JP6786637B2 - Rf増幅器アーキテクチャおよび関連技術 - Google Patents

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Description

本明細書に開示される主題は、概して、無線周波数(RF)回路に関し、より具体的には、高線形性および高効率性を同時に達成することが可能であるRF増幅器および伝送機を実装するためのデバイス、システム、および技術に関する。
当技術分野で周知のように、無線周波数(RF)伝送機は、RF信号を生成するデバイスである。RF伝送機が、例えば、ある距離にわたって情報を移送するために電磁波(電波)を使用する無線通信システムの一部として含まれ得る。
また、周知のように、トレードオフが、概して、エネルギー効率性と線形性との間でRF通信伝送機において行われなければならない。RF伝送機および対応するRF増幅器の数十年もの開発にわたり、概して、確かに、高効率性または高線形性のいずれかを得ることは可能であるが、両方は得ることは可能ではなかった。したがって、ユーザが、高効率性と高線形性との両方を伴って、RF信号を増幅し、および/またはRF信号を搬送するデータを伝送することを可能にするシステムおよび技術を提供することが望ましいであろう。
無線周波数(RF)信号が、高効率性と高線形性との両方を伴って、増幅および/または伝送されることを可能にするシステムおよび技術が、本明細書で説明される。デジタル制御が、1つ以上の電力増幅器に印加されるRF入力信号の振幅および位相との両方にわたって維持され得る。デジタル制御はまた、1つ以上の電力増幅器に印加される供給電圧にわたって維持され得る。いくつかの実施形態では、非線形電力増幅器が、RF伝送機内部で高電力効率を達成するために使用され得る。デジタル制御技術が、線形性を達成するため、かつ効率性をさらに向上させるために使用され得る。少なくとも1つの実装では、1つ以上の電力増幅器の1つ以上のRF入力信号の振幅は、所望の出力電力レベルを生成するために、電力増幅器におけるバックオフを達成するように制御され得る。
本明細書に説明される概念、システム、回路、および技術の一側面によると、RF電力増幅器システムは、RF電力増幅器と、振幅値および位相値を示す入力情報に基づいて、RF電力増幅器のためのRF入力信号を生成するデジタル/RF変調器と、制御信号に応答して、可変供給電圧をRF電力増幅器に提供する電圧制御ユニットであって、可変供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択される、ユニットと、少なくとも部分的に、RF伝送機から伝送されるデータに基づいて、入力情報をデジタル/RF変調器に、かつ制御信号を電圧制御ユニットに提供するコントローラであって、少なくとも部分的に、RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うように構成されている、コントローラとを備えている。
一実施形態では、コントローラは、デジタル/RF変調器のための振幅および位相値と、電力増幅器RFのための電圧値とを選択するように構成され、RF電力増幅器システムの出力信号の中で伝送データの正確な表現を生成する。
一実施形態では、コントローラは、少なくとも部分的に、少なくとも1つの前のサンプル、現在のデータサンプル、および少なくとも1つの後のデータサンプルのために選択される電圧レベルに基づいて、現在のデータサンプルのための個別の電圧レベルを選択するように構成されている。
一実施形態では、電圧制御ユニットは、電力増幅器に印加される電圧信号をフィルタ処理する移行成形フィルタを含む。
一実施形態では、コントローラは、低減された数の電圧レベル移行によって効率的な電力増幅器動作を達成する方法で、電力増幅器のための電圧レベル変更決定を行うように構成されている。
一実施形態では、コントローラは、既定の増幅器性能基準に基づいて、経時的に、データサンプルのウィンドウの長さを適合させることが可能である。
一実施形態では、データサンプルのウィンドウは、固定長を有する。
一実施形態では、コントローラは、経時的に、電圧制御ユニットによって使用される複数の個別の電圧レベルの1つ以上の値を適合させるように構成されている。
一実施形態では、現在のサンプルのための電力増幅器による使用のための電圧レベルを決定するために、コントローラは、データサンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルのために使用されたよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、現在のサンプルとの使用のために、前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択するように構成されている。
一実施形態では、現在のサンプルのための電力増幅器による使用のための電圧レベルを決定するために、コントローラはさらに、データサンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、前のサンプルのために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、現在のサンプルのために、前のサンプルのために使用された電圧レベルを使用し、前のサンプルのために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、現在のサンプルのために、新しい電圧レベルを選択するように構成されている。
一実施形態では、コントローラは、より高い電圧レベルの必要性が、データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して持続時間が短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために要求されるよりも低い電力増幅器のための電圧値を選択することが可能である。
一実施形態では、コントローラは、より低い電圧レベルが十分である持続時間が、前記データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために十分である最小電圧よりも高い電力増幅器のための電圧値を選択することが可能である。
一実施形態では、RF電力増幅器は、第1のRF電力増幅器であり、RF電力増幅器システムはさらに、少なくとも1つの追加のRF電力増幅器と、第1のRF電力増幅器および少なくとも1つの追加のRF電力増幅器の出力信号を組み合わせる結合器とを備えている。
本明細書に説明される概念、システム、回路、および技術の別の側面によると、電力増幅器を駆動するデジタル/RF変調器を有するRF伝送機を動作させる機械実装方法は、RF伝送機から伝送されるべき伝送データを取得することと、少なくとも部分的に、伝送データに基づいて、デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することであって、入力情報は、デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および位相を制御する、ことと、少なくとも部分的に、伝送データに基づいて、電力増幅器のための供給電圧を選択することであって、供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うことを含む、こととを含む。
一実施形態では、本方法はさらに、電力増幅器の出力信号を伝送のために1つ以上のアンテナに送達することを含む。
一実施形態では、本方法はさらに、少なくとも部分的に、少なくとも1つの前のサンプル、現在のデータサンプル、および少なくとも1つの後のデータサンプルのために選択される電圧レベルに基づいて、現在のデータサンプルのための個別の供給電圧レベルを選択することを含む。
一実施形態では、デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および個別の供給電圧レベルの選択は、RF伝送機の所望の瞬間出力電力を達成するように制御される。
一実施形態では、電力増幅器のための供給電圧を選択することは、サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することを含む。
一実施形態では、電力増幅器のための供給電圧を選択することはさらに、サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、前のサンプルを支持するために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、現在のサンプルのために、前のサンプルを支持するために使用された電圧レベルを使用することを継続することと、前のサンプルを支持するために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、現在のサンプルとの使用のために、十分である新しい電圧レベルを選択することとを含む。
一実施形態では、全てのサンプルを支持するために、前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することは、可能な限り低く、かつ依然として、ウィンドウ内の全てのサンプルのために所望の瞬間出力電力レベルを生成することが可能である新しい電圧レベルを選択することを含む。
一実施形態では、現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することは、現在のサンプルのための所望の瞬間出力電力レベルを生成するために、可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む。
本明細書に説明される概念、システム、回路、および技術のさらなる別の側面によると、装置は、コンピュータによって実行されると、電力増幅器を駆動するデジタル/無線周波数(RF)変調器を有するRF伝送機を動作させる方法を実施する、それに記憶される命令を有するコンピュータ読み取り可能な媒体を備え、本方法は、RF伝送機から伝送されるべき伝送データを取得することと、少なくとも部分的に、伝送データに基づいて、デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することであって、入力情報は、デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および位相を制御する、ことと、少なくとも部分的に、伝送データに基づいて、電力増幅器のための供給電圧を選択することであって、供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択され、供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、RF電力増幅器のための供給電圧レベルに関する決定を行うことを含む、こととを含む。
一実施形態では、電力増幅器のための供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、データサンプル、少なくとも1つの後続データサンプル、および少なくとも1つの前のサンプルのために選択された電圧レベルに基づいて、データサンプルのための個別の供給電圧レベルを選択することを含む。
一実施形態では、デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することは、RF伝送機の出力において所望の電力レベルを達成する方法で、デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅を制御する入力情報を提供することを含む。
一実施形態では、電力増幅器のための供給電圧を選択することは、低減された数の電圧レベル移行によって効率的な電力増幅器動作を達成する方法で行われる。
一実施形態では、本方法はさらに、既定の基準に基づいて、経時的に、データサンプルのウィンドウの長さを適合させることを含む。
一実施形態では、データサンプルのウィンドウは、固定長を有する。
本明細書に説明される概念、システム、回路、および技術のさらなる側面によると、伝送される入力データに基づいて、無線周波数(RF)伝送機内の電力増幅器のための電圧レベルを選択する機械実装方法は、伝送機から伝送されるべきサンプルのウィンドウを識別することと、サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の瞬間出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することとを含む。
一実施形態では、本方法はさらに、ウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、前のサンプルのために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、現在のサンプルのための前のサンプルのために使用された電圧レベルを使用することと、前のサンプルのために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することとを含む。
一実施形態では、前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することは、ウィンドウ内の全てのサンプルを支持するために、可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む。
一実施形態では、現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することは、現在のサンプルとの使用のために、可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
無線周波数(RF)電力増幅器システムであって、
RF電力増幅器と、
振幅値および位相値を示す入力情報に基づいて、前記RF電力増幅器のためのRF入力信号を生成するデジタル/RF変調器と、
制御信号に応答して、可変供給電圧を前記RF電力増幅器に提供する電圧制御ユニットであって、前記可変供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択される、電圧制御ユニットと、
少なくとも部分的に、RF伝送機から伝送されるべきデータに基づいて、前記入力情報を前記デジタル/RF変調器に、かつ前記制御信号を前記電圧制御ユニットに提供するコントローラであって、前記コントローラは、少なくとも部分的に、前記RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、前記RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うように構成されている、コントローラと
を備えている、RF電力増幅器システム。
(項目2)
前記コントローラは、前記RF電力増幅器システムの出力信号の中で前記伝送データの正確な表現を生成するために、前記デジタル/RF変調器のための振幅および位相値と、前記RF電力増幅器のための電圧値とを選択するように構成されている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目3)
前記コントローラは、少なくとも部分的に、少なくとも1つの前のサンプル、現在のデータサンプル、および少なくとも1つの後のデータサンプルのために選択される電圧レベルに基づいて、前記現在のデータサンプルのための個別の電圧レベルを選択するように構成されている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目4)
前記電圧制御ユニットは、前記電力増幅器に印加される電圧信号をフィルタ処理する移行成形フィルタを含む、項目3に記載のRF電力増幅器システム。
(項目5)
前記コントローラは、低減された数の電圧レベル移行によって効率的な電力増幅器動作を達成する方法で、前記電力増幅器のための電圧レベル変更決定を行うように構成されている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目6)
前記コントローラは、既定の増幅器性能基準に基づいて、前記データサンプルのウィンドウの長さを経時的に適合させることが可能である、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目7)
前記データサンプルのウィンドウは、固定長を有する、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目8)
前記コントローラは、前記電圧制御ユニットによって使用される前記複数の個別の電圧レベルの1つ以上の値を経時的に適合させるように構成されている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目9)
現在のサンプルのための前記電力増幅器による使用のための電圧レベルを決定するために、前記コントローラは、
前記データサンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルのために使用されたよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前記現在のサンプルとの使用のために、前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択するように構成されている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目10)
現在のサンプルのための前記電力増幅器による使用のための電圧レベルを決定するために、前記コントローラは、
前記データサンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前記前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、
前記前のサンプルのために使用された電圧レベルが、前記現在のサンプルとの使用のために十分である場合、前記現在のサンプルのために、前記前のサンプルのために使用された前記電圧レベルを使用し、
前記前のサンプルのために使用された前記電圧レベルが、前記現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、前記現在のサンプルのために、新しい電圧レベルを選択する
ようにさらに構成されている、項目9に記載のRF電力増幅器システム。
(項目11)
前記コントローラは、より高い電圧レベルの必要性が、前記データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して持続時間が短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために要求されるよりも低い前記電力増幅器のための電圧値を選択することが可能である、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目12)
前記コントローラは、より低い電圧レベルが十分である持続時間が、前記データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために十分である最小電圧よりも高い前記電力増幅器のための電圧値を選択することが可能である、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目13)
前記RF電力増幅器は、第1のRF電力増幅器であり、
前記RF電力増幅器システムは、
少なくとも1つの追加のRF電力増幅器と、
前記第1のRF電力増幅器の出力信号と前記少なくとも1つの追加のRF電力増幅器の出力信号とを組み合わせる結合器と
をさらに備えている、項目1に記載のRF電力増幅器システム。
(項目14)
電力増幅器を駆動するデジタル/無線周波数(RF)変調器を有するRF伝送機を動作させる機械実装方法であって、前記方法は、
前記RF伝送機から伝送されるべき伝送データを取得することと、
少なくとも部分的に、前記伝送データに基づいて、前記デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することであって、前記入力情報は、前記デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および位相を制御する、ことと、
少なくとも部分的に、前記伝送データに基づいて、前記電力増幅器のための供給電圧を選択することであって、供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、前記RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、前記RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うことを含む、ことと
を含む、方法。
(項目15)
前記電力増幅器の出力信号を伝送のために1つ以上のアンテナに送達することをさらに含む、項目14に記載の方法。
(項目16)
少なくとも部分的に、少なくとも1つの前のサンプル、現在のデータサンプル、および少なくとも1つの後のデータサンプルのために選択される電圧レベルに基づいて、前記現在のデータサンプルのための個別の供給電圧レベルを選択することをさらに含む、項目14に記載の方法。
(項目17)
前記デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および前記個別の供給電圧レベルの選択は、前記RF伝送機の所望の瞬間出力電力を達成するように制御される、項目16に記載の方法。
(項目18)
前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、
前記サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することを含む、項目14に記載の方法。
(項目19)
前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、
前記サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、前記所望の出力電力を達成するために、前記前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、
前記前のサンプルを支持するために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、前記現在のサンプルのために、前記前のサンプルを支持するために使用された前記電圧レベルを使用することを継続することと、
前記前のサンプルを支持するために使用された前記電圧レベルが、前記現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、前記現在のサンプルとの使用のために、十分である新しい電圧レベルを選択することと
をさらに含む、項目18に記載の方法。
(項目20)
全てのサンプルを支持するために、前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することは、可能な限り低く、かつ依然として、前記ウィンドウ内の全てのサンプルのために所望の瞬間出力電力レベルを生成することが可能である新しい電圧レベルを選択することを含む、項目18に記載の方法。
(項目21)
前記現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することは、前記現在のサンプルのための所望の瞬間出力電力レベルを生成するために、可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む、項目18に記載の方法。
(項目22)
命令を記憶しているコンピュータ読み取り可能な媒体を備えている装置であって、前記命令は、コンピュータによって実行されると、電力増幅器を駆動するデジタル/無線周波数(RF)変調器を有するRF伝送機を動作させる方法を実施し、前記方法は、
RF伝送機から伝送されるべき伝送データを取得することと、
少なくとも部分的に、前記伝送データに基づいて、前記デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することであって、前記入力情報は、前記デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および位相を制御する、ことと、
少なくとも部分的に、前記伝送データに基づいて、前記電力増幅器のための供給電圧を選択することであって、前記供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択され、供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、RF伝送機によって伝送されるべきデータを表すデータサンプルのウィンドウに基づいて、前記RF電力増幅器のための供給電圧レベルに関する決定を行うことを含む、ことと
を含む、装置。
(項目23)
前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、少なくとも部分的に、データサンプル、少なくとも1つの後続データサンプル、および少なくとも1つの前のサンプルのために選択された電圧レベルに基づいて、前記データサンプルのための個別の供給電圧レベルを選択することを含む、項目22に記載の装置。
(項目24)
前記デジタル/RF変調器のための入力情報を提供することは、前記RF伝送機の出力において所望の電力レベルを達成する方法で前記デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅を制御する入力情報を提供することを含む、項目22に記載の装置。
(項目25)
前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、低減された数の電圧レベル移行によって効率的な電力増幅器動作を達成する方法で行われる、項目22に記載の装置。
(項目26)
前記方法は、既定の基準に基づいて、前記データサンプルのウィンドウの長さを経時的に適合させることをさらに含む、項目22に記載の装置。
(項目27)
前記データサンプルのウィンドウは、固定長を有する、項目22に記載の装置。
(項目28)
伝送されるべき入力データに基づいて、無線周波数(RF)伝送機内の電力増幅器のための電圧レベルを選択する機械実装方法であって、前記電圧レベルは、複数の個別の電圧レベルから選択され、前記方法は、
前記伝送機から伝送されるべきサンプルのウィンドウを識別することと、
前記サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の瞬間出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することと
を含む、機械実装方法。
(項目29)
前記ウィンドウ内の全てのサンプルが、前記所望の出力電力を達成するために、前記前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、
前記前のサンプルのために使用された前記電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、前記現在のサンプルのために前記前のサンプルのために使用された前記電圧レベルを使用することと、
前記前のサンプルのために使用された前記電圧レベルが、前記現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、前記現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することと
をさらに含む、項目28に記載の機械実装方法。
(項目30)
前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することは、前記ウィンドウ内の全てのサンプルを支持するために可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む、項目28に記載の方法。
(項目31)
前記現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することは、前記現在のサンプルとの使用のために、可能な限り低い新しい電圧レベルを選択することを含む、項目28に記載の方法。
前述の特徴は、図面の以下の説明からより完全に理解され得る。
図1は、ある実施形態による、例示的無線周波数(RF)伝送機を例証するブロック図である。 図2は、別の実施形態による、例示的RF伝送機を例証するブロック図である。 図3は、ある実施形態による、少なくとも4つの電力増幅器を有する例示的RF伝送機を例証するブロック図である。 図4は、ある実施形態による、単一の電力増幅器を有する例示的RF伝送機を例証するブロック図である。 図4Aは、ある実施形態による、個別の電圧切り替えを使用する単一の電力増幅器を有する例示的RF伝送機を例証するブロック図である。 図4Bは、ある実施形態による、電圧制御ユニット内部で使用され得る例示的スイッチキャパシタ変換回路を例証する概略図である。 図4Cは、ある実施形態による、電力増幅器のための異なる個別の供給レベルの間の切り替えのための電圧制御配列を例証する概略図である。 図4Dおよび4Eは、実施形態による、電力増幅器システムおよびRF伝送機システムにおいて使用され得る例示的切り替えネットワークアーキテクチャを例証する概略図である。 図4Dおよび4Eは、実施形態による、電力増幅器システムおよびRF伝送機システムにおいて使用され得る例示的切り替えネットワークアーキテクチャを例証する概略図である。 図4F−4Iは、種々の実施形態において使用され得る、例示的レベル移行フィルタアーキテクチャを例証する概略図である。 図4F−4Iは、種々の実施形態において使用され得る、例示的レベル移行フィルタアーキテクチャを例証する概略図である。 図4F−4Iは、種々の実施形態において使用され得る、例示的レベル移行フィルタアーキテクチャを例証する概略図である。 図4F−4Iは、種々の実施形態において使用され得る、例示的レベル移行フィルタアーキテクチャを例証する概略図である。 図5は、別の実施形態による、例示的RF伝送機を例証するブロック図である。 図6は、ある実施形態による、例示的電圧制御ユニットを例証する概略図である。 図7は、別の実施形態による、例示的電圧制御ユニットを例証する概略図である。 図8は、ある実施形態による、少なくとも2つの電力増幅器を駆動する少なくとも2つのデジタル/RF変調器を有するRF伝送機を動作させる方法を例証するフロー図である。 図9は、ある実施形態による、単一の電力増幅器を駆動する単一のデジタル/RF変調器を有するRF伝送機を動作させる方法を例証するフロー図である。 図10は、ある実施形態による、電力増幅システムにおいて、電圧レベル変更決定を行うために使用され得る例示的サンプルウィンドウを例証する図である。 図11は、ある実施形態による、サンプルウィンドウに基づいて、電力増幅システムの1つ以上の電力増幅器のための電圧レベルを選択するための方法を例証するフロー図である。 図12は、2つの異なるDC電力供給レベルで正規化されたRF駆動電力の関数として、単一の電力増幅器を有する電力増幅システムの効率性および出力電力を例証するプロットである。 図13は、2つの異なる供給レベルを使用する単一の電力増幅器を有する電力増幅システムのための達成可能RF出力振幅を例証する1対のIQプロットである。 図14は、ある実施形態による、2つの異なる供給レベルを使用する単一の電力増幅器を有する電力増幅システムのための効率性対正規化された出力電力のプロットである。 図15は、各電力増幅器が2つの供給レベルのうちの1つから供給される、2つの電力増幅器および結合器を有する電力増幅システムのための達成可能出力信号範囲を例証するIQプロットである。 図16は、2つの電力増幅器および2つの電力供給レベルを含む例示的非対称マルチレベルアウトフェイズ(AMO)に基づく増幅システムの動作を例証するIQプロットである。 図17は、結合器の分離ポートで出力を最小限にしながら、その達成可能最大振幅で、またはそれに近い増幅で、電力増幅器を動作させるために、2つの電力増幅器および結合器を有する電力増幅システムとともに使用され得る制御技術を例証するIQプロットである。 図18は、ある実施形態による、電力増幅器駆動レベルおよび供給レベルが、どのように出力電力範囲にわたって、出力電力を制御するように調節され得るかを例証する一連のプロットである。
図1は、ある実施形態による、例示的無線周波数(RF)伝送機10を例証するブロック図である。極めて詳細に説明されるであろうように、RF伝送機10は、高効率性と高線形性との両方を同時に達成することが可能である。例証されるように、RF伝送機10は、コントローラ12と、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16と、第1および第2の電力増幅器18、20と、第1および第2の電圧制御ユニット22、24と、電力結合器26と、エネルギー回収モジュール30とを含み得る。RF伝送機10は、1つ以上の遠隔ワイヤレスエンティティへのRF信号の伝送を促進するために、1つ以上のアンテナ32および/または他の変換器に結合され得る。いくつかの実装では、第1および第2の電力増幅器18、20は、実質的に、同一の増幅器設計を使用し得る。他の実装では、異なる増幅器設計および/またはアーキテクチャが、使用され得る。いくつかの実施形態では、第1および第2の電力増幅器18、20は、非線形増幅器(および、いくつかの場合、高非線形増幅器)であり得る。周知のように、非線形増幅器は、概して、線形増幅器より効率的に動作する。
第1および第2のデジタル/RF変調器14、16は、それぞれ、コントローラ12から受信される情報に基づいて、第1および第2の電力増幅器18、20のためのRF入力信号を生成するために動作可能である。第1および第2の電圧制御ユニット22、24は、それぞれ、コントローラ12から受信される制御信号に基づいて、第1および第2の電力増幅器18、20に可変供給電圧を提供するために動作可能である。典型的な実装では、コントローラ12は、RF伝送機10から伝送されるべきデータストリーム(すなわち、伝送データ)を受信または別様に取得するであろう。コントローラ12は、次いで、とりわけ、アンテナ32から伝送データの伝送をもたらすであろう、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16ならびに第1および第2の電圧制御ユニット22、24のための信号を提供するために、この伝送データを使用し得る。コントローラ12は、いくつかの実装では、サンプル毎ベースで、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に送達される情報ならびに第1および第2の電圧制御ユニット22、24に送達される制御信号を更新し得る。
少なくとも1つの実装では、コントローラ12は、異なる供給電圧が第1および第2の電力増幅器18、20に同時に印加されることができるように、各第1および第2の電圧制御ユニット22、24に独立制御を提供することができる。同様に、いくつかの実装では、コントローラ12は、異なるRF入力信号が第1および第2の電力増幅器18、20に同時に印加されるように、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に異なる入力情報を提供することができる。電力結合器26は、その出力においてRF伝送信号を生成するために、第1および第2の電力増幅器18、20の出力信号を組み合わせるために動作可能である。RF伝送信号は、次いで、ワイヤレスチャネルへの伝送のために、アンテナ32に送達され得る。認識されるであろうように、RF伝送信号は、最初の伝送データの正確な表現を含むべきである。
第1および第2の電力増幅器18、20は、各々、RF信号を増幅することが可能である電力増幅器の任意の種類を含み得る。いくつかの実装では、第1および第2の電力増幅器18、20は、RF伝送機の動作の効率性を改善するために非線形増幅器であり得る。いくつかの実施形態では、高非線形増幅器が、使用され得る。第1および第2の電力増幅器18、20は、同一の増幅器設計または異なる増幅器設計を使用し得る。同様に、第1および第2の電力増幅器18、20は、同一の増幅器アーキテクチャまたは異なる増幅器アーキテクチャを使用し得る。第1および第2の電圧制御ユニット22、24は、それぞれ、RF伝送機内の電力増幅器に印加される供給電圧レベルを制御可能に変動させることが可能である回路、コンポーネント、またはシステムの任意の種類を含み得る。これらのユニットは、例えば、事前設定された電圧電位の間で切り替えが可能である可変電力供給装置、個別の電力供給装置、バッテリ、マルチレベル電力変換器、および/または切り替え回路を含み得る。
第1および第2のデジタル/RF変調器14、16は、時変振幅および時変位相を表すデジタル入力情報を対応する振幅および位相特徴を有するアナログRF出力信号に変換することが可能である回路またはコンポーネントの任意の種類を含み得る。電力結合器26は、複数のRF信号を組み合わせることが可能であるデバイスまたは構造の任意の種類を含み得る。これは、例えば、ハイブリッド結合器、トランス結合器、ウィルキンソン結合器、およびまたは他のものを含み得る。電力結合器26は、分離結合器(isolating combiner)または非分離結合器(non−isolating combiner)であり得る。
上記に説明されるように、コントローラ12は、ワイヤレスチャネルに伝送される必要がある伝送データを受信または別様に取得し得る。伝送データは、任意の形式(例えば、2進ビットストリーム、IおよびQデータ等)であり得る。コントローラ12は、次いで、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16ならびに第1および第2の電圧制御ユニット22、24のための信号を提供するために、このデータならびに他の可能な要因を使用し得る。いくつかの実装では、目標は、伝送データの正確な表現を含むRF伝送信号を生成することであり得る。いくつかの異なる変調コーディングスキーム(MCS)のいずれかが、RF伝送信号内部で伝送データを表すために使用され得る。MCSは、例えば、二位相変調方式(BPSK)、直交位相変調方式(QPSK)、直交振幅変調(例えば、QAM、16 QAM、64 QAM、128 QAM等)、直交周波数分割多重(OFDM)、および/または他のものを含み得る。これらのMCSのいくつかは、平均電力に対する比較的高いピーク比を有する。周知のように、平均電力に対する高いピーク比を有するMCSは、典型的には、伝送データの正確な表現を提供するために高線形電力増幅を要求する。本明細書に説明される種々の実施形態では、平均電力に対する高いピーク比を有するMCSを支持するために十分である線形性を伴う効率的な電力増幅を提供することが可能である伝送システムおよび技術が、説明される。
図1に示されるように、コントローラ12は、伝送データを取得した後に、入力情報を第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に提供するためにデータを使用し得る。1つの可能なアプローチでは、コントローラ12は、別々のIおよびQデータを第1および第2のデジタル/RF変調器14、16の各々に提供し得る。すなわち、コントローラ12は、第1のデジタル/RF変調器14のためのI、Qと、第2のデジタル/RF変調器16のためのI、Qとを生成し得る。第1および第2のデジタル/RF変調器14、16は、次いで、それらの出力において対応するRF信号を生成するために、I、Q情報を使用し、RFキャリア波を変調し得る。周知のように、IおよびQデータは、概して、振幅および位相を表す。したがって、IおよびQは、例えば、対応する振幅Aおよび位相θを有し得る。したがって、IおよびQに応答して、第1のデジタル/RF変調器14によるRF信号出力は、振幅Aおよび位相θを有するRF信号であり得る。いくつかの実装では、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に提供される入力情報は、IおよびQ以外の形式であり得る。例えば、1つの可能なアプローチでは、振幅(A1、A2)および位相(θ、θ)情報は、コントローラ12によって、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に送達され得る。上記に説明されるように、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に印加される入力情報は、いくつかの実施形態では、サンプル毎ベースで変更し得る。
いくつかの実装では、第1および第2の電圧制御ユニット22、24は、各々、コントローラ12からの制御信号に応答して、複数の既定の電圧のうちの1つを対応する電力増幅器18、20に提供することが可能であり得る。したがって、制御信号VCONT1が、電力増幅器18のための電圧値を選択し得、制御信号VCONT2が、電力増幅器20のための電圧値を選択し得る。第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に印加される入力情報と同様に、第1および第2の電力増幅器18、20に印加される供給電圧値は、いくつかの実施形態では、サンプル毎ベースで、変化し得る。
上記に加えて、いくつかの実施形態では、コントローラ12は、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16に送達される振幅情報(例えば、IおよびQに関連付けられた振幅値等)を使用し、RF伝送機10によって出力される電力レベル(例えば、伝送電力レベル)を制御/調節し得る。例えば、コントローラ12は、より低い伝送電力レベルが所望されるとき、デジタル/RF変調器14、16のうちの一方または両方のために減少された振幅値を使用し得る。
いくつかの実施形態では、コントローラ12は、伝送データに基づいて、リアルタイムで、第1および第2のデジタル/RF変調器14、16のための入力情報と、第1および第2の電圧制御ユニット22、24のための制御情報とを決定し得る。いくつかの他の実施形態では、随意のルックアップテーブル(LUT)36が、要求された情報を提供するために使用され得る。コントローラ12は、LUT36から、伝送信号において伝送データを正確に表すように設計された第1および第2のデジタル/RF変調器14、16ならびに第1および第2の電圧制御ユニット22、24のための値を読み出し得る。
いくつかの実施形態では、電力結合器26は、分離ポート(isolation port)を有する分離結合器であり得る。周知のように、分離結合器は、時として、例えば、結合器に結合される回路内での不整合、不均衡、および/または反射に起因して、分離ポートでエネルギーを出力するであろう。典型的には、抵抗終端が、ポートにインピーダンス整合を提供するために、かつポートから出力される任意のエネルギーを消散させるために、分離結合器の分離ポートに結合されるであろう。いくつかの実施形態では、エネルギー回収モジュール30が、そうでなければ消散されているであろうエネルギーの一部または全てを回収する際の使用のために、従来の抵抗終端ではなく、分離結合器の分離ポートに結合され得る。エネルギー回収モジュール30は、回収されたエネルギーを有用な形式へ変換するための回路を含み得る。例えば、回収されたエネルギーは、バッテリを充電するために使用されることができる形式に変換され得る。代替として、回収されたエネルギーは、RF伝送機10内部で他の回路に電圧を加えるために使用され得る形式に変換され得る。
図1に例証される実施形態では、別々の電圧制御ユニット22、24は、第1および第2の電力増幅器18、20のために提供される。いくつかの実装では、複数の電圧制御ユニットの機能は、単一の電圧制御構造を使用して実装され得る。図2は、ある実施形態による、例示的無線周波数(RF)伝送機40を例証するブロック図である。図2に示されるように、単一の電圧制御ユニット34が、電力増幅器18、20の両方のための可変電圧を提供するために使用され得る。
いくつかの実施形態では、電力増幅器(PA)の組にドレインバイアス電圧を提供するために、電圧レベルの個別の組の中からの動的選択を組み込む電力増幅システムが、提供される。1つ以上のドレインバイアス電圧を設定することにおける複数の個別の電圧レベルの中からの選択は、いくつかのシステムアーキテクチャに共通している。これは、入力電圧の個別の組の中から選択し、次いで、連続変動ドレイン電圧を提供するための追加の調整を提供するシステム(例えば、Vasic、他による「Multilevel Power Supply for High Efficiency RF Amplifiers」、2009 IEEE Applied Power Electronics Conference、pp.1233−1238、2009年2月、およびWilsonによる「High Efficiency Amplification」と題された米国特許第7,482,869号参照)と、「class G」増幅器(例えば、F.H.Raabによる「Average Efficiency of Class−G Power Amplifiers」、IEEE Transactions on Consumer Electronics、Vol.CE−32、no.2、pp.145−150、1986年5月、およびWalling、他による「A Class−G Supply Modulator and Class−E PA in 130nm CMOS」、IEEE Journal of Solid−State Circuits、Vol.44、No.9、pp.2339−2347、2009年9月参照)と、マルチレベルLINC(MLINC)電力増幅器(例えば、Chen、他による「Multilevel LINC Transmitter」と題された米国公開出願特許第2008/0019459号、およびHur、他による「Systems and Methods for a Level−Shifting High−Efficiency LINC Amplifier using Dynamic Power Supply」と題された米国公開出願特許第2010/0073084号参照)と、非対称マルチレベルアウトフェイズ(AMO)電力増幅器(例えば、Dawson、他による「Asymmetric Multilevel Outphasing Architecture for RF Amplifiers」と題された米国第8,026,763号および第8,164,384号、ならびにGodoy、他による「A 2.4−GHz、27−dBm Asymmetric Multilevel Outphasing Power Amplifier in 65−nm CMOS」、IEEE Journal of Solid−State Circuits、2012年参照)とを含む、個別のドレインレベルを直接活用するシステムとを含む。本願では、電圧レベル(または「レベル選択」)の個別の組の中からの動的選択は、主として、単一またはマルチ増幅器、すなわち、マルチレベル電力増幅器アーキテクチャ(例えば、図1のRF伝送機10内で使用される電力増幅器アーキテクチャ等)に関連して、議論される。しかしながら、上記に列挙されるこれらを含む、本明細書に議論されるレベル選択技術はまた、個別の電圧レベルを利用する他のアーキテクチャでも性能を改善するために使用されることができる。
レベル選択は、瞬間出力エンベロープ値に基づいて、またはRF出力を合成するデジタルデータを処理するときに、合成される個々のデジタルサンプルに応じて、行われることができる。1つの可能なアプローチでは、最高瞬間「ドレイン」効率を提供するために要求される瞬間RF出力を合成することに適合した最低の個別の電圧レベルまたは複数のレベルが、使用され得る。少なくとも1つの実施形態では、個別の電圧レベルは、単一のサンプルまたは「瞬間」値ではなく、伝送されるデータの「ウィンドウ」に基づいて選択され得る。この方法では、特定のデータストリームを合成するために使用されるレベル移行の数は、減少させられることができる。多くの場合、この技術は、特定のサンプルを合成するために絶対的に必要であるものよりも高い電圧レベルが使用される結果をもたらし得る(したがって、電力増幅器「ドレイン」効率を減少させる)。しかしながら、全体の効率は、レベル間での移行のエネルギーコストを軽減することによって、改善される(または少なくともその劣化を減少させる)ことができる。さらに、線形性(例えば、隣接チャネル漏出比(ACLR)または隣接チャネル電力比(ACPR)によって測定されるような)、変調精度(EVM)、および他の波形品質メトリクスが、要求されるレベル移行の数を減少させることによって改善されることができる。これは、1つ以上のPA上のレベルを移行させることによってもたらされるシステム擾乱が、典型的には、出力軌道(これは、デジタル予歪または他の技術の使用によって補償されることができるが)の観点からコストがかかるであろう。
いくつかの実施形態では、瞬間状態のみに依拠するのではなく、1つ以上の延長された期間に基づいて、印加する個別の電圧レベルに関して、決定が行われ得る。1つのアプローチでは、例えば、選択されるレベルを変更するかどうかに関する決定は、サンプルのウィンドウNの長さにわたって考慮する(例えば、検討中の現在のサンプルから後のものへ、過去の前のサンプルから現在のサンプルを通り、後のものへの1つ以上のサンプルに対して等)。図10は、そのようなサンプルウィンドウ220を例証する図である。これらのサンプルは、I、Qデータ値として、所望の出力の振幅/位相として、合成されるベクトル値として等のように表され得るか、あるいは所望の出力電力または電圧振幅を単に表し得る。現在のサンプル222に対して、本システムは、より低いレベルまたはレベルの組が、N個のサンプルのウィンドウ220全体にわたって十分な出力電力を提供することができる場合のみ、そのより低いレベルまたはレベルの組に移行し得る(すなわち、より低い最大電力を提供する)。より多くの電力送達が、前のサンプル224で使用されるレベル/レベルの組によって提供されることができるものより現在のサンプル222のために必要である場合、十分な電力を提供することが可能であるレベル/レベルの組に移行が行なわれる。そうでなければ、そのレベル/レベルの組は、前のサンプル224から現在のサンプル222まで不変のままである。
上記に説明される技術を使用することは、「下方」レベル移行が、「上方」移行が近いうちに再度必要ではない場合のみ発生することを確実にすることによって、移行の数を減少させる。同時に、「上方」移行は、常に、それが所与のサンプルの間に要求される出力電力を支持するために必要がある場合、使用され得る。移行の数のさらなる減少を提供する多くの変形例が、可能であることが認識されるであろう。例えば、1つの代替アプローチでは、別の移行がサンプルの少なくとも最小限の数(すなわち、サンプルのウィンドウの範囲内)に対して必要とされないことが確実である限り、「上方」または「下方」移行のいずれかを行う決定が行われ得る。別の代替アプローチでは、「上方」移行が、ある数未満のサンプルに対して出力を支持するために必要とされる場合、その移行は、排除され得、電力増幅器は、所望の出力に可能な限り近い出力を提供するように駆動され得る(対象のサンプルの間、または、複数のサンプルにわたってある方法で平均化される)。これは、ある程度の波形の品質劣化を犠牲にして移行を減少させ得る。上記に説明される技術のいずれかが使用される場合、個々の電力増幅器のための入力駆動は、所望の合計出力を提供するために、選択されるドレイン電圧レベルに対して適宜調節され得る。いくつかの実施形態では、コントローラは、より高い電圧レベルの必要が、持続時間において、データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために要求されるより低い、電力増幅器のための電圧値を選択することが可能であるようにプログラムまたは構成され得る。他の実施形態では、コントローラは、より低い電圧レベルが十分である持続時間が、データサンプルのウィンドウの持続時間と比較して短い場合、所望の瞬間出力電力レベルを生成するために十分である最小電圧よりも高い、電力増幅器のための電圧値を選択することが可能であるようにプログラムまたは構成され得る。
いくつかの実装では、上記に説明される技術は、例えば、ピーク/平均電力比(PAPR)低減技術、レベル選択の決定を行うために使用される閾値においてヒステリシスを使用する技術、レベル選択プロセスの前および/または後にデータをフィルタ処理する技術、および/または他のものを含む他の技術と組み合わされ得る。いくつかの実装では、上記に説明される技術とともに使用されるウィンドウ長は、性能基準に基づいて、動的および/または適応的に選択され得る。1つのアプローチでは、例えば、ウィンドウ長は、効率性と出力品質メトリクスとの組み合わせを最大限にするために選択され得る。
本明細書に説明される増幅器アーキテクチャの動作および利点のより良い理解を提供するために、2つの異なるDC供給電圧を有する単一の電力増幅器(PA)の性能が、ここで、説明されるであろう。この電力増幅器は、任意の数のPAクラス(例えば、A級、AB級、B級、F級、逆F級等)を表し得、一緒に動作させられる複数のより小型のPA(例えば、ドハティ増幅器、アウトフェイズ増幅器等)から出力の集合を備えている複合増幅器も表し得る。図12は、2つの異なるDC電力供給レベル(すなわち、より低いDC供給であるレベル1、およびより高いDC供給であるレベル2)における正規化されたRF駆動電力の関数として、電力増幅器の効率性および(正規化された)出力電力を示すプロットである。レベル2DC供給に関して、あるRF入力電力(正規化0.1)では、出力電力が最大飽和出力電力(正規化1)に到達することが分かる。出力電力は、RF入力電力を減少させることによって、この飽和最大値を下回る任意の値に減少されることができる(すなわち、出力電力を「バックオフ」)。RF入力および出力電力の低いレベルに関して、RF入力電力とRF出力電力との間に、略線形(比例)関係がある。しかしながら、この領域における効率は、比較的低い(例えば、正規化0.25未満でRF出力電力に関して40%未満)。最高効率は、出力電力が飽和するレベルで、または若干それを下回る出力電力の領域で見出される(例えば、正規化0.83より上で出力電力に関して70%を上回る効率)。しかしながら、電力増幅器を飽和させるレベルを超えてRF入力電力を増加させることは、実際には、効率性を減少させる。これは、合計入力電力(DCプラスRF)が増加するが、出力電力が増加しない(かつ、いくつかの場合、RF入力電力のさらなる増加に伴い減少し得る)ため、発生する。
ここで、より低電圧DC供給(レベル1)に対する電力および効率が、考慮される。この場合、最大飽和出力電力は、より高い電圧(レベル2)DC供給に対するものよりもはるかに低い(例えば、わずか正規化0.25の最大出力電力に到達する)。出力電力は、再度、RF入力電力を調節することによって(例えば、電力増幅器を飽和するものを下回る値に正規化された入力電力を減少させることによって出力電力をバックオフする)、ゼロとこのより低い最大値との間で調節されることができるが、より高い出力電力(正規化0.25を上回る)は、この供給レベルでは取得可能ではない。このより低い供給レベルで到達されることができる出力電力の値に関して、より高い効率は、電力増幅器がその飽和値の近くで動作させられるため、より高いDC供給レベル2に関するよりも低いDC供給レベル1を使用して達成されることに留意されたい。したがって、出力電力の低い値に関して、概して、所望の出力電力が達成可能であり、電力増幅器の線形性および制御可能性の所望のレベルが達成可能である限り、より低い供給電圧値を使用することが望ましい。
所与のDC電圧供給レベルを伴う効率性における変動は、所望のRF出力電力レベルに応じて、異なるレベルの間で電力増幅器DC供給を切り替える「Class G」等の電力増幅器システムのための誘因である。電力増幅器が可能な限り高効率で動作する一方、所望のRF出力電力を提供することが可能であるように、複数のDC供給値から選択することは、単一の供給レベルを用いて達成されるものより効率性の有意な改善を生じさせることができる。
図13は、2つの異なる供給レベルのための出力RF振幅(すなわち、位相ベクトルの長さ、またはRF電圧振幅)の観点から、達成可能RF出力を例証する2つのIQプロットを含む。所与の供給レベルに関して、その供給レベルに対する最大値として規定され得るRF出力振幅(RF出力電力の2乗根に比例する)がある。図12に例証されるように、この最大振幅は、その供給レベルに対する絶対最大飽和出力電力(完全な圧縮の下)に対応するものであり得るか、またはこれを若干下回るレベルであり得る。駆動信号の予歪を簡略化するため(線形化のため)、絶対最大電力の部分毎の変動を考慮するため、効率性対出力特性上の望ましい場所に規定の最大レベルを配置するため、または他の理由のために、最大振幅および電力を完全な飽和のものより若干わずかに低く制限し得る。図13に例証されるように、より高い供給レベルに関して、円標識L2の半径以下の振幅を有する任意のRF出力電圧ベクトルが、合成されることができる。より低い供給レベルに関して、円標識L1の半径以下の振幅を有する任意のRF出力電圧ベクトルを合成することができる。
複数の供給電圧の利用可能性を活用し、増加された効率性を達成するために、2つの供給レベルの間で、動的に切り替え得る。これを行うための1つの方法は、より高い供給レベルが、所望の出力振幅がL1とL2との間であるときはいつでも利用され、かつより低い供給レベルが、所望の出力振幅がL1またはそれを下回るときはいつでも利用されるように、任意の所与のときに合成されるRF出力ベクトルの振幅に基づいて、供給レベルを切り替えることである。このアプローチを使用して、図14に示される効率性対正規化された出力電力特性がもたらされる。
少なくとも1つの実施形態では、合成されるべき信号は、より長い間隔(例えば、複数の後のデジタルサンプルを含むウィンドウ)にわたって考慮され、レベル切り替えは、データの移動ウィンドウに基づいて管理される。例えば、これは、所望の瞬間出力振幅が、常に合成されるが、所望の出力信号振幅が、最小持続時間の間、L1以下のレベルのままである場合のみ、より低い供給レベルに下方切り替えを行なうことを確実にする方法で行われ得る。振幅または時間ヒステリシスまたは他の制約も同様に、レベル切り替え決定に組み入れられることができる。例えば、切り替え移行が行われると、他の移行が、規定の間隔の間、行われないであろうことを要求し得る。さらに、これは、2つの電力供給レベルに対して例証されるが、本アプローチは、任意の数の供給レベルに容易に拡張され得る。使用されるウィンドウの長さは、事前に選択され得るか、または出力電力レベル(短または長期間)、チャネル特徴、データバンド幅、信号統計、および伝送データ等を含むさまざまな要因のうちの1つ以上に基づいて、動的に選択され得る。同様に、ある時間でのサンプルのブロックのコンテンツに基づいて、電力供給レベルを選択し得、ブロック長は、固定されるか、または動的に選択される。
上記の議論での重要な考慮点は、その瞬間効率性が、合成されるベクトルの長さが最大達成可能振幅半径に近接する動作点に対してより高いことである。この観点から、所望の出力が合成されることができる最低の供給から動作することが望ましい。しかしながら、(例えば、キャパシタ充電損失および供給を設定するトランジスタの切り替え損失による)レベル間での切り替えに対するエネルギーコストが存在するので、レベル間を行ったり来たり切り替えるエネルギーコストが、その持続時間にわたってより低い供給レベルを使用することによって節約されるものよりも大きい場合、短い持続時間にわたって出力を合成するために、必要な供給量より高いレベルを使用することが、全体のシステム効率性に有益であり得る。さらに、また、レベル移行が行われる毎の電力増幅器の一時的擾乱により出力に導入される雑音および線形性の損失の観点から、レベル間の切り替えに関連付けられる線形性に対するコストも存在する。全体的効率性ペナルティがある場合でも、線形性を改善するために、それが供給移行の必要性の数を減少させるならば、短い持続時間にわたって特定の出力を合成する必要性よりもより高い供給レベルからを動作することを選び得る。また、レベル間の切り替えの損失および雑音導入ペナルティにより、所望の瞬間電力が合成されない(可能性として、信号のピークを一時的にクリッピングする)場合でも、短い持続時間の間、電力供給レベルを一時的にステップアップしないことを選び得る。したがって、効率性と線形性との両方に及ぼすレベル移行の影響は、どのレベルを特定の間隔で使用すべきかを選択する際の要因として考慮され得る。
さらなる利点が、いくつかの実施形態では、複数の電力増幅器(例えば、図1のシステム10参照)からの電力を組み合わせることによって獲得され得る。1つの複数の電力増幅器実施形態では、例えば、それぞれ、2つの異なる(非ゼロ)供給電圧から供給されることができる2つの電力増幅器と、分離方式(isolating fashion)において増幅器の出力信号を組み合わせる分離電力結合器とが存在し得る。電力結合器の出力ポートにおける電圧ベクトルは、2つの個々の電力増幅器の出力電圧ベクトルの加重和である。同様に、2ウェイ分離結合器が、結合器分離ポートにおいて、2つの個々の電力増幅器の加重差である分離電圧ベクトル(isolation voltage vector)を生成し得る。電力増幅器によって結合器に送達される合計エネルギーは、理想的には、出力ポート(例えば、伝送される)または分離ポート(例えば、分離抵抗器(isolation registor)において消散される、エネルギー回収システムを介して回収される、または第2の伝送経路を介して伝送され得る)のいずれか一方に送達される。例えば、個々のPAの出力フェーザベクトルがV、Vである場合、電力結合器の出力ポートは、総和ベクトルをもたらし得る。
Σ=Vout=V+V
結合器の分離ポートは、差分ベクトル差をもたらし得る。
Δ=Viso=V−V
当技術分野で周知のように、分離結合器に対して、上記に説明されるように、結合器入力における入力インピーダンス、ならびに出力および分離ポートにおける負荷のインピーダンスは、エネルギーが保存されるようにスケーリングされる。
分離ポートに送達されるエネルギーは、通常、失われるため、通常、分離ポートにおける電圧ベクトルの振幅を最小限にしながら、所望の出力電圧ベクトルを合成することが望ましい。したがって、分離ポートに小さい(好ましくは、最小限の)電力を加えながら、所望の出力を送達するように、2つの電力増幅器の電力供給レベル、振幅、および位相を選択し得る。代替として、分離ポートに提供される信号が、消散されるのではなく伝送される場合、送達エネルギーの最大の全体効率を2つのポートに提供しながら、所望の信号が出力ポートと分離ポートとの両方で合成されるように、供給電圧およびPA入力振幅を制御することが望ましくあり得る。
図15は、各電力増幅器が2つの供給レベルのうちの1つから供給される2つの増幅器システムのための達成可能出力信号範囲を例証するIQプロットである。これは、出力RF振幅(フェーザ長またはRF電圧振幅)の観点から、IQ図上の領域として例証される。例証されるように、各電力増幅器は、その増幅器のために選択される電力供給レベルに依存する最大振幅を用いてRF出力を生成することができる。両方のPAが、より高い電圧L2を使用して供給される場合、円標識L2/L2の内側の任意の場所のRF出力ベクトルは、2つの個々のPAベクトルが同相であり、その供給レベルに対するその規定の最大振幅にあるとき達成されるこの最大値を用いて、合成されることができる。一方のPAが、より高い電圧レベルで供給され、他方が、より低い電圧レベルで供給される場合、円標識L2/L1の内側の任意の場所のRF出力ベクトルは、2つの個々のPAベクトルが同相であり、その供給レベルのためのその規定の最大振幅のそれぞれにあるとき達成されるこの最大値を用いて、合成されることができる。この最大振幅では、非ゼロ出力は、PA出力間に非ゼロ差が存在するため、結合器の分離ポートに送達される。両方のPAがより低電圧レベルで供給される場合、円標識L1/L1の内側の任意の場所のRF出力ベクトルが、合成されることができる。最後に、より低電圧レベルで供給される、一方のPAのみが、結合器を駆動する場合(例えば、ゼロに設定される第2のPAの駆動振幅および/またはゼロに設定される第2のPAのための電力供給を用いて)、円標識L1/−の内側の任意の場所のベクトルが、合成されることができる。再度、結合器が分離している場合、分離ポートに送達される非ゼロ出力が存在する。結合器を駆動するより高い供給電圧レベルで供給される一方のPAのみを伴う追加の円もまた、典型的には、存在するであろう。しかしながら、この円内部での動作が、通常、他のオプションよりも効率的ではないであろう。上記に説明される技術は、3つ以上のPAを有するシステム、3以上の非ゼロ供給レベルを有するシステム、電力結合器の他の種類を使用するシステム、および/または上記の組み合わせ内での使用のために拡張され得る。
図16は、2つの電力増幅器および2つの電力供給レベルを含む非対称マルチレベルアウトフェイズ(AMO)に基づく増幅システムの動作を例証するIQプロットである。電力増幅器の各々は、各PAの効率が高くなり得るように、規定の最大出力振幅(各増幅器によって使用される電力供給電圧に対して)で動作させられ得る。出力電力を変調するために、2つのPAは、総和ベクトルが所望の振幅および位相を有するように、アウトフェーズ(または位相シフト)され得る。分離結合器を用いると、分離ポートに送信される差分ベクトルに関連付けられるある程度の消散が存在し得る。所望の出力振幅に応じて電力供給レベルを変更することによって、差分ベクトルが小さい振幅を保ち、高効率を維持することができる。
少なくとも1つの実施形態では、複数の電力増幅器は、それらが同相であるが、所望の出力に応じて異なり得る振幅を用いて(および異なる供給レベルの間で選択して)個々の出力ベクトルを合成するように、制御され得る。すなわち、2つのPAのための所与の供給レベル選択に対して、その達成可能最大値で2つのPAを動作させることによって到達される達成可能出力振幅最大値が存在する。その達成可能最大値を下回って一方または両方のPAバックオフすることによって、これより下に出力を減少させることができる。PAをバックオフすることは、PA効率を減少させるが、PAを同相に保つことによって、分離ポートにおける振幅を小さく保ち、向上された効率性を提供することができる。より一般的には、結合器の種類に応じて、2つのPA出力が規定の固定位相関係を有するように保つことは、低分離ポート損失および向上された効率性を提供する。1つのアプローチでは、所望の出力が達成されることを可能にするであろう最低供給レベル組が、利用され得、次いで、一方または両方のPAの駆動は、次のより低い供給レベル組を用いて達成可能なものを上回る出力振幅に対して、電力を減少させるためにバックオフされるであろう。これは、分離ポートにおける出力を最小限にしながら、その達成可能最大値で、またはそれに近い値で、PAが動作させられるように保つ。図17は、このアプローチを例証するIQプロットである。図18は、ある実施形態による、電力増幅器駆動レベルおよび供給レベルが、どのように出力電力範囲にわたって、出力電力を制御するように調節され得るかの一連のプロットを例証する。示されるように、効率のピークが、電力の関数として慎重な供給レベル選択を通して獲得され得、広い出力電力範囲にわたって、良好な効率が維持され得る。
いくつかの実施形態では、図15に例証されるように、バックオフとアウトフェイズ技術との両方が、供給電圧の所与の組を用いて、達成可能最大値を下回るように出力振幅を減少させるために、電力増幅システムにおいて結合され得る。この場合、各供給レベル組および出力振幅に対して、バックオフおよびアウトフェイズの組み合わせが、効率性と線形性との間の望ましいトレードオフを提供するために選択されることができる。さらに、非常に低い電力において、電力増幅器の一方は、完全に電源が切られ得、他方の増幅器は、単独でバックオフの下で動作させられ得る。また、個々の電力増幅器のアウトフェイズおよびバックオフの組み合わせは、さらなる制御特徴を提供するために使用されることができることを認識されたい。例えば、差分ベクトルが、消散されるために分離ポートに送達される代わりに、「分離ポート」は、RF伝送のための第2の出力に接続されることができる(すなわち、マルチ出力システムに対して)。2つの増幅器のバックオフとアウトフェイズとの両方を制御することによって、所望の出力が、高効率を保存しながら、出力ポート(第1の出力)および分離ポート(第2の出力)との両方で提供されることができる。
いくつかの実施形態では、複数の異なる種類の電力増幅器または異なる特徴に対して最適化された電力増幅器が、電力増幅システム内部で使用され得る。システムのパラメータは、次いで、電力増幅器の2つの種類または特徴を最良に利用するように制御され得る。例えば、その達成可能最大値に近い値での動作のために、第1の電力増幅器(例えば、切り替えモードまたは飽和電力増幅器)を最適化し、ある範囲のバックオフの下での良好な効率を伴う動作のために第2の電力増幅器(例えば、ドハティ電力増幅器またはキレイクスアウトフェイズ電力増幅器を使用して)を最適化することが望ましくあり得る。この場合、第1の電力増幅器が、通常、その達成可能最大値で、またはそれに近い値で動作する一方、第2のものは、その最大値からバックオフすることによって、出力振幅を調整するようにシステムを制御し得る。異なる出力電力領域が、さらに、電力増幅器の供給レベルを適切に切り替えることによって網羅されることができ、供給レベルが同一ではない場合、第2の電力増幅器がより高い供給レベルで動作させられる。最低出力レベルでは、第1の電力増幅器は、電源が切られ、出力は、第2の電力増幅器のみを用いて制御され得る。
いくつかの実施形態では、上記に説明されるように、3つ以上の電力増幅器が、RF伝送機内で伝送信号を生成するために使用され得る。例えば、図3は、ある実施形態による、少なくとも4つの電力増幅器を含むRF伝送機50を例証するブロック図である。例証されるように、RF伝送機50は、コントローラ52と、第1、第2、第3、および第4のデジタル/RF変調器54、56、58、60と、第1、第2、第3、および第4の電力増幅器62、64、66、68と、電力結合器70と、電圧制御ユニット72とを含み得る。すでに述べたように、1つ以上のアンテナ32が、結合器70の出力に結合され得る。電圧制御ユニット72は、コントローラ52からの1つ以上の制御信号に基づいて、それぞれ、可変供給電圧V(t)、V(t)、V(t)、V(t)を第1、第2、第3、および第4の電力増幅器62、64、66、68に提供し得る。第1、第2、第3、および第4のデジタル/RF変調器54、56、58、60は、それぞれ、コントローラ52から受信される入力情報に基づいて、RF入力信号を第1、第2、第3、および第4の電力増幅器62、64、66、68に提供する。結合器70は、アンテナ32に送達のためのRF伝送信号を生成するために、第1、第2、第3、および第4の電力増幅器62、64、66、68の出力信号を組み合わせる。
コントローラ52は、種々の実施形態で上記に説明される制御技術のいずれかを使用し得る。いくつかの実装では、コントローラ52は、伝送データが結合器70のRF出力信号の中で正確に表されることを確実にするために、電圧制御ユニット72の電圧制御と、第1、第2、第3、および第4のデジタル/RF変調器54、56、58、60に送達される位相および振幅情報とを使用し得る。加えて、コントローラ52は、結合器70の出力電力レベル(例えば、伝送電力レベル等)を制御/調節するために、第1、第2、第3、および第4のデジタル/RF変調器54、56、58、60に送達される振幅情報を使用し得る。いくつかの実施形態では、この出力電力制御能力は、RF伝送機50のための電力バックオフを提供するために使用され得る。前述の実施形態のように、エネルギー回収モジュール30は、分離結合器アーキテクチャが使用されるとき、結合器70の分離ポートでエネルギーを回収するように提供され得る。
少なくとも1つの実施形態では、単一のRF電力増幅器を含むRF伝送機が、提供され得る。図4は、ある実施形態による、単一の電力増幅器を含む例示的RF伝送機80を例証するブロック図である。示されるように、RF伝送機80は、コントローラ82と、デジタル/RF変調器84と、電力増幅器86と、電圧制御ユニット88とを含む。電力増幅器86の出力は、遠隔ワイヤレスエンティティへのRF伝送信号の伝送を促進するために、1つ以上のアンテナ32に結合され得る。電圧制御ユニット88は、コントローラ82からの制御信号に基づいて、可変供給電圧V(t)を電力増幅器86に提供し得る。電圧制御ユニット88は、複数の個別の電圧のうちの1つを電力増幅器86に選択的に供給するように構成され、いくつかの実装では、移行成形フィルタを介して、その個別の電圧を電力増幅器に供給し得る。移行成形フィルタは、例えば、インダクタおよびキャパシタを含む、可逆的フィルタ要素を備え得、さらに、抵抗器および磁気ビーズ等の不可逆的要素を含み得る。移行成形フィルタは、個別のレベルの間で電圧移行の成形および/または帯域幅制限を提供する役割を果たし、そうでなければ発生する場合がある振動の減衰を提供し得る。移行成形フィルタは、低域フィルタ応答を提供するために選択され得る。電圧制御ユニット88によって提供される個別の電圧供給レベルは、事前に決定され得るか、または要求される平均伝送電力レベルまたは他の要因に基づいて経時的に適合され得る。
デジタル/RF変調器84は、コントローラ82から受信される入力情報(例えば、I、Q)に基づいて、RF入力信号を電力増幅器86に提供し得る。コントローラ82は、種々の実施形態で上記に説明される制御技術のいずれかを使用し得る。いくつかの実装では、コントローラ82は、伝送データがRF伝送機80のRF出力信号の中で正確に表されることを確実にするために、電圧制御ユニット88の電圧制御と、デジタル/RF変調器84に送達される振幅および位相情報とを使用し得る。コントローラ82は、RF伝送機80の出力電力レベル(例えば、伝送電力レベル)を制御/調節するためにデジタル/RF変調器84に送達される振幅情報を使用し得る。すでに述べたように、いくつかの実装では、この出力電力制御能力は、RF伝送機80のための電力バックオフを提供するために使用され得る。
図4Aは、ある実施形態による、単一の電力増幅器を含む例示的RF伝送機80Aを例証するブロック図である。RF伝送機80Aは、図4に例証される伝送機80の具体的実施形態である。示されるように、RF伝送機80Aは、コントローラ82Aと、デジタル/RF変調器84Aと、電力増幅器86Aと、電圧制御ユニット88Aとを含む。電力増幅器86Aの出力は、1つ以上のアンテナ32Aに結合され得る。電圧制御ユニット80Aは、供給選択ユニット241と、マルチレベル電力変換器242と、スイッチユニット244と、移行成形フィルタ246とを含む。マルチレベル電力変換器242は、複数の対応する電圧線上のいくつかの異なる電圧電位(すなわち、V、V、V、V)を生成するために動作可能である。4つの異なる電圧レベルを用いて例証されるが、任意の数の異なるレベルが、異なる実施形態では、使用され得ることを認識されたい。スイッチユニット244は、1度に、電力増幅器86Aの電力供給入力に複数の電圧線のうちの1つを制御的に結合することが可能である。供給選択241は、コントローラ82Aからのスイッチ制御信号に応答して、異なる電圧線の間でスイッチユニット244を切り替えるために動作可能である。少なくとも1つの実施形態では、マルチレベル電力変換器242は、例えば、所望の平均出力電力におけるゆっくりとした変動に適応するために、経時的にゆっくりと電圧線の1つ以上の電圧値を適合させることが可能であり得る。移行成形フィルタ246は、電力増幅器供給電圧信号内部での電圧レベル間の移行を成形するために動作可能である。少なくとも1つの実装では、移行成形フィルタ246は、低域フィルタを含み得る。
上記に説明されるように、いくつかの実装では、電圧制御ユニットまたは電圧制御システムが、単一の入力電圧から複数の電圧を生成するために、マルチ出力(または「マルチレベル」)電力変換器を含み得る。1つのアプローチでは、マルチ出力電力変換器が、スイッチキャパシタ回路を使用して実装され得る。スイッチキャパシタ変換器が、単一の電圧から複数のレシオメトリック電圧を合成するための非常に高い電力密度を提供することができる。図4Bは、ある実装による、例示的スイッチキャパシタ変換回路300を例証する概略図である。この複数出力変換器の単一の入力は、電源電圧またはバッテリ302から直接フィードされ得るか、または、例えば、バック変換器、ブースト変換器、および他の磁気ベース変換器を含む、複数の出力変換器(故に、複数の電圧)に、経時的に、入力電圧を適合させることができる別の電力変換器からフィードされ得る。いくつかの実施形態では、図4Cに例証されるように、電圧制御ユニットは、異なる個別の供給レベルの間で切り替え、この切り替えられた供給を電力増幅器に直接提供することによって動作することができる。
図4Dおよび4Eは、実施形態による、電力増幅器システムおよびRF伝送機システムにおいて使用され得る2つの切り替えネットワークアーキテクチャ310、312を例証する概略図である。これらの2つのアーキテクチャ310、312の両方は、特に、CMOS内で実装される低電力システムにおける使用のために適切であるが、他のシステムにおいても使用され得る。いくつかの実装では、スイッチキャパシタ(SC)回路と切り替えネットワーク310、312との両方が、単一のCMOSダイ上で一緒に実現され得る。より高い電力システムに関して、一体型回路上のSC回路および/または切り替えネットワークを切り替えるための制御回路を配置することが利点となり得る。図4Dおよび4Eの切り替えネットワークアーキテクチャ310、312は、いくつかの実施形態で使用され得る2つの実施例アーキテクチャを表すことを認識されたい。他の切り替えネットワークアーキテクチャが、他の実装では、使用され得る。
上記に説明されるように、いくつかの実施形態では、切り替えられる個別のレベルを有する供給電圧は、移行成形フィルタを通して電力増幅器に提供され得る。本質的に低域であり得るフィルタは、PA供給電圧の高周波数成分を制限し、レベル間での電圧移行のための成形を提供し、移行のための減衰を提供することができる。このフィルタはまた、PAに対する電圧制御ユニットの相互接続に関連付けられる寄生要素を組み込むことができ、供給電圧の周波数内容がPA駆動波形において適切に調節され得るものに合致させられるように設計されることができる。図4F−4Iは、種々の実施形態で使用され得るいくつかのレベル移行フィルタアーキテクチャを例証する概略図である。他のフィルタアーキテクチャが、代替として、使用され得る。
図5は、ある実施形態による、例示的RF伝送機100を例証するブロック図である。RF伝送機100は、図2のRF伝送機40の具体的実装である。例証されるように、RF伝送機100は、コントローラ90と、第1および第2のデジタル/RF変調器92、94と、第1および第2の電力増幅器96、98と、電圧制御ユニット102と、電力結合器104と、エネルギー回収モジュール120とを含む。例証される実装では、電圧制御ユニット102は、マルチレベル電力変換器106と、第1および第2のスイッチユニット108、110と、第1および第2の供給選択112、114と、第1および第2の移行成形フィルタ116、118とを含む。マルチレベル電力変換器106は、複数の対応する電圧線上のいくつかの異なる電圧電位(すなわち、V、V、V、V)を生成するために動作可能である。4つの異なる電圧レベルを用いて例証されるが、任意の数の異なるレベルが、異なる実施形態では、使用され得ることを認識されたい。第1および第2のスイッチユニット108、110は、各々、1度に、対応する電力増幅器96、98の電力供給入力に複数の電圧線のうちの1つを制御的に結合することが可能である。第1および第2の供給選択112、114は、コントローラ90から受信されるスイッチ制御信号S(t)、S(t)に応答して、異なる電圧線の間で第1および第2のスイッチユニット108、110を切り替えるために動作可能である。少なくとも1つの実施形態では、マルチレベル電力変換器106は、例えば、所望の平均出力電力において、ゆっくりとした変動に適応するために、経時的に、ゆっくりと複数の電圧線の電圧値を適合させることが可能であり得る。第1および第2の移行成形フィルタ116、118は、各電力増幅器供給電圧信号内部での電圧レベルの間の移行を成形するために動作可能である。少なくとも1つの実装では、移行成形フィルタ116、118のうちの一方または両方は、低域フィルタを含み得る。いくつかの実装では、移行成形フィルタ処理が、使用されない。
図5に示されるように、コントローラ90は、デジタル/RF変調器92、94のそれぞれに時変振幅値および時変位相値を提供し得る。すなわち、コントローラ90は、A(t)、θ(t)を第1のデジタル/RF変調器92に、かつA(t)、θ(t)を第2のデジタル/RF変調器94に提供し得る。前述に説明されるように、いくつかの実装では、振幅および位相情報は、振幅および位相値ではなく、時変IおよびQデータ(またはある他の形式)を使用して、規定され得る。
図6は、ある実施形態による、例示的電圧制御ユニット122を例証する概略図である。例証されるように、電圧制御ユニット122は、第1および第2のマルチレベル電力変換器123、124と、第1および第2のスイッチユニット126、128と、第1および第2の供給選択130、132とを含み得る。第1のマルチレベル電力変換器123、第1のスイッチユニット126、および第1の供給選択130は、RF伝送機の第1の電力増幅器の供給電圧を変動するために使用され得、第2のマルチレベル電力変換器124、第2のスイッチユニット128、および第2の供給選択132は、RF伝送機の第2の電力増幅器の供給電圧を変動させるために使用され得る。第1および第2のスイッチユニット126、128ならびに第1および第2の供給選択130、132は、上記に説明される対応するユニットのように、実質的に、同一の方式で動作し得る。
図6に例証されるように、第1のマルチレベル電力変換器123は、第1の複数の電圧線134上の第1の複数の電圧レベル(すなわち、V、V、V、V)を生成し得、第2のマルチレベル電力変換器124は、第2の複数の電圧線136上の第2の複数の電圧レベル(すなわち、V、V、V、V)を生成し得る。いくつかの実施形態では、第1の複数の電圧線134上の電圧レベルは、第2の複数の電圧線136上の電圧レベルと同一であり得る。他の実施形態では、それらは、異なり得る。前述に説明されるように、いくつかの実施形態では、異なる電力増幅器設計が、RF伝送機内の複数の異なる電力増幅器のために使用され得る。これらの異なる電力増幅器設計は、最適な性能のために異なる個別の電圧レベルを要求し得る。図6に描写される実施形態では、電圧レベルの同一の数が、第1および第2の電力増幅器のために提供される。いくつかの他の実施形態では、電圧レベルの異なる数が、異なる電力増幅器のために使用され得る。
いくつかの実装では、第1および第2のマルチレベル電力変換器123、124は、それぞれ、経時的に、対応する出力電圧レベルを適合させることが可能であり得る。上記に説明されるように、これは、例えば、所望の平均出力電力レベルにおいて、ゆっくりとした変動に適応するように行われ得る。少なくとも1つの実装では、第1および第2のマルチレベル電力変換器123、124は、各々、そのような適合を行うとき、および/または新しい電圧レベルのために使用すべき値を示す、対応するコントローラ(図示せず)からの制御信号を受信するために、制御入力138、140を含み得る。
図7は、ある実施形態による、例示的電圧制御ユニット160を例証する概略図である。例証されるように、電圧制御ユニット160は、第1、第2、第3、および第4の電力供給162、164、168、170と、第1および第2のスイッチユニット170、172と、第1および第2の供給選択174、176とを含み得る。第1、第2、第3、および第4の電力供給162、164、168、170は、各々、対応する出力線上の固有の供給電位を生成するために動作可能であり得る。第1および第2のスイッチユニット170、172は、各々、1度に、対応する電力増幅器の電力供給入力に供給電位の1つを制御的に結合することが可能であり得る。第1および第2の供給選択174、176は、対応するコントローラから受信されるスイッチ制御信号S(t)、S(t)に応答して、異なる供給電位の間で第1および第2のスイッチユニット170、172を切り替えるために動作可能である。いくつかの実装では、第1、第2、第3、および第4の電力供給162、164、168、170は、各々、例えば、所望の平均出力電力レベルにおけるゆっくりとした変動に適応するために、経時的に、ゆっくりとその出力電圧値を適合させ得る。少なくとも1つの実施形態では、第1、第2、第3、および第4の電力供給162、164、168、170は、各々、バッテリを備えるか、またはマルチ出力スイッチキャパシタ変換器を使用して、単一の電源から合成される。4つの電力供給162、164、168、170を用いて例証されるが、異なる電力供給の任意の数は、特定の実装では、使用され得ることを認識されたい。
図8および9は、種々の実施形態による、RF伝送機を動作させるためのプロセスを例証するフロー図である。
長方形の要素(図8における要素182によって典型化される)は、本明細書に「処理ブロック」として示され、コンピュータソフトウェア命令または命令のグループを表し得る。図8および9のフロー図は、本明細書に説明される設計の例示的実施形態を表し、概して、概説されるプロセスに従う、そのような図における変形例は、本明細書に説明かつ請求される概念、システム、および技術の範囲内であると見なされることに留意されたい。
代替として、処理ブロックは、デジタル信号プロセッサ回路、特定用途集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPG)、あるいは従来の電気的または電子システムもしくは回路等の機能的に同等の回路によって行われる動作を表し得る。いくつかの処理ブロックは、手動で行われ得る一方、他の処理ブロックは、回路および/または1つ以上のプロセッサによって行われ得る。フロー図は、任意の特定のプログラミング言語の構文を描写するものではない。むしろ、フロー図は、当業者が、対応する処理を行うために回路を製作するため、および/またはコンピュータソフトウェアまたはファームウェアを生成するために要求し得る機能的情報を例証する。ループおよび変数の初期化ならびに一時的変数の使用等の多くのルーチンプログラム要素が示されていないことに留意されたい。本明細書に別様に規定されない限り、説明される特定のシーケンスは、例証にすぎず、本明細書に説明および/または請求される概念の精神から逸脱せずに、変形されることができることが当業者によって認識されるであろう。したがって、別様に述べられない限り、以下に説明されるプロセスは、可能であれば、図8および9に示されるシーケンスが、任意の便宜な順序または望ましい順序で行われることができる、順序不同であることを意味する。
ここで図8を参照すると、少なくとも2つの電力増幅器を駆動する少なくとも2つのデジタル/RF変調器を有するRF伝送機を動作させる方法180が、説明されるであろう。最初に、1つ以上の遠隔ワイヤレスエンティティへの伝送を意図する伝送データが取得され得る(ブロック182)。伝送データは、変調器の出力信号の振幅および位相を制御するために、少なくとも2つのデジタル/RF変調器のための入力情報を提供するために使用され得る(ブロック184)。少なくとも2つのデジタル/RF変調器のために生成される入力情報は、異なる変調器によって異なり得る。少なくとも2つのデジタル/RF変調器の出力信号は、次いで、RF伝送機の少なくとも2つの電力増幅器の対応する入力に送達され得る(ブロック186)。
伝送データはまた、少なくとも2つの電力増幅器の各々のための供給電圧を選択するために使用される(ブロック188)。少なくとも2つの電力増幅器の出力信号は、RF伝送機のための伝送機の出力信号を生成するために結合され得る(ブロック190)。本明細書に説明される制御技術のいずれかが、少なくとも2つのデジタル/RF変調器のための入力情報を生成するため、かつ少なくとも2つの電力増幅器のための供給電圧を選択するために使用され得る。伝送機の出力信号は、ワイヤレスチャネルへ伝送される1つ以上のアンテナに送達され得る(ブロック192)。少なくとも1つの実装では、各デジタル/RF変調器のために生成される入力情報は、振幅値と位相値との両方を表し得る。振幅値および位相値は、典型的には、時間に伴って変動するであろう(すなわち、それらがサンプル毎に変化し得る)。少なくとも1つの実装では、IおよびQ値が、少なくとも2つのデジタル/RF変調器の各々のために提供され得る。いくつかの他の実装では、時変振幅および位相値が、提供され得る。上記に説明されるように、異なる入力情報が、少なくとも2つのデジタル/RF変調器の各々のために生成され得る。
少なくとも1つのアプローチでは、少なくとも2つのデジタル/RF変調器のために提供される振幅および位相値、ならびに少なくとも2つの電力増幅器のために選択される供給電圧は、RF伝送機のRF出力信号の中で伝送データの正確な表現をもたらす方法で選択され得る。少なくとも2つのデジタル/RF変調器のために生成される振幅値は、いくつかの実施形態では、RF伝送機の出力電力レベルを制御または調節するように選択され得る。1つのアプローチでは、振幅値は、RF伝送機内部での電力バックオフの所望のレベルを達成するために選択され得る。
図9は、単一のデジタル/RF変調器および単一の電力増幅器を有するRF伝送機を動作させる方法200を例証するフロー図である。最初に、1つ以上の遠隔ワイヤレスエンティティへの伝送を意図する伝送データが取得される(ブロック202)。伝送データは、デジタル/RF変調器のための入力情報を生成するために使用され得、入力情報は、変調器の出力信号の振幅および位相を制御する(ブロック204)。変調器の出力信号の振幅は、RF伝送機のための所望の伝送電力レベルを達成するように制御され得る。デジタル/RF変調器の出力信号は、RF伝送機の電力増幅器の対応する入力に送達され得る(ブロック206)。
伝送データはまた、電力増幅器のための供給電圧を選択するために使用される(ブロック208)。本明細書に説明される制御技術のいずれかは、単一のデジタル/RF変調器のための入力情報を生成するため、かつ単一の電力増幅器のための供給電圧を選択するために使用され得る。電力増幅器の出力信号は、ワイヤレスチャネルへの伝送のために、1つ以上のアンテナに結合され得る(ブロック210)。少なくとも1つの実装では、デジタル/RF変調器に送達される入力情報は、振幅値と位相値との両方を表し得る。少なくとも1つのアプローチでは、デジタル/RF変調器のために生成される位相値、および電力増幅器のために選択される供給電圧は、RF伝送機の出力において伝送データの正確な表現を提供する方法で選択され得る。デジタル/RF変調器のために生成される振幅値は、RF伝送機の出力電力レベルを制御または調節するために選択され得る。1つのアプローチでは、この電力制御能力は、RF伝送機のための電力バックオフの所望のレベルを達成するために使用され得る。
図11は、ある実施形態による、サンプルのウィンドウに基づいて、電力増幅システムの1つ以上の電力増幅器のための電圧レベルを選択するための方法230を例証するフロー図である。前述に説明されるように、図10は、そのようなサンプルウィンドウ220を例証する図である。方法230は、例えば、図8および9の方法180、200内で使用され得る(例えば、それぞれ、ブロック188およびブロック208)。図11に示されるように、最初に、N個の現在および後のサンプルが、前のサンプルよりも低い電圧レベルの組を使用することができ、かつ、出力電力要求をさらに満たすかどうかが決定され得る(ブロック232)。そのような場合(ブロック232−はい)、全てのN個の現在および後のサンプルを支持するための可能な限り低い(または、少なくとも前のサンプルよりも低い)新しい電圧レベルの組が、選択され得る(ブロック234)。N個のサンプルが、前のサンプルより低い電圧レベルの組を使用できない場合、前のサンプルのために使用された電圧レベルの組が、現在のサンプルを支持するために十分であるかどうか決定され得る(ブロック236)。そうではない場合(ブロック236−いいえ)、現在のサンプルを支持するために可能な限り低い新しい電圧レベルの組が、選択され得る(ブロック238)。前のサンプルのために使用された電圧レベルの組が、現在のサンプルを支持するために十分である場合(ブロック236−はい)、前のサンプルのために使用された同一のレベル選択が、現在のサンプルのために使用され得る。このプロセスは、各新しいサンプルに対して繰り返され得る。
上記の説明では、種々の概念、回路、および技術は、ワイヤレス媒体を介して信号を伝送するために動作可能であるRF伝送機の関連において議論されている。また、これらの概念、回路、および技術は、他の関連における用途を有することも認識されたい。例えば、いくつかの実装では、本明細書に説明される特徴は、有線通信における使用のための伝送機または駆動部の内部に実装され得る。いくつかの他の実装では、本明細書に説明される特徴は、信号を搬送するデータのためのより高い効率的かつ高線形電力増幅を要求するシステムの他の種類の内部に実装され得る。他の実装では、本明細書に説明される特徴は、音響用途のために、超音波用途のために、および、加熱、工業用処理、撮像、およびRF電力送達のためのRF電力増幅における線形電力増幅を要求するシステムに適用され得る。
本発明の例示的実施形態が説明されたが、ここで、その概念を組み込む他の実施形態もまた、使用され得ることが当業者に明白であろう。本明細書に含まれる実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではなく、むしろ、添付の請求項の精神および範囲によってのみ限定されるべきである。本明細書に引用される全ての公報および参考文献は、参照することによってその全体として本明細書に明示的に組み込まれる。

Claims (10)

  1. 無線周波数(RF)電力増幅器システムであって、
    RF電力増幅器と、
    振幅値および位相値を示す入力情報に基づいて、前記RF電力増幅器のためのRF入力信号を生成するデジタル/RF変調器であって、前記入力情報は、データサンプルのストリームを含む、デジタル/RF変調器と、
    制御信号に応答して、可変供給電圧を前記RF電力増幅器に提供する電圧制御ユニットであって、前記可変供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択される、電圧制御ユニットと、
    少なくとも部分的に、RF伝送機によって伝送されるべきデータに基づいて、前記入力情報を前記デジタル/RF変調器に提供し、かつ前記制御信号を前記電圧制御ユニットに提供するコントローラであって、前記コントローラは、前記RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うように構成されており、前記決定は、少なくとも部分的に、瞬間データサンプルのための要求される瞬間RF出力および前記RF伝送機によって伝送されるべきデータを表す前記データサンプルのストリームに基づき、前記コントローラは、前記瞬間データサンプルのために前記RF電力増幅器のための個別の電圧レベルを選択するように構成されており、
    前記個別の電圧レベルの選択は、少なくとも部分的に、
    要求されるRF出力と、
    前記デジタル/RF変調器に提供される1つ以上の前のデータサンプルと、
    前記デジタル/RF変調器に提供される前記瞬間データサンプルと、
    前記瞬間データサンプルの後の時点において前記デジタル/RF変調器に提供されるべき1つ以上の後のデータサンプルと
    に基づき、前記1つ以上の前のデータサンプル、前記瞬間データサンプル、および前記1つ以上の後のデータサンプルは、Nサンプル長のデータサンプルのウィンドウ内にある、コントローラと
    を備えている、RF電力増幅器システム。
  2. 前記コントローラは、前記RF電力増幅器システムの出力信号の中で前記伝送データの正確な表現を生成するために、前記デジタル/RF変調器のための振幅および位相値と、前記RF電力増幅器のための電圧値とを選択するように構成されている、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  3. 前記電圧制御ユニットは、前記電力増幅器に印加される電圧信号をフィルタ処理する移行成形フィルタを含む、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  4. 前記コントローラは、最小数の電圧レベル移行によって電力増幅器動作の所望の効率を達成する方法で、前記電力増幅器のための電圧レベル変更決定を行うように構成されている、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  5. 前記コントローラは、既定の増幅器性能基準に基づいて、前記データサンプルのウィンドウの長さを経時的に適合させることが可能である、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  6. 現在のサンプルのための前記電力増幅器による使用のための電圧レベルを決定するために、前記コントローラは、
    前記データサンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルのために使用されたよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前記現在のサンプルとの使用のために、前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択するように構成されている、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  7. 前記RF電力増幅器は、第1のRF電力増幅器であり、
    前記RF電力増幅器システムは、
    少なくとも1つの追加のRF電力増幅器と、
    前記第1のRF電力増幅器の出力信号と前記少なくとも1つの追加のRF電力増幅器の出力信号とを組み合わせる結合器と
    をさらに備えている、請求項1に記載のRF電力増幅器システム。
  8. 電力増幅器を駆動するデジタル/無線周波数(RF)変調器を有するRF伝送機を動作させる方法であって、前記方法は、
    前記RF伝送機から伝送されるべき伝送データを取得することと、
    少なくとも部分的に、前記伝送データに基づいて、前記デジタル/RF変調器に入力情報を提供することであって、前記入力情報は、前記デジタル/RF変調器のRF出力信号の振幅および位相を制御し、前記入力情報は、データサンプルのストリームを含む、ことと、
    前記電力増幅器のための供給電圧を選択することであって、前記供給電圧は、複数の個別の電圧レベルから選択され、前記供給電圧は、少なくとも部分的に、前記データサンプルのストリームおよび前記伝送データに基づいて、前記RF電力増幅器のための電圧レベル変更に関する決定を行うことによって選択され、瞬間データサンプルのための個別の供給電圧レベルを選択することは、少なくとも部分的に、
    要求されるRF出力と、
    前記デジタル/RF変調器に提供される1つ以上の前のデータサンプルと、
    前記デジタル/RF変調器に提供される前記瞬間データサンプルと、
    前記瞬間データサンプルの後の時点において前記デジタル/RF変調器に提供されるべき1つ以上の後のデータサンプルと
    に基づき、前記1つ以上の前のデータサンプル、前記瞬間データサンプル、および前記1つ以上の後のデータサンプルは、Nサンプル長のデータサンプルのウィンドウ内にある、ことと
    を含む、方法。
  9. 前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、
    前記サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、所望の出力電力を達成するために、前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用することができる場合、前記ウィンドウ内の全てのサンプルのために所望の瞬間出力電力レベルを生成することが可能である最低の新しい電圧レベルを選択することを含む前記前のサンプルのために使用されたものよりも低い新しい電圧レベルを選択することを含む、請求項8に記載の方法。
  10. 前記電力増幅器のための供給電圧を選択することは、
    前記サンプルのウィンドウ内の全てのサンプルが、前記所望の出力電力を達成するために、前記前のサンプルよりも低い電圧レベルを使用できない場合、
    前記前のサンプルを支持するために使用された電圧レベルが、現在のサンプルとの使用のために十分である場合、前記現在のサンプルのために、前記前のサンプルを支持するために使用された前記電圧レベルを使用することを継続することと、
    前記前のサンプルを支持するために使用された前記電圧レベルが、前記現在のサンプルとの使用のために十分ではない場合、前記現在のサンプルとの使用のために十分である新しい電圧レベルを選択することと
    をさらに含む、請求項9に記載の方法。
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Families Citing this family (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11036262B1 (en) * 2008-01-14 2021-06-15 Micro Mobio Corporation Radio frequency power amplifier with adjacent channel leakage correction circuit
US8212541B2 (en) 2008-05-08 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Power converter with capacitive energy transfer and fast dynamic response
EP3447910B1 (en) 2008-11-11 2020-12-16 Massachusetts Institute Of Technology An asymmetric multilevel outphasing architecture for rf amplifiers
US9634577B2 (en) 2008-11-11 2017-04-25 Massachusetts Institute Of Technology Inverter/power amplifier with capacitive energy transfer and related techniques
US9112452B1 (en) 2009-07-14 2015-08-18 Rf Micro Devices, Inc. High-efficiency power supply for a modulated load
US9912303B2 (en) 2010-02-03 2018-03-06 Massachusetts Institute Of Technology RF-input / RF-output outphasing amplifier
US9141832B2 (en) 2010-02-03 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Multiway lossless power combining and outphasing incorporating transmission lines
WO2011133542A1 (en) 2010-04-19 2011-10-27 Rf Micro Devices, Inc. Pseudo-envelope following power management system
US9431974B2 (en) 2010-04-19 2016-08-30 Qorvo Us, Inc. Pseudo-envelope following feedback delay compensation
US9099961B2 (en) 2010-04-19 2015-08-04 Rf Micro Devices, Inc. Output impedance compensation of a pseudo-envelope follower power management system
US9954436B2 (en) 2010-09-29 2018-04-24 Qorvo Us, Inc. Single μC-buckboost converter with multiple regulated supply outputs
US9075673B2 (en) 2010-11-16 2015-07-07 Rf Micro Devices, Inc. Digital fast dB to gain multiplier for envelope tracking systems
US10389235B2 (en) 2011-05-05 2019-08-20 Psemi Corporation Power converter
US9247496B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power loop control based envelope tracking
EP3425784B1 (en) 2011-05-05 2023-09-06 PSEMI Corporation Dc-dc converter with modular stages
US9882471B2 (en) 2011-05-05 2018-01-30 Peregrine Semiconductor Corporation DC-DC converter with modular stages
US9246460B2 (en) 2011-05-05 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Power management architecture for modulated and constant supply operation
US9379667B2 (en) 2011-05-05 2016-06-28 Rf Micro Devices, Inc. Multiple power supply input parallel amplifier based envelope tracking
US10680515B2 (en) 2011-05-05 2020-06-09 Psemi Corporation Power converters with modular stages
CN103748794B (zh) 2011-05-31 2015-09-16 射频小型装置公司 一种用于测量发射路径的复数增益的方法和设备
US9263996B2 (en) 2011-07-20 2016-02-16 Rf Micro Devices, Inc. Quasi iso-gain supply voltage function for envelope tracking systems
CN103988406B (zh) 2011-10-26 2017-03-01 Qorvo美国公司 射频(rf)开关转换器以及使用rf开关转换器的rf放大装置
US9484797B2 (en) 2011-10-26 2016-11-01 Qorvo Us, Inc. RF switching converter with ripple correction
US9515621B2 (en) 2011-11-30 2016-12-06 Qorvo Us, Inc. Multimode RF amplifier system
US9250643B2 (en) 2011-11-30 2016-02-02 Rf Micro Devices, Inc. Using a switching signal delay to reduce noise from a switching power supply
US9256234B2 (en) 2011-12-01 2016-02-09 Rf Micro Devices, Inc. Voltage offset loop for a switching controller
US9280163B2 (en) 2011-12-01 2016-03-08 Rf Micro Devices, Inc. Average power tracking controller
US9041365B2 (en) 2011-12-01 2015-05-26 Rf Micro Devices, Inc. Multiple mode RF power converter
US9494962B2 (en) 2011-12-02 2016-11-15 Rf Micro Devices, Inc. Phase reconfigurable switching power supply
US9813036B2 (en) 2011-12-16 2017-11-07 Qorvo Us, Inc. Dynamic loadline power amplifier with baseband linearization
US9298198B2 (en) 2011-12-28 2016-03-29 Rf Micro Devices, Inc. Noise reduction for envelope tracking
US9374020B2 (en) 2012-01-17 2016-06-21 Massachusetts Institute Of Technology Stacked switched capacitor energy buffer circuit architecture
US9407164B2 (en) 2012-02-03 2016-08-02 Massachusetts Institute Of Technology Systems approach to photovoltaic energy extraction
WO2013134573A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Resonant power converters using impedance control networks and related techniques
US8854127B2 (en) * 2012-05-15 2014-10-07 Intel Mobile Communications GmbH DC-DC converter for envelope tracking
US8830710B2 (en) 2012-06-25 2014-09-09 Eta Devices, Inc. RF energy recovery system
WO2014028441A2 (en) 2012-08-13 2014-02-20 Massachusetts Institute Of Technology Multi-step, switched-capacitor rectifier and dc-dc converter circuits and related techniques
US9225231B2 (en) 2012-09-14 2015-12-29 Rf Micro Devices, Inc. Open loop ripple cancellation circuit in a DC-DC converter
JP2014082749A (ja) * 2012-09-28 2014-05-08 Fordan Kk 複合電力増幅器を有する複合送信機
US9197256B2 (en) 2012-10-08 2015-11-24 Rf Micro Devices, Inc. Reducing effects of RF mixer-based artifact using pre-distortion of an envelope power supply signal
US9207692B2 (en) 2012-10-18 2015-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Transitioning from envelope tracking to average power tracking
US9166536B2 (en) 2012-10-30 2015-10-20 Eta Devices, Inc. Transmitter architecture and related methods
US9537456B2 (en) 2012-10-30 2017-01-03 Eta Devices, Inc. Asymmetric multilevel backoff amplifier with radio-frequency splitter
US8829993B2 (en) 2012-10-30 2014-09-09 Eta Devices, Inc. Linearization circuits and methods for multilevel power amplifier systems
US9853550B2 (en) 2012-10-31 2017-12-26 Massachusetts Institute Of Technology Systems and methods for a variable frequency multiplier power converter
US9627975B2 (en) 2012-11-16 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Modulated power supply system and method with automatic transition between buck and boost modes
JP6580488B2 (ja) 2012-11-27 2019-09-25 イーティーエー デバイシズ, インコーポレイテッド マルチレベル電力増幅器システムのための線形化回路および方法
US9300252B2 (en) * 2013-01-24 2016-03-29 Rf Micro Devices, Inc. Communications based adjustments of a parallel amplifier power supply
US9178472B2 (en) 2013-02-08 2015-11-03 Rf Micro Devices, Inc. Bi-directional power supply signal based linear amplifier
US9608675B2 (en) 2013-02-11 2017-03-28 Qualcomm Incorporated Power tracker for multiple transmit signals sent simultaneously
US9577592B2 (en) * 2013-02-22 2017-02-21 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Method and device for controlling a power amplifier configured to use nonlinearity correction and a power amplifier system
US9190967B2 (en) * 2013-03-13 2015-11-17 Futurewei Technologies Inc. Apparatus and method for asymmetrically driven partial outphasing power amplifier
US9083294B2 (en) * 2013-03-13 2015-07-14 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and method for multilevel lossless outphasing power amplifier
US9203353B2 (en) 2013-03-14 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Noise conversion gain limited RF power amplifier
WO2014152903A2 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Rf Micro Devices, Inc Envelope tracking power supply voltage dynamic range reduction
US8619445B1 (en) 2013-03-15 2013-12-31 Arctic Sand Technologies, Inc. Protection of switched capacitor power converter
US9197465B2 (en) 2013-03-15 2015-11-24 Futurewei Technologies, Inc. Apparatus and method for a digital transmitter architecture with outphasing power amplifier
WO2014168911A1 (en) 2013-04-09 2014-10-16 Massachusetts Institute Of Technology Power conservation with high power factor
US9479118B2 (en) 2013-04-16 2016-10-25 Rf Micro Devices, Inc. Dual instantaneous envelope tracking
JP6458729B2 (ja) * 2013-05-16 2019-01-30 日本電気株式会社 送信装置及び送信方法
US9374005B2 (en) 2013-08-13 2016-06-21 Rf Micro Devices, Inc. Expanded range DC-DC converter
MX2016002460A (es) * 2013-08-28 2016-08-17 Deltanode Solutions Ab Determinacion del punto de funcionamiento de etapa amplificadora.
US10840805B2 (en) 2013-09-24 2020-11-17 Eta Devices, Inc. Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers
US9755672B2 (en) 2013-09-24 2017-09-05 Eta Devices, Inc. Integrated power supply and modulator for radio frequency power amplifiers
WO2015069516A1 (en) 2013-10-29 2015-05-14 Massachusetts Institute Of Technology Switched-capacitor split drive transformer power conversion circuit
WO2015139746A1 (en) 2014-03-19 2015-09-24 Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) Amplifier circuit and method
US9866190B2 (en) * 2014-04-03 2018-01-09 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Multi-stage amplifiers with low loss
US9614476B2 (en) 2014-07-01 2017-04-04 Qorvo Us, Inc. Group delay calibration of RF envelope tracking
WO2016004427A1 (en) 2014-07-03 2016-01-07 Massachusetts Institute Of Technology High-frequency, high-density power factor correction conversion for universal input grid interface
US9768731B2 (en) 2014-07-23 2017-09-19 Eta Devices, Inc. Linearity and noise improvement for multilevel power amplifier systems using multi-pulse drain transitions
FR3031851B1 (fr) 2015-01-15 2017-02-17 Amcad Eng Systeme de suivi de la puissance crete pour une amplification de puissance rf et procede de calcul de valeur de crete et de selection de tension d'alimentation associe
US9838058B2 (en) * 2015-02-15 2017-12-05 Skyworks Solutions, Inc. Power amplification system with variable supply voltage
US9979421B2 (en) 2015-03-02 2018-05-22 Eta Devices, Inc. Digital pre-distortion (DPD) training and calibration system and related techniques
EP3272026B1 (en) * 2015-03-20 2020-04-29 Andrew Wireless Systems GmbH Module for combining signals having different frequencies
US10404225B2 (en) * 2015-06-26 2019-09-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Amplifier circuitry and method for amplifying a signal using said amplifier circuitry
US9685907B2 (en) * 2015-06-30 2017-06-20 Texas Instruments Incorporated Variable gain power amplifiers
US9941844B2 (en) 2015-07-01 2018-04-10 Qorvo Us, Inc. Dual-mode envelope tracking power converter circuitry
US9912297B2 (en) 2015-07-01 2018-03-06 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power converter circuitry
US9800274B2 (en) * 2015-07-03 2017-10-24 Mediatek, Inc. Communication units and methods for power supply control
EP3316479B1 (en) * 2015-07-28 2022-10-26 Huawei Technologies Co., Ltd. Power amplifier, power amplification method, and power amplification control device and method
WO2017080584A1 (en) * 2015-11-10 2017-05-18 Huawei Technologies Co., Ltd. Quadrature digital power amplifier
US9484861B1 (en) * 2015-11-24 2016-11-01 King Fahd University Of Petroleum And Minerals Method for system level oriented load-pull-based envelope tracking power amplifiers
US10459472B2 (en) * 2015-12-07 2019-10-29 Hamilton Sundstrand Corporation Model predictive control optimization for power electronics
US10382071B2 (en) * 2016-01-27 2019-08-13 Qorvo Us, Inc. Bandwidth optimization for power amplifier power supplies
US9634615B1 (en) * 2016-03-08 2017-04-25 Nxp Usa, Inc. Multi-band Doherty amplifier device and method therefor
US9973147B2 (en) 2016-05-10 2018-05-15 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power management circuit
CN107404297A (zh) * 2016-05-19 2017-11-28 深圳市南方硅谷微电子有限公司 功率放大电路
GB2551205B (en) * 2016-06-10 2020-05-06 Etl Systems Ltd A self-optimising RF amplifier
US10123286B2 (en) * 2016-06-30 2018-11-06 Qorvo Us, Inc. Outphasing power management circuit for radio frequency (RF) beamforming
US10763814B2 (en) 2016-08-09 2020-09-01 John Bean Technologies Corporation Radio frequency processing apparatus and method
CN109286375B (zh) * 2017-07-19 2021-03-02 陕西亚成微电子股份有限公司 一种用于包络跟踪的电源
BR112020012575A2 (pt) 2017-12-22 2020-11-24 Huawei Technologies Co., Ltd. circuito de processamento de sinal, transmissor de sinal de radiofrequência, e dispositivo de comunicações
CN111164869B (zh) 2018-01-23 2023-03-24 华为数字能源技术有限公司 功率转换器
US10476437B2 (en) 2018-03-15 2019-11-12 Qorvo Us, Inc. Multimode voltage tracker circuit
FR3080723B1 (fr) 2018-04-25 2021-08-06 Wupatec Systeme et procede de linearisation en bande de base pour un amplificateur de puissance radiofrequence de classe g
WO2020047853A1 (zh) 2018-09-07 2020-03-12 华为技术有限公司 信号处理方法及系统
IL263850B (en) * 2018-12-19 2020-06-30 Elbit Systems Land & C4I Ltd System and method for compensating for ripple generated from a power supply
US11387797B2 (en) 2019-03-15 2022-07-12 Skyworks Solutions, Inc. Envelope tracking systems for power amplifiers
US10992265B2 (en) * 2019-03-29 2021-04-27 Eta Wireless, Inc. Multi-stage pulse shaping network
US11515617B1 (en) 2019-04-03 2022-11-29 Micro Mobio Corporation Radio frequency active antenna system in a package
US11374538B2 (en) * 2019-04-09 2022-06-28 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for envelope tracking
US11398852B2 (en) * 2019-06-24 2022-07-26 Qorvo Us, Inc. Envelope tracking power amplifier apparatus
US11637531B1 (en) 2019-09-05 2023-04-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Supply generator and associated control methods
US11223324B2 (en) 2019-09-27 2022-01-11 Skyworks Solutions, Inc. Multi-level envelope tracking with analog interface
CN114514696A (zh) 2019-09-27 2022-05-17 天工方案公司 具有分离的直流和交流路径的多级包络跟踪系统
US11437960B2 (en) 2019-10-29 2022-09-06 Qorvo Us, Inc. Average power tracking power amplifier apparatus
US11909358B1 (en) 2020-01-22 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilevel amplifier systems and related techniques
CN115715453A (zh) * 2020-06-10 2023-02-24 株式会社村田制作所 高频模块以及通信装置
TW202213940A (zh) 2020-07-31 2022-04-01 麻薩諸塞科學研究所 射頻功率產生器及控制方法
WO2022038695A1 (ja) * 2020-08-19 2022-02-24 三菱電機株式会社 電源変調装置、電源変調方法及び電源変調型増幅器
CN112469112B (zh) * 2020-11-25 2023-03-21 Oppo(重庆)智能科技有限公司 频率控制方法、装置、射频系统及通信设备
WO2023054380A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 株式会社村田製作所 トラッカモジュール
WO2023054372A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 株式会社村田製作所 トラッカモジュールおよび通信装置
CN117981211A (zh) * 2021-09-29 2024-05-03 株式会社村田制作所 跟踪模块
WO2023054387A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 株式会社村田製作所 トラッカモジュール及び通信装置
KR20240044493A (ko) * 2021-09-29 2024-04-04 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 트래커 모듈 및 통신 장치
WO2023054374A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 株式会社村田製作所 トラッカモジュールおよび通信装置
WO2023074251A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 株式会社村田製作所 トラッカモジュール
WO2023153460A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 株式会社村田製作所 電源回路及び電源電圧供給方法
WO2023153458A1 (ja) * 2022-02-10 2023-08-17 株式会社村田製作所 トラッカモジュール、電力増幅モジュール及び高周波モジュール
WO2023223748A1 (ja) * 2022-05-18 2023-11-23 株式会社村田製作所 増幅回路及び増幅方法
WO2024008306A1 (en) * 2022-07-08 2024-01-11 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Dual polarity power amplifier with nonlinear supply modulation
WO2024036293A2 (en) * 2022-08-12 2024-02-15 Massachusetts Institute Of Technology Multiple-output tunable impedance matching networks
WO2024122367A1 (ja) * 2022-12-08 2024-06-13 株式会社村田製作所 トラッカモジュール
WO2024135460A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 株式会社村田製作所 トラッカモジュールおよび通信装置
WO2024135468A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 株式会社村田製作所 トラッカモジュールおよび通信装置

Family Cites Families (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4129839A (en) 1977-03-09 1978-12-12 Raytheon Company Radio frequency energy combiner or divider
DE3733374A1 (de) 1987-10-02 1989-05-11 Messerschmitt Boelkow Blohm Verfahren und vorrichtung zur linearen verstaerkung von signalen in satellitentranspondern
US4835493A (en) 1987-10-19 1989-05-30 Hughes Aircraft Company Very wide bandwidth linear amplitude modulation of RF signal by vector summation
JP2689011B2 (ja) * 1990-02-13 1997-12-10 日本電信電話株式会社 線形送信装置
US5892395A (en) 1997-05-02 1999-04-06 Motorola, Inc. Method and apparatus for efficient signal power amplification
US6133788A (en) 1998-04-02 2000-10-17 Ericsson Inc. Hybrid Chireix/Doherty amplifiers and methods
US6140807A (en) 1998-10-01 2000-10-31 Motorola, Inc. Electronic device and associated method for charging an energy storage circuit with a DC-DC converter
US6327462B1 (en) 1998-12-29 2001-12-04 Conexant Systems, Inc. System and method for dynamically varying operational parameters of an amplifier
US6799020B1 (en) 1999-07-20 2004-09-28 Qualcomm Incorporated Parallel amplifier architecture using digital phase control techniques
US6377117B2 (en) 1999-07-27 2002-04-23 Conexant Systems, Inc. Method and system for efficiently transmitting energy from an RF device
FR2799063B1 (fr) 1999-09-24 2001-12-21 Centre Nat Etd Spatiales Emetteur de signaux radioelectriques modules a polarisation d'amplification auto-adaptee
US6449465B1 (en) 1999-12-20 2002-09-10 Motorola, Inc. Method and apparatus for linear amplification of a radio frequency signal
US6396341B1 (en) 2000-12-29 2002-05-28 Ericsson Inc. Class E Doherty amplifier topology for high efficiency signal transmitters
US7068984B2 (en) 2001-06-15 2006-06-27 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Systems and methods for amplification of a communication signal
JP3742029B2 (ja) * 2002-04-15 2006-02-01 埼玉日本電気株式会社 携帯電話機
EP1381154A1 (en) * 2002-07-09 2004-01-14 Lucent Technologies Inc. Power amplification by using different fixed power supply signals for the amplifier
ATE349804T1 (de) 2002-09-06 2007-01-15 Ericsson Telefon Ab L M Zusammengesetzter leistungsverstärker
US7123664B2 (en) 2002-09-17 2006-10-17 Nokia Corporation Multi-mode envelope restoration architecture for RF transmitters
GB2398648B (en) 2003-02-19 2005-11-09 Nujira Ltd Power supply stage for an amplifier
US7193470B2 (en) 2003-03-04 2007-03-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Method and apparatus for controlling a power amplifier in a mobile communication system
KR20040102298A (ko) 2003-05-27 2004-12-04 삼성전자주식회사 바이어스 적응 방식의 대전력 증폭기
WO2004088837A2 (en) 2003-03-28 2004-10-14 Andrew Corporation Doherty amplifier with output hybrid coupler
US7091778B2 (en) 2003-09-19 2006-08-15 M/A-Com, Inc. Adaptive wideband digital amplifier for linearly modulated signal amplification and transmission
SE0302586D0 (sv) 2003-09-26 2003-09-26 Ericsson Telefon Ab L M Composite power amplifier
US7421037B2 (en) * 2003-11-20 2008-09-02 Nokia Corporation Reconfigurable transmitter with direct digital to RF modulator
WO2005106613A1 (en) 2004-04-22 2005-11-10 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for switched-mode power conversion at radio frequencies
US7541864B2 (en) 2004-06-04 2009-06-02 Silicon Power Devices Aps Power amplifier and pulse-width modulated amplifier
US7355470B2 (en) 2006-04-24 2008-04-08 Parkervision, Inc. Systems and methods of RF power transmission, modulation, and amplification, including embodiments for amplifier class transitioning
US7129784B2 (en) 2004-10-28 2006-10-31 Broadcom Corporation Multilevel power amplifier architecture using multi-tap transformer
CN101088214B (zh) 2004-12-21 2010-05-05 艾利森电话股份有限公司 已调射频信号的生成
US20070066224A1 (en) 2005-02-28 2007-03-22 Sirit, Inc. High efficiency RF amplifier and envelope modulator
JP2006254345A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Mitsubishi Electric Corp 送信機の電力増幅装置
US7535133B2 (en) 2005-05-03 2009-05-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for resistance compression networks
US9214909B2 (en) 2005-07-29 2015-12-15 Mks Instruments, Inc. High reliability RF generator architecture
JP2007116651A (ja) 2005-09-22 2007-05-10 Renesas Technology Corp 高周波電力増幅用電子部品および無線通信装置
EP1949309B1 (en) 2005-10-21 2014-01-15 The Regents of the University of Colorado Systems and methods for receiving and managing power in wireless devices
GB2432982A (en) 2005-11-30 2007-06-06 Toshiba Res Europ Ltd An EER RF amplifier with PWM signal switching
US8884714B2 (en) 2005-12-22 2014-11-11 Pine Valley Investments, Inc. Apparatus, system, and method for digital base modulation of power amplifier in polar transmitter
JP4868846B2 (ja) * 2005-12-22 2012-02-01 富士通株式会社 電圧制御信号調整装置及び電圧制御信号調整方法
WO2007082090A2 (en) 2006-01-12 2007-07-19 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus for a resonant converter
US7589605B2 (en) 2006-02-15 2009-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus to provide compensation for parasitic inductance of multiple capacitors
US7408414B2 (en) 2006-03-21 2008-08-05 Leadis Technology, Inc. Distributed class G type amplifier switching method
US7362251B2 (en) 2006-05-18 2008-04-22 Broadcom Corporation Method and system for digital to analog conversion for power amplifier driver amplitude modulation
US7342445B2 (en) 2006-05-30 2008-03-11 Motorola, Inc. Radio frequency power amplifier circuit and method
US8548400B2 (en) 2006-05-31 2013-10-01 Freescale Semiconductor, Inc. System and method for polar modulation using power amplifier bias control
US7570931B2 (en) 2006-06-02 2009-08-04 Crestcom, Inc. RF transmitter with variably biased RF power amplifier and method therefor
JP5185115B2 (ja) 2006-06-14 2013-04-17 リサーチ イン モーション リミテッド スイッチャ調整パワーアンプモジュールの改良された制御
US7817962B2 (en) 2006-06-29 2010-10-19 Broadcom Corporation Polar transmitter amplifier with variable output power
US20080003962A1 (en) 2006-06-30 2008-01-03 Wai Lim Ngai Method and apparatus for providing adaptive supply voltage control of a power amplifier
US7724839B2 (en) 2006-07-21 2010-05-25 Mediatek Inc. Multilevel LINC transmitter
WO2008045159A2 (en) * 2006-10-06 2008-04-17 Skyworks Solutions, Inc. Output power correction module for amplifiers in transmitters
US8009765B2 (en) 2007-03-13 2011-08-30 Pine Valley Investments, Inc. Digital polar transmitter
WO2009054765A1 (en) 2007-10-26 2009-04-30 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Improved amplifying device
JP4992741B2 (ja) * 2008-01-25 2012-08-08 富士通株式会社 電力増幅器
US7705681B2 (en) 2008-04-17 2010-04-27 Infineon Technologies Ag Apparatus for coupling at least one of a plurality of amplified input signals to an output terminal using a directional coupler
US8212541B2 (en) 2008-05-08 2012-07-03 Massachusetts Institute Of Technology Power converter with capacitive energy transfer and fast dynamic response
US7957712B2 (en) 2008-06-16 2011-06-07 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Double-LINC switched-mode transmitter
US20100073084A1 (en) 2008-09-19 2010-03-25 Samsung Electro-Mechanics Company, Ltd. Systems and methods for a level-shifting high-efficiency linc amplifier using dynamic power supply
EP3447910B1 (en) 2008-11-11 2020-12-16 Massachusetts Institute Of Technology An asymmetric multilevel outphasing architecture for rf amplifiers
WO2013191757A1 (en) 2012-06-18 2013-12-27 Massachusetts Institute Of Technology Inverter/power amplifier with capacitive energy transfer and related techniques
US8064852B2 (en) * 2008-11-13 2011-11-22 Panasonic Corporation Methods and apparatus for dynamically compensating for DC offset drift and other PVT-related signal variations in polar transmitters
JP5365369B2 (ja) * 2009-06-26 2013-12-11 富士通株式会社 送信装置、歪み補償装置及び歪み補償方法
US8290086B2 (en) 2009-12-09 2012-10-16 Tamal Bose Efficient outphasing transmitter
US8351877B2 (en) 2010-12-21 2013-01-08 Dali Systems Co. Ltfd. Multi-band wideband power amplifier digital predistorition system and method
US8447245B2 (en) * 2010-01-22 2013-05-21 Freescale Semiconductor, Inc. Radio frequency transmitter having an amplifier with power supply modulation
EP2532089B1 (en) 2010-02-03 2020-11-11 Massachusetts Institute of Technology Radio-frequency (rf) amplifier circuits and related techniques
US9141832B2 (en) 2010-02-03 2015-09-22 Massachusetts Institute Of Technology Multiway lossless power combining and outphasing incorporating transmission lines
US8542061B2 (en) 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
US8174322B2 (en) 2010-05-04 2012-05-08 Nxp B.V. Power control of reconfigurable outphasing chireix amplifiers and methods
US8362649B2 (en) 2010-06-18 2013-01-29 R2 Semiconductor, Inc. Multi-use voltage regulator
US8463208B2 (en) * 2010-08-30 2013-06-11 Intel Mobile Communications GmbH DC power control for power amplifiers
US8461928B2 (en) * 2011-01-25 2013-06-11 Provigent Ltd. Constant-gain power amplifier
JP5621649B2 (ja) * 2011-02-18 2014-11-12 富士通株式会社 送信装置
US9374020B2 (en) 2012-01-17 2016-06-21 Massachusetts Institute Of Technology Stacked switched capacitor energy buffer circuit architecture
WO2013134573A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Massachusetts Institute Of Technology Resonant power converters using impedance control networks and related techniques
US8779851B2 (en) 2012-05-15 2014-07-15 Integrated Device Technology, Inc. Linearizing a power amplifier
US8830710B2 (en) 2012-06-25 2014-09-09 Eta Devices, Inc. RF energy recovery system

Also Published As

Publication number Publication date
EP2915251B1 (en) 2020-08-05
EP2915251A4 (en) 2016-06-15
EP2915251A1 (en) 2015-09-09
US20140118063A1 (en) 2014-05-01
JP2019062580A (ja) 2019-04-18
JP2015533066A (ja) 2015-11-16
WO2014070475A1 (en) 2014-05-08
JP6697881B2 (ja) 2020-05-27
US8824978B2 (en) 2014-09-02

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