と、許容レベルの上限と、許容レベルの下限とを算出する場合、使用環境を反映させずにトレーニング初期条件を決定すると、メモリートレーニングに要する時間が増加するおそれがある。

本発明は、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる情報処理装置、及び画像形成装置を提供することを目的としている。

本発明の一局面によれば、情報処理装置は、制御装置、主記憶装置、及び補助記憶装置を備える。情報処理装置は、検出装置を備える。検出装置は、前記情報処理装置の使用環境を示す物理量を検出する。制御装置は、決定部と、実行部とを有する。決定部は、トレーニング初期条件を決定する。実行部は、前記トレーニング初期条件に基づいて、メモリートレーニングを実行する。補助記憶装置は、第１記憶部と、第２記憶部とを有する。第１記憶部は、前記情報処理装置の構成を示す構成情報を記憶する。第２記憶部は、過去に実行された複数の前記メモリートレーニングの記録であるトレーニング記録を記憶する。トレーニング記録は、複数のトレーニング情報を含む。複数のトレーニング情報は、それぞれ、過去に実行された複数のメモリートレーニングに対応する。複数のトレーニング情報の各々は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記構成情報と、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記使用環境を示す物理量と、過去に実行された前記メモリートレーニングのトレーニング結果とを対応付けた情報を示す。決定部は、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、前記トレーニング記録とに基づいて、前記トレーニング初期条件を決定する。最新の構成情報は、最新の前記メモリートレーニングが実行されるときの前記構成情報を示す。最新の使用環境を示す物理量は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記使用環境を示す物理量である。

本発明によれば、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

本発明の第１実施形態に係る画像形成装置の模式的断面図である。 画像形成装置を示すブロック図である。 トレーニング記録を示す図である。 制御装置の動作を示す第１のフローチャートである。 トレーニング初期条件の決定処理を示すフローチャートである。 （ａ）は、第１の処理と第２の処理とを示す第１の概念図である。（ｂ）は、第１の処理と第２の処理とを示す第２の概念図である。 （ａ）は、第３の処理と第４の処理とを示す第１の概念図である。（ｂ）は、第３の処理と第４の処理とを示す第２の概念図である。 制御装置の動作を示す第２のフローチャートである。

本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

［第１実施形態］
図１を参照して、画像形成装置１００の第１実施形態について説明する。図１は、画像形成装置１００の模式的断面図である。

図１に示すように、画像形成装置１００は、搬送部１と、読取部２と、入力部３と、筐体４と、カセット５と、給送ローラー６と、搬送ローラー７と、画像形成部８と、排出ローラー９と、情報処理装置１０とを備える。

搬送部１は、読取部２に向けてシートを搬送する。読取部２は、シートに形成された画像を走査して、画像を示す画像データを取得する。入力部３は、例えば、表示部３ａと、操作キー群３ｂとを含む。入力部３は、画像形成装置１００に対する指示を受け付ける。また、入力部３は、情報処理装置１０に対する指示を受け付けるデバイスを含む。表示部３ａは、タッチパネルであってもよい。ユーザーは、例えば、印刷を行う際、画質、及び／又は、シートのサイズを入力部３に入力し、画像形成装置１００に対し印刷条件を設定する。表示部３ａは、種々の情報を表示する。表示部３ａは、タッチパネルであってもよい。

筐体４は、中空の形状を有する。筐体４の内部４ａには、略閉塞された空間が形成される。筐体４は、カセット５と、給送ローラー６と、搬送ローラー７と、画像形成部８と、排出ローラー９と、情報処理装置１０とを収容する。

カセット５は、シートを収容する。給送ローラー６は、カセット５内のシートを送出する。搬送ローラー７は、給送ローラー６から搬送されたシートを、画像形成部８に向けて送出する。

画像形成部８は、シートに画像を形成する。画像は、具体的には、トナー画像を示す。画像形成部８は、感光体ドラムと、帯電部と、露光部と、現像部と、転写部と、クリーニング部と、除電部とを含む。感光体ドラム、帯電部、露光部、現像部、及び転写部によって、シートに画像が形成される。クリーニング部は、感光体ドラムの表面に残留しているトナーを除去する。除電部は、感光体ドラムの表面の残留電荷を除去する。画像形成部８は、シートに画像を形成した後、シートを定着部に向けて送出する。定着部は、画像を加熱及び加圧してシートに定着させる。

排出ローラー９は、画像形成部８を通過したシートを筐体４の外部へ排出する。

次に、図１及び図２を参照して、情報処理装置１０について説明する。図２は、画像形成装置１００を示すブロック図である。

図１及び図２に示すように、情報処理装置１０は、記憶装置１１と、制御装置１２と、電源部１３と、検出装置１４と、基板１５とを備える。

記憶装置１１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、及びＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のような第１記憶装置（例えば、半導体メモリー）を含み、第２記憶装置（例えば、ハードディスクドライブ）をさらに含んでもよい。

記憶装置１１は、主記憶装置２１と、補助記憶装置２２とを有する。

主記憶装置２１は、例えば、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のような半導体メモリーで構成される。主記憶装置２１は、基板１５に設けられる。なお、第１実施形態では、１つの主記憶装置２１が、基板１５に設置される。しかし、複数の主記憶装置２１が、基板１５に設置されてもよい。

補助記憶装置２２は、例えば、ＮＶＲＡＭ（Ｎｏｎ Ｖｏｌａｔｉｌｅ Ｍｅｍｏｒｙ）のような不揮発性メモリーで構成される。補助記憶装置２２は、基板１５に設置される。補助記憶装置２２は、制御装置１２によって実行される種々のプログラムを記憶する。補助記憶装置２２は、第１記憶部２３と、第２記憶部２６とを有する。

制御装置１２は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなプロセッサーを含む。制御装置１２は、画像形成装置１００の各要素を制御する。また、制御装置１２は、情報処理装置１０の各要素を制御する。具体的には、プロセッサーは、記憶装置１１（詳細には、補助記憶装置２２）に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、搬送部１と、読取部２と、入力部３と、給送ローラー６と、搬送ローラー７と、画像形成部８と、排出ローラー９と、記憶装置１１と、電源部１３と、検出装置１４とを制御する。

制御装置１２は、第１決定部（決定部）１２ａと、実行部１２ｂと、生成部１２ｃと、第２決定部１２ｄと、制御部１２ｅと、クロック生成部１２ｆとを有する。具体的には、プロセッサーが、記憶装置１１（詳細には、補助記憶装置２２）に記憶されたコンピュータープログラムを実行することにより、第１決定部１２ａ、実行部１２ｂ、生成部１２ｃ、第２決定部１２ｄ、及び制御部１２ｅとして機能する。クロック生成部１２ｆは、クロック（クロック信号）を生成するクロック回路であり、プロセッサーによって制御される。制御装置１２は基板１５に設置される。

電源部１３は、電源回路を含む。電源部１３は、基板１５に設置される。電源部１３は、制御装置１２に電圧を供給する。制御装置１２は、電圧を供給されると稼働する。その結果、情報処理装置１０が稼働する。

検出装置１４は、情報処理装置１０の使用環境を示す物理量を検出する。つまり、検出装置１４は、メモリートレーニングが実行される際の情報処理装置１０の使用環境を示す物理量を検出する。メモリートレーニングは、制御装置１２と主記憶装置２１とを初期化することを示す。情報処理装置１０の使用環境は、例えば、情報処理装置１０が稼働しているときの情報処理装置１０の状態と、情報処理装置１０の周囲の環境とを示す。第１実施形態では、情報処理装置１０の使用環境を示す物理量は、供給電圧と、内部温度とを示す。供給電圧は、制御装置１２に供給される電圧を示す。具体的には、供給電圧は、電源部１３から制御装置１２に供給される電圧を示す。内部温度は、筐体４の内部４ａの温度を示す。筐体４は、制御装置１２と、主記憶装置２１とを収容する。

検出装置１４は、具体的には、第１検出部１４ａと、第２検出部１４ｂとを含む。

第１検出部１４ａは、供給電圧を検出する。第１検出部１４ａは、例えば、電圧検出回路を含み、制御装置１２に内蔵される。

第２検出部１４ｂは、内部温度を検出する。第２検出部１４ｂは、筐体４の内部４ａに設置され、筐体４に収容される。第２検出部１４ｂは、例えば、サーミスターを含む。

続いて、図２を参照して、第１記憶部２３、及び第２記憶部２６について説明する。

第１記憶部２３は、補助記憶装置２２が有する記憶領域のうち一定の領域を示す。第１記憶部２３は、情報処理装置１０の構成を示す構成情報を記憶する。第１記憶部２３は、最新の構成情報を記憶する。第１実施形態では、構成情報は、第１情報と、第２情報と、第３情報と、第４情報と、第５情報とを含む。

第１情報は、制御装置１２が信号を処理するときの第１出力抵抗を示す。信号は、電圧信号である。第２情報は、主記憶装置２１が信号を処理するときの第２出力抵抗を示す。第３情報は、制御装置１２が信号を処理するときの第１終端抵抗を示す。第４情報は、主記憶装置２１が信号を処理するときの第２終端抵抗を示す。

第５情報は、主記憶装置２１の種類を示す。主記憶装置２１の種類は、例えば、主記憶装置２１のクロック周波数のような主記憶装置２１の構成を示す情報を含む。例えば、主記憶装置２１が基板１５に装着されると、主記憶装置２１から制御装置１２に第５情報が送信される。そして、制御装置１２が第１記憶部２３に第５情報を記憶させる。

第２記憶部２６は、補助記憶装置２２が有する記憶領域のうち一定の領域を示す。第２記憶部２６は、トレーニング記録２４を記憶する。

次に、図３を参照して、トレーニング記録２４について説明する。図３は、トレーニング記録２４を示す図である。

図３に示すように、トレーニング記録２４は、過去に実行された複数のメモリートレーニングの記録である。複数のメモリートレーニングは、互いに異なる時間に実行される。

トレーニング記録２４は、複数のトレーニング情報２５を含む。第１実施形態では、トレーニング記録２４は、第１トレーニング情報２５１〜第Ｎトレーニング情報２５Ｎを含む。Ｎは、自然数である。また、Ｎは、定数である。実行部１２ｂがメモリートレーニングを１回実行すると、１個のトレーニング情報２５が生成される。つまり、複数のトレーニング情報２５は、それぞれ、過去に実行された複数のメモリートレーニングに対応する。

第１実施形態のトレーニング記録２４は、Ｎ個のトレーニング情報２５を含む。従って、第１実施形態のトレーニング記録２４は、Ｎ回分のメモリートレーニングのトレーニング記録である。

複数のトレーニング情報２５の各々は、過去の構成情報と、過去の使用環境を示す物理量と、過去のトレーニング結果とを含む。過去の構成情報は、過去にメモリートレーニングが実行されたときの構成情報を示す。過去の使用環境は、過去にメモリートレーニングが実行されたときの使用環境を示す物理量を示す。過去のトレーニング結果は、過去に実行されたメモリートレーニングのトレーニング結果を示す。過去の構成情報は、具体的には、過去にメモリートレーニングが実行されたときの第１情報〜第５情報を示す。過去の使用環境を示す物理量は、具体的には、過去にメモリートレーニングが実行されたときの供給電圧と、過去にメモリートレーニングが実行されたときの内部温度とを示す。

複数のトレーニング情報２５の各々は、過去の構成情報と、過去の使用環境を示す物理量と、過去のトレーニング結果とを対応付けた情報を示す。

トレーニング結果は、実行部１２ｂがメモリートレーニングを実行して算出した所定の値を示す。実行部１２ｂは、メモリートレーニングを実行する毎にトレーニング結果を算出する。トレーニング結果は、構成情報と、使用環境を示す物理量とに影響される。従って、複数のトレーニング情報２５の各々は、過去の構成情報と、過去の使用環境を示す物理量と、過去のトレーニング結果とを対応付けている。

過去のトレーニング結果は、許容遅延量の上限と、許容遅延量の下限と、許容レベルの上限と、許容レベルの下限とを含む。具体的には、過去のトレーニング結果は、過去に実行されたメモリートレーニングで算出された許容遅延量の上限と、過去に実行されたメモリートレーニングで算出された許容遅延量の下限と、過去に実行されたメモリートレーニングで算出された許容レベルの上限と、過去に実行されたメモリートレーニングで算出された許容レベルの下限とを含む。

また、過去のトレーニング結果は、目標遅延量と、基準レベルとをさらに含む。具体的には、過去のトレーニング結果は、情報処理装置１０の過去の稼働条件を示す目標遅延量と、情報処理装置１０の過去の稼働条件を示す基準レベルとをさらに含む。

許容遅延量を説明する前提として、遅延量について説明する。遅延量は、クロックを基準にした、信号の遅延量を示す。信号は、制御装置１２と主記憶装置２１とのうち、一方から他方へ送信される。クロックは、クロック生成部１２ｆが生成する。クロックは、制御装置１２が信号を送受信するタイミングの基準となる。制御装置１２による信号の送受信は、クロックに同期して行われる。つまり、第１実施形態では、遅延量は、クロックのエッジが発生する第１タイミングに対し、制御装置１２が信号を送受信する第２タイミングの遅延時間を示す。クロックのエッジが発生する第１タイミングは、クロックの立ち上がりが発生するタイミング、又は、クロックの立ち下がりが発生するタイミングを示す。

許容遅延量は、制御装置１２が信号を誤りなく受信可能な遅延量の範囲を示す。つまり、許容遅延量は、制御装置１２が信号を所望の第１タイミングに対応させて受信可能な遅延量の範囲を示す。

許容遅延量の上限は、制御装置１２が信号を誤りなく受信可能な遅延量の最大値を示す。許容遅延量の下限は、制御装置１２が信号を誤りなく受信可能な遅延量の最小値を示す。

目標遅延量は、許容遅延量の上限と、許容遅延量の下限との中央値を示す。つまり、目標遅延量は、許容遅延量の上限と、許容遅延量の下限との平均値である。

許容レベルを説明する前提として、基準電圧について説明する。基準電圧は、信号の示す情報を制御装置１２が算出する際に用いる電圧を示す。つまり、制御装置１２は、基準電圧に基づいて、信号の示す情報を算出する。第１実施形態では、制御装置１２は、基準電圧に基づいて、信号の示す情報が「０」及び「１」のうち、どちらを示すかを算出する。例えば、信号が基準電圧以上の電圧を有する場合、制御装置１２は、信号の示す情報が「１」であると算出する。また、信号が基準電圧よりも小さい電圧を有する場合、制御装置１２は、信号の示す情報が「０」であると算出する。

許容レベルは、信号の示す情報を制御装置１２が誤りなく算出できる基準電圧の範囲を示す。第１実施形態では、許容レベルは、信号の示す情報が「０」及び「１」のうち、どちらを示すかを、制御装置１２が誤りなく算出できることを示す。

許容レベルの上限は、信号の示す情報を制御装置１２が誤りなく算出できる基準電圧の最大値を示す。許容レベルの下限は、信号の示す情報を制御装置１２が誤りなく算出できる基準電圧の最小値を示す。

基準レベルは、基準電圧の上限と、基準電圧の下限との中央値を示す。つまり、基準レベルは、基準電圧の上限と、基準電圧の下限との平均値である。

次に、図４を参照して、制御装置１２の動作について説明する。図４は、第１実施形態の制御装置１２の動作を示す第１のフローチャートである。

図４に示すように、情報処理装置１０が起動すると、メモリートレーニングが実行される。また、第１実施形態では、情報処理装置１０が起動する毎に、メモリートレーニングが実行される。

ステップＳ１０において、情報処理装置１０が起動する。情報処理装置１０が起動するとは、例えば、（ｉ）制御装置１２に電圧が供給されていない状態から、制御装置１２に電圧が供給されること、（ｉｉ）制御装置１２がスリープ状態から起動（省電力復帰）すること、及び、（ｉｉｉ）制御装置１２が再起動することを示す。

ステップＳ１１において、第１決定部１２ａが、検出装置１４から情報処理装置１０の使用環境を示す情報（使用環境を示す物理量）を取得する。具体的には、第１決定部１２ａは、第１検出部１４ａから供給電圧を示す情報を取得する。さらに、第１決定部１２ａは、第２検出部１４ｂから内部温度を示す情報を取得する。第１実施形態では、第１決定部１２ａは供給電圧Ｆａを検出し、第２検出部１４ｂは内部温度Ｇａを検出する。従って、第１実施形態では、第１決定部１２ａは、供給電圧Ｆａを示す情報と、内部温度Ｇａを示す情報とを取得する。

ステップＳ１２において、第１決定部１２ａは、トレーニング初期条件の決定処理を実行する。具体的には、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、トレーニング初期条件を決定する。

最新の構成情報は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの情報処理装置１０の構成情報を示す。つまり、最新の構成情報は、現在の情報処理装置１０の構成情報を示す。第１実施形態では、最新の構成情報は、第１記憶部２３に記憶される。

最新の使用環境を示す物理量は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの使用環境を示す物理量である。最新の使用環境を示す物理量は、検出装置１４によって検出される。最新の使用環境を示す物理量は、具体的には、最新供給電圧と、最新内部温度とを示す。最新供給電圧は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの供給電圧を示す。最新内部温度は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの内部温度を示す。

トレーニング初期条件は、メモリートレーニングを開始する際に、基準となる物理量を示す。つまり、メモリートレーニングは、トレーニング初期条件で規定された物理量から開始される。トレーニング初期条件は、第１遅延量と、第２遅延量と、第１基準電圧と、第２基準電圧とを示す。第１遅延量と、第２遅延量との各々は、メモリートレーニングの開始時の遅延量を示す。つまり、第１遅延量と、第２遅延量との各々は、最新のメモリートレーニングの開始時の遅延量を示す。第１基準電圧と、第２基準電圧との各々は、メモリートレーニングの開始時の基準電圧を示す。つまり、第１基準電圧と、第２基準電圧との各々は、最新のメモリートレーニングの開始時の基準電圧を示す。

トレーニング初期条件を決定するとは、第１遅延量と、第２遅延量と、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定することを示す。

次に、図５を参照して、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定する手順について説明する。図５は、トレーニング初期条件の決定処理を示すフローチャートである。

図５に示すように、第１決定部１２ａは、所定の規定に基づいて、トレーニング初期条件を決定する。以下では、第１決定部１２ａが、所定の規定に基づいて、トレーニング初期条件を決定する手順（ステップＳ１２１〜ステップＳ１２３）について説明する。つまり、ステップＳ１２は、ステップＳ１２１〜ステップＳ１２３を含む。

ステップＳ１２１において、第１決定部１２ａは、複数の候補情報を決定する。複数の候補情報の各々は、トレーニング記録２４に含まれる複数のトレーニング情報２５のうち、最新の構成情報と同一の構成情報を有するトレーニング情報２５を示す。

第１実施形態では、最新の構成情報は、第１情報Ａ１と、第２情報Ｂ１と、第３情報Ｃ１と、第４情報Ｄ１と、第５情報Ｅ１とを有する。
これに対し、トレーニング記録２４において、第１トレーニング情報２５１と、第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）と、第Ｎトレーニング情報２５Ｎとが、第１情報Ａ１と、第２情報Ｂ１と、第３情報Ｃ１と、第４情報Ｄ１と、第５情報Ｅ１とを有し、最新の構成情報と同一の構成情報を有する（図３参照）。従って、第１決定部１２ａは、第１トレーニング情報２５１と、第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）と、第Ｎトレーニング情報２５Ｎとを、候補情報に決定する。

ステップＳ１２２において、第１決定部１２ａは、基準情報を決定する。第１決定部１２ａは、複数の候補情報のうち、いずれかを基準情報に決定する。

第１決定部１２ａが基準情報を決定する手順（（ｉ）〜（ｖ））について説明する。

（ｉ）第１決定部１２ａは、候補情報毎に、電圧差を算出する。電圧差は、供給電圧Ｆａと、候補情報に含まれる供給電圧との差を示す。具体的には、電圧差は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの供給電圧Ｆａと、候補情報に含まれる供給電圧との差を示す。

第１実施形態では、候補情報は、第１トレーニング情報２５１と、第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）と、第Ｎトレーニング情報２５Ｎとを含む。従って、第１決定部１２ａは、第１トレーニング情報２５１の電圧差と、第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）の電圧差と、第Ｎトレーニング情報２５Ｎとの電圧差とを算出する。
第１トレーニング情報２５１の電圧差は、電圧差（｜Ｆａ−Ｆ１｜）である。
第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）の電圧差は、電圧差（｜Ｆａ−Ｆ４｜）である。
第Ｎトレーニング情報２５Ｎの電圧差は、電圧差（｜Ｆａ−Ｆ５｜）である。

（ｉｉ）第１決定部１２ａは、候補情報毎に、温度差を算出する。温度差は、内部温度Ｇａと、候補情報に含まれる内部温度との差を示す。具体的には、電圧差は、最新のメモリートレーニングが実行されるときの内部温度Ｇａと、候補情報に含まれる供給電圧との差を示す。

第１実施形態では、第１トレーニング情報２５１の温度差は、温度差（｜Ｇａ−Ｇ１｜）である。
第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）の温度差は、温度差（｜Ｇａ−Ｇ４｜）である。
第Ｎトレーニング情報２５Ｎの温度差は、温度差（｜Ｇａ−Ｇ５｜）である。

（ｉｉｉ）第１決定部１２ａは、候補情報毎に、電圧差と温度差とに基づいて、使用環境の変化を表す第１環境値（環境値）を算出する。第１環境値は、電圧差に所定の第１係数α１を掛けた値と、温度差に所定の第２係数α２を掛けた値との和である。

第１係数α１と、第２係数α２との各々は、正の実数である。第１係数α１と、第２係数α２との各々は、予め設定されている。第１係数α１と、第２係数α２との各々を示す情報は、補助記憶装置２２に記憶される。第１係数α１と、第２係数α２との各々は、第１環境値に対応した大きさを有する。つまり、温度差よりも電圧差が第１環境値に反映される場合、第２係数α２よりも第１係数α１が大きい値に設定される（α１＞α２）。これに対し、電圧差よりも温度差が第１環境値に反映される場合、第１係数α１よりも第２係数α２が大きい値に設定される（α２＞α１）。また、電圧差と温度差とが第１環境値に平等に反映される場合、第１係数α１と第２係数α２とが互いに等しい値に設定される（α１＝α２）。

第１実施形態では、第１トレーニング情報２５１は、第１環境値Ｚ１（Ｚ１＝α１×（｜Ｆａ−Ｆ１｜）＋α２×（｜Ｇａ−Ｇ４｜））を有する。
第（Ｎ−１）トレーニング情報２５（Ｎ−１）は、第１環境値Ｚ２（Ｚ２＝α１×（｜Ｆａ−Ｆ４｜）＋α２×（｜Ｇａ−Ｇ４｜））を有する。
第Ｎトレーニング情報２５Ｎは、第１環境値Ｚ３（Ｚ３＝α１×（｜Ｆａ−Ｆ５｜）＋α２×（｜Ｇａ−Ｇ５｜））を有する。

（ｉｖ）第１決定部１２ａは、候補情報毎に算出した第１環境値のうち、最小の値を有する最小第１環境値を決定する。

第１実施形態では、第１環境値Ｚ１、第１環境値Ｚ２、及び第１環境値Ｚ３のうち、第１環境値Ｚ３が最小の値を有する（Ｚ１＞Ｚ２＞Ｚ３）。従って、第１決定部１２ａは、第１環境値Ｚ３を、最小環境値に決定する。

（ｖ）第１決定部１２ａは、最小環境値に対応するトレーニング情報２５を、基準情報に決定する。

第１実施形態では、第１決定部１２ａは、第１環境値Ｚ３に対応する第Ｎトレーニング情報２５Ｎを、基準情報に決定する。

第１決定部１２ａが基準情報を決定すると、処理がステップＳ１２３に移行する。

ステップＳ１２３において、第１決定部１２ａは、トレーニング初期条件を決定する。具体的には、第１決定部１２ａは、第１遅延量と、第２遅延量と、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定する。

第１決定部１２ａは、基準情報に含まれる許容遅延量の上限を、第１遅延量に決定する。
第１決定部１２ａは、基準情報に含まれる許容遅延量の下限を、第２遅延量に決定する。
第１決定部１２ａは、基準情報に含まれる許容レベルの上限を、第１基準電圧に決定する。
第１決定部１２ａは、基準情報に含まれる許容レベルの下限を、第２基準電圧に決定する。

第１実施形態では、第１決定部１２ａは、第Ｎトレーニング情報２５Ｎに含まれる許容遅延量の上限Ｈ５を、第１遅延量に決定する。
第１決定部１２ａは、第Ｎトレーニング情報２５Ｎに含まれる許容遅延量の下限Ｊ５を、第２遅延量に決定する。
第１決定部１２ａは、第Ｎトレーニング情報２５Ｎに含まれる許容レベルの上限Ｌ５を、第１基準電圧に決定する。
第１決定部１２ａは、第Ｎトレーニング情報２５Ｎに含まれる許容レベルの下限Ｍ５を、第２基準電圧に決定する。

以上、図５を参照して説明したように、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、トレーニング初期条件を決定する。従って、第１決定部１２ａは、トレーニング初期条件を決定する際、最新の使用環境を示す物理量をトレーニング初期条件に反映させることができる。その結果、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

また、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することで、情報処理装置１０の起動に要する時間を短縮できると共に、省電力復帰に要する時間を短縮することができる。その結果、情報処理装置１０を安定して稼働させることが可能となる。

続いて、図４、及び図６（ａ）〜図７（ｂ）を参照して、制御装置１２の動作について説明する。

図４に示すように、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定すると、処理がステップＳ１３に移行する。

ステップＳ１３において、実行部１２ｂは、トレーニング初期条件に基づいて、メモリートレーニングを実行する。すなわち、実行部１２ｂは、最新のメモリートレーニングを実行する。メモリートレーニングを実行するとは、実行部１２ｂが、許容遅延量の上限Ｈａと、許容遅延量の下限Ｊａと、許容レベルの上限Ｌａと、許容レベルの下限Ｍａとを算出することを示す。

メモリートレーニングは、第１の処理と、第２の処理と、第３の処理と、第４の処理とを含む。つまり、実行部１２ｂは、第１の処理と、第２の処理と、第３の処理と、第４の処理とを実行する。

図６（ａ）は、第１の処理と第２の処理とを示す第１の概念図である。図６（ｂ）は、第１の処理と第２の処理とを示す第２の概念図である。

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第１の処理において、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を変更する。具体的には、第１の処理において、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を漸次変更する。

なお、第１実施形態では、許容遅延量の上限Ｈ５が第１遅延量に決定される（ステップＳ１２３参照）。従って、実行部１２ｂは、上限Ｈ５から遅延量を変更する。

第１の処理において、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を変更し、遅延量を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信することで、許容遅延量の上限Ｈａを算出する。

具体的には、第１の処理において、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を変更（具体的には、漸増又は漸減）させる。そして、実行部１２ｂは、遅延量を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信する。そして、実行部１２ｂは、信号を受信する毎に、信号を誤りなく受信できたか否かを判定することで、許容遅延量の上限Ｈａを算出する。つまり、実行部１２ｂは、信号を誤りなく受信できるときと、信号を誤りなく受信できないときとの境界に対応する遅延量を、許容遅延量の上限Ｈａとして算出する。

図６（ａ）に示すように、信号の遅延量が第１遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できたと判定するとき、第１遅延量が許容遅延量に含まれる。従って、信号の遅延量が第１遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できたと判定するとき、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を漸増させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする信号の遅延量を、許容遅延量の上限Ｈａに近づけていき、許容遅延量の上限Ｈａを算出することができる。

これに対し、図６（ｂ）に示すように、信号の遅延量が第１遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できないと判定するとき、第１遅延量が許容遅延量に含まれない。従って、信号の遅延量が第１遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できないと判定するとき、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を漸減させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする信号の遅延量を、許容遅延量の上限Ｈａに近づけていき、許容遅延量の上限Ｈａを算出することができる。

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、第２の処理において、実行部１２ｂは、第２遅延量から遅延量を変更する。具体的には、第２の処理において、実行部１２ｂは、第２遅延量から遅延量を漸次変更する。

なお、第１実施形態では、許容遅延量の下限Ｊ５が第２遅延量に決定される（ステップＳ１２３参照）。従って、実行部１２ｂは、下限Ｊ５から遅延量を変更する。

第２の処理において、実行部１２ｂは、第２遅延量から遅延量を変更し、遅延量を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信することで、許容遅延量の下限Ｊａを算出する。

具体的には、第２の処理において、実行部１２ｂは、第２遅延量から遅延量を変更（具体的には、漸増又は漸減）させる。そして、実行部１２ｂは、遅延量を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信する。そして、実行部１２ｂは、信号を受信する毎に、信号を誤りなく受信できたか否かを判定することで、許容遅延量の下限Ｊａを算出する。つまり、実行部１２ｂは、信号を誤りなく受信できるときと、信号を誤りなく受信できないときとの境界に対応する遅延量を、許容遅延量の下限Ｊａとして算出する。

図６（ａ）に示すように、信号の遅延量が第２遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できたと判定するとき、実行部１２ｂは、第１遅延量から遅延量を漸減させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする信号の遅延量を、許容遅延量の下限Ｊａに近づけていき、許容遅延量の下限Ｊａを算出することができる。

これに対し、図６（ｂ）に示すように、信号の遅延量が第２遅延量の状態で、実行部１２ｂが信号を誤りなく受信できないと判定するとき、実行部１２ｂは、第２遅延量から遅延量を漸増させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする信号の遅延量を、許容遅延量の下限Ｊａに近づけていき、許容遅延量の下限Ｊａを算出することができる。

図７（ａ）は、第３の処理と第４の処理とを示す第１の概念図である。図７（ｂ）は、第３の処理と第４の処理とを示す第２の概念図である。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第３の処理において、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を変更する。具体的には、第３の処理において、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を漸次変更する。

なお、第１実施形態では、許容レベルの上限Ｌ５が第１基準電圧に決定される（ステップＳ１２３参照）。従って、実行部１２ｂは、上限Ｌ５から基準電圧を変更する。

第３の処理において、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を変更し、基準電圧を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信することで、許容レベルの上限Ｌａを算出する。

具体的には、第３の処理において、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を変更（具体的には、漸増又は漸減）させる。そして、実行部１２ｂは、基準電圧を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信すると共に、変更後の基準電圧に基づいて信号の示す情報を算出する。そして、実行部１２ｂは、信号の示す情報を誤りなく算出できたか否かを判定することで、許容レベルの上限Ｌａを算出する。つまり、実行部１２ｂは、信号の示す情報を誤りなく算出できるときと、信号の示す情報を誤りなく算出できないときとの境界に対応する基準電圧を、許容レベルの上限Ｌａとして算出する。なお、実行部１２ｂは、信号の示す情報を予め知っている状態で信号を受信する。そして、実行部１２ｂは、受信した信号の示す情報を算出して、算出した情報と予め知っている情報とを比較し、受信した信号の示す情報を誤りなく算出できたか否かを判定する。

図７（ａ）に示すように、基準電圧が第１基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できたと判定するとき、第１基準電圧が許容レベルに含まれる。従って、基準電圧が第１基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できたと判定するとき、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を漸増させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする基準電圧を、許容レベルの上限Ｌａに近づけていき、許容レベルの上限Ｌａを算出することができる。

これに対し、図７（ｂ）に示すように、基準電圧が第１基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できないと判定するとき、第１基準電圧が許容レベルに含まれない。従って、基準電圧が第１基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できないと判定するとき、実行部１２ｂは、第１基準電圧から基準電圧を漸減させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする基準電圧を、許容レベルの上限Ｌａに近づけていき、許容レベルの上限Ｌａを算出することができる。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、第４の処理において、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を変更する。具体的には、第４の処理において、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を漸次変更する。

なお、第１実施形態では、許容レベルの下限Ｍ５が第１２準電圧に決定される（ステップＳ１２３参照）。従って、実行部１２ｂは、下限Ｍ５から基準電圧を変更する。

第４の処理において、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を変更し、基準電圧を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信することで、許容レベルの下限Ｍａを算出する。

具体的には、第４の処理において、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を変更（具体的には、漸増又は漸減）させる。そして、実行部１２ｂは、基準電圧を変更する毎に、主記憶装置２１から信号を受信すると共に、変更後の基準電圧に基づいて信号の示す情報を算出する。そして、実行部１２ｂは、信号の示す情報を誤りなく算出できたか否かを判定することで、許容レベルの下限Ｍａを算出する。つまり、実行部１２ｂは、信号の示す情報を誤りなく算出できるときと、信号の示す情報を誤りなく算出できないときとの境界に対応する基準電圧を、許容レベルの下限Ｍａとして算出する。

図７（ａ）に示すように、基準電圧が第２基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できたと判定するとき、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を漸減させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする基準電圧を、許容レベルの下限Ｍａに近づけていき、許容レベルの下限Ｍａを算出することができる。

これに対し、図７（ｂ）に示すように、基準電圧が第２基準電圧の状態で、実行部１２ｂが信号の示す情報を誤りなく算出できないと判定するとき、実行部１２ｂは、第２基準電圧から基準電圧を漸増させる。その結果、実行部１２ｂは、判定対象とする基準電圧を、許容レベルの下限Ｍａに近づけていき、許容レベルの下限Ｍａを算出することができる。

実行部１２ｂが、許容遅延量の上限Ｈａと、許容遅延量の下限Ｊａと、許容レベルの上限Ｌａと、許容レベルの下限Ｍａとを算出すると、ステップＳ１３に示す処理が終了する。

以上、図４、及び図６（ａ）〜図７（ｂ）を参照して説明したように、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、第１遅延量（第１実施形態では、上限Ｈ５）を決定する。従って、第１決定部１２ａは、第１遅延量を決定する際、最新の使用環境を示す物理量を第１遅延量に反映させることができ、第１遅延量を許容遅延量の上限Ｈａに近似した値に決定することが可能となる。その結果、実行部１２ｂが第１の処理を実行する際、第１の処理に要する時間を短縮することができ、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

また、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、第２遅延量（第１実施形態では、下限Ｊ５）を決定する。従って、第１決定部１２ａは、第２遅延量を決定する際、最新の使用環境を示す物理量を第２遅延量に反映させることができ、第２遅延量を許容遅延量の下限Ｊａに近似した値に決定することが可能となる。その結果、実行部１２ｂが第２の処理を実行する際、第２の処理に要する時間を短縮することができ、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

また、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、第１基準電圧（第１実施形態では、上限Ｌ５）を決定する。従って、第１決定部１２ａは、第１基準電圧を決定する際、最新の使用環境を示す物理量を第１基準電圧に反映させることができ、第１基準電圧を許容レベルの上限Ｌａに近似した値に決定することが可能となる。その結果、実行部１２ｂが第３の処理を実行する際、第３の処理に要する時間を短縮することができ、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

また、第１決定部１２ａは、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、トレーニング記録２４とに基づいて、第２基準電圧（第１実施形態では、下限Ｍ５）を決定する。従って、第１決定部１２ａは、第２基準電圧を決定する際、最新の使用環境を示す物理量を第２基準電圧に反映させることができ、第２基準電圧を許容レベルの下限Ｍａに近似した値に決定することが可能となる。その結果、実行部１２ｂが第４の処理を実行する際、第４の処理に要する時間を短縮することができ、メモリートレーニングに要する時間の増加を抑制することができる。

続いて、図４を参照して、制御装置１２の動作について説明する。

図４に示すように、ステップＳ１３に示す処理が終了すると、処理がステップＳ１４に移行する。

ステップＳ１４において、生成部１２ｃは、最新のトレーニング情報２５を、メモリートレーニング（ステップＳ１３参照）に基づいて生成する。すなわち、生成部１２ｃは、最新のトレーニング情報２５を、最新のメモリートレーニングに基づいて生成する。

最新のトレーニング情報２５は、最新の構成情報と、最新の使用環境を示す物理量と、最新のトレーニング結果とを対応付けた情報を示す。

最新のトレーニング結果は、最新のメモリートレーニングのトレーニング結果を示す。最新のトレーニング結果は、具体的には、最新のメモリートレーニングで算出された許容遅延量の上限Ｈａと、最新のメモリートレーニングで算出された許容遅延量の下限Ｊａと、最新のメモリートレーニングで算出された許容レベルの上限Ｌａと、最新のメモリートレーニングで算出された許容レベルの下限Ｍａとを含む。

また、最新のトレーニング結果は、目標遅延量Ｋａと、基準レベルＰａとをさらに含む。具体的には、最新のトレーニング結果は、情報処理装置１０の最新の稼働条件を示す目標遅延量Ｋａと、情報処理装置１０の最新の稼働条件を示す基準レベルＰａとをさらに含む。

目標遅延量Ｋａは、許容遅延量の上限Ｈａと許容遅延量の下限Ｊａとの中央値を示す。基準レベルＰａは、許容レベルの上限Ｌａと許容レベルの下限Ｍａとの中央値を示す。

第１実施形態では、最新のトレーニング情報２５は、構成情報として、第１情報Ａ１と、第２情報Ｂ１と、第３情報Ｃ１と、第４情報Ｄ１と、第５情報Ｅ１とを含む（ステップＳ１２１参照）。また、最新のトレーニング情報２５は、使用環境を示す物理量として、供給電圧Ｆａと、内部温度Ｇａとを含む（ステップＳ１１参照）。また、最新のトレーニング情報２５は、トレーニング結果として、許容遅延量の上限Ｈａと、許容遅延量の下限Ｊａと、許容レベルの上限Ｌａと、許容レベルの下限Ｍａと、目標遅延量Ｋａと、基準レベルＰａとを含む。

生成部１２ｃが最新のトレーニング結果を生成すると、メモリートレーニングが完了する。つまり、生成部１２ｃが、目標遅延量Ｋａと基準レベルＰａとを算出すると、メモリートレーニングが完了する。

ステップＳ１５において、生成部１２ｃは、最新のメモリートレーニングの記録である最新のトレーニング情報２５を、補助記憶装置２２に記憶する。具体的には、生成部１２ｃは、最新のトレーニング情報２５をトレーニング記録２４に追加する。

ステップＳ１６において、第２決定部１２ｄは、目標遅延量Ｋａと、基準レベルＰａとを、情報処理装置１０の稼働条件に決定する。

ステップＳ１７において、制御部１２ｅは、情報処理装置１０を通常稼働させる。つまり、制御部１２ｅは、第２決定部１２ｄが決定した稼働条件で情報処理装置１０を稼働させる。具体的には、制御部１２ｅは、目標遅延量Ｋａと、基準レベルＰａとに基づいて、情報処理装置１０を稼働させる。従って、制御部１２ｅは、信号の遅延量が目標遅延量Ｋａになるように信号を制御する。また、制御部１２ｅは、基準レベルＰａを用いて信号の示す情報を算出する。つまり、制御部１２ｅは、基準レベルＰａを基準にして、信号の示す情報が「０」及び「１」のうち、どちらを示すかを算出する。

以上、図４を参照して説明したように、生成部１２ｃは、最新のメモリートレーニングの記録である最新のトレーニング情報２５を、補助記憶装置２２に記憶し、トレーニング記録２４に追加する。従って、トレーニング記録２４が有する情報量を増大させることができ、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件をより精度よく決定することができる。つまり、第１決定部１２ａが、第１遅延量を許容遅延量の上限に、より近似した値に決定することができる。また、第１決定部１２ａが、第２遅延量を許容遅延量の下限に、より近似した値に決定することができる。また、第１決定部１２ａが、第１基準電圧を許容レベルの上限に、より近似した値に決定することができる。また、第１決定部１２ａが、第２基準電圧を許容レベルの下限に、より近似した値に決定することができる。その結果、メモリートレーニングに要する時間の増加を効果的に抑制することができる。

また、制御部１２ｅは、メモリートレーニングによって算出された目標遅延量Ｋａと、基準レベルＰａとに基づいて、情報処理装置１０を稼働させる。従って、信号の示す情報を誤りなく送受信する精度を向上させることができる。つまり、信号伝送の信頼性を向上させることができる。その結果、情報処理装置１０を安定して稼働させることができる。

［第２実施形態］
次に、図８を参照して、画像形成装置１００の第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態の制御装置１２の動作を示すフローチャートである。

第２実施形態の情報処理装置１０は、情報処理装置１０の起動時のみならず、情報処理装置１０の起動中もメモリートレーニングを実行する点で、第１実施形態の情報処理装置１０と異なる。

第２実施形態の情報処理装置１０は、第１実施形態の情報処理装置１０と同様の手順で、情報処理装置１０の起動時にメモリートレーニングを実行する（図４参照）。従って、第２実施形態において、情報処理装置１０の起動時のメモリートレーニングについての説明は省略し、情報処理装置１０の起動中のメモリートレーニングについて説明する。

図８に示すように、ステップＳ１７において、制御部１２ｅは、情報処理装置１０を通常稼働させる。第２実施形態のステップＳ１７に示す処理は、第１実施形態のステップＳ１７に示す処理と同様である。つまり、第１実施形態のステップＳ１０〜ステップＳ１６に示す処理が実行された後に、第２実施形態のステップＳ１７に示す処理が実行される。

ステップＳ１８において、情報処理装置１０が通常稼働を開始してから一定時間が経過しているか否かを、制御部１２ｅが判定する。具体的には、制御部１２ｅは、タイマーを含み、タイマーを用いて一定時間が経過したか否かを判定する。一定時間は予め設定される。一定時間を示す情報は、補助記憶装置２２に記憶される。一定時間は、入力部３を介して変更可能である。

情報処理装置１０が通常稼働を開始してから一定時間が経過したと制御部１２ｅが判定すると（ステップＳ１８で、Ｙｅｓ）、処理がステップＳ１９に移行する。これに対し、情報処理装置１０が通常稼働を開始してから一定時間が経過していないと制御部１２ｅが判定すると（ステップＳ１８で、Ｎｏ）、処理がステップＳ１７に移行する。

ステップＳ１９において、第１決定部１２ａが、検出装置１４から情報処理装置１０の使用環境を示す情報（使用環境を示す物理量）を取得する。具体的には、情報処理装置１０が通常稼働を開始してから一定時間が経過すると、検出装置１４が使用環境を検出する。そして、第１決定部１２ａは、検出装置１４から、使用環境を示す情報を取得する。第２実施形態では、情報処理装置１０が通常稼働を開始してから一定時間が経過した後、第１決定部１２ａが供給電圧Ｆｂを検出すると共に、第２検出部１４ｂが内部温度Ｇｂを検出する。従って、第２実施形態では、第１決定部１２ａは、供給電圧Ｆｂを示す情報と、内部温度Ｇｂを示す情報とを取得する。

ステップＳ２０において、第１決定部１２ａは、第２環境値Ｚ４が規定値β以上であるか否かを判定する。第２環境値Ｚ４は、直近のメモリートレーニング時の使用環境に対する使用環境の変化を表す。具体的には、第１決定部１２ａは、最新の使用環境を示す物理量（供給電圧Ｆｂ、及び内部温度Ｇｂ）と、直近のメモリートレーニング時の使用環境を示す物理量（供給電圧Ｆａ、及び内部温度Ｇａ）とに基づいて、第２環境値Ｚ４（Ｚ４＝α１×（｜Ｆａ−Ｆｂ｜）＋α２×（｜Ｇａ−Ｇｂ｜））を算出する。そして、第１決定部１２ａは、第２環境値Ｚ４が規定値β以上であるか否かを判定する。規定値βは、予め設定される。規定値βを示す情報は、補助記憶装置２２に記憶される。規定値βは、入力部３を介して変更可能である。

第２環境値Ｚ４が規定値β以上であると第１決定部１２ａが判定すると（ステップＳ２０で、Ｙｅｓ）、処理がステップＳ２１に移行する。
これに対し、第２環境値Ｚ４が規定値βよりも小さいと第１決定部１２ａが判定すると（ステップＳ２０で、Ｎｏ）、処理がステップＳ１７に移行する。従って、第２環境値が規定値βよりも小さいと第１決定部１２ａが判定すると、実行部１２ｂがメモリートレーニングを実行しない。

ステップＳ２１〜ステップＳ２５は、第１実施形態のステップＳ１２〜ステップＳ１６に対応する。従って、ステップＳ２１において、第１決定部１２ａは、ステップＳ１２に示す手順で、トレーニング初期条件を決定する。なお、ステップＳ２１において、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定するとき、ステップＳ１９において、検出装置１４から取得した使用環境を示す情報（供給電圧Ｆｂ、及び内部温度Ｇｂ）を使用する。ステップＳ２２において、実行部１２ｂは、ステップＳ１３に示す手順で、メモリートレーニングを実行する。ステップＳ２３において、生成部１２ｃは、ステップＳ１４に示す手順で、最新のトレーニング情報２５を生成する。ステップＳ２４において、生成部１２ｃは、ステップＳ１５に示す手順で、最新のトレーニング情報２５を補助記憶装置２２に記憶させる。ステップＳ２５において、第２決定部１２ｄは、ステップＳ１６に示す手順で、情報処理装置１０の稼働条件を決定する。ステップＳ２５に示す処理が終了すると、処理がステップＳ１７に移行する。その結果、制御部１２ｅは、ステップＳ２５で決定された稼働条件で、情報処理装置１０を通常稼働させる。そして、ステップＳ１８〜ステップＳ２０に示すように、一定時間が経過すると、情報処理装置１０の使用環境が、規定値β以上であるか否かを、第１決定部１２ａが判定する。

以上、図８を参照して説明したように、情報処理装置１０の稼働中、一定時間経過する毎に、使用環境を示す物理量である第１物理量を、検出装置１４が検出する。そして、第１物理量と、直近のメモリートレーニング時の使用環境を示す物理量とに基づいて、第１決定部１２ａが第２環境値を検出する。そして、第２環境値が規定値β以上であると第１決定部１２ａが判定すると、実行部１２ｂがメモリートレーニングを実行する。従って、情報処理装置１０の稼働中に使用環境を示す物理量が変化しても、信号伝送の信頼性の低下を抑制することができ、信号品質の悪化を防ぐことができる。その結果、情報処理装置１０を安定して稼働させることができる。

以上、図面（図１〜図８）を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である（例えば、（１）〜（８））。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の個数等は、図面作成の都合から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。

（１）第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定する際、クラスタリングのような機械学習を用いてもよい。具体的には、トレーニング記録２４に含まれる複数のトレーニング情報２５を、第１決定部１２ａが、機械学習を用いて複数のグループに分類する。複数のトレーニング情報２５の分類は、構成情報、使用環境を示す物理量、及びトレーニング結果に基づいて行われる。そして、最新のメモリートレーニングが実行されると、第１決定部１２ａは、複数のグループのうち、近似グループを選択する。近似グループは、複数の所定のトレーニング情報２５で構成される。所定のトレーニング情報２５は、最新のメモリートレーニング時の構成情報に近似する構成情報と、最新のメモリートレーニング時の使用環境を示す物理量に近似する物理量とを含む。そして、第１決定部１２ａは、近似グループから基準情報を決定し、トレーニング初期条件を決定する。その結果、トレーニング初期条件をより精度よく決定することができる。

（２）第１決定部１２ａは、試験情報に基づいてトレーニング初期条件を決定してもよい。試験情報は、試験環境でメモリートレーニングが実行されることによって取得された複数のトレーニング情報を示す。試験情報は、ユーザーに情報処理装置１０が出荷される前に取得され、補助記憶装置２２に予め記憶される。
例えば、経時による情報処理装置１０（具体的には、制御装置１２と、記憶装置１１）の劣化が軽微な場合、試験情報に基づいて、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定する。
また、情報処理装置１０の累積稼働時間が所定時間よりも少ない場合、メモリートレーニングの実行回数が少なく、トレーニング記録２４に含まれるトレーニング情報２５が少ない。この場合、試験情報に基づいて、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件を決定してもよい。その結果、トレーニング初期条件を精度よく決定することができる。

（３）第２実施形態では、一定時間が経過する毎に、第２環境値Ｚ４が規定値β以上であるか否かを、第１決定部１２ａが判定する（ステップＳ２０参照）。そして、第２環境値Ｚ４が規定値β以上であると第１決定部１２ａが判定すると、実行部１２ｂがメモリートレーニングを実行する。しかし、本発明はこれに限定されない。以下では、第２実施形態の変形例を説明する。

画像形成装置１００が所定の動作を行う毎に、使用環境を示す物理量である第２物理量を、検出装置１４が検出する。そして、第２物理量と、直近のメモリートレーニング時の使用環境を示す物理量とに基づいて、第１決定部１２ａが第２環境値を検出する。そして、第２環境値が規定値β以上であると第１決定部１２ａが判定すると、実行部１２ｂがメモリートレーニングを実行する。

所定の動作は、画像形成装置１００の動作のうち、使用環境を示す物理量が所定値以上変化するような動作を示す。所定の動作は、例えば、画像形成装置１００が印刷を行う動作である。所定の動作は、予め決められている。また、所定値は、予め定められている。

従って、画像形成装置１００が所定の動作を行い、使用環境を示す物理量が所定値以上変化すると、メモリートレーニングが実行される。言い換えれば、画像形成装置１００が所定の動作を行い、第２環境値が規定値β以上変化すると、メモリートレーニングが実行される。従って、情報処理装置１０が所定の動作を行い、使用環境を示す物理量が変化しても、信号伝送の信頼性の低下を抑制することができ、信号品質の悪化を防ぐことができる。その結果、情報処理装置１０を安定して稼働させることができる。

（４）トレーニング記録２４に含まれる複数のトレーニング情報２５の個数が所定数以上になると、生成部１２ｃが最新のトレーニング情報２５を生成する処理（ステップＳ１４参照）を中止してもよい。つまり、トレーニング初期条件を精度よく決定するのに十分の個数のトレーニング情報２５が、トレーニング記録２４に蓄積されると、最新のメモリートレーニングが実行されても、生成部１２ｃがトレーニング記録２４に最新のトレーニング情報２５を追加しない。その結果、補助記憶装置２２に容量不足が発生することを抑制することができる。

（５）トレーニング記録２４をクラウドに保存してもよい。従って、第１決定部１２ａは、トレーニング記録２４のうち必要な情報をクラウドから受信して、トレーニング初期条件を決定することができる。その結果、補助記憶装置２２の容量を考慮することなく、トレーニング記録２４に最新のトレーニング情報２５を追加することができる。

（６）構成情報は、第１情報〜第５情報を含む。詳細には、トレーニング記録２４に含まれる過去の構成情報と、第１記憶部２３が記憶する最新の構成情報との各々は、第１情報〜第５情報を含む。しかし、本発明は、これに限定されない。構成情報は、第１情報〜第５情報のうち、少なくとも１つの情報を含んでいればよい。しかし、第１実施形態、及び第２実施形態に示すように、構成情報は第１情報〜第５情報を含む方が、第１決定部１２ａがトレーニング初期条件をより精度よく決定できる点で有利である。

（７）使用環境を示す物理量は、供給電圧と、内部温度とを示す。詳細には、トレーニング記録２４に含まれる過去の使用環境を示す物理量と、検出装置１４（第１検出部１４ａ、及び第２検出部１４ｂ）が検出する使用環境を示す物理量との各々は、供給電圧と、内部温度とを示す。しかし、本発明はこれに限定されない。使用環境を示す物理量について、（７−１）、又は（７−２）のように構成してもよい。

（７−１）使用環境を示す物理量は、供給電圧を示し、内部温度を示さなくてもよい。この場合、第２検出部１４ｂが不要となる。また、トレーニング記録２４において、内部温度を示す情報は不要となる。また、ステップＳ１１において、第１決定部１２ａが内部温度Ｇａを示す情報を取得する処理は不要となる。また、ステップＳ１２２において、第１決定部１２ａは、複数の候補情報のうち、最新供給電圧に最も近似した供給電圧を有する候補情報を、基準情報に決定する。例えば、第１決定部１２ａは、複数の候補情報のうち、候補情報毎に電圧差を算出する。そして、第１決定部１２ａは、候補情報毎に算出した電圧差のうち、最小の値を有する最小電圧差を決定する。そして、第１決定部１２ａは、最小電圧差に対応するトレーニング情報２５を、基準情報に決定する。従って、ステップＳ１２２において、候補情報毎に、温度差を算出する処理が不要となる。また、ステップＳ１９において、第１決定部１２ａが内部温度Ｇｂを示す情報を取得する処理は不要となる。また、ステップＳ２０において、第２環境値は、第２環境値（｜Ｆａ−Ｆｂ｜）になる。

（７−２）使用環境を示す物理量は、内部温度を示し、供給電圧を示さなくてもよい。この場合、第１検出部１４ａが不要となる。また、トレーニング記録２４において、供給電圧を示す情報は不要となる。また、ステップＳ１１において、第１決定部１２ａが供給電圧Ｆａを示す情報を取得する処理は不要となる。また、ステップＳ１２２において、第１決定部１２ａは、複数の候補情報のうち、最新内部温度に最も近似した内部温度を有する候補情報を、基準情報に決定する。例えば、第１決定部１２ａは、複数の候補情報のうち、候補情報毎に温度差を算出する。そして、第１決定部１２ａは、候補情報毎に算出した温度差のうち、最小の値を有する最小温度差を決定する。そして、第１決定部１２ａは、最小温度差に対応するトレーニング情報２５を、基準情報に決定する。従って、ステップＳ１２２において、候補情報毎に、電圧差を算出する処理が不要となる。また、ステップＳ１９において、第１決定部１２ａが供給電圧Ｆｂを示す情報を取得する処理は不要となる。また、ステップＳ２０において、第２環境値は、第２環境値（｜Ｇａ−Ｇｂ｜）になる。

（８）第１実施形態では、第１決定部１２ａは、ステップＳ１２（詳細には、ステップＳ１２１〜ステップＳ１２３）に示す手順で、トレーニング初期条件を決定する。詳細には、第１決定部１２ａは、ステップＳ１２に示す手順で、第１遅延量と、第２遅延量と、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定する。しかし、本発明はこれに限定されない。第１決定部１２ａが、第１遅延量と、第２遅延量と、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定する手順について、（８−１）、又は（８−２）のように構成してもよい。

（８−１）ステップＳ１２において、第１決定部１２ａは、ステップＳ１２に示す手順で、第１遅延量と、第２遅延量とを決定するのに対し、ステップＳ１２に示す手順以外の手順で、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定してもよい。

（８−２）ステップＳ１２において、第１決定部１２ａは、ステップＳ１２に示す手順で、第１基準電圧と、第２基準電圧とを決定するのに対し、ステップＳ１２に示す手順以外の手順で、第１遅延量と、第２遅延量とを決定してもよい。

本発明は、起動時にメモリートレーニングを実行する情報処理装置、及び画像形成装置の分野に利用可能である。

４ 筐体
４ａ 筐体の内部
１０ 情報処理装置
１２ 制御装置
１２ａ 第１決定部（決定部）
１２ｂ 実行部
１２ｆ クロック生成部
１４ 検出装置
１４ａ 第１検出部
１４ｂ 第２検出部
２１ 主記憶装置
２２ 補助記憶装置
２３ 第１記憶部
２４ トレーニング記録
２５ トレーニング情報
２６ 第２記憶部
１００ 画像形成装置
Ｈａ 許容遅延量の上限
Ｊａ 許容遅延量の下限
Ｌａ 許容レベルの上限
Ｍａ 許容レベルの下限

Claims (5)

1. 制御装置、主記憶装置、及び補助記憶装置を備える情報処理装置であって、
   前記情報処理装置の使用環境を示す物理量を検出する検出装置を備え、
   前記制御装置は、
   トレーニング初期条件を決定する決定部と、
   前記トレーニング初期条件に基づいて、メモリートレーニングを実行する実行部と
   を有し、
   前記補助記憶装置は、
   前記情報処理装置の構成を示す構成情報を記憶する第１記憶部と、
   過去に実行された複数の前記メモリートレーニングの記録であるトレーニング記録を記憶する第２記憶部と
   を有し、
   前記トレーニング記録は、複数のトレーニング情報を含み、
   前記複数のトレーニング情報は、それぞれ、過去に実行された前記複数のメモリートレーニングに対応し、
   前記複数のトレーニング情報の各々は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記構成情報と、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記使用環境を示す物理量と、過去に実行された前記メモリートレーニングのトレーニング結果とを対応付けた情報を示し、
   前記決定部は、最新の前記構成情報と、最新の前記使用環境を示す物理量と、前記トレーニング記録とに基づいて、前記トレーニング初期条件を決定し、
   前記最新の構成情報は、最新の前記メモリートレーニングが実行されるときの前記構成情報を示し、
   前記最新の使用環境を示す物理量は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記使用環境を示す物理量であり、
   前記トレーニング初期条件は、前記メモリートレーニングの開始時の基準電圧である第１基準電圧と第２基準電圧とを示し、
   前記基準電圧は、信号の示す情報を前記制御装置が算出する際に用いる電圧を示し、
   前記メモリートレーニングは、
   前記第１基準電圧から前記基準電圧を変更し、前記基準電圧を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、許容レベルの上限を算出する第３の処理と、
   前記第２基準電圧から前記基準電圧を変更し、前記基準電圧を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、前記許容レベルの下限を算出する第４の処理と
   を含み、
   前記複数のトレーニング情報の各々に含まれる前記トレーニング結果は、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容レベルの上限と、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容レベルの下限とを含み、
   前記決定部は、前記最新の構成情報と、前記最新の使用環境を示す物理量と、前記トレーニング記録とに基づいて、前記第１基準電圧と、前記第２基準電圧とを決定する、情報処理装置。
2. 前記検出装置は、前記制御装置に供給される電圧である供給電圧を検出する第１検出部を有し、
   前記複数のトレーニング情報の各々に含まれる前記使用環境を示す物理量は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記供給電圧を示し、
   前記決定部は、
   前記トレーニング記録に含まれる前記複数のトレーニング情報のうち、前記最新の構成情報と同一の前記構成情報を有するトレーニング情報を、候補情報に決定し、
   複数の前記候補情報のうち、最新供給電圧に最も近似した前記供給電圧を有する候補情報を、基準情報に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの上限を、前記第１基準電圧に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの下限を、前記第２基準電圧に決定し、
   前記最新供給電圧は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記供給電圧を示す、請求項１に記載の情報処理装置。
3. 前記制御装置、及び前記主記憶装置を収容する筐体をさらに備え、
   前記検出装置は、前記筐体の内部の温度である内部温度を検出する第２検出部を有し、
   前記複数のトレーニング情報の各々に含まれる前記使用環境を示す物理量は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記内部温度を示し、
   前記決定部は、
   前記トレーニング記録に含まれる前記複数のトレーニング情報のうち、前記最新の構成情報と同一の前記構成情報を有するトレーニング情報を、候補情報に決定し、
   複数の前記候補情報のうち、最新内部温度に最も近似した前記内部温度を有する候補情報を、基準情報に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの上限を、前記第１基準電圧に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの下限を、前記第２基準電圧に決定し、
   前記最新内部温度は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記内部温度を示す、請求項１に記載の情報処理装置。
4. 前記制御装置、及び前記主記憶装置を収容する筐体をさらに備え、
   前記検出装置は、
   前記制御装置に供給される電圧である供給電圧を検出する第１検出部と、
   前記筐体の内部の温度である内部温度を検出する第２検出部と
   を有し、
   前記複数のトレーニング情報の各々に含まれる前記使用環境を示す物理量は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記供給電圧と、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記内部温度とを示し、
   前記決定部は、
   前記トレーニング記録に含まれる前記複数のトレーニング情報のうち、前記最新の構成情報と同一の前記構成情報を有するトレーニング情報を、候補情報に決定し、
   前記候補情報毎に、最新供給電圧と前記候補情報に含まれる前記供給電圧との差を示す電圧差を算出すると共に、最新内部温度と前記候補情報に含まれる前記内部温度との差を示す温度差を算出して、前記電圧差と前記温度差とに基づいて、前記使用環境を表す環境値を算出し、
   複数の前記候補情報のうち、最小の前記環境値に対応する候補情報を、基準情報に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの上限を、前記第１基準電圧に決定し、
   前記基準情報に含まれる前記許容レベルの下限を、前記第２基準電圧に決定し、
   前記最新供給電圧は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記供給電圧を示し、
   前記最新内部温度は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記内部温度を示す、請求項１に記載の情報処理装置。
5. 制御装置、主記憶装置、及び補助記憶装置を備える情報処理装置であって、
   前記情報処理装置の使用環境を示す物理量を検出する検出装置を備え、
   前記制御装置は、
   トレーニング初期条件を決定する決定部と、
   前記トレーニング初期条件に基づいて、メモリートレーニングを実行する実行部と
   を有し、
   前記補助記憶装置は、
   前記情報処理装置の構成を示す構成情報を記憶する第１記憶部と、
   過去に実行された複数の前記メモリートレーニングの記録であるトレーニング記録を記憶する第２記憶部と
   を有し、
   前記トレーニング記録は、複数のトレーニング情報を含み、
   前記複数のトレーニング情報は、それぞれ、過去に実行された前記複数のメモリートレーニングに対応し、
   前記複数のトレーニング情報の各々は、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記構成情報と、過去に前記メモリートレーニングが実行されたときの前記使用環境を示す物理量と、過去に実行された前記メモリートレーニングのトレーニング結果とを対応付けた情報を示し、
   前記決定部は、最新の前記構成情報と、最新の前記使用環境を示す物理量と、前記トレーニング記録とに基づいて、前記トレーニング初期条件を決定し、
   前記最新の構成情報は、最新の前記メモリートレーニングが実行されるときの前記構成情報を示し、
   前記最新の使用環境を示す物理量は、前記最新のメモリートレーニングが実行されるときの前記使用環境を示す物理量であり、
   前記制御装置は、前記制御装置が信号を送受信するタイミングの基準となるクロックを生成するクロック生成部をさらに備え、
   前記トレーニング初期条件は、前記メモリートレーニングの開始時の遅延量である第１遅延量及び第２遅延量と、前記メモリートレーニングの開始時の基準電圧である第１基準電圧及び第２基準電圧とを示し、
   前記遅延量は、前記クロックに対する前記信号の遅延量を示し、
   前記基準電圧は、前記信号の示す情報を前記制御装置が算出する際に用いる電圧を示し、
   前記メモリートレーニングは、
   前記第１遅延量から前記遅延量を変更し、前記遅延量を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、許容遅延量の上限を算出する第１の処理と、
   前記第２遅延量から前記遅延量を変更し、前記遅延量を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、前記許容遅延量の下限を算出する第２の処理と、
   前記第１基準電圧から前記基準電圧を変更し、前記基準電圧を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、許容レベルの上限を算出する第３の処理と、
   前記第２基準電圧から前記基準電圧を変更し、前記基準電圧を変更する毎に、前記実行部が前記主記憶装置から前記信号を受信することで、前記許容レベルの下限を算出する第４の処理と
   を含み、
   前記複数のトレーニング情報の各々に含まれる前記トレーニング結果は、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容遅延量の上限と、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容遅延量の下限と、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容レベルの上限と、過去に実行された前記メモリートレーニングで算出された前記許容レベルの下限とを含み、
   前記決定部は、前記最新の構成情報と、前記最新の使用環境を示す物理量と、前記トレーニング記録とに基づいて、前記第１遅延量と、前記第２遅延量と、前記第１基準電圧と、前記第２基準電圧とを決定する、情報処理装置。

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