KR200489691Y1 - 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지 - Google Patents

반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지 Download PDF

Info

Publication number
KR200489691Y1
KR200489691Y1 KR2020180006187U KR20180006187U KR200489691Y1 KR 200489691 Y1 KR200489691 Y1 KR 200489691Y1 KR 2020180006187 U KR2020180006187 U KR 2020180006187U KR 20180006187 U KR20180006187 U KR 20180006187U KR 200489691 Y1 KR200489691 Y1 KR 200489691Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
mems sensor
vacuum gauge
gauge
connector
Prior art date
Application number
KR2020180006187U
Other languages
English (en)
Inventor
안성환
Original Assignee
(주)아토벡
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)아토벡 filed Critical (주)아토벡
Priority to KR2020180006187U priority Critical patent/KR200489691Y1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200489691Y1 publication Critical patent/KR200489691Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L21/00—Vacuum gauges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

본 고안은, 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 MEMS SENSOR를 이용한 진공게이지에 관한 것으로서, 진공게이지에 멤스센서를 구성하여, 상기 멤스센서를 통해 진공게이지에 작용하는 진공압력을 정밀하게 측정함으로써, 진공게이지에 의한 진공시스템의 정밀제어를 더욱 향상시켜 반도체 제조장치에 의한 제조정밀성 및 불량률을 저하시키도록 하는 데 그 목적이 있다.
이를 위해 본 고안은, 반도체 또는 화학제품을 제조할 때, 진공상태를 유지하도록 하는 진공시스템을 구성하고, 상기 진공시스템의 일측에 진공상태를 제어하도록 진공상태의 제어값을 얻을 수 있도록 구성되는 진공게이지에 있어서, 상기 진공게이지(100)에는 작용하는 진공압을 정밀 센싱하여, 진공상태를 더욱 정밀하게 제어할 수 있도록 지지하는 멤스센서(110);를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지{Vacuum gauge using MEMS SENSOR for safety in gas supply system or precursor supply system for semiconductor manufacturing}
본 고안은, 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서(MEMS SENSOR)를 이용한 진공게이지에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 진공게이지에 멤스센서를 구성하여, 상기 멤스센서를 통해 진공게이지에 작용하는 진공압력을 정밀하게 측정함으로써, 진공게이지에 의한 진공시스템의 정밀제어를 더욱 향상시켜 반도체 제조장치에 의한 제조정밀성 및 불량률을 저하시키도록 하는 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지에 관한 것이다.
일반적으로, 100㎚ 이하의 크기를 가지는 소재나 소자 등이 나노기술의 범주에 속하게 되는데, 나노기술은 정보기술과 생명공학기술을 실현시키는 기초기반기술로서, 대부분의 생산, 가공, 응용기술은 나노기술과 밀접한 관계를 가지고 있다.
이러한, 나노기술에 있어 핵심적인 기술은 나노미터 크기의 소재, 소자 등을 생산하고 활용할 수 있도록 하는 나노공정기술이다.
나노공정기술은 나노미터 크기의 초극미세 패턴을 형성하는 리소그래피 기술이 그 핵심기술에 해당되며, 현재 미세 패턴을 형성하기 위한 리소스래피 기술로서 광학적 리스그래피 기술이 주로 이용된다.
그러나, 광학적 리소그래피 기술은 분해능의 측면에서 기술적 한계에 도달해 있으며, 나노공정을 위해서는 매우 짧은 파장의 광원을 필요로 하고, 이런 짧은 파장은 대부분의 재료에서 광학적으로 투명이 아니기 때문에 전형적인 광학 리소그래피 장비는 매우 복잡한 반광학적이 요구되며, 충분한 출력강도를 지닌 광원을 필요로 한다.
이러한 노광장비는 초기투자비용이 매우 고가이고, 복잡한 장비구조와 구성을 가지게 되며, 공정 또한 까다로우며 산업적 응용에 적합치 않은 느린 생산성을 지니고 있다.
이에 반해, 임프린팅 리소그래피 기술은 표면상에 정밀 미세 패턴을 가지는 몰드를 사용하여 기판상에 고 분해능의 패턴을 반복적으로 용이하게 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 복잡하지 않은 장치구조와 저가의 구성 비용 및 대량 생산에 적합한 높은 생산성 등의 장점이 있다.
또한, 반도체 소자는 웨이퍼 상에 포토리소그래피, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입, 금속증착 등의 공정을 선택적이고도 반복적으로 수행하는 일련의 과정을 통해 이루어진다.
이렇게 반도체 소자로 제조되기까지의 각 공정을 수행하는 공정챔버 내부에는 공정조건으로서, 진공압 분위기가 요구되는 것이 있으며, 또 각 공정위치로 이송되는 웨이퍼는 그 이송으로부터 이탈을 방지하기 위하여 진공압 등으로 흡착 고정되는 관계에 있다.
이렇게 챔버 또는 웨이퍼를 이송 지지하기 위한 브레이드 등의 반도체소자 제조설비의 구성부는 진공압을 생성 전달하기 위한 진공압시스템이 요구된다.
종래의 진공압 장치 일례를 살펴보면, 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 흡착, 고정하여 소정 위치로 이송시키기 위한 브레이드(10)를 포함한 로봇(12)이 구성된다.
상기 로봇(12)의 내부 또는 외부로부터 콘트롤러에 의해 제어되는 진공펌프(도시하지 않음)로부터 연장된 진공포트(14)가 로봇(12)을 통해 상술한 브레이드(10)까지 연결된다.
또한, 로봇(12)의 내부에는 콘트롤러에 의해 제어되는 진공포트(14)로부터 전달되는 진공압을 선택적으로 차단하는 밸브수단이 구비되고, 이러한 구성에 의해 로봇(12)은 콘트롤러에 제어되어 브레이드(10)로 하여금 웨이퍼(W)를 선택적으로 흡착, 고정토록 하여 소정 위치로 이송시키게 된다.
상술한 각 구동의 구동에 있어서, 진공포트(14)를 통해 전달되는 진공압 수준이 웨이퍼(W)를 흡착, 고정하기에 충분한 수준에 있는지 여부를 확인하기 위한 수단이 구비되어 있지 않으며, 이에 따라 브레이드(10)로부터 웨이퍼(W)의 이탈이 있는 등 문제의 발생으로부터 설비를 분해하여 정비하는 과정에서 별도의 측정수단을 통해 진공포트(14)로부터 전달되는 진공압 수준을 측정하게 된다.
한편, 반도체 제조장치의 구성요소 중에서, 챔버 내부에 진공도를 유지시키기 위해 필수적으로 요구되는 것이 진공펌프이다.
상기 진공펌프는 진공상태를 만드는 능력에 따라서 러핑펌프, 고진공펌프, 초진공펌프로 나뉘어 진다.
러핑 펌프의 진공도는 약 1×10- 3Torr까지의 진공상태를 만들 수 있는 능력을 갖는 펌프이다.
고진공 펌프는 약 1×10- 3Torr ~ 1×10- 8Torr까지의 진공상태를 만들 수 있는 능력을 갖는 펌프이다.
초고진공 펌프는 약 1×10- 8Torr 이하의 진공상태를 만들 수 있는 능력을 갖는 펌프이다.
종래의 다른 일례에 따른 반도체 제조장치의 진공 시스템을 도 2를 참조하여 살펴보면, 챔버(1)와, 상기 챔버(1)를 진공상태로 만들어 주기 위한 고진공 펌프(4), 및 러핑 펌프(6)로 구성된다.
상기 챔버(1)와 고진공 펌프(4)의 사이, 상기 챔버(1)와 러핑 펌프(6) 사이, 그리고 상기 고진공 펌프(4)와 러핑 펌프(6) 사이에는 개폐역할을 하는 밸브(3)(5)(7)가 각각 연결되어 있다.
상기 챔버(1) 몸체의 일측 또는 상기 각 펌프(4)(6)와 밸브(3)(5)(7)의 중간에는 앵글밸브가 설치된다.
상기 앵글밸브는 평상시에는 '잠김'상태를 유지하게 되며, 필요한 경우에만 진공압력 측정을 위해 진공 게이지(2)가 장착되어, 상기 앵글밸브를 개방하여 진공시스템 내부의 압력을 측정하게 된다.
그러나, 종래의 진공게이지에는 별도의 압력센서가 구성되어 있지 않음에 따라 단순히 진공게이지의 기구적 구조에 의해서만 진공상태를 제어함으로써, 정밀장치(또는 장비)의 일종인 반도체 제조장치에서 진공상태를 정밀제어가 제한을 가지는 문제점이 있다.
또한, 가스 공급 시스템(Gas Supply System, GSS) 또는 전구체 공급 시스템(Precursor Supply System, PSS)에서는 반도체 제조를 위해 직접적으로 가스 및 케미컬을 항시 공급하며, 이로 인해 실린더를 교환해야 하는 일이 빈번하게 발생한다.
이때, 교환시 공급장치 내부의 잔류가스의 여부에 따라 작업자가 부상을 당하거나 심하면 사망에 이를 수 있는 안전사고의 발생이 빈번하였다.
이에, 이를 미연에 방지하기 위해 잔류가스가 얼마나 있는지 또는 시스템 내부에 리크(leak)는 없는지 여부를 항시 점검해야 한다.
그러나, 종래의 압력 변환기(PRESSURE TRANSDUCER)는 대기압 이상의 압력(가압)을 측정함으로써, 이러한 위험에 대비할 수 없는 한계적 문제점이 있다.
이에, 안전성을 확보하기 위해 대기압보다 낮은 진공대역을 측정할 수 있는 진공게이지에 대한 개발의 필요성이 대두되었다.
대한민국 공개특허공보 특1999-84915호(1999.12.06. 공개) 대한민국 특허공보 제10-1164658호(2012.07.12. 공고) 대한민국 등록실용신안공보 제20-248853호(2001.11.16. 공고)
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 제안하는 것으로서, 본 고안의 목적은, 진공게이지에 멤스센서를 구성하여, 상기 멤스센서를 통해 진공게이지에 작용하는 진공압력을 정밀하게 측정함으로써, 진공게이지에 의한 진공시스템의 정밀제어를 더욱 향상시켜 반도체 제조장치에 의한 제조정밀성 및 불량률을 저하시키도록 하는 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지를 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 반도체 또는 화학제품을 제조할 때, 진공상태를 유지하도록 하는 진공시스템을 구성하고, 상기 진공시스템의 일측에 진공상태를 제어하도록 진공상태의 제어값을 얻을 수 있도록 구성되는 진공게이지에 있어서, 상기 진공게이지에는 작용하는 진공압을 정밀 센싱하여, 진공상태를 더욱 정밀하게 제어할 수 있도록 지지하는 멤스센서;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 고안에 있어서, 멤스센서는, 압저항형 또는 정전용량형;인 것이 바람직하다.
본 고안에 있어서, 멤스센서는, 상기 진공게이지의 일측에 몰딩방식으로 일체화시켜 내구성을 향상시키도록 구성;되는 것이 바람직하다.
본 고안에 있어서, 진공게이지는, 내측에 유로를 형성하는 몸체와; 상기 몸체의 일단에 구성되어 진공라인의 일측에 연결상태를 유지하도록 지지하는 연결부; 및 상기 몸체의 타단에 구성되고, 일측에 커넥터가 구성되어, 회로를 구성하는 PCB;를 포함하는 것이 바람직하다.
본 고안에 있어서, 연결부는, 진공라인과 나사 체결방식으로 연결되도록 구성되는 나사부재; 및 상기 나사부재의 일측에 구성되어 진공라인에 진공게이지가 안정적으로 고정될 수 있도록 공구로 지지하는 공구연결부재;를 포함하는 것이 바람직하다.
본 고안에 의하면, 진공게이지에 멤스센서를 구성하여, 상기 멤스센서를 통해 진공게이지에 작용하는 진공압력을 정밀하게 측정함으로써, 진공게이지에 의한 진공시스템의 정밀제어를 더욱 향상시켜 반도체 제조장치에 의한 제조정밀성 및 불량률을 저하시키도록 하는 효과가 있다.
도 1은 종래의 일례를 보인 진공압 장치의 구성도.
도 2는 종래의 다른 일례를 보인 진공 시스템도.
도 3은 본 고안에 따른 진공게이지의 사시도.
도 4는 본 고안에 따른 진공게이지의 정면도.
본 고안의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하기 위한 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나, 본 고안은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예들은 본 고안의 개시가 완전하도록 하고, 본 고안이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 고안의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 고안은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
따라서, 몇몇 실시 예에서, 잘 알려진 공정단계들, 잘 알려진 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 고안이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시 예들을 설명하기 위한 것이며, 본 고안을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않은 한 복수형도 포함한다.
명세서에서 사용되는 포함한다(comprises) 및/또는 포함하는(comprising)은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자 이외의 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는 의미로 사용한다.
그리고, "및/또는"은 언급된 아이템의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 고안의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다.
따라서, 본 고안의 실시 예들은 도시된 특정형태로 제한되는 것이 아니라 제조공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다.
또한, 본 고안에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다.
이하, 본 고안의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 고안의 진공게이지(100)는, 반도체 제조용 가스(GAS) 또는 케미컬(Chemical) 공급장치인 가스 공급 시스템(Gas Supply System, 이하 GSS), 전구체 공급 시스템(Precursor Supply System, 이하 PSS) 등의 장비 내부에서 발생되는 잔류가스 및 리크로 인한 사고 위험을 대비하기 위해 특별히 제작된 진공게이지이다.
이에 따라, 본 고안의 진공게이지(100)는 멤스센서를 이용하여 1 토르부터 1 미리토르까지 측정하는 게이지를 제작하여, GSS 및 PSS 내부에 리크가 없는지 실린더 교환시 잔류가스는 없는지 여부를 실시간으로 측정함으로써, 사용자 즉, 작업자의 안전을 확보할 수 있다.
또한, 본 고안의 진공게이지(100)는 방폭용으로도 개발되어 폭발위험이 있는 곳에서도 사용이 가능하도록 하는 사용의 한계성을 극복하였다.
본 고안의 진공게이지(100)는, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 몸체(102), 연결부(104), PCB(Printed Circuit Board, 106), 커넥터(108) 및 멤스센서(110)를 포함한다.
상기 몸체(102)는 구성요소들을 지지하는 기능을 수행하며, 내측에는 진공을 위한 유로가 형성된다.
삭제
또한, 상기 몸체(102)의 일측에는 진공라인(도시 생략됨)과의 안정적인 연결을 위한 연결부(104)가 형성된다.
상기 연결부(104)는 몸체(102)가 진공라인과 나사 체결되어 고정되도록 하는 나사부재(1042) 및 상기 나사부재(1042)를 통해 진공라인에 연결시킬 때 공구에 의해 상기 몸체(102)의 고정상태를 유지할 수 있도록 지지하는 공구연결부재(1044)를 포함한다.
상기 몸체(102)의 타측에는 진공라인과 회로적으로 연결되도록 하는 커넥터(108)가 형성된다.
상기 커넥터(108)의 내부 하단에는 진공게이지(100)를 통해 측정되는 진공압을 정밀 센싱하기 위한 멤스센서(110)가 형성된다.
이러한 멤스센서(110)가 형성된 커넥터(108)의 외부 둘레에는 진공게이지(100)에 대한 회로 구성들을 갖는 PCB(106)가 형성된다.
이러한 PCB(106)는 도 3 및 도 4에서 알 수 있듯이, 일정 간격으로 복수 개(예를 들어, 3개)로 구성되며, 커넥터(108)의 외부 둘레에 형성될 수 있다. PCB(106)의 개수는 제한적이지 않으며, 진공게이지(100)의 크기에 따라 가변될 수 있다.
삭제
삭제
삭제
한편, 상기 멤스센서(110)는 커넥터(108)의 하단에 몰딩 방식으로 부착되어 일체화됨으로써, 상기 멤스센서(110)의 내구성을 높일 수 있다.
삭제
상기 멤스센서(110)는 인가되는 유체의 압력, 즉, 센서에 가해지는 힘의 크기를 물리량으로 받아들이고 이를 전기적인 신호로 변환시켜 출력해 주는 감지기로서, 고압, 중압, 저압 등의 사용용도에 따라 다양한 종류를 가진다.
상기 멤스센서는 히스테리시스 현상이 없고, 감도 선형성이 우수하며, 소형경량으로 진동에도 매우 강한 것이 특징이다. 이는 기계식보다 고감도, 고신뢰성이며 양산성이 좋다.
이에, 상기 멤스센서는 외부압력을 응력으로 변환하는 다이어프램(diaphragm)과 다이어프램에서 발생하는 응력을 전기신호로 변환하는 두 부분으로 구성된다.
또한, 상기 다이어프램은 단결정 실리콘을 화학적으로 에칭하여 형성하며, 다이어프램에서 발생하는 응력을 전기적 신호로 변환하는 방법으로 진동자의 고유진동수 변화와 표면 탄성파를 이용하는 것도 있다.
또한, 상기 멤스센서는 압력감지방식에 따라 압저항형과 정전용량형 방식으로 나뉜다.
상기 압저항형 멤스센서는 저항확산형 또는 확산형 압력센서라고도 하며, 이는 저항소자를 형성시킬 때에 반도체의 불순물 확산 공정이 이용되기 때문이다.
상기 압저항형 멤스센서는 반도체 공정으로 얇은 박막을 형성하고, 박막과 기판의 경계에 실리콘 압저항체를 형성하여 압력에 의해 박막이 변형되면 압저항체의 저항이 달라지는 것을 감지하여 압력을 측정한다.
상기 정전용량 멤스센서는 서로 마주보고 있는 전극판의 간격을 외부로부터의 응력에 의하여 변화되어 전극 간의 정전용량이 변화한다.
이러한 정전용량 변화를 전기신호로 변환시키면 응력이 검출되는 방식이다.
한편, 상술한 멤스센서 외에도, 광학식, 공진방식, 전자기 유도 방식 등의 다양한 방식 등이 사용될 수 있다.
또한, 상기 멤스센서(110)는 제작방식에 따라 벌크형과 표면형으로 나뉜다.
상기 벌크형은 실리콘 기판의 전면에 감지 회로를 구성하고 난 후에 기판을 후면에서 관통 가공하여 기판의 상부를 감지 박막으로 사용하는 방식이다.
상기 표면형은 기판을 직접 가공하지 않고, 기판의 표면에 반도체 공정으로 가지 박막과 압력 캐비티를 형성하는 방법으로 제작된다.
상기와 같이 구성된 반도체장치에 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지는 몸체(102)의 일측에 구성된 연결부(104)를 통해 진공라인의 일측에 확고하게 고정되도록 구성한다.
또한, 상기 몸체(102)의 일측에 구성된 PCB(106)의 커넥터(108)를 통해 진공라인에 구비된 케이블과 연결시킨다.
이에 따라, 몸체(102)의 내측에 구성된 유로를 통해 진공라인의 진공이 작용하게 되고, 이때 상기 몸체(102)의 일측에 구성된 멤스센서(110)에서 진공압력을 센싱하게 된다.
이러한, 상기 진공게이지(100)에 멤스센서(110)를 통해 작용하는 진공압력을 정밀하게 측정함으로써, 상기 진공게이지(100)에 의한 진공시스템의 정밀제어를 더욱 향상시켜 반도체 제조장치에 의한 제조정밀성 및 불량률을 저하시키도록 한다.
이상에서 설명한 것은 반도체장치에 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지를 실시하기 위한 하나의 실시 예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시 예에 한정되지 아니한다. 본 고안에 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 다양한 변경실시가 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
100: 진공게이지 102: 몸체
104: 연결부 1042: 나사부재
1044: 공구연결부재 106: PCB
108: 커넥터 110: 멤스센서

Claims (5)

  1. 반도체 또는 화학제품을 제조할 때, 진공상태를 유지하도록 하는 진공시스템을 구성하고, 상기 진공시스템의 일측에 진공상태를 제어하도록 진공상태의 제어값을 얻도록 구성되는 진공게이지에 있어서,
    내측에 진공을 위한 유로를 형성하는 몸체(102);
    상기 몸체(102)의 일측에 형성되어 진공라인과의 안정적인 연결을 위한 연결부(104);
    상기 몸체(102)의 타측에 형성되어 상기 진공라인과 회로적으로 연결되는 커넥터(108);
    상기 커넥터(108)의 내부 하단에 형성되어 상기 진공게이지를 통해 측정되는 진공압을 정밀 센싱하기 위한 멤스센서(110); 및
    상기 멤스센서(110)가 형성된 상기 커넥터(108)의 외부 둘레에 형성되어 상기 진공게이지에 대한 회로 구성들을 갖는 PCB(106)를 포함하되,
    상기 멤스센서(110)는 상기 커넥터(108)의 내부 하단에 몰딩 방식으로 부착되어 일체화되고,
    상기 PCB(106)는 상기 커넥터(108)의 외부 둘레에서 일정 간격으로 복수 개 형성되는 것을 특징으로 하는
    진공게이지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 멤스센서(110)는 압저항형 또는 정전용량형인 것을 특징으로 하는
    진공게이지.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결부(104)는,
    상기 몸체(102)가 상기 진공라인과 나사 체결되어 고정되도록 하는 나사부재(1042); 및
    상기 나사부재(1042)의 일측에 구성되어 상기 진공라인에 진공게이지(100)가 안정적으로 고정되도록 공구로 지지하는 공구연결부재(1044)를 포함하는
    진공게이지.
KR2020180006187U 2018-12-31 2018-12-31 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지 KR200489691Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020180006187U KR200489691Y1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2020180006187U KR200489691Y1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR200489691Y1 true KR200489691Y1 (ko) 2019-07-24

Family

ID=67439657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020180006187U KR200489691Y1 (ko) 2018-12-31 2018-12-31 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200489691Y1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023177467A1 (en) * 2022-03-16 2023-09-21 Applied Materials, Inc. Integrated showerhead

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH046431A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Anelva Corp 真空計
KR19990084915A (ko) 1998-05-12 1999-12-06 윤종용 진공 포라인 게이지를 갖는 반도체장치
KR200248853Y1 (ko) 2001-06-16 2001-11-16 동부전자 주식회사 반도체 제조 장비에서의 진공 펌프 배기량 측정 장치
JP2008232931A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Nagano Keiki Co Ltd センサ
US20110167919A1 (en) * 2010-01-13 2011-07-14 Ploechinger Patent Vacuum measuring device with interchangeable sensors
KR101164658B1 (ko) 2010-07-26 2012-07-12 (주)제이엔비이엔지 반도체 제조설비의 진공압 측정용 앵글밸브
JP2013011556A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Md Innovations Kk 隔膜気圧計
WO2016207401A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Nina Wojtas Mems deposition trap for vacuum transducer protection
KR20170047867A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 에이에스텍 주식회사 Mems방식을 이용한 자동차 공조장치 압력감지센서
JP2018205259A (ja) * 2017-06-09 2018-12-27 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH046431A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Anelva Corp 真空計
KR19990084915A (ko) 1998-05-12 1999-12-06 윤종용 진공 포라인 게이지를 갖는 반도체장치
KR200248853Y1 (ko) 2001-06-16 2001-11-16 동부전자 주식회사 반도체 제조 장비에서의 진공 펌프 배기량 측정 장치
JP2008232931A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Nagano Keiki Co Ltd センサ
US20110167919A1 (en) * 2010-01-13 2011-07-14 Ploechinger Patent Vacuum measuring device with interchangeable sensors
KR101164658B1 (ko) 2010-07-26 2012-07-12 (주)제이엔비이엔지 반도체 제조설비의 진공압 측정용 앵글밸브
JP2013011556A (ja) * 2011-06-30 2013-01-17 Md Innovations Kk 隔膜気圧計
WO2016207401A1 (en) * 2015-06-26 2016-12-29 Nina Wojtas Mems deposition trap for vacuum transducer protection
KR20170047867A (ko) * 2015-10-26 2017-05-08 에이에스텍 주식회사 Mems방식을 이용한 자동차 공조장치 압력감지센서
JP2018205259A (ja) * 2017-06-09 2018-12-27 アズビル株式会社 静電容量型圧力センサ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
High-quality pressure transmitter for general industrial applications Model S-10, 2016년 2월, https://www.alliedelec.com/m/d/5c402544039bd4fddaca177c2ccd40c4.pdf* *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023177467A1 (en) * 2022-03-16 2023-09-21 Applied Materials, Inc. Integrated showerhead

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI658321B (zh) 用於製造一表膜的裝置與方法，以及一表膜
US20180011400A1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP5669466B2 (ja) 保持装置、インプリント装置及び物品の製造方法
KR102121928B1 (ko) 나노 임프린트 리소그래피를 위한 시스템과 방법 및 디바이스 제조 방법
WO2005121892A2 (en) Apparatus, system and method to vary dimensions of a substrate during nano-scale manufacturing
EP2791964B1 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
US9958773B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
KR200489691Y1 (ko) 반도체 제조용 가스 또는 케미컬 공급장치에 안전성을 향상시키기 위해 구성되는 멤스센서를 이용한 진공게이지
US10635072B2 (en) Imprint apparatus, method of calibrating correction mechanism, and method of manufacturing article
KR102354220B1 (ko) 나노임프린트 리소그래피에서의 오버레이 개선
JP6502655B2 (ja) モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法
JP2021163966A (ja) インプリントリソグラフィにおけるインプリント力印加の精度を改善するための装置および方法
JP5822597B2 (ja) インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法
US10042250B2 (en) Imprint apparatus, imprinting mold, and method of manufacturing article
JP5288191B2 (ja) 基板固定装置
JP2017063111A (ja) モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP2019201184A (ja) インプリント装置、および物品製造方法
JP2018198278A (ja) 型、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2014203975A (ja) 薄膜形成装置
KR101278703B1 (ko) 기판합착장치의 점착력 측정장치 및 점착력 측정방법
JP2015023151A (ja) インプリント装置、インプリント方法、プログラム、インプリントシステム、それらを用いた物品の製造方法
JP2016021442A (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
KR20160007377A (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
US10018923B2 (en) Lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP7391596B2 (ja) インプリント装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment