JP6819803B2

JP6819803B2 - Substrate, imaging unit and imaging device

Info

Publication number: JP6819803B2
Application number: JP2020005186A
Authority: JP
Inventors: 有馬　洋文; 洋文有馬; 亮一菅沼; 貴士萱沼; 木村　祐二; 祐二木村
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2020-01-16
Filing date: 2020-01-16
Publication date: 2021-01-27
Anticipated expiration: 2035-12-28
Also published as: JP2020074434A

Description

本発明は、基板、撮像ユニットおよび撮像装置に関する。 The present invention relates to a substrate, an imaging unit, and an imaging device.

従来より凹状の樹脂パッケージ内に撮像素子を搭載した光学デバイスが知られている。しかしながら、従来の光学デバイスでは撮像素子に反りが生じるおそれがあるという問題があった。 Conventionally, an optical device in which an image sensor is mounted in a concave resin package has been known. However, the conventional optical device has a problem that the image sensor may be warped.

特開２００７−１９１１７号公報JP-A-2007-19117

第１の態様によると、基板は、被写体を撮像する撮像素子が配置される多層配線基板であって、穴部を有する第１配線層と、前記第１配線層の前記穴部とは重なり合わないように配置される穴部を有する第２配線層と、を備える。
第２の態様によると、撮像ユニットは、第１の態様の基板と、前記撮像素子とを備える。
第３の態様によると、撮像装置は、第２の態様の撮像ユニットと、前記撮像ユニットに接続され、入力される画像信号に対して画像処理を行う画像処理部と、を備える。 According to the first aspect, the substrate is a multi-layer wiring board on which an image pickup element for imaging a subject is arranged, and the first wiring layer having a hole portion and the hole portion of the first wiring layer overlap each other. A second wiring layer having holes arranged so as not to be provided.
According to the second aspect, the image pickup unit includes the substrate of the first aspect and the image pickup element.
According to the third aspect, the image pickup apparatus includes the image pickup unit of the second aspect and an image processing unit connected to the image pickup unit and performing image processing on an input image signal.

撮像装置の一例であるカメラの模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view of a camera which is an example of an image pickup apparatus. 第２主面にコーティング処理された撮像ユニットの模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the image pickup unit which coated on the 2nd main surface. 実装基板の側面にコーティング処理された撮像ユニットの模式的な断面図である。It is a schematic sectional view of the image pickup unit which coated the side surface of the mounting substrate. 接着部の外周部分をコーティング剤で覆った撮像ユニットの模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the image pickup unit which covered the outer peripheral part of the adhesive part with a coating agent. 樹脂部の外周部分をコーティング剤で覆った撮像ユニットの模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view of the image pickup unit which covered the outer peripheral part of the resin part with a coating agent. 実装基板の第２主面の近傍の模式的な拡大図である。It is a schematic enlarged view near the 2nd main surface of a mounting board. 配線層におけるボイド穴の配置を模式に示す図である。It is a figure which shows typically the arrangement of a void hole in a wiring layer. 配線パターンを考慮したボイド穴の配置を模式に示す図である。It is a figure which shows typically the arrangement of a void hole in consideration of a wiring pattern. 配線パターンを考慮したボイド穴の配置を模式に示す図である。It is a figure which shows typically the arrangement of a void hole in consideration of a wiring pattern.

−−−第１の実施の形態−−−
図１〜３を参照して、基板、撮像ユニットおよび撮像装置の第１の実施の形態を説明する。図１は、撮像装置の一例であるカメラ１０の模式断面図である。カメラ１０は、レンズユニット２０およびカメラボディ３０を備える。カメラボディ３０には、レンズユニット２０が装着される。レンズユニット２０は、その鏡筒内に、光軸２２に沿って配列された光学系を備え、入射する被写体光束をカメラボディ３０の撮像ユニット４０へ導く。 --- First Embodiment ---
The first embodiment of the substrate, the image pickup unit, and the image pickup apparatus will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a camera 10 which is an example of an imaging device. The camera 10 includes a lens unit 20 and a camera body 30. A lens unit 20 is attached to the camera body 30. The lens unit 20 includes an optical system arranged along the optical axis 22 in the lens barrel, and guides the incident subject luminous flux to the image pickup unit 40 of the camera body 30.

本実施形態において、光軸２２に沿う方向をｚ軸方向と定める。すなわち、撮像ユニット４０が有する撮像チップ１００へ被写体光束が入射する方向をｚ軸方向と定める。具体的には、被写体光束が入射する方向をｚ軸マイナス方向と定め、その反対方向をｚ軸プラス方向と定める。撮像チップ１００の長手方向をｘ軸方向と定める。撮像チップ１００の短手方向をｙ軸方向と定める。具体的には、ｘ軸方向およびｙ軸方向は、図１に図示した方向に定められる。ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸は右手系の直交座標系である。なお、説明の都合上、ｚ軸プラス方向を前方、前側等と呼ぶ場合がある。また、ｚ軸マイナス方向を後方、後側、等と呼ぶ場合がある。ｚ軸マイナス方向の側を背面側等と呼ぶ場合がある。 In the present embodiment, the direction along the optical axis 22 is defined as the z-axis direction. That is, the direction in which the subject luminous flux is incident on the image pickup chip 100 included in the image pickup unit 40 is defined as the z-axis direction. Specifically, the direction in which the subject luminous flux is incident is defined as the z-axis minus direction, and the opposite direction is defined as the z-axis plus direction. The longitudinal direction of the imaging chip 100 is defined as the x-axis direction. The lateral direction of the imaging chip 100 is defined as the y-axis direction. Specifically, the x-axis direction and the y-axis direction are defined in the directions shown in FIG. The x-axis, y-axis, and z-axis are right-handed Cartesian coordinate systems. For convenience of explanation, the z-axis plus direction may be referred to as a front side, a front side, or the like. Further, the negative direction of the z-axis may be referred to as rear, rear, and the like. The side in the negative direction of the z-axis may be called the back side or the like.

カメラボディ３０は、レンズマウント２４に結合されるボディマウント２６よりｚ軸マイナス方向の位置に、ミラーユニット３１を有する。ミラーユニット３１は、メインミラー３２およびサブミラー３３を含む。メインミラー３２は、レンズユニット２０が射出した被写体光束の光路中に進入した進入位置と、被写体光束の光路から退避した退避位置との間で回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２に対して回転可能に軸支される。サブミラー３３は、メインミラー３２とともに進入位置に進入し、メインミラー３２とともに退避位置に退避する。このように、ミラーユニット３１は、被写体光束の光路中に進入した進入状態と、被写体光束から退避した退避状態とをとる。 The camera body 30 has a mirror unit 31 at a position in the negative direction of the z-axis with respect to the body mount 26 coupled to the lens mount 24. The mirror unit 31 includes a main mirror 32 and a sub mirror 33. The main mirror 32 is rotatably supported between an approach position in which the lens unit 20 has entered the optical path of the subject luminous flux emitted by the lens unit 20 and a retracted position retracted from the optical path of the subject luminous flux. The sub mirror 33 is rotatably supported by the main mirror 32. The sub mirror 33 enters the approach position together with the main mirror 32, and retracts to the retracted position together with the main mirror 32. In this way, the mirror unit 31 takes an approach state in which the subject light flux enters the optical path and a retracted state in which the subject light flux is retracted from the subject light beam.

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束の一部は、メインミラー３２に反射されてピント板８０に導かれる。ピント板８０は、撮像ユニット４０が有する撮像チップ１００の撮像面と共役な位置に配されて、レンズユニット２０の光学系が形成した被写体像を可視化する。ピント板８０に形成された被写体像は、ペンタプリズム８２およびファインダ光学系８４を通じてファインダ窓８６から観察される。 When the mirror unit 31 is in the approaching state, a part of the subject luminous flux incident on the main mirror 32 is reflected by the main mirror 32 and guided to the focus plate 80. The focus plate 80 is arranged at a position conjugate with the image pickup surface of the image pickup chip 100 included in the image pickup unit 40, and visualizes the subject image formed by the optical system of the lens unit 20. The subject image formed on the focus plate 80 is observed from the finder window 86 through the pentaprism 82 and the finder optical system 84.

ミラーユニット３１が進入状態にある場合、メインミラー３２に入射した被写体光束のうちメインミラー３２で反射した被写体光束以外の光束は、サブミラー３３に入射する。具体的には、メインミラー３２はハーフミラー領域を有し、メインミラー３２のハーフミラー領域を透過した被写体光束がサブミラー３３に入射する。サブミラー３３は、ハーフミラー領域から入射した光束を、結像光学系７０に向かって反射する。結像光学系７０は、入射光束を、焦点位置を検出するための焦点検出センサ７２に導く。焦点検出センサ７２は、焦点位置の検出結果をＭＰＵ５１へ出力する。 When the mirror unit 31 is in the approaching state, among the subject luminous flux incident on the main mirror 32, the luminous flux other than the subject luminous flux reflected by the main mirror 32 is incident on the sub mirror 33. Specifically, the main mirror 32 has a half mirror region, and the subject luminous flux transmitted through the half mirror region of the main mirror 32 is incident on the sub mirror 33. The sub-mirror 33 reflects the light flux incident from the half mirror region toward the imaging optical system 70. The imaging optical system 70 guides the incident light flux to the focus detection sensor 72 for detecting the focal position. The focus detection sensor 72 outputs the detection result of the focus position to the MPU 51.

ピント板８０、ペンタプリズム８２、メインミラー３２、サブミラー３３およびファインダ光学系８４は、支持部材としてのミラーボックス６０に支持される。ミラーユニット３１が退避状態にあり、シャッタユニット３８の先幕および後幕が開状態となれば、レンズユニット２０を透過する被写体光束は、撮像チップ１００の撮像面に到達する。 The focus plate 80, the pentaprism 82, the main mirror 32, the sub mirror 33, and the finder optical system 84 are supported by the mirror box 60 as a support member. When the mirror unit 31 is in the retracted state and the front curtain and the rear curtain of the shutter unit 38 are in the open state, the subject luminous flux transmitted through the lens unit 20 reaches the imaging surface of the imaging chip 100.

撮像ユニット４０のｚ軸マイナス方向の位置には、基板６２および表示部８８が順次配置される。表示部８８としては、たとえば液晶パネル等を適用できる。表示部８８の表示面は、カメラボディ３０の背面に現れる。表示部８８は、撮像チップ１００からの出力信号から生成される画像を表示する。 The substrate 62 and the display unit 88 are sequentially arranged at positions in the negative direction of the z-axis of the image pickup unit 40. As the display unit 88, for example, a liquid crystal panel or the like can be applied. The display surface of the display unit 88 appears on the back surface of the camera body 30. The display unit 88 displays an image generated from the output signal from the image pickup chip 100.

基板６２には、ＭＰＵ５１、ＡＳＩＣ５２等の電子回路が実装される。ＭＰＵ５１は、カメラ１０の全体の制御を担う。撮像チップ１００からの出力信号は、フレキシブルプリント基板等を介してＡＳＩＣ５２へ出力される。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００から出力された出力信号を処理する。 Electronic circuits such as MPU 51 and ASIC 52 are mounted on the substrate 62. The MPU 51 is responsible for overall control of the camera 10. The output signal from the image pickup chip 100 is output to the ASIC 52 via a flexible printed circuit board or the like. The ASIC 52 processes the output signal output from the image pickup chip 100.

ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００からの出力信号に基づいて、表示用の画像データを生成する。表示部８８は、ＡＳＩＣ５２が生成した表示用の画像データに基づいて画像を表示する。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップ１００からの出力信号に基づいて、記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２は、撮像チップの出力信号に対してたとえば画像処理や圧縮処理を施すことで記録用の画像データを生成する。ＡＳＩＣ５２が生成した記録用の画像データは、カメラボディ３０に装着された記録媒体に記録される。記録媒体は、カメラボディ３０に着脱可能に構成されている。 The ASIC 52 generates image data for display based on the output signal from the image pickup chip 100. The display unit 88 displays an image based on the image data for display generated by the ASIC 52. The ASIC 52 generates image data for recording based on the output signal from the image pickup chip 100. The ASIC 52 generates image data for recording by, for example, performing image processing or compression processing on the output signal of the imaging chip. The image data for recording generated by the ASIC 52 is recorded on a recording medium mounted on the camera body 30. The recording medium is configured to be removable from the camera body 30.

図２は、撮像ユニット４０のＸＺ平面と平行な断面を模式的に示す断面図である。撮像ユニット４０は、撮像チップ１００と、実装基板１２０と、フレーム１４０と、カバーガラス１６０とを含んで構成される。 FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross section of the image pickup unit 40 parallel to the XZ plane. The image pickup unit 40 includes an image pickup chip 100, a mounting substrate 120, a frame 140, and a cover glass 160.

撮像チップ１００は、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサである。撮像チップ１００は、撮像領域１０１と周辺領域１０２とを含んで構成される。撮像領域１０１は、撮像チップ１００の中央部分に形成される。撮像チップ１００の撮像領域１０１には、被写体光を光電変換する複数の光電変換素子で撮像面が形成されている。撮像チップ１００の周辺領域１０２は、撮像領域１０１の周辺に位置する。撮像チップ１００の周辺領域１０２には、光電変換素子における光電変換によって得られた画素信号を読み出して信号処理を行う処理回路を有する。処理回路は、出力された画素信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換回路を含む。 The image pickup chip 100 is a CMOS image sensor or a CCD image sensor. The image pickup chip 100 includes an image pickup region 101 and a peripheral region 102. The imaging region 101 is formed in the central portion of the imaging chip 100. In the imaging region 101 of the imaging chip 100, an imaging surface is formed by a plurality of photoelectric conversion elements that photoelectrically convert subject light. The peripheral region 102 of the imaging chip 100 is located around the imaging region 101. The peripheral region 102 of the image pickup chip 100 includes a processing circuit that reads out the pixel signal obtained by the photoelectric conversion in the photoelectric conversion element and performs signal processing. The processing circuit includes an AD conversion circuit that converts the output pixel signal into a digital signal.

撮像チップ１００は、実装基板１２０に実装される。撮像チップ１００は、実装基板１２０にたとえばフリップチップ実装で実装される。撮像チップ１００は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０と電気的に接続される。撮像チップ１００のＡＤ変換回路でデジタル信号に変換された画素信号は、ボンディングワイヤ１１０を介して実装基板１２０に出力される。撮像チップ１００は、実装基板１２０に接着剤で接着される。撮像チップ１００は、フレーム１４０の開口部１３８に収容されている。フレーム１４０は、撮像チップ１００を環囲する環囲部材の一例である。 The image pickup chip 100 is mounted on the mounting board 120. The image pickup chip 100 is mounted on the mounting board 120 by, for example, flip-chip mounting. The image pickup chip 100 is electrically connected to the mounting substrate 120 via the bonding wire 110. The pixel signal converted into a digital signal by the AD conversion circuit of the image pickup chip 100 is output to the mounting board 120 via the bonding wire 110. The image pickup chip 100 is adhered to the mounting substrate 120 with an adhesive. The image pickup chip 100 is housed in the opening 138 of the frame 140. The frame 140 is an example of a ring member that surrounds the image pickup chip 100.

実装基板１２０は、撮像チップ１００を実装する。実装基板１２０は、絶縁層２０３と、配線層２０４と、絶縁層２０５と、配線層２１４と、絶縁層２１３と、配線層２１２と、ソルダレジスト層２１１とを含む。実装基板１２０は、配線層と絶縁層とが積層された多層基板である。なお、実装基板１２０の強度向上のために、実装基板１２０に金属や樹脂で形成された芯層を設けてもよい。すなわち、実装基板１２０は、金属や樹脂で形成された芯層をコア層として有する多層コア基板であってもよい。 The mounting board 120 mounts the imaging chip 100. The mounting board 120 includes an insulating layer 203, a wiring layer 204, an insulating layer 205, a wiring layer 214, an insulating layer 213, a wiring layer 212, and a solder resist layer 211. The mounting board 120 is a multilayer board in which a wiring layer and an insulating layer are laminated. In order to improve the strength of the mounting substrate 120, the mounting substrate 120 may be provided with a core layer made of metal or resin. That is, the mounting substrate 120 may be a multilayer core substrate having a core layer made of metal or resin as a core layer.

実装基板１２０において、光軸２２に沿って、撮像チップ１００、絶縁層２０３、配線層２０４、絶縁層２０５、配線層２１４、絶縁層２１３、配線層２１２、ソルダレジスト層２１１の順で配されている。 In the mounting board 120, the imaging chip 100, the insulating layer 203, the wiring layer 204, the insulating layer 205, the wiring layer 214, the insulating layer 213, the wiring layer 212, and the solder resist layer 211 are arranged in this order along the optical axis 22. There is.

絶縁層２０３、絶縁層２０５、および絶縁層２１３は、たとえば樹脂層である。絶縁層２０３、絶縁層２０５、および絶縁層２１３それぞれの厚みは、たとえば１０μｍ〜１０００μｍである。なお、厚みとは、ｚ軸方向における長さである。 The insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213 are, for example, resin layers. The thickness of each of the insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213 is, for example, 10 μm to 1000 μm. The thickness is the length in the z-axis direction.

配線層２０４、配線層２１４および配線層２１２は、配線パターンを含む。配線層２０４、配線層２１４および配線層２１２の材料として、ニッケルと鉄の合金（たとえば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等を用いることができる。配線層２０４、配線層２１４および配線層２１２が有する配線パターンそれぞれの厚みは、たとえば１０μｍから５０μｍ程度である。
実装基板１２０の厚みは、全体として０．３ｍｍから１．５ｍｍ程度であってよい。 The wiring layer 204, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 include a wiring pattern. As a material for the wiring layer 204, the wiring layer 214, and the wiring layer 212, nickel-iron alloys (for example, 42alloy and 56alloy), copper, aluminum, and the like can be used. The thickness of each of the wiring patterns of the wiring layer 204, the wiring layer 214, and the wiring layer 212 is, for example, about 10 μm to 50 μm.
The thickness of the mounting substrate 120 may be about 0.3 mm to 1.5 mm as a whole.

配線層２０４に含まれる配線パターンおよび配線層２１４に含まれる配線パターンは、たとえば、グランドライン、電源ライン等に使用できる。 The wiring pattern included in the wiring layer 204 and the wiring pattern included in the wiring layer 214 can be used for, for example, a ground line, a power supply line, and the like.

ソルダレジスト層２１１上には、電子部品１８０が設けられる。すなわち、電子部品１８０は、実装基板１２０において撮像チップ１００が実装された第１主面１１１とは反対側の第２主面１１２に実装される。電子部品１８０は、たとえばコネクタ、キャパシタ、抵抗、レギュレータ、トランジスタ等を含む。 An electronic component 180 is provided on the solder resist layer 211. That is, the electronic component 180 is mounted on the second main surface 112 on the mounting substrate 120, which is opposite to the first main surface 111 on which the imaging chip 100 is mounted. The electronic component 180 includes, for example, a connector, a capacitor, a resistor, a regulator, a transistor, and the like.

電子部品１８０の一部としてのコネクタは、たとえばフレキシブル基板が接続される。電子部品１８０の一部としてのコネクタは、配線層２１２に接続され、配線層２１２に伝送された画素信号は、コネクタおよびフレキシブル基板を介して、ＡＳＩＣ５２等の外部の電子回路へ伝送される。 A flexible substrate is connected to the connector as a part of the electronic component 180, for example. The connector as a part of the electronic component 180 is connected to the wiring layer 212, and the pixel signal transmitted to the wiring layer 212 is transmitted to an external electronic circuit such as the ASIC 52 via the connector and the flexible substrate.

電子部品１８０と配線層２１２とは、リード部材によって電気的に接続される。電子部品１８０のリード部材は、配線層２１２にはんだ等で固定されている。配線層２１２の一部は、ソルダレジスト層２１１に形成された開口から外部に露出して、ランド等の電極を提供する。 The electronic component 180 and the wiring layer 212 are electrically connected by a lead member. The lead member of the electronic component 180 is fixed to the wiring layer 212 with solder or the like. A part of the wiring layer 212 is exposed to the outside through an opening formed in the solder resist layer 211 to provide an electrode such as a land.

撮像チップ１００は、実装基板１２０にＣＯＢ（ＣｈｉｐＯｎＢｏａｒｄ）実装されている。撮像チップ１００は、実装基板１２０にたとえば接着剤で接着されることで実装されている。 The image pickup chip 100 is COB (Chip On Board) mounted on the mounting substrate 120. The image pickup chip 100 is mounted on the mounting substrate 120 by, for example, being adhered to the mounting substrate 120 with an adhesive.

フレーム１４０は、実装基板１２０の上面、すなわちｚ軸プラス方向の面である第１主面１１１に接着部２２０で接着される。接着部２２０は、たとえば接着剤により形成される。フレーム１４０は、金属部１４１と樹脂部１４４とを含む。金属部１４１は、開口部１３８の一部を構成する略矩形形状の開口１４２を有する。金属部１４１は、周縁部分にｚ軸方向に貫通する複数の取付穴１４３が設けられている。取付穴１４３は、撮像ユニット４０をミラーボックス６０等の他の構造体に取り付けるために利用される。
樹脂部１４４は、開口部１３８の他の一部を構成する略矩形形状の開口１４５を有する。樹脂部１４４は、金属部１４１の上部、すなわち金属部１４１のｚ軸プラス方向に配置される。樹脂部１４４は、金属部１４１の上部に接着部２３０で接着される。接着部２３０は、たとえば接着剤により形成される。 The frame 140 is adhered to the upper surface of the mounting substrate 120, that is, the first main surface 111 which is a surface in the plus direction of the z-axis by the adhesive portion 220. The adhesive portion 220 is formed of, for example, an adhesive. The frame 140 includes a metal portion 141 and a resin portion 144. The metal portion 141 has a substantially rectangular opening 142 that forms a part of the opening 138. The metal portion 141 is provided with a plurality of mounting holes 143 penetrating in the z-axis direction at the peripheral edge portion. The mounting hole 143 is used to mount the imaging unit 40 to another structure such as the mirror box 60.
The resin portion 144 has a substantially rectangular opening 145 that forms another part of the opening 138. The resin portion 144 is arranged above the metal portion 141, that is, in the z-axis plus direction of the metal portion 141. The resin portion 144 is adhered to the upper portion of the metal portion 141 by the adhesive portion 230. The adhesive portion 230 is formed of, for example, an adhesive.

フレーム１４０は、取付穴１４３を介して、たとえばビス止めされることで、不図示のブラケットに固定される。ブラケットは、たとえばビス止めされることで図１のミラーボックス６０に固定される。よって、撮像ユニット４０は、ミラーボックス６０に固定される。 The frame 140 is fixed to a bracket (not shown) by, for example, screwing through the mounting hole 143. The bracket is fixed to the mirror box 60 of FIG. 1 by, for example, being screwed. Therefore, the image pickup unit 40 is fixed to the mirror box 60.

取付穴１４３を用いてフレーム１４０とブラケットとをたとえば金属のビスでビス止めした場合、撮像チップ１００が動作している場合に生じた熱を、ビスを介してミラーボックス６０の方へ熱を逃がすための伝熱経路を形成することができる。 When the frame 140 and the bracket are screwed with, for example, metal screws using the mounting holes 143, the heat generated when the image pickup chip 100 is operating is released to the mirror box 60 through the screws. A heat transfer path for this can be formed.

なお、フレーム１４０および不図示のブラケットは、ミラーボックス６０以外の他の構造体に対して固定されてよい。 The frame 140 and the bracket (not shown) may be fixed to a structure other than the mirror box 60.

なお、撮像ユニット４０は、ブラケットを介さずにミラーボックス６０に固定されてもよい。撮像ユニット４０は、取付穴１４３を介してたとえばビス止めされることで、ミラーボックス６０に固定されてよい。 The image pickup unit 40 may be fixed to the mirror box 60 without a bracket. The image pickup unit 40 may be fixed to the mirror box 60, for example, by being screwed through the mounting holes 143.

カバーガラス１６０は、撮像チップ１００を封止するために用いられる。カバーガラス１６０は、フレーム１４０の開口部１３８を覆うようにフレーム１４０に固定される。カバーガラス１６０は、フレーム１４０および実装基板１２０とともに開口部１３８を密封空間とする。 The cover glass 160 is used to seal the image pickup chip 100. The cover glass 160 is fixed to the frame 140 so as to cover the opening 138 of the frame 140. The cover glass 160 has an opening 138 as a sealing space together with the frame 140 and the mounting substrate 120.

カバーガラス１６０は、接着部２４０によりフレーム１４０の樹脂部１４４と接着される。接着部２４０は、接着剤により形成される。カバーガラス１６０の材料として、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、耐熱ガラス等の透明材料を用いることができる。カバーガラス１６０の厚みは、たとえば０．５ｍｍから０．８ｍｍである。 The cover glass 160 is adhered to the resin portion 144 of the frame 140 by the adhesive portion 240. The adhesive portion 240 is formed by an adhesive. As the material of the cover glass 160, a transparent material such as borosilicate glass, quartz glass, non-alkali glass, and heat-resistant glass can be used. The thickness of the cover glass 160 is, for example, 0.5 mm to 0.8 mm.

カバーガラス１６０は、撮像チップ１００、ボンディングワイヤ１１０およびフレーム１４０が実装基板１２０に実装された後に、フレーム１４０に接着剤２４０により固定される。なお、カバーガラス１６０は、透明部材の一例である。透明部材としては、ガラスの他に水晶等を適用できる。 The cover glass 160 is fixed to the frame 140 by the adhesive 240 after the imaging chip 100, the bonding wire 110, and the frame 140 are mounted on the mounting substrate 120. The cover glass 160 is an example of a transparent member. As the transparent member, quartz or the like can be applied in addition to glass.

このように、実装基板１２０とフレーム１４０とカバーガラス１６０とによって、密封空間が形成される。撮像チップ１００は、実装基板１２０とフレーム１４０とカバーガラス１６０とによって形成される密封空間内に配置されている。 In this way, the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160 form a sealed space. The image pickup chip 100 is arranged in a sealed space formed by the mounting substrate 120, the frame 140, and the cover glass 160.

−−−実装基板１２０の防湿対策−−−
上述したように、実装基板１２０の絶縁層２０３、絶縁層２０５および絶縁層２１３は、樹脂層である。すなわち、絶縁層２０３、絶縁層２０５および絶縁層２１３は、材質が有機物である材料で形成された部位である。そのため、各絶縁層２０３，２０５，２１３は、撮像ユニット４０の外部の水分を吸収することで膨張し、実装基板１２０が反ったり、歪んだりするなどの平坦度に影響を及ぼすおそれがある。このような実装基板１２０の反りや歪みは、実装基板１２０に実装された撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすおそれがある。
また、仮に、撮像ユニット４０の外部の水分が実装基板１２０を透過して開口部１３８に、すなわち上述の密封空間に到達すると、撮像チップ１００が劣化するおそれがある。 --- Moisture-proof measures for mounting board 120 ---
As described above, the insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213 of the mounting substrate 120 are resin layers. That is, the insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213 are portions formed of a material whose material is an organic substance. Therefore, each of the insulating layers 203, 205, and 213 expands by absorbing moisture outside the image pickup unit 40, which may affect the flatness such that the mounting substrate 120 is warped or distorted. Such warpage or distortion of the mounting board 120 may affect the flatness of the image pickup chip 100 mounted on the mounting board 120.
Further, if the moisture outside the image pickup unit 40 penetrates the mounting substrate 120 and reaches the opening 138, that is, the above-mentioned sealed space, the image pickup chip 100 may be deteriorated.

そこで、本実施の形態の撮像ユニット４０では、実装基板１２０の第２主面１１２に、防水や撥水や防湿のためのコーティング処理を施す。図２に示すように、第２主面１１２は、コーティング剤の膜３１０で覆われている。具体的には、このコーティング剤の膜３１０は、ソルダレジスト層２１１の全面と、ソルダレジスト層２１１から露出している配線層２１２とに塗布される。なお、図２では、膜３１０の厚さを誇張して描いている。 Therefore, in the image pickup unit 40 of the present embodiment, the second main surface 112 of the mounting substrate 120 is coated with a coating treatment for waterproofing, water repellency, and moisture proofing. As shown in FIG. 2, the second main surface 112 is covered with the coating agent film 310. Specifically, the coating agent film 310 is applied to the entire surface of the solder resist layer 211 and the wiring layer 212 exposed from the solder resist layer 211. In FIG. 2, the thickness of the film 310 is exaggerated.

コーティング剤としては、たとえば基板用の防湿コーティング剤を用いることができる。基板用の防湿コーティング剤としては、たとえばフッ素系のコーティング剤や、ウレタン樹脂系のコーティング剤、アクリル樹脂系のコーティング剤、ポリオレフィン樹脂系のコーティング剤等が例として挙げられる。
本実施の形態では、第２主面１１２にコーティング剤の膜３１０を形成することで、実装基板１２０への水分の浸透を抑制する。これにより、実装基板１２０が反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 As the coating agent, for example, a moisture-proof coating agent for a substrate can be used. Examples of the moisture-proof coating agent for the substrate include a fluorine-based coating agent, a urethane resin-based coating agent, an acrylic resin-based coating agent, a polyolefin resin-based coating agent, and the like.
In the present embodiment, the coating agent film 310 is formed on the second main surface 112 to suppress the permeation of water into the mounting substrate 120. As a result, the mounting substrate 120 can be prevented from warping and distortion, and can be prevented from affecting the flatness of the image pickup chip 100. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

なお、配線層２１２は、その材料が、上述のようにニッケルと鉄の合金（たとえば４２ａｌｌｏｙ、５６ａｌｌｏｙ）、銅、アルミニウム等であり、これらの材料自体が、実装基板１２０への水分の浸透を抑制することができる。したがって、コーティング剤の膜３１０は、ソルダレジスト層２１１から一部露出している配線層２１２には、塗布しなくてもよい。 As described above, the material of the wiring layer 212 is an alloy of nickel and iron (for example, 42alloy, 56alloy), copper, aluminum, or the like, and these materials themselves suppress the penetration of moisture into the mounting substrate 120. can do. Therefore, the coating agent film 310 does not have to be applied to the wiring layer 212 partially exposed from the solder resist layer 211.

本実施の形態において、コーティング剤は以下に述べる性質を有する。たとえば、コーティング剤の膜３１０は、防水、撥水する性質や防湿する性質などを有する。具体的には、膜３１０は、上述したように実装基板１２０への水分の浸透、もしくは透過を抑制する機能を有する。本明細書では、防水、撥水する性質や防湿する性質などを有するコーティング剤の膜３１０の機能を、実装基板１２０への水分の浸透もしくは透過の抑制を含めて、実装基板１２０への水分の浸透を抑制すると称する。
なお、撮像チップ１００の平坦度や撮像チップ１００の劣化へ影響を及ぼさない程度の量の水分であれば、膜３１０は水分を透過させてもよい。 In the present embodiment, the coating agent has the following properties. For example, the coating agent film 310 has waterproof, water-repellent, and moisture-proof properties. Specifically, the film 310 has a function of suppressing the permeation or permeation of water into the mounting substrate 120 as described above. In the present specification, the function of the coating agent film 310 having a waterproof, water-repellent property, a moisture-proof property, etc., includes the suppression of the permeation or permeation of the moisture into the mounting substrate 120, and the moisture in the mounting substrate 120. It is called suppressing penetration.
The film 310 may allow water to permeate as long as the amount of water does not affect the flatness of the image pickup chip 100 or the deterioration of the image pickup chip 100.

コーティング剤は、塗布することやスプレーすることなどによって実装基板１２０へ付着させることができる。したがって、実装基板１２０にコーティング剤の膜を容易に形成することができるので、施工が容易であり、コスト増を抑制できる。 The coating agent can be adhered to the mounting substrate 120 by applying or spraying. Therefore, since the coating agent film can be easily formed on the mounting substrate 120, the construction is easy and the cost increase can be suppressed.

図２に示した実装基板１２０の側面１１３に、防水や撥水や防湿のためのコーティング処理を施してもよい。図３は、実装基板１２０の側面１１３にコーティング処理された撮像ユニット４０の模式的な断面図である。図３に示すように、側面１１３は、コーティング剤の膜３２０で覆われている。なお、図３では、膜３２０の厚さを誇張して描いている。このように、実装基板１２０の側面１１３にコーティング剤の膜３２０を形成することで、側面１１３から実装基板１２０への水分の浸透を抑制するようにしてもよい。なお、この場合も、撮像チップ１００の平坦度や撮像チップ１００の劣化へ影響を及ぼさない程度の量の水分であれば、膜３２０は水分を透過させてもよい。
また、実装基板１２０の第２主面１１２をコーティング剤の膜３１０で覆うとともに、側面１１３をコーティング剤の膜３２０で覆ってもよい。
なお、実装基板１２０の第２主面１１２の一部をコーティング剤の膜３１０で覆ってもよい。また、側面１１３の一部をコーティング剤の膜３２０で覆ってもよい。 The side surface 113 of the mounting substrate 120 shown in FIG. 2 may be coated for waterproofing, water repellency, and moisture proofing. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the image pickup unit 40 coated on the side surface 113 of the mounting substrate 120. As shown in FIG. 3, the side surface 113 is covered with the coating agent film 320. In FIG. 3, the thickness of the film 320 is exaggerated. In this way, by forming the coating agent film 320 on the side surface 113 of the mounting substrate 120, the permeation of water from the side surface 113 to the mounting substrate 120 may be suppressed. In this case as well, the film 320 may allow the water to permeate as long as the amount of water does not affect the flatness of the image pickup chip 100 or the deterioration of the image pickup chip 100.
Further, the second main surface 112 of the mounting substrate 120 may be covered with the coating agent film 310, and the side surface 113 may be covered with the coating agent film 320.
A part of the second main surface 112 of the mounting substrate 120 may be covered with the coating agent film 310. Further, a part of the side surface 113 may be covered with the coating agent film 320.

上述した実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像チップ１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の面であって撮像チップ１００を駆動させるための電子部品１８０が配置される第２主面１１２と、を備え、第２主面１１２の少なくとも一部は、水分が浸透するのを抑制するコーティング剤で覆われている。
これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 According to the above-described embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The mounting substrate 120 is an electronic component on which the first main surface 111 on which the image pickup chip 100 for photographing the subject is arranged and the surface opposite to the first main surface 111 are used to drive the image pickup chip 100. A second main surface 112 on which the 180 is arranged is provided, and at least a part of the second main surface 112 is covered with a coating agent that suppresses the penetration of moisture.
As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

（２）実装基板１２０は、第１主面１１１の端部と第２主面１１２の端部とを接続するように形成された側面１１３を備える。側面１１３の少なくとも一部は、水分が浸透するのを抑制するコーティング剤で覆われている。
これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 (2) The mounting board 120 includes a side surface 113 formed so as to connect an end portion of the first main surface 111 and an end portion of the second main surface 112. At least a part of the side surface 113 is covered with a coating agent that suppresses the penetration of moisture.
As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

（３）コーティング剤は、塗布することやスプレーすることなどによって実装基板１２０へ付着させることができる。したがって、実装基板１２０にコーティング剤の膜を容易に形成することができるので、施工が容易であり、コスト増を抑制できる。 (3) The coating agent can be adhered to the mounting substrate 120 by applying or spraying. Therefore, since the coating agent film can be easily formed on the mounting substrate 120, the construction is easy and the cost increase can be suppressed.

−−−第２の実施の形態−−−
図４を参照して、撮像ユニットおよび撮像装置の第２の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。本実施の形態では、各接着部における撮像ユニット４０の外周部分をコーティング剤で覆う。 --- Second embodiment ---
A second embodiment of the image pickup unit and the image pickup apparatus will be described with reference to FIG. In the following description, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the differences will be mainly described. The points not particularly described are the same as those in the first embodiment. In the present embodiment, the outer peripheral portion of the image pickup unit 40 at each adhesive portion is covered with a coating agent.

図４は、接着部２２０，２３０，２４０の外周部分をコーティング剤で覆った撮像ユニット４０の模式的な断面図である。なお、図４でも、コーティング剤の膜３３０，３４０，３５０の厚さを誇張して描いている。撮像ユニット４０には、実装基板１２０とフレーム１４０との間の接着部２２０と、フレーム１４０の金属部１４１と樹脂部１４４との間の接着部２３０と、フレーム１４０の樹脂部１４４とカバーガラス１６０との間の接着部２４０とがそれぞれ存在する。これらの接着部２２０，２３０，２４０は、接着剤、ずなわち、材質が有機物である材料で形成された部位である。したがって、接着部２２０，２３０，２４０には水分が浸透する恐れがある。接着部２２０，２３０，２４０に浸透した水分が仮に開口部１３８、すなわち密封空間に到達すると、撮像チップ１００が劣化するおそれがある。
そこで、本実施の形態では、接着部２２０，２３０，２４０の外周部分にコーティング剤の膜３３０，３４０，３５０を形成する。以下に詳細に説明する。 FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of the imaging unit 40 in which the outer peripheral portions of the adhesive portions 220, 230, 240 are covered with a coating agent. Also in FIG. 4, the thicknesses of the coating agent films 330, 340, and 350 are exaggerated. The image pickup unit 40 includes an adhesive portion 220 between the mounting substrate 120 and the frame 140, an adhesive portion 230 between the metal portion 141 and the resin portion 144 of the frame 140, and the resin portion 144 and the cover glass 160 of the frame 140. There is an adhesive portion 240 between the two. These adhesive portions 220, 230, 240 are portions formed of an adhesive, that is, a material whose material is an organic substance. Therefore, moisture may permeate into the bonded portions 220, 230, 240. If the moisture permeating the adhesive portions 220, 230, 240 reaches the opening 138, that is, the sealed space, the image pickup chip 100 may deteriorate.
Therefore, in the present embodiment, the coating agent films 330, 340, 350 are formed on the outer peripheral portions of the adhesive portions 220, 230, 240. This will be described in detail below.

図４に示すように、接着部２２０の外周部分は、コーティング剤の膜３３０で覆われている。このコーティング剤の膜３３０は、接着剤による実装基板１２０とフレーム１４０の金属部１４１との接着部分であって、実装基板１２０および金属部１４１の外周部分を覆っている。コーティング剤の膜３３０は、実装基板１２０および金属部１４１の外周部分を覆うように裾広がりに形成されていることが望ましい。こうして、コーティング剤の膜３３０は、接着部２２０から開口部１３８への水分の浸透を抑制することができる。 As shown in FIG. 4, the outer peripheral portion of the adhesive portion 220 is covered with the coating agent film 330. The coating film 330 is an adhesive portion between the mounting substrate 120 and the metal portion 141 of the frame 140, and covers the outer peripheral portion of the mounting substrate 120 and the metal portion 141. It is desirable that the coating agent film 330 is formed so as to cover the outer peripheral portion of the mounting substrate 120 and the metal portion 141. In this way, the coating agent film 330 can suppress the permeation of water from the adhesive portion 220 to the opening 138.

同様に、接着部２３０の外周部分は、コーティング剤の膜３４０で覆われている。膜３４０は、接着剤による金属部１４１と樹脂部１４４との接着部分であって、金属部１４１および樹脂部１４４の外周部分を覆っている。コーティング剤の膜３４０は、金属部１４１および樹脂部１４４の外周部分を覆うように裾広がりに形成されていることが望ましい。こうして、コーティング剤の膜３４０は、接着部２３０から開口部１３８への水分の浸透を抑制することができる。 Similarly, the outer peripheral portion of the adhesive portion 230 is covered with the coating agent film 340. The film 340 is an adhesive portion between the metal portion 141 and the resin portion 144, and covers the outer peripheral portion of the metal portion 141 and the resin portion 144. It is desirable that the coating agent film 340 is formed so as to spread the hem so as to cover the outer peripheral portions of the metal portion 141 and the resin portion 144. In this way, the coating agent film 340 can suppress the permeation of water from the adhesive portion 230 to the opening 138.

同様に、接着部２４０の外周部分は、コーティング剤の膜３５０で覆われている。コーティング剤の膜３５０は、接着剤によるフレーム１４０の樹脂部１４４とカバーガラス１６０との接着部分であって、樹脂部１４４およびカバーガラス１６０の外周部分を覆っている。コーティング剤の膜３５０は、樹脂部１４４およびカバーガラス１６０の外周部分を覆うように裾広がりに形成されていることが望ましい。こうして、コーティング剤の膜３５０は、接着部２４０から開口部１３８への水分の浸透を抑制することができる。 Similarly, the outer peripheral portion of the adhesive portion 240 is covered with the coating agent film 350. The coating agent film 350 is an adhesive portion between the resin portion 144 of the frame 140 and the cover glass 160, and covers the resin portion 144 and the outer peripheral portion of the cover glass 160. It is desirable that the coating agent film 350 is formed so as to cover the outer peripheral portion of the resin portion 144 and the cover glass 160 so as to spread the hem. In this way, the coating agent film 350 can suppress the permeation of water from the adhesive portion 240 to the opening 138.

上述した第２の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）撮像ユニット４０は、実装基板１２０と、撮像チップ１００と、第１主面１１１に接着剤で接着された、撮像チップ１００を囲むフレーム１４０と、を備える。撮像ユニット４０は、接着剤による実装基板１２０とフレーム１４０との接着部分であって実装基板１２０およびフレーム１４０の外周部分が接着剤への水分の浸透を抑制するコーティング剤の膜３３０で覆われている。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 According to the second embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) The image pickup unit 40 includes a mounting substrate 120, an image pickup chip 100, and a frame 140 surrounding the image pickup chip 100, which is adhered to the first main surface 111 with an adhesive. The image pickup unit 40 is an adhesive portion between the mounting substrate 120 and the frame 140, and the outer peripheral portion of the mounting substrate 120 and the frame 140 is covered with a coating agent film 330 that suppresses the penetration of moisture into the adhesive. There is. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

（２）撮像ユニット４０は、実装基板１２０と、撮像チップ１００と、実装基板１２０の第１主面１１１に配置された、撮像チップ１００を囲むフレーム１４０を備える。フレーム１４０は、金属によって構成される金属部１４１と、樹脂によって構成される樹脂部１４４とを有し、金属部１４１と樹脂部１４４とがフレーム用接着剤で接着されている。撮像ユニット４０は、フレーム用接着剤による金属部１４１と樹脂部１４４との接着部分であって、金属部１４１および樹脂部１４４の外周部分がフレーム用接着剤への水分の浸透を抑制するコーティング剤の膜３４０で覆われている。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 (2) The image pickup unit 40 includes a mounting substrate 120, an imaging chip 100, and a frame 140 surrounding the imaging chip 100 arranged on the first main surface 111 of the mounting substrate 120. The frame 140 has a metal portion 141 made of metal and a resin portion 144 made of resin, and the metal portion 141 and the resin portion 144 are adhered to each other with a frame adhesive. The image pickup unit 40 is an adhesive portion between the metal portion 141 and the resin portion 144 by the frame adhesive, and the outer peripheral portion of the metal portion 141 and the resin portion 144 is a coating agent that suppresses the penetration of water into the frame adhesive. It is covered with a film of 340. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

（３）撮像ユニット４０は、フレーム１４０に透明部材用接着剤で接着され、撮像チップ１００を被覆するカバーガラス１６０を備える。撮像ユニット４０は、透明部材用接着剤によるフレーム１４０とカバーガラス１６０との接着部分であって、フレーム１４０およびカバーガラス１６０の外周部分が透明部材用接着剤への水分の浸透を抑制するコーティング剤の膜３５０で覆われている。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 (3) The image pickup unit 40 includes a cover glass 160 that is adhered to the frame 140 with an adhesive for a transparent member and covers the image pickup chip 100. The image pickup unit 40 is an adhesive portion between the frame 140 and the cover glass 160 by the adhesive for the transparent member, and the outer peripheral portion of the frame 140 and the cover glass 160 is a coating agent that suppresses the penetration of moisture into the adhesive for the transparent member. It is covered with a film of 350. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

−−−第３の実施の形態−−−
図５を参照して、撮像ユニットおよび撮像装置の第３の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１および第２の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１および第２の実施の形態と同じである。本実施の形態では、フレーム１４０の樹脂部１４４の外周部分をコーティング剤で覆う。 --- Third embodiment ---
A third embodiment of the image pickup unit and the image pickup apparatus will be described with reference to FIG. In the following description, the same components as those in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals, and the differences will be mainly described. The points not particularly described are the same as those of the first and second embodiments. In the present embodiment, the outer peripheral portion of the resin portion 144 of the frame 140 is covered with a coating agent.

図５は、樹脂部１４４の外周部分をコーティング剤で覆った撮像ユニット４０の模式的な断面図である。なお、図５でも、膜３６０の厚さを誇張して描いている。フレーム１４０の樹脂部１４４は、樹脂、すなわち、材質が有機物である材料で形成された部位である。したがって、樹脂部１４４には水分が浸透する恐れがある。樹脂部１４４に浸透した水分が仮に開口部１３８に到達すると、上述したように撮像チップ１００が劣化するおそれがある。
そこで、本実施の形態では、樹脂部１４４の外周部分にコーティング剤の膜３６０を形成することで、開口部１３８への水分の侵入を抑制する。以下に詳述する。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of the imaging unit 40 in which the outer peripheral portion of the resin portion 144 is covered with a coating agent. Also in FIG. 5, the thickness of the film 360 is exaggerated. The resin portion 144 of the frame 140 is a portion formed of a resin, that is, a material whose material is an organic substance. Therefore, moisture may permeate into the resin portion 144. If the water permeating the resin portion 144 reaches the opening 138, the image pickup chip 100 may deteriorate as described above.
Therefore, in the present embodiment, the invasion of water into the opening 138 is suppressed by forming the coating agent film 360 on the outer peripheral portion of the resin portion 144. It will be described in detail below.

図５に示すように、樹脂部１４４の外周部分は、全周に渡って、コーティング剤の膜３６０で覆われている。こうして、コーティング剤の膜３６０は、樹脂部１４４の外周部分から開口部１３８への水分の浸透を抑制することができる。
なお、樹脂部１４４の外周部分に付着又は塗布されたコーティング剤の膜３６０を、樹脂部１４４と金属部１４１との間の接着部２３０まで延ばして、樹脂部１４４の外周部分と接着部２３０の外周部分とを共に被覆するようにしてもよい。これは、図５のコーティング剤の膜３６０と図４のコーティング剤の膜３４０とを同時に形成することに相当する。
また、同様に、樹脂部１４４の外周部分に付着又は塗布されたコーティング剤の膜３６０を、樹脂部１４４とカバーガラス１６０との間の接着部２４０まで延ばして、樹脂部１４４の外周部分と接着部２４０の外周部分とを共に被覆するようにしてもよい。これは、図５のコーティング剤の膜３６０と図４のコーティング剤の膜３５０とを同時に塗布などによって形成することに相当する。
更には、コーティング剤の膜３６０とコーティング剤の膜３４０とコーティング剤の膜３５０とを同時に塗布などによって形成してもよい。 As shown in FIG. 5, the outer peripheral portion of the resin portion 144 is covered with the coating agent film 360 over the entire circumference. In this way, the coating agent film 360 can suppress the permeation of water from the outer peripheral portion of the resin portion 144 into the opening 138.
The coating agent film 360 adhered to or applied to the outer peripheral portion of the resin portion 144 is extended to the adhesive portion 230 between the resin portion 144 and the metal portion 141, and the outer peripheral portion of the resin portion 144 and the adhesive portion 230 are formed. The outer peripheral portion may be covered together. This corresponds to forming the coating agent film 360 of FIG. 5 and the coating agent film 340 of FIG. 4 at the same time.
Similarly, the coating agent film 360 adhering to or applied to the outer peripheral portion of the resin portion 144 is extended to the adhesive portion 240 between the resin portion 144 and the cover glass 160 and adhered to the outer peripheral portion of the resin portion 144. The outer peripheral portion of the portion 240 may be covered together. This corresponds to forming the coating agent film 360 of FIG. 5 and the coating agent film 350 of FIG. 4 at the same time by coating or the like.
Further, the coating agent film 360, the coating agent film 340, and the coating agent film 350 may be formed by simultaneous coating or the like.

上述した第３の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）撮像ユニット４０は、実装基板１２０と、撮像チップ１００と、実装基板１２０の第１主面１１１に配置された、撮像チップ１００を囲むフレーム１４０を備える。フレーム１４０は、金属によって構成される金属部１４１と、樹脂によって構成される樹脂部１４４とを有し、樹脂部１４４の外周部分が樹脂部１４４への水分の浸透を抑制するコーティング剤の膜３６０で覆われている。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 According to the third embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) The image pickup unit 40 includes a mounting substrate 120, an imaging chip 100, and a frame 140 surrounding the imaging chip 100 arranged on the first main surface 111 of the mounting substrate 120. The frame 140 has a metal portion 141 made of metal and a resin portion 144 made of resin, and the outer peripheral portion of the resin portion 144 is a coating agent film 360 that suppresses the penetration of water into the resin portion 144. It is covered with. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

−−−第４の実施の形態−−−
図６を参照して、撮像ユニットおよび撮像装置の第４の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１〜第３の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１〜第３の実施の形態と同じである。本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の材質や厚さが第１〜第３の実施の形態と異なる。 --- Fourth Embodiment ---
A fourth embodiment of the image pickup unit and the image pickup apparatus will be described with reference to FIG. In the following description, the same components as those in the first to third embodiments are designated by the same reference numerals, and the differences will be mainly described. The points not particularly described are the same as those in the first to third embodiments. In the present embodiment, the material and thickness of the solder resist layer 211 are different from those in the first to third embodiments.

図６は、実装基板１２０の第２主面１１２の近傍の模式的な拡大図である。なお、配線層２１２は、配線パターン２１７の表面にメッキ層２１８が形成されている。
ソルダレジスト層２１１の材料は樹脂である。そのため、ソルダレジスト層２１１は、水分を吸収することで膨張する。ソルダレジスト層２１１が膨張すると、実装基板１２０が反ったり、歪んだりするおそれがある。
そこで、本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の材料として、できるだけ吸水率が低い材料を用いる。一般的に、ソルダレジストに用いられる樹脂の吸水率は、実装基板１２０の絶縁層２１３に用いられる樹脂の吸水率よりも１０倍程度高く、たとえば１．３％程度である。本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の材料として、吸水率がたとえば１．０％以下の材料を用いることが望ましい。 FIG. 6 is a schematic enlarged view of the vicinity of the second main surface 112 of the mounting substrate 120. The wiring layer 212 has a plating layer 218 formed on the surface of the wiring pattern 217.
The material of the solder resist layer 211 is a resin. Therefore, the solder resist layer 211 expands by absorbing water. When the solder resist layer 211 expands, the mounting substrate 120 may warp or be distorted.
Therefore, in the present embodiment, as the material of the solder resist layer 211, a material having as low a water absorption rate as possible is used. Generally, the water absorption rate of the resin used for the solder resist is about 10 times higher than the water absorption rate of the resin used for the insulating layer 213 of the mounting substrate 120, for example, about 1.3%. In the present embodiment, it is desirable to use a material having a water absorption rate of, for example, 1.0% or less as the material of the solder resist layer 211.

また、ソルダレジスト層２１１の厚さを薄くすれば、ソルダレジスト層２１１の膨張によって実装基板１２０に作用する力を低減できる。そこで、本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の厚さを、できるだけ薄くしている。本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の厚さは、たとえば絶縁層２１３や、絶縁層２０３，２０５（図２参照）の厚さよりも薄い。上述したように、絶縁層２０３、絶縁層２０５、および絶縁層２１３それぞれの厚みは、１０μｍ〜１０００μｍである。本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の厚さは、たとえば１５μｍである。ソルダレジスト層２１１の厚さは、たとえば１５μｍ以下であることが望ましい。さらに、ソルダレジスト層２１１の厚さは、絶縁層２０３、絶縁層２０５、および絶縁層２１３の厚さよりも薄い方が好ましい。具体的には、ソルダレジスト層２１１の厚さは、たとえば１０μｍ以下であることが好ましい。 Further, if the thickness of the solder resist layer 211 is reduced, the force acting on the mounting substrate 120 due to the expansion of the solder resist layer 211 can be reduced. Therefore, in the present embodiment, the thickness of the solder resist layer 211 is made as thin as possible. In the present embodiment, the thickness of the solder resist layer 211 is thinner than, for example, the thickness of the insulating layer 213 and the insulating layers 203 and 205 (see FIG. 2). As described above, the thickness of each of the insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213 is 10 μm to 1000 μm. In the present embodiment, the thickness of the solder resist layer 211 is, for example, 15 μm. The thickness of the solder resist layer 211 is preferably 15 μm or less, for example. Further, the thickness of the solder resist layer 211 is preferably thinner than the thickness of the insulating layer 203, the insulating layer 205, and the insulating layer 213. Specifically, the thickness of the solder resist layer 211 is preferably 10 μm or less, for example.

このように、本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の材料として、吸水率が低い材料を用いることで、実装基板１２０への水分の浸透を抑制する。これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。
また、本実施の形態では、ソルダレジスト層２１１の厚さを薄くした。たとえば、ソルダレジスト層２１１の厚さは、たとえば絶縁層２１３や、絶縁層２０３，２０５（図２参照）の厚さよりも薄い。そのため、ソルダレジスト層２１１が吸湿して膨張しても、実装基板１２０に作用する力を低減できる。これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 As described above, in the present embodiment, by using a material having a low water absorption rate as the material of the solder resist layer 211, the permeation of water into the mounting substrate 120 is suppressed. As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.
Further, in the present embodiment, the thickness of the solder resist layer 211 is reduced. For example, the thickness of the solder resist layer 211 is thinner than, for example, the thickness of the insulating layer 213 and the insulating layers 203 and 205 (see FIG. 2). Therefore, even if the solder resist layer 211 absorbs moisture and expands, the force acting on the mounting substrate 120 can be reduced. As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

上述した第４の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）実装基板１２０は、第２主面１１２に設けられたソルダレジスト層２１１を備える。ソルダレジスト層２１１の厚さは、絶縁層２１３の厚さよりも薄い。これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 According to the fourth embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) The mounting substrate 120 includes a solder resist layer 211 provided on the second main surface 112. The thickness of the solder resist layer 211 is thinner than the thickness of the insulating layer 213. As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

（２）実装基板１２０は、第２主面１１２に設けられたソルダレジスト層２１１を備える。ソルダレジスト層２１１の吸水率は、１．０％以下である。これにより、実装基板１２０の反りや歪みを防止でき、撮像チップ１００の平坦度に影響を及ぼすのを防止できる。また、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 (2) The mounting substrate 120 includes a solder resist layer 211 provided on the second main surface 112. The water absorption rate of the solder resist layer 211 is 1.0% or less. As a result, warpage and distortion of the mounting substrate 120 can be prevented, and it is possible to prevent the flatness of the image pickup chip 100 from being affected. In addition, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

−−−第５の実施の形態−−−
図７〜９を参照して、撮像ユニットおよび撮像装置の第５の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１〜第４の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１〜第４の実施の形態と同じである。本実施の形態では、配線層２０４設けたボイド穴と配線層２１４に設けたボイド穴の位置とが重ならないようにしている。ボイド穴とは、実装基板１２０の製造過程で発生するガスの排出や、配線層の面積に対する金属箔部分の面積の割合の調整のために設けられた穴である。 --- Fifth Embodiment ---
A fifth embodiment of the image pickup unit and the image pickup apparatus will be described with reference to FIGS. 7 to 9. In the following description, the same components as those in the first to fourth embodiments are designated by the same reference numerals, and the differences will be mainly described. The points not particularly described are the same as those in the first to fourth embodiments. In the present embodiment, the positions of the void holes provided in the wiring layer 204 and the void holes provided in the wiring layer 214 are prevented from overlapping. The void hole is a hole provided for discharging gas generated in the manufacturing process of the mounting substrate 120 and adjusting the ratio of the area of the metal foil portion to the area of the wiring layer.

図７は、配線層２０４，２１４におけるボイド穴の配置を模式に示す図である。図７（ａ）は、配線層２０４を示す図であり、図７（ｂ）は、配線層２１４を示す図であり、図７（ｃ）は、配線層２０４と配線層２１４とを重ね合わせた図である。
図７（ａ）に示すように、配線層２０４には、金属箔２０４ａにボイド穴２０４ｂが複数設けられている。ボイド穴２０４ｂの配置間隔は、たとえば一定の値であるが、一定の値でなくてもよい。図７（ａ）に示す例では、ボイド穴２０４ｂは、行方向および列方向に一定のピッチで規則正しく配置されているが、ボイド穴２０４ｂは、不規則に配置されていてもよい。各ボイド穴２０４ｂの大きさは、略等しく定められているが、揃っていなくてもよい。 FIG. 7 is a diagram schematically showing the arrangement of void holes in the wiring layers 204 and 214. FIG. 7A is a diagram showing the wiring layer 204, FIG. 7B is a diagram showing the wiring layer 214, and FIG. 7C is a diagram in which the wiring layer 204 and the wiring layer 214 are overlapped with each other. It is a figure.
As shown in FIG. 7A, the wiring layer 204 is provided with a plurality of void holes 204b in the metal foil 204a. The arrangement interval of the void holes 204b is, for example, a constant value, but may not be a constant value. In the example shown in FIG. 7A, the void holes 204b are regularly arranged at a constant pitch in the row direction and the column direction, but the void holes 204b may be arranged irregularly. The sizes of the void holes 204b are set to be substantially equal, but may not be the same.

図７（ｂ）に示すように、配線層２１４には、金属箔２１４ａにボイド穴２１４ｂが複数設けられている。この配線層２１４のボイド穴２１４ｂの大きさは、配線層２０４のボイド穴２０４ｂの大きさと略等しく定められているが、異なっていてもよい。各ボイド穴２１４ｂの大きさは、略等しく定められているが、揃っていなくてもよい。ボイド穴２１４ｂの配置間隔は、たとえば一定の値であるが、一定の値でなくてもよい。ボイド穴２１４ｂの配置間隔とボイド穴２０４ｂの配置間隔とが同じであってもよく、異なっていてもよい。図７（ｂ）に示す例では、ボイド穴２１４ｂの配置間隔とボイド穴２０４ｂの配置間隔とが同じである。図７（ｂ）に示す例では、ボイド穴２１４ｂは、行方向および列方向に一定のピッチで規則正しく配置されているが、ボイド穴２１４ｂは、不規則に配置されていてもよい。
以上のように、配線層２０４の配線層の面積に対する金属箔部分の面積の割合と、配線層２１４の配線層の面積に対する金属箔部分の面積の割合とは、等しく定められている。 As shown in FIG. 7B, the wiring layer 214 is provided with a plurality of void holes 214b in the metal foil 214a. The size of the void hole 214b of the wiring layer 214 is set to be substantially equal to the size of the void hole 204b of the wiring layer 204, but may be different. The sizes of the void holes 214b are set to be substantially equal, but may not be the same. The arrangement interval of the void holes 214b is, for example, a constant value, but may not be a constant value. The arrangement interval of the void holes 214b and the arrangement interval of the void holes 204b may be the same or different. In the example shown in FIG. 7B, the arrangement interval of the void holes 214b and the arrangement interval of the void holes 204b are the same. In the example shown in FIG. 7B, the void holes 214b are regularly arranged at a constant pitch in the row direction and the column direction, but the void holes 214b may be arranged irregularly.
As described above, the ratio of the area of the metal foil portion to the area of the wiring layer of the wiring layer 204 and the ratio of the area of the metal foil portion to the area of the wiring layer of the wiring layer 214 are defined equally.

図７（ｃ）に示すように、ボイド穴２０４ｂとボイド穴２１４ｂとは、ｚ軸方向から見たときに重なり合わない。すなわち、ボイド穴２０４ｂの位置とボイド穴２１４ｂの位置とは、ｚ軸方向、すなわち配線層２０４，２１４の積層方向と直交する方向にずれている。ボイド穴２０４ｂに対するボイド穴２１４ｂのずれは、たとえばＸ方向およびＹ方向にそれぞれ１/２ピッチである。 As shown in FIG. 7C, the void holes 204b and the void holes 214b do not overlap when viewed from the z-axis direction. That is, the position of the void hole 204b and the position of the void hole 214b are deviated from each other in the z-axis direction, that is, in the direction orthogonal to the stacking direction of the wiring layers 204 and 214. The deviation of the void hole 214b with respect to the void hole 204b is, for example, 1/2 pitch in the X direction and the Y direction, respectively.

図３に示すように、たとえば、実装基板１２０の第２主面１１２から実装基板１２０の絶縁層２１３に浸透した水分は、配線層２１４のボイド穴２１４ｂから絶縁層２０５に到達する。絶縁層２０５に浸透した水分は、配線層２０４のボイド穴２０４ｂから絶縁層２０３に到達する。
しかしながら、絶縁層２１３から絶縁層２０５に浸透する水分は、ボイド穴２０４ｂとボイド穴２１４ｂとの位置をｚ軸方向と直交する方向にずれているため、その浸透が妨げられる。すなわち、絶縁層２１３から絶縁層２０５に浸透する水分は、ボイド穴２０４ｂとボイド穴２１４ｂとの位置がｚ軸方向と直交する方向にずれていない場合と比べて、配線層２１４のボイド穴２１４ｂから配線層２０４のボイド穴２０４ｂに到達するまでの距離が長くなる。したがって、絶縁層２１３に浸透した水分が絶縁層２０３に到達し難くなる。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 As shown in FIG. 3, for example, the water that has permeated from the second main surface 112 of the mounting board 120 into the insulating layer 213 of the mounting board 120 reaches the insulating layer 205 from the void holes 214b of the wiring layer 214. The water that has penetrated into the insulating layer 205 reaches the insulating layer 203 from the void hole 204b of the wiring layer 204.
However, the moisture permeating from the insulating layer 213 to the insulating layer 205 is hindered because the positions of the void hole 204b and the void hole 214b are displaced in the direction orthogonal to the z-axis direction. That is, the water permeating from the insulating layer 213 to the insulating layer 205 is transmitted from the void hole 214b of the wiring layer 214 as compared with the case where the positions of the void hole 204b and the void hole 214b are not displaced in the direction orthogonal to the z-axis direction. The distance to reach the void hole 204b of the wiring layer 204 becomes long. Therefore, it becomes difficult for the moisture that has permeated the insulating layer 213 to reach the insulating layer 203. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

なお、撮像チップ１００の平坦度や撮像チップ１００の劣化へ影響を及ぼさないのであれば、複数のボイド穴２０４ｂのうちの一部と、複数のボイド穴２１４ｂのうちの一部とがｚ軸方向から見たときに重なっていてもよい。 If it does not affect the flatness of the image pickup chip 100 or the deterioration of the image pickup chip 100, a part of the plurality of void holes 204b and a part of the plurality of void holes 214b are in the z-axis direction. It may overlap when viewed from.

なお、各配線層２０４，２１４には、信号線などの配線パターンが設けられている。そのため、配線パターンを考慮してボイド穴２０４ｂ，２１４ｂの位置を決める必要がある。図８は、配線パターンを考慮したボイド穴２０４ｂ，２１４ｂの配置を模式に示す図である。図８（ａ）は、配線層２０４を示す図であり、図９（ｂ）は、配線層２１４を示す図であり、図８（ｃ）は、配線層２０４と配線層２１４とを重ね合わせた図である。
図８（ａ）に示すように、配線層２０４には、配線パターン２０４ｃが複数箇所に設けられている。配線パターン２０４ｃの周囲には、他の配線パターンや金属箔部分との絶縁のために、金属箔が設けられていない絶縁領域２０４ｄが存在する。 The wiring layers 204 and 214 are provided with wiring patterns such as signal lines. Therefore, it is necessary to determine the positions of the void holes 204b and 214b in consideration of the wiring pattern. FIG. 8 is a diagram schematically showing the arrangement of void holes 204b and 214b in consideration of the wiring pattern. 8 (a) is a diagram showing the wiring layer 204, FIG. 9 (b) is a diagram showing the wiring layer 214, and FIG. 8 (c) is a diagram in which the wiring layer 204 and the wiring layer 214 are overlapped. It is a figure.
As shown in FIG. 8A, the wiring layer 204 is provided with wiring patterns 204c at a plurality of locations. Around the wiring pattern 204c, there is an insulating region 204d in which no metal foil is provided in order to insulate the wiring pattern 204c from other wiring patterns and the metal foil portion.

図８（ｂ），（ｃ）に示すように、配線層２１４のボイド穴２１４ｂは、配線層２０４のボイド穴２０４ｂとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。また、配線層２１４のボイド穴２１４ｂは、配線層２０４の金属箔が設けられていない絶縁領域２０４ｄとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。
そのため、絶縁領域２０４ｄとボイド穴２１４ｂとの位置がｚ軸方向と直交する方向にずれていない場合と比べて、水分が配線層２１４のボイド穴２１４ｂから配線層２０４の絶縁領域２０４ｄに到達するまでの距離が長い。したがって、絶縁層２１３に浸透した水分が絶縁層２０３に到達し難くなる。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 As shown in FIGS. 8 (b) and 8 (c), the void holes 214b of the wiring layer 214 are arranged so as not to overlap with the void holes 204b of the wiring layer 204 when viewed from the z-axis direction. Further, the void holes 214b of the wiring layer 214 are arranged so as not to overlap with the insulating region 204d of the wiring layer 204 in which the metal foil is not provided when viewed from the z-axis direction.
Therefore, as compared with the case where the positions of the insulating region 204d and the void hole 214b are not deviated in the direction orthogonal to the z-axis direction, until the moisture reaches the insulating region 204d of the wiring layer 204 from the void hole 214b of the wiring layer 214. The distance is long. Therefore, it becomes difficult for the moisture that has permeated the insulating layer 213 to reach the insulating layer 203. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

なお、撮像チップ１００の平坦度や撮像チップ１００の劣化へ影響を及ぼさないのであれば、絶縁領域２０４ｄのうちの一部と、複数のボイド穴２１４ｂのうちの一部とがｚ軸方向から見たときに重なっていてもよい。 If the flatness of the image pickup chip 100 and the deterioration of the image pickup chip 100 are not affected, a part of the insulating region 204d and a part of the plurality of void holes 214b are viewed from the z-axis direction. It may overlap at the time.

なお、図９（ａ）〜（ｃ）に示すように配線パターンの幅が広い場合、配線パターンにボイド穴を設けることがある。図９は、配線パターンを考慮したボイド穴２０４ｂ，２１４ｂの配置を模式に示す図である。図９（ａ）は、配線層２０４を示す図であり、図９（ｂ）は、配線層２１４を示す図であり、図９（ｃ）は、配線層２０４と配線層２１４とを重ね合わせた図である。図９（ａ）に示すように、配線パターン２０４ｃにはボイド穴２０４ｂが設けられている。また、図９（ｂ）に示すように、配線層２１４には、配線パターン２１４ｃが設けられている。配線パターン２１４ｃにはボイド穴２１４ｂが設けられている。配線パターン２１４ｃの周囲には、他の配線パターンや金属箔部分との絶縁のために、金属箔が設けられていない絶縁領域２１４ｄが存在する。 When the width of the wiring pattern is wide as shown in FIGS. 9A to 9C, a void hole may be provided in the wiring pattern. FIG. 9 is a diagram schematically showing the arrangement of void holes 204b and 214b in consideration of the wiring pattern. 9 (a) is a diagram showing the wiring layer 204, FIG. 9 (b) is a diagram showing the wiring layer 214, and FIG. 9 (c) is a diagram in which the wiring layer 204 and the wiring layer 214 are overlapped. It is a figure. As shown in FIG. 9A, the wiring pattern 204c is provided with a void hole 204b. Further, as shown in FIG. 9B, the wiring layer 214 is provided with the wiring pattern 214c. The wiring pattern 214c is provided with a void hole 214b. Around the wiring pattern 214c, there is an insulating region 214d in which no metal foil is provided in order to insulate the wiring pattern 214c from other wiring patterns and the metal foil portion.

図９（ａ），（ｃ）に示すように、配線層２０４のボイド穴２０４ｂは、配線層２１４のボイド穴２１４ｂとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。また、配線層２０４のボイド穴２０４ｂは、配線層２１４の金属箔が設けられていない絶縁領域２１４ｄとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。 As shown in FIGS. 9A and 9C, the void holes 204b of the wiring layer 204 are arranged so as not to overlap with the void holes 214b of the wiring layer 214 when viewed from the z-axis direction. Further, the void holes 204b of the wiring layer 204 are arranged so as not to overlap with the insulating region 214d of the wiring layer 214 in which the metal foil is not provided when viewed from the z-axis direction.

図９（ｂ），（ｃ）に示すように、配線層２１４のボイド穴２１４ｂは、配線層２０４のボイド穴２０４ｂとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。また、配線層２１４のボイド穴２１４ｂは、配線層２０４の金属箔が設けられていない絶縁領域２０４ｄとｚ軸方向から見たときに重なり合わないように配置されている。
このようにすることで、上述した場合と同様に、絶縁層２１３に浸透した水分が絶縁層２０３に到達し難くなる。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 As shown in FIGS. 9B and 9C, the void holes 214b of the wiring layer 214 are arranged so as not to overlap with the void holes 204b of the wiring layer 204 when viewed from the z-axis direction. Further, the void holes 214b of the wiring layer 214 are arranged so as not to overlap with the insulating region 204d of the wiring layer 204 in which the metal foil is not provided when viewed from the z-axis direction.
By doing so, it becomes difficult for the moisture permeating into the insulating layer 213 to reach the insulating layer 203, as in the case described above. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

なお、ｚ軸方向から見たときに配線パターン２０４ｃと配線パターン２１４ｃとで重なる領域が存在する場合には、配線層２０４の絶縁領域２０４ｄと配線層２１４の絶縁領域２１４ｄとが重なる領域ｓが発生する。領域ｓでは、配線層２０４の金属箔が設けられていない領域と配線層２１４の金属箔が設けられていない領域とがｚ軸方向から見たときに重なり合っている。そのため、ｚ軸方向から見たときに配線パターン２０４ｃと配線パターン２１４ｃとができるだけ重ならないように各配線パターン２０４ｃ，２１４ｃを設けることが望ましい。 If there is a region where the wiring pattern 204c and the wiring pattern 214c overlap when viewed from the z-axis direction, a region s where the insulation region 204d of the wiring layer 204 and the insulation region 214d of the wiring layer 214 overlap is generated. To do. In the region s, the region of the wiring layer 204 not provided with the metal leaf and the region of the wiring layer 214 not provided with the metal leaf overlap when viewed from the z-axis direction. Therefore, it is desirable to provide the wiring patterns 204c and 214c so that the wiring patterns 204c and the wiring patterns 214c do not overlap as much as possible when viewed from the z-axis direction.

上述した第５の実施の形態によれば、次の作用効果が得られる。
（１）実装基板１２０は、被写体を撮像する撮像チップ１００が配置される第１主面１１１と、第１主面１１１とは反対側の面であって撮像チップ１００を駆動させるための電子部品１８０が配置される第２主面１１２と、第１主面１１１及び第２主面１１２の間に配置され、複数のボイド穴２０４ｂが形成された配線層２０４と、第１主面１１１及び第２主面１１２の間に配置され、複数のボイド穴２１４ｂが形成された、配線層２０４とは異なる配線層２１４と、配線層２０４及び配線層２１４の間に配置された絶縁層２０５と、を備える。配線層２０４のボイド穴２０４ｂと配線層２１４のボイド穴２１４ｂとは、配線層２０４及び配線層２１４を重ね合わせた場合に互いに重なり合わないように配置されている。したがって、絶縁層２１３に浸透した水分が絶縁層２０３に到達し難くなる。これにより、開口部１３８への水分の侵入が抑制される。そのため、撮像チップ１００の劣化を防止できる。したがって、カメラ１０で撮像して得られる画像の画質の劣化を防止できる。 According to the fifth embodiment described above, the following effects can be obtained.
(1) The mounting substrate 120 is an electronic component for driving the image pickup chip 100 on the surface opposite to the first main surface 111 on which the image pickup chip 100 for imaging the subject is arranged and the first main surface 111. A wiring layer 204 arranged between the first main surface 111 and the second main surface 112 on which 180 is arranged and a plurality of void holes 204b are formed, and the first main surface 111 and the first surface 111 and the first surface 112. A wiring layer 214 different from the wiring layer 204, which is arranged between the two main surfaces 112 and has a plurality of void holes 214b formed therein, and an insulating layer 205 arranged between the wiring layer 204 and the wiring layer 214. Be prepared. The void hole 204b of the wiring layer 204 and the void hole 214b of the wiring layer 214 are arranged so as not to overlap each other when the wiring layer 204 and the wiring layer 214 are overlapped with each other. Therefore, it becomes difficult for the moisture that has permeated the insulating layer 213 to reach the insulating layer 203. As a result, the invasion of water into the opening 138 is suppressed. Therefore, deterioration of the image pickup chip 100 can be prevented. Therefore, it is possible to prevent deterioration of the image quality of the image obtained by capturing the image with the camera 10.

なお、上述した各実施の形態のいずれか１つだけを実施してもよく、上述した各実施の形態の２つまたは３つ以上を組み合わせて実施してもよい。なお、ある実施の形態の一部と、他の実施の形態の一部とを組み合わせて実施してもよい。 It should be noted that only one of the above-described embodiments may be implemented, or two or three or more of the above-described embodiments may be combined. In addition, a part of a certain embodiment and a part of another embodiment may be combined and carried out.

上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。 Although various embodiments and modifications have been described above, the present invention is not limited to these contents. Other aspects conceivable within the scope of the technical idea of the present invention are also included within the scope of the present invention.

１０；カメラ、３０；カメラボディ、４０；撮像ユニット、６０；ミラーボックス、８８；表示部、１００；撮像チップ、１１１；第１主面、１１２；第２主面、１２０；実装基板、１４１；フレーム、１４１；金属部、１４４；樹脂部、１６０；カバーガラス、２０３，２０５，２１３；絶縁層、２０４，２１４；配線層、２０４ｂ，２１４ｂ；ボイド穴、２１１；ソルダレジスト層、３１０，３２０，３３０，３４０，３５０，３６０；膜 10; camera, 30; camera body, 40; imaging unit, 60; mirror box, 88; display unit, 100; imaging chip, 111; first main surface, 112; second main surface, 120; mounting board, 141; Frame, 141; Metal part, 144; Resin part, 160; Cover glass, 203,205,213; Insulation layer, 204,214; Wiring layer, 204b, 214b; Void hole, 211; Solder resist layer, 310,320, 330,340,350,360; film

Claims

A multi-layer wiring board on which an image sensor for imaging a subject is arranged.
The first wiring layer with holes and
A second wiring layer having holes arranged so as not to overlap the holes of the first wiring layer,
Substrate with.

In the substrate according to claim 1,
The first surface on which the image sensor is arranged and
A second surface opposite to the first surface is provided.
A substrate in which at least a part of the second surface is covered with a protective agent that suppresses the penetration of moisture.

In the substrate according to claim 2,
A third surface formed so as to connect the end of the first surface and the end of the second surface is provided.
A substrate in which at least a part of the third surface is covered with a protective agent that suppresses the penetration of moisture.

In the substrate according to any one of claims 1 to 3.
A plurality of the holes in the first wiring layer are arranged at the first interval.
A plurality of holes in the second wiring layer are arranged at second intervals.

In the substrate according to claim 4,
The first interval is a substrate different from the second interval.

In the substrate according to any one of claims 1 to 5.
The size of the hole portion of the first wiring layer is different from the size of the hole portion of the second wiring layer.

The substrate according to any one of claims 1 to 6.
With the image sensor
An imaging unit equipped with.

In the imaging unit according to claim 7,
An image pickup unit including a frame arranged so as to surround the image pickup element on the substrate.

In the imaging unit according to claim 8,
The frame is fixed to the substrate with an adhesive and
An imaging unit that is an adhesive portion between the substrate and the frame by the adhesive, and the outer peripheral portion of the substrate and the frame is covered with a protective agent that suppresses the penetration of moisture into the adhesive.

In the imaging unit according to claim 8 or 9.
The frame is an imaging unit made of resin.

In the imaging unit according to claim 8 or 9.
The frame has a metal portion made of metal and a resin portion made of resin.
An imaging unit in which the outer peripheral portion of the resin portion is covered with a protective agent that suppresses the penetration of water into the resin portion.

The imaging unit according to any one of claims 7 to 11.
An image processing unit connected to the image pickup unit and performing image processing on an input image signal,
An imaging device comprising.