JP6833053B2 - 感光性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、感光性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法に関する。

従来、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては、いわゆるフォトレジスト組成物である感光性樹脂組成物を用いたリソグラフィーによる微細加工が行われている。

このような感光性樹脂組成物として、例えば、特許文献１には、下記式（１）で表され、１気圧における融点が４０℃以下である化合物と、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂と、光酸発生剤とを含有する化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物が記載されている。

式中、Ｒ^１は、水素原子又は有機基を表す。Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４は、独立に、置換基を有していてもよい１価炭化水素基を表す。Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４の少なくとも２つは、互いに結合して環状構造を形成していてもよい。

特許文献２には、（Ａ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物と、（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂と、（Ｃ）アルカリの作用により分解しアルカリ現像液中での溶解度が増大する分子量３０００以下の化合物、あるいはアルカリの作用により分解しアルカリ現像液への親和性が増大する分子量３０００以下の化合物と、を含有することを特徴とするポジ型感光性組成物が記載されている。

特開２０１５−０４１０９８号公報 特開２００１−１０９１５６号公報

感光性樹脂組成物を用いたリソグラフィーにおいて、レジストパターン（単に「パターン」ともいう。）が形成された面に対して垂直な面におけるパターンの断面形状が矩形状に近いことが求められている。
本開示において、パターンが形成された面に対して垂直な面におけるパターンの断面形状を、単に「パターンの形状」ともいい、上記パターンの形状が矩形状に近いことを、「パターンの形状に優れる」という。
本発明者らは、鋭意検討した結果、特許文献１及び特許文献２に記載の感光性樹脂組成物を用いた場合、得られるパターンの形状がテーパー形状となる場合があることを見出した。

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、得られるパターンの形状に優れる感光性樹脂組成物、上記感光性樹脂組成物の固化物であるレジスト膜、上記レジスト膜によるパターン形成方法、及び、上記レジスト膜による電子デバイスの製造方法を提供することである。

上記課題を解決するための手段には、以下の態様が含まれる。
＜１＞ 樹脂と、
光酸発生剤と、
溶剤と、
低分子エステル化合物と、を含み、
上記低分子エステル化合物が、アルカリ分解性を有し、かつ、分子量が１，５００未満であり、
上記低分子エステル化合物の含有量が、組成物の全固形分に対し、０．１質量％以上６質量％以下である、
感光性樹脂組成物。
＜２＞ 上記低分子エステル化合物が炭素数５以上のアルキル基を含む、上記＜１＞に記載の感光性樹脂組成物。
＜３＞ 上記低分子エステル化合物がハロゲン化アルキル基を含む、上記＜１＞又は＜２＞に記載の感光性樹脂組成物。
＜４＞ 上記低分子エステル化合物が鎖状エステル化合物である、上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
＜５＞ 上記低分子エステル化合物が、下記式Ｂで表される化合物である、上記＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。

式Ｂ中、Ｒａは、電子求引性基を表し、Ｒｃはｎ価の炭化水素基を表し、Ｒｄはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ｎは、１〜３の整数を表す。
＜６＞ 上記光酸発生剤が下記式３により表される化合物を含む、上記＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。

式３中、ｏは１〜３の整数を表し、ｐは０〜１０の整数を表し、ｑは０〜１０の整数を表し、Ｘｆはそれぞれ独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｏが２以上の整数である場合、複数の−Ｃ（Ｘｆ）_２−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｐが２以上の整数である場合、複数の−ＣＲ^４Ｒ^５−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｌは、２価の連結基を表し、ｑが２以上の整数である場合、複数のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。
＜７＞ 上記樹脂が、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位を有する、上記＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
＜８＞ 上記樹脂が、下記式ＡＩにより表される構成単位を含む、上記＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。

式ＡＩ中、Ｘａ^１は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子、又は１価の有機基を表し、Ｔは、単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。
＜９＞ 含フッ素樹脂を更に含む、上記＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
＜１０＞ 式ｄ１−１〜式ｄ１−３により表される化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を更に含む、上記＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。

式ｄ１−１〜式ｄ１−３中、Ｒ^５１は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、Ｚ^２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ｓ原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合しないものとし、Ｒ^５２は有機基を表し、Ｙ^３は直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基又はアリーレン基を表し、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基を表し、Ｍ^＋はそれぞれ独立に、一価のカチオンを表す。
＜１１＞ 上記溶剤がγ-ブチロラクトンを含む、上記＜１＞〜＜１０＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。
＜１２＞ 上記樹脂が、下記式ＰＨにより表される構成単位を含む、上記＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の感光性樹脂組成物。

＜１３＞ 上記＜１＞〜＜１２＞のいずれか１つに記載の感光樹脂組成物の固化物であるレジスト膜。
＜１４＞ 上記＜１３＞に記載のレジスト膜を光により露光する工程、及び、
上記露光する工程後のレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程、を含む、
パターン形成方法。
＜１５＞ 上記露光する工程における露光がフッ化アルゴンレーザーを用いた液浸露光により行われる、上記＜１４＞に記載のパターン形成方法。
＜１６＞ 上記露光する工程における露光がフッ化クリプトンレーザーを用いた露光により行われる、上記＜１４＞に記載のパターン形成方法。
＜１７＞ 上記レジスト膜の厚さが２μｍ以上である、上記＜１４＞〜＜１６＞のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
＜１８＞ 上記現像液がアルカリ水溶液である、上記＜１４＞〜＜１７＞のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
＜１９＞ 上記＜１４＞〜＜１８＞のいずれか１つに記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。

本発明の実施形態によれば、得られるパターンの形状に優れる感光性樹脂組成物、上記感光性樹脂組成物の固化物であるレジスト膜、上記レジスト膜によるパターン形成方法、及び、上記レジスト膜による電子デバイスの製造方法を提供することができる。

以下、本開示について詳細に説明する。
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されない。
本明細書中における基（原子団）の表記について、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。また、本明細書中における「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
本明細書中における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光: Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）、Ｘ線、及び電子線（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）等を意味する。本明細書中における「光」とは、活性光線又は放射線を意味する。
本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、及びＸ線等による露光のみならず、電子線、及びイオンビーム等の粒子線による露光も含む。
本明細書において、「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。

本明細書において、（メタ）アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、（メタ）アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。
本明細書において、樹脂成分の重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）、及び分散度（分子量分布ともいう）（Ｍｗ／Ｍｎ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）装置（東ソー（株）製ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ）によるＧＰＣ測定（溶媒：テトラヒドロフラン、流量（サンプル注入量）：１０μＬ、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫ ｇｅｌ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｅ ＨＸＬ−Ｍ、カラム温度：４０℃、流速：１．０ｍＬ／分、検出器：示差屈折率検出器(Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ Ｉｎｄｅｘ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）)によるポリスチレン換算値として定義される。

本明細書において組成物中の各成分の量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該当する複数の物質の合計量を意味する。
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であっても工程の所期の目的が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において「全固形分」とは、組成物の全組成から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また、「固形分」とは、上述のように、溶剤を除いた成分であり、例えば、２５℃において固体であっても、液体であってもよい。
本明細書において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
また、本明細書において、２以上の好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。

（感光性樹脂組成物）
本開示に係る感光性樹脂組成物は、樹脂と、光酸発生剤と、溶剤と、低分子エステル化合物と、を含み上記低分子エステル化合物が、アルカリ分解性を有し、かつ、分子量が１，５００未満であり、上記低分子エステル化合物の含有量が、組成物の全固形分に対し、０．１質量％以上６質量％以下である。

本発明者らは、鋭意検討した結果、本開示に係る感光性樹脂組成物を用いた場合には、得られるパターンの形状に優れることを見出した。
上記効果が得られる詳細な機序は不明であるが、本開示に係る感光性樹脂組成物は、アルカリ分解性である低分子エステル化合物を、感光性樹脂組成物の全固形分に対し、０．１質量％以上６質量％以下の含有量で含有すること、及び、低分子エステル化合物の分子量が１，５００未満であることにより、現像時における現像液に対する溶解性が適切な範囲となり、得られるパターンの形状に優れると推測される。
特に、レジスト膜の膜厚が厚い場合（例えば、２μｍ以上）において、露光光がレジスト膜の底部まで届きにくいため、得られるパターンの形状がテーパー状（ポジ型のレジスト層として用いる場合）又は逆テーパー状（ネガ型のレジスト層として用いる場合）になりやすいが、本開示に係る感光性樹脂組成物によれば、このような膜厚が厚いレジスト膜を形成した場合であっても、現像後のパターン形状に優れるレジスト膜が得られやすいと考えられる。

また、特にフッ化アルゴンレーザーを用いた露光を行う場合に、歩留まりの向上のために、プロセスマージンの改善が求められている。
上記プロセスマージンの改善のためには、焦点深度（ＤＯＦ）の許容度が大きいことが重要であると考えられる。
本発明者らは、鋭意検討した結果、本開示に係る感光性樹脂組成物を用いることにより、ホールパターン及びドットパターンの形成における上記焦点深度（ＤＯＦ）の許容度が大きいレジスト膜が得られやすいことを見出した。
上記効果が得られる詳細な機序は不明であるが、低分子エステル化合物を特定の含有量で含有することによる、レジスト膜の可塑化による光酸発生剤等に由来する酸の拡散の助長、及び、現像液への溶解性の向上に由来すると推測される。
低分子エステル化合物は分子量が１５００未満であり、レジスト膜中での拡散性に優れると思われる。そのため、エステル化合物はレジスト膜中の疎水部（すなわち未露光部）への偏在性が高く、偏在した部分において可塑効果をもたらすと思われる。その結果、未露光部における酸の拡散性が露光部に対して相対的に向上し、ＤＯＦの許容度の向上に寄与すると推測される。また、後述する疎水性樹脂と併用することにより、レジスト膜の表面撥水性とＤＯＦの許容度の向上との両立が可能となる。

さらに、本開示に係る感光性樹脂組成物を用いることにより、後述するアルカリ現像液を用いた現像においては、現像欠陥の発生が抑制されやすいことを見出した。
これは、低分子エステル化合物がアルカリ分解性であり、かつ、含有量が組成物の全質量に対して６質量％以下と少量であることによる効果であると推測される。

本開示に係る感光性樹脂組成物は、レジスト組成物であることが好ましく、ポジ型のレジスト組成物であっても、ネガ型のレジスト組成物であってもよい。また、アルカリ現像用のレジスト組成物であっても、有機溶剤現像用のレジスト組成物であってもよい。
本開示に係る感光性樹脂組成物は、化学増幅型の感光性樹脂組成物であることが好ましい。
以下、本開示に係る感光性樹脂組成物（単に「組成物」ともいう。）に含まれる各成分の詳細について説明する。

＜低分子エステル化合物＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、低分子エステル化合物を含有する。
低分子エステル化合物は、アルカリ分解性を有し、かつ、分子量が１，５００未満の化合物である。
なお、後述する光酸発生剤に該当する化合物は、低分子エステル化合物には該当しないものとする。
本開示に係る低分子エステル化合物は、酸分解性基を有しないことが好ましい。
また、本開示に係る低分子エステル化合物は、光の露光により分解しないことが好ましい。

〔アルカリ分解性〕
本開示において用いられる低分子エステル化合物は、アルカリ分解性を有する。
本開示において、アルカリ分解性とは、アルカリ水溶液の作用により分解反応を起こす性質を意味する。
アルカリ分解性を有するとは、ｐＨ１０の緩衝液２ｍＬとＴＨＦ（テトラヒドロフラン）８ｍＬとの混合液にエステル化合物１００ｍｇを添加して、４０℃にて静置し、１０分後にエステル化合物が有するエステル結合の総量の３０ｍｏｌ％以上が加水分解することをいう。なお、分解率は、ＮＭＲ（Nuclear Magnetic Resonance）分析による原料と分解物との比から算出できる。

〔分子量〕
低分子エステル化合物の分子量は、１，５００未満であり、１，０００以下であることが好ましく、６００以下であることがより好ましい。
分子量の下限は特に限定されず、５０以上であることが好ましく、１５０以上であることがより好ましく、２００以上であることが更に好ましく、３００以上であることが特に好ましい。
低分子エステル化合物の分子量は、エレクトロスプレーイオン質量分析法（ＥＳＩ−ＭＳ）により測定される。

〔エステル結合〕
本開示において用いられる低分子エステル化合物におけるエステル結合は、カルボン酸エステル結合、スルホン酸エステル結合、リン酸エステル結合等が挙げられ、カルボン酸エステル結合であることが好ましい。
低分子エステル化合物におけるエステル結合（カルボン酸エステル結合）の数は、１以上１０以下であることが好ましく、１以上４以下であることがより好ましく、１又は２であることがさらに好ましい。

〔アルキル基又はアルキレン基〕
本開示において用いられる低分子エステル化合物は、パターン形状を向上させる観点から、炭素数５以上のアルキル基又は炭素数４以上のアルキレン基を含むことが好ましく、炭素数５以上のアルキル基を含むことがより好ましい。
上記炭素数５以上のアルキル基としては、パターン形状を向上させる観点から、炭素数８以上のアルキル基が好ましく、炭素数１０以上のアルキル基がより好ましい。
炭素数の上限としては、特に限定されず、４０以下であることが好ましく、３０以下であることがより好ましい。
上記炭素数５以上のアルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であっても環状であってもよく、これらを組み合わせた基であってもよい。
炭素数５以上のアルキル基は置換基を有していてもよく、置換基としてハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）を有するアルキル基は、後述するハロゲン化アルキル基に該当するものとする。
上記炭素数５以上のアルキル基は、エステル結合の炭素原子側の結合部位に直接結合していることが好ましい。

上記炭素数４以上のアルキレン基としては、パターン形状を向上させる観点から、炭素数６以上のアルキレン基が好ましく、炭素数１０以上のアルキレン基がより好ましい。
炭素数の上限としては、特に限定されず、４０以下であることが好ましく、３０以下であることがより好ましい。
上記炭素数４以上のアルキレン基は、直鎖状であっても分岐鎖状であっても環状であってもよく、これらを組み合わせた基であってもよい。
上記アルキレン基の２つの結合部位は、少なくとも一方がエステル結合の炭素原子側の結合部位に直接結合していることが好ましく、２つともがエステル結合の炭素原子側の結合部位に直接結合していることがより好ましい。

〔電子求引性基〕
低分子エステル化合物は、パターン形状の向上の観点、ＤＯＦの許容度の向上の観点及び現像欠陥の抑制の観点から、少なくとも１個以上の電子求引性基を有することが好ましい。電子求引性基の数は特に限定されず、１個〜５個が好ましく、１個〜４個がより好ましい。
電子求引性基としては、公知の電子求引性基が挙げられ、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又は、−ＣＯＯ−Ｒｂで表される基（Ｒｂはアルキル基を表す）が好ましく、ハロゲン化アルキル基がより好ましい。
なお、ハロゲン化アルキル基中のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又は、ヨウ素原子が挙げられる。
これらの中でも、本開示において用いられる低分子エステル化合物は、フッ化アルキル基を含むことが好ましい。

〔ハロゲン化アルキル基〕
本開示において用いられる低分子エステル化合物は、ハロゲン化アルキル基を含むことが好ましく、フッ化アルキル基を含むことがより好ましい。
ハロゲン化アルキル基は、直鎖状であっても分岐鎖状であっても環状であってもよく、これらを組み合わせた基であってもよい。
上記ハロゲン化アルキル基としては、アルキル基における水素原子のうち少なくとも１つがハロゲン原子により置換された基であればよいが、アルキル基の全ての水素原子がフッ素原子により置換された基であることが好ましい。
上記ハロゲン化アルキル基の炭素数は、１以上１０以下であることが好ましく、１以上４以下であることがより好ましく、１又は２であることが更に好ましく、１であることが特に好ましい。
すなわち、ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基が特に好ましい。

ハロゲン化アルキル基は、低分子エステル化合物中のいずれの部位に存在していてもよいが、エステル結合の酸素原子側の結合部位に直接結合する炭素原子と直接結合することが好ましい。また、上記炭素原子と結合するハロゲン化アルキル基の数は、１又は２であることが好ましく、２であることがより好ましい。

〔鎖状エステル化合物〕
低分子エステル化合物は、パターンの形状を向上させる観点から、鎖状エステル化合物であることが好ましい。
本開示において、鎖状エステル化合物とは、エステル結合が環構造中に含まれていないエステル化合物をいう。
低分子エステル化合物が複数のエステル結合を有する場合、少なくとも１つのエステル結合が環構造中に含まれていないエステル化合物であることが好ましく、全てのエステル結合が環構造中に含まれていないエステル化合物であることがより好ましい。

〔ＣｌｏｇＰ値〕
低分子エステル化合物のＣｌｏｇＰ値は特に限定されず、１〜１２が好ましく、３〜１１がより好ましい。
ＣＬｏｇＰ値とは、水−ｎ−オクタノール中での分配係数Ｐを常用対数で表示したＬｏｇＰのコンピュータ計算値であり、物質の親疎水性の程度を表す指標として用いられている。低分子エステル化合物のＣＬｏｇＰは、例えばＣａｍｂｒｉｄｇｅ Ｓｏｆｔ社のソフトウェア、Ｃｈｅｍ Ｄｒａｗ Ｕｌｔｒａ ８．０を用いることにより計算できる。

〔式Ａで表される部分構造〕
エステル化合物は、式Ａで表される部分構造を有することが好ましい。＊は、結合位置を表す。以下の部分構造を有するエステル化合物は、アルカリ分解性を有する。

式Ａ中、Ｒａは電子求引性基を表す。電子求引性基の好適態様は、上述した通りである。

本開示において用いられる低分子エステル化合物は、下記式Ｂで表される化合物であることが好ましい。

式Ｂ中、Ｒａは、電子求引性基を表し、Ｒｃはｎ価の炭化水素基を表し、Ｒｄはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ｎは、１〜３の整数を表す。ｎが２以上の場合、Ｒａは同一でも異なっていてもよい。

式Ｂ中、Ｒａは、電子求引性基を表す。電子求引性基の好適態様は、上述した通りである。
Ｒｃは、ｎ価の炭化水素基を表す。炭化水素基中の炭素数は特に限定されず、本開示に係る効果が優れる点で、２〜２５が好ましく、３〜２０がより好ましい。
炭化水素基は、鎖状であっても、環状であってもよい。なかでも、本開示に係る効果がより優れる点で、鎖状炭化水素基が好ましい。鎖状炭化水素基は、直鎖状でも、分岐鎖状でもよい。
また、Ｒｃは上述の炭素数５以上のアルキル基又は上述の炭素数４以上のアルキレン基であることが好ましく、上述の炭素数５以上のアルキル基がより好ましい。

Ｒｄは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基及びｔｅｒｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基及びｐ−トリルオキシ基等のアリールオキシ基；メトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基及びフェノキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；アセトキシ基、プロピオニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基；アセチル基、ベンゾイル基、イソブチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基及びメトキサリル基等のアシル基；メチルスルファニル基及びｔｅｒｔ−ブチルスルファニル基等のアルキルスルファニル基；フェニルスルファニル基及びｐ−トリルスルファニル基等のアリールスルファニル基；アルキル基；シクロアルキル基；アリール基；ヘテロアリール基；水酸基；カルボキシ基；ホルミル基；スルホ基；シアノ基；アルキルアミノカルボニル基；アリールアミノカルボニル基；スルホンアミド基；シリル基；アミノ基；モノアルキルアミノ基；ジアルキルアミノ基；アリールアミノ基；並びにこれらの組み合わせが挙げられる。

なかでも、本開示に係る効果がより優れる点で、Ｒｄの少なくとも一方が、電子求引性基であることが好ましい。電子求引性基の好適態様は、上述した通りである。

ｎは、１〜３の整数を表す。ｎは、１又は２が好ましい。

本開示において用いられる低分子エステル化合物の具体例を下記に示すが、これに限定されない。

本開示に係る感光性樹脂組成物は、低分子エステル化合物を１種単独で含有してもよいし、２種以上を併用してもよい。
低分子エステル化合物の含有量は、組成物の全固形分に対し、０．１質量％以上６質量％以下であり、１．０質量％以上５．０質量％以下であることが好ましく、１．５質量％以上４．０質量％以下であることがより好ましい。

＜樹脂＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、樹脂を含む。
上記樹脂は、後述する樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂を含むことが好ましい。
樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）は構造中にフッ素原子を含まない樹脂である。構造中にフッ素原子を含む樹脂は、後述する疎水性樹脂における含フッ素樹脂に該当するものとする。
上記樹脂は、酸の作用により分解し極性が増大する基（以下、「酸分解性基」とも言う）を有する樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」ともいう。）であることが好ましい。
この場合、本開示に係るパターン形成方法において、現像液としてアルカリ現像液を採用した場合には、ポジ型パターンが好適に形成され、現像液として有機系現像液を採用した場合には、ネガ型パターンが好適に形成される。

〔酸分解性基を有する構成単位〕
樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する構成単位を有することが好ましい。

樹脂（Ａ）としては、公知の樹脂を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／０２７４４５８号明細書の段落００５５〜０１９１、米国特許出願公開第２０１５／０００４５４４号明細書の段落００３５〜００８５、米国特許出願公開第２０１６／０１４７１５０号明細書の段落００４５〜００９０に開示された公知の樹脂を樹脂（Ａ）として好適に使用できる。

酸分解性基は、極性基が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等の酸性基（２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中で解離する基）、並びにアルコール性水酸基等が挙げられる。

なお、アルコール性水酸基とは、炭化水素基に結合した水酸基であって、芳香環上に直接結合した水酸基（フェノール性水酸基）以外の水酸基をいい、水酸基としてα位がフッ素原子などの電子求引性基で置換された脂肪族アルコール（例えば、ヘキサフルオロイソプロパノール基など）は除く。アルコール性水酸基としては、ｐＫａ（酸解離定数）が１２以上２０以下の水酸基であることが好ましい。

好ましい極性基としては、カルボキシ基、フェノール性水酸基、及びスルホン酸基が挙げられる。

酸分解性基として好ましい基は、これらの基の水素原子を酸の作用により脱離する基（脱離基）で置換した基である。
酸の作用により脱離する基（脱離基）としては、例えば、−Ｃ（Ｒ^３６）（Ｒ^３７）（Ｒ^３８）、−Ｃ（Ｒ^３６）（Ｒ^３７）（ＯＲ^３９）、及び−Ｃ（Ｒ^０１）（Ｒ^０２）（ＯＲ^３９）等を挙げることができる。
式中、Ｒ^３６〜Ｒ^３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ^３６とＲ^３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ^０１及びＲ^０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。

Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１及びＲ^０２のアルキル基は、炭素数１〜８のアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、へキシル基、及びオクチル基等を挙げることができる。
Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１及びＲ^０２のシクロアルキル基は、単環型でも、多環型でもよい。単環型としては、炭素数３〜８のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、及びシクロオクチル基等を挙げることができる。多環型としては、炭素数６〜２０のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基、及びアンドロスタニル基等を挙げることができる。なお、シクロアルキル基中の少なくとも１つの炭素原子が酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１及びＲ^０２のアリール基は、炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基、及びアントリル基等を挙げることができる。
Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１及びＲ^０２のアラルキル基は、炭素数７〜１２のアラルキル基が好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基、及びナフチルメチル基等を挙げることができる。
Ｒ^３６〜Ｒ^３９、Ｒ^０１及びＲ^０２のアルケニル基は、炭素数２〜８のアルケニル基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、及びシクロへキセニル基等を挙げることができる。
Ｒ^３６とＲ^３７とが互いに結合して形成される環としては、シクロアルキル基（単環又は多環）であることが好ましい。シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。

酸分解性基として、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタールエステル基、又は第３級のアルキルエステル基等が好ましく、アセタールエステル基、又は第３級アルキルエステル基がより好ましい。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する構成単位として、下記式ＡＩで表される構成単位を有することが好ましい。

式ＡＩ中、Ｘａ^１は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子、又は１価の有機基を表し、Ｔは、単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。

Ｔの２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−ＣＯＯ−Ｒｔ−、及び−Ｏ−Ｒｔ−等が挙げられる。式中、Ｒｔは、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
Ｔは、単結合又は−ＣＯＯ−Ｒｔ−が好ましく、単結合であることがより好ましい。Ｒｔは、炭素数１〜５の鎖状アルキレン基が好ましく、−ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_２−、又は−（ＣＨ_２）_３−がより好ましい。

Ｘａ^１は、水素原子又はアルキル基であることが好ましい。
Ｘａ^１のアルキル基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、例えば、水酸基、及びハロゲン原子が挙げられる。
Ｘａ^１のアルキル基は、炭素数１〜４が好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、及び、ヒドロキシメチル基等が挙げられる。Ｘａ^１のアルキル基は、メチル基であることが好ましい。

Ｒｘ^１、Ｒｘ^２及びＲｘ^３のアルキル基としては、直鎖状であっても、分岐状であってもよく、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、及びｔ−ブチル基などが好ましく挙げられる。アルキル基の炭素数としては、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜３が更に好ましい。Ｒｘ^１、Ｒｘ^２及びＲｘ^３のアルキル基は、炭素間結合の一部が二重結合であってもよい。
Ｒｘ^１、Ｒｘ^２及びＲｘ^３のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及びシクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、又はノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。

Ｒｘ^１、Ｒｘ^２及びＲｘ^３の２つが結合して形成する環構造としては、シクロペンチル環、シクロヘキシル環、シクロヘプチル環、及びシクロオクタン環などの単環のシクロアルカン環、又はノルボルナン環、テトラシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、及びアダマンタン環などの多環のシクロアルキル環が好ましい。シクロペンチル環、シクロヘキシル環、又はアダマンタン環がより好ましい。Ｒｘ^１、Ｒｘ^２及びＲｘ^３の２つが結合して形成する環構造としては、下記に示す構造も好ましい。

以下に式ＡＩで表される構成単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本開示は、これらの具体例に限定されない。下記の具体例は、式ＡＩにおけるＸａ^１がメチル基である場合に相当するが、Ｘａ^１は、水素原子、ハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換することができる。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する構成単位として、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０３３６〜０３６９に記載の構成単位を有することも好ましい。

また、樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する構成単位として、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０３６３〜０３６４に記載された酸の作用により分解してアルコール性水酸基を生じる基を含む構成単位を有していてもよい。

樹脂（Ａ）は、酸分解性基を有する構成単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を含んでもよい。

樹脂（Ａ）に含まれる酸分解性基を有する構成単位の含有量（酸分解性基を有する構成単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（Ａ）の全構成単位に対して、１０モル％〜９０モル％が好ましく、２０モル％〜８０モル％がより好ましく、３０モル％〜７０モル％が更に好ましい。

〔ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位〕
樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位を有することが好ましい。

ラクトン構造又はスルトン構造としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは５〜７員環ラクトン構造又は５〜７員環スルトン構造であり、５〜７員環ラクトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、又は５〜７員環スルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているもの、がより好ましい。下記式ＬＣ１−１〜ＬＣ１−２１のいずれかで表されるラクトン構造、又は下記式ＳＬ１−１〜ＳＬ１−３のいずれかで表されるスルトン構造を有する構成単位を有することがさらに好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましい構造としてはＬＣ１−１、ＬＣ１−４、ＬＣ１−５、ＬＣ１−８、ＬＣ１−１６、ＬＣ１−２１、ＳＬ１−１である。

ラクトン構造部分又はスルトン構造部分は、置換基（Ｒｂ^２）を有していても有していなくてもよい。好ましい置換基（Ｒｂ^２）としては、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数４〜７のシクロアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜８のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、フッ素原子以外のハロゲン原子、水酸基、シアノ基、及び酸分解性基などが挙げられる。より好ましくは炭素数１〜４のアルキル基、シアノ基、及び酸分解性基である。ｎ２は、０〜４の整数を表す。ｎ２が２以上の時、複数存在する置換基（Ｒｂ^２）は、同一でも異なっていてもよい。また、複数存在する置換基（Ｒｂ^２）同士が結合して環を形成してもよい。

ラクトン構造又はスルトン構造を有する構成単位は、下記式ＩＩＩで表される構成単位であることが好ましい。

上記式ＩＩＩ中、
Ａは、エステル結合（−ＣＯＯ−で表される基）又はアミド結合（−ＣＯＮＨ−で表される基）を表す。
ｎは、−Ｒ^０−Ｚ−で表される構造の繰り返し数であり、０〜５の整数を表し、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。ｎが０である場合、−Ｒ^０−Ｚ−は存在せず、ＡとＲ^８が単結合により結合される。
Ｒ^０は、アルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。Ｒ^０は、複数個ある場合には各々独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Ｚは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。Ｚは、複数個ある場合には各々独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表す。
Ｒ^８は、ラクトン構造又はスルトン構造を有する１価の有機基を表す。
Ｒ^７は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子又は１価の有機基(好ましくはメチル基)を表す。

Ｒ^０のアルキレン基又はシクロアルキレン基は置換基を有してもよい。
Ｚは好ましくは、エーテル結合、又はエステル結合であり、より好ましくはエステル結合である。

以下に式ＩＩＩで表される構成単位に相当するモノマーの具体例、及び後述する式Ａ−１で表される構成単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本開示は、これらの具体例に限定されない。下記の具体例は、式ＩＩＩにおけるＲ^７及び後述する式Ａ−１におけるＲ_Ａ ^１がメチル基である場合に相当するが、Ｒ^７及びＲ_Ａ ^１は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子、又は１価の有機基に任意に置換することができる。

上記モノマーの他に、下記に示すモノマーも樹脂（Ａ）の原料として好適に用いられる。

樹脂（Ａ）は、カーボネート構造を有する構成単位を有していてもよい。カーボネート構造は、環状炭酸エステル構造であることが好ましい。
環状炭酸エステル構造を有する構成単位は、下記式Ａ−１で表される構成単位であることが好ましい。

式Ａ−１中、Ｒ_Ａ ^１は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子又は１価の有機基(好ましくはメチル基)を表し、ｎは０以上の整数を表し、Ｒ_Ａ ^２は、置換基を表す。Ｒ_Ａ ^２は、ｎが２以上の場合は各々独立して、置換基を表し、Ａは、単結合、又は２価の連結基を表し、Ｚは、式中の−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基と共に単環構造又は多環構造を形成する原子団を表す。

樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位として、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０３７０〜０４１４に記載の構成単位を有することも好ましい。

樹脂（Ａ）は、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。

樹脂（Ａ）に含まれるラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位の含有量（ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位が複数存在する場合はその合計）は、樹脂（Ａ）の全構成単位に対して、５モル％〜７０モル％であることが好ましく、１０モル％〜６５モル％であることがより好ましく、２０モル％〜６０モル％であることが更に好ましい

〔極性基を有する構成単位〕
樹脂（Ａ）は、極性基を有する構成単位を有することが好ましい。
極性基としては、水酸基、シアノ基、カルボキシ基、及びヒドロキシフッ化アルキル基等が挙げられる。
極性基を有する構成単位は、極性基で置換された脂環炭化水素構造を有する構成単位であることが好ましい。また、極性基を有する構成単位は、酸分解性基を有さないことが好ましい。極性基で置換された脂環炭化水素構造における、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、又はノルボルニル基が好ましい。

以下に極性基を有する構成単位に相当するモノマーの具体例を挙げるが、本開示は、これらの具体例に限定されない。また、下記具体例はメタクリル酸エステル化合物として記載しているが、アクリル酸エステル化合物であってもよい。

この他にも、極性基を有する構成単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７号明細書の段落０４１５〜０４３３に開示された構成単位を挙げることができる。
樹脂（Ａ）は、極性基を有する構成単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。
極性基を有する構成単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全構成単位に対して、５〜４０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましく、１０〜２５モル％が更に好ましい。

〔酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位〕
樹脂（Ａ）は、更に、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位を有することができる。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位は、脂環炭化水素構造を有することが好ましい。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位としては、例えば、米国特許出願公開２０１６／００２６０８３号明細書の段落０２３６〜０２３７に記載された構成単位が挙げられる。酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位に相当するモノマーの好ましい例を以下に示す。

この他にも、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位の具体例としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７号明細書の段落０４３３に開示された構成単位を挙げることができる。
樹脂（Ａ）は、酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位を、１種単独で含んでもよく、２種以上を併用して含んでもよい。
酸分解性基及び極性基のいずれも有さない構成単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全構成単位に対して、５〜４０モル％が好ましく、５〜３０モル％がより好ましく、５〜２５モル％が更に好ましい。

〔その他の構成単位〕
樹脂（Ａ）は、上記の構成単位以外に、ドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱性、感度等を調節する目的で様々な構成単位を有することができる。このような構成単位としては、その他の単量体に相当する構成単位を挙げることができるが、これらに限定されない。

その他の単量体としては、例えばアクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、及びビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物等を挙げることができる。
その他にも、上記種々の構成単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
樹脂（Ａ）において、各構成単位の含有モル比は、種々の性能を調節するために適宜設定される。

本開示に係る感光性樹脂組成物が、フッ素アルゴン（ＡｒＦ）レーザー露光用であるとき、ＡｒＦ光の透過性の観点から、樹脂（Ａ）は実質的には芳香族基を有さないことが好ましい。より具体的には、樹脂（Ａ）の全構成単位中、芳香族基を有する構成単位が全体の５モル％以下であることが好ましく、３モル％以下であることがより好ましく、理想的には０モル％、すなわち芳香族基を有する構成単位を有さないことが更に好ましい。また、樹脂（Ａ）は単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することが好ましい。

樹脂（Ａ）は、構成単位のすべてが（メタ）アクリレート系構成単位で構成されることが好ましい。この場合、構成単位のすべてがメタクリレート系構成単位であるもの、構成単位のすべてがアクリレート系構成単位であるもの、構成単位のすべてがメタクリレート系構成単位とアクリレート系構成単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系構成単位が樹脂（Ａ）の全構成単位に対して５０モル％以下であることが好ましい。

本開示に係る感光性樹脂組成物が、フッ化クリプトン（ＫｒＦ）レーザー露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は芳香族炭化水素基を有する構成単位を含むことが好ましい。樹脂（Ａ）がフェノール性水酸基を含む構成単位を含むことがより好ましい。フェノール性水酸基を含む構成単位としては、下記式ＰＨにより表される構成単位、又は下記式ＡＨにより表される構成単位が好ましく、下記式ＰＨにより表される構成単位がより好ましい。

式ＰＨ中、Ｚは水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^ＰＨは置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表し、ｍは１〜５の整数を表す。
式ＡＨ中、Ｚは水素原子又はアルキル基を表し、Ｌ^ＡＨは単結合又は２価の炭化水素基を表し、Ｒ^ＡＨは置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表し、ｍは１〜５の整数を表す。

式ＰＨ中、Ｚは水素原子又はメチル基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましい。
式ＰＨ中、Ｒ^ＰＨは特に限定されず、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリーロキシ基等が好ましく挙げられる。
式ＰＨ中、ｎは０〜２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
式ＰＨ中、ｍは１〜３の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。

式ＡＨ中、Ｚは水素原子又はメチル基であることが好ましい。
式ＡＨ中、Ｌ^ＡＨは単結合又はアルキレン基であることが好ましく、単結合又は炭素数１〜４のアルキレン基がより好ましい。
式ＡＨ中、Ｒ^ＡＨは特に限定されず、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又はアリーロキシ基等が好ましく挙げられる。
式ＡＨ中、ｎは０〜２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
式ＡＨ中、ｍは１〜３の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。

本開示に係る感光性樹脂組成物が、ＫｒＦ露光用、ＥＢ露光用又はＥＵＶ露光用であるとき、樹脂（Ａ）は、フェノール性水酸基の水素原子が酸の作用により分解し脱離する基（脱離基）で保護された構造を有することが好ましい。
樹脂（Ａ）に含まれる芳香族炭化水素基を有する構成単位の含有量は、樹脂（Ａ）中の全構成単位に対して、３０〜１００モル％が好ましく、４０〜１００モル％がより好ましく、５０〜１００モル％が更に好ましい。

樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、１，０００〜２００，０００が好ましく、２，０００〜２０，０００がより好ましく、３，０００〜１５，０００が更に好ましく、３，０００〜１１，０００が特に好ましい。分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．６がより好ましく、１．０〜２．０が更に好ましく、１．１〜２．０が特に好ましい。

樹脂（Ａ）の具体例としては、実施例で使用されている樹脂Ａ−１〜Ａ−２５が挙げられるが、これに限定されない。

樹脂（Ａ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ａ）の含有量は、本開示に係る感光性樹脂組成物の全固形分に対し、２０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上がより好ましく、６０質量％以上が更に好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。上限は特に制限されず、９９．５質量％以下が好ましく、９９質量％以下がより好ましく、９７質量％以下が更に好ましい。

〔樹脂（Ｂ）〕
本開示に係る感光性樹脂組成物が後述する架橋剤（Ｇ）を含有する場合、本開示に係る組成物に含まれる樹脂は、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂（Ｂ）（以下、「樹脂（Ｂ）」ともいう）であることも好ましい。
樹脂（Ｂ）は、フェノール性水酸基を有する構成単位を含有することが好ましい。
この場合、ネガ型パターンが好適に形成される。
架橋剤（Ｇ）は、樹脂（Ｂ）に担持された形態であってもよい。
樹脂（Ｂ）は、前述した酸分解性基を含有していてもよい。

樹脂（Ｂ）が含有するフェノール性水酸基を有する構成単位としては特に限定されず、下記式ＩＩで表される構成単位であることが好ましい。

式ＩＩ中、Ｒ^２は水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくはメチル基）、又はフッ素原子以外のハロゲン原子を表し、Ｂ’は単結合又は２価の連結基を表し、Ａｒ’は芳香環基を表し、ｍは１以上の整数を表す。
樹脂（Ｂ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
樹脂（Ｂ）の含有量は、本開示に係る感光性樹脂組成物の全固形分に対し、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上が更に好ましい。上限は特に制限されず、９９質量％以下が好ましく、９０質量％以下がより好ましく、８５質量％以下が更に好ましい。
樹脂（Ｂ）としては、米国特許出願公開第２０１６／０２８２７２０第号明細書の段落０１４２〜０３４７に開示された樹脂を好適に用いることができる。

本開示に係る組成物は、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）の両方を含んでいてもよい。

本開示に係る組成物に含まれる樹脂の具体例としては、後述する実施例において使用されている樹脂Ａ−１〜樹脂Ａ−２５が挙げられるが、これに限定されない。

＜光酸発生剤（Ｃ）＞
本開示に係る組成物は、光酸発生剤（以下、「光酸発生剤（Ｃ）」ともいう）を含有する。
光酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物である。
光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物が好ましい。例えば、スルホニウム塩化合物、ヨードニウム塩化合物、ジアゾニウム塩化合物、ホスホニウム塩化合物、イミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、ジアゾジスルホン化合物、ジスルホン化合物、及びｏ−ニトロベンジルスルホネート化合物を挙げることができる。

光酸発生剤としては、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する公知の化合物を、単独又はそれらの混合物として適宜選択して使用することができる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０１２５〜０３１９、米国特許出願公開第２０１５／０００４５４４号明細書の段落００８６〜００９４、米国特許出願公開第２０１６／０２３７１９０号明細書の段落０３２３〜０４０２に開示された公知の化合物を光酸発生剤（Ｃ）として好適に使用できる。

〔式ＺＩ、ＺＩＩ及びＺＩＩＩで表される化合物〕
光酸発生剤（Ｃ）の好適な態様としては、例えば、下記式ＺＩ、ＺＩＩ及びＺＩＩＩで表される化合物が挙げられる。

上記式ＺＩにおいて、
Ｒ^２０１、Ｒ^２０２及びＲ^２０３は、各々独立に、有機基を表す。
Ｒ^２０１、Ｒ^２０２及びＲ^２０３としての有機基の炭素数は、１〜３０であることが好ましく、より好ましくは１〜２０である。
また、Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３のうち２つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又はカルボニル基を含んでいてもよい。Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３の内の２つが結合して形成する基としては、アルキレン基（例えば、ブチレン基、ペンチレン基）及び−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−を挙げることができる。
Ｚ^-は、アニオンを表す。

〔式ＺＩで表される化合物におけるカチオン〕
式ＺＩにおけるカチオンの好適な態様としては、後述する化合物（ＺＩ−１）、（ＺＩ−２）、（ＺＩ−３）及び（ＺＩ−４）における対応する基を挙げることができる。
なお、光酸発生剤（Ｃ）は、式ＺＩで表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、式ＺＩで表される化合物のＲ^２０１〜Ｒ^２０３の少なくとも１つと、式ＺＩで表されるもうひとつの化合物のＲ^２０１〜Ｒ^２０３の少なくとも一つとが、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。

−化合物ＺＩ−１−
まず、化合物（ＺＩ−１）について説明する。
化合物（ＺＩ−１）は、上記式ＺＩのＲ^２０１〜Ｒ^２０３の少なくとも１つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、すなわち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３の全てがアリール基でもよいし、Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３の一部がアリール基であり、残りがアルキル基又はシクロアルキル基であってもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及びアリールジシクロアルキルスルホニウム化合物を挙げることができる。

アリールスルホニウム化合物のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。アリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造としては、ピロール残基、フラン残基、チオフェン残基、インドール残基、ベンゾフラン残基、及びベンゾチオフェン残基等が挙げられる。アリールスルホニウム化合物が２つ以上のアリール基を有する場合に、２つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数１〜１５の直鎖アルキル基、炭素数３〜１５の分岐アルキル基、又は炭素数３〜１５のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及びシクロヘキシル基等を挙げることができる。

Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立にアルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１４）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、又はフェニルチオ基を置換基として有してもよい。

−化合物ＺＩ−２−
次に、化合物（ＺＩ−２）について説明する。
化合物（ＺＩ−２）は、式ＺＩにおけるＲ^２０１〜Ｒ^２０３が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含する。
Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３としての芳香環を有さない有機基は、一般的に炭素数１〜３０であり、好ましくは炭素数１〜２０である。
Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基であり、より好ましくは直鎖又は分岐の２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、又はアルコキシカルボニルメチル基、さらに好ましくは直鎖又は分岐２−オキソアルキル基である。

Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、ならびに炭素数３〜１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）を挙げることができる。
Ｒ^２０１〜Ｒ^２０３は、ハロゲン原子、アルコキシ基（例えば炭素数１〜５）、水酸基、シアノ基、又はニトロ基によって更に置換されていてもよい。

−化合物ＺＩ−３−
次に、化合物（ＺＩ−３）について説明する。
化合物（ＺＩ−３）は、下記式ＺＩ−３で表され、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。

式ＺＩ−３中、Ｒ^１ｃ〜Ｒ^５ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表し、Ｒ^６ｃ及びＲ^７ｃは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表し、Ｒ^ｘ及びＲ^ｙは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、２−オキソアルキル基、２−オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。

Ｒ^１ｃ〜Ｒ^５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ^５ｃとＲ^６ｃ、Ｒ^６ｃとＲ^７ｃ、Ｒ^５ｃとＲ^ｘ、及びＲ^ｘとＲ^ｙは、各々結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、各々独立に酸素原子、硫黄原子、ケトン基、エステル結合、又はアミド結合を含んでいてもよい。
上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、及びこれらの環が２つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、３員環〜１０員環を挙げることができ、４員環〜８員環が好ましく、５員環又は６員環がより好ましい。

Ｒ^１ｃ〜Ｒ^５ｃ中のいずれか２つ以上、Ｒ^６ｃとＲ^７ｃ、及びＲ^ｘとＲ^ｙが結合して形成する基としては、ブチレン基、及びペンチレン基等を挙げることができる。
Ｒ^５ｃとＲ^６ｃ、及びＲ^５ｃとＲ^ｘが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましい。アルキレン基としては、メチレン基、及びエチレン基等を挙げることができる。
Ｚｃ⁻は、アニオンを表す。

−化合物ＺＩ−４−
次に、化合物（ＺＩ−４）について説明する。
化合物（ＺＩ−４）は、下記式ＺＩ−４で表される。

式ＺＩ−４中、ｌは０〜２の整数を表し、ｒは０〜８の整数を表し、Ｒ^１３は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表し、これらの基は置換基を有してもよく、Ｒ^１４は各々独立に、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表し、これらの基は置換基を有してもよく、Ｒ^１５は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表し、これらの基は置換基を有してもよく、２つのＲ^１５が互いに結合して環を形成してもよい。
２つのＲ^１５が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、又は窒素原子などのヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、２つのＲ^１５がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
Ｚ⁻は、アニオンを表す。

式ＺＩ−４において、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５のアルキル基は、直鎖状若しくは分岐状であり、炭素原子数１〜１０のものが好ましく、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、又はｔ−ブチル基等がより好ましい。

〔式ＺＩＩ又は式ＺＩＩＩで表される化合物におけるカチオン〕
次に、式ＺＩＩ、及びＺＩＩＩについて説明する。
式ＺＩＩ、及びＺＩＩＩ中、Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７のアリール基としてはフェニル基、又はナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及びベンゾチオフェン等を挙げることができる。
Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７のアルキル基及びシクロアルキル基としては、好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖アルキル基又は炭素数３〜１０の分岐アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、及びペンチル基）、炭素数３〜１０のシクロアルキル基（例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びノルボルニル基）を挙げることができる。

Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基は、各々独立に置換基を有していてもよい。Ｒ^２０４〜Ｒ^２０７のアリール基、アルキル基、及びシクロアルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基（例えば炭素数１〜１５）、シクロアルキル基（例えば炭素数３〜１５）、アリール基（例えば炭素数６〜１５）、アルコキシ基（例えば炭素数１〜１５）、ハロゲン原子、水酸基、及びフェニルチオ基等を挙げることができる。
Ｚ⁻は、アニオンを表す。

〔式ＺＩ〜式ＺＩＩＩで表される化合物におけるアニオン〕
式ＺＩにおけるＺ^-、式ＺＩＩにおけるＺ^-、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ^-としては、下記式３で表されるアニオンが好ましい。

式３中、ｏは１〜３の整数を表し、ｐは０〜１０の整数を表し、ｑは０〜１０の整数を表し、Ｘｆはそれぞれ独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｏが２以上の整数である場合、複数の−Ｃ（Ｘｆ）_２−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｐが２以上の整数である場合、複数の−ＣＲ^４Ｒ^５−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｌは、２価の連結基を表し、ｑが２以上の整数である場合、複数のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。

Ｘｆは、フッ素原子、又は少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。このアルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜４がより好ましい。また、少なくとも１つのフッ素原子で置換されたアルキル基は、パーフルオロアルキル基が好ましい。
Ｘｆは、好ましくは、フッ素原子又は炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基である。Ｘｆは、フッ素原子又はＣＦ_３であることがより好ましい。特に、双方のＸｆがフッ素原子であることが好ましい。

Ｒ^４及びＲ^５は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。複数存在する場合のＲ^４及びＲ^５は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^４及びＲ^５としてのアルキル基は、置換基を有していてもよく、炭素数１〜４が好ましい。Ｒ^４及びＲ^５は、好ましくは水素原子である。
少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基の具体例および好適な態様は式３中のＸｆの具体例および好適な態様と同じである。

Ｌは、２価の連結基を表し、複数存在する場合のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
２価の連結基としては、例えば、−ＣＯＯ−（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、アルキレン基（好ましくは炭素数１〜６）、シクロアルキレン基（好ましくは炭素数３〜１５）、アルケニレン基（好ましくは炭素数２〜６）及びこれらの複数を組み合わせた２価の連結基などが挙げられる。これらの中でも、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−ＣＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−、−ＯＣＯ−アルキレン基−、−ＣＯＮＨ−アルキレン基−又は−ＮＨＣＯ−アルキレン基−が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＯ−アルキレン基−又は−ＯＣＯ−アルキレン基−がより好ましい。

Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。これらの中でも、環状の有機基であることが好ましい。
環状の有機基としては、例えば、脂環基、アリール基、及び複素環基が挙げられる。
脂環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。単環式の脂環基としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及びシクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環基としては、例えば、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が挙げられる。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及びアダマンチル基などの炭素数７以上のかさ高い構造を有する脂環基が好ましい。

アリール基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。このアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及びアントリル基が挙げられる。
複素環基は、単環式であってもよく、多環式であってもよい。多環式の方がより酸の拡散を抑制可能である。また、複素環基は、芳香族性を有していてもよいし、芳香族性を有していなくてもよい。芳香族性を有している複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及びピリジン環が挙げられる。芳香族性を有していない複素環としては、例えば、テトラヒドロピラン環、ラクトン環、スルトン環及びデカヒドロイソキノリン環が挙げられる。ラクトン環及びスルトン環の例としては、前述の樹脂において例示したラクトン構造及びスルトン構造が挙げられる。複素環基における複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、又はデカヒドロイソキノリン環が特に好ましい。

上記環状の有機基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基（直鎖、分岐のいずれであってもよく、炭素数１〜１２が好ましい）、シクロアルキル基（単環、多環、スピロ環のいずれであってもよく、炭素数３〜２０が好ましい）、アリール基（炭素数６〜１４が好ましい）、水酸基、アルコキシ基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレイド基、チオエーテル基、スルホンアミド基、及びスルホン酸エステル基が挙げられる。なお、環状の有機基を構成する炭素（環形成に寄与する炭素）はカルボニル炭素であってもよい。

式３で表されるアニオンとしては、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨ_２−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨＦ−ＣＨ_２−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＯＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＦ_２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−（Ｌ）ｑ−Ｗ、ＳＯ_３ ⁻−ＣＦ_２−ＣＨ（ＣＦ_３）−ＯＣＯ−（Ｌ）ｑ’−Ｗが好ましいものとして挙げられる。ここで、Ｌ、ｑ及びＷは、式３と同様である。ｑ’は、０〜１０の整数を表す。

一態様において、式ＺＩにおけるＺ^-、式ＺＩＩにおけるＺ^-、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ^-としては、下記の式４で表されるアニオンも好ましい。

式４中、Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、各々独立に、水素原子、又はフッ素原子を有さない１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ１及びＸ^Ｂ２は、水素原子であることが好ましい。
Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４は、各々独立に、水素原子、又は１価の有機基を表す。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の少なくとも一方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることが好ましく、Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方がフッ素原子又はフッ素原子を有する１価の有機基であることがより好ましい。Ｘ^Ｂ３及びＸ^Ｂ４の両方が、フッ素原子を有するアルキル基であることが更に好ましい。
Ｌ、ｑ及びＷは、式３と同様である。

式ＺＩにおけるＺ⁻、式ＺＩＩにおけるＺ⁻、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ⁻としては、下記式５で表されるアニオンが好ましい。

式５において、Ｘａは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。Ｘｂは、各々独立に、水素原子又はフッ素原子を有さない有機基を表す。ｏ、ｐ、ｑ、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｌ、及びＷの定義及び好ましい態様は、式３と同様である。

式ＺＩにおけるＺ⁻、式ＺＩＩにおけるＺ⁻、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ⁻は、ベンゼンスルホン酸アニオンであってもよく、分岐アルキル基又はシクロアルキル基によって置換されたベンゼンスルホン酸アニオンであることが好ましい。

式ＺＩにおけるＺ⁻、式ＺＩＩにおけるＺ⁻、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ⁻としては、下記の式ＳＡ１で表される芳香族スルホン酸アニオンも好ましい。

式ＳＡ１中、Ａｒは、アリール基を表し、スルホン酸アニオン及び−（Ｄ−Ｒ^Ｂ）以外の置換基を更に有していてもよい。更に有しても良い置換基としては、フッ素原子、水酸基などが挙げられる。

ｎは、０以上の整数を表す。ｎは、好ましくは１〜４であり、より好ましくは２〜３であり、最も好ましくは３である。

Ｄは、単結合又は２価の連結基を表す。この２価の連結基としては、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基、スルホキシド基、スルホン基、スルホン酸エステル基、エステル基、及び、これらの２種以上の組み合わせからなる基等を挙げることができる。

Ｒ^Ｂは、炭化水素基を表す。

好ましくは、Ｄは単結合であり、Ｒ^Ｂは脂肪族炭化水素構造である。Ｒ^Ｂは、イソプロピル基又はシクロヘキシル基がより好ましい。

式ＺＩにおけるスルホニウムカチオン、及び式ＺＩＩにおけるスルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンの好ましい例を以下に示す。

式ＺＩ、式ＺＩＩにおけるアニオンＺ^-、式ＺＩ−３におけるＺｃ⁻、及び式ＺＩ−４におけるＺ^-の好ましい例を以下に示す。

上記のカチオン及びアニオンを任意に組みわせて光酸発生剤として使用することができる。

光酸発生剤は、低分子化合物の形態であってもよく、重合体の一部に組み込まれた形態であってもよい。また、低分子化合物の形態と重合体の一部に組み込まれた形態を併用してもよい。
光酸発生剤は、低分子化合物の形態であることが好ましい。
光酸発生剤が、低分子化合物の形態である場合、分子量は３，０００以下が好ましく、２，０００以下がより好ましく、１，０００以下が更に好ましい。
光酸発生剤が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂（Ａ）の一部に組み込まれてもよく、樹脂（Ａ）とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。
光酸発生剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
光酸発生剤の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１質量％〜３５質量％が好ましく、０．５質量％〜２５質量％がより好ましく、３質量％〜２０質量％が更に好ましく、３質量％〜１５質量％が特に好ましい。
光酸発生剤として、上記式ＺＩ−３又は式ＺＩ−４で表される化合物を含む場合、組成物中に含まれる光酸発生剤の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、５質量％〜３５質量％が好ましく、７質量％〜３０質量％がより好ましい。

＜酸拡散制御剤（Ｄ）＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、酸拡散制御剤（Ｄ）を含有することが好ましい。酸拡散制御剤（Ｄ）は、露光時に光酸発生剤等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用するものである。例えば、塩基性化合物(ＤＡ)、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）、光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）、又はカチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）等を酸拡散制御剤として使用することができる。本開示に係る組成物においては、公知の酸拡散制御剤を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０６２７〜０６６４、米国特許出願公開第２０１５／０００４５４４号明細書の段落００９５〜０１８７、米国特許出願公開第２０１６／０２３７１９０号明細書の段落０４０３〜０４２３、米国特許出願公開第２０１６／０２７４４５８号明細書の段落０２５９〜０３２８に開示された公知の化合物を酸拡散制御剤（Ｄ）として好適に使用できる。

〔塩基性化合物（ＤＡ）〕
塩基性化合物（ＤＡ）としては、好ましくは、下記式Ａ〜Ｅで示される構造を有する化合物を挙げることができる。

式Ａ及びＥ中、
Ｒ^２００、Ｒ^２０１及びＲ^２０２は、同一でも異なってもよく、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜２０）又はアリール基（炭素数６〜２０）を表す。Ｒ^２０１とＲ^２０２は、互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５及びＲ^２０６は、同一でも異なってもよく、各々独立に、炭素数１〜２０個のアルキル基を表す。

式Ａ及びＥ中のアルキル基は、置換基を有していても無置換であってもよい。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数１〜２０のアミノアルキル基、炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基、又は炭素数１〜２０のシアノアルキル基が好ましい。
式Ａ及びＥ中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。

塩基性化合物（ＤＡ）としては、グアニジン、アミノピロリジン、ピラゾール、ピラゾリン、ピペラジン、アミノモルホリン、アミノアルキルモルフォリン、又はピペリジン等が好ましく、イミダゾール構造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウムカルボキシレート構造、トリアルキルアミン構造、アニリン構造若しくはピリジン構造を有する化合物、水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアルキルアミン誘導体、又は水酸基及び／若しくはエーテル結合を有するアニリン誘導体等がより好ましい。

〔活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）〕
活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物（ＤＢ）（以下、「化合物（ＤＢ）」ともいう。）は、プロトンアクセプター性官能基を有し、かつ、活性光線又は放射線の照射により分解して、プロトンアクセプター性が低下、消失、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化する化合物である。

プロトンアクセプター性官能基とは、プロトンと静電的に相互作用し得る基又は電子を有する官能基であって、例えば、環状ポリエーテル等のマクロサイクリック構造を有する官能基や、π共役に寄与しない非共有電子対をもった窒素原子を有する官能基を意味する。π共役に寄与しない非共有電子対を有する窒素原子とは、例えば、下記式に示す部分構造を有する窒素原子である。

プロトンアクセプター性官能基の好ましい部分構造として、例えば、クラウンエーテル、アザクラウンエーテル、第１級〜第３級アミン、ピリジン、イミダゾール、及びピラジン構造などを挙げることができる。

化合物（ＤＢ）は、活性光線又は放射線の照射により分解してプロトンアクセプター性が低下若しくは消失し、又はプロトンアクセプター性から酸性に変化した化合物を発生する。ここでプロトンアクセプター性の低下若しくは消失、又はプロトンアクセプター性から酸性への変化とは、プロトンアクセプター性官能基にプロトンが付加することに起因するプロトンアクセプター性の変化であり、具体的には、プロトンアクセプター性官能基を有する化合物（ＤＢ）とプロトンとからプロトン付加体が生成するとき、その化学平衡における平衡定数が減少することを意味する。
プロトンアクセプター性は、ｐＨ測定を行うことによって確認することができる。

活性光線又は放射線の照射により化合物（ＤＢ）が分解して発生する化合物の酸解離定数ｐＫａは、ｐＫａ＜−１を満たすことが好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−１がより好ましく、−１３＜ｐＫａ＜−３が更に好ましい。

酸解離定数ｐＫａとは、水溶液中での酸解離定数ｐＫａのことを表し、例えば、化学便覧（ＩＩ）（改訂４版、１９９３年、日本化学会編、丸善株式会社）に定義される。酸解離定数ｐＫａの値が低いほど酸強度が大きいことを示す。水溶液中での酸解離定数ｐＫａは、具体的には、無限希釈水溶液を用い、２５℃での酸解離定数を測定することにより実測できる。あるいは、下記ソフトウェアパッケージ１を用いて、ハメットの置換基定数及び公知文献値のデータベースに基づいた値を、計算により求めることもできる。本明細書中に記載したｐＫａの値は、全て、このソフトウェアパッケージを用いて計算により求めた値を示す。

ソフトウェアパッケージ１： Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ （ＡＣＤ／Ｌａｂｓ） Ｓｏｆｔｗａｒｅ Ｖ８．１４ ｆｏｒ Ｓｏｌａｒｉｓ （１９９４−２００７ ＡＣＤ／Ｌａｂｓ）。

〔光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）〕
本開示に係る感光性樹脂組成物では、光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）を酸拡散制御剤として使用することができる。
光酸発生剤と、光酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸である酸を発生するオニウム塩とを混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により光酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。

本開示に係る組成物は、式ｄ１−１〜式ｄ１−３により表される化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を更に含むことが好ましい。

式ｄ１−１〜式ｄ１−３中、Ｒ^５１は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、Ｚ^２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ｓ原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合しないものとし、Ｒ^５２は有機基を表し、Ｙ^３は直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基又はアリーレン基を表し、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基を表し、Ｍ^＋はそれぞれ独立に、一価のカチオンを表す。

式ｄ１−１〜式ｄ１−３中、Ｍ^＋としては、それぞれ独立に、アンモニウムカチオン、スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンを表すことが好ましい。
スルホニウムカチオン又はヨードニウムカチオンの好ましい例としては、式ＺＩで例示したスルホニウムカチオン及び式ＺＩＩで例示したヨードニウムカチオンを挙げることができる。

光酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩（ＤＣ）は、カチオン部位とアニオン部位を同一分子内に有し、かつ、上記カチオン部位とアニオン部位が共有結合により連結している化合物（以下、「化合物（ＤＣＡ）」ともいう。）であってもよい。
化合物（ＤＣＡ）としては、下記式Ｃ−１〜Ｃ−３のいずれかで表される化合物であることが好ましい。

式Ｃ−１〜Ｃ−３中、Ｒ^１、Ｒ^２、及びＲ^３は、各々独立に炭素数１以上の置換基を表す。
Ｌ^１は、カチオン部位とアニオン部位とを連結する２価の連結基又は単結合を表す。
−Ｘ⁻は、−ＣＯＯ⁻、−ＳＯ_３ ⁻、−ＳＯ_２ ⁻、及び−Ｎ⁻−Ｒ^４から選択されるアニオン部位を表す。Ｒ^４は、隣接するＮ原子との連結部位に、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）、スルホニル基（−Ｓ（＝Ｏ）_２−）、及びスルフィニル基（−Ｓ（＝Ｏ）−）のうち少なくとも１つを有する１価の置換基を表す。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、及びＬ^１は、互いに結合して環構造を形成してもよい。また、式Ｃ−３において、Ｒ^１〜Ｒ^３のうち２つを合わせて１つの２価の置換基を表し、Ｎ原子と２重結合により結合していてもよい。

Ｒ^１〜Ｒ^３における炭素数１以上の置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、及びアリールアミノカルボニル基などが挙げられる。好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基である。

２価の連結基としてのＬ^１は、直鎖若しくは分岐鎖状アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、カルボニル基、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、ウレア結合、及びこれらの２種以上を組み合わせてなる基等が挙げられる。Ｌ^１は、好ましくは、アルキレン基、アリーレン基、エーテル結合、エステル結合、又はこれらの２種以上を組み合わせてなる基である。

〔窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）〕
窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物（ＤＤ）（以下、「化合物（ＤＤ）」ともいう。）は、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体であることが好ましい。
酸の作用により脱離する基としては、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、第３級エステル基、３級水酸基、又はヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又はヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
化合物（ＤＤ）の分子量は、１００〜１０００が好ましく、１００〜７００がより好ましく、１００〜５００が更に好ましい。
化合物（ＤＤ）は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記式ｄ−１で表すことができる。

式ｄ−１において、
Ｒ^ｂは、各々独立に、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜３０）、アリール基（好ましくは炭素数３〜３０）、アラルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）、又はアルコキシアルキル基（好ましくは炭素数１〜１０）を表す。Ｒ^ｂは相互に連結して環を形成していてもよい。
Ｒ^ｂが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基、アルコキシ基、又はハロゲン原子で置換されていてもよい。Ｒ^ｂが示すアルコキシアルキル基についても同様である。

Ｒ^ｂとしては、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基が好ましく、直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はシクロアルキル基がより好ましい。
２つのＲ^ｂが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素、複素環式炭化水素及びその誘導体等が挙げられる。
式ｄ−１で表される基の具体的な構造としては、米国特許公報２０１２／０１３５３４８号明細書の段落０４６６に開示された構造を挙げることができるが、これに限定されない。

化合物（ＤＤ）は、下記式６で表される構造を有するものであることが好ましい。

式６において、
ｌは０〜２の整数を表し、ｍは１〜３の整数を表し、ｌ＋ｍ＝３を満たす。
Ｒ^ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基を表す。ｌが２のとき、２つのＲ^ａは同じでも異なっていてもよく、２つのＲ^ａは相互に連結して式中の窒素原子と共に複素環を形成していてもよい。この複素環には式中の窒素原子以外のヘテロ原子を含んでいてもよい。
Ｒ^ｂは、上記式ｄ−１におけるＲ^ｂと同義であり、好ましい例も同様である。
式６において、Ｒ^ａとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基は、各々独立にＲ^ｂとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。

上記Ｒ^ａのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、及びアラルキル基（これらの基は、上記基で置換されていてもよい）の具体例としては、Ｒ^ｂについて前述した具体例と同様な基が挙げられる。
本開示において特に好ましい化合物（ＤＤ）の具体的な構造としては、米国特許出願公開２０１２／０１３５３４８号明細書の段落０４７５に開示された化合物を挙げることができるが、これに限定されない。

カチオン部に窒素原子を有するオニウム塩化合物（ＤＥ）（以下、「化合物（ＤＥ）」ともいう。）は、カチオン部に窒素原子を含む塩基性部位を有する化合物であることが好ましい。塩基性部位は、アミノ基であることが好ましく、脂肪族アミノ基であることがより好ましい。塩基性部位中の窒素原子に隣接する原子の全てが、水素原子又は炭素原子であることが更に好ましい。また、塩基性向上の観点から、窒素原子に対して、電子求引性の官能基（カルボニル基、スルホニル基、シアノ基、及びハロゲン原子など）が直結していないことが好ましい。
化合物（ＤＥ）の好ましい具体的な構造としては、米国特許出願公開第２０１５／０３０９４０８号明細書の段落０２０３に開示された化合物を挙げることができるが、これに限定されない。

酸拡散制御剤（Ｄ）の好ましい例を以下に示す。

本開示に係る感光性樹脂組成物において、酸拡散制御剤（Ｄ）は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
酸拡散制御剤（Ｄ）の組成物中の含有量（複数種存在する場合はその合計）は、組成物の全固形分を基準として、０．１質量％〜１０質量％が好ましく、０．１質量％〜５質量％、がより好ましい。

＜疎水性樹脂（Ｅ）＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、疎水性樹脂（Ｅ）を含有してもよい。なお、疎水性樹脂（Ｅ）は、樹脂（Ａ）及び樹脂（Ｂ）とは異なる樹脂であることが好ましい。
本開示に係る感光性樹脂組成物が、疎水性樹脂（Ｅ）を含有することにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面における静的／動的な接触角を制御することができる。これにより、現像特性の改善、アウトガスの抑制、液浸露光における液浸液追随性の向上、及び液浸欠陥の低減等が可能となる。
疎水性樹脂（Ｅ）は、レジスト膜の表面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性／非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、膜表層への偏在化の観点から、“フッ素原子”、“ケイ素原子”、及び“樹脂の側鎖部分に含有されたＣＨ_３部分構造”からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位を含む樹脂であることが好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含む場合、疎水性樹脂（Ｅ）における上記フッ素原子及び／又はケイ素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、下記（ｘ）〜（ｚ）の群から選ばれる基を少なくとも１つを有することが好ましい。
（ｘ）酸基
（ｙ）アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（以下、極性変換基ともいう）
（ｚ）酸の作用により分解する基

酸基（ｘ）としては、フェノール性水酸基、カルボン酸基、ヒドロキシフッ化アルキル基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）メチレン基、（アルキルスルホニル）（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルカルボニル）メチレン基、ビス（アルキルカルボニル）イミド基、ビス（アルキルスルホニル）メチレン基、ビス（アルキルスルホニル）イミド基、トリス（アルキルカルボニル）メチレン基、及びトリス（アルキルスルホニル）メチレン基等が挙げられる。
酸基としては、ヒドロキシフッ化アルキル基（好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール）、スルホンイミド基、又はビス（アルキルカルボニル）メチレン基が好ましい。

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）としては、例えば、ラクトン基、カルボン酸エステル基（−ＣＯＯ−）、酸無水物基（−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−）、酸イミド基（−ＮＨＣＯＮＨ−）、カルボン酸チオエステル基（−ＣＯＳ−）、炭酸エステル基（−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−）、硫酸エステル基（−ＯＳＯ_２Ｏ−）、及びスルホン酸エステル基（−ＳＯ_２Ｏ−）などが挙げられ、ラクトン基又はカルボン酸エステル基（−ＣＯＯ−）が好ましい。
これらの基を含んだ構成単位は、樹脂の主鎖にこれらの基が直接結合している構成単位であり、例えば、アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルによる構成単位等が挙げられる。この構成単位は、これらの基が連結基を介して樹脂の主鎖に結合していてもよい。あるいは、この構成単位は、これらの基を有する重合開始剤又は連鎖移動剤を重合時に用いて、樹脂の末端に導入されていてもよい。
ラクトン基を有する構成単位としては、例えば、先に樹脂（Ａ）の項で説明したラクトン構造を有する構成単位と同様のものが挙げられる。

アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基（ｙ）を有する構成単位の含有量は、疎水性樹脂（Ｅ）中の全構成単位を基準として、１〜１００モル％が好ましく、３〜９８モル％がより好ましく、５〜９５モル％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）における、酸の作用により分解する基（ｚ）を有する構成単位は、樹脂（Ａ）で挙げた酸分解性基を有する構成単位と同様のものが挙げられる。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する構成単位は、フッ素原子及びケイ素原子の少なくともいずれかを有していてもよい。酸の作用により分解する基（ｚ）を有する構成単位の含有量は、樹脂（Ｅ）中の全構成単位に対して、１モル％〜８０モル％が好ましく、１０モル％〜８０モル％がより好ましく、２０モル％〜６０モル％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）は、更に、上述した構成単位とは別の構成単位を有していてもよい。

フッ素原子を含む構成単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全構成単位に対して、１０モル％〜１００モル％が好ましく、３０モル％〜１００モル％がより好ましい。また、ケイ素原子を含む構成単位は、疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる全構成単位に対して、１０モル％〜１００モル％が好ましく、２０モル％〜１００モル％がより好ましい。

一方、特に疎水性樹脂（Ｅ）が側鎖部分にＣＨ_３部分構造を含む場合においては、疎水性樹脂（Ｅ）が、フッ素原子及びケイ素原子を実質的に含有しない形態も好ましい。また、疎水性樹脂（Ｅ）は、炭素原子、酸素原子、水素原子、窒素原子及び硫黄原子から選ばれる原子のみによって構成された構成単位のみで実質的に構成されることが好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１，０００〜１００，０００が好ましく、１，０００〜５０，０００がより好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）に含まれる残存モノマー及びオリゴマー成分の合計含有量は、０．０１質量％〜５質量％が好ましく、０．０１質量％〜３質量％がより好ましい。また、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１〜５の範囲が好ましく、より好ましくは１〜３の範囲である。

疎水性樹脂（Ｅ）としては、公知の樹脂を、単独又はそれらの混合物として適宜に選択して使用することができる。例えば、米国特許出願公開２０１５／０１６８８３０号明細書の段落０４５１〜０７０４、米国特許出願公開２０１６／０２７４４５８号明細書の段落０３４０〜０３５６に開示された公知の樹脂を疎水性樹脂（Ｅ）として好適に使用できる。また、米国特許出願公開２０１６／０２３７１９０号明細書の段落０１７７〜０２５８に開示された構成単位も、疎水性樹脂（Ｅ）を構成する構成単位として好ましい。

〔含フッ素樹脂〕
疎水性樹脂（Ｅ）は、フッ素原子を含む樹脂（含フッ素樹脂ともいう）であることが特に好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）がフッ素原子を含む場合、フッ素原子を有する部分構造として、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、又はフッ素原子を有するアリール基を有する樹脂であることが好ましい。

フッ素原子を有するアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であり、炭素数１〜１０が好ましく、炭素数１〜４がより好ましい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基である。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、及び、ナフチル基等のアリール基の少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられる。

フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有するシクロアルキル基、及びフッ素原子を有するアリール基として、式Ｆ２〜Ｆ４で表される基が好ましい。

式Ｆ２〜Ｆ４中、
Ｒ^５７〜Ｒ^６８は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基（直鎖状若しくは分岐鎖状）を表す。但し、Ｒ^５７〜Ｒ^６１の少なくとも１つ、Ｒ^６２〜Ｒ^６４の少なくとも１つ、及びＲ^６５〜Ｒ^６８の少なくとも１つは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Ｒ^５７〜Ｒ^６１及びＲ^６５〜Ｒ^６７は、全てがフッ素原子であることが好ましい。Ｒ^６２、Ｒ^６３及びＲ^６８は、少なくとも１つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基（好ましくは炭素数１〜４）であることが好ましく、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。Ｒ^６２とＲ^６３は、互いに連結して環を形成してもよい。

なかでも、本開示に係る効果がより優れる点で、含フッ素樹脂は、アルカリ分解性を有することが好ましい。
含フッ素樹脂がアルカリ分解性を有するとは、ｐＨ１０の緩衝液２ｍＬとＴＨＦ８ｍＬとの混合液に含フッ素樹脂１００ｍｇを添加して、４０℃にて静置し、１０分後に含フッ素樹脂中の分解性基の総量の３０ｍｏｌ％以上が加水分解することをいう。なお、分解率は、ＮＭＲ分析による原料と分解物の比から算出できる。

含フッ素樹脂は、式Ｘで表される構成単位を有することが好ましい。

式Ｘ中、Ｚは、ハロゲン原子、Ｒ^１１ＯＣＨ_２−で表される基、又は、Ｒ^１２ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２−で表される基を表し、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して、置換基を表し、Ｘは、酸素原子、又は、硫黄原子を表す。Ｌは、（ｎ＋１）価の連結基を表し、Ｒ^１０は、アルカリ水溶液の作用により分解してアルカリ水溶液中での溶解度が増大する基を有する基を表し、ｎは正の整数を表し、ｎが２以上である場合、複数のＲは、互いに同一であっても、異なっていてもよい。

Ｚのハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及び、ヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
Ｒ^１１及びＲ^１２としての置換基は、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数６〜１０）、及び、アリール基（好ましくは炭素数６〜１０）が挙げられる。また、Ｒ^１１及びＲ^１２としての置換基は、更に置換基を有していてもよく、このような更なる置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜４）、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜４）、及び、カルボキシ基が挙げられる。
Ｌとしての連結基は、２価又は３価の連結基が好ましく（換言すれば、ｎが１又は２であることが好ましく）、２価の連結基がより好ましい（換言すれば、ｎが１であることが好ましい）。Ｌとしての連結基は、脂肪族基、芳香族基及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる連結基であることが好ましい。
例えば、ｎが１であり、Ｌとしての連結基が２価の連結基である場合、２価の脂肪族基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、又はポリアルキレンオキシ基が挙げられる。なかでも、アルキレン基又はアルケニレン基が好ましく、アルキレン基がより好ましい。
２価の脂肪族基は、鎖状構造であっても環状構造であってもよいが、環状構造よりも鎖状構造の方が好ましく、分岐を有する鎖状構造よりも直鎖状構造の方が好ましい。２価の脂肪族基は、置換基を有していてもよく、置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、シアノ基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリールアミノ基、及び、ジアリールアミノ基が挙げられる。
２価の芳香族基としては、アリーレン基が挙げられる。なかでも、フェニレン基、及び、ナフチレン基が好ましい。
２価の芳香族基は、置換基を有していてもよく、上記２価の脂肪族基における置換基の例に加えて、アルキル基が挙げられる。
また、Ｌとしては、上述した式ＬＣ１−１〜式ＬＣ１−２１又はＳＬ１−１〜ＳＬ１−３で表される構造から任意の位置の水素原子を２個除いた２価の基であってもよい。
ｎが２以上である場合、（ｎ＋１）価の連結基の具体例としては、上記した２価の連結基の具体例から、任意の（ｎ−１）個の水素原子を除してなる基が挙げられる。
Ｌの具体例として、例えば、以下の連結基が挙げられる。

なお、これらの連結基は、上記したように、置換基を更に有していてもよい。

Ｒ^１０としては、下記式Ｗで表される基が好ましい。
−Ｙ−Ｒ^２０ 式Ｗ

上記式Ｗ中、Ｙは、アルカリ水溶液の作用により分解して含フッ素樹脂のアルカリ水溶液中での溶解度が増大する基を表す。Ｒ^２０は、電子求引性基を表す。

Ｙとしては、カルボン酸エステル基（−ＣＯＯ−又はＯＣＯ−）、酸無水物基（−Ｃ（Ｏ）ＯＣ（Ｏ）−）、酸イミド基（−ＮＨＣＯＮＨ−）、カルボン酸チオエステル基（−ＣＯＳ−）、炭酸エステル基（−ＯＣ（Ｏ）Ｏ−）、硫酸エステル基（−ＯＳＯ_２Ｏ−）、及び、スルホン酸エステル基（−ＳＯ_２Ｏ−）が挙げられ、カルボン酸エステル基が好ましい。

上記電子求引性基としては、下記式ＥＷで示す部分構造が好ましい。式ＥＷにおける＊は式Ｗ中の基Ｙに直結している結合手を表す。

式ＥＷ中、
ｎ^ｅｗは−Ｃ（Ｒ^ｅｗ１）（Ｒ^ｅｗ２）−で表される連結基の繰り返し数であり、０又は１の整数を表す。ｎ^ｅｗが０の場合は単結合を表し、直接Ｙ^ｅｗ１が結合していることを示す。
Ｙ^ｅｗ１は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、後述の−Ｃ（Ｒ^ｆ１）（Ｒ^ｆ２）−Ｒ^ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基、ハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせが挙げられる。但し、Ｙ^ｅｗ１がハロゲン原子、シアノ基又はニトロ基である場合、ｎ^ｅｗは１である。
Ｒ^ｅｗ１及びＲ^ｅｗ２は、それぞれ独立して任意の基を表し、例えば、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素数１〜８）、シクロアルキル基（好ましくは炭素数３〜１０）又はアリール基（好ましくは炭素数６〜１０）を表す。
Ｒ^ｅｗ１、Ｒ^ｅｗ２及びＹ^ｅｗ１の少なくとも２つが互いに連結して環を形成していてもよい。
なお、「ハロ（シクロ）アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。

Ｙ^ｅｗ１としては、ハロゲン原子、−Ｃ（Ｒ^ｆ１）（Ｒ^ｆ２）−Ｒ^ｆ３で表されるハロ（シクロ）アルキル基、又はハロアリール基が好ましい。

Ｒ^ｆ１は、ハロゲン原子、パーハロアルキル基、パーハロシクロアルキル基、又はパーハロアリール基を表し、フッ素原子、パーフルオロアルキル基又はパーフルオロシクロアルキル基が好ましく、フッ素原子又はトリフルオロメチル基がより好ましい。
Ｒ^ｆ２及びＲ^ｆ３は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子又は有機基を表し、Ｒ^ｆ２とＲ^ｆ３とが連結して環を形成してもよい。有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、及び、アルコキシ基が挙げられ、これらはハロゲン原子（好ましくはフッ素原子）で置換されていてもよい。Ｒ^ｆ２及びＲ^ｆ３は、（ハロ）アルキル基又は（ハロ）シクロアルキル基が好ましい。Ｒ^ｆ２はＲ^ｆ１と同様の基を表すか、又はＲ^ｆ３と連結して環を形成していることがより好ましい。
Ｒ^ｆ２とＲ^ｆ３とが連結して形成する環としては、（ハロ）シクロアルキル環が挙げられる。

Ｒ^ｆ１〜Ｒ^ｆ３における（ハロ）アルキル基としては、直鎖状及び分岐鎖状のいずれでもよく、直鎖状（ハロ）アルキル基としては、炭素数１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましい。

Ｒ^ｆ１〜Ｒ^ｆ３における、又は、Ｒ^ｆ２とＲ^ｆ３とが連結して形成する環における（ハロ）シクロアルキル基としては、単環型でもよく、多環型でもよい。多環型の場合、（ハロ）シクロアルキル基は有橋式であってもよい。即ち、この場合、（ハロ）シクロアルキル基は橋かけ構造を有していてもよい。
これら（ハロ）シクロアルキル基としては、例えば、下式により表されるもの、及び、これらがハロゲン化した基が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部が、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。

Ｒ^ｆ２及びＲ^ｆ３における、又は、Ｒ^ｆ２とＲ^ｆ３とが連結して形成する環における（ハロ）シクロアルキル基としては、−Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（２ｎ−２）}Ｈで表されるフルオロシクロアルキル基が好ましい。ここで炭素数ｎは特に限定されず、５〜１３のものが好ましく、６がより好ましい。

Ｙ^ｅｗ１における、又は、Ｒ^ｆ１における（パー）ハロアリール基としては、−Ｃ_（ｎ）Ｆ_{（ｎ−１）}で表されるパーフルオロアリール基が挙げられる。ここで炭素数ｎは特に限定されず、５〜１３が好ましく、６がより好ましい。

Ｒ^ｅｗ１、Ｒ^ｅｗ２及びＹ^ｅｗ１の少なくとも２つが互いに連結して形成してもよい環としては、シクロアルキル基又はヘテロ環基が好ましい。

上記式ＥＷで示す部分構造を構成する各基及び各環は、更に置換基を有していてもよい。

上記式Ｗ中、Ｒ^２０は、ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１個以上で置換されたアルキル基であることが好ましく、ハロゲン原子で置換されたアルキル基（ハロアルキル基）であることがより好ましく、フルオロアルキル基であることが更に好ましい。ハロゲン原子、シアノ基及びニトロ基からなる群から選択される１個以上で置換されたアルキル基は炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜５であることがより好ましい。
より具体的には、Ｒ^２０は、−Ｃ（Ｒ’^１）（Ｒ’^ｆ１）（Ｒ’^ｆ２）又は−Ｃ（Ｒ’^１）（Ｒ’^２）（Ｒ’^ｆ１）で表される原子団であることが好ましい。Ｒ’^１及びＲ’^２は、それぞれ独立に、水素原子、又は、電子求引性基で置換されていない（好ましくは無置換の）アルキル基を表す。Ｒ’^ｆ１及びＲ’^ｆ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、又は、パーフルオロアルキル基を表す。
Ｒ’^１及びＲ’^２としてのアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１〜６が好ましい。
Ｒ’^ｆ１及びＲ’^ｆ２してのパーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、炭素数１〜６が好ましい。
Ｒ^２０の好ましい具体例としては、−ＣＦ_３、−Ｃ_２Ｆ_５、−Ｃ_３Ｆ_７、−Ｃ_４Ｆ_９、−ＣＦ（ＣＦ_３）_２、−ＣＦ（ＣＦ_３）Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）_２、−Ｃ（ＣＦ_３）_３、−Ｃ_５Ｆ_１１、−Ｃ_６Ｆ_１３、−Ｃ_７Ｆ_１５、−Ｃ_８Ｆ_１７、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、−ＣＨ（ＣＦ_３）_２、−ＣＨ（ＣＦ_３）Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＨ_２ＣＦ（ＣＦ_３）_２、及び、−ＣＨ_２ＣＮが挙げられる。なかでも、−ＣＦ_３、−Ｃ_２Ｆ_５、−Ｃ_３Ｆ_７、−Ｃ_４Ｆ_９、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、−ＣＨ（ＣＦ_３）_２、又は、−ＣＨ_２ＣＮが好ましく、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＨ_２Ｃ_３Ｆ_７、−ＣＨ（ＣＦ_３）_２、又は、−ＣＨ_２ＣＮがより好ましく、−ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、−ＣＨ（ＣＦ_３）_２、又は、−ＣＨ_２ＣＮが更に好ましく、−ＣＨ_２Ｃ_２Ｆ_５、又は、−ＣＨ（ＣＦ_３）_２が特に好ましい。

式Ｘで表される構成単位としては、下記式Ｘ−１又は式Ｘ−２で表される構成単位が好ましく、式Ｘ−１で表される構成単位がより好ましい。

式Ｘ−１中、Ｒ^２０は、電子求引性基を表す。Ｌ^２は、２価の連結基を表す。Ｘ^２は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｚ^２はハロゲン原子を表す。
式Ｘ−２中、Ｒ^２０は、電子求引性基を表す。Ｌ^３は、２価の連結基を表す。Ｘ^３は、酸素原子又は硫黄原子を表す。Ｚ^３はハロゲン原子を表す。

Ｌ^２及びＬ^３としての２価の連結基の具体例及び好ましい例は、上記式Ｘの２価の連結基としてのＬにおいて説明したものと同様である。
Ｒ^２及びＲ^３としての電子求引性基は、上記式ＥＷで示す部分構造であることが好ましく、具体例及び好ましい例も前述の通りであるが、ハロ（シクロ）アルキル基がより好ましい。

上記式Ｘ−１においては、Ｌ^２とＲ^２とが互いに結合して環を形成することはなく、上記式Ｘ−２においては、Ｌ^３とＲ^３とが互いに結合して環を形成することはない。

Ｘ^２及びＸ^３としては、酸素原子が好ましい。
Ｚ^２及びＺ^３としては、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

また、式Ｘで表される構成単位としては、式Ｘ−３で表される構成単位も好ましい。

式Ｘ−３中、Ｒ^２０は電子求引性基を表す。Ｒ^２１は、水素原子、アルキル基、又は、アリール基を表す。Ｌ^４は、２価の連結基を表す。Ｘ^４は、酸素原子又は硫黄原子を表す。ｍは、０又は１を表す。

Ｌ^４としての２価の連結基の具体例及び好ましい例は、式Ｘの２価の連結基としてのＬにおいて説明したものと同様である。
Ｒ^４としての電子求引性基は、上記式ＥＷで示す部分構造であることが好ましく、具体例及び好ましい例も前述の通りであるが、ハロ（シクロ）アルキル基であることがより好ましい。

なお、上記式Ｘ−３においては、Ｌ^４とＲ^４とが互いに結合して環を形成することはない。
Ｘ^４としては、酸素原子が好ましい。

また、式Ｘで表される構成単位としては、式Ｙ−１で表される構成単位又は式Ｙ−２で表される構成単位も好ましい。

式Ｙ−１及び式Ｙ−２中、Ｚは、ハロゲン原子、Ｒ^１１ＯＣＨ_２−で表される基、又は、Ｒ^１２ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２−で表される基を表す。Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立して、置換基を表す。Ｒ^２０は電子求引性基を表す。

Ｒ^２０としての電子求引性基は、上記式ＥＷで示す部分構造であることが好ましく、具体例及び好ましい例も前述の通りであるが、ハロ（シクロ）アルキル基であることがより好ましい。

Ｚとしての、ハロゲン原子、Ｒ^１１ＯＣＨ_２−で表される基、及び、Ｒ^１２ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ_２−で表される基の具体例及び好ましい例は、上記式１において説明したものと同様である。

式Ｘで表される構成単位の含有量は、含フッ素樹脂の全構成単位に対し、１０〜１００モル％が好ましく、２０〜１００モル％がより好ましく、３０〜１００モル％が更に好ましい。

疎水性樹脂（Ｅ）を構成する構成単位の好ましい例を以下に示す。
疎水性樹脂（Ｅ）としては、これらの構成単位を任意に組合せた樹脂、又は、実施例で使用されている樹脂Ｅ−１〜Ｅ−１１が好ましく挙げられるが、これに限定されない。

また、以下に、含フッ素樹脂の具体例、および、含フッ素樹脂が含み得る繰り返し単位を示す。下表において、構成単位の組成比は、モル比を示す。また、下記表中に記載の組成における構成単位については後述する（ＴＭＳは、トリメチルシリル基を表す）。表中、Ｐｄは含フッ素樹脂の分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を表す。

疎水性樹脂（Ｅ）は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
表面エネルギーが異なる２種以上の疎水性樹脂（Ｅ）を混合して使用することが、液浸露光における液浸液追随性と現像特性の両立の観点から好ましい。
疎水性樹脂（Ｅ）の組成物中の含有量は、本開示に係る感光性樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０５〜８質量％がより好ましい。

本開示に係る組成物が、樹脂として樹脂（Ａ）を含み、かつ、樹脂（Ｅ）を更に含む場合、樹脂（Ａ）と樹脂（Ｅ）の含有比（質量比）は、樹脂（Ａ）：樹脂（Ｅ）＝９９.９：０．１〜９４：６であることが好ましく、９９．５：０．５〜９５：５であることがより好ましい。

＜溶剤（Ｆ）＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、溶剤を含有する。
本開示に係る感光性樹脂組成物においては、公知のレジスト溶剤を適宜使用することができる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／００７０１６７号明細書の段落０６６５〜０６７０、米国特許出願公開第２０１５／０００４５４４号明細書の段落０２１０〜０２３５、米国特許出願公開第２０１６／０２３７１９０号明細書の段落０４２４〜０４２６、米国特許出願公開第２０１６／０２７４４５８号明細書の段落０３５７〜０３６６に開示された公知の溶剤を好適に使用できる。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン（好ましくは炭素数４〜１０）、環を有してもよいモノケトン化合物（好ましくは炭素数４〜１０）、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及びピルビン酸アルキル等の有機溶剤が挙げられる。

有機溶剤として、構造中に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を使用してもよい。
水酸基を含有する溶剤、及び水酸基を含有しない溶剤としては、前述の例示化合物を適宜選択できるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、又は乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、又は乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有してもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、又は酢酸アルキル等が好ましく、これらの中でも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルエトキシプロピオネート、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン、エチルエトキシプロピオネート、シクロヘキサノン、シクロペンタノン又は２−ヘプタノンが更に好ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、プロピレンカーボネートも好ましい。これらの中でも、溶剤がγ-ブチロラクトンを含むことが特に好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比（質量比）は、１／９９〜９９／１であり、１０／９０〜９０／１０が好ましく、２０／８０〜６０／４０がより好ましい。水酸基を含有しない溶剤を５０質量％以上含有する混合溶剤が、塗布均一性の点で好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤でもよいし、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する２種類以上の混合溶剤ででもよい。

＜架橋剤（Ｇ）＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、酸の作用により樹脂を架橋する化合物（以下、架橋剤（Ｇ）ともいう）を含有してもよい。架橋剤（Ｇ）としては、公知の化合物を適宜に使用することができる。例えば、米国特許出願公開第２０１６／０１４７１５４号明細書の段落０３７９〜０４３１、米国特許出願公開第２０１６／０２８２７２０号明細書の段落００６４〜０１４１に開示された公知の化合物を架橋剤（Ｇ）として好適に使用できる。
架橋剤（Ｇ）は、樹脂を架橋しうる架橋性基を有している化合物であり、架橋性基としては、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、アシルオキシメチル基、アルコキシメチルエーテル基、オキシラン環、及びオキセタン環などを挙げることができる。
架橋性基は、ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、オキシラン環又はオキセタン環であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、架橋性基を２個以上有する化合物（樹脂も含む）であることが好ましい。
架橋剤（Ｇ）は、ヒドロキシメチル基又はアルコキシメチル基を有する、フェノール誘導体、ウレア系化合物（ウレア構造を有する化合物）又はメラミン系化合物（メラミン構造を有する化合物）であることがより好ましい。
架橋剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
架橋剤（Ｇ）の含有量は、組成物の全固形分に対して、１質量％〜５０質量％が好ましく、３質量％〜４０質量％が好ましく、５質量％〜３０質量％が更に好ましい。

＜界面活性剤(Ｈ)＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、界面活性剤を含有してもよいし、含有しなくてもよい。界面活性剤を含有する場合、フッ素系及びシリコン系界面活性剤（具体的には、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、又はフッ素原子とケイ素原子との両方を有する界面活性剤）の少なくとも一方を含有することが好ましい。

本開示に係る感光性樹脂組成物が界面活性剤を含有することにより、波長２５０ｎｍ以下、特に波長２２０ｎｍ以下の露光光源を使用した場合に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠陥の少ないレジストパターンを得ることができる。
フッ素系又はシリコン系界面活性剤として、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落０２７６に記載の界面活性剤が挙げることができる。
また、米国特許出願公開第２００８／０２４８４２５号明細書の段落０２８０に記載の、フッ素系又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を使用することもできる。

これらの界面活性剤は１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
本開示に係る感光性樹脂組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０００１質量％〜２質量％が好ましく、０．０００５質量％〜１質量％がより好ましい。
一方、界面活性剤の含有量が、組成物の全固形分に対して０．０００１質量％以上とすることにより、疎水性樹脂の表面偏在性が上がる。それにより、感活性光線性又は感放射線性膜の表面をより疎水的にすることができ、液浸露光時の水追随性が向上する。

＜その他の添加剤＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、更に、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤、又は溶解促進剤等を含有してもよい。

＜調製方法＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、上記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは上記混合溶剤に溶解し、これをフィルター濾過した後、例えば所定の支持体（基板）上に塗布して用いる。フィルター濾過に用いるフィルターのポアサイズは０．１μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以下がより好ましく、０．０３μｍ以下が更に好ましい。上記フィルターは、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のものが好ましい。フィルター濾過においては、例えば特開第２００２−６２６６７号公報に開示されるように、循環的な濾過を行ってもよく、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して濾過を行ってもよい。また、組成物を複数回濾過してもよい。更に、フィルター濾過の前後で、組成物に対して脱気処理等を行ってもよい。

本開示に係る感光性樹脂組成物の固形分濃度は、１．０質量％〜１０質量％であることが好ましく、２．０質量％〜５．７質量％がより好ましく、２．０質量％〜５．３質量％が更に好ましい。固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量の質量百分率である。
本開示に係る感光性樹脂組成物の粘度は、０．５ｍＰａ・ｓ〜７００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１．０ｍＰａ・ｓ〜６００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。
特に、レジスト膜を２μｍ以上とする場合、本開示に係る感光性樹脂組成物の粘度は、１８ｍＰａ・ｓ〜７００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、３０ｍＰａ・ｓ〜６００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。
粘度は、ＴＶ−２２型粘度計（東機産業（株）製）を用い、２５℃で測定される。

＜用途＞
本開示に係る感光性樹脂組成物は、光の照射により反応して性質が変化する感光性樹脂組成物である。更に詳しくは、本開示に係る感光性樹脂組成物は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体製造工程、液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造、インプリント用モールド構造体の作製、その他のフォトファブリケーション工程、又は平版印刷版、若しくは酸硬化性組成物の製造に使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に関する。本開示に係る組成物により形成されるレジストパターンは、エッチング工程、イオンインプランテーション工程、バンプ電極形成工程、再配線形成工程、及びＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）等において使用することができる。

（レジスト膜）
本開示に係るレジスト膜は、本開示に係る感光性樹脂組成物の固化物である。
固化物は、具体的には、本開示に係るレジスト膜は、例えば、基板等の支持体上に本開示に係る感光性樹脂組成物を塗布した後に、乾燥することにより得られる。
上記乾燥とは、本開示に係る感光性樹脂組成物に含まれる溶剤の少なくとも一部を除去することをいう。加熱（例えば、７０℃〜１５０℃、１分間〜３分間）による乾燥等が挙げられる。
加熱方法としては特に限定されず、公知の加熱手段が用いられ、例えば、ヒーター、オーブン、ホットプレート、赤外線ランプ、赤外線レーザー等が挙げられる。

本開示に係るレジスト膜に含まれる成分は、本開示に係る感光性樹脂組成物に含まれる成分のうち、溶剤を除いた成分と同様であり、好ましい態様も同様である。
本開示に係るレジスト膜に含まれる各成分の含有量は、本開示に係る感光性樹脂組成物の溶剤以外の各成分の含有量の説明における「全固形分」の記載を、「レジスト膜の全質量」に読み替えたものに相当する。

本開示に係るレジスト膜の厚さは、特に限定されず、２０ｎｍ〜１７μｍであることが好ましく、５０ｎｍ〜１５μｍであることがより好ましい。
また、メモリデバイスの三次元化に伴い、厚いレジスト膜を形成したい場合には、例えば、２μｍ以上であることが好ましく、２μｍ以上１７μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以上１５μｍ以下であることが更に好ましい。

（パターン形成方法）
本開示に係るパターン形成方法は、
本開示に係るレジスト膜を活性光線により露光する工程（露光工程）、及び、
上記露光する工程後のレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程（現像工程）、を含む。
また、本開示に係るパターン形成方法は、本開示に係る感光性樹脂組成物によってレジスト膜を支持体上に形成する工程（成膜工程）、
上記レジスト膜を活性光線により露光する工程（露光工程）、及び、
上記露光する工程後のレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程（現像工程）、を含む方法であってもよい。

＜成膜工程＞
本開示に係るパターン形成方法は、成膜工程を含んでもよい。成膜工程におけるレジスト膜の形成方法としては、例えば、上述のレジスト膜の項目で述べた乾燥によるレジスト膜の形成方法が挙げられる。

〔支持体〕
支持体は、特に限定されるものではなく、ＩＣ等の半導体の製造工程、又は液晶若しくはサーマルヘッド等の回路基板の製造工程のほか、その他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程等で一般的に用いられる基板を用いることができる。支持体の具体例としては、シリコン、ＳｉＯ_２、及びＳｉＮ等の無機基板等が挙げられる。

＜露光工程＞
露光工程は、レジスト膜を光により露光する工程である。
露光方法は、液浸露光であってもよい。
本開示に係るパターン形成方法は、露光工程を、複数回含んでいてもよい。
露光に用いられる光（活性光線又は放射線）の種類は、光酸発生剤の特性及び得たいパターン形状等を考慮して選択すればよいが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光(ＥＵＶ)、Ｘ線、及び電子線等が挙げられ、遠紫外光が好ましい。
例えば、波長２５０ｎｍ以下の活性光線が好ましく、２２０ｎｍ以下がより好ましく、１〜２００ｎｍが更に好ましい。
用いられる光として、具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）、Ｘ線、ＥＵＶ（１３ｎｍ）、又は電子線等であり、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ又は電子線が好ましい。
露光する工程における露光は、フッ化アルゴンレーザーを用いた液浸露光により行われるか、又は、露光する工程における露光は、フッ化クリプトンレーザーを用いた露光により行われることが好ましい。
露光量としては、５ｍＪ／ｃｍ^２〜２００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましく、１０ｍＪ／ｃｍ^２〜１００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましい。

＜現像工程＞
現像工程において使用される現像液は、アルカリ現像液であっても、有機溶剤を含有する現像液（以下、有機系現像液ともいう）であってもよく、アルカリ水溶液であることが好ましい。

〔アルカリ現像液〕
アルカリ現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドに代表される第４級アンモニウム塩が好ましく用いられるが、これ以外にも無機アルカリ、第１級〜第３級アミン、アルカノールアミン、及び環状アミン等のアルカリ水溶液も使用可能である。
さらに、上記アルカリ現像液は、アルコール類、及び界面活性剤の少なくとも１種を適当量含有してもよい。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、０．１質量〜２０質量％であることが好ましい。アルカリ現像液のｐＨは、１０〜１５であることが好ましい。
アルカリ現像液を用いて現像を行う時間は、１０秒〜３００秒であることが好ましい。
アルカリ現像液のアルカリ濃度、ｐＨ、及び現像時間は、形成するパターンに応じて、適宜調整することができる。

〔有機系現像液〕
有機系現像液は、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有する現像液であるのが好ましい。

−ケトン系溶剤−
ケトン系溶剤としては、例えば、１−オクタノン、２−オクタノン、１−ノナノン、２−ノナノン、アセトン、２−ヘプタノン（メチルアミルケトン）、４−ヘプタノン、１−ヘキサノン、２−ヘキサノン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、フェニルアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、アセトニルアセトン、イオノン、ジアセトニルアルコール、アセチルカービノール、アセトフェノン、メチルナフチルケトン、イソホロン、及びプロピレンカーボネート等を挙げることができる。

−エステル系溶剤−
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ペンチル、酢酸イソペンチル、酢酸アミル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルー３−エトキシプロピオネート、３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３−メトキシブチルアセテート、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸ブチル、蟻酸プロピル、乳酸エチル、乳酸ブチル、乳酸プロピル、ブタン酸ブチル、２−ヒドロキシイソ酪酸メチル、酢酸イソアミル、イソ酪酸イソブチル、及びプロピオン酸ブチル等を挙げることができる。

−その他の溶剤−
アルコール系溶剤、アミド系溶剤、エーテル系溶剤、及び炭化水素系溶剤としては、米国特許出願公開２０１６／００７０１６７号明細書の段落０７１５〜０７１８に開示された溶剤を使用できる。

上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤又は水と混合してもよい。現像液全体としての含水率は、５０質量％未満が好ましく、２０質量％未満がより好ましく、１０質量％未満であることが更に好ましく、実質的に水を含有しないことが特に好ましい。
有機系現像液における有機溶剤の含有量は、現像液の全量に対して、５０質量％以上１００質量％以下が好ましく、８０質量％以上１００質量％以下がより好ましく、９０質量％以上１００質量％以下が更に好ましく、９５質量％以上１００質量％以下が特に好ましい。

−界面活性剤−
有機系現像液は、必要に応じて公知の界面活性剤を適当量含有できる。
界面活性剤の含有量は現像液の全質量に対して、０．００１質量％〜５質量％であることが好ましく、０．００５〜２質量％がより好ましく、０．０１質量％〜０．５質量％が更に好ましい。

−酸拡散制御剤−
有機系現像液は、上述した酸拡散制御剤を含んでいてもよい。

〔現像方法〕
現像方法としては、例えば、現像液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、基板表面に現像液を表面張力によって盛り上げて一定時間静止する方法（パドル法）、基板表面に現像液を噴霧する方法（スプレー法）、又は一定速度で回転している基板上に一定速度で現像液吐出ノズルをスキャンしながら現像液を吐出しつづける方法（ダイナミックディスペンス法）等を適用することができる。

アルカリ水溶液を用いて現像を行う工程（アルカリ現像工程）、及び有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（有機溶剤現像工程）を組み合わせてもよい。これにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、より微細なパターンを形成することができる。

＜前加熱工程、露光後加熱工程＞
本開示に係るパターン形成方法は、露光工程の前に、前加熱(ＰＢ：ＰｒｅＢａｋｅ)工程を含むことが好ましい。
本開示に係るパターン形成方法は、前加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
本開示に係るパターン形成方法は、露光工程の後、かつ、現像工程の前に、露光後加熱(ＰＥＢ：Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ)工程を含むことが好ましい。
本開示に係るパターン形成方法は、露光後加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
加熱温度は、前加熱工程及び露光後加熱工程のいずれにおいても、７０℃〜１３０℃が好ましく、８０℃〜１２０℃がより好ましい。
加熱時間は、前加熱工程及び露光後加熱工程のいずれにおいても、３０秒〜３００秒が好ましく、３０秒〜１８０秒がより好ましく、３０〜９０秒が更に好ましい。
加熱は、露光装置及び現像装置に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。

＜レジスト下層膜形成工程＞
本開示に係るパターン形成方法は、成膜工程の前に、レジスト下層膜を形成する工程（レジスト下層膜形成工程）を更に含んでもよい。
レジスト下層膜形成工程は、レジスト膜と支持体との間にレジスト下層膜(例えば、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）、ＳＯＣ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｃａｒｂｏｎ）、反射防止膜等)を形成する工程である。レジスト下層膜としては、公知の有機系又は無機系の材料を適宜用いることができる。

＜保護膜形成工程＞
本開示に係るパターン形成方法は、現像工程の前に、保護膜を形成する工程（保護膜形成工程）を更に含んでもよい。
保護膜形成工程は、レジスト膜の上層に、保護膜(トップコート)を形成する工程である。
保護膜としては、公知の材料を適宜用いることができる。例えば、米国特許出願公開第２００７／０１７８４０７号明細書、米国特許出願公開第２００８／００８５４６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７５３２６号明細書、米国特許出願公開第２０１６／０２９９４３２号明細書、米国特許出願公開第２０１３／０２４４４３８号明細書、国際特許出願公開第２０１６／１５７９８８号明細書に開示された保護膜形成用組成物を好適に使用することができる。保護膜形成用組成物としては、上述した酸拡散制御剤を含むものが好ましい。
上述した疎水性樹脂を含有するレジスト膜の上層に保護膜を形成してもよい。

＜リンス工程＞
本開示に係るパターン形成方法は、現像工程の後に、リンス液を用いて洗浄する工程（リンス工程）を含むことが好ましい。

〔アルカリ現像液を用いた現像工程の場合〕
アルカリ現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、例えば純水を使用できる。純水は、界面活性剤を適当量含有してもよい。この場合、現像工程又はリンス工程の後に、パターン上に付着している現像液又はリンス液を超臨界流体により除去する処理を追加してもよい。更に、リンス処理又は超臨界流体による処理の後、パターン中に残存する水分を除去するために加熱処理を行ってもよい。

〔有機系現像液を用いた現像工程の場合〕
有機溶剤を含む現像液を用いた現像工程の後のリンス工程に用いるリンス液は、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用できる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも１種の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤、及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
この場合のリンス工程に用いるリンス液としては、１価アルコールを含有するリンス液がより好ましい。

リンス工程で用いられる１価アルコールとしては、直鎖状、分岐状、又は環状の１価アルコールが挙げられる。具体的には、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、ｔｅｒｔ―ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−ヘキサノール、シクロペンタノール、２−ヘプタノール、２−オクタノール、３−ヘキサノール、３−ヘプタノール、３−オクタノール、４−オクタノール、及びメチルイソブチルカルビノールが挙げられる。炭素数５以上の１価アルコールとしては、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、４−メチル−２−ペンタノール、１−ペンタノール、３−メチル−１−ブタノール、及びメチルイソブチルカルビノール等が挙げられる。

各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合して使用してもよい。
リンス液中の含水率は、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、３質量％以下が更に好ましい。含水率を１０質量％以下とすることで、良好な現像特性が得られる。

リンス液は、界面活性剤を適当量含有してもよい。
リンス工程においては、有機系現像液を用いる現像を行った基板を有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されず、例えば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法（回転塗布法）、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法（ディップ法）、又は基板表面にリンス液を噴霧する方法（スプレー法）等を適用することができる。中でも、回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を２，０００〜４，０００ｒｐｍの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。また、リンス工程の後に加熱工程（Ｐｏｓｔ Ｂａｋｅ）を含むことも好ましい。この加熱工程によりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程において、加熱温度は４０〜１６０℃であることが好ましく、７０〜９５℃がより好ましい。加熱時間は１０秒〜３分であることが好ましく、３０秒〜９０秒がより好ましい。

＜各種材料の不純物＞
本開示に係る感光性樹脂組成物樹脂組成物、及び、本開示に係るパターン形成方法において使用される各種材料（例えば、レジスト溶剤、現像液、リンス液、反射防止膜形成用組成物、又はトップコート形成用組成物等）は、金属成分、異性体、及び残存モノマー等の不純物を含まないことが好ましい。上記の各種材料に含まれるこれらの不純物の含有量としては、１ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｔ以下がより好ましく、１０ｐｐｔ以下が更に好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。

上記各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過を挙げることができる。フィルター孔径としては、ポアサイズ１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフルオロエチレン製、ポリエチレン製、又はナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び材質の少なくとも一方が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であってもよい。フィルターとしては、特開２０１６−２０１４２６号公報に開示されるような溶出物が低減されたものが好ましい。
フィルター濾過のほか、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル若しくはゼオライト等の無機系吸着材、又は活性炭等の有機系吸着材を使用することができる。金属吸着剤としては、例えば、特開２０１６−２０６５００号公報に開示されるものを挙げることができる。
また、上記各種材料に含まれる金属等の不純物を除去する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、又は装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法が挙げられる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。

上記の各種材料は、不純物の混入を防止するために、米国特許出願公開第２０１５／０２２７０４９号明細書、特開２０１５−１２３３５１号公報、特開２０１７−１３８０４号公報等に記載された容器に保存されることが好ましい。

＜表面荒れの改善＞
本開示に係るパターン形成方法により形成されるパターンに、パターンの表面荒れを改善する方法を適用してもよい。パターンの表面荒れを改善する方法としては、例えば、米国特許出願公開第２０１５／０１０４９５７号明細書に開示された、水素を含有するガスのプラズマによってレジストパターンを処理する方法が挙げられる。その他にも、特開２００４−２３５４６８号公報、米国特許出願公開第２０１０／００２０２９７号明細書、Ｐｒｏｃ． ｏｆ ＳＰＩＥ Ｖｏｌ．８３２８ ８３２８０Ｎ−１“ＥＵＶ Ｒｅｓｉｓｔ Ｃｕｒｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ＬＷＲ Ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ ａｎｄ Ｅｔｃｈ Ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ”に記載されるような公知の方法を適用してもよい。
また、上記の方法によって形成されたレジストパターンは、例えば特開平３−２７０２２７号公報及び米国特許出願公開第２０１３／０２０９９４１号明細書に開示されたスペーサープロセスの芯材（Ｃｏｒｅ）として使用できる。

（電子デバイスの製造方法）
本開示に係る電子デバイスの製造方法は、本開示に係るパターン形成方法を含む。本開示に係る電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイスは、電気電子機器（例えば、家電、ＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ）関連機器、メディア関連機器、光学用機器、及び通信機器等）に、好適に搭載される。

以下に実施例を挙げて本発明の実施形態を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、及び、処理手順等は、本発明の実施形態の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。したがって、本発明の実施形態の範囲は以下に示す具体例に限定されない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。

＜樹脂の合成＞
〔樹脂Ａ−１の合成〕
窒素気流下、シクロヘキサノン７７．３質量部を３つ口フラスコに入れ、これを８０℃に加熱した。これにγ−ブチロラクトンメタクリレート４６．８質量部、メタクリル酸tert-ブチル３９．１質量部、重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）をモノマーに対し５．1質量部をシクロヘキサノン１８０．４質量部に溶解させた溶液を６時間かけて滴下した。滴下終了後、更に８０℃で２時間反応させた。反応液を放冷後ヘキサン１９２４質量部／酢酸エチル４８１質量部の混合液に２０分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂Ａ−１が７６．３質量部得られた。得られた樹脂の重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で１２０００、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．５であった。

〔樹脂Ａ−２〜Ａ−２５の合成〕
樹脂Ａ−１の合成において、使用するモノマーを下記表４に記載の下記モノマー１〜下記モノマー５に変更した以外は、樹脂Ａ−１の合成と同様の方法により、樹脂Ａ−２〜Ａ−２５を合成した。

表４中の各モノマーの欄に記載の数値は、各モノマーの含有量（モル比率）を表す。また、「−」の記載は、該当するモノマーを含有しないことを示す。
表４中に略語として記載した各モノマーの構造は下記の通りである。

＜疎水性樹脂及びトップコート用樹脂の合成＞
下記化合物（ＭＥ−３）６０．５質量部と、下記化合物（ＭＥ−４）３５．３質量部と、３．６６質量部の重合開始剤Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）とを、３５２質量部のシクロヘキサノンに溶解させた。反応容器中に１９０質量部のシクロヘキサノンを入れ、窒素ガス雰囲気下、８０℃の系中に６時間かけて滴下した。反応溶液を２時間に亘って加熱撹拌した後、これを室温まで放冷した。
上記反応溶液を、４５００質量部のメタノール／水＝９／１（質量比）中に滴下し、ポリマーを沈殿させ、ろ過した。６５０質量部のメタノール／水＝９／１（質量比）を用いて、ろ過した固体のかけ洗いを行なった。その後、洗浄後の固体を減圧乾燥に供して、６２質量部の樹脂（Ｅ−１）を得た。

〔疎水性樹脂Ｅ−２〜Ｅ−１１及びトップコート用樹脂ＰＴ−１〜ＰＴ−３の合成〕
疎水性樹脂Ｅ−１の合成において、使用するモノマーを下記表５に記載の下記モノマー１〜下記モノマー４に変更した以外は、疎水性樹脂Ｅ−１の合成と同様の方法により、樹脂Ａ−２〜Ａ−２５を合成した。

表５中の各モノマーの欄に記載の数値は、各モノマーの含有量（モル比率）を表す。また、「−」の記載は、該当するモノマーを含有しないことを示す。
表５中に略語として記載した各モノマーの構造は下記の通りである。

＜感光性樹脂組成物の調製＞
表６又は表７に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度４．５質量％の溶液を調製し、これを０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感光性樹脂組成物を調製した。

表６又は表７中、「含有量」の欄の記載は、各組成物の含有量（質量部）を表す。また、例えば「種類」の欄に「ＰＡＧ−５／ＰＡＧ−６」、含有量の欄に「０．５／１．０」と記載されている場合、ＰＡＧ−５を０．５質量部、ＰＡＧ−６を１．０質量部、それぞれ含有することを示している。
溶剤について、「種類」の欄に「Ｆ−１／Ｆ−３」、混合比（質量）の欄に「７０／３０」と記載されている場合、Ｆ−１とＦ−３とを７０：３０（質量比）の割合で混合した溶剤を含有することを示している。
低分子エステル化合物の欄に記載した化合物は、全てアルカリ分解性を有し、かつ、分子量が１５００未満の化合物であった。
表６又は表７中、上述した以外の略語で記載した化合物の詳細は下記の通りである。

Ｈ−１：メガファックＦ１７６（ＤＩＣ（株）製、フッ素系界面活性剤）
Ｈ−２：メガファックＲ０８（ＤＩＣ（株）製、フッ素及びシリコン系界面活性剤）
Ｈ−３：ＰＦ６５６（ＯＭＮＯＶＡ社製、フッ素系界面活性剤）
Ｈ−４：ＰＦ６３２０（ＯＭＮＯＶＡ社製、フッ素系界面活性剤）
Ｈ−５：ＦＣ−４４３０（住友３Ｍ社製、フッ素系界面活性剤）

Ｆ−１：プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
Ｆ−２：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
Ｆ−３：プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
Ｆ−４：シクロヘキサノン
Ｆ−５：シクロペンタノン
Ｆ−６：２−ヘプタノン
Ｆ−７：乳酸エチル
Ｆ−８：γ−ブチロラクトン
Ｆ−９：プロピレンカーボネート
ＦＴ−１：４−メチル−２−ペンタノール（ＭＩＢＣ）
ＦＴ−２：ｎ−デカン
ＦＴ−３：ジイソアミルエーテル

＜保護膜（トップコート膜）形成用組成物の調製＞
表８に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度３．０質量％の溶液を調製し、これを０．０３μｍのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して保護膜形成用組成物を調製した。

表８中、「含有量」の欄の記載は、各組成物の含有量（質量部）を表す。また、例えば「種類」の欄に「ＤＴ−１／ＤＴ−２」、含有量の欄に「１．３／０．０６」と記載されている場合、ＤＴ−１を１．３質量部、ＤＴ−２を０．０６質量部、それぞれ含有することを示している。
溶剤について、「種類」の欄に「ＦＴ−１／ＦＴ−２」、混合比（質量）の欄に「７０／３０」と記載されている場合、ＦＴ−１とＦＴ−２とを７０：３０（質量比）の割合で混合した溶剤を含有することを示している。
表８中、上述した以外の略語で記載した化合物の詳細は下記の通りである。

（実施例１−１〜１−２５及び比較例１−１〜１−３）
＜ポジ型レジスト膜における評価（ＡｒＦレーザーを使用）＞
〔焦点深度（ＤＯＦ）性能試験〕
各実施例又は比較例において、シリコンウエハ（１２インチ口径）上に反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に、表９に記載した感光性樹脂組成物を塗布し、１００℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚１００ｎｍの感光性膜（レジスト膜）を形成した。
実施例１−２及び実施例１−１７においては、表９に記載した保護膜形成用組成物を塗布し、膜厚５０ｎｍの保護膜を、上記レジスト膜の上に形成した。その他の例については、保護膜を形成しなかった。
得られたウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製 ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ａｎｎｕｌａｒ、アウターシグマ０．７００、インナーシグマ０．４００、ＸＹ偏向）を用い、開口部分が１００ｎｍであり、かつ、ホール間のピッチが８００ｎｍである６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。
その後９０℃で、６０秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して線幅９０ｎｍの孤立ホールパターンを得た。
上記「孤立ホールパターンの形成」の露光及び現像条件において、孔径９０ｎｍのホールパターンを形成する露光量において、フォーカス方向に１５ｎｍ刻みで、露光フォーカスの条件を変更して露光及び現像を行い、得られる各パターンのホール径（ＣＤ）を線幅測長走査型電子顕微鏡ＳＥＭ（（株）日立製作所Ｓ−９３８０）を使用して測定し、上記の各ＣＤをプロットして得られる曲線の極小値又は極大値に対応するフォーカスをベストフォーカスとした。このベストフォーカスを中心にフォーカスを変化させた際に、ホール径が９０ｎｍ±１０％を許容するフォーカスの変動幅、すなわち、フォーカス許容度（ＤＯＦ）（ｎｍ）を算出した。
算出結果は表９に記載した。ＤＯＦの値が大きいほど、焦点深度の許容度に優れるといえる。

〔パターン形状試験〕
各実施例及び比較例について、上記の方法で作製したレジストパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、下記評価基準に従って評価した。評価結果は表９に記載した。焦点位置は上述のベストフォーカスの位置とした。断面形状が矩形に近いほど良好なパターン形状を示すといえる。

−評価基準−
Ａ：矩形形状
Ｂ：軽度なテーパー形状
Ｃ：テーパー形状

〔欠陥評価〕
上記同様の方法で感光性膜（レジスト膜）及び必要に応じて保護膜を形成後、得られたウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製 ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ｄｉｐｏｌｅ、アウターシグマ０．９８１、インナーシグマ０．８９５、Ｙ偏向）を用い、線幅４５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンの６％ハーフトーンマスクを通して露光した。焦点位置は上述のベストフォーカスの位置とした。液浸液としては超純水を使用した。その後９０℃で、６０秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（２．３８質量％）で３０秒間現像し、純水でリンスした後、スピン乾燥して線幅４５ｎｍの１：１ラインアンドスペースパターンを得た。
上記線幅４５ｎｍのパターンを形成後、その後、ＵＶｉｓｉｏｎ５（ＡＭＡＴ社製）で、シリコンウエハ上における欠陥分布を検出し、ＳＥＭＶｉｓｉｏｎＧ４（ＡＭＡＴ社製）を用いて、欠陥の形状を観察した。液浸欠陥は１２インチ口径のシリコンウェハ１枚当たりの欠陥数を数え、下記評価基準により評価した。評価結果は表９に記載した。欠陥数が少ないほど良好な結果を示す。

−評価基準−
Ａ：１００個以下
Ｂ：１００個より多く５００個未満
Ｃ：５００個以上

（実施例２−１〜２−１０及び比較例２−１）
＜ネガ型レジスト膜における評価（ＡｒＦレーザーを使用）＞
〔焦点深度（ＤＯＦ）性能試験〕
ポジ型レジスト膜における評価と同様に、シリコンウエハ（１２インチ口径）上に反射防止膜ＡＲＣ２９Ａ（日産化学社製）を塗布し、２０５℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚８６ｎｍの反射防止膜を形成した。その上に表１０に記載の感光性樹脂組成物を塗布し、１００℃で、６０秒間ベークを行い、膜厚１００ｎｍの感光性膜（レジスト膜）を形成した。
実施例２−２においては、表１０に記載した保護膜形成用組成物を塗布し、膜厚５０ｎｍの保護膜を、上記レジスト膜の上に形成した。その他の例については、保護膜を形成しなかった。
得られたウエハをＡｒＦエキシマレーザー液浸スキャナー（ＡＳＭＬ社製 ＸＴ１７００ｉ、ＮＡ１．２０、Ａｎｎｕｌａｒ、アウターシグマ０．７００、インナーシグマ０．４００、ＸＹ偏向）を用い、遮光部分が８０ｎｍであり、かつ、ホール間のピッチが８００ｎｍである６％ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては超純水を使用した。
その後９０℃で、６０秒間加熱した後、ｎＢＡ（酢酸ブチル）現像液で３０秒間パドルして現像し、ＭＩＢＣ（メチルイソブチルカルビノール）リンス液で３０秒間パドルしてリンスした後、スピン乾燥して線幅９０ｎｍの孤立ホールパターンを得た。
上述の実施例１−１と同様の方法によりフォーカス余裕度（ＤＯＦ）を算出し、表１０に記載した。

〔パターン形状試験〕
各実施例及び比較例について、上記の方法で作製したレジストパターンの断面形状を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、下記評価基準に従って評価した。評価結果は表１０に記載した。焦点位置は上述のベストフォーカスの位置とした。断面形状が矩形に近いほど良好なパターン形状を示すといえる。

−評価基準−
Ａ：矩形形状
Ｂ：軽度な逆テーパー形状
Ｃ：逆テーパー形状

〔欠陥評価〕
現像液をｎＢＡ（酢酸ブチル）現像液に変更した以外は、ポジ型レジスト膜を用いた場合と同様に欠陥評価を行った。評価結果は表１０に記載した。

（実施例３−１〜３−７及び比較例３−１）
＜ポジ型レジスト膜における評価（ＫｒＦレーザーを使用）＞
〔パターン形状試験〕
東京エレクトロン製スピンコーターＡＣＴ−８を利用して、ヘキサメチルジシラザン処理を施したＳｉ基板（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）上に、反射防止層を設けることなく、表１１に記載した感光性樹脂組成物を基板が静止した状態で滴下した。
滴下した後、基板を回転し、その回転数を、３秒間５００ｒｐｍで維持し、その後２秒間１００ｒｐｍで維持し、さらに３秒間５００ｒｐｍで維持し、再び２秒間１００ｒｐｍで維持した後、膜厚設定回転数（１２００ｒｐｍ）に上げて６０秒間維持した。その後、ホットプレート上で１３０℃で６０秒間加熱乾燥を行い、膜厚７．５μｍのポジ型レジスト膜を形成した。
このレジスト膜に対し、縮小投影露光及び現像後に形成されるパターンのスペース幅が３μｍ、ピッチ幅が３３μｍとなるような、ラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して、ＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ＡＳＭＬ製、ＰＡＳ５５００／８５０Ｃ波長２４８ｎｍ）を用いて、ＮＡ＝０．６８、σ＝０．６０の露光条件でパターン露光した。
照射後に１３０℃、６０秒ベークし、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて６０秒間浸漬した後、３０秒間、純水でリンスして乾燥して、スペース幅が３μｍ、ピッチ幅が３３μｍの孤立スペースパターンを形成した。
上記パターン露光は、縮小投影露光後のスペース幅が３μｍ、ピッチ幅が３３μｍとなるような、ラインアンドスペースパターンを有するマスクを介する露光であり、露光量は、スペース幅が３μｍ、ピッチ幅が３３μｍの孤立スペースパターンを形成する最適露光量（感度）（ｍＪ／ｃｍ^２）とした。上記感度の決定において、パターンのスペース幅の測定は走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）（株式会社日立ハイテクノロジーズ製９３８０ＩＩ）を用いた。
上記の方法で作成したレジストパターンの形状（パターンが形成された面に対して垂直な面におけるパターンの断面形状）を、ＳＥＭにて観察した。評価結果は表１１に記載した。矩形に近いほど良好なパターン形状を示す。

−評価基準−
Ａ：矩形形状
Ｂ：軽度なテーパー形状
Ｃ：テーパー形状

上記実施例及び比較例の結果から、本開示に係る感光性樹脂組成物を用いることにより、得られるパターンのパターン形状に優れることがわかる。
また、実施例に係る感光性樹脂組成物によれば、ＤＯＦの許容度が大きく、かつ、欠陥の発生の少ないパターンが得られた。

Claims (16)

1. 樹脂と、
   光酸発生剤と、
   溶剤と、
   低分子エステル化合物と、を含み
   前記低分子エステル化合物が、アルカリ分解性を有し、下記式Ｂで表される化合物であり、かつ、分子量が１，５００未満であり、
   前記低分子エステル化合物が、下記Ｚ−２４、Ｚ−２５、Ｚ−２６、Ｚ−３３、Ｚ−３４、Ｚ−３７、Ｚ−３９、Ｚ−４２、Ｚ−４５、Ｚ−４６及びＺ−４７よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含み、
   前記低分子エステル化合物の含有量が、組成物の全固形分に対し、０．１質量％以上６質量％以下である
   感光性樹脂組成物。
   
   式Ｂ中、Ｒａはそれぞれ独立に、トリフルオロメチル基を表し、Ｒｃはｎ価の炭化水素基を表し、Ｒｄはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ｎは、１〜３の整数を表す。
   
2. 前記低分子エステル化合物が炭素数５以上のアルキル基を含む、請求項１に記載の感光性樹脂組成物。
3. 前記光酸発生剤が下記式３により表される化合物を含む、請求項１又は請求項２に記載の感光性樹脂組成物。
   
   
   式３中、ｏは１〜３の整数を表し、ｐは０〜１０の整数を表し、ｑは０〜１０の整数を表し、Ｘｆはそれぞれ独立に、フッ素原子、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｏが２以上の整数である場合、複数の−Ｃ（Ｘｆ）_２−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、ｐが２以上の整数である場合、複数の−ＣＲ^４Ｒ^５−は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｌは、２価の連結基を表し、ｑが２以上の整数である場合、複数のＬは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、Ｗは、環状構造を含む有機基を表す。
4. 前記樹脂が、ラクトン構造、スルトン構造、及びカーボネート構造からなる群から選択される少なくとも１種を有する構成単位を有する、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
5. 前記樹脂が、下記式ＡＩにより表される構成単位を含む、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
   
   式ＡＩ中、Ｘａ^１は、水素原子、フッ素原子以外のハロゲン原子、又は１価の有機基を表し、Ｔは、単結合又は２価の連結基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３は、それぞれ独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、Ｒｘ^１〜Ｒｘ^３のいずれか２つが結合して環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。
6. 含フッ素樹脂を更に含む、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
7. 式ｄ１−１〜式ｄ１−３により表される化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を更に含む、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
   
   式ｄ１−１〜式ｄ１−３中、Ｒ^５１は置換基を有していてもよい炭化水素基を表し、Ｚ^２ｃは置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の炭化水素基を表し、Ｓ原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合しないものとし、Ｒ^５２は有機基を表し、Ｙ^３は直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキレン基又はアリーレン基を表し、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基を表し、Ｍ^＋はそれぞれ独立に、一価のカチオンを表す。
8. 前記溶剤がγ−ブチロラクトンを含む、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
9. 前記樹脂が、下記式ＰＨにより表される構成単位を含む、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物。
   
   式ＰＨ中、Ｚは水素原子又はアルキル基を表し、Ｒ^ＰＨは置換基を表し、ｎは０〜４の整数を表し、ｍは１〜５の整数を表す。
10. 請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の感光樹脂組成物の固化物であるレジスト膜。
11. 請求項１０に記載のレジスト膜を光により露光する工程、及び、
    前記露光する工程後のレジスト膜を、現像液を用いて現像する工程、を含む
    パターン形成方法。
12. 前記露光する工程における露光がフッ化アルゴンレーザーを用いた液浸露光により行われる、請求項１１に記載のパターン形成方法。
13. 前記露光する工程における露光がフッ化クリプトンレーザーを用いた露光により行われる、請求項１１に記載のパターン形成方法。
14. 前記レジスト膜の厚さが２μｍ以上である、請求項１１〜請求項１３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
15. 前記現像液がアルカリ水溶液である、請求項１１〜請求項１４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
16. 請求項１１〜請求項１５のいずれか１項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。