JP6815283B2

JP6815283B2 - 静電容量型圧力センサ

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Publication number: JP6815283B2
Application number: JP2017114036A
Authority: JP
Inventors: 正志関根; 卓也石原; 将添田; 偉伸栃木
Original assignee: Azbil Corp
Current assignee: Azbil Corp
Priority date: 2017-06-09
Filing date: 2017-06-09
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2037-06-09
Also published as: WO2018225853A1; CN110709683A; KR20200004379A; JP2018205259A; KR102222617B1; CN110709683B

Description

本発明は、被測定媒体の圧力に応じた静電容量を検出するダイアフラム構造のセンサチップを備えた静電容量型圧力センサに関するものである。

従来より、半導体製造設備等において使用される真空計を始めとする圧力センサにおいては、いわゆるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて小型のダイアフラムを有するセンサ素子を採用することが多い。このセンサ素子は、ダイアフラムで圧力媒体を受圧し、これにより生じた変位を何らかの信号へ変換することをその主な検出原理としている。

例えば、この種のセンサ素子を用いた圧力センサとして、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラム（隔膜）の変位を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサが広く知られている。この静電容量型圧力センサは、ガス種依存性が少ないことから、半導体設備を始め工業用途でよく使用されている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の圧力を計測するために利用されており、この圧力を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。また、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムは、感圧ダイアフラムと呼ばれたり、センサダイアフラムと呼ばれたりしている。

この隔膜真空計は、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変位を静電容量の変化として検出するセンサチップと、センサチップを収容したハウジングと、ハウジングに接続されセンサチップのダイアフラムに被測定媒体の圧力を導く圧力導入管と、ハウジングを覆うセンサケースとを備えている。

この隔膜真空計は、基本的に、ダイアフラム（センサダイアフラム）にプロセス対象の薄膜と同じ物質やその副生成物等が堆積する。以下、この堆積する物質を汚染物質と呼ぶ。この汚染物質がダイアフラムに堆積すると、それらによる応力によりダイアフラムの撓みが生じて、センサの出力信号にシフト（零点ドリフト）を生じる。また、堆積した汚染物質により見かけ上ダイアフラムが厚くなるので、ダイアフラムが撓みにくくなり、圧力印加に伴う出力信号の変化幅（スパン）も本来の出力信号の変化幅よりも小さくなってしまう。

そこで、隔膜真空計には、圧力導入管とハウジングとの間に、被測定媒体の通過方向にその板面を直交させて、被測定媒体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。また、センサケースの外周面を取り囲むようにしてヒータを設け、このヒータによってセンサケース内を加熱することにより、ダイアフラムの周辺の温度を汚染物質が析出することのない高温度に保つようにしている（例えば、特許文献１，２参照）。

特開平５−２８１０７３号公報特開２００７−００２９８６号公報

しかしながら、このような隔膜真空計では、センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータに剥離（センサケースの外周面からの剥がれ）のような異常が発生した場合、センサチップが持つ温度特性（温度変化による静電容量の変化）により、正確な圧力計測が行えなくなってしまう虞があった。また、ダイアフラムの周辺の温度を高温度に保てなくなり、ダイアフラムへの汚染物質の堆積によるゼロ点やスパン変化等を引き起こす虞があった。

プロセス中に正確な圧力計測ができなくなってしまうことは、装置側での仕掛品の全損に繋がる可能性もあり、そのような事態を避けるために定期的な隔膜真空計の交換を実施すると、装置停止による生産性の低下に繋がってしまう。

本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、ヒータの異常を早期に発見することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。

このような目的を達成するために本発明は、被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラム（１ａ１）と、このダイアフラムの変位を静電容量の変化に変換するように構成された電極（１ｄ，１ｅ）とを有するセンサチップ（１）と、センサチップを収容したハウジング（２）と、ハウジングに接続されセンサチップのダイアフラムに被測定媒体の圧力を導く圧力導入管（３）と、ハウジングを覆うセンサケース（４）と、センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータ（５）と、センサケース内の温度を測定する第１の温度センサ（９）と、ヒータの温度を測定する第２の温度センサ（１０）と、第１の温度センサによって測定されるセンサケース内の温度が予め定められた設定温度となるようにヒータへの供給電流を制御するように構成されたヒータ制御部（１２）と、第１の温度センサによって測定されるセンサケース内の温度と第２の温度センサによって測定されるヒータの温度との温度差を求めるように構成された温度差算出部（１４）と、温度差算出部によって求められた温度差に基づいてヒータの異常の有無を判定するように構成された異常判定部（１５）とを備えることを特徴とする。

本発明において、センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータに剥離のような異常が発生すると、熱の伝わり方が、センサケースの内部ではなくセンサケースの外部に向かうことになる。一方、ヒータ制御部は、センサケース内の温度が設定温度となるようにヒータへの供給電流を制御する。このため、センサケース内の温度は設定温度に保たれるが、ヒータによる加熱量が増大し、ヒータの温度が高くなる。すなわち、ヒータの剥離が生じると、第１の温度センサによって測定されるセンサケース内の温度と第２の温度センサによって測定されるヒータの温度との温度差が大きくなる。

本発明では、この第１の温度センサによって測定されるセンサケース内の温度と第２の温度センサによって測定されるヒータの温度との温度差に基づいて、ヒータの異常の有無を判定する。例えば、第１の温度センサが測定するセンサケース内の温度と第２の温度センサが測定するヒータの温度との温度差が大きくなり始めたような場合、ヒータに異常の兆候が現れたと判定する。

なお、上記説明では、一例として、発明の構成要素に対応する図面上の構成要素を、括弧を付した参照符号によって示している。

以上説明したことにより、本発明によれば、第１の温度センサによって測定されるセンサケース内の温度と第２の温度センサによって測定されるヒータの温度との温度差を求め、この温度差に基づいてヒータの異常の有無を判定するようにしたので、例えば、第１の温度センサが測定するセンサケース内の温度と第２の温度センサが測定するヒータの温度との温度差が大きくなり始めたような場合、ヒータに異常の兆候が現れたと判定するなどして、ヒータの異常を早期に発見することが可能となる。

図１は、本発明の第１の実施の形態（実施の形態１）に係る隔膜真空計の要部を示す図である。図２は、この隔膜真空計に用いられるセンサチップの要部の構成を示す図である。図３は、この隔膜真空計を連続使用していて、ある時間でヒータが剥離し始めるような状態が発生し、時間とともにその剥離が進んで行く場合のセンサ温度（センサケース内温度，ヒータ温度）の変化を簡易的に示す図である。図４は、本発明の第２の実施の形態（実施の形態２）に係る隔膜真空計の要部を示す図である。図５は、恒温槽内温度の変化によるセンサケース内温度およびヒータ温度の変化を示す図である。図６は、恒温槽内温度とヒータ温度との関係を示す図である。図７は、本発明の第３の実施の形態（実施の形態３）に係る隔膜真空計の要部を示す図である。図８は、恒温槽内温度の変化によるセンサケース内温度，ヒータ温度および回路温度の変化を示す図である。図９は、恒温槽内温度と回路温度との関係を示す図である。図１０は、回路温度とヒータ温度との関係を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。

〔発明の原理〕
先ず、実施の形態の説明に入る前に、本発明の原理（技術思想）について説明する。
隔膜真空計のヒータ（自己加熱用ヒータ）は、隔膜真空計のダイアフラム周辺をなるべく均一に加熱するために、ダイアフラム周辺を回るように配置されている。
一方、温度制御するための制御用温度センサは、ダイアフラム周辺の特定の１点の温度を測定するように配置される。温度制御はフィードバック制御されているので、制御用温度センサによって測定される温度は変わらない。
したがって、制御用温度センサによって測定される温度を見ても、剥離のようなヒータの異常を検出することはできない。

ここで、隔膜真空計は過熱防止などヒータの動作を監視することを目的として、温度制御用とは別の温度センサ（ヒータ監視用温度センサ）を備えている。ヒータがダイアフラム周辺を回る配置であり、剥離のような異常が発生すると、熱の伝わり方が、ダイアフラム側ではなく隔膜真空計の外部側に向かうことになるので、ヒータへの電流の供給量が増大し、ヒータ監視用温度センサが測定するヒータの温度が高くなる。

発明者は、この点に着眼し、制御用温度センサで測定される温度とヒータ監視用温度センサで測定される温度との温度差を利用すれば、ダイアフラム周辺でのヒータの剥離のような異常の兆候を検出することができることに想到した。

〔実施の形態１〕
図１は、本発明の第１の実施の形態（実施の形態１）に係る隔膜真空計１００の要部を示す図である。図２は、この隔膜真空計１００に用いられるセンサチップ１の要部の構成を示す図である。

この隔膜真空計１００において、センサチップ１は、被測定媒体の圧力に応じて変形可能に構成されたダイアフラム（センサダイアフラム）１ａ１と、このダイアフラム１ａ１よりも肉厚に形成されてダイアフラム１ａ１の周縁部を変位不能に支持するダイアフラム支持部１ａ２とを備えるダイアフラム構成部材１ａと、ダイアフラム支持部１ａ２に接合され、ダイアフラム１ａ１と共に基準真空室（キャビティ）１ｂを形成する台座１ｃとを備えている。

このセンサチップ１において、台座１ｃの基準真空室１ｂ側の面には固定電極１ｄが形成され、ダイアフラム１ａ１の基準真空室１ｂ側の面には固定電極１ｄと対向するように可動電極１ｅが形成されている。

なお、この例において、固定電極１ｄは、中央部に位置する第１の固定電極（感圧固定電極）１ｄ１と、この第１の固定電極１ｄ１の周囲に位置する第２の固定電極（参照固定電極）１ｄ２とから構成されている。また、ダイアフラム構成部材１ａ（ダイアフラム１ａ１＋ダイアフラム支持部１ａ２）と台座１ｃは、例えばサファイアなどの絶縁体から構成されている。

このセンサチップ１では、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１とで静電容量（第１の静電容量）が形成される。ダイアフラム１ａ１が被測定媒体の圧力Ｐを受けて撓むと、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の間隔が変化し、可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量が変化する。この可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量の変化からダイアフラム１ａ１が受けた被測定媒体の圧力Ｐを検出することができる。

また、このセンサチップ１では、可動電極１ｅと参照固定電極１ｄ２との間にも静電容量（第２の静電容量）が形成される。ただし、可動電極１ｅの参照固定電極１ｄ２と対向する部分は、ダイアフラム支持部１ａ２に近いところに位置している。このため、ダイアフラム１ａ１の撓みによる変位量は、可動電極１ｅの中央部分より小さい。従って、可動電極１ｅと参照固定電極１ｄ２との間の静電容量の変化を基準として可動電極１ｅと感圧固定電極１ｄ１との間の静電容量の変化を捉えることで、ダイアフラム１ａ１の変位量をばらつきを抑制して検出することができるようになる。

図１に示した隔膜真空計１００は、このように構成されたセンサチップ１と、センサチップ１を収容したハウジング２と、ハウジング２に接続されセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に被測定媒体の圧力を導く圧力導入管３と、ハウジング２を覆うセンサケース４と、センサケース４の外周面を取り囲むようにして設けられたヒータ（自己加熱用ヒータ）５とを備えている。なお、ハウジング２およびセンサケース４は、例えば円筒状に形成されている。また、ヒータ５が設けられたセンサケース４は断熱材６によって覆われている。

この隔膜真空計１００において、ハウジング２の内部には隔壁７が設けられている。隔壁７は、台座板７ａと支持板７ｂとから構成されており、ハウジング２の内部空間を第１の空間２ａと第２の空間２ｂとに分離する。支持板７ｂは、その外周の縁面がハウジング２に固定されており、台座板７ａをハウジング２の内部空間内に浮上させた状態で支持する。この台座板７ａの第２の空間２ｂ側にセンサチップ１が固定（接合）されている。また、台座板７ａには、第１の空間２ａ内の圧力をセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に導く圧力導入孔７ｃが形成されている。第２の空間２ｂは、センサチップ１の基準真空室１ｂと連通しており、真空状態とされている。

圧力導入管３はハウジング２の第１の空間２ａ側に接続されている。この圧力導入管３を介してセンサチップ１のダイアフラム１ａ１に被測定媒体の圧力Ｐが導かれる。圧力導入管３とハウジング２との間には、被測定媒体の通過方向にその板面を直交させて、被測定媒体に含まれる汚染物質のダイアフラム１ａ１への堆積を防止するバッフル８が設けられている。圧力導入管３より導入される被測定媒体は、バッフル８の板面に当たり、バッフル８の周囲の隙間を通して、ハウジング２の第１の空間２ａ内に流入する。

また、この隔膜真空計１００において、ハウジング２の外壁面には制御用温度センサ（第１の温度センサ）９が設けられており、ヒータ５の外壁面にはヒータ監視用温度センサ（第２の温度センサ）１０が設けられている。制御用温度センサ９は、センサケース４内の温度（センサケース内温度）ｔ１を測定し、ヒータ監視用温度センサ１０はヒータ５の温度（ヒータ温度）ｔ２を測定する。

また、この隔膜真空計１００には、上述したセンサチップ１を収容した構成を本体部１０１とし、この本体部１０１に対して回路部１０２が設けられている。回路部１０２は、圧力値出力部１１と、ヒータ制御部１２と、ヒータ監視部１３と、温度差算出部１４と、異常判定部１５と、異常判定用閾値記憶部１６とを備えており、プロセッサや記憶装置からなるハードウェアと、これらのハードウェアと協働して各種機能を実現させるプログラムとによって実現される。また、この隔膜真空計１００は恒温槽２００内に設置されており、回路部１０２における各部は回路基板１７に搭載されている。

回路部１０２において、圧力値出力部１１は、センサチップ１におけるダイアフラム１ａ１の変位による静電容量の変化を示す信号を入力とし、この信号を圧力値に変換して出力する。

ヒータ制御部１２は、制御用温度センサ９によって測定されるセンサケース内温度ｔ１を入力とし、このセンサケース内温度ｔ１が予め定められた設定温度ｔ１ｓｐ（例えば、ｔ１ｓｐ＝１５０℃）となるように、すなわちハウジング２に収容されているセンサチップ１のダイアフラム１ａ１の周辺の温度が汚染物質が析出することのない高温度に保たれるように、ヒータ５への供給電流Ｉを制御する。

ヒータ監視部１３は、ヒータ監視用温度センサ１０によって測定されるヒータ温度ｔ２を入力とし、このヒータ温度ｔ２が予め定められている温度ｔ２ｔｈを超えた場合、過昇温が発生した旨の警報を発する。

温度差算出部１４は、制御用温度センサ９によって測定されるセンサケース内温度ｔ１とヒータ監視用温度センサ１０によって測定されるヒータ温度ｔ２との温度差Δｔ（Δｔ＝ｔ２−ｔ１）を求める。

異常判定部１５は、温度差算出部１４によって求められる温度差Δｔを入力とし、この温度差Δｔが異常判定用閾値記憶部１６に記憶されている異常判定用の閾値Δｔｔｈを超えた場合に、ヒータ５に異常の兆候が現れたと判定し、その旨のアラームを出力する。

図３に、隔膜真空計１００を連続使用していて、ある時間でヒータ５が剥離し始めるような状態が発生し、時間とともにその剥離が進んで行く場合のセンサ温度（センサケース内温度ｔ１，ヒータ温度ｔ２）の変化を簡易的に示す。

センサケース４の外周面を取り囲むようにして設けられたヒータ５に剥離のような異常が発生すると、熱の伝わり方が、センサケース４の内部ではなくセンサケース４の外部に向かうことになる。一方、ヒータ制御部１２は、センサケース４内の温度が設定温度ｔ１ｓｐとなるようにヒータ５への供給電流Ｉを制御する。

このため、センサケース４内の温度は設定温度ｔ１ｓｐに保たれるが、ヒータ５による加熱量が増大し、ヒータ５の温度が高くなる。すなわち、ヒータ５の剥離が生じると、制御用温度センサ９によって測定されるセンサケース内温度ｔ１とヒータ監視用温度センサ１０によって測定されるヒータ温度ｔ２との温度差Δｔが大きくなる。

異常判定部１５は、この温度差Δｔと異常判定用閾値記憶部１６に記憶されている異常判定用の閾値Δｔｔｈとを比較し、この比較結果に基づいてヒータ５に異常の兆候が現れたか否かを判定する。具体的には、温度差Δｔが異常判定用の閾値Δｔｔｈを超えた場合に、温度差Δｔが大きくなり始めたと判断し、ヒータ５に異常の兆候が現れたと判定する。

ここで、異常判定用閾値記憶部１６に記憶させる異常判定用の閾値Δｔｔｈは、例えば、出荷前調整時の温度差Δｔ（Δｔ＝ｔ２−ｔ１）を求め、この求めた温度差Δｔに所定値αを加算した値（Δｔｔｈ＝Δｔ＋α）として定める。なお、出荷前調整時の温度差Δｔからではなく、一定値として異常判定用の閾値Δｔｔｈを定めるようにしてもよい。

〔実施の形態２〕
実施の形態１では、制御用温度センサ９によって測定されるセンサケース内温度ｔ１とヒータ監視用温度センサ１０によって測定されるヒータ温度ｔ２との温度差Δｔを異常判定用の閾値Δｔｔｈと比較するものとした。

しかし、実際には、ヒータ監視用温度センサ１０によって測定されるヒータ温度ｔ２は周囲温度などによって変わる。このため、実施の形態１では、周囲温度などの変化による温度差Δｔの増大を異常の兆候が現れたと誤判定してしまう虞がある。

そこで、実施の形態２では、図４に示すように、恒温槽２００内の温度（恒温槽内温度）ｔ３を隔膜真空計１００が置かれている周囲の温度として測定する温度センサ（恒温槽温度センサ（第３の温度センサ））１８を設け、また温度差算出部１４と異常判定部１５との間に温度差補正部１９を設け、温度差補正部１９において、恒温槽温度センサ１８によって測定される恒温槽内温度ｔ３に基づいて、温度差算出部１４によって求められた温度差Δｔを補正するようにする。

図５に、恒温槽内温度ｔ３の変化によるセンサケース内温度ｔ１およびヒータ温度ｔ２の変化を示す。この図からも分かるように、センサケース内温度ｔ１は一定であるのに対し、恒温槽内温度ｔ３が上昇するとヒータ温度ｔ２が低下し、恒温槽内温度ｔ３が下降するとヒータ温度ｔ２が上昇する（図６参照）。このようなことから、恒温槽内温度ｔ３が下降すると、センサケース内温度ｔ１とヒータ温度ｔ２との温度差Δｔが増大することが分かる。

この実施の形態２において、温度差補正部１９は、恒温槽内温度ｔ３が上昇した場合、この恒温槽内温度ｔ３の上昇量に応じて温度差Δｔが大きくなるように温度差Δｔを補正し、恒温槽内温度ｔ３が下降した場合、この恒温槽内温度ｔ３の下降量に応じて温度差Δｔが小さくなるように温度差Δｔを補正する。すなわち、恒温槽内温度ｔ３の変化によって温度差Δｔが変化しないように、温度差算出部１４からの温度差Δｔを補正する。

異常判定部１５は、この温度差補正部１９によって補正された温度差Δｔ’を入力とし、この温度差Δｔ’が異常判定用閾値記憶部１６に記憶されている異常判定用の閾値Δｔｔｈを超えた場合に、ヒータ５に異常の兆候が現れた判定する。

これにより、異常判定部１５において、隔膜真空計１００が置かれている周囲の温度の変化による温度差Δｔの増大を異常の兆候が現れたと誤判定してしまう虞がなくなる。

〔実施の形態３〕
実施の形態３では、図７に示すように、回路基板１７の周辺の温度（回路温度）ｔ４を隔膜真空計１００が置かれている周囲の温度として測定する温度センサ（回路温度センサ（第３の温度センサ））２０を設け、また温度差算出部１４と異常判定部１５との間に温度差補正部１９を設け、温度差補正部１９において、回路温度センサ２０によって測定される回路温度ｔ４に基づいて、温度差算出部１４によって求められた温度差Δｔを補正するようにする。

図８に、恒温槽内温度ｔ３の変化によるセンサケース内温度ｔ１，ヒータ温度ｔ２および回路温度ｔ４の変化を示す。この図からも分かるように、恒温槽内温度ｔ３が上昇すると回路温度ｔ４も上昇し、恒温槽内温度ｔ３が下降すると回路温度ｔ４も下降する（図９参照）。また、センサケース内温度ｔ１は一定であるのに対し、回路温度ｔ４が上昇するとヒータ温度ｔ２が低下し、回路温度ｔ４が下降するとヒータ温度ｔ２が上昇する（図１０参照）。このようなことから、回路温度ｔ４が下降すると、センサケース内温度ｔ１とヒータ温度ｔ２との温度差Δｔが増大することが分かる。

この実施の形態３において、温度差補正部１９は、回路温度ｔ４が上昇した場合、この回路温度ｔ４の上昇量に応じて温度差Δｔが大きくなるように温度差Δｔを補正し、回路温度ｔ４が下降した場合、この回路温度ｔ４の下降量に応じて温度差Δｔが小さくなるように温度差Δｔを補正する。すなわち、回路温度ｔ４の変化によって温度差Δｔが変化しないように、温度差算出部１４からの温度差Δｔを補正する。

なお、上述した実施の形態では、異常判定部１５でのヒータ５の異常の有無として、ヒータ５に異常の兆候が現れたか否かを判定するようにしたが、異常判定用閾値記憶部１６に記憶させる異常判定用のΔｔｔｈをさらに大きくし、ヒータ５に交換を要する異常（寿命）が生じたか否かを判定するようにしてもよい。また、ヒータ５に異常の兆候が現れたか否かの判定と、ヒータ５に交換を要する異常（寿命）が生じたか否かの判定とを組み合わせるようにしてもよい。

また、上述した実施の形態では、温度差Δｔを補正する際のパラメータとして、恒温槽内温度ｔ３を使用したり、回路温度ｔ４を使用したりしたが、他のパラメータを使用するようにしてもよい。例えば、ヒータ温度ｔ２は配管温度によっても変わるので、圧力導入管３の周辺の温度を測定し、この測定した圧力導入管３の周辺の温度をパラメータとして、温度差Δｔを補正するようにしてもよい。

〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

１…センサチップ、１ａ１…ダイアフラム、１ｄ…固定電極、１ｅ…可動電極、２…ハウジング、３…圧力導入管、４…センサケース、５…ヒータ（自己加熱用ヒータ）、９…制御用温度センサ、１０…ヒータ監視用温度センサ、１１…圧力値出力部、１２…ヒータ制御部、１３…ヒータ監視部、１４…温度差算出部、１５…異常判定部、１６…異常判定用閾値記憶部、１７…回路基板、１８…恒温槽温度センサ、１９…温度差補正部、２０…回路温度センサ、１００…隔膜真空計、１０１…本体部、１０２…回路部、２００…恒温槽。

Claims

被測定媒体の圧力を受けて撓むダイアフラムと、このダイアフラムの変位を静電容量の変化に変換するように構成された電極とを有するセンサチップと、
前記センサチップを収容したハウジングと、
前記ハウジングに接続され前記センサチップのダイアフラムに前記被測定媒体の圧力を導く圧力導入管と、
前記ハウジングを覆うセンサケースと、
前記センサケースの外周面を取り囲むようにして設けられたヒータと、
前記センサケース内の温度を測定する第１の温度センサと、
前記ヒータの温度を測定する第２の温度センサと、
前記第１の温度センサによって測定される前記センサケース内の温度が予め定められた設定温度となるように前記ヒータへの供給電流を制御するように構成されたヒータ制御部と、
前記第１の温度センサによって測定される前記センサケース内の温度と前記第２の温度センサによって測定される前記ヒータの温度との温度差を求めるように構成された温度差算出部と、
前記温度差算出部によって求められた温度差に基づいて前記ヒータの異常の有無を判定するように構成された異常判定部と
を備えることを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記静電容量型圧力センサの周囲の温度を測定する第３の温度センサと、
前記第３の温度センサによって測定される周囲の温度に基づいて前記温度差算出部によって求められた温度差を補正するように構成された温度差補正部とを備え、
前記異常判定部は、
前記温度差補正部によって補正された温度差に基づいて前記ヒータの異常の有無を判定するように構成されている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記第３の温度センサは、
前記静電容量型圧力センサが置かれている恒温槽内の温度を前記周囲の温度として測定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項２に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記第３の温度センサは、
前記ヒータ制御部、前記温度差算出部および前記異常判定部が搭載されている回路基板の周辺の温度を前記周囲の温度として測定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項１〜４の何れか１項に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記異常判定部は、
前記ヒータの異常の有無として、前記ヒータに異常の兆候が現れたか否かを判定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
請求項１〜４の何れか１項に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記異常判定部は、
前記ヒータの異常の有無として、前記ヒータに交換を要する異常が生じたか否かを判定する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。