JP6816723B2 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。

携帯電話等の情報通信端末の他、自動車等においても高速大容量無線通信が広く利用されている。高速大容量無線通信では、情報の送受信を行うアンテナで高周波信号が伝送される。アンテナとしては、例えば、電気絶縁体層と、該電気絶縁体層上に設けられた導体層とを備える配線基板が用いられる。配線基板においては、電気絶縁体層の両面側に導体層がそれぞれ形成され、それら導体層が、電気絶縁体層を貫通する穴（スルーホール）の内壁面に形成されたメッキ層によって導通されることが多い。また電波を送受信するアンテナは、例えば電波の周波数が高くなるのに伴い、電子回路が形成されるプリント配線基板等と称される配線基板上に、電子回路の配線パターンを利用して形成されることが多くなっている。

高周波信号の伝送に使用する配線基板には、優れた伝送特性を有すること、すなわち伝送遅延や伝送損失が小さいことが要求される。伝送特性を高めるには、電気絶縁体層を形成する絶縁材料として、比誘電率および誘電正接が小さい材料を使用する必要がある。比誘電率および誘電正接が小さい絶縁材料としては、フッ素樹脂が知られている。例えば、絶縁材料として、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等を用いた配線基板（特許文献１）や、酸無水物残基を有するフッ素樹脂を用いた配線基板（特許文献２）が挙げられる。

絶縁材料としてフッ素樹脂を用いる配線基板において、穴を形成して該穴の内壁面にメッキ層を形成する場合には、一般に、穴の内壁面とメッキ層との密着性を確保して導通不良を抑制するために、穴の内壁面に前処理を行った後にメッキ処理が行われる。前処理としては、金属ナトリウムをテトラヒドラフランに溶解させたエッチング液を用いたエッチング処理が知られている。該エッチング処理により、穴の内壁面のフッ素樹脂が部分的に溶解して内壁面が粗化されることで、アンカー効果によって穴の内壁面とメッキ層との密着性が高まる。また、穴の内壁面のフッ素原子が水酸基等に置き換えられて撥水性が低下するため、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる。しかし、該エッチング処理に使用される金属ナトリウムは、水との接触により発火（爆発）するおそれがあるため、取り扱いや保管場所には厳重な注意が必要である。また、有機溶剤を多量に使用するため、吸入による作業者の健康被害のおそれや、後処理等の問題もある。

電気絶縁体層の両面に導体層が積層される配線基板においては、基板に反り等の予期せぬ変形が生じることを抑制することも重要である。反り等の予期せぬ変形が生じることを抑制する方法としては、電気絶縁体層にガラス繊維からなる織布や不織布を含有させる方法が知られている（特許文献２）。該織布や不織布により、電気絶縁体層の線膨張係数が導体層の線膨張係数に近づくため、配線基板に反り等の予期せぬ変形が生じることが抑制される。しかし、織布や不織布を用いた配線基板は、柔軟性が低下するため、高い柔軟性が要求されるフレキシブル基板として適用するには不向きである。

特開２００１−７４６６号公報 特開２００７−３１４７２０号公報

本発明は、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、電気絶縁体層に形成された穴における導通不良が抑制され、かつ電気絶縁体層に強化繊維からなる織布や不織布が含有されていなくても反り等の予期せぬ変形が抑制された配線基板を製造できる、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下の構成を有する。
［１］電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板の製造方法であって、
電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
前記第１導体層、前記電気絶縁体層および前記第２導体層を有する積層体に前記穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成する、配線基板の製造方法。
［２］電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板の製造方法であって、
電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
前記電気絶縁体層と前記第２導体層を有する積層体に前記穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成し、その後に前記電気絶縁体層の第１の面に前記第１導体層を形成する、配線基板の製造方法。

［３］前記電気絶縁体層が、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）なる層構成、または、フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成を有する、［１］または［２］の配線基板の製造方法。
［４］前記フッ素樹脂（ａ）の融点が２６０℃以上である、［１］〜［３］のいずれかの配線基板の製造方法。
［５］前記電気絶縁体層の比誘電率が２．０〜３．０である、［１］〜［４］のいずれかの配線基板の製造方法。
［６］前記官能基が、少なくともカルボニル基含有基を含み、前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］〜［５］のいずれかの配線基板の製造方法。
［７］前記フッ素樹脂（ａ）中の前記官能基の含有量が、当該フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して１０〜６００００個である、［１］〜［６］のいずれかの配線基板の製造方法。
［８］前記フッ素樹脂（ａ）が、テトラフルオロエチレンとペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）と不飽和ジカルボン酸無水物との共重合体からなる、［１］〜［７］のいずれかの配線基板の製造方法。
［９］耐熱性樹脂（ｂ）がポリイミドからなる、［１］〜［８］のいずれかの配線基板の製造方法。

［１０］電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板であって、
電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
熱衝撃試験前後における下記電気抵抗変化率が±１０％の範囲内であることを特徴とする配線基板。
電気抵抗変化率：配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後に１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験後のメッキ層を介した電気絶縁体層の両面の導電体層間の抵抗値の、熱衝撃試験前の抵抗値に対する変化率
［１１］前記電気絶縁体層が、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）なる層構成、または、フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成を有する、［１０］の配線基板。
［１２］前記第１導体層と前記第２導体層の少なくともいずれかがアンテナパターンを有する導体層である、［１０］または［１１］の配線基板からなるアンテナ。

本発明の配線基板の製造方法によれば、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、電気絶縁体層に形成された穴における導通不良が抑制され、かつ電気絶縁体層に強化繊維からなる織布や不織布が含有されていなくても反り等の予期せぬ変形が抑制された配線基板を製造できる。

本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図１Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図１Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図２Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図２Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図３Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図３Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図４Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図４Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 図４Ｃの積層体のフッ素樹脂層の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図５Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図５Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 図５Ｃの積層体のフッ素樹脂層の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。 本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。 図６Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。 図６Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。 図６Ｃの積層体のフッ素樹脂層の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。

本明細書における下記の用語の意味は、以下の通りである。
「耐熱性樹脂」とは、融点が２８０℃以上の高分子化合物、またはＪＩＳ Ｃ ４００３：２０１０（ＩＥＣ ６００８５：２００７）で規定される最高連続使用温度が１２１℃以上の高分子化合物を意味する。
「融点」とは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法で測定した融解ピークの最大値に対応する温度を意味する。
「溶融成形可能」であるとは、溶融流動性を示すことを意味する。
「溶融流動性を示す」とは、荷重４９Ｎの条件下、樹脂の融点よりも２０℃以上高い温度において、溶融流れ速度が０．１〜１０００ｇ／１０分となる温度が存在することを意味する。
「溶融流れ速度」とは、ＪＩＳ Ｋ ７２１０：１９９９（ＩＳＯ １１３３：１９９７）に規定されるメルトマスフローレート（ＭＦＲ）を意味する。
フッ素樹脂の「比誘電率」とは、ＡＳＴＭ Ｄ １５０に準拠した変成器ブリッジ法にて、温度２３℃±２℃、相対湿度５０％±５％ＲＨの環境下にて周波数１ＭＨｚで測定される値を意味する。
電気絶縁体層の「比誘電率」とは、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により、２３℃±２℃、５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚで測定される値を意味する。
なお、本明細書においては、単量体に由来する単位を単量体単位とも記す。例えば、含フッ素単量体に由来する単位を、含フッ素単量体単位とも記す。

［配線基板］
本発明の製造方法で製造する配線基板は、電気絶縁体層と、第１導体層と、第２導体層と、を備える。電気絶縁体層は、後述の官能基（Ｑ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と、耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層である。第１導体層は電気絶縁体層の第１の面に設けられ、第２導体層は電気絶縁体層の第１の面と反対側の第２の面に設けられている。該配線基板には、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴を有し、該穴の内壁面にメッキ層が形成されている。
なお、以下、フッ素樹脂層（Ａ）を「層（Ａ）」、耐熱性樹脂層（Ｂ）を「層（Ｂ）」ともいう。また、配線基板や電気絶縁体層における第１導体層から第２導体層への方向の層の配列を層間に／を付して並べることにより表す。

電気絶縁体層における層（Ａ）は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。電気絶縁体層における層（Ｂ）は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。電気絶縁体層における層（Ａ）の数と層（Ｂ）の数の合計は５以下が好ましい。また、層（Ａ）と層（Ｂ）とは、交互に配置されていることが好ましいが、必ずしも交互に配置されていなくてもよい。

電気絶縁体層における層（Ａ）と層（Ｂ）との層順序は、反り等の予期せぬ変形を抑制しやすい点では、電気絶縁体層の厚み方向において対称になっていることが好ましい。具体的には、例えば、２層の層（Ａ）と１層の層（Ｂ）とからなる電気絶縁体層の場合、層（Ａ）／層（Ｂ）／層（Ａ）なる層構成を有することが好ましい。また、層（Ｂ）／層（Ａ）／層（Ｂ）なる層構成の電気絶縁体層であってもよい。
なお、電気絶縁体層における層順序は、厚み方向において対称となる順序には限定されない。例えば、層（Ａ）／層（Ｂ）なる層構成を有する２層構造の電気絶縁体層であってもよい。

なお、配線基板には、第１導体層における電気絶縁体層と反対側、または第２導体層における電気絶縁体層と反対側に、樹脂層を有していてもよい。樹脂層としては、例えば、層（Ａ）、層（Ｂ）等が挙げられる。また、第１導体層における電気絶縁体層と反対側、または第２導体層における電気絶縁体層と反対側に、接着層や樹脂層を介してさらに導電体層が設けられていてもよい。

配線基板に形成される穴は、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴であればよく、必ずしも配線基板の一方の面から他方の面まで貫通していなくてもよい。例えば、第１導体層から第２導体層まで通じる穴であれば、該穴が第１導体層または第２導体層を貫通していなくてもよい。

本発明の製造方法で製造される配線基板としては、例えば、以下に例示した配線基板１〜３が挙げられる。
配線基板１は、図１Ｃに示すように、電気絶縁体層１０と、電気絶縁体層１０の第１の面１０ａ上の第１導体層１２と、電気絶縁体層１０の第２の面１０ｂ上の第２導体層１４と、を備える。電気絶縁体層１０は、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６の３層構造を有する。配線基板１においては、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。

配線基板２は、図２Ｃに示すように、電気絶縁体層１０Ａと、電気絶縁体層１０Ａの第１の面１０ａ上の第１導体層１２と、電気絶縁体層１０Ａの第２の面１０ｂ上の第２導体層１４と、を備える。電気絶縁体層１０Ａは、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８の２層構造を有する。配線基板２においては、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。

配線基板３は、図３Ｃに示すように、電気絶縁体層１０Ｂと、電気絶縁体層１０Ｂの第１の面１０ａ上の第１導体層１２と、電気絶縁体層１０Ｂの第２の面１０ｂ上の第２導体層１４と、を備える。電気絶縁体層１０Ｂは、層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８の３層構造を有する。配線基板３においては、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。

（電気絶縁体層）
電気絶縁体層は、層（Ａ）の少なくとも１層と層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層からなり、ガラスクロス等の、織布または不織布からなる強化繊維基材を含有しない。電気絶縁体層が強化繊維基材を含有しないことにより、優れた柔軟性を有する配線基板となり、フレキシブル基板として好適に使用できる。

電気絶縁体層の比誘電率は、２．０〜３．５であり、２．０〜３．０が好ましい。電気絶縁体層の比誘電率が前記上限値以下であれば、アンテナ等の低誘電率が求められる用途に有用である。電気絶縁体層の比誘電率が前記下限値以上であれば、電気特性と、メッキ層との密着性の双方に優れる。

電気絶縁体層の線膨張係数は、０〜３５ｐｐｍ／℃が好ましく、０〜３０ｐｐｍ／℃がより好ましい。電気絶縁体層の線膨張係数が前記上限値以下であれば、導体層との線膨張係数の差が小さくなり、配線基板に反り等の予期せぬ変形が生じることが抑制される。
なお、電気絶縁体層の線膨張係数は、実施例に記載の方法で求められる。

電気絶縁体層の厚みは、４〜１０００μｍが好ましく、６〜３００μｍがより好ましい。電気絶縁体層の厚みが前記下限値以上であれば、配線基板が過度に変形しにくくなるため、導体層が断線しにくくなる。電気絶縁体層の厚みが前記上限値以下であれば、柔軟性に優れ、また配線基板の小型化および軽量化に対応できる。

＜フッ素樹脂層（Ａ）＞
層（Ａ）は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基（以下、「官能基（Ｑ）」ともいう。）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含有する。

層（Ａ）の厚みは、２〜３００μｍが好ましく、１０〜１５０μｍがより好ましい。層（Ａ）の厚みが前記下限値以上であれば、反り等の予期せぬ変形が抑制されやすい。層（Ａ）の厚みが前記上限値以下であれば、柔軟性に優れ、また配線基板の小型化および軽量化に対応できる。

≪フッ素樹脂（ａ）≫
フッ素樹脂（ａ）としては、例えば、官能基（Ｑ）を有する単位（１）と、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）に由来する単位（２）と、を有するフッ素樹脂（ａ１）が挙げられる。フッ素樹脂（ａ１）は、必要に応じて、単位（１）および単位（２）以外の他の単位をさらに有してもよい。

官能基（Ｑ）におけるカルボニル基含有基としては、構造中にカルボニル基を含む基であればよく、例えば、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基、ポリフルオロアルコキシカルボニル基、脂肪酸残基等が挙げられる。なかでも、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、カルボキシ基および酸無水物残基のいずれか一方または両方がより好ましい。

炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基における炭化水素基としては、例えば、炭素数２〜８のアルキレン基等が挙げられる。なお、該アルキレン基の炭素数は、カルボニル基を含まない炭素数である。該アルキレン基は直鎖状でも分岐状でもよい。
ハロホルミル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。該アルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。

単位（１）が有する官能基（Ｑ）は、１つでもよく、２つ以上でもよい。単位（１）が２つ以上の官能基（Ｑ）を有する場合、それらの官能基（Ｑ）は同じでもよく、異なってもよい。

カルボニル基含有基を含む単量体としては、例えば、酸無水物残基と重合性不飽和結合とを有する化合物である不飽和ジカルボン酸無水物、カルボキシ基を有する単量体（イタコン酸、アクリル酸等）、ビニルエステル（酢酸ビニル等）、メタクリレート、アクリレート（（ポリフルオロアルキル）アクリレート等）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＲ^ｆ１ＣＯ_２Ｘ^１（ただし、Ｒ^ｆ１は、エーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数１〜１０のペルフルオロアルキレン基であり、Ｘ^１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基である。）等が挙げられる。
前記不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、無水イタコン酸（ＩＡＨ）、無水シトラコン酸（ＣＡＨ）、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物（ＮＡＨ）、無水マレイン酸等が挙げられる。

ヒドロキシ基を含む単量体としては、例えば、ビニルエステル類、ビニルエーテル類、アリルエーテル類等が挙げられる。
エポキシ基を含む単量体としては、例えば、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。
イソシアネート基を含む単量体としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（２−アクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート、２−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート等が挙げられる。

単位（１）は、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、官能基（Ｑ）として少なくともカルボニル基含有基を有することが好ましい。また、単位（１）としては、熱安定性、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、ＩＡＨ単位、ＣＡＨ単位およびＮＡＨ単位からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、ＮＡＨ単位が特に好ましい。

単位（１）および単位（２）以外の他の単位としては、例えば、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等の他の単量体に由来する単位が挙げられる。
ＰＡＶＥとしては、例えば、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（ＰＰＶＥ）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_８Ｆ等が挙げられ、ＰＰＶＥが好ましい。
他の単位としては、ＰＡＶＥ単位が好ましく、ＰＰＶＥ単位が特に好ましい。

好ましいフッ素樹脂（ａ１）としては、ＴＦＥとＰＰＶＥと不飽和ジカルボン酸無水物との共重合体が好ましく、具体的には、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＮＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＣＡＨ共重合体等が挙げられる。
なお、フッ素樹脂（ａ）は、主鎖末端基として官能基（Ｑ）を有していてもよい。主鎖末端基として導入する官能基（Ｑ）としては、アルコキシカルボニル基、カーボネート基、カルボキシル基、フルオロホルミル基、酸無水物残基、ヒドロキシ基が好ましい。これらの官能基は、ラジカル重合開始剤、連鎖移動剤等を適宜選定することにより導入できる。

フッ素樹脂（ａ）中の官能基（Ｑ）の含有量は、フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して、１０〜６００００個が好ましく、１００〜５００００個がより好ましく、１００〜１００００個がさらに好ましく、３００〜５０００個が特に好ましい。官能基（Ｉ）の含有量が前記範囲内であれば、層（Ａ）と、導体層または層（Ｂ）との界面における接着強度がより高くなる。
なお、官能基（Ｑ）の含有量は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、赤外吸収スペクトル分析等の方法によって測定できる。例えば、特開２００７−３１４７２０号公報に記載のように赤外吸収スペクトル分析等の方法を用いて、フッ素樹脂（ａ）を構成する全単位中の官能基（Ｑ）を有する単位の割合（モル％）を求め、該割合から、官能基（Ｑ）の含有量を算出できる。

フッ素樹脂（ａ）の融点は、２６０℃以上が好ましく、２６０〜３２０℃がより好ましく、２９５〜３１５℃がさらに好ましく、２９５〜３１０℃が特に好ましい。フッ素樹脂（ａ）の融点が前記下限値以上であれば、層（Ａ）の耐熱性に優れる。フッ素樹脂（ａ）の融点が前記上限値以下であれば、フッ素樹脂（ａ）の成形性に優れる。
フッ素樹脂（ａ）の融点は、フッ素樹脂（ａ）を構成する単位の種類や割合、フッ素樹脂（ａ）の分子量等によって調整できる。

フッ素樹脂（ａ）の３７２℃、荷重４９Ｎの条件下における溶融流れ速度（ＭＦＲ）は、０．１〜１０００ｇ／１０分が好ましく、０．５〜１００ｇ／１０分がより好ましく、１〜３０ｇ／１０分がさらに好ましい。溶融流れ速度が前記上限値以下であれば、はんだ耐熱性が向上する傾向がある。溶融流れ速度が前記下限値以上であれば、フッ素樹脂（ａ）の成形性に優れる。

溶融流れ速度は、フッ素樹脂（ａ）の分子量の目安であり、溶融流れ速度が大きいと分子量が小さく、溶融流れ速度が小さいと分子量が大きいことを示す。フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度は、フッ素樹脂（ａ）の製造条件によって調整できる。たとえば、重合時の重合時間を短縮すると、フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度が大きくなる傾向がある。また、製造時のラジカル重合開始剤の使用量を減らすと、フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度が小さくなる傾向がある。

フッ素樹脂（ａ）の比誘電率は、２．０〜３．２が好ましく、２．０〜３．０がより好ましい。フッ素樹脂（ａ）の比誘電率が低いほど、層（Ａ）の比誘電率を低くしやすい。
フッ素樹脂（ａ）の比誘電率は、例えば、単位（２）の含有量により調整できる。単位（２）の含有量が高いほど、フッ素樹脂（ａ）の比誘電率が低くなる傾向がある。
層（Ａ）に含まれるフッ素樹脂（ａ）は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。

≪他の成分≫
層（Ａ）には、本発明の効果を損なわない範囲内で、織布または不織布の態様とされていないガラス繊維、添加剤等が含有されてもよい。添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。
無機フィラーとしては、例えば、シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、珪藻土、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化錫、酸化アンチモン、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、塩基性炭酸マグネシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、炭酸バリウム、ドーソナイト、ハイドロタルサイト、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、珪酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、活性白土、セピオライト、イモゴライト、セリサイト、ガラス繊維、ガラスビーズ、シリカ系バルーン、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、グラファイト、炭素繊維、ガラスバルーン、炭素バーン、木粉、ホウ酸亜鉛等が挙げられる。

無機フィラーは、多孔質であってもよく、非多孔質であってもよい。無機フィラーとしては、誘電率や誘電正接がさらに低い点から、多孔質であることが好ましい。
無機フィラーは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

層（Ａ）中のフッ素樹脂（ａ）の含有割合は、電気特性に優れる点から、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。フッ素樹脂（ａ）の含有割合の上限は特に限定されず、１００質量％であってもよい。

＜耐熱性樹脂層（Ｂ）＞
層（Ｂ）は、耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む層である。電気絶縁体層が層（Ｂ）を含むことで、層（Ａ）のみの場合に比べて電気絶縁体層の線膨張係数を小さくすることができる。

層（Ｂ）の厚みは、１層あたり、３〜５００μｍが好ましく、５〜３００μｍがより好ましく、６〜２００μｍがさらに好ましい。層（Ｂ）の厚みが前記下限値以上であれば、電気絶縁性に優れ、また反り等の予期せぬ変形が抑制されやすい。層（Ｂ）の厚みが前記上限値以下であれば、配線基板の全体の厚みを薄くできる。

電気絶縁体層における層（Ａ）の総厚みに対する層（Ｂ）の総厚みの比Ｂ／Ａは、１０〜０．１が好ましく、５〜０．２がより好ましい。比Ｂ／Ａが前記下限値以上であれば、配線基板の反り等の予期せぬ変形を抑制しやすい。比Ｂ／Ａが前記上限値以下であれば、電気特性に優れた配線基板が得られやすい。
比Ｂ／Ａは、電気絶縁層の線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃となるように層（Ａ）および層（Ｂ）の各々の線膨張係数を考慮して選定する必要がある。

≪耐熱性樹脂（ｂ）≫
耐熱性樹脂（ｂ）としては、ポリイミド（芳香族ポリイミド等）、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリアリルスルホン（ポリエーテルスルホン等）、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル等が挙げられる。

耐熱性樹脂（ｂ）としては、ポリイミド、液晶ポリエステルが好ましく、耐熱性の面からポリイミドが特に好ましい。
ポリイミドは、熱硬化性ポリイミドであってもよく、熱可塑性ポリイミドであってもよい。ただし、熱硬化性ポリイミドの場合、層（Ｂ）中のポリイミドは該熱硬化性ポリイミドの硬化物からなる。
ポリイミドとしては、芳香族ポリイミドが好ましい。
芳香族ポリイミドとしては、芳香族多価カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮重合で製造される全芳香族ポリイミドが好ましい。

ポリイミドは、通常、多価カルボン酸二無水物（またはその誘導体）とジアミンとの反応（重縮合）によって、ポリアミック酸（ポリイミド前駆体）を経由して得られる。
ポリイミド、特に芳香族ポリイミドは、その剛直な主鎖構造によって、溶媒等に対して不溶であり、また不融の性質を有する。そのため、まず、多価カルボン酸二無水物とジアミンとの反応によって、有機溶媒に可溶なポリイミド前駆体（ポリアミック酸またはポリアミド酸）を合成し、ポリアミック酸の段階で様々な方法で成形加工が行われる。その後ポリアミック酸を加熱または化学的方法によって脱水反応させて環化（イミド化）し、ポリイミドとされる。

芳香族多価カルボン酸二無水物および芳香族ジアミンの具体例としては、特開２０１２−１４５６７６号公報の［００５５］、［００５７］に記載のもの等が挙げられる。これらは、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

耐熱性樹脂（ｂ）としては、電気特性向上の観点からは液晶ポリエステルも好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、液晶ポリエステルは、融点が３００℃以上で比誘電率が３．２以下、誘電正接が０．００５以下であるとよい。液晶ポリエステルとしては、株式会社クラレ製の「ベクスター（登録商標）」、日本ゴア株式会社製の「バイアック」等の液晶ポリエステル製フィルムを用いることができる。
耐熱性樹脂層（Ｂ）に含まれる耐熱性樹脂（ｂ）は、１種であってもよく、２種以上であってもよい。

≪他の成分≫
層（Ｂ）には、本発明の効果を損なわない範囲内で、織布または不織布の態様とされていないガラス繊維、添加剤等が含有されてもよい。添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては、例えば、層（Ａ）において挙げたものと同じものが挙げられる。

層（Ｂ）中の耐熱性樹脂（ｂ）の含有割合は、層（Ｂ）の耐熱性に優れ、反り等の予期せぬ変形を抑制しやすい点から、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましい。耐熱性樹脂（ｂ）の含有量の上限は特に限定されず、１００質量％であってもよい。

（導体層）
導体層としては、電気抵抗が低い金属箔が好ましい。金属箔としては、銅、銀、金、アルミニウム等の金属からなる箔が挙げられる。金属は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。２種以上の金属の併用する場合、金属箔としては、金属メッキを施した金属箔が好ましく、金メッキを施した銅箔が特に好ましい。
導体層の厚みは、１層あたり、０．１〜１００μｍが好ましく、１〜５０μｍがより好ましく、１〜４０μｍが特に好ましい。
各導電体層の金属材料の種類やその厚さは異なっていてもよい。

導体層は、高周波帯域の信号伝送を行う際の表皮効果を低減する点から、電気絶縁体層側の表面が粗面化されていてもよい。導体層における粗面化した表面とは反対側の表面には、防錆性を有するクロメート等の酸化物皮膜が形成されていてもよい。
導体層は、必要に応じてパターン形成されることで配線を形成していてもよい。なお、導体層は配線以外の形態を有していてもよい。

（メッキ層）
メッキ層は、該メッキ層を通じて第１導体層と第２導体層の導通を確保できるものであればよい。メッキ層としては、例えば、銅メッキ層、金メッキ層、ニッケルメッキ層、クロムメッキ層、亜鉛メッキ層、スズメッキ層等が挙げられ、銅メッキ層が好ましい。

本発明の配線基板の用途としては、第１導体層および第２導体層の少なくともいずれかがアンテナパターンを有する導体層である本発明の配線基板からなるアンテナが好ましい。アンテナとしては、例えば国際公開第２０１６／１２１３９７号公報に記載されたものが挙げられる。なお、本発明の配線基板の用途は、アンテナには限定されず、特に高周波回路で使用する通信、センサ等のプリント基板等として使用してもよい。
配線基板としては、高周波特性が必要とされるレーダー、ネットワークのルーター、バックプレーン、無線インフラ等の電子機器用基板や自動車用各種センサ用基板、エンジンマネージメントセンサ用基板としても有用であり、特にミリ波帯域の伝送損失低減を目的とする用途に好適である。
配線基板は、高周波特性が必要とされるレーダー、ネットワークのルーター、バックプレーン、無線インフラ等の電子機器用基板や自動車用各種センサ用基板、エンジンマネージメントセンサ用基板としても有用であり、特にミリ波帯域の伝送損失低減を目的とする用途に好適である。

本発明において、製造する配線基板の総厚みは、１０〜１５００μｍが好ましく、１２〜２００μｍがより好ましい。配線基板の総厚みが前記下限値以上であれば、反り等の予期せぬ変形が抑制されやすい。配線基板の総厚みが前記上限値以下であれば、柔軟性に優れ、フレキシブル基板として適用できる配線基板となる。

配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後に１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験後の配線基板の抵抗値の、熱衝撃試験前の配線基板の抵抗値に対する変化率は、±１０％の範囲内であることが好ましい。さらに好ましくは±７％の範囲内であり、さらに好ましくは±５％の範囲内である。該変化率が範囲内であれば、優れた耐熱性を有している。融点の高いフッ素樹脂（ａ）、融点の高い熱可塑性の耐熱性樹脂（ｂ）または熱硬化性樹脂の硬化物である耐熱性樹脂（ｂ）を用いることにより、該変化率の絶対値が小さくなる傾向がある。

［配線基板の製造方法］
本発明の配線基板の製造方法は、穴加工を行う際の積層体における第１導体層の有無によって下記方法（ｉ）と方法（ｉｉ）に大別される。
方法（ｉ）：第１導体層を有する積層体に穴加工を行う方法。
方法（ｉｉ）：第１導体層を有しない積層体に穴加工を行う方法。
以下、方法（ｉ）と方法（ｉｉ）についてそれぞれ説明する。

（方法（ｉ））
方法（ｉ）は、下記の工程を有する。
（ｉ−１）第１導体層／電気絶縁体層／第２導体層なる層構成の積層体に、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴を形成する工程。
（ｉ−２）積層体に形成された穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す工程。
（ｉ−３）工程（ｉ−２）後の穴の内壁面にメッキ層を形成する工程。

＜工程（ｉ−１）＞
積層体を製造する方法は、特に限定されず、公知の方法を採用できる。
例えば、第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／層（Ａ）／第２導体層なる層構成の積層体は、以下の方法で得られる。金属箔、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、耐熱性樹脂（ｂ）からなる樹脂フィルム、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、金属箔をこの順に積層して熱プレスする。

穴は、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じるように形成する。すなわち、少なくとも第１導体層と第２導体層の間に位置する電気絶縁体層を貫通するように穴を形成する。電気絶縁体層よりも第１導体層側から穴を形成する場合、第１導体層と第２導体層が該穴で通じていれば、該穴は第２導体層内まで達してもよく、達しなくてよい。電気絶縁体層よりも第２導体層側から穴を形成する場合、第１導体層と第２導体層が該穴で通じていれば、該穴は第１導体層内まで達してもよく、達しなくてよい。

積層体に穴を開ける方法としては、特に限定されず、公知の方法を採用でき、例えば、ドリルやレーザーを用いて穴を開ける方法等が挙げられる。
積層体に形成する穴の直径は、特に形成されず、適宜設定できる。

＜工程（ｉ−２）＞
積層体に穴を形成した後、該穴の内壁面にメッキ層を形成する前に、前処理として、該穴の内壁面に過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。工程（ｉ−２）では、前処理として、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わない。
前処理として過マンガン酸溶液処理とプラズマ処理との両方を行う場合、穴開け加工時に発生するスミア（樹脂残渣）除去性、および穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保されやすくなり、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる点から、過マンガン酸溶液処理を先に行うことが好ましい。なお、プラズマ処理後に過マンガン酸溶液処理を実施してもよい。

＜工程（ｉ−３）＞
前処理後の穴の内壁面にメッキ層を形成する方法は、特に限定されず、例えば、無電解メッキ法等が挙げられる。

本発明では、電気絶縁体層が、官能基（Ｑ）を有し、メッキ層との接着性に優れたフッ素樹脂（ａ）を含む層（Ａ）を備え、織布または不織布からなる強化繊維基材を含有しないことで、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、穴の内壁面全体にメッキ層が形成される。そのため、第１導体層と第２導体層との導通が安定して確保される。
また、本発明では、電気絶縁体層が、層（Ａ）に加えて層（Ｂ）を有し、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃に制御されていることで、得られた配線基板に反り等の予期せぬ変形が生じることも抑制できる。

以下、方法（ｉ）の一例について説明する。
＜第１の実施態様＞
配線基板１を方法（ｉ）で製造する場合、図１Ａに示す、第１導体層１２／電気絶縁体層１０／第２導体層１４なる層構成の積層体１Ａを用いる。電気絶縁体層１０は、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６なる層構成を有する。図１Ｂに示すように、積層体１Ａに、ドリルやレーザー等によって第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図１Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。

＜第２の実施態様＞
配線基板２を方法（ｉ）で製造する場合、図２Ａに示す、第１導体層１２／電気絶縁体層１０Ａ／第２導体層１４なる層構成の積層体２Ａを用いる。電気絶縁体層１０Ａは、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する。配線基板１の場合と同様に、図２Ｂに示すように、積層体２Ａに、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図２Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する。

＜第３の実施態様＞
配線基板３を方法（ｉ）で製造する場合、図３Ａに示す、第１導体層１２／電気絶縁体層１０Ｂ／第２導体層１４なる層構成の積層体３Ａを用いる。電気絶縁体層１０Ｂは、層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する。配線基板１の場合と同様に、図３Ｂに示すように、積層体３Ａに、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図３Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。

（方法（ｉｉ））
方法（ｉｉ）は、下記の工程を有する。
（ｉｉ−１）電気絶縁体層／第２導体層なる層構成を有する積層体に、少なくとも電気絶縁体層の第１の面から第２導体層に通じる穴を形成する工程。
（ｉｉ−２）積層体に形成された穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す工程。
（ｉｉ−３）工程（ｉｉ−２）後の穴の内壁面にメッキ層を形成する工程。
（ｉｉ−４）電気絶縁体層の第１の面に第１導体層を形成する工程。

＜工程（ｉｉ−１）＞
工程（ｉｉ−１）は、第１導体層を有しない以外は方法（ｉ）と同じ積層体を用いて、少なくとも電気絶縁体層の第１の面から第２導体層に通じる穴を形成する以外は、工程（ｉ−１）と同様に行える。

＜工程（ｉｉ−２）、工程（ｉｉ−３）＞
工程（ｉｉ−２）および工程（ｉｉ−３）は、工程（ｉｉ−１）で穴が形成された積層体を用いる以外は、工程（ｉ−２）および工程（ｉ−３）と同様に行える。

＜工程（ｉｉ−４）＞
電気絶縁体層の第１の面に第１導体層を形成する方法は、特に限定されず、例えば、無電解メッキ法等が挙げられる。また、必要に応じてエッチングにより第１導体層にパターンを形成してもよい。
工程（ｉｉ−４）は、工程（ｉｉ−３）の前に行ってもよく、工程（ｉｉ−３）の後に行ってもよく、工程（ｉｉ−３）と同時に行ってもよい。

以下、方法（ｉｉ）の一例について説明する。
＜第４の実施態様＞
配線基板１を方法（ｉｉ）で製造する場合、例えば、以下の方法が挙げられる。
図４Ａに示す、電気絶縁体層１０の第２の面１０ｂに第２導体層１４を有する、電気絶縁体層１０／第２導体層１４なる層構成の積層体１Ｂを用いる。電気絶縁体層１０は、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６なる層構成を有する。図４Ｂに示すように、積層体１Ｂに、ドリルやレーザー等によって電気絶縁体層１０から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図４Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。次いで、図４Ｄに示すように、電気絶縁体層１０の第１の面１０ａに無電解メッキ等を行って第１導体層１２を形成する。

＜第５の実施態様＞
配線基板２を方法（ｉｉ）で製造する場合、図５Ａに示す、電気絶縁体層１０Ａの第２の面１０ｂに第２導体層１４を有する、電気絶縁体層１０Ａ／第２導体層１４なる層構成の積層体２Ｂを用いる。電気絶縁体層１０Ａは、層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する。配線基板１の場合と同様に、図５Ｂに示すように、積層体２Ｂに、電気絶縁体層１０Ａから第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図５Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成し、図５Ｄに示すように、電気絶縁体層１０の第１の面１０ａに第１導体層１２を形成する。

＜第６の実施態様＞
配線基板３を方法（ｉｉ）で製造する場合、図６Ａに示す、電気絶縁体層１０Ｂの第２の面１０ｂに第２導体層１４を有する、電気絶縁体層１０Ｂ／第２導体層１４なる層構成の積層体３Ｂを用いる。電気絶縁体層１０Ｂは、層（Ｂ）１８／層（Ａ）１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する。配線基板１の場合と同様に、図６Ｂに示すように、積層体３Ｂに、電気絶縁体層１０Ｂから第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図６Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成し、図６Ｄに示すように、電気絶縁体層１０の第１の面１０ａに第１導体層１２を形成する。

以上説明したように、本発明の配線基板の製造方法においては、電気絶縁体層が、官能基（Ｑ）を有する接着性に優れたフッ素樹脂（ａ）を含む層（Ａ）を含有し、織布または不織布からなる強化繊維基材を含有していない。これにより、電気絶縁体層に形成された穴に金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保される。そのため、穴の内壁面全体にメッキ層が形成され、穴における導通不良を抑制できる。金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくてもよいことは、フッ素原子を含まない樹脂を絶縁材料として用いて配線基板を製造するための既存設備を流用できる点でも有利である。
また、本発明の配線基板の製造方法においては、電気絶縁体層が、層（Ａ）に加えて層（Ｂ）を含有し、電気絶縁体層の線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃に制御されている。そのため、得られる配線基板においては、第１導体層および第２導体層の線膨張係数と電気絶縁体層の線膨張係数とが近く、反り等の予期せぬ変形が抑制される。

以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によっては限定されない。
［共重合組成］
フッ素樹脂の共重合組成のうち、ＮＡＨ単位の割合（モル％）は、以下の赤外吸収スペクトル分析によって求めた。他の単位の割合は、溶融ＮＭＲ分析及びフッ素含有量分析により求めた。（ＮＡＨ単位の割合の測定）
フッ素樹脂をプレス成形して２００μｍのフィルムを得て、前記フィルムについて赤外吸収スペクトル分析を行った。得られる赤外吸収スペクトルにおいて、ＮＡＨ単位の吸収ピークである１７７８ｃｍ^−１の吸収ピークの吸光度を測定した。該吸光度をＮＡＨのモル吸光係数２０８１０ｍｏｌ^−１・ｌ・ｃｍ^−１で除して、フッ素樹脂におけるＮＡＨ単位の割合を求めた。

［融点］
セイコー電子社製の示差走査熱量計（ＤＳＣ装置）を用い、フッ素樹脂を１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、該融解ピークの極大値に対応する温度（℃）を融点（Ｔｍ）とした。

［ＭＦＲ］
テクノセブン社製のメルトインデクサーを用い、３７２℃、４９Ｎ荷重下で、直径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間（単位時間）に流出するフッ素樹脂の質量（ｇ）を測定し、ＭＦＲ（ｇ／１０分）とした。

［フッ素樹脂の比誘電率の測定］
絶縁破壊試験装置（ＹＳＹ−２４３−１００ＲＨＯ（ヤマヨ試験機社製））を用い、ＡＳＴＭ Ｄ １５０に準拠した変成器ブリッジ法にて、温度２３℃±２℃、相対湿度５０％±５％ＲＨの試験環境において、周波数１ＭＨｚでフッ素樹脂の比誘電率を測定した。

［電気絶縁体層の比誘電率の測定］
積層体の銅箔をエッチングにより除去し、露出させた電気絶縁体層について、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により、２３℃±２℃、５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚの比誘電率を求めた。
誘電率測定における機器類としては、ＱＷＥＤ社製の公称基本周波数２．５ＧＨｚタイプスプリットポスト誘電体共振器、キーサイト社製のベクトルネットワークアナライザーＥ８３６１Ｃ及びキーサイト社製の８５０７１Ｅオプション３００誘電率算出用ソフトウェアを用いた。

［線膨張係数の測定］
積層体の銅箔をエッチングにより除去し、露出させた電気絶縁体層を４ｍｍ×５５ｍｍの短冊状に裁断したサンプルとする。該サンプルをオーブンにて２５０℃で２時間乾燥させ、サンプルの状態調整を行う。次いで、ＳＩＩ社製熱機械分析装置（ＴＭＡ／ＳＳ６１００）を用いて、空気雰囲気下、チャック間距離２０ｍｍ、２．５ｇの負荷荷重をかけながら、３０℃から２５０℃まで５℃／分の速度でサンプルを昇温し、サンプルの線膨張に伴う変位量を測定する。測定終了後、５０〜１００℃のサンプルの変位量から、５０〜１００℃での線膨張係数（ｐｐｍ／℃）を求める。

［メッキ層の評価］
各例で得た配線基板について、穴の内壁面に形成されたメッキ層を外観観察により確認し、以下の基準で評価した。
○（優良）：穴の内壁面の全体にメッキ層が形成されている。
×（不良）：穴の内壁面に部分的にメッキ層が形成され、穴の内壁面が一部露出している。

［耐熱性の評価］
配線基板について、下記の熱衝撃試験の前後で、穴の内壁面に形成したメッキ層を介した電気絶縁体層の両面の銅箔間の抵抗値を測定した。抵抗値の測定には、ミリオームハイテスタ（型式：３５４０、日置電気社製）を用いた。
熱衝撃試験としては、配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後、１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返した。
熱衝撃試験の前後の抵抗値の変化が±１０％の範囲内となる場合を合格とした。

［使用原料］
ＮＡＨ：５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物（無水ハイミックス酸、日立化成社製）。
ＡＫ２２５ｃｂ：１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＡＫ２２５ｃｂ、旭硝子社製）。
ＰＰＶＥ：ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３Ｆ（旭硝子社製）。

［製造例１］
ＡＫ２２５ｃｂの３６９ｋｇと、ＰＰＶＥの３０ｋｇとを、予め脱気された内容積４３０Ｌ（リットル）の撹拌機付き重合槽に仕込んだ。次いで、重合槽内を加熟して５０℃に昇温し、さらにＴＦＥの５０ｋｇを仕込んだ後、該重合槽内の圧力を０．８９ＭＰａ／Ｇまで昇圧した。なお、「／Ｇ」は、その圧力がゲージ圧であることを示す。
（ペルフルオロブチリル）ペルオキシドが０．３６質量％、ＰＰＶＥが２質量％の濃度となるようにそれらをＡＫ２２５ｃｂに溶解して重合開始剤溶液を調製した。該重合開始剤溶液の３Ｌを、１分間に６．２５ｍＬの速度で前記重合槽中に連続的に添加しながら重合を行った。重合反応中は、重合槽内の圧力が０．８９ＭＰａ／Ｇに保持されるようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。また、ＮＡＨを濃度が０．３質量％となるようにＡＫ２２５ｃｂに溶解した溶液を、重合反応中に仕込むＴＦＥのモル数に対して０．１モル％の割合となるように連続的に仕込んだ。
重合開始８時間後、３２ｋｇのＴＦＥを仕込んだ時点で、重合槽内の温度を室温まで降温するとともに、圧力を常圧までパージした。得られたスラリを、ＡＫ２２５ｃｂと固液分離した後、１５０℃で１５時間乾燥することにより、３３ｋｇの粒状のフッ素樹脂（ａ１−１）を得た。
フッ素樹脂（ａ１−１）の共重合組成は、ＮＡＨ単位／ＴＦＥ単位／ＰＰＶＥ単位＝０．１／９７．９／２．０（モル％）であった。フッ素樹脂（ａ１−１）の融点は３００℃であり、比誘電率は２．１であり、ＭＦＲは１７．６ｇ／１０分であった。また、フッ素樹脂（ａ１−１）の官能基（Ｑ）（酸無水物基）の含有量は、フッ素樹脂（ａ１−１）の主鎖炭素数１×１０^６個に対して１０００個であった。

［製造例２］
７５０ｍｍ巾コートハンガーダイを有する３０ｍｍφ単軸押出機を用い、ダイ温度３４０℃でフッ素樹脂（ａ１−１）を押出成形し、厚み１２．５μｍのフッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム（１）」という。）を得た。厚み１２μｍの電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ−Ｔ４Ｘ−ＳＶＲ−１２、表面粗さ（Ｒｚ）１．２μｍ）、フィルム（１）、および耐熱性樹脂（ｂ）フィルムである厚み２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン（登録商標）」）を、銅箔／フィルム（１）／ポリイミドフィルム／フィルム（１）／銅箔の順序で積層し、温度３６０℃、圧力３．７ＭＰａで１０分間真空プレスし、積層体（α−１）を作製した。積層体（α−１）には、フィルム（１）／ポリイミドフィルム／フィルム（１）の部分がプレスされることで、フッ素樹脂層（Ａ−１）／耐熱性樹脂層（Ｂ−１）／フッ素樹脂層（Ａ−１）からなる３層構造の電気絶縁体層が形成された。
積層体（α−１）における両面の銅箔をエッチングにより除去して、電気絶縁体層の比誘電率および線膨張係数を測定したところ、比誘電率は２．８６であり、線膨張係数は１９ｐｐｍ／℃であった。

［製造例３］
７５０ｍｍ巾コートハンガーダイを有する３０ｍｍφ単軸押出機を用い、ダイ温度３４０℃でフッ素樹脂（ａ１−１）を押出成形し、厚み５０μｍのフッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム（２）」という。）を得た。厚み１２μｍの電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ−Ｔ４Ｘ−ＳＶＲ−１２、表面粗さ（Ｒｚ）１．２μｍ）およびフィルム（２）を、銅箔／フィルム（２）／銅箔の順序で積層し、温度３６０℃、圧力３．７ＭＰａで１０分間真空プレスし、積層体（α−２）を作製した。積層体（α−２）には、フィルム（２）の部分がプレスされることで、フッ素樹脂層（Ａ−２）からなる単層構造の電気絶縁体層が形成された。
積層体（α−２）における両面の銅箔をエッチングにより除去して、電気絶縁体層の比誘電率および線膨張係数を測定したところ、比誘電率は２．０７であり、線膨張係数は１９８ｐｐｍ／℃であった。

［製造例４］
絶縁層として厚み５０μｍのポリイミド樹脂層を有し、その両面に厚み１２μｍの銅箔がそれぞれ設けられている両面銅張積層体（新日鐵化学社製、エスパネックスＭシリーズ（ＭＢ１２−５０−１２ＲＥＱ））の片面の銅箔をエッチングにより除去し、片面銅張積層体とした。片面銅張積層体においてエッチングにより銅箔を除去した面とフィルム（２）とを合わせ、片面銅張積層体／フィルム（２）／フィルム（２）／片面銅張積層体の順序で積層し、温度３６０℃、圧力３．７ＭＰａで１０分間真空プレスし、積層体（α−３）を作製した。積層体（α−３）には、ポリイミド樹脂層／フィルム（２）／フィルム（２）／ポリイミド樹脂層の部分がプレスされることで、耐熱性樹脂層（Ｂ−２）／フッ素樹脂層（Ａ−３）／耐熱性樹脂層（Ｂ−２）からなる３層構造の電気絶縁体層が形成された。
積層体（α−３）における両面の銅箔をエッチングにより除去して、電気絶縁体層の比誘電率および線膨張係数を測定したところ、比誘電率は２．８８であり、線膨張係数は２８ｐｐｍ／℃であった。

［実施例１］
積層体（α−１）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（α−１）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、デスミア処理（過マンガン酸溶液処理）を施した。スルーホールを形成した積層体（α−１）について、膨潤液（ＲＯＨＭ ａｎｄ ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１１およびＣｕｐＺの混合比が２：１質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：５分で処理し、酸化液（ＲＯＨＭ ａｎｄ ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１３Ａ−１およびＭＬＢ２１３Ｂ−１の混合比が１：１．５質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：６分で処理し、中和液（ＲＯＨＭ ａｎｄ ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１６−２）を用いて液温度：４５℃、処理時間：５分で処理した。
デスミア処理後の積層体（α−１）のスルーホールの内壁面にメッキ層を形成するために、積層体（α−１）のスルーホールの内壁面にメッキ処理を施した。メッキ処理については、ＲＯＨＭ ａｎｄ ＨＡＡＳ社からシステム液が販売されており、システム液を用いて公表されている手順にしたがって無電解メッキを行った。デスミア処理後の積層体（α−１）について、洗浄液（ＡＣＬ−００９）を用いて液温度：５５℃、処理時間：５分で処理した。水洗した後、積層体（α−１）について、加硫酸ナトリウム−硫酸系ソフトエッチング剤を用いて液温度：室温、処理時間：２分でソフトエッチング処理した。水洗した後、積層体（α−１）について、処理液（ＭＡＴ−２−ＡおよびＭＡＴ−２−Ｂがそれぞれ５：１体積比となる混合液）を用いて液温度：６０℃、処理時間：５分でアクチベート処理した。積層体（α−１）について、処理液（ＭＡＢ−４−ＡおよびＭＡＢ−４−Ｂがそれぞれ１：１０体積比となる混合液）を用いて液温度：３０℃、処理時間：３分で還元処理し、無電解メッキにて銅を析出させるためのＰｄ触媒をスルーホールの内壁面に付着させた。水洗した後、積層体（α−１）について、処理液（ＰＥＡ−６）を用いて液温度：３４℃、処理時間：３０分でメッキ処理し、スルーホールの内壁面に銅を析出させてメッキ層を形成し、配線基板を得た。

［実施例２］
積層体（α−１）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（α−１）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、実施例１と同様の操作にて過マンガン酸ナトリウム塩を含むデスミア液を用いて過マンガン酸溶液処理を施した後、さらにアルゴンガス雰囲気下でプラズマ処理を実施した。次いで、該穴の内壁面に無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成して、配線基板を得た。

［実施例３］
積層体（α−１）に対して、ドリルによる穴加工の代わりに、ＣＯ_２レーザー（Ｈｉｔａｃｈｉ社製、ＬＣ−２Ｋ２１２）を用い、設定加工径：０．１５ｍｍ、出力：２４．０Ｗ、周波数：２，０００Ｈｚの条件にてスルーホール加工を行った。これによって０．１５ｍｍφのスルーホールを形成した。０．１５ｍｍφの穴を形成した以外は、実施例１と同様にして配線基板を得た。

［実施例４］
積層体（α−１）に対して、ドリルによる穴加工の代わりに、ＣＯ_２レーザー（Ｈｉｔａｃｈｉ社製、ＬＣ−２Ｋ２１２）を用い、設定加工径：０．１ｍｍ、出力：２４．０Ｗ、周波数：２，０００Ｈｚの条件にてスルーホール加工を行った。これによって０．１５ｍｍφのスルーホールを形成した。０．１５ｍｍφの穴を形成した以外は、実施例２と同様にして配線基板を得た。

［実施例５］
積層体（α−３）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（α−３）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、過マンガン酸ナトリウム塩を含むデスミア液を用いて過マンガン酸溶液処理を施した後、さらにアルゴンガス雰囲気下でプラズマ処理を実施した。次いで、該穴の内壁面に無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成して、配線基板を得た。
［実施例６］
積層体（α−１）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（α−１）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、実施例１における操作の内、各液での処理工程中に２８キロヘルツの超音波処理を施す以外は同様の操作にて過マンガン酸溶液処理を施した後、該穴の内壁面に無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成し、配線基板を得た。

［比較例１］
積層体（α−１）の代わりに積層体（α−２）を用いた以外は、実施例１と同様にして配線基板を得た。

各例の電気絶縁体層の層構成、比誘電率および線膨張係数、穴の直径、前処理の種類、ならびに評価結果を表１に示す。

表１に示すように、本発明の製造方法で製造した実施例１〜５の配線基板は、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、穴の内壁面の全面にメッキ層が形成されていた。また、実施例１〜５の配線基板は、電気絶縁体層の線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃であるため、反りが発生するおそれがない。また、実施例３、４の配線基板は、熱衝撃試験前後の抵抗値の変化が±１０％の範囲内であり、耐熱性にも優れていた。
一方、比較例１の配線基板は、穴の内壁面の全面にメッキ層が形成されていたが、電気絶縁体層の線膨張係数が１９８ｐｐｍ／℃と大きく、反りが発生しやすく実用上問題である。
なお、２０１５年１０月２２日に出願された日本特許出願２０１５−２０８１５４号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

１〜３ 配線基板、１Ａ〜３Ａ，１Ｂ〜３Ｂ 積層体、１０，１０Ａ，１０Ｂ 電気絶縁体層、１０ａ 第１の面、１０ｂ 第２の面、１２ 第１導体層、１４ 第２導体層、１６ フッ素樹脂層（Ａ）、１８ 耐熱性樹脂層（Ｂ）、２０ 穴、２０ａ 内壁面、２２ メッキ層。

Claims (15)

1. 電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板の製造方法であって、
   電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
   前記第１導体層、前記電気絶縁体層および前記第２導体層を有する積層体に前記穴を形成し、
   形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成する、熱衝撃試験前後における下記電気抵抗変化率が±１０％の範囲内である配線基板の製造方法。
   電気抵抗変化率：配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後に１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験後のメッキ層を介した電気絶縁体層の両面の導電体層間の抵抗値の、熱衝撃試験前の抵抗値に対する変化率
2. 電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板の製造方法であって、
   電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
   前記電気絶縁体層と前記第２導体層を有する積層体に前記穴を形成し、
   形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成し、その後に前記電気絶縁体層の第１の面に前記第１導体層を形成する、熱衝撃試験前後における下記電気抵抗変化率が±１０％の範囲内である配線基板の製造方法。
   電気抵抗変化率：配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後に１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験後のメッキ層を介した電気絶縁体層の両面の導電体層間の抵抗値の、熱衝撃試験前の抵抗値に対する変化率
3. 前記電気絶縁体層が、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）なる層構成、または、フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成を有する、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記フッ素樹脂（ａ）の融点が２６０℃以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記電気絶縁体層の比誘電率が２．０〜３．０である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記官能基が、少なくともカルボニル基含有基を含み、
   前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記フッ素樹脂（ａ）中の前記官能基の含有量が、当該フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０^６個に対して１０〜６００００個である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記フッ素樹脂（ａ）が、テトラフルオロエチレンとペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）と不飽和ジカルボン酸無水物との共重合体からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
9. 耐熱性樹脂（ｂ）がポリイミドからなる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
10. 電気絶縁体層と、前記電気絶縁体層の第１の面に設けられている第１導体層と、前記電気絶縁体層の前記第１の面と反対側の第２の面に設けられている第２導体層と、を備え、少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板であって、
    電気絶縁体層は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）を含むフッ素樹脂層（Ａ）の少なくとも１層と耐熱性樹脂（ｂ）（ただし、前記フッ素樹脂（ａ）を除く。）を含む耐熱性樹脂層（Ｂ）の少なくとも１層とを含む多層構造の層であって、織布または不織布からなる強化繊維基材を含まず、比誘電率が２．０〜３．５であり、線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である層であり、
    熱衝撃試験前後における下記電気抵抗変化率が±１０％の範囲内であることを特徴とする配線基板。
    電気抵抗変化率：配線基板を−６５℃の環境下に３０分間置いた後に１２５℃の環境下に３０分間置くサイクルを１００サイクル繰り返す熱衝撃試験後のメッキ層を介した電気絶縁体層の両面の導電体層間の抵抗値の、熱衝撃試験前の抵抗値に対する変化率
11. 前記電気絶縁体層が、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成、耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）なる層構成、または、フッ素樹脂層（Ａ）／耐熱性樹脂層（Ｂ）／フッ素樹脂層（Ａ）なる層構成を有する、請求項１０に記載の配線基板。
12. 前記電気絶縁体層における前記フッ素樹脂層（Ａ）の総厚みに対する前記耐熱性樹脂層（Ｂ）の総厚みの比Ｂ／Ａが、５〜０．２である、請求項１０または１１に記載の配線基板。
13. 前記フッ素樹脂（ａ）の融点が２６０〜３２０℃である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の配線基板。
14. フレキシブルプリント配線基板である、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の配線基板。
15. 前記第１導体層と前記第２導体層の少なくともいずれかがアンテナパターンを有する導体層である、請求項１０〜１４のいずれか一項に記載の配線基板からなるアンテナ。

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