JP6820409B2 - プログラムバイアス及び高速センシングを有するセンスアンプ - Google Patents
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Description
(項目1)
装置であって、
不揮発性メモリ素子のための記憶セルに結合されたビット線と、
前記ビット線に結合されたセンスアンプであって、
前記記憶セルのうちの1つ以上からデータを読み出すために前記ビット線の電気的特性をセンスするセンス回路と、
前記記憶セルのうちの1つ以上にデータを書き込むために前記ビット線にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、を備えるセンスアンプと、を備え、前記バイアス回路及びセンス回路は、前記センスアンプ内の別個の並列電気経路を備え、前記バイアス回路のキャパシタンスは、前記センス回路のキャパシタンスよりも大きい、装置。
(項目2)
前記記憶セルのうちの1つからデータを読み出すために、前記ビット線がプリチャージされ、読み出し電圧が前記記憶セルに対するコントロールゲートに印加され、前記センス回路は、前記ビット線の前記電気的特性をセンスして前記ビット線が前記記憶セルを介して放電しているかどうかを決定する、項目1に記載の装置。
(項目3)
前記記憶セルのうちの1つにデータを書き込むために、前記バイアス回路は前記バイアス電圧を前記ビット線に印加し、1つ以上のプログラム電圧パルスが前記記憶セルに対するコントロールゲートに印加される、項目1に記載の装置。
(項目4)
前記センス回路及び前記バイアス回路は、前記ビット線に並列に結合されており、前記センスアンプは、前記センス回路が使用されているときに前記バイアス回路を前記ビット線から電子的に分離するトランジスタを更に備える、項目1に記載の装置。
(項目5)
前記バイアス回路は、前記バイアス回路を活性化する電圧源からの漏れ電流を制限する1つ以上のトランジスタを備える、項目1に記載の装置。
(項目6)
前記センス回路の前記キャパシタンスは、第一に寄生容量を含む、項目1に記載の装置。
(項目7)
前記バイアス回路の前記キャパシタンスは、前記不揮発性メモリ素子に対するプログラミング速度に基づいて選択される、項目1に記載の装置。
(項目8)
前記バイアス回路は、電界効果トランジスタであって、前記バイアス回路の前記キャパシタンスが前記電界効果トランジスタのゲートと基板との間のキャパシタンスを含むように構成された電界効果トランジスタ、を備える、項目1に記載の装置。
(項目9)
前記トランジスタは、空乏モード電界効果トランジスタを備える、項目8に記載の装置。
(項目10)
前記センスアンプは、1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止するために前記ビット線に禁止電圧を印加する禁止回路を更に備える、項目1に記載の装置。
(項目11)
前記バイアス回路は、1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止するために前記ビット線に禁止電圧を印加する、項目1に記載の装置。
(項目12)
前記バイアス電圧は、0〜3ボルトの範囲内にある、項目1に記載の装置。
(項目13)
方法であって、
不揮発性記憶素子から第1のデータセットを読み出すことであって、前記不揮発性記憶素子は、複数の記憶セルと、前記記憶セルに結合された複数のビット線と、前記ビット線に結合された複数のセンスアンプと、を備え、前記第1のデータセットを読み出すことは、1つ以上の前記ビット線の電圧をセンスすることを含む、第1のデータセットを読み出すことと、
前記不揮発性記憶素子に第2のデータセットを書き込むことであって、前記ビット線のうちの1つ以上にバイアス電圧を印加することを含み、前記センスアンプは、ビット線電圧をセンスするためのセンス回路と、ビット線バイアス電圧を印加するためのバイアス回路と、を備え、前記バイアス回路及び前記センス回路は、前記ビット線に、別個に並列に結合され、前記バイアス回路のキャパシタンスは、前記センス回路のキャパシタンスよりも大きい、第2のデータセットを書き込むことと、を含む、方法。
(項目14)
前記センス回路が使用されているときに前記バイアス回路を前記ビット線から電子的に分離することを更に含む、項目13に記載の方法。
(項目15)
1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止することを更に含み、前記センスアンプは、ビット線禁止電圧を印加するための禁止回路を更に備える、項目13に記載の方法。
(項目16)
装置であって、
複数の記憶セルを備える不揮発性メモリ素子の1つ以上の記憶セルからデータを読み出すために、ビット線に対する電圧をセンスする手段と、
1つ以上の前記記憶セルのデータをプログラムするために、前記ビット線をバイアス電圧にバイアスする手段であって、センスアンプが、前記センスする手段及び前記バイアスする手段を備え、前記センスする手段のキャパシタンスは、前記バイアスする手段のキャパシタンスよりも小さい、バイアスする手段と、を備える、装置。
(項目17)
前記記憶セルのうちの1つ以上のプログラミングを禁止するために、前記ビット線に禁止電圧を印加する手段を更に備える、項目16に記載の装置。
(項目18)
前記センスする手段及び前記バイアスする手段は、前記センスアンプ内に別個の並列電気経路を備える、項目16に記載の装置。
(項目19)
前記バイアスする手段は、前記バイアスする手段を活性化する電圧源からの漏れ電流を制限する1つ以上のトランジスタを備える、項目16に記載の装置。
(項目20)
前記センスする手段のキャパシタンスは、第一に寄生容量を含み、前記バイアスする手段は、電界効果トランジスタであって、前記バイアスする手段の前記キャパシタンスが前記電界効果トランジスタのゲートと基板との間のキャパシタンスを含むように構成された電界効果トランジスタ、を備える、項目16に記載の装置。
Claims (18)
- 装置であって、
不揮発性メモリ素子のための記憶セルに結合されたビット線と、
前記ビット線に結合されたセンスアンプであって、
前記記憶セルのうちの1つ以上からデータを読み出すために前記ビット線の電気的特性をセンスするセンス回路と、
前記記憶セルのうちの1つ以上にデータを書き込むために前記ビット線にバイアス電圧を印加するバイアス回路と、を備えるセンスアンプと、を備え、前記バイアス回路及びセンス回路は、前記センスアンプ内の別個の並列電気経路を備え、
前記バイアス回路は、前記バイアス回路の電源に接続される電源配線と、前記センスアンプのための高電圧源である高圧電源配線を備えており、
前記高圧電源配線は、第1のトランジスタを介して前記ビット線に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記電源配線からの漏れ電流を制限する第2のトランジスタを介して、前記電源配線が接続されており、
前記バイアス回路のキャパシタンスは、前記センス回路のキャパシタンスよりも大きい、装置。 - 前記記憶セルのうちの1つからデータを読み出すために、前記ビット線がプリチャージされ、読み出し電圧が前記記憶セルに対するコントロールゲートに印加され、前記センス回路は、前記ビット線の前記電気的特性をセンスして前記ビット線が前記記憶セルを介して放電しているかどうかを決定する、請求項1に記載の装置。
- 前記記憶セルのうちの1つにデータを書き込むために、前記バイアス回路は前記バイアス電圧を前記ビット線に印加し、1つ以上のプログラム電圧パルスが前記記憶セルに対するコントロールゲートに印加される、請求項1に記載の装置。
- 前記センス回路及び前記バイアス回路は、前記ビット線に並列に結合されており、前記センスアンプは、前記センス回路が使用されているときに前記バイアス回路を前記ビット線から電気的に分離するトランジスタを更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記センス回路の前記キャパシタンスは、第一に寄生容量を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記バイアス回路の前記キャパシタンスは、前記不揮発性メモリ素子に対するプログラミング速度に基づいて選択される、請求項1に記載の装置。
- 前記バイアス回路は、電界効果トランジスタであって、前記バイアス回路の前記キャパシタンスが前記電界効果トランジスタのゲートと基板との間のキャパシタンスを含むように構成された電界効果トランジスタ、を備える、請求項1に記載の装置。
- 前記電界効果トランジスタは、空乏モード電界効果トランジスタを備える、請求項7に記載の装置。
- 前記センスアンプは、1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止するために前記ビット線に禁止電圧を印加する禁止回路を更に備える、請求項1に記載の装置。
- 前記バイアス回路は、1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止するために前記ビット線に禁止電圧を印加する、請求項1に記載の装置。
- 前記バイアス電圧は、0〜3ボルトの範囲内にある、請求項1に記載の装置。
- 方法であって、
不揮発性記憶素子から第1のデータセットを読み出すことであって、前記不揮発性記憶素子は、複数の記憶セルと、前記記憶セルに結合された複数のビット線と、前記ビット線に結合された複数のセンスアンプと、を備え、前記第1のデータセットを読み出すことは、1つ以上の前記ビット線の電圧をセンスすることを含む、第1のデータセットを読み出すことと、
前記不揮発性記憶素子に第2のデータセットを書き込むことであって、前記ビット線のうちの1つ以上にバイアス電圧を印加することを含み、前記センスアンプは、ビット線電圧をセンスするためのセンス回路と、ビット線バイアス電圧を印加するためのバイアス回路と、を備え、
前記バイアス回路は、前記バイアス回路の電源に接続される電源配線と、前記センスアンプのための高電圧源である高圧電源配線を備えており、
前記高圧電源配線は、第1のトランジスタを介して前記ビット線に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記電源配線からの漏れ電流を制限する第2のトランジスタを介して、前記電源配線が接続されており、
前記バイアス回路及び前記センス回路は、前記ビット線に、別個に並列に結合され、前記バイアス回路のキャパシタンスは、前記センス回路のキャパシタンスよりも大きい、第2のデータセットを書き込むことと、を含む、方法。 - 前記センス回路が使用されているときに前記バイアス回路を前記ビット線から電気的に分離することを更に含む、請求項12に記載の方法。
- 1つ以上の前記記憶セルのプログラミングを禁止することを更に含み、前記センスアンプは、ビット線禁止電圧を印加するための禁止回路を更に備える、請求項12に記載の方法。
- 装置であって、
複数の記憶セルを備える不揮発性メモリ素子の1つ以上の記憶セルからデータを読み出すために、ビット線に対する電圧をセンスする手段と、
1つ以上の前記記憶セルのデータをプログラムするために、前記ビット線をバイアス電圧にバイアスする手段であって、センスアンプが、前記センスする手段及び前記バイアスする手段を備え、
前記バイアスする手段は、前記バイアスする手段の電源に接続される電源配線と、前記センスアンプのための高電圧源である高圧電源配線を備えており、
前記高圧電源配線は、第1のトランジスタを介して前記ビット線に接続されており、
前記第1のトランジスタのゲートには、前記電源配線からの漏れ電流を制限する第2のトランジスタを介して、前記電源配線が接続されており、
前記センスする手段のキャパシタンスは、前記バイアスする手段のキャパシタンスよりも小さい、バイアスする手段と、を備える、装置。 - 前記記憶セルのうちの1つ以上のプログラミングを禁止するために、前記ビット線に禁止電圧を印加する手段を更に備える、請求項15に記載の装置。
- 前記センスする手段及び前記バイアスする手段は、前記センスアンプ内に別個の並列電気経路を備える、請求項15に記載の装置。
- 前記センスする手段のキャパシタンスは、第一に寄生容量を含み、前記バイアスする手段は、電界効果トランジスタであって、前記バイアスする手段の前記キャパシタンスが前記電界効果トランジスタのゲートと基板との間のキャパシタンスを含むように構成された電界効果トランジスタ、を備える、請求項15に記載の装置。
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