JP6807864B2 - 配線パターン付樹脂積層体の製造方法 - Google Patents
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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- H—ELECTRICITY
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-
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Description
前記第1開口部において露出した前記銅層を、銅に対するエッチング能を有し且つ塩素を実質的に非含有であるエッチング液を用いて除去することにより、前記樹脂層における前記銅層側の面を露出させる工程とを備えた配線パターン付樹脂積層体の製造方法を提供するものである。
前記第1開口部において露出した前記銅層を、銅に対するエッチング能を有し且つ塩素を実質的に非含有であるエッチング液を用いて除去することにより、前記樹脂層における、前記銅層側の面を露出させる工程(以下「第2工程」)とを備えている。本発明において、「銅層」は純銅又は銅合金からなる層を指し、典型的には銅の割合は95質量%以上となることが銅層の導電性、エッチング加工性等の点から好ましい。配線パターン付樹脂積層体の配線パターンとしては、銅からなる配線回路が挙げられる。
銅箔積層法に採用するキャリア付銅箔や、銅箔積層条件などは前述のサブトラクティブ法の説明と同様である。
(工程1)
図1に示すサブトラクティブ法の手順における配線パターン付樹脂積層体の製造方法を評価した。
樹脂層1として、可塑剤(ジヘキシルアジピン酸:DHA)が配合された市販のポリビニルブチラール樹脂フィルム(グレード:Architecture Use、カラー:クリア、厚さ:760μm)を用いた。上記のポリビニルブチラール樹脂フィルムに、真空ラミネーターで60℃、30秒、1MPaの条件で、キャリア付銅箔(キャリア:厚さ18μmの銅箔、剥離層:カルボキシベンゾトリアゾール、極薄銅箔厚さ:5μm)を、極薄銅箔が樹脂フィルムと当接するように積層した後、機械的にキャリアを剥離して、樹脂層1及び銅層2を有する積層体10を作製した。この上に、フォトレジスト(厚さ5μm)を用いて、レジストマスクを形成した。次いで、パターンを形成する部分をマスクしたフォトマスクを用いて、紫外線照射を行って配線パターンを形成した後、現像液として炭酸ナトリウム溶液を用いて現像を行い、配線パターン部分以外を除去して、銅層2が露出した第1開口部8を有するエッチングレジスト層3を形成した(配線形成部のライン/スペース(L/S):10μm/2000μm)。
過硫酸ナトリウム(濃度:150g/L)の水溶液をエッチング液に用いた。このエッチング液中の塩素濃度は1mg/Lであった。このエッチング液(30℃)を用い、工程1で得られた積層体に浸漬法で開口部8への残渣がちょうど見えなくなるジャストエッチングの条件でエッチング処理を施した。エッチング後、水(塩素濃度1mg/L)で回路を洗浄した後、5%の水酸化ナトリウム水溶液を用いてレジストを除去し、再度上記の水で洗浄し、乾燥させた。得られた回路付き積層体サンプルを作成し、以下の方法で樹脂黄変度と、エッチング時のレジスト密着性を評価した。
色差計:スガ試験機(株)「Colour Cute i」を用いて、JIS K 7373に準拠し、標準イルミナントD65を使用し、X10Y10Z10表色系における黄色度YIを下記式で求めた。銅箔を積層しないサンプルをブランクとし、このブランクとエッチング処理後のサンプルとの黄色度YIの増加率(%)を求めた。得られた増加率に基づいて下記評価基準で評価した。結果を表1に示す。
A:増加率0.3%未満
B:増加率0.3%以上 1.0%未満
C:増加率1.0%以上 3.0%未満
D:増加率3.0%以上
エッチング後のパターンの不良率を、ライン/スペース(L/S):10μm/2000μmの配線パターンについて、実体顕微鏡(200倍)にて配線50本を観察した。各配線において、パターンの欠けがある場合を不良と判定し、これらのパターン不良率(%){(不良と判定された配線の数/観察した配線50本)×100}を算出した。このパターン不良率に基づき、下記基準より、エッチング時のレジスト密着性を評価した。結果を表1に示す。
A:パターン不良率5%未満
B:パターン不良率5%以上 10%未満
C:パターン不良率10%以上20%未満
D:パターン不良率20%以上
硫酸/過酸化水素水系エッチング剤(メルテックス株式会社製、エンプレートE−462、硫酸濃度:70g/L、過酸化水素水濃度:10g/L)を用いた。このエッチング液中の塩素濃度は0.5mg/Lであった。このエッチング液を用いた以外は、実施例1と同様に回路付き積層体を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
水に塩化第二銅及び塩酸を添加、混合し、塩化第二銅の濃度約135g/L、塩酸濃度105g/Lの水溶液(塩素濃度として102g/L)を調製した。この水溶液をエッチング液として用いて、エッチング処理温度を45℃とした以外は、実施例1と同様に回路付き積層体を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
エープロセス(メルテックス株式会社製、商品名)の原液をそのままエッチング液として用いたほか、処理温度を45℃とした以外は、実施例1と同様に回路付き積層体を作製し、評価した。その結果を表1に示す。
上記原液中、アンモニア銅錯塩の濃度は250g/L(銅濃度は11g/L)、塩化アンモニウムの濃度は150g/L(塩素濃度として99g/L)、アンモニアの濃度は50g/Lであった。
本実施例では、図2に示すアディティブ法の手順における配線パターン付樹脂積層体の製造方法を評価した。樹脂層11として、実施例1で用いたポリビニルブチラール樹脂フィルムを用意し、この表面に、極薄銅層の厚さが2μmである点以外は実施例1で用いたものと同様のキャリア付銅箔を積層後、キャリアを剥離し、樹脂層11上に厚さ2μmのシード層である銅層12を形成した。この銅層12上にめっきレジスト(厚さ:25μm)を用いて、レジストマスクを形成した。次いでフォトマスクを用いて、紫外線照射を行って配線パターンを形成した後、現像液として炭酸ナトリウム溶液を用いて現像を行い、配線パターン部分を除去して、銅層12が露出した第2開口部17を有するめっきレジスト層13を形成した。次に、該めっきレジスト層の該開口部に電解銅めっきにより厚さ20μm、ライン/スペース=10μm/200μmのパターンである配線パターン層14を形成した。次いで水酸化ナトリウム水溶液を用いてめっきレジスト層13を除去して第1開口部18を形成した後、過硫酸ナトリウム(濃度:150g/L)の水溶液(塩素濃度:1mg/L、温度:50℃)でエッチングを行った。エッチング処理は、浸漬法によりジャストエッチングされるまで行った。エッチング後、水(塩素濃度1mg/L)で積層体を洗浄して、乾燥した。得られた回路付き積層体について、上記の方法で樹脂黄色度の増加率を求めて評価した。その結果を表1に示す。表1には、樹脂黄変度及びレジスト密着性として、A〜Dの4段階の評価に加えて黄色度増加率(%)及びパターン不良率(%)の数値もそれぞれ併せて示す。
Claims (6)
- ポリビニルアセタール樹脂を50質量%以上含む樹脂層と銅層との積層体における該銅層の表面に、該銅層が露出した第1開口部が形成されるようにエッチングレジスト層又は配線パターン層を設ける工程と、
前記第1開口部において露出した前記銅層を、銅に対するエッチング能を有し且つ実質的に塩素を非含有であるエッチング液(但し、アルコールを含むものを除く)を用いて除去することにより、前記樹脂層における、前記銅層側の面を露出させて配線パターンを形成する工程とを備えた、配線パターン付樹脂積層体の製造方法。 - 前記エッチング液中の塩素の含有量が、100mg/L以下である、請求項1に記載の配線パターン付樹脂積層体の製造方法。
- 前記積層体として、シード層を前記銅層とする積層体を用い、
前記積層体における前記銅層上に該銅層が露出した第2開口部が形成されるようにめっきレジスト層を設け、次いで、該第2開口部内に電解めっき法により配線パターン層を形成した後、該めっきレジスト層を除去することにより、前記銅層が露出した前記第1開口部が形成されるように前記配線パターン層を設ける、請求項1に記載の配線パターン付樹脂積層体の製造方法。 - 前記エッチング剤が過硫酸塩からなる請求項1ないし3の何れか一項に記載の配線パターン付樹脂積層体の製造方法。
- 前記ポリビニルアセタール樹脂がポリビニルブチラール樹脂である請求項1ないし4の何れか一項に記載の配線パターン付樹脂積層体の製造方法。
- 前記積層体として、銅箔の一面に前記樹脂層が積層されてなる樹脂層付き銅箔を用いる請求項1ないし5の何れか一項に記載の配線パターン付樹脂積層体の製造方法。
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