JP6788860B2 - 発光装置、及び照明装置 - Google Patents

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Description

本発明は、発光素子が基板に配置された構成の発光装置、及びこれを用いた照明装置に関する。
発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子は、高効率で省スペースな光源として照明用途またはディスプレイ用途等の各種の照明装置に広く利用されている。特許文献１には、基板に配置されたＬＥＤを封止部材によって封止した発光装置が開示されている。
特開２０１２−２２７２９０号公報
ところで、発光装置において、基板に設けられた配線層に湿気または腐食ガスが侵入することにより、配線層が腐食し、電気的な接続が断たれてしまう場合がある。したがって、発光装置においては、ガスバリア性を高めることが課題となる。
本発明は、ガスバリア性が高められた発光装置及びこれを用いた照明装置を提供する。
本発明の一態様に係る発光装置は、基板と、前記基板上に配置された発光素子と、前記発光素子を封止する第一封止部材と、第二封止部材とを備え、前記基板は、基材と、前記基材上に配置された、前記発光素子に電気的に接続される配線層と、前記配線層の一部を覆う金属層と、前記配線層の他の一部を覆う絶縁層とを含み、前記第二封止部材は、前記金属層及び前記絶縁層の境界部を封止する。
本発明の一態様に係る照明装置は、前記発光装置と、前記発光装置に、当該発光装置を点灯させるための電力を供給する点灯装置とを備える。
本発明によれば、ガスバリア性が高められた発光装置及びこれを用いた照明装置が実現される。
図１は、実施の形態１に係る発光装置の外観斜視図である。 図２は、実施の形態１に係る発光装置の平面図である。 図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。 図４は、ガラスコート層の形状を示す平面図である。 図５は、めっき層が形成された領域を示す平面図である。 図６は、第一封止部材の構造を示す拡大断面図である。 図７は、めっき層及びガラスコート層の境界部の拡大断面図である。 図８は、封止部材のガスバリア性の評価結果を示す図である。 図９は、実施の形態２に係る照明装置の断面図である。 図１０は、実施の形態２に係る照明装置及びその周辺部材の外観斜視図である。
以下、実施の形態に係る発光装置等について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
なお、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化される場合がある。
（実施の形態１）
［発光装置の構成］
まず、実施の形態１に係る発光装置の構成について主として図１〜図３を参照しながら説明する。図１は、実施の形態１に係る発光装置の外観斜視図である。図２は、実施の形態１に係る発光装置の平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
発光装置１０は、基板１１に複数のＬＥＤチップ１２が直接実装された、いわゆるＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）構造のＬＥＤモジュールである。図１〜図３に示されるように、実施の形態１に係る発光装置１０は、基板１１と、複数のＬＥＤチップ１２と、第一封止部材１３と、第二封止部材１５と、ボンディングワイヤ１７とを備える。図３に示されるように、基板１１は、基材１１ａと、配線層１１ｂと、めっき層１１ｃと、ガラスコート層１１ｄとを含み、配線層１１ｂの一部は、めっき層１１ｃで覆われ、めっき層１１ｃで覆われた配線層１１ｂの一部は、例えば、図１及び図２に示される電極１６ａ及び電極１６ｂとして使用される。
［基板］
基板１１は、基材１１ａと、配線層１１ｂと、めっき層１１ｃと、ガラスコート層１１ｄとを含み、複数のＬＥＤチップ１２が配置される板材である。基板１１は、例えば、金属を基材１１ａとするメタルベース基板、または、セラミックを基材１１ａとするセラミック基板である。また、基板１１は、樹脂を基材１１ａとする樹脂基板であってもよい。
セラミック基板としては、酸化アルミニウム（アルミナ）からなるアルミナ基板または窒化アルミニウムからなる窒化アルミニウム基板等が採用される。また、メタルベース基板としては、例えば、表面に絶縁膜が形成された、アルミニウム合金基板、鉄合金基板または銅合金基板等が採用される。樹脂基板としては、例えば、ガラス繊維とエポキシ樹脂とからなるガラスエポキシ基板等が採用される。
なお、基板１１として、例えば光反射率が高い（例えば光反射率が９０％以上の）基板が採用されてもよい。基板１１として光反射率の高い基板が採用されることで、ＬＥＤチップ１２が発する光を基板１１の表面で反射させることができる。この結果、発光装置１０の光取り出し効率が向上される。このような基板としては、例えばアルミナを基材とする白色セラミック基板が例示される。
また、基板１１として、光透過率が高い透光性基板が採用されてもよい。このような基板としては、多結晶のアルミナや窒化アルミニウムからなる透光性セラミック基板、ガラスからなる透明ガラス基板、水晶からなる水晶基板、サファイアからなるサファイア基板または透明樹脂材料からなる透明樹脂基板が例示される。なお、実施の形態１では基板１１は矩形であるが、円形などその他の形状であってもよい。
配線層１１ｂは、複数のＬＥＤチップ１２を電気的に接続する。配線層１１ｂの一部は、めっき層１１ｃによって覆われ、配線層１１ｂの他の一部は、ガラスコート層１１ｄによって覆われる。配線層１１ｂは、例えば、銀（Ａｇ）により形成されるが、その他の金属によって形成されてもよい。
ガラスコート層１１ｄは、絶縁層の一例である、図３に示されるように、ガラスコート層１１ｄは、配線層１１ｂの上方に位置し、配線層１１ｂのうちめっき層１１ｃで覆われていない領域を覆う。また、ガラスコート層１１ｄは、第二封止部材１５を形成するための下地層としても機能し、ガラスコート層１１ｄの上方には、第二封止部材１５が形成される。図４は、ガラスコート層１１ｄの形状を示す平面図である。図４は、図２で第一封止部材１３及び第二封止部材１５を取り除いた図である。
図４に示されるように、ガラスコート層１１ｄは、複数のＬＥＤチップ１２の周囲に設けられた略円環状の配線層１１ｂの一部を覆うように設けられる。ガラスコート層１１ｄは、上面視した場合、複数のＬＥＤチップ１２を囲むように円環状に形成される。なお、ガラスコート層１１ｄは、矩形の環状に形成されてもよい。
ガラスコート層１１ｄは、ガラス材料からなり、基材１１ａ及び配線層１１ｂよりも表面粗さが粗い。このため、基材１１ａまたは配線層１１ｂの上に第二封止部材１５が形成される場合よりも、ガラスコート層１１ｄの上に第二封止部材１５が形成される場合のほうが、第二封止部材１５の基板１１への密着性は高くなる。なお、ガラスコート層１１ｄの厚みは、５μｍ〜５０μｍ程度である。ガラスコート層１１ｄの厚みを厚くすることにより、第二封止部材１５の材料の使用量を低減できる。
めっき層１１ｃは、金属層の一例である。図３に示されるように、めっき層１１ｃは、配線層１１ｂの上方に位置し、配線層１１ｂのうちガラスコート層１１ｄで覆われていない領域を覆う。めっき層１１ｃは、ボンディングワイヤ１７を接続するために、配線層１１ｂに形成される。めっき層１１ｃは、具体的には、配線層１１ｂのうちガラスコート層１１ｄで覆われていない領域に形成される。図５は、めっき層１１ｃが形成された領域を示す平面図であり、めっき層１１ｃは、配線層１１ｂのうち図５でハッチングされた領域に形成される。なお、図５は、図４でガラスコート層１１ｄを取り除いた図である。
めっき層１１ｃを形成する主な材料は、例えば、金（Ａｕ）であるが、その他の金属であってもよい。めっき層１１ｃの具体的な構造は、特に限定されない。なお、配線層１１ｂのうち、めっき層１１ｃで覆われた部分には、電極１６ａ及び電極１６ｂが含まれる。電極１６ａ及び電極１６ｂは、発光装置１０に外部電源から電力供給するために用いられる電極であり、外部電源の出力端子が電気的に接続される。
［ＬＥＤチップ］
ＬＥＤチップ１２は、発光素子の一例であって、青色光を発する青色ＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ１２としては、例えばＩｎＧａＮ系の材料によって構成された、中心波長（発光スペクトルのピーク波長）が４３０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の窒化ガリウム系のＬＥＤチップが採用される。
基板１１上には、複数のＬＥＤチップ１２からなる発光素子列が複数設けられている。図４及び図５に示されるように、構造的には、円形状に対応して発光素子列が７列、基板１１上に設けられている。
電気的には、１２個の直列接続されたＬＥＤチップ１２からなる発光素子列が５列、基板１１上に設けられる。これら５列の発光素子列は並列接続され、電極１６ａと電極１６ｂとの間に電力が供給されることにより発光する。
また、直列接続されたＬＥＤチップ１２同士は、主に、ボンディングワイヤ１７によってＣｈｉｐ Ｔｏ Ｃｈｉｐで電気的に接続される（一部のＬＥＤチップ１２については、配線層１１ｂを介して電気的に接続される）。ボンディングワイヤ１７は、例えば、金（Ａｕ）によって形成されるが、銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等のその他の金蔵によって形成されてもよい。なお、発光装置１０は、少なくとも１つのＬＥＤチップ１２を備えればよい。
［第一封止部材］
第一封止部材１３は、複数のＬＥＤチップ１２、ボンディングワイヤ１７、及び、めっき層１１ｃの一部を封止する封止部材である。平面視において、第一封止部材１３は、円環状の第二封止部材１５にせき止められることによって円形状に形成される。なお、平面視とは、基板１１の主面に垂直な方向から見ることを意味する。
図６に示されるように、第一封止部材１３は、具体的には、波長変換材として複数の黄色蛍光体粒子１３ｂ（蛍光体）を含んだ透光性樹脂材料１３ａで構成され、透光性を有する。図６は、第一封止部材１３の構造を示す拡大断面図（図３の領域ＶＩを拡大した図）である。
透光性樹脂材料１３ａとしては、例えば、シリコーン樹脂が用いられるが、エポキシ樹脂またはユリア樹脂などが用いられてもよい。また、黄色蛍光体粒子１３ｂには、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系の蛍光体粒子が採用される。
この構成により、ＬＥＤチップ１２が発した青色光の一部は、第一封止部材１３に含まれる黄色蛍光体粒子１３ｂによって黄色光に波長変換される。そして、黄色蛍光体粒子１３ｂに吸収されなかった青色光と、黄色蛍光体粒子１３ｂによって波長変換された黄色光とは、第一封止部材１３中で拡散及び混合される。これにより、第一封止部材１３からは、白色光が出射される。なお、第一封止部材１３は、ＬＥＤチップ１２及びボンディングワイヤ１７を、塵芥、水分、外力等から保護する機能も有する。
［第二封止部材］
第二封止部材１５は、主としてガラスコート層１１ｄの上に配置された、第一封止部材１３とは別の部材であって、硬化される前の第一封止部材１３をせき止めるための部材である。第二封止部材１５は、言い換えれば、ダム材であり、第一封止部材１３に隣接する。
第二封止部材１５には、例えば、絶縁性を有する熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂等が用いられる。より具体的には、第二封止部材１５には、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂などが用いられる。
第二封止部材１５は、発光装置１０の光取り出し効率を高めるために、光反射性を有することが望ましい。そこで、実施の形態１では、第二封止部材１５には、白樹脂（白色の顔料などを含む樹脂）が用いられる。なお、第二封止部材１５の光反射性を高めるために、第二封止部材１５の中には、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、及びＭｇＯ等の粒子が含まれてもよい。
発光装置１０においては、第二封止部材１５は、上面視した場合、複数のＬＥＤチップ１２を囲むように円環状に形成される。これにより、発光装置１０の光の取り出し効率を高めることができる。なお、第二封止部材１５は、ガラスコート層１１ｄと同様に、外形が矩形の環状に形成されてもよい。
なお、実施の形態１では、第二封止部材１５には、蛍光体粒子は含まれない。また、第二封止部材１５内にはＬＥＤチップ１２は配置されず、第二封止部材１５は、ＬＥＤチップ１２を封止しない。しかしながら、第二封止部材１５は、蛍光体粒子を含み、ＬＥＤチップ１２を封止してもよい。
［発光装置のガスバリア性］
発光装置１０においては、第二封止部材１５は、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界部においてガスバリア性が低いことが課題である。図７は、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界部の拡大断面図（図３の領域ＶＩＩを拡大した図）である。なお、図７では、めっき層１１ｃは、下から順にニッケル１１ｅ、パラジウム１１ｆ、金１１ｇが積層された３層構造であるとして説明される。つまり、めっき層１１ｃは、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層である。
基板１１の製造においては、基材１１ａに配線層１１ｂを印刷し、その後、配線層１１ｂの一部を覆うように、ガラスコート層１１ｄが形成される。ガラスコート層１１ｄは、ガラスペーストが印刷されためっき処理前の基板１１が焼成されることによって形成される。その後、配線層１１ｂのガラスコート層１１ｄが形成された領域とは異なる領域に、めっき処理によってめっき層１１ｃが形成される。
そうすると、めっき層１１ｃのうち、ガラスコート層１１ｄに近い部分は、工法上、厚みが薄くなり、ガスバリア性が低下する。この結果、発光装置１０は、湿気、及び、配線層１１ｂを腐食させる腐食ガス環境下における信頼性が低下する。具体的には、ガルバニック腐食によって、金１１ｇよりも標準電極電位が低い、ニッケル１１ｅ、パラジウム１１ｆ、配線層１１ｂ（銀）が腐食する。そして、配線層１１ｂが断線する場合がある。
そこで、発光装置１０においては、本来、ガラスコート層１１ｄの上に形成される第二封止部材１５が、境界部１４の上にまで達している。つまり、第二封止部材１５は、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄにまたがって配置され、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界部１４を封止する。
上記図４及び図５に示されるように、平面視においては、境界部１４（図４及び図５では符号なし）は、円弧状のめっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界線に沿って断続的に形成される。そして、平面視において、第二封止部材１５は、境界部１４を境界線に沿って封止する円環状であり、第一封止部材１３を囲んでいる。
このように、境界部１４が第二封止部材１５によって封止されることにより、境界部１４のガスバリア性が高められ、配線層１１ｂの腐食を抑制することができる。
なお、境界部１４のガスバリア性を高める観点から、第二封止部材１５は、硬いほうがよい。例えば、第二封止部材１５のタイプＡデュロメータ硬さは、４５以上であるとよい。ここでのデュロメータ硬さは、ＪＩＳ Ｋ ６２５３−３において規定されるタイプＡデュロメータ硬さである。図８は、封止部材のガスバリア性の評価結果を示す図である。
図８に示される評価結果は、発光装置１０の封止領域（第一封止部材１３及び第二封止部材１５が配置される領域）を４種類の封止部材によって封止し、環境温度４０℃湿度９５％の環境下に放置した場合の故障（不点灯）の発生の有無を示す。上記環境の雰囲気中には、腐食ガスとして、硫化水素が２ｐｐｍ、二酸化窒素が４ｐｐｍ含まれている。なお、この評価は、封止部材に封止されない部分（例えば、電極１６ａ及び電極１６ｂ）がポリイミドテープによって保護された状態で行われた。
４種類の封止部材は、いずれも種類（品番）が異なるシリコーン樹脂である。図８中の「ＯＫ」は、放置後も複数のＬＥＤチップ１２の全部が問題なく点灯したことを示す。「ＮＧ」は、放置後、複数のＬＥＤチップ１２の少なくとも一部が点灯しなかった（つまり、配線層１１ｂが断線した）ことを示す。
封止部材（ａ）は、８５時間の放置までは複数のＬＥＤチップ１２の全部が問題なく点灯したが、１５２時間以上放置すると、複数のＬＥＤチップ１２の少なくとも一部が点灯しなかった。封止部材（ａ）のタイプＡデュロメータ硬さは、２５である。
封止部材（ｂ）は、４５０時間放置しても複数のＬＥＤチップ１２の全部が問題なく点灯した。封止部材（ｂ）のタイプＡデュロメータ硬さは、４５である。
封止部材（ｃ）は３４０時間の放置までは複数のＬＥＤチップ１２の全部が問題なく点灯したが、４５０時間放置すると、複数のＬＥＤチップ１２の少なくとも一部が点灯しなかった。封止部材（ｃ）のタイプＡデュロメータ硬さは、２５である。
封止部材（ｄ）は、４５０時間放置しても複数のＬＥＤチップ１２の全部が問題なく点灯した。封止部材（ｄ）のタイプＡデュロメータ硬さは、４５である。
以上の評価結果から、封止部材は、硬いほどガスバリア性が高い傾向がある。このため、例えば、第二封止部材１５のタイプＡデュロメータ硬さは、４５以上であるとよい。これにより、上記環境４５０時間以上放置されても、配線層１１ｂの断線が生じにくい効果が得られる。
なお、第二封止部材１５のガスバリア性を高めるために、例えば、第二封止部材１５は、ガス吸着材を含んでもよい。ガス吸着材としては、ゼオライトが例示される。第二封止部材１５にガス吸着剤が含まれる場合には、ガス吸着剤の光への影響を軽減するために、第二封止部材１５は、黒樹脂（黒色の顔料などを含む樹脂）によって形成されてもよい。
また、第二封止部材１５は、ガスバリア性を高める効果のある遷移金属元素を含んでもよい。第二封止部材１５は、具体的には、ＤＩＣ社製、レアアース−ＯＣＴＡＴＥ６％などの希土類元素を含む金属石鹸である。なお、希土類元素は、遷移金属元素に含まれる。また、第二封止部材１５は、日本化学産業社製、ニッカオクチックス 鉄などの遷移金属元素を金属として有する金属石鹸（オクチル酸金属石鹸）を含んでもよい。
また、第二封止部材１５は、メチル系のシリコーン樹脂よりもガスバリア性が高いフェニル系のシリコーン樹脂によって形成されてもよい。
また、第二封止部材１５にシリコーン樹脂が用いられる場合、このシリコーン樹脂は、付加反応型のシリコーン樹脂であるとよい。付加反応型のシリコーン樹脂は硬化によりほとんど収縮しないため、硬化により収縮する縮合型のシリコーン樹脂よりも気泡が生じにくい。したがって、第二封止部材１５が付加反応型のシリコーン樹脂によって形成されれば、気泡の発生により、ガスバリア性が低下することが抑制される。
なお、第一封止部材１３についても、黄色蛍光体粒子１３ｂの劣化を抑制するために、ガスバリア性が高められるほうがよい。そこで、第一封止部材１３も、第二封止部材１５と同様に、上記ゼオライトなどのガス吸着材、または、遷移金属元素を含むことで、ガスバリア性が高められてもよい。第一封止部材１３は、フェニル系のシリコーン樹脂によって形成されてもよいし、付加反応型のシリコーン樹脂によって形成されてもよい。
また、第一封止部材１３にも硬い材料が用いられてもよい。しかしながら、第一封止部材１３が硬いと、温度変化による第一封止部材１３の収縮によってボンディングワイヤ１７が断線する場合がある。このため、第一封止部材１３には、柔らかい材料が用いられ、第二封止部材１５には硬い材料が用いられるとよい。つまり、第二封止部材１５は、第一封止部材１３よりも硬いとよい。
［効果等］
以上説明したように、発光装置１０は、基板１１と、基板１１上に配置されたＬＥＤチップ１２と、ＬＥＤチップ１２を封止する第一封止部材１３と、第二封止部材１５とを備える。基板１１は、基材１１ａと、基材１１ａ上に配置された、ＬＥＤチップ１２に電気的に接続される配線層１１ｂと、配線層１１ｂの一部を覆うめっき層１１ｃと、配線層１１ｂの他の一部を覆うガラスコート層１１ｄとを含む。第二封止部材１５は、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界部１４を封止する。ＬＥＤチップ１２は、発光素子の一例であり、めっき層１１ｃは、金属層の一例であり、ガラスコート層１１ｄは、絶縁層の一例である。
これにより、第二封止部材１５によって、境界部１４から湿気及び腐食ガスが侵入することを抑制することができる。つまり、発光装置１０のガスバリア性を高めることができる。
また、第二封止部材１５は、第一封止部材１３よりも硬くてもよい。
これにより、第二封止部材１５によって、境界部１４から湿気及び腐食ガスが侵入することをさらに抑制することができる。つまり、発光装置１０のガスバリア性をさらに高めることができる。言い換えれば、発光装置１０の信頼性を高めることができる。
また、第二封止部材１５のタイプＡデュロメータ硬さは、４５以上であってもよい。
これにより、第二封止部材１５によって、境界部１４から湿気及び腐食ガスが侵入することをさらに抑制することができる。つまり、発光装置１０のガスバリア性をさらに高めることができる。
また、第一封止部材１３及び第二封止部材１５は、付加反応型のシリコーン樹脂により形成されてもよい。
これにより、第一封止部材１３及び第二封止部材１５に気泡などが生じにくいため、第一封止部材１３及び第二封止部材１５のガスバリア性が高められる。
また、第一封止部材１３及び第二封止部材１５の少なくとも一方は、遷移金属元素を含んでもよい。
これにより、遷移金属元素によって第二封止部材１５のガスバリア性が高められる。
また、境界部１４は、平面視において円弧状である、めっき層１１ｃ及びガラスコート層１１ｄの境界線に沿って形成され、平面視において、第二封止部材１５は、境界部１４を境界線に沿って封止する円環状であり、第一封止部材１３を囲んでもよい。
これにより、第一封止部材１３を囲むダム材として機能する第二封止部材１５を利用して、境界部１４から湿気及び腐食ガスが侵入することを抑制することができる。
また、金属層は、金を含み、絶縁層は、ガラスにより形成されてもよい。
これにより、金を含む金属層と、ガラスにより形成される絶縁層との境界部１４から湿気及び腐食ガスが侵入することを、第二封止部材１５によって抑制することができる。
（実施の形態２）
実施の形態２では、発光装置１０を備える照明装置について、図９及び図１０を用いて説明する。図９は、実施の形態２に係る照明装置の断面図である。図１０は、実施の形態２に係る照明装置及びその周辺部材の外観斜視図である。
図９及び図１０に示されるように、実施の形態２に係る照明装置２００は、例えば、住宅等の天井に埋込配設されることにより下方（廊下または壁等）に光を照射するダウンライト等の埋込型照明装置である。
照明装置２００は、発光装置１０を備える。照明装置２００はさらに、基部２１０と枠体部２２０とが結合されることで構成される略有底筒状の器具本体と、当該器具本体に配置された、反射板２３０及び透光パネル２４０とを備える。
基部２１０は、発光装置１０が取り付けられる取付台であるとともに、発光装置１０で発生する熱を放熱するヒートシンクである。基部２１０は、金属材料を用いて略円柱状に形成されており、実施の形態２ではアルミニウムにより形成される。
基部２１０の上部（天井側部分）には、上方に向かって突出する複数の放熱フィン２１１が一方向に沿って互いに一定の間隔をあけて設けられている。これにより、発光装置１０で発生する熱を効率よく放熱させることができる。
枠体部２２０は、内面に反射面を有する略円筒状のコーン部２２１と、コーン部２２１が取り付けられる枠体本体部２２２とを有する。コーン部２２１は、金属材料を用いて成形されており、例えば、アルミニウム合金等を絞り加工またはプレス成形することによって作製することができる。枠体本体部２２２は、硬質の樹脂材料または金属材料によって成形されている。枠体部２２０は、枠体本体部２２２が基部２１０に取り付けられることによって固定されている。
反射板２３０は、内面反射機能を有する円環枠状（漏斗状）の反射部材である。反射板２３０は、例えばアルミニウム等の金属材料を用いて形成することができる。なお、反射板２３０は、金属材料ではなく、硬質の白色樹脂材料によって形成してもよい。
透光パネル２４０は、光拡散性及び透光性を有する透光部材である。透光パネル２４０は、反射板２３０と枠体部２２０との間に配置された平板プレートであり、反射板２３０に取り付けられている。透光パネル２４０は、例えば、アクリルまたはポリカーボネート等の透明樹脂材料によって円盤状に形成することができる。
なお、照明装置２００は、透光パネル２４０を備えなくてもよい。透光パネル２４０を備えないことで、照明装置２００から出射される光の光束を向上させることができる。
また、図１０に示されるように、照明装置２００には、発光装置１０に、当該発光装置１０を点灯させるための電力を供給する点灯装置２５０と、商用電源からの交流電力を点灯装置２５０に中継する端子台２６０とが接続される。点灯装置２５０は、具体的には、端子台２６０から中継される交流電力を直流電力に変換して発光装置１０に出力する。
点灯装置２５０及び端子台２６０は、器具本体とは別体に設けられた取付板２７０に固定される。取付板２７０は、金属材料からなる矩形板状の部材を折り曲げて形成されており、その長手方向の一端部の下面に点灯装置２５０が固定されるとともに、他端部の下面に端子台２６０が固定される。取付板２７０は、器具本体の基部２１０の上部に固定された天板２８０と互いに連結される。
以上説明したように、照明装置２００は、発光装置１０と、発光装置１０に、当該発光装置１０を点灯させるための電力を供給する点灯装置２５０とを備える。このような照明装置２００においても、発光装置１０のガスバリア性を高めることができる。
なお、実施の形態２では、照明装置として、ダウンライトが例示されたが、本発明は、スポットライトなどの他の照明装置として実現されてもよい。
（他の実施の形態）
以上、実施の形態に係る発光装置及び照明装置について説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。
上記実施の形態では金属層として、めっき層が例示されたが、金属層は、めっき層に限定されない。金属層は、蒸着または印刷など、めっき処理以外の処理によって配線層の一部を覆ってもよい。
また、上記実施の形態では、絶縁層としてガラスコート層が例示されたが、絶縁層は、ガラスコート層に限定されるものではない。絶縁層は、絶縁性を有する材料であればよい。絶縁層は、例えば、ポリイミドなどによって形成された、配線層を覆うカバーレジストであってもよい。
また、上記実施の形態では、ガラスコート層及び第二封止部材は、ＬＥＤチップを囲む環状に形成されたが、ガラスコート層及び第二封止部材の形状等は、特に限定されるものではない。例えば、ガラスコート層及び第二封止部材は、矩形環状に形成されてもよい。
また、上記実施の形態では、発光装置は、青色光を発するＬＥＤチップと黄色蛍光体粒子との組み合わせによって白色光を放出したが、白色光を放出するための構成はこれに限らない。
例えば、青色光を発するＬＥＤチップと、赤色蛍光体粒子および緑色蛍光体粒子とが組み合わされてもよい。また、青色光を発するＬＥＤチップよりも短波長である紫外光を放出する紫外ＬＥＤチップと、主に紫外光により励起されることで青色光、赤色光および緑色光を放出する、青色蛍光体粒子、緑色蛍光体粒子および赤色蛍光体粒子とが組み合わされてもよい。
また、上記実施の形態では、基板に実装されたＬＥＤチップは、他のＬＥＤチップとボンディングワイヤによって、Ｃｈｉｐ Ｔｏ Ｃｈｉｐで接続された。しかしながら、ＬＥＤチップは、ボンディングワイヤによって基板の配線層に接続され、当該配線層を介して他のＬＥＤチップと電気的に接続されてもよい。
また、上記実施の形態では、発光装置に用いられる発光素子としてＬＥＤチップが例示された。しかしながら、半導体レーザ等の半導体発光素子、または、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）もしくは無機ＥＬ等のＥＬ素子等の他の種類の固体発光素子が、発光素子として採用されてもよい。
また、発光装置には、発光色が異なる２種類以上の発光素子が用いられてもよい。例えば、発光装置は、演色性を高めるなどの目的で、青色光を発するＬＥＤチップに加えて赤色光を発するＬＥＤチップを備えてもよい。
その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態、または、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
１０ 発光装置
１１ 基板
１１ａ 基材
１１ｂ 配線層
１１ｃ めっき層（金属層）
１１ｄ ガラスコート層（絶縁層）
１１ｇ 金
１２ ＬＥＤチップ（発光素子）
１３ 第一封止部材
１４ 境界部
１５ 第二封止部材
２００ 照明装置
２５０ 点灯装置

Claims (9)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置された発光素子と、
    前記発光素子を封止する第一封止部材と、
    第二封止部材とを備え、
    前記基板は、
    基材と、
    前記基材上に配置された、前記発光素子に電気的に接続される配線層と、
    前記配線層の一部を覆う金属層と、
    前記配線層の他の一部を覆う絶縁層とを含み、
    前記第二封止部材は、前記金属層及び前記絶縁層の境界部を封止し、
    前記境界部において、前記金属層の厚みは、前記絶縁層に近づくほど薄くなる
    発光装置。
  2. 前記境界部において、前記絶縁層の厚みは、前記金属層に近づくほど薄くなる
    請求項１に記載の発光装置。
  3. 前記第二封止部材は、前記第一封止部材よりも硬い
    請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記第二封止部材のタイプＡデュロメータ硬さは、４５以上である
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 前記第一封止部材及び前記第二封止部材は、付加反応型のシリコーン樹脂により形成される
    請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 前記第一封止部材及び前記第二封止部材の少なくとも一方は、遷移金属元素を含む
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 前記境界部は、平面視において円弧状である、前記金属層及び前記絶縁層の境界線に沿って形成され、
    平面視において、前記第二封止部材は、前記境界部を前記境界線に沿って封止する円環状であり、前記第一封止部材を囲む
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
  8. 前記金属層は、金を含み、
    前記絶縁層は、ガラスにより形成される
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置に、当該発光装置を点灯させるための電力を供給する点灯装置とを備える
    照明装置。
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