JP6777070B2 - バリスタ内蔵多層基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、バリスタ内蔵多層基板、およびその製造方法に関する。

コンピュータおよび携帯電話などの電子機器には、それらに含まれる電子回路や素子を静電気およびノイズ等により生ずる異常高電圧から保護するためにバリスタ素子などのＥＳＤ（静電気放電）保護デバイスが組み込まれている。
バリスタ素子は、印加される電圧が低い場合は大きな電気抵抗値を示し、僅かな電流しか流れないが、印加される電圧が大きくなると顕著に電気抵抗が低下し、多くの電流が流れる非直線性抵抗を示すバリスタ（バリスタ材料）を用いている。このようなバリスタの中でも容易に所望の特性を得られることから、酸化亜鉛を主成分として、酸化亜鉛以外の酸化物等を添加した酸化亜鉛系バリスタ（酸化亜鉛系バリスタ材料）が多く用いられている。
酸化亜鉛系バリスタ材料、特に同材料を焼結して得た酸化亜鉛系バリスタ用焼結体を用いたバリスタ素子を電子回路に組み込むことにより、電子回路の一部分に静電気またはノイズ等による高電圧に起因した電流が流れても、電子回路の所望の部分および所望の素子に、このような大きな電流が流れるのを抑制することができる。

しかし、一方で、バリスタ素子の占有スペースはこれらの電子機器の小型化を阻害する要因となっている。
この問題を解決するため、ＥＳＤ（静電気放電）保護デバイスをＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミックス）として多層基板内に電極と一体的に形成することが、例えば特許文献１に開示されている。

ＬＴＣＣと接触して用いる電極には、電気抵抗の低い銀（Ａｇ）を用いることが望ましい。しかし、銀は、例えば１０００℃以上のような高温まで加熱されると酸化等により電極としての性能が低下してしまう。
このため、表面に銀より成る電極材料を形成した、バリスタ材料の混合原料シート（グリーンシート）等を含む積層体を８５０℃〜９５０℃程度の範囲の温度で焼成してバリスタ素子（ＥＳＤ保護デバイス）を含む多層部品を形成する方法が特許文献２〜６に開示されている。

これらのバリスタ材料（バリスタ用焼結体）としては、添加剤として例えばアンチモン（Ｓｂ）、およびイットリウム（Ｙ）またはプラセオジム（Ｐｒ）のような希土類元素を用いることで、非直線性抵抗のような、所定のバリスタ特性を得ているものが多い。
また、多層基板に用いられる誘電体材料としては、組織中にＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８を含むことにより、１０００℃以下、例えば、８５０℃〜９５０℃の低温の温度範囲で焼成可能な、優れた誘電体特性を有する誘電体材料が特許文献７および８に提案されている。

しかし、バリスタ層と他のセラミックス層とを積層した多層部品においては、焼成すると、バリスタ層が含有するビスマス、ケイ素等の低融点の成分が他のセラミックス層に拡散してしまう場合があり、その結果、バリスタ層のバリスタ特性が低下してしまうことがあるという課題が知られている。積層したバリスタ層に係るこのような課題を解決するために、例えば、１０００℃以上で焼成可能であり、かつバリスタ層と同じ組成系のセラミックス層と積層した積層チップバリスタが開示された引用文献９には、バリスタ層にＳｉＯ_２を多く含有させることで、積層チップバリスタのバリスタ特性の低下を抑制できることが開示されている。

ＷＯ２００９／１３６５３５号公報 特開２０１０−２３８８８２号公報 特開２００７−５４９９号公報 特開平９−３１２２０３号公報 特開２０１２−１１４４４３号公報 特開２００５−９７０７０号公報 特開２０００−２７２９６０号公報 特開２００４−１９６６５２号公報 特開２００６−２５３４５９号公報

しかし、焼結によりバリスタ特性が低下するという、多層部品が有する上記の課題について、引用文献９には、１０００℃以上の高温で焼成可能であり、かつバリスタ層と同じ組成系のセラミックス層と積層した積層チップバリスタについての解決手段が開示されているものの、１０００℃以下の低温で焼成が可能で、かつ異なる組成系のセラミックス層と積層したバリスタ内蔵型多層基板についての解決手段は、一切開示されていない。また、他の文献においても、このような１０００℃以下の低温で焼成が可能なバリスタ内蔵型多層基板について、焼結による非線形定数の低下を抑制する手段が開示されていない。

そこで本発明は、低温焼成可能なバリスタ材料と低温焼成可能な誘電体層とを積層して同時焼成して多層基板を形成しても、多層基板におけるバリスタ層の非線形定数が、バリスタ層単体の時と同等に高い非線形定数を有する、バリスタ内蔵多層基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の態様１は、順に積層されている、第１誘電体層、第１拡散防止層、バリスタ層、第２拡散防止層および第２誘電体層と、前記バリスタ層のいずれかの主面にそれぞれ配置された第１内部電極および第２内部電極とを有し、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、ボイドが面積比率で５％未満であり、電気抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ以上であり、比誘電率が６〜９であり、前記第１拡散防止層および前記第２拡散防止層は、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主成分とするＺｎ−Ｓｉ酸化物と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物とを含み、前記バリスタ層は、主相がＺｎＯであり、前記ＺｎＯの粒界または粒界三重点にＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）および/またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）が存在していることを特徴とする、バリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様２は、前記バリスタ層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを９０．０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを０．０１〜２．０ｍｏｌ％およびＢｉを０．３〜４．０ｍｏｌ％含み、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｒ、０．１〜４．０ｍｏｌ％のＭｎおよび０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｏから選択されるいずれか１種以上を含むことを特徴とする、態様１に記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様３は、前記バリスタ層は、Ｓｉの組成が０．１〜２．０ｍｏｌ％であることを特徴とする、態様２に記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様４は、前記バリスタ層は、Ｓｉの組成が０．０１〜０．３ｍｏｌ％であることを特徴とする、態様２に記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様５は、前記バリスタ層は、残部が不可避的不純物であることを特徴とする、態様２〜４のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様６は、前記バリスタ層は、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＳｃ、０．１〜４．０ｍｏｌ％のＢから成る群から選択される少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする態様２〜５のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様７は、前記バリスタ層は、アンチモン（Ｓｂ）、希土類元素および錫（Ｓｎ）のそれぞれの含有量が不純物レベル以下であることを特徴とする、態様２〜６のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様８は、前記第１拡散防止層および前記第２拡散防止層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを３０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを２６．６〜５５．０ｍｏｌ％、Ｂｉを１．５〜３５．０ｍｏｌ％含むことを特徴とする、態様１〜７のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様９は、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ酸化物を主成分とし、ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ａｌ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を含むセラミックス組成物であることを特徴とする、態様１〜８のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１０は、前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｏを０〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含むセラミックス組成物であることを特徴とする、態様１〜９のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１１は、前記第１内部電極は、前記バリスタ層の一方の主面に配置され、前記第１誘電体層を貫通する第１貫通電極と電気的に接続されており、前記第２内部電極は、前記バリスタ層の他方の主面に配置され、前記第２誘電体層を貫通する第２貫通電極と電気的に接続されている、態様１〜１０のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１２は、前記第１貫通電極は、前記第１誘電体層と前記第１拡散防止層とを貫通しており、前記第２貫通電極は、前記第２誘電体層と前記第２拡散防止層とを貫通している、態様１１に記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１３は、前記第１内部電極および第２内部電極は前記バリスタ層の１つの主面に離間して配置され、前記第１内部電極は、前記第１誘電体層を貫通する第１貫通電極と電気的に接続され、前記第２内部電極は、前記第１誘電体層を貫通する第２貫通電極と電気的に接続されている、態様１〜１０のいずれかに記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１４は、前記第１貫通電極および前記第２貫通電極は、前記第１誘電体層と前記第１拡散防止層とを貫通している、態様１３に記載のバリスタ内蔵多層基板である。

本発明の態様１５は、１）酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化ケイ素と、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉シートを形成する工程と、２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（１）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉シートを形成する工程と、３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉シート、前記バリスタ層粉シート、前記拡散防止層粉シートおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法である。

Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （１）

本発明の態様１６は、１）酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化ケイ素と、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉ペーストを形成する工程と、２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（２）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉ペーストを形成する工程と、３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉ペースト、前記バリスタ層粉ペースト、前記拡散防止層粉ペーストおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法である。

Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （２）

本発明の態様１７は、１）酸化亜鉛と、ビスマス・シリコン酸化化合物と、酸化ビスマスと、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉シートを形成する工程と、２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（３）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉シートを形成する工程と、３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉シート、前記バリスタ層粉シート、前記拡散防止層粉シートおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法である。

Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （３）

本発明の態様１８は、１）酸化亜鉛と、ビスマス・シリコン酸化化合物と、酸化ビスマスと、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉ペーストを形成する工程と、２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（４）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉ペーストを形成する工程と、３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉ペースト、前記バリスタ層粉ペースト、前記拡散防止層粉ペーストおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法である。

Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （４）

本発明に係るバリスタ内蔵多層基板では、多層基板に内蔵されているバリスタ層が、バリスタ単体の場合と同等の高い非線形定数を有することができる。
また、本発明に係る製造方法では、内蔵されているバリスタ層が、バリスタ単体の場合に比べて、同等の高い非線形定数を有する、バリスタ内蔵多層基板を製造することができる。

図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る多層基板１００を示す斜視図である。 図１Ｂは、図１ＡのＩｂ−Ｉｂ断面を示す断面図である。 図２Ａは、本発明の第２の実施形態に係る多層基板２００を示す斜視図である。 図２Ｂは、図２ＡのＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す断面図である。 図３Ａは、本発明の第３の実施形態に係る多層基板３００を示す斜視図である。 図３Ｂは、図３ＡのＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す断面図である。 図４Ａは、本発明の第４の実施形態に係る多層基板４００を示す斜視図である。 図４Ｂは、図４ＡのＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る多層基板１００における電流断面積Ｓ１および電極間距離Ｄ１を説明する図である。 図６は、本発明の第２の実施形態に係る多層基板２００における電流断面積Ｓ２および電極間距離Ｄ２を説明する図である。 図７Ａは、多層基板１００の製造方法を示す図である。 図７Ｂは、多層基板１００の製造方法を示す図である。 図７Ｃは、多層基板１００の製造方法を示す図である。 図７Ｄは、多層基板１００の製造方法を示す図である。 図８Ａは、多層基板２００の製造方法を示す図である。 図８Ｂは、多層基板２００の製造方法を示す図である。 図８Ｃは、多層基板２００の製造方法を示す図である。 図８Ｄは、多層基板２００の製造方法を示す図である。 図９Ａは、多層基板３００の製造方法を示す図である。 図９Ｂは、多層基板３００の製造方法を示す図である。 図９Ｃは、多層基板３００の製造方法を示す図である。 図１０Ａは、多層基板４００の製造方法を示す図である。 図１０Ｂは、多層基板４００の製造方法を示す図である。 図１０Ｃは、多層基板４００の製造方法を示す図である。 図１０Ｄは、多層基板４００の製造方法を示す図である。 図１１は、実施例においてサンプルＮｏ．１０のバリスタ特性を測定した測定結果を示す図である。 図１２は、実施例のサンプルＮｏ．３２の断面写真を示す図である。

本発明者らは、鋭意検討した結果、バリスタ層にＳｉＯ_２を添加し、さらにバリスタ層と誘電体層（以下において、第１誘電体層、第２誘電体層と記載することがある）との間に、Ｚｎ−Ｓｉ酸化物とＢｉ−Ｓｉ酸化物とを含む拡散防止層（以下において、第１拡散防止層、第２拡散防止層と記載することがある）を配置することで、焼成後のバリスタ内蔵多層基板におけるバリスタ層の非線形定数について、バリスタ層単体の時と比較して、同様に高い値が得られることを見出した。すなわち、後述するように、バリスタ層と誘電体層との間にこのような拡散防止層を配置することで、焼結時において、バリスタ特性に寄与するＢｉがバリスタ層から他層に拡散する速度を遅らせることができ、その結果、多量のＢｉとＳｉとがバリスタ層内で酸化物を形成して残留することにより、バリスタ層単体の時と同等の高い非線形定数を有するバリスタ内蔵多層基板を得るに至ったものである。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本発明の技術的範囲が制限されるものではない。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。

（第１の実施形態）
図１Ａは、第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００の全体構成を示す斜視図であり、図１Ｂは、図１ＡのＩｂ−Ｉｂ断面を示す、断面図である。
図１Ａに示すように、多層基板１００は、バリスタ層含有絶縁体層１４と、バリスタ層含有絶縁体層１４の上面に接触して設けられた第１拡散防止層１２と、第１拡散防止層１２の上面に接触して設けられた第１誘電体層１０と、バリスタ層含有絶縁体層１４の下面に接触して設けられた第２拡散防止層１６と、第２拡散防止層１６の下面に接触して設けられた第２誘電体層１８と、から構成されている。すなわち、下から順に（図１Ａに示す実施形態では下から順に）、第２誘電体層１８と、第２拡散防止層１６と、バリスタ層含有絶縁体層１４と、第１拡散防止層１２と、第１誘電体層１０とが積層している。
図１Ｂに示すように、第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００では、バリスタ層含有絶縁体層１４は、バリスタ層１５および絶縁体層から構成されており、絶縁体層を貫通する貫通孔の内部に、バリスタ層１５が配置されている。
バリスタ層含有絶縁体層１４は、この形態に限定されない。例えば、バリスタ層含有絶縁体層１４は、絶縁体層を含まず、バリスタ層１５のみから構成されていてもよい。

バリスタ層１５の上面と下面のそれぞれに、内部電極２０、２２が配置されている。
バリスタ層１５の上面に配置された第１内部電極２０は、第１誘電体層１０および第１拡散防止層１２を貫通する第１貫通電極２４と接続されている。これにより、第１貫通電極２４が第１誘電体層１０の上面から露出した部分と、バリスタ層１５とが電気的に接続できる。
同様に、バリスタ層１５の下面に配置された第２内部電極２２は、第２拡散防止層１６および第２誘電体層１８を貫通する第２貫通電極２６と接続されている。これにより、第２貫通電極２６が第２誘電体層１８の下面から露出した部分と、バリスタ層１５とが電気的に接続できる。第１内部電極と第２内部電極とは、互いに対向した対向電極となっており、その間にバリスタ層１５が配置されている。
この構成により、多層基板１００に接続された集積回路に、ノイズ等により異常高電圧（高電流）が発生した場合であっても、貫通電極２４、２６および内部電極２０、２２を経由してバリスタ層１５に電流が流れ、半導体チップ等の保護対象のデバイスにはほとんど電流が流れず、これらデバイスを保護することができる。また高速通信モジュールやインターポーザ等に対して、多層基板１００のような部分的にバリスタ層を絶縁層中に内蔵した基本構造を適用することにより、電極で形成される電気配線がほぼ絶縁層中に配置されるため、絶縁層の優れた伝送特性を活かした多層基板の実現が可能となる。

第１の実施形態にかかる多層基板１００において、第１貫通電極２４は、第１誘電体層１０および第１拡散防止層１２を貫通するようにして多層基板１００の内部に設置されているが、この構成に限定されない。すなわち、第１貫通電極２４は、第１内部電極２０と電気的に接続し、バリスタ層１５と外部電源とを電気的に接続することができれば、任意の形態であってよく、例えば、第１貫通電極２４に代えて、多層基板１００の側面に配置された電極であってもよい。
同様に、第２貫通電極２６は、第２内部電極２２と電気的に接続し、バリスタ層１５と外部電源とを電気的に接続することができれば、任意の形態であってよく、例えば、第２貫通電極２６に代えて、多層基板１００の側面に配置された電極であってもよい。

バリスタ層１５は、その上面の少なくとも一部が第１拡散防止層１２の下面と接するように配置されている。同様に、バリスタ層１５は、その下面の少なくとも一部が第２拡散防止層１６の上面と接するように配置されている。後述するように、第１拡散防止層１２および第２拡散防止層１６は、多層基板１００の製造における焼結時に、バリスタ層１５に含まれるビスマス（Ｂｉ）が第１誘電体層１０および第２誘電体層１８へ拡散するのを防止するための拡散防止層として配置されている。
このように、第１誘電体層１０（第２誘電体層１８）とバリスタ層１５との間に、拡散防止層として第１拡散防止層１２（第２拡散防止層１６）を配置することにより、多層基板１００におけるバリスタ層１５が、バリスタ単体の時と同等に高い非線形定数を有することができる。

１．組織および組成
以下、バリスタ層、拡散防止層および誘電体層の組織について説明する。
１−１．バリスタ層
上述のように、本発明に係る多層基板１００のバリスタ層１５は、主相がＺｎＯであり、ＺｎＯ結晶粒の粒界または粒界三重点に、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか１つ以上の元素）および／またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか１つ以上の元素）が存在している。
バリスタ層１５は、以下の組成を有することにより、８５０℃〜１０００℃の低温で焼成を行っても、十分なバリスタ特性を有することができる。
以下に、バリスタ層の組成について説明する。
本明細書において、Ａ−Ｂ−Ｃ酸化物（Ａ〜Ｃは元素記号）のように記載するときは、Ａ、ＢおよびＣを含む１つの複合酸化物であってもよく、またはＡ、ＢおよびＣのいずれかの元素を１つ以上含む酸化物を複数種類含むもの（例えば、Ａ酸化物とＢ酸化物とＣ酸化物）であってもよい。

本発明に係るバリスタ層１５は、主相であるＺｎＯと、粒界に存在するＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物および／またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の部分とを含む全体の組成が、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを９０．０ｍｏｌ％以上含み、Ｓｉを０．０１〜２．０ｍｏｌ％およびＢｉを０．３〜４．０ｍｏｌ％含み、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｒ、０．１〜４．０ｍｏｌ％のＭｎおよび０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｏから選択されるいずれか１種以上を含む。
なお、本明細書において、組成を規定する際の「金属元素全体を１００ｍｏｌ％とする」とは、「Ｓｉ、ＢおよびＳｂなどの半金属を含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％とする」ことを意味する。また金属元素換算とは、「金属元素全体を１００ｍｏｌ％とした時の」当該金属の含有量のことを意味する。

また、本発明の別の好ましい実施形態の１つでは、バリスタ層１５は、主相であるＺｎＯと、粒界に存在するＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物および／またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の部分とを含む全体の組成が、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｓｉを０．０１〜２．０ｍｏｌ％、Ｂｉを０．３〜４．０ｍｏｌ％含み、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｒ、０．１〜４．０ｍｏｌ％のＭｎおよび０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｏから選択されるいずれか１種以上を含み、残部としてＺｎと、不可避的不純物と、後述するその他の元素とを含んで成ってもよい。

次に、上述したＺｎＯ結晶粒の粒界または粒界三重点に存在する、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物および／またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物について説明する。
本発明に係るバリスタ層１５において、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の組成は、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを１０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを０．５〜８．０ｍｏｌ％、Ｂｉを３０．０〜７０．０ｍｏｌ％含み、０．１〜８．０ｍｏｌ％のＣｒと、０．２〜４．０ｍｏｌ％のＭｎと、０．２〜３．０ｍｏｌ％のＣｏとから選択される１種以上を含む。Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物は、残部が不可避的不純物のみであってもよいが、さらにその他の元素を含んでもよい。
本発明に係るバリスタ層１５において、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の組成は、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを５０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを２８．０〜４０．０ｍｏｌ％、Ｂｉを１．０ｍｏｌ％以下含み、０〜１．０ｍｏｌ％のＣｒと、０〜１．５ｍｏｌ％のＭｎと、０〜２．４ｍｏｌ％のＣｏとから選択される１種以上を含む。Ｚｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物は、残部が不可避的不純物のみであってもよいが、さらにその他の元素を含んでもよい。

本発明に係るバリスタ層１５は、上述した組成となるように各元素を含有することにより、本発明に係る多層基板１００を焼成して得る際に、バリスタ層１５に含まれるＢｉとＳｉとが反応して、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物が形成される。その結果、バリスタ層内のＢｉのバリスタ層外への拡散を抑制することができ、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００は、バリスタ層単体の時と同等の高い非線形定数を有することができる。

本発明に係るバリスタ層１５は、Ｓｉの組成を０．１〜２．０ｍｏｌ％の範囲とすることが好ましい。Ｓｉの組成をこのような範囲にすることにより、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００は、より高い非線形定数を有することができる。

また、本実施形態においては、バリスタ層１５は、アンチモン（Ｓｂ）と希土類元素と錫（Ｓｎ）とが不純物レベル以下の含有量であることが好ましい。本明細書において「不純物レベル以下」とは、ゼロまたは不純物レベルとして認識されている量あるいはそれよりも低い量しか含有していないことを意味する。
以下に、アンチモン（Ｓｂ）、希土類元素および錫（Ｓｎ）のそれぞれについて、不純物レベルと認識される量を記載する。

・アンチモン（Ｓｂ）
不純物レベルとして認識されるアンチモン（Ｓｂ）の一般的な含有量は、例えば、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき０．０１ｍｏｌ％以下であり、好ましくは０．００５ｍｏｌ％以下である。実用測定上は、例えばＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）湿式分析装置の検出限界（質量比で１００ｐｐｍ）以下であれば、０．０１ｍｏｌ％以下の条件を満足する。

・希土類元素
不純物レベルとして認識される希土類元素の一般的な含有量は、例えば、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、希土類元素の各々について０．０１ｍｏｌ％以下程度であり、希土類元素合計で０．０５ｍｏｌ％以下程度である。好ましくは、希土類元素の各々について０．００５ｍｏｌ％以下であり、希土類元素合計で０．０２５ｍｏｌ％以下である。実用測定上は、例えばＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）湿式分析装置の検出限界（質量比で１００ｐｐｍ）以下であれば、０．０１ｍｏｌ％以下の条件を満足する。

なお、希土類元素が、如何なる元素を含むかについては、科学的および工業的な見地から複数の定義が存在する。
本発明においては、「希土類元素」は、イットリウム（Ｙ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）およびルテチウム（Ｌｕ）を意味する。
すなわち、本明細書における「希土類元素」にスカンジウム（Ｓｃ）は含まれない。

・錫（Ｓｎ）
不純物レベルとして認識される錫（Ｓｎ）の一般的な含有量は、例えば、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき０．０１ｍｏｌ％以下であり、好ましくは０．００５ｍｏｌ％以下である。実用測定上は、例えばＩＣＰ（誘導結合型プラズマ）湿式分析装置の検出限界（質量比で１００ｐｐｍ）以下であれば、０．０１ｍｏｌ％以下の条件を満足する。

・その他の元素
上述したように、本発明に係るバリスタ層１５は、残部としてＺｎと不可避的不純物とその他の元素とを含んで成ってもよい。
このような、不可避的不純物のレベルとして、１種類の元素あたり０．０３ｍｏｌ％以下であり、不可避的不純物全体で０．１ｍｏｌ％以下であることを例示できる。
なお、「不可避的不純物」は、通常、製造工程およびハンドリング時等において意図せずに含有された不純物を意味する。しかし、たとえ、意図的に添加を行った場合であっても上述した「不純物レベル」以下の含有量であれば、添加による技術的効果を充分に得ることができるものではない。すなわち、本明細書においては、「不可避的不純物」とは、意図して添加したか、意図せずに含有するものかを問わず、含有量が上述の「不純物レベル」以下であることを意味する。従って、本発明では、上述のように、アンチモン（Ｓｂ）と希土類元素と錫（Ｓｎ）の含有量が不純物レベル以下であることからアンチモン（Ｓｂ）、希土類元素および錫（Ｓｎ）は、「不可避的不純物」に含まれる。

しかし、本発明はこれに限定されるものではない。本発明の別の好ましい実施形態においては、所望のバリスタ特性を得るためにアンチモン（Ｓｂ）、希土類元素、錫（Ｓｎ）以外の任意の元素を１種または２種以上含んでよい。
このような元素は、合計で例えば１０ｍｏｌ％以下、好ましくは５ｍｏｌ％以下含まれてよい。この程度であれば、十分なバリスタ特性を確保することが可能である。

以下にこのように所望の特性を得るために添加する元素または化合物（添加剤）を例示する。
・酸化ボロン
本発明のバリスタ層１５は、例えば、Ｂ_２Ｏ_５のような酸化ボロンを含有してよい。この場合、酸化ボロンをボロン（Ｂ）換算で０．１〜４．０ｍｏｌ％、好ましくは０．１〜２．０ｍｏｌ％含有している。
酸化ボロン（ボロン）は、焼結性を向上させる効果を有する。酸化ボロンの含有量がボロン換算で０．１ｍｏｌ％より少ないとこの効果が充分得られず、４．０ｍｏｌ％を超えると他の添加剤とともにガラス成分を形成して偏析するという問題がある。また、好ましい範囲の０．１〜２．０ｍｏｌ％であれば、この効果をより充分に得ることができる。

・酸化スカンジウム
本発明のバリスタ層１５は、例えば、Ｓｃ_２Ｏ_３のような酸化スカンジウムを含有してよい。この場合、酸化スカンジウムをスカンジウム（Ｓｃ）換算で０．１〜２．０ｍｏｌ％、好ましくは０．４〜０．７ｍｏｌ％含有している。
酸化スカンジウム（スカンジウム）は、焼結性を向上させる効果を有する。酸化スカンジウムの含有量がスカンジウム換算で０．１ｍｏｌ％より少ないとこの効果が充分得られず、２．０ｍｏｌ％を超えると緻密化しにくくなり偏析が多くなるという問題がある。また、好ましい範囲の０．４〜０．７ｍｏｌ％であれば、この効果をより充分に得ることができる。

・酸化バリウム
本発明のバリスタ層１５は、例えば、Ｂａ_２Ｏのような酸化バリウムを含有してよい。この場合、酸化バリウムをバリウム（Ｂａ）換算で０．１〜２．０ｍｏｌ％、好ましくは０．２〜１．５ｍｏｌ％含有している。
酸化バリウム（バリウム）は、粒界に偏析することで好適な粒界を形成するのに寄与する。酸化バリウムの含有量がバリウム換算で０．１ｍｏｌ％より少ないとこの効果が充分得られず、２．０ｍｏｌ％を超えると焼結を阻害し酸化バリウムが偏析するという問題がある。また、好ましい範囲の０．２〜１．５ｍｏｌ％であれば、この効果をより充分に得ることができる。

・酸化ジルコニウムおよび酸化タングステン
本発明のバリスタ層１５は、必要に応じて、更に、酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンから成る群から選択される１つ以上を含んでよい。
これらの酸化物は、非線形定数を向上させるという効果がある。酸化ジルコニウムを含有する場合、酸化ジルコニウムをジルコニウム（Ｚｒ）換算で０．１〜２．０ｍｏｌ％（好ましくは、０．２〜１．５ｍｏｌ％）含有することにより上述の効果を得ることができる。
酸化タングステンを含有する場合、酸化タングステンをタングステン（Ｗ）換算で０．１〜２．０ｍｏｌ％（好ましくは、０．２〜１．５ｍｏｌ％）含有することにより上述の効果を得ることができる。

また、本発明の別の好ましい実施形態の１つでは、バリスタ層１５は、主相であるＺｎＯと、粒界に存在するＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物および／またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の部分とを含む全体の組成のうち、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｓｉの組成を、０．０１〜０．３ｍｏｌ％、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ％、さらに好ましくは、０．０１〜０．０５ｍｏｌ％としてもよい。Ｓｉの組成をこのような範囲にすることにより、バリスタ層１５の空孔率をより低減することができ、すなわち、バリスタ層１５をより緻密化することができ、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００の絶縁性能をより向上することができる。また、上述したように、Ｓｉの組成をこのような範囲にすることにより、本発明に係る多層基板１００を焼成して得る際に、バリスタ層１５に含まれるＢｉとＳｉとが反応して、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物が形成される。その結果、バリスタ層内のＢｉの、バリスタ層外への拡散を抑制することができ、その結果、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００は、バリスタ層単体の時と同等の高い非線形定数を有することができる。
すなわち、本実施形態においては、Ｓｉの組成をこのような範囲にすることにより、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００の絶縁性能をより向上させ、かつバリスタ層単体の時と同等の高い非線形定数を有することができる。

１−２．拡散防止層
上述のように、本発明に係る第１および第２拡散防止層１２、１６は、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主成分とするＺｎ−Ｓｉ酸化物と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物とを含んでいる。

本発明に係る第１および第２拡散防止層１２、１６において、Ｚｎ−Ｓｉ酸化物部分と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物部分とを含む全体の組成は、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを３０ｍｏｌ％以上含み、Ｓｉを２６．６〜５５．０ｍｏｌ％、Ｂｉを１．５〜３５．０ｍｏｌ％含んでいる。

また、本発明の別の好ましい実施形態の１つでは、第１および第２拡散防止層１２、１６において、Ｚｎ−Ｓｉ酸化物部分と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物部分とを含む全体の組成は、Ｓｉを２６．６〜５５．０ｍｏｌ％、Ｂｉを１．５〜３５．０ｍｏｌ％含み、残部としてＺｎと不可避的不純物とその他の元素とを含んで成ってもよい。
ここで、第１および第２拡散防止層１２、１６に含まれてもよいその他の元素とは、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｒ、ＭｎおよびＣｏ等である。本発明においてこれらの元素は、多層基板１００を同時焼成する時に、隣接するバリスタ層１５、誘電体層１０、１８および／またはＡｇ電極から由来するものである。
本発明において、第１および第２拡散防止層１２、１６は、Ａｌを０〜２．０ｍｏｌ％、Ａｇを０〜２．０ｍｏｌ％、Ｃｒを０〜１．０ｍｏｌ％、Ｍｎを０〜１．０ｍｏｌ％、およびＣｏを０〜１．０ｍｏｌ％の範囲で含んでいても、本発明に係る効果を得ることができる。

次に、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主成分とするＺｎ−Ｓｉ酸化物およびＢｉ−Ｓｉ酸化物について説明する。
本発明にかかる第１および第２拡散防止層１２、１６において、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主成分とするＺｎ−Ｓｉ酸化物の組成は、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｚｎを６０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを３０．０〜４０．０ｍｏｌ％、Ｂｉを０〜２．０ｍｏｌ％含む。Ｚｎ−Ｓｉ酸化物は、残部が不可避的不純物のみであってもよいが、Ｚｎが６０ｍｏｌ％以上であれば、上述したその他の元素を含んでもよい。
なお、「Ｚｎ_２ＳｉＯ_４」が「Ｚｎ−Ｓｉ酸化物」の主成分であるとは、「Ｚｎ−Ｓｉ酸化物」中において、「Ｚｎ_２ＳｉＯ_４」が体積比率で５０％以上であることをいう。
本発明にかかる第１および第２拡散防止層１２、１６において、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物の組成は、金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｓｉを３０．０〜７０．０ｍｏｌ％、Ｂｉを５．０〜３０．０ｍｏｌ％含む。Ｂｉ−Ｓｉ酸化物は、残部が不可避的不純物のみであってもよいが、Ｂｉを５．０〜３０．０ｍｏｌ％含有するのであれば、上述したその他の元素を含んでもよい。

本発明に係る第１および第２拡散防止層が上述した組成となるように各元素を含有することにより、本発明に係る多層基板１００を焼成する際に、第１および第２拡散防止層１２、１６内に緻密なＢｉ−Ｓｉ酸化物組織が形成される。これにより、多層基板１００の焼成時に、バリスタ層に含まれるＢｉの絶縁層への拡散を抑制することができる。また、バリスタ層１５と第１および第２誘電体層１０、１８との間に、Ｂｉを多く含む第１および第２拡散防止層１２、１６を設けることにより、バリスタ層１５と隣接する他層との間におけるＢｉ濃度の勾配を緩やかにすることができ、これにより、バリスタ層１５からのＢｉの拡散速度を遅くすることできる。その結果、焼成後の本発明に係るバリスタ内蔵多層基板１００は、バリスタ層単体の時と同等の高い非線形定数を有することができる。

本発明に係る第１拡散防止層１２と第２拡散防止層１６の組成は、上述した組成範囲内であれば、それぞれ異なる組成であってもよく、同一の組成であってもよい。
第１拡散防止層１２と第２拡散防止層１６とが、同一の組成であれば、同一の製造工程により第１拡散防止層１２および第２拡散防止層１６の焼結前の原料が得られるため、全体としての製造工程を効率的にすることができる。

１−３．誘電体層
本発明に係る第１および第２誘電体層１０、１８は、ボイドが面積比率で５％未満であり、電気抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ以上であり、比誘電率が６〜９である。
ボイドの面積比率が５％未満であることにより、基板の破壊強度が向上するという効果がある。電気抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ以上であることにより、絶縁性に優れるという効果がある。比誘電率が６〜９であることにより、寄生容量が小さくなり高速伝送に優れるという効果がある。

このような第１および第２誘電体層１０、１８は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ酸化物を主成分とし、ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ａｌ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を含むセラミックス組成物であってもよい。第１および第２誘電体層１０、１８は、このような組成を有することにより、１０００℃以下の温度、例えば８５０℃〜９５０℃の温度で焼成可能であり、優れた誘電体特性を有することができる。
なお、「Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ酸化物」が主成分であるとは、誘電体層中において、「Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ酸化物」が体積比率で５０％以上であることをいう。

また、上述した組織を有する、本発明に係る第１および第２誘電体層１０、１８は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｏを０〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む。

なお、バリスタ層含有絶縁体層１４において、バリスタ層１５を除く部分は誘電体であってよく、当該誘電体の組成・組織は、第１および第２誘電体層１０、１８と同じであってもよい。

本発明に係る第１誘電体層１０と第２誘電体層１８の組成は、上述した組成範囲内であれば、それぞれ異なる組成であってもよく、同一の組成であってもよい。
第１誘電体層１０と第２誘電体層１８とが、同一の組成であれば、同一の製造工程により第１誘電体層１０および第２誘電体層１８の焼結前の原料が得られるため、全体としての製造工程を効率的にすることができる。

本発明に係る多層基板の、バリスタ層、拡散防止層および誘電体層の組成は、次のような手順で分析することができる。
誘電体層と拡散防止層とバリスタ層とを同時焼成して得られるバリスタ内蔵多層基板を、外周刃切断機を用いて切断し、得られる切断片を樹脂埋めする。得られる樹脂埋めサンプルから、図１Ｂでしめすような構造体の断面観察像が得られる部分を狙ってクロスセクションポリッシャー（イオンポリッシャー）で断面研磨する。このようにすることで、砥粒を用いた研磨では延びてしまう電極構造を乱すことなく観察することが可能となる。
研磨面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、測定したい部分をポイントで狙ってＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光）法にて分析する。分析は１０μｍ×１０μｍ以上の矩形面積に電子線を照射して得られたＸ線スペクトルを用いて解析を行ってもよい。層中の特定の組織を分析する際はビーム径１μｍ以下で照射して得られるＸ線スペクトルを用いて解析を行ってもよい。定量化する際には金属元素全体を１００ｍｏｌ％換算する。
含まれる結晶構造物はＸ線回折法で判定する。
バリスタ層の分析において、ＳＥＭで観察する際、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物は明るいコントラストで、またＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物は暗いコントラストで観察される。
拡散防止層の分析において、ＳＥＭで観察する際、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物はＺｎ−Ｓｉ酸化物と比較して明るいコントラストで見えるため識別は容易である。しかし、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物は、大きさが１μｍ程度であるため、分析時に周囲に存在するＺｎ−Ｓｉ酸化物由来のＺｎの特性Ｘ線を検出してしまいＢｉ−Ｓｉ−Ｚｎ酸化物のように見えてしまう。
そのため、Ｂｉを含有する領域に対してＳＥＭ−ＥＤＸ法を適用し、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物と仮に規定して、Ｚｎ量を０ｍｏｌ％とみなし、ＺｎとＯ以外の元素を１００ｍｏｌ％として換算して評価する。Ｚｎ−Ｓｉ酸化物がＺｎ_２ＳｉＯ_４であることは分析値の比率から推定する。

（第２の実施形態）
以下に、第２の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板２００について、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第２の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板２００の各要素について、特段の説明の無いものについては、第１の実施形態の対応する要素と同じ構成を有してもよい。

図２Ａは、第２の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板２００を示す斜視図であり、図２Ｂは、図２ＡのＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す断面図である。
図２Ｂに示すように、第２の実施形態にかかるバリスタ内蔵多層基板２００は、第１内部電極２０および第２内部電極２２の両方が、バリスタ層１５の２つの主面のうちの同じ主面（図２Ｂではバリスタ層１５の上面）に配置されている点が、第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００とは異なる。
このような構成にすることにより、バリスタ素子の厚さを薄くすることができるという効果を得ることができる。
また、このように、バリスタ層１５の１つの主面にのみ、第１内部電極２０および第２内部電極２２の両方を配置しても、多層基板２００に接続された集積回路に、ノイズ等により異常高電圧（高電流）が発生した場合には、第１および第２貫通電極２４、２６および第１および第２内部電極２０、２２を経由してバリスタ層１５に電流が流れ、半導体チップ等の保護対象のデバイスにはほとんど電流が流れず、これらデバイスを保護することができる。
また、第２の実施形態においても、バリスタ層１５と、第１および第２誘電体層１０、１８との間には、それぞれ第１および第２拡散防止層１２、１６が配置されており、バリスタ内蔵多層基板２００を得る際に、焼結による、バリスタ層１５から他の層へのＢｉの拡散を抑制し、バリスタ内蔵多層基板２００は、高い非線形定数を有することができる。

（第３の実施形態）
以下に、第３の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板３００について、他の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第３の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板３００の各要素について、特段の説明の無いものについては、他の実施形態の対応する要素と同じ構成を有してもよい。

図３Ａは、第３の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板３００を示す斜視図であり、図３Ｂは、図３ＡのＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ断面を示す、断面図である。
図３Ｂに示すように、第３の実施形態にかかるバリスタ内蔵多層基板３００は、第１拡散防止層１２が、上面だけでなく、上面および側面において第１誘電体層１０と接触するように設けられており、同様に第２拡散防止層１６が、下面だけでなく、下面および側面において第２誘電体層１８と接触するように設けられている点が、第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００とは異なる。
また、第３の実施形態にかかるバリスタ内蔵多層基板３００においては、第１貫通電極２４は、第１拡散防止層１２を貫通しておらず、第１誘電体層１０のみを貫通しており、第２貫通電極２６は、第２拡散防止層１６を貫通しておらず、第２誘電体層１８のみを貫通している点が、第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００とは異なる。
このような構成にすることにより、ＬＴＣＣ基板内に占める拡散防止層の体積が減り、誘電体層の優れた電気的特性を得るための回路設計が容易になるという効果を得ることができる。
この構成により多層基板３００に接続された集積回路に、ノイズ等により異常高電圧（高電流）が発生した場合には、第１および第２貫通電極２４、２６および第１および第２内部電極２０、２２を経由してバリスタ層１５に電流が流れ、半導体チップ等の保護対象のデバイスにはほとんど電流が流れず、これらデバイスを保護することができる。
また、第３の実施形態においても、バリスタ層１５と、第１および第２誘電体層１０、１８との間には、それぞれ第１および第２拡散防止層１２、１６が配置されており、バリスタ内蔵多層基板３００を得る際に、焼結により、バリスタ層１５から他の層へのＢｉの拡散を抑制し、バリスタ内蔵多層基板３００は、高い非線形定数を有することができる。

（第４の実施形態）
以下に、第４の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板４００について、他の実施形態と異なる部分を中心に説明する。第４の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板４００の各要素について、特段の説明の無いものについては、他の実施形態の対応する要素と同じ構成を有してもよい。

図４Ａは、第４の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板４００を示す斜視図であり、図４Ｂは、図４ＡのＩＶｂ−ＩＶｂ断面を示す、断面図である。
図４Ｂに示すように、第４の実施形態にかかるバリスタ内蔵多層基板４００は、第１内部電極２０および第２内部電極２２の両方が、バリスタ層１５の２つの主面のうちの同じ主面に配置されている点が、第３の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板３００とは異なる。
このような構成にすることにより、バリスタ素子の厚さを薄くすることができるという効果を得ることができる。
また、このように、バリスタ層１５の１つの主面にのみ、第１内部電極２０および第２内部電極２２の両方を配置しても、多層基板４００に接続された集積回路に、ノイズ等により異常高電圧（高電流）が発生した場合には、第１および第２貫通電極２４、２６および第１および第２内部電極２０、２２を経由してバリスタ層１５に電流が流れ、半導体チップ等の保護対象のデバイスにはほとんど電流が流れず、これらデバイスを保護することができる。
また、第４の実施形態においても、バリスタ層１５と、第１および第２誘電体層１０、１８との間には、それぞれ第１および第２拡散防止層１２、１６が配置されており、バリスタ内蔵多層基板４００を得る際に、焼結により、バリスタ層１５から他の層へのＢｉの拡散を抑制し、バリスタ内蔵多層基板４００は、高い非線形定数を有することができる。

２．特性
（１）バリスタ特性
上述したような組成を有する本発明のバリスタ内蔵多層基板は、上述したように、バリスタ層単体の時と同等の優れたバリスタ特性を有する。そこで、本発明のバリスタ内蔵多層基板が有するバリスタ特性について以下に説明する。
主なバリスタ特性として、電流―電圧特性、絶縁抵抗および非線形抵抗が知られている。

・電流―電圧特性
バリスタ素子に電圧を印加した際、抵抗値に応じた電流が流れる。このとき測定された電流値（Ａ）を電流断面積（ｃｍ^２）で除した値を電流値（Ａ／ｃｍ^２）とし、測定された電圧（Ｖ）を電極間距離（ｍｍ）で除した値を電圧（Ｖ／ｍｍ）とする。
図５の（ａ）および（ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る多層基板１００における電流断面積Ｓ１および電極間距離Ｄ１を説明する図である。図５の（ａ）は、図１ＡのＩｂ−Ｉｂ断面を示す断面図であり、図５の（ｂ）は、図５の（ａ）のＶｂ−Ｖｂ断面を示す断面図である。図５の（ｂ）においては、説明を容易にするため、第１拡散防止層１２を省略し、かつ第２内部電極２２を点線により示している。
図５の（ａ）に示すように、第１内部電極２０と第２内部電極２２とが、それぞれバリスタ層１５の異なる主面に対向して設けられている場合は、電流断面積は、第１および第２内部電極に対し、積層基板の積層方向から見た時に重なりあう面積（図５の（ｂ）に示すＳ１）であり、電極間距離は、第１内部電極２０と第２内部電極２２との間の最短距離（図５の（ａ）に示すＤ１）である。
なお、図５の（ａ）および（ｂ）は、例示的に第１の実施形態に係る多層基板１００における電流断面積Ｓ１および電極間距離Ｄ１の規定の仕方について説明しているが、本規定は第１の実施形態に限定されない。すなわち、図５の（ａ）に示すように、バリスタ層の異なる主面に対向して複数の電極が設けられている多層基板であれば、電流断面積Ｓ１および電極間距離Ｄ１を上記と同様に規定することができる。例えば、第３の実施形態に係る多層基板３００においても上記と同様に規定することができる。

図６の（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第２の実施形態に係る多層基板２００における電流断面積Ｓ２および電極間距離Ｄ２を説明する図である。図６の（ａ）は、図２ＡのＩＩｂ−ＩＩｂ断面を示す断面図であり、図６の（ｂ）は、図６の（ａ）のＶＩｂ−ＶＩｂ断面を示す断面図である。図６の（ｃ）は、図６の（ｂ）のＶＩｃ−ＶＩｃ断面を示す断面図である。なお、図６の（ｂ）は、説明を容易にするために、第１拡散防止層１２を省略して示している。
図６の（ａ）に示すように、第１内部電極２０と第２内部電極２２とが、バリスタ層１５の同一主面に設けられている場合は、電流断面積は、バリスタ層１５の厚みと第１内部電極の幅の長さとを乗じて得られる面積（図６の（ｃ）に示すＳ２）であり、電極間距離は、第１内部電極２０と第２内部電極２２との間の最短距離（図６の（ｂ）に示すＤ２）である。
なお、図６の（ａ）、（ｂ）および（ｃ）は、例示的に第２の実施形態に係る多層基板２００における電流断面積Ｓ２および電極間距離Ｄ２の規定の仕方について説明しているが、本規定は第２の実施形態に限定されない。すなわち、図６の（ａ）に示すように、バリスタ層の同一の主面に複数の電極が設けられている多層基板であれば、電流断面積Ｓ２および電極間距離Ｄ２を上記と同様に規定することができる。例えば、第４の実施形態に係る多層基板４００においても上記と同様に規定することができる。

・絶縁抵抗率
絶縁抵抗率（Ω・ｃｍ）は、電流断面積１ｃｍ^２のバリスタ素子に、端子間電圧２５Ｖ／ｍｍを印加した時の抵抗率を意味する。または、同等の値として電圧（Ｖ／ｍｍ）を電流値（Ａ／ｃｍ^２）で除して１０を乗じた値としてもよい。絶縁抵抗率が低いと、多くの電流が流れ、リーク電流を生ずることとなる。このため、素子では、１０ＭΩ以上の絶縁抵抗を有することが目安とされている。そして、この１０ＭΩを確実に達成できるように、より高い抵抗率を有している場合、設計の自由度が高く好ましい。

・非線形定数
非線形定数として、電流−電圧特性を両対数軸で表記した際に、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる点の接線の傾きを非線形定数とした。接線の傾きの算出方法は、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる電圧値Ｖ_１（Ｖ／ｍｍ）に対して、Ｖ_１＋０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点と、Ｖ_１―０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点の、合計４点に対して最小二乗法を適用し、得られた傾きを接線の傾きとした。

非線形定数が高いほど、異常電流に対して、応答制御が正確であり好ましいとされている。希土類元素を含有する酸化亜鉛系バリスタ用焼結体の多くが、その非線形定数が２０以上であるため、２０以上であることが１つの目安となる。本発明に係るバリスタ用焼結体では、例えば２０以上、さらには２５以上の非線形定数を得ることができる。

（２）空孔率
また、上述したように、本発明のバリスタ内蔵多層基板は、バリスタ層のＳｉの組成が０．０１〜０．３ｍｏｌ％であるときに、バリスタ層の空孔率が低減し、バリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上することができる。バリスタ内蔵多層基板では、バリスタ層の空孔率が低いほど、焼成後のバリスタ内蔵多層基板の絶縁性能が向上し、好ましいとされている。バリスタ層の空孔率が２０％以下であれば、空孔率が低減しているといえ、絶縁性能がより向上していると言える。そこで、本発明のバリスタ内蔵多層基板のバリスタ層の空孔率について、以下に説明する。

バリスタ層の空孔率とは、バリスタ層の単位体積あたりの空孔の体積の割合を百分率で表したものである。本発明において、バリスタ層の空孔率は、次のようにして求める。測定対象とするバリスタ内蔵多層基板が有するバリスタ層を機械加工により切断し、断面を研磨した後、研磨面から空孔率を測定する視野をランダムに５つ選択し、走査型電子顕微鏡によって観察する。それぞれの視野に対して、視野内における空孔部分の面積割合を算出する。算出方法は、観察像中の空孔とそれ以外の部分を二値化し、空孔の面積割合を求める。二値化する方法の例としては、観察像を紙面に印刷し空孔部のみを黒く塗りつぶした後スキャナで読込み、市販の画像処理ソフト用いた画像処理によって求める。このような市販の画像処理ソフトとして、例えばＳｃａｎｄｉｕｍ（ＯＬＹＭＰＵＳ社製）を用いる。このようにして求めた、５つの視野における空孔部分の面積割合の平均値を、バリスタ層の空孔率（％）とする。

３．バリスタ内蔵多層基板の製造方法
次に、上述したバリスタ内蔵多層基板の製造方法を説明する。
バリスタ内蔵多層基板の製造方法には、粉末シートを使用して製造する方法と、粉末ペーストを使用して製造する方法の２種類の方法がある。

３−１．粉末シートを使用してバリスタ内蔵多層基板を製造する方法
以下に示すように、本実施形態に係る製造方法は、（１）バリスタ層粉シートを作製する工程、（２）拡散防止層粉シートを作製する工程、（３）誘電体層粉シートを作製する工程、（４）バリスタ層粉シート、拡散防止層粉シートおよび誘電体層粉シートを積層して焼成する工程を含む。

（１）バリスタ層粉シートを作製する工程
焼結後にバリスタ層となる、バリスタ層粉シートの作製方法について説明する。

まず、以下の組成を有する混合原料（混合粉末）を準備する。混合原料の組成は、少なくとも、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含み、残りを酸化亜鉛とする。バリスタ層の原料組成は、バリスタ層から拡散防止層や誘電体層への元素拡散や拡散防止層や誘電体層からバリスタ層への元素拡散を見越して設定されるため、焼成後のバリスタ層の組成と異なっていてもよい。
なお、混合原料（混合粉末）の組成という場合、混合を促進するため、または混合した混合粉末をスラリー状に保持するために用い、そのほとんどが焼成工程において蒸発してしまう、例えばエタノールおよびＰＶＢ（ポリビニルブチラール）等の分散媒ならびに、シート成型時の形状の維持のために用いる、例えばフタル酸ジオクチルのような可塑剤を含まない。
同様の趣旨から、混合原料（混合粉末）の組成という場合、混合原料をシート状等の所望の形状にするために用い、そのほとんどが焼成工程において蒸発してしまう、有機溶剤、可塑剤、バインダ、およびこれらより得たビヒクルを含まない。

混合原料は、例えば、上記酸化物の素原料（必要に応じて添加する上述の添加剤を含む）を上記組成となるように秤量後、これらの素原料を混合することで得ることができる。

また、混合原料は、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で、残りの元素をそれぞれの酸化物の素原料の状態で、上記組成となるように秤量後、これらを混合することで得てもよい。上述のように、Ｓｉを酸化ケイ素の状態で添加した場合、焼成時に上述したＺｎＯ、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物およびＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の他に、３〜１０μｍ程度の粒径のＺｎ_２ＳｉＯ_４が、バリスタ層に生成することがある。バリスタ層に生成するＺｎ_２ＳｉＯ_４の粒径がこの程度の範囲であれば、焼成後のバリスタ内蔵多層基板は上述した優れたバリスタ特性を有することができるが、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の粒径をより小さくすることで、焼成後のバリスタ層をより緻密化でき、バリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上させることができる。本発明者らは、上述のように、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２化合物の状態で添加することによって、焼成時に生成するＺｎ_２ＳｉＯ_４の粒径を１μｍ以下程度に抑制できることを見出した。これにより、バリスタ層の空孔率がより低減されるので、バリスタ層をより緻密化することができ、焼成後のバリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上することができる。
なお、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で添加すると、ＢｉもＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の割合で添加されるため、Ｂｉに関しては、組成の狙い値からＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２によって供給されるＢｉ量を差し引いた量を、Ｂｉ酸化物（Ｂｉ_２Ｏ_３）の状態で添加してもよい。また、この場合、バリスタ層全体の組成のうち、Ｓｉの組成を０．０１〜０．３ｍｏｌ％、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．０１〜０．０５ｍｏｌ％とすることによって、焼成後のバリスタ層をさらに緻密にすることができ、焼成後のバリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上することができるので、好ましい。

ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で添加する場合、ビスマス・シリコン酸化化合物（Ｂｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２）は、以下のように作製してもよい。
酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）と酸化シリコン（ＳｉＯ_２）の混合原料（混合粉末）を準備する。混合原料の組成がＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２となるように、酸化ビスマスおよび酸化シリコンを秤量し混合する。混合は、水溶媒のボールミルで２０時間混合してもよい。混合が終了した後、スラリーを回収し乾燥することで混合原料が得られる。得られた混合粉を大気中で７００〜８００℃で熱処理することで、Ｂｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２を主相とする化合物を得ることができる。熱処理で得られた粉をあらかじめボールミルで粉砕し、粒子径を小さくしておいてもよい。このようにすることで、バリスタ層粉シートを作製する際の素原料混合時に、ビスマス・シリコン酸化化合物が十分に粉砕されているので、最終的に得られる焼結体の組成の偏析を抑制することができる。

混合には、湿式および乾式を問わず既知の各種の方法を用いてよい。混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中にエタノールのような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行って混合原料を得てよい。

得られた混合原料を、エタノール等の有機分散媒または無機分散媒に分散させ、スラリー（スラリー状の混合原料、ペースト）を得る。得られたスラリーを、既知のシート成型方法、例えば、シート成型機を用いたドクターブレード法等により成型し、バリスタ層粉シートを得る。

（２）拡散防止層粉シートを作製する工程
焼結後に拡散防止層となる、拡散防止層粉シートの作製方法について説明する。

まず、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２を以下の組成式（１）で表される関係を満たすように秤量し、これらを混合する。

組成式：Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （１）

上記組成式（１）は拡散防止層を作製する場合の狙い組成であり、焼成後の拡散防止層組成はバリスタ層や誘電体層やＡｇ電極に由来する元素が各層からの拡散により含まれたり、拡散防止層から各元素が各層に拡散することによって、狙い組成と異なってもよい。
混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中にエタノールのような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行って混合原料を得てよい。

得られた、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＳｉＯ_２の混合粉を、１１００℃〜１３００℃で熱処理（仮焼き）を行い、仮焼き粉を得る。この仮焼き粉に、ビスマス酸化物を、Ｂｉ_２Ｏ_３の状態で添加して、混合する。混合の方法としは、例えばボールミルを用いてもよい。
混合により得られた混合原料を、エタノール等の有機分散媒または無機分散媒に分散させ、スラリー（スラリー状の混合原料、ペースト）を得る。得られたスラリーに対して、ＰＶＢ等を添加して溶媒の部分的な蒸発を行い、スラリーの粘度を約３Ｐａ・ｓとした後に、既知のシート成型方法、例えば、シート成型機を用いたドクターブレード法等により成型し、拡散防止層粉シートを得る。

（３）誘電体層粉シートを作製する工程
焼結後に誘電体層となる、誘電体層粉シートの作製方法について説明する。

まず、得ようとする誘電体層と同じ組成を有する混合原料（混合粉末）を準備する。混合原料は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、炭酸ストロンチウム、酸化チタン、酸化ビスマス、酸化銅、酸化マンガン、炭酸ナトリウム、および炭酸カリウムのような酸化物等の素原料（必要に応じて添加する上述の添加剤を含む）を、得ようとする誘電体層の組成と同じなるように秤量後、これらの素原料を混合することで得ることができる。誘電体層の原料組成は、誘電体層から拡散防止層やバリスタ層への元素拡散や拡散防止層やバリスタ層から誘電体層への元素拡散を見越して設定されてもよい。

混合には、湿式および乾式を問わず既知の各種の方法を用いてよい。混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中にエタノールのような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行って混合原料を得てよい。

得られた混合原料を、６００〜８００℃で仮焼きし、得られた仮焼き粉をエタノール等の有機分散媒または無機分散媒に分散させ、スラリー（スラリー状の混合原料、ペースト）を得る。得られたスラリーを、既知のシート成型方法、例えば、シート成型機を用いたドクターブレード法等により成型し、誘電体粉シートを得る。

（４）多層基板の製造工程
（第１の実施形態に係る多層基板の製造工程）
次に、多層基板の製造工程を説明する。以下において、本発明の第１の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板１００の製造工程を、例示的に説明する。当該製造工程は、他の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板の製造工程においても、用いることができる。

図７Ａの（ａ）〜（ｃ）は、焼成前誘電体層１０（１８）の製造方法を示す斜視図である。まず、焼成前誘電体層１０（１８）を作製する。
図７Ａの（ａ）に示すように、焼成により誘電体層となる誘電体層粉シート３０（３８）を準備する。誘電体層粉シート３０（３８）は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。
次に図７Ａの（ｂ）に示すように、誘電体層粉シート３０（３８）に貫通孔４０（４１）を、例えばレーザー等により形成する。
次に、図７Ａの（ｃ）に示すように、誘電体層粉シート３０（３８）の貫通孔４０（４１）に銀電極ペーストを充填し、乾燥させることにより、焼成後に貫通電極２４（２６）となる電極層ペースト２４（２６）を形成する。貫通孔４０（４１）への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。
これにより焼成前誘電体層１０（１８）を得ることができる。焼成前誘電体層は同じものを２つ、すなわち、焼成前誘電体層１０と焼成前誘電体層１８を作製する。

次に、焼成前拡散防止層１２（１６）を形成する。図７Ｂの（ｄ）〜（ｇ）は、焼成前拡散防止層１２（１６）の製造方法を示す斜視図である。
図７Ｂの（ｄ）に示すように、焼成により拡散防止層となる拡散防止層粉シート３２（３６）を準備する。拡散防止層粉シート３２（３６）は、例えば、前述した（２）の方法により得られたものを用いる。
次に、図７Ｂの（ｅ）に示すように、拡散防止層粉シート３２（３６）に第１貫通孔４０（４１）を、例えばレーザーにより形成する。
次に、図７Ｂの（ｆ）に示すように、拡散防止層粉シート３２（３６）の貫通孔４０（４１）に銀電極ペーストを充填し、乾燥させることにより、焼成後に貫通電極２４（２６）となる電極層ペースト２４（２６）を形成する。貫通孔４０（４１）への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。
次に、図７Ｂの（ｇ）に示すように、電極ペースト２４（２６）と重なるように、焼成後に内部電極２０（２２）となる電極層ペースト２０（２２）を形成する。電極層ペースト２０（２２）は、スクリーン印刷法を用いてよい。
これにより、焼成前拡散防止層１２（１６）を得ることができる。焼成前拡散防止層は同じものを２つ、すなわち、焼成前拡散防止層１２と焼成前拡散防止層１６を作製する。

次に、焼成前絶縁層１４を形成する。図７Ｃの（ｈ）および（ｉ）は、焼成前絶縁層１４の製造方法を示す斜視図である。
図７Ｃの（ｈ）に示すように、焼成により絶縁層となる誘電体層粉シート３４を準備する。誘電体層粉シート３４は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。次に図７Ｃの（ｉ）に示すように、誘電体層粉シート３４にバリスタ用貫通孔４２を、例えば金型を用いて形成する。
これにより、焼成前絶縁層１４を得ることができる。

次に、焼成前バリスタ層１５を形成する。図７Ｃの（Ｊ）および（ｋ）は、焼成前バリスタ層１５の製造方法を示す斜視図である。
図７Ｃの（ｊ）に示すように、焼成によりバリスタ層となるバリスタ層粉シート３５を準備する。バリスタ層粉シート３５は、例えば、前述した（１）の方法により得られたものを用いる。
次に図７Ｃの（ｋ）に示すように、焼成前絶縁層１４が有するバリスタ用貫通孔４２と略同一形状を有するように、バリスタ層粉シート３５を打ち抜く。
これにより、焼成前バリスタ層１５を得ることができる。

図７Ｄの（ｌ）は、得られた各層を積層する工程を示す図である。
下から順に、焼成前誘電体層１８と、電極層ペースト２２が上面側となり、かつ焼成前拡散防止層１６に設けられた第２貫通孔４１と、焼成前誘電体層１８に設けられた第２貫通孔４１とが重なるように配置された焼成前拡散防止層１６と、焼成前拡散防止層１６の上面に設けられた電極層ペースト２２とバリスタ用貫通孔４２とが重なるように配置された焼成前絶縁層１４と、焼成前絶縁層１４のバリスタ用貫通孔４２と重なり、かつ焼成前拡散防止層１６の電極層ペースト２２と重なるように配置された焼成前バリスタ層１５と、電極層ペースト２０が下面側となり、かつ焼成前バリスタ層１５と電極層ペースト２０とが重なるように配置された焼成前拡散防止層１２と、焼成前拡散防止層１２に設けられた第１貫通孔４０と焼成前誘電体層１０に設けられた第１貫通孔４０とが重なるように配置された焼成前誘電体層１０と、を整列して配置する。
この状態でプレスすることで、複合積層体を得ることができる。

得られた複合積層体を８５０〜９５０℃の温度範囲で焼成する。これにより、バリスタ内蔵多層基板１００を得ることができる。

（第２の実施形態に係る多層基板の製造工程）
以下に、本発明の第２の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板２００の製造工程を、例示的に説明する。当該製造工程は、他の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板の製造工程においても、用いることができる。

図８Ａの（ａ）〜（ｃ）は、焼成前誘電体層１０（１８）の製造方法を示す斜視図である。まず、焼成前誘電体層１０（１８）を作製する。
図８Ａの（ａ）に示すように、焼成により誘電体層となる誘電体層粉シート３０（３８）を準備する。誘電体層粉シートは同じものを２つ、すなわち、誘電体層粉シート３０と誘電体層粉シート３８を用意する。誘電体層粉シート３０（３８）は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。誘電体層粉シート３８はそのまま焼成前誘電体層１８とし、誘電体層粉シート３０を用いて以下のようにして焼成前誘電体層１０を作製する。
誘電体用粉シート３０に対して、図８Ａの（ｂ）に示すように、第１貫通孔４０および第２貫通孔４１を、例えばレーザー等により形成する。
次に、図８Ａの（ｃ）に示すように、第１貫通孔４０および第２貫通孔４１に銀電極ペーストを充填し、乾燥させる。これにより、焼成後にそれぞれ第１貫通電極２４および第２貫通電極２６となる、電極層ペースト２４および２６を形成する。第１貫通孔４０、第２貫通孔４１への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。
これにより焼成前誘電体層１０を得ることができる。

次に、焼成前拡散防止層１２（１６）を形成する。図８Ｂの（ｄ）〜（ｇ）は、焼成前拡散防止層１２（１６）の製造方法を示す斜視図である。
図８Ｂの（ｄ）に示すように、焼成により拡散防止層となる拡散防止層粉シート３２（３６）を準備する。拡散防止層用粉シートは同じものを２つ、すなわち、拡散防止層用粉シート３２と拡散防止層用粉シート３６を用意する。拡散防止層粉シート３２（３６）は、例えば、前述した（２）の方法により得られたものを用いる。拡散防止層粉シート３６はそのまま焼成前拡散防止層１６とし、拡散防止層粉シート３２を用いて以下のようにして焼成前拡散防止層１２を作製する。
図８Ｂの（ｅ）に示すように、拡散防止層粉シート３２に第１貫通孔４０および第２貫通孔４１を、例えばレーザーにより形成する。
次に、図８Ｂの（ｆ）に示すように、拡散防止層粉シート３２の第１貫通孔４０および第２貫通孔４１に銀電極ペーストを充填し、乾燥させる。これにより、焼成後にそれぞれ第１貫通電極２４および第２貫通電極２６となる電極層ペースト２４および２６を形成する。第１貫通孔４０および第２貫通孔４１への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。
次に、図８Ｂの（ｇ）に示すように、電極層ペースト２４および２６と重なるように、焼成後にそれぞれ第１内部電極２０および第２内部電極２２となる電極層ペースト２０および２２を形成する。電極層ペースト２０および２２は、スクリーン印刷法を用いてよい。
これにより、焼成前拡散防止層１２を得ることができる。

次に、焼成前絶縁層１４を形成する。図８Ｃの（ｈ）および（ｉ）は、焼成前絶縁層１４の製造方法を示す斜視図である。
図８Ｃの（ｈ）に示すように、焼成により絶縁層となる誘電体層粉シート３４を準備する。誘電体層粉シート３４は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。次に図８Ｃの（ｉ）に示すように、誘電体層粉シート３４にバリスタ用貫通孔４２を、例えば金型を用いて形成する。
これにより、焼成前絶縁層１４を得ることができる。

次に、焼成前バリスタ層１５を形成する。図８Ｃの（Ｊ）および（ｋ）は、焼成前バリスタ層１５の製造方法を示す斜視図である。
図８Ｃの（ｊ）に示すように、焼成によりバリスタ層となるバリスタ層粉シート３５を準備する。バリスタ層粉シート３５は、例えば、前述した（１）の方法により得られたものを用いる。
次に図８Ｃの（ｋ）に示すように、焼成前絶縁層１４が有するバリスタ用貫通孔４２と略同一形状を有するように、バリスタ層粉シート３５を打ち抜く。
これにより、焼成前バリスタ層１５を得ることができる。

図８Ｄの（ｌ）は、得られた各層を積層する工程を示す図である。
下から順に、
焼成前誘電体層１０と、電極層ペースト２０、２２が上面側となり、かつ焼成前拡散防止層１２に設けられた第１貫通孔４０および第２貫通孔４１と、焼成前誘電体層１０に設けられた第１貫通孔４０および第２貫通孔４１とがそれぞれ重なるように配置された焼成前拡散防止層１２と、焼成前拡散防止層１２の上面に設けられた電極層ペースト２０、２２と、バリスタ用貫通孔４２とが重なるように配置された焼成前絶縁層１４と、焼成前絶縁層１４に設けられたバリスタ用貫通孔４２と重なり、かつ焼成前拡散防止層１２の電極層ペースト２０、２２と重なるように配置された焼成前バリスタ層１５と、焼成前拡散防止層１６と、焼成前誘電体層１８と、を整列して配置する。
この状態でプレスすることで、複合積層体を得ることができる。

得られた複合積層体を８５０〜９５０℃の温度範囲で焼成する。これにより、第２の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板２００を得ることができる。

３−２．粉末ペーストを使用して、バリスタ内蔵多層基板を製造する方法
以下に示すように、本実施形態に係る製造方法は、（１）バリスタ層粉ペーストを作製する工程、（２）拡散防止層粉ペーストを作製する工程、（３）誘電体層粉シートを作製する工程、（４）バリスタ層粉ペースト、拡散防止層粉ペーストおよび誘電体層粉シートを積層して焼成する工程を含む。

（１）バリスタ層粉ペーストを作製する工程
バリスタ層粉ペーストを作成する工程を説明する。
まず、以下の組成を有する混合原料（混合粉末）を準備する。混合原料の組成は、少なくとも酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含み、残りを酸化亜鉛とする。バリスタ層の原料組成は、バリスタ層から拡散防止層や誘電体層への元素拡散や拡散防止層や誘電体層からバリスタ層への元素拡散を見越して設定されるため、焼成後のバリスタ層の組成と異なっていてもよい。

混合原料は、例えば、上記酸化物の素原料（必要に応じて添加する上述の添加剤を含む）を上記組成となるように秤量後、これらの素原料を混合することで得ることができる。

また、混合原料は、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で、残りの元素をそれぞれの酸化物の素原料の状態で、上記組成となるように秤量後、これらを混合することで得てもよい。上述のように、Ｓｉを酸化ケイ素の状態で添加した場合、焼成時に上述したＺｎＯ、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物およびＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物の他に、３〜１０μｍ程度の粒径のＺｎ_２ＳｉＯ_４が、バリスタ層に生成することがある。バリスタ層に生成するＺｎ_２ＳｉＯ_４の粒径がこの程度の範囲であれば、焼成後のバリスタ内蔵多層基板は上述した優れたバリスタ特性を有することができるが、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４の粒径をより小さくすることで、焼成後のバリスタ層をより緻密化でき、バリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上させることができる。上述のように、本発明者らは、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２化合物の状態で添加することによって、焼成時に生成するＺｎ_２ＳｉＯ_４の粒径を１μｍ以下程度に抑制出来ることを見出した。これにより、バリスタ層の空孔率がより低減されるので、バリスタ層をより緻密化することができ、焼成後のバリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上することができる。
なお、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で添加すると、ＢｉもＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の割合で添加されるため、Ｂｉに関しては、組成の狙い値からＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２によって供給されるＢｉ量を差し引いた量を、Ｂｉ酸化物（Ｂｉ_２Ｏ_３）の状態で添加してもよい。また、この場合、バリスタ層全体の組成のうち、Ｓｉの組成を０．０１〜０．３ｍｏｌ％、好ましくは、０．０１〜０．１ｍｏｌ％、さらに好ましくは０．０１〜０．０５ｍｏｌ％とすることによって、焼成後のバリスタ層をさらに緻密にすることができ、焼成後のバリスタ内蔵多層基板の絶縁性能をより向上することができるので、好ましい。

ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２の化合物の状態で添加する場合、ビスマス・シリコン酸化化合物（Ｂｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２）は、以下のように作製してもよい。
酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）と酸化シリコン（ＳｉＯ_２）の混合原料（混合粉末）を準備する。混合原料の組成がＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２となるように、酸化ビスマスおよび酸化シリコンを秤量し混合する。混合は、水溶媒のボールミルで２０時間混合してもよい。混合が終了した後、スラリーを回収し乾燥することで混合原料が得られる。得られた混合粉を大気中で７００〜８００℃で熱処理することで、Ｂｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_１２を主相とする化合物を得ることができる。熱処理で得られた粉をあらかじめボールミルで粉砕し、粒子径を小さくしておいてもよい。このようにすることで、バリスタ層粉ペーストを作製する際の素原料混合時に、ビスマス・シリコン酸化化合物が十分に粉砕されているので、最終的に得られる焼結体の組成の偏析を抑制することができる。

混合には、湿式および乾式を問わず既知の各種の方法を用いてよい。混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中に水のような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行ってスラリー状の混合原料を得てよい。

得られたスラリー混合原料を乾燥させ、得られた粉を粉砕する。粉砕して得られた粉と、例えばビヒクルを配合して混練することによりバリスタ層粉ペーストを得る。

（２）拡散防止層粉ペーストを作製する工程
まず、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２を以下の組成式（２）で表される関係を満たすように秤量し、これらを混合する。

組成式：Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （２）

上記組成式（２）は拡散防止層を作製する場合の狙い組成であり、焼成後の拡散防止層組成はバリスタ層や誘電体層やＡｇ電極に由来する元素が各層からの拡散により含まれたり、拡散防止層から各元素が各層に拡散することによって、狙い組成と異なってもよい。
混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中にエタノールのような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行って混合原料を得てよい。

得られた、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＳｉＯ_２の混合粉を、１１００℃〜１３００℃で熱処理（仮焼き）を行い、仮焼き粉を得る。この仮焼き粉に、ビスマス酸化物を、Ｂｉ_２Ｏ_３の状態で添加して、混合する。混合の方法としは、例えばボールミルを用いてもよい。例えば、ボールミル容器中に水のような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行ってスラリー状の混合原料を得てよい。
得られたスラリー混合原料を乾燥させ、得られた粉を粉砕する。粉砕して得られた粉と、例えば、ビヒクルを配合して混練することにより拡散防止層粉ペーストを得る。

（３）誘電体層粉シートを作製する工程
得ようとする誘電体層と実質的に同じ組成を有する混合原料（混合粉末）を準備する。

混合原料は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、炭酸ストロンチウム、酸化チタン、酸化ビスマス、酸化銅、酸化マンガン、炭酸ナトリウム、および炭酸カリウムのような酸化物等の素原料（必要に応じて添加する上述の添加剤を含む）を、得ようとする誘電体層の組成と同じなるように秤量後、これらの素原料を混合することで得ることができる。誘電体層の原料組成は、誘電体層から拡散防止層やバリスタ層への元素拡散や拡散防止層やバリスタ層から誘電体層への元素拡散を見越して設定されてもよい。

混合には、湿式および乾式を問わず既知の各種の方法を用いてよい。混合の方法として、ボールミルを用いることを例示できる。例えば、ボールミル容器中にエタノールのような分散媒と、ジルコニアボールのようなボールとともに秤量した素原料とを投入してボールミル混合を行って混合原料を得てよい。

得られた混合原料を、６００〜８００℃で仮焼きし、得られた仮焼き粉をエタノール等の有機分散媒または無機分散媒に分散させ、スラリー（スラリー状の混合原料、ペースト）を得る。得られたスラリーを、既知のシート成型方法、例えば、シート成型機を用いたドクターブレード法等により成型し、誘電体粉シートを得る。

（４）多層基板の製造工程
（第３の実施形態に係る多層基板の製造工程）
次に、多層基板の製造工程を説明する。以下において、本発明の第３の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板３００の製造工程を、例示的に説明する。当該製造工程は、他の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板の製造工程においても、用いることができる。

図９Ａの（ａ）〜（ｃ）は、焼成前誘電体層１０（１８）の製造方法を示す斜視図である。
図９Ａの（ａ）に示すように、焼成により誘電体層となる誘電体層粉シート３０（３８）を準備する。誘電体層粉シート３０（３８）は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。次に図９Ａの（ｂ）に示すように、誘電体層粉シート３０（３８）に貫通孔４０（４１）を、例えばレーザー等により形成する。
次に、図９Ａの（ｃ）に示すように、誘電体層粉シート３０（３８）の貫通孔４０（４１）に銀電極ペーストを充填し、乾燥させることにより、焼成後に貫通電極２４（２６）となる電極層ペースト２４（２６）を形成する。貫通孔４０（４１）への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。
これにより焼成前誘電体層１０（１８）を得ることができる。焼成前誘電体層は同じものを２つ、すなわち、焼成前誘電体層１０と焼成前誘電体層１８を作製する。

図９Ｂの（ｄ）〜（ｆ）は、積層体１５０および積層体１６０の製造方法を示す図である。積層体１５０は、焼結後に第１誘電体層１０および第１拡散防止層１２を構成するものである。積層体１６０は、焼結後にバリスタ層１５、第２誘電体層１８および第２拡散防止層１６を構成するものである。

図９Ｂの（ｄ）に示すように、前工程で得られた焼成前誘電体層１０（１８）となる誘電体層粉シート３０（３８）に、貫通電極２４（２６）と重ならないように、拡散防止層粉ペースト３２（３６）を積層（塗布）する。拡散防止層粉ペースト３２（３６）の積層には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。
次に、図９Ｂの（ｅ）に示すように、貫通電極２４（２６）および積層した拡散防止層粉ペースト３２（３６）と重なるように、電極層ペースト２０（２２）を形成（塗布）する。電極層ペースト２０（２２）の形成は、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。
これにより、積層体１５０を得ることができる。積層体１５０は２つ作製する。

次に、図９Ｂの（ｆ）に示すように、得られた積層体１５０の１つに対して、拡散防止層粉ペースト３６および電極層ペースト２２の上に、拡散防止層粉ペースト３６からはみ出さないように、バリスタ層粉ペースト３５を積層（塗布）する。バリスタ層粉ペースト３５の積層には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。これにより、積層体１６０を得ることができる。

次に、焼成前絶縁層１４を形成する。図９Ｃの（ｇ）および（ｈ）は、焼成前絶縁層１４の製造方法を示す斜視図である。

図９Ｃの（ｇ）に示すように、焼成により絶縁層となる誘電体層粉シート３４を準備する。誘電体層粉シート３４は、例えば、前述した（３）の工程により得られたものを用いる。次に、図９Ｃの（ｈ）に示すように、誘電体層粉シート３４にバリスタ用貫通孔４２を、例えば金型を用いて形成する。
これにより、焼成前絶縁層１４を得ることができる。

図９Ｃの（ｉ）は、得られた各層を積層する工程を示す図である。
図９Ｃの（ｉ）を用いて、積層体を得るためのプレス工程を説明する。
下から順に、バリスタ層粉ペースト３５が上面側になるように配置された積層体１６０と、バリスタ用貫通孔４２が、積層体１６０のバリスタ層粉ペースト３５と重ならないように配置された焼成前絶縁層１４と、拡散防止層粉ペースト３２が下面側になり、積層体１５０が有する電極層ペースト２０と、積層体１６０が有する焼成前バリスタ層１５とが重なるように配置された積層体１５０とを、整列して配置する。
この状態でプレスすることで、複合積層体を得ることができる。
なお、プレス工程により、積層体１５０、１６０および焼成前絶縁層１４が変形し、拡散防止層粉ペースト３２、３６は、積層体１５０、１６０および焼成前絶縁層１４によって完全に覆われる。

得られた複合積層体を８５０〜９５０℃の温度範囲で焼成する。これにより、多層基板３００を得ることができる。

本実施形態に係る、ペーストを用いて多層基板を作製する方法により、拡散防止層が、上下面および側面の全てを絶縁層に覆われた多層基板を製造することができる。これにより、ＬＴＣＣ基板内に占める拡散防止層の体積が減り、誘電体層の優れた電気的特性を得るための回路設計が容易になるという効果を得ることができる。

（第４の実施形態に係る多層基板の製造工程）
次に、多層基板の製造工程を説明する。以下において、本発明の第４の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板４００の製造工程を、例示的に説明する。当該製造工程は、他の実施形態に係るバリスタ内蔵多層基板の製造工程においても、用いることができる。

図１０Ａの（ａ）〜（ｃ）、図１０Ｂの（ｄ）〜（ｆ）は、積層体１７０、１８０の製造方法を示す斜視図である。
図１０Ａの（ａ）に示すように、焼成により誘電体層となる誘電体層粉シート３０を準備する。誘電体層粉シート３０は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。次に図１０Ａの（ｂ）に示すように、誘電体層粉シート３０に第１貫通孔４０および第２貫通孔４１を、例えばレーザー等により形成する。
次に、図１０Ａの（ｃ）に示すように、誘電体層粉シート３０の第１貫通孔４０および第２貫通孔４１に銀電極ペーストを充填し、乾燥させる。これにより、焼成後にそれぞれ第１貫通電極２４および第２貫通電極２６となる電極層ペースト２４および２６を形成する。第１貫通孔４０および第２貫通孔４１への銀ペーストの充填には、例えば、スクリーン印刷法を用いてよい。

次に、図１０Ｂの（ｄ）に示すように、前工程で得られた誘電体層粉シート３０に、電極層ペースト２４および２６と重ならないように、拡散防止層粉ペースト３２を積層（塗布）する。拡散防止層粉ペースト３２の積層には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。このようにして、積層体１７０を得ることができる。

次に、得られた積層体１７０に対して、図１０Ｂの（ｅ）に示すように、電極層ペースト２０、２２を形成（塗布）する。電極層ペースト２０、２２は、電極層ペースト２４、２６および積層した拡散防止層粉ペースト３２と重なるように、形成される。電極層ペースト２０、２２の形成には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。

次に、図１０Ｂの（ｆ）に示すように、拡散防止層粉ペースト３２および電極層ペースト２０、２２と重なるように、かつ拡散防止層粉ペースト３２からはみ出さないように、バリスタ層粉ペースト３５を積層（塗布）する。バリスタ層粉ペースト３５の積層には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。これにより、積層体１８０を得ることができる。

次に、焼成前絶縁層１４を形成する。図１０Ｃの（ｇ）および（ｈ）は、焼成前絶縁層１４の製造方法を示す斜視図である。

図１０Ｃの（ｇ）に示すように、焼成により絶縁層となる誘電体層粉シート３４を準備する。誘電体層粉シート３４は、例えば、前述した（３）の工程により得られたものを用いる。次に、図１０Ｃの（ｈ）に示すように、誘電体層粉シート３４にバリスタ用貫通孔４２を、例えば金型を用いて形成する。
これにより、焼成前絶縁層１４を得ることができる。

図１０Ｃの（ｉ）、（ｊ）は、積層体１９０の製造方法を示す斜視図である。図１０Ｃの（ｉ）に示すように、焼成により誘電体層となる誘電体層粉シート３８を準備する。誘電体層粉シート３８は、例えば、前述した（３）の方法により得られたものを用いる。次に図１０Ｃの（ｊ）に示すように、前工程で得られた誘電体層粉シート３８に、拡散防止層粉ペースト３６を積層（塗布）する。拡散防止層粉ペースト３６の積層には、例えば、スクリーン印刷法を用いてもよい。このようにして、積層体１９０を得ることができる。拡散防止層粉ペースト３６を積層（塗布）する位置は最後に積層した際に所望の積層体となるよう考慮した位置としてよい。

図１０Ｄの（ｋ）は、得られた各層を積層する工程を示す図である。
図１０Ｄの（ｋ）を用いて、積層体を得るためのプレス工程を説明する。
下から順に、バリスタ層粉ペースト３５が上面側になるように配置された積層体１８０と、バリスタ用貫通孔４２が、積層体１８０のバリスタ層粉ペースト３５と重ならないように配置された焼成前絶縁層１４と、拡散防止層粉ペースト３６が下面側になり、かつ上面視して、積層体１８０が有するバリスタ層粉ペースト３５が積層体１９０が有する拡散防止層粉ペースト３６からはみ出ないように配置された積層体１９０とを、整列して配置する。
この状態でプレスすることで、複合積層体を得ることができる。
なお、プレス工程により、積層体１９０、１８０および焼成前絶縁層１４が変形し、拡散防止層粉ペースト３２、３６は、積層体１９０、１８０および焼成前絶縁層１４によって完全に覆われる。

得られた複合積層体を８５０〜９５０℃の温度範囲で焼成する。これにより、多層基板４００を得ることができる。

・実施例１
１−１．バリスタ層粉シート作製
表１に示す組成となるように、ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２を秤量し、ボールミル容器中にエタノール、ジルコニアボールとともに投入して、１００ｒｐｍで２０時間ボールミル混合した。なお、本実施例における組成は金属元素換算のｍｏｌ％で示している。すなわち、それぞれの酸化物が含有する酸素原子を考慮せず、酸素と結びついている金属原子のみを考慮して、モル比率を算出し求めたものであり、表１では、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒのそれぞれの金属元素のｍｏｌ％を示している。

得られた混合原料を取り出して乾燥後、エタノール、ＰＶＢおよび可塑剤と混合してスラリー状の混合原料を作製した。このとき、スラリーに占めるＰＶＢの含有率は1０重量％とした。
このスラリー状の混合原料を用い、ドクターブレード法により成型し、バリスタ層粉シートを作製した。

１−２．拡散防止層粉シートの作製
表１に示す組成となるように、素原料であるＺｎＯ、ＳｉＯ_２を秤量し、ボールミル容器中に水、ジルコニアボールとともに投入して、１００ｒｐｍで２０時間ボールミル混合した。
得られた混合原料を取り出して乾燥後、得られた粉を１２００℃で２時間、大気中で仮焼きした。得られた仮焼き粉に、Ｂｉ_２Ｏ_３を加えた。
得られた粉を、ボールミル容器中にエタノールおよびブタノールの混合液をジルコニアボールとともに加え、１００ｒｐｍで２０時間ボールミルで混合した。

得られた混合原料を取り出して乾燥後、ＰＶＢおよび可塑剤を添加して、混合原料中の溶媒の、部分的な蒸発をおこなった。その後、スラリーの粘度が約３Ｐａ・ｓになった後に、ドクターブレード法により成型し、拡散防止層粉シートを作製した。スラリーの粘度は、スラリーの粘度は、Ｂｒｏｏｋ ｆｉｅｌｄ社製回転粘度測定器（高粘度用）に同社製スピンドルＳＣ４−２１を適用し温度２０℃にて回転数６ｒｐｍの時の粘度を測定した。

１−３．誘電体層粉シートの作製
Ａｌ_２Ｏ_３粉末、ＳｉＯ_２粉末、ＳｒＣＯ_３粉末、ＴｉＯ_２粉末、Ｂｉ_２Ｏ_３粉末、ＣｕＯ粉末、ＭｎＯ_２粉末、Ｎａ_２ＣＯ_３粉末、及びＫ_２ＣＯ_３粉末を秤量し、ボールミル容器中に水、ジルコニアボールとともに投入して、１００ｒｐｍで２０時間ボールミル混合して、混合原料を得た。得られた混合原料に、ＰＶＡを、混合原料の乾燥重量に対して１質量％の割合で添加した後、スプレードライヤーで乾燥し、平均粒径が約０．１ｍｍであり顆粒状の乾燥粉を得た。
得られた顆粒粉を、連続炉内で、最高温度８００℃で２時間仮焼きし、Ａｌ_２Ｏ_３結晶及びＴｉＯ_２結晶を含有するケイ酸塩系ガラスからなる仮焼粉を得た。
仮焼粉の組成は、酸化物換算で３４ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３、５１ｍｏｌ％のＳｉＯ_２、１１ｍｏｌ％のＳｒＯ、２．５ｍｏｌ％のＴｉＯ_２から成る複合酸化物１００ｍｏｌ％に対し添加物が外割で０．４ｍｏｌ％のＢｉ_２Ｏ_３、１．４ｍｏｌ％のＮａ_２Ｏ、０．５ｍｏｌ％のＫ_２Ｏ、０．３ｍｏｌ％のＣｕＯ、０．２ｍｏｌ％のＭｎＯ_２及び０．７ｍｏｌ％のＺｒＯ_２であった。
この仮焼粉を、エタノールおよびブタノールの混合溶媒に分散させて、ボールミルで平均粒径１．０μｍとなるまで粉砕した。
得られたスラリーに、バインダとしてのＰＶＢおよび可塑剤としてのブチルフタリルブチルグリコレートを、仮焼粉１００質量％に対して、それぞれ１５質量％および７．５質量％の割合で分散させて添加し、スラリーを得た。
減圧下で脱泡及び溶媒の部分的な蒸発を行って、スラリーの粘度を約１０Ｐａ・ｓにした後、ドクターブレード法でシート成形し、約８０μｍの乾燥厚さを有する、誘電体層粉シートを得た。

得られたバリスタ層粉シート、拡散防止層粉シートおよび誘電体層粉シートを用いて、図７Ａ〜図７Ｄおよび上述した段落００９７〜０１０１に示す手順により積層し、８５℃で２０ＭＰａで１０分間荷重を加えた。このようにして得られた混合原料シート積層体を、昇温速度２００℃／ｈで昇温し、９００℃で２時間焼成して、バリスタ内蔵多層基板を得た。

１−４．組成の分析
得られたサンプル１〜３０について、バリスタ層、拡散防止層および誘電体層についての組成を、以下の手順で分析した。
得られたバリスタ内蔵多層基板のサンプルを、外周刃切断機を用いて切断し、得られた切断片を樹脂埋めした。得られた樹脂埋めサンプルから、図１Ｂでしめすような構造体の断面観察像が得られる部分を狙って、クロスセクションポリッシャー（イオンポリッシャー）で断面研磨した。このようにすることで、砥粒を用いた研磨では延びてしまう電極構造を乱すことなく観察することが可能となった。
研磨面をＦＥ−ＳＥＭで観察し、測定したい部分を狙って、ＦＥ−ＳＥＭに付属のＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光）装置にて分析した。
分析は１０μｍ×１０μｍ以上の矩形面積に電子線を照射して得られたＸ線スペクトルを用いて解析を行った。
層中の特定の組織を分析する際は、ビーム径１μｍ以下で照射して得られるＸ線スペクトルを用いて解析を行った。含まれる結晶構造物は、Ｘ線回折法で判定した。
実施例であるサンプルＮｏ．５、９、１４、１５、１８、２２、２４および２６〜３０について、得られたバリスタ層の組成を表２、得られた拡散防止層の組成を表３に示す。
得られた誘電体層組成は、全てのサンプルにおいて同じ値であるため、代表として、実施例であるサンプルＮｏ．５の誘電体層の組成を分析した結果を表４に示す。

１−５．バリスタ特性の測定
バリスタ内蔵多層基板のサンプルＮｏ．１〜３０に対して、アドバンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４０を用いて、電極間に流れる電流を、電圧を掃引しながら測定した。例としてサンプル１０の測定結果を図１１に示す。また、この測定結果からバリスタ特性（絶縁抵抗値、非線形定数、バリスタ電圧）を求めた。絶縁抵抗値は、電圧（Ｖ／ｍｍ）を電流値（Ａ／ｃｍ^２）で除して１０を乗じた値である。非線形定数は、電流−電圧特性を両対数軸で表記した際に、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる点の接線の傾きとした。接線の傾きの算出方法は、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる電圧値Ｖ_１（Ｖ／ｍｍ）に対して、Ｖ_１＋０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点と、Ｖ_１―０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点の、合計４点に対して最小二乗法を適用し、得られた傾きを接線の傾きとした。
このようにして得られたサンプル１〜３０についての、絶縁抵抗率および非線形定数の値を、表５に示す。

比較例Ｎｏ．１のサンプルでは、非線形定数が７と低くなった。これは、拡散防止層が無いため、バリスタ中のＢｉが拡散したためであると考えられる。
比較例Ｎｏ．２、３および４のサンプルでは、非線形定数が低下していた。これは、拡散防止層中のＳｉＯ_２量がゼロであり、焼結時に拡散防止層中にＢｉ−Ｓｉ酸化物が形成されず、バリスタ層中のＢｉが絶縁体層へ拡散したためであると考えられる。
比較例Ｎｏ．８のサンプルは、非線形定数が低下していた。これは、拡散防止層中のＢｉ_２Ｏ_３量が０．０１と量が少なかったため、十分なＢｉ−Ｓｉ酸化物が形成されず、またバリスタ層中のＢｉが絶縁体層へ拡散したためであると考えられる。
比較例Ｎｏ．１６のサンプルは、非線形定数が１９と低くなった。これは、拡散防止層中のＢｉ_２Ｏ_３量が１．５であったため、Ｂｉ量が多すぎた結果、絶縁体層へ拡散したためであると考えられる。
実施例Ｎｏ．５〜７および９〜１５のサンプルの結果から、拡散防止層における適切なＳｉＯ_２量は、０．５〜２．０、適切なＢｉ_２Ｏ_３の量は０．１５〜１．３であると言える。

比較例Ｎｏ．１７のサンプルは、非線形定数が低下していた。これは、バリスタ層中のＳｉＯ_２量がゼロであったため、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物が形成されず、バリスタ層中のＢｉが絶縁体層へ拡散したためであると考えられる。
比較例Ｎｏ．２３のサンプルは、非線形定数が低下していた。これは、バリスタ層中のＳｉＯ_２量が２．５であったため、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物が過剰に形成され、バリスタ層の緻密化が阻害されたためであると考えられる。
実施例Ｎｏ．１０、１８〜２２のサンプルの結果から、バリスタ層の適切なＳｉ量は、０．１〜２．０であると言える。

実施例Ｎｏ．５、９、１４、１５、１８、２２、２４、２６〜３０のサンプルの、拡散防止層の組成分析結果を表３に示した。
拡散防止層は、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主な構成物とするＺｎ−Ｓｉ酸化物と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物とが主な構成物であるセラミックス組成物からなり、Ｓｉが２６．６〜５５．０ｍｏｌ％、Ｂｉが１．５〜３５．０ｍｏｌ％、Ａｌが０〜２．０ｍｏｌ％、Ａｇが０〜２．０ｍｏｌ％、Ｃｒが０〜１．０ｍｏｌ％、Ｍｎが０〜１．０ｍｏｌ％、Ｃｏが０〜１．０ｍｏｌ％含み、残部がＺｎであることを特徴とするセラミックス組成物からなることが分かった。

拡散防止層の分析結果が狙い組成に対して異なっており、これはバリスタ層や絶縁層からの元素拡散のためと推測している。具体的には拡散防止層の作製工程においてＡｌ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏを故意に添加することがないにも関わらず、焼成後に検出されたことからＡｌは絶縁層から、Ａｇは電極から、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏはバリスタ層からＡｇ電極を介して拡散してきたと推測している。またバリスタ層中のＢｉ量が狙い組成に対して減少していることから、バリスタ層中のＢｉ_２Ｏ_３の一部は拡散防止層中に移動していると推測される。これらの要因によって拡散防止層の組成が狙い組成に対して分析結果の値がずれていると考えている。

拡散防止層のＺｎ_２ＳｉＯ_４を主な構成物とするＺｎ−Ｓｉ酸化物と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物に着目した組成分析を詳細に行った結果、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主な構成物とするＺｎ−Ｓｉ酸化物はＳｉが３０〜４０ｍｏｌ％、Ｂｉが０〜２．０ｍｏｌ％、Ａｌが０〜１．０ｍｏｌ％、Ａｇが０〜１．０ｍｏｌ％、Ｃｒが０〜０．４ｍｏｌ％、Ｍｎが０〜０．４ｍｏｌ％、Ｃｏが０〜０．４ｍｏｌ％含み、残部がＺｎであることを特徴とし、Ｂｉ−Ｓｉ化合物はＳｉが３０．０〜７０．０ｍｏｌ％、Ｂｉが５．０〜３０．０ｍｏｌ％、Ａｌが０〜８．０ｍｏｌ％、Ａｇが０〜１５．０ｍｏｌ％、Ｃｒが０〜０．６ｍｏｌ％、Ｍｎが０〜０．６ｍｏｌ％、Ｃｏが０〜０．６ｍｏｌ％含むことを特徴とするセラミックス組成物であることが分かった。

拡散防止層中のＢｉ−Ｓｉ化合物にＡｇやＡｌを多く含んでいることから焼成時の拡散現象は拡散防止層中のＢｉ−Ｓｉ化合物を介して起こっていると推測され、このような元素拡散が各層の密着を良好にしていると推測している。

バリスタ層は主相がＺｎＯであり、そのＺｎＯ粒子の粒界または粒界三重点にＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）もしくは両方の酸化物が存在しており、金属元素換算でＳｉが０．１〜２．０ｍｏｌ％、Ｂｉが０．３〜４．０ｍｏｌ％、Ｃｒが２．０ｍｏｌ％以下、Ｍｎが２．０ｍｏｌ％以下、Ｃｏが２．０ｍｏｌ％以下、残部がＺｎであることを特徴とするセラミックスであることが分かった。

実施例Ｎｏ．５のサンプルのように、拡散防止層の設置とバリスタ層へのＳｉ添加を併せた時にバリスタ層中にＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）とＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）が形成されていた。バリスタ層中のＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物に着目して分析した結果、Ｚｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物は金属元素換算でＳｉが０．５〜４．０ｍｏｌ％、Ｂｉが５０．０〜７０．０ｍｏｌ％、Ｃｒが０．１〜８．０ｍｏｌ％、Ｍｎが０．２〜３．０ｍｏｌ％、Ｃｏが０．２〜３．０ｍｏｌ％、残部がＺｎであることを特徴とし、Ｚｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物はＳｉが２８．０〜４０．０ｍｏｌ％、Ｂｉが１．０ｍｏｌ％以下、Ｃｒが０〜１．０ｍｏｌ％、Ｍｎが０．１〜１．５ｍｏｌ％、Ｃｏが０〜２．４ｍｏｌ％以下、残部がＺｎであることを特徴とするセラミックスであることが分かった。

拡散防止層の設置とバリスタ層へのＳｉ添加を併せた時にバリスタ層中にＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物が形成されていた。これはＢｉとＳｉが焼成時に反応することでＢｉがバリスタ層外に拡散することを防いだ結果、形成されたと考えている。拡散防止層が必須である要因としてＢｉとＳｉが反応する温度とＢｉの供給源であるＢｉ_２Ｏ_３の融点が近いことが挙げられる。拡散防止層が無い場合、ＢｉがＳｉと反応する前にＢｉ_２Ｏ_３が液化してバリスタ層外の絶縁層へ拡散してしまったと推測している。そこでＢｉを多く含む拡散防止層を設けることで拡散速度を遅くし、バリスタ層の外へ拡散する前にＳｉと反応させることが可能となり、実施例のような特性が得られるバリスタ組織になったと推測している。またＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物はＢｉと反応しなかったＳｉがＺｎと反応して形成していると考えている。

・実施例２
２−１．バリスタ層粉シート作製
表６に示す組成となるように、ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３、Ｃｏ_３Ｏ_４、Ｍｎ_３Ｏ_４、Ｃｒ_２Ｏ_３、Ｂｉ_４Ｓｉ₃Ｏ_１２を秤量し、ボールミル容器中にエタノール、ジルコニアボールとともに投入して、１００ｒｐｍで２０時間ボールミル混合した。Ｂｉ_４Ｓｉ₃Ｏ_1２は、Ｂｉ_２Ｏ_３およびＳｉＯ_２を、ＢｉとＳｉがＢｉ_４Ｓｉ_３Ｏ_1２組成の割合となるように秤量混合し、ボールミル容器中にエタノール、ジルコニアボールとともに投入して、１００ｒｐｍで２０時間ボールミル混合し、乾燥して得られた混合粉を大気中７００℃で熱処理することによって作製した。Ｂｉ_４Ｓｉ₃Ｏ_1２の添加によって足りない量のＢｉは、Ｂｉ_２Ｏ_３を添加することで調整した。なお、本実施例における組成は、金属元素換算のｍｏｌ％で示している。すなわち、それぞれの酸化物が含有する酸素原子を考慮せず、酸素と結びついている金属原子のみを考慮して、モル比率を算出し求めたものであり、表６では、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｒのそれぞれの金属元素のｍｏｌ％を示している。

得られた混合原料を取り出して乾燥後、エタノール、ＰＶＢおよび可塑剤と混合してスラリー状の混合原料を作製した。このとき、スラリーに占めるＰＶＢの含有率は1０重量％とした。
このスラリー状の混合原料を用い、ドクターブレード法により成型し、バリスタ層粉シートを作製した。

２−２．拡散防止層粉シートの作製
拡散防止層の組成を表６に示す組成とした他は実施例１と同様にして、拡散防止層粉シートを作製した。

２−３．誘電体層粉シートの作製
実施例１と同様にして、誘電体層粉シートを作製した。

得られたバリスタ層粉シート、拡散防止層粉シートおよび誘電体層粉シートを用いて、図７Ａ〜図７Ｄおよび上述した段落００９７〜０１０１に示す手順により積層し、８５℃で２０ＭＰａで１０分間荷重を加えた。このようにして得られた混合原料シート積層体を、昇温速度２００℃／ｈで昇温し、９００℃で２時間焼成して、バリスタ内蔵多層基板を得た。

２−４．バリスタ特性および空孔率の測定
得られたバリスタ内蔵多層基板のサンプルＮｏ．３１〜４８に対して、アドバンテスト社製絶縁抵抗計Ｒ８３４０を用いて、電極間に流れる電流を、電圧を掃引しながら測定した。また、この測定結果からバリスタ特性（絶縁抵抗値、非線形定数、バリスタ電圧）を求めた。絶縁抵抗値は、電圧（Ｖ／ｍｍ）を電流値（Ａ／ｃｍ^２）で除して１０を乗じた値である。非線形定数は、電流−電圧特性を両対数軸で表記した際に、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる点の接線の傾きとした。接線の傾きの算出方法は、電流値が１ｍＡ／ｃｍ^２となる電圧値Ｖ_１（Ｖ／ｍｍ）に対して、Ｖ_１＋０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点と、Ｖ_１―０．０５Ｖ_１となる範囲の測定点２点の、合計４点に対して最小二乗法を適用し、得られた傾きを接線の傾きとした。
このようにして得られたサンプルＮｏ．３１〜４８についての、絶縁抵抗率および非線形係数の値を、表７に示す。また、サンプルＮｏ．３１〜４８の空孔率を求めた。空孔率は、バリスタ層を機械加工により切断し、断面を研磨した後、研磨面から測定する視野をランダムに５つ選択し、各視野を走査型電子顕微鏡によって観察し、それぞれの視野に対して、視野内における空孔部分の面積割合を算出した。具体的には、算出方法は、観察像を紙面に印刷し空孔部のみを黒く塗りつぶした後スキャナで読込み、Ｓｃａｎｄｉｕｍ（ＯＬＹＭＰＵＳ社製）を用いた画像処理によって、観察像中の空孔とそれ以外の部分を二値化することにより、視野内の空孔部分の面積割合を求めた。５つの視野における空孔部分の面積割合の平均値を求めて、バリスタ層の空孔率（％）とした。図１２にサンプル３２の断面写真を示す。

表７の結果から、ＳｉをＢｉ_４Ｓｉ₃Ｏ_1２の形で添加し、Ｓｉの組成範囲を０．０１〜０．３ｍｏｌ％とすることにより、非線形定数２０以上、空孔率２０％以下の、緻密なバリスタ特性に優れたバリスタ層を有するバリスタ内蔵多層基板が得られたことがわかる。

本出願は、出願日が２０１５年３月３１日である日本国特許出願、特願第２０１５−０７３１８７号および出願日が２０１５年１２月１０日である日本国特許出願、特願第２０１５−２４１１９８号を基礎出願とする優先権主張を伴い、特願第２０１５−０７３１８７号および特願第２０１５−２４１１９８号は参照することにより本明細書に取り込まれる。

１０：第１誘電体層（焼成前は混合原料シート）
１２：第１拡散防止層（焼成前は混合原料シートまたはペースト）
１４：バリスタ層含有絶縁体層（焼成前は混合原料シート）
１５：バリスタ層（焼成前は混合原料シートまたはペースト）
１６：第２拡散防止層（焼成前は混合原料シートまたはペースト）
１８：第２誘電体層（焼成前は混合原料シート）
２０：第１内部電極（焼成前は電極層ペースト）
２２：第２内部電極（焼成前は電極層ペースト）
２４：第１貫通電極（焼成前は電極層ペースト）
２６：第２貫通電極（焼成前は電極層ペースト）
３０、３８：誘電体層粉シート
３２、３６：拡散防止層粉シートまたはペースト
３４：誘電体層粉シート
３５：バリスタ層粉シートまたはペースト
４０：第１貫通孔
４１：第２貫通孔
４２：バリスタ用貫通孔
１５０、１６０、１７０、１８０、１９０：積層体
１００、２００、３００、４００：多層基板
Ｄ１、Ｄ２：電極間距離
Ｓ１、Ｓ２：電流断面積

Claims (16)

1. 順に積層されている、第１誘電体層、第１拡散防止層、バリスタ層、第２拡散防止層および第２誘電体層と、前記バリスタ層のいずれかの主面にそれぞれ配置された第１内部電極および第２内部電極とを有し、
   前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、ボイドが面積比率で５％未満であり、電気抵抗率が１０^１０Ω・ｃｍ以上であり、比誘電率が６〜９であり、
   前記第１拡散防止層および前記第２拡散防止層は、Ｚｎ_２ＳｉＯ_４を主成分とするＺｎ−Ｓｉ酸化物と、Ｂｉ−Ｓｉ酸化物とを含み、
   前記バリスタ層は、主相がＺｎＯであり、前記ＺｎＯの粒界または粒界三重点にＺｎ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）および/またはＺｎ−Ｓｉ−Ｍ酸化物（ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｃｒのいずれか一つ以上）が存在しており、
   前記バリスタ層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、Ｓｉを０．０１〜０．３ｍｏｌ％含み、
   前記バリスタ層の空孔率が２０％以下であることを特徴とする、バリスタ内蔵多層基板。
2. 前記バリスタ層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、
   Ｚｎを９０．０ｍｏｌ％以上およびＢｉを０．３〜４．０ｍｏｌ％含み、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｒ、０．１〜４．０ｍｏｌ％のＭｎおよび０．１〜２．０ｍｏｌ％のＣｏから選択されるいずれか１種以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載のバリスタ内蔵多層基板。
3. 前記バリスタ層は、残部が不可避的不純物であることを特徴とする、請求項２に記載のバリスタ内蔵多層基板。
4. 前記バリスタ層は、０．１〜２．０ｍｏｌ％のＳｃおよび０．１〜４．０ｍｏｌ％のＢから成る群から選択される少なくとも１つをさらに含むことを特徴とする請求項２または３に記載のバリスタ内蔵多層基板。
5. 前記バリスタ層は、アンチモン（Ｓｂ）、希土類元素および錫（Ｓｎ）のそれぞれの含有量が不純物レベル以下であることを特徴とする、請求項２〜４のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
6. 前記第１拡散防止層および前記第２拡散防止層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、
   Ｚｎを３０ｍｏｌ％以上、Ｓｉを２６．６〜５５．０ｍｏｌ％、Ｂｉを１．５〜３５．０ｍｏｌ％含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
7. 前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ酸化物を主成分とし、ＳｒＡｌ_２Ｓｉ_２Ｏ_８、Ａｌ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２を含むセラミックス組成物であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
8. 前記第１誘電体層および前記第２誘電体層は、Ｓｉを含む金属元素全体を１００ｍｏｌ％としたとき、
   Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｏを０〜０．５ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含むセラミックス組成物であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
9. 前記第１内部電極は、前記バリスタ層の一方の主面に配置され、前記第１誘電体層を貫通する第１貫通電極と電気的に接続されており、
   前記第２内部電極は、前記バリスタ層の他方の主面に配置され、前記第２誘電体層を貫通する第２貫通電極と電気的に接続されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
10. 前記第１貫通電極は、前記第１誘電体層と前記第１拡散防止層とを貫通しており、前記第２貫通電極は、前記第２誘電体層と前記第２拡散防止層とを貫通している、請求項９に記載のバリスタ内蔵多層基板。
11. 前記第１内部電極および前記第２内部電極は、前記バリスタ層の１つの主面に離間して配置され、前記第１内部電極は、前記第１誘電体層を貫通する第１貫通電極と電気的に接続され、前記第２内部電極は、前記第１誘電体層を貫通する第２貫通電極と電気的に接続されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載のバリスタ内蔵多層基板。
12. 前記第１貫通電極および前記第２貫通電極は、前記第１誘電体層と前記第１拡散防止層とを貫通している、請求項１１に記載のバリスタ内蔵多層基板。
13. １）酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化ケイ素と、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉シートを形成する工程と、
    ２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（１）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉シートを形成する工程と、
    
    Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （１）
    
    ３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、
    ４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉シート、前記バリスタ層粉シート、前記拡散防止層粉シートおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、
    ５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、
    を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法。
14. １）酸化亜鉛と、酸化ビスマスと、酸化ケイ素と、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉ペーストを形成する工程と、
    ２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（２）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉ペーストを形成する工程と、
    
    Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （２）
    
    ３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、
    ４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉ペースト、前記バリスタ層粉ペースト、前記拡散防止層粉ペーストおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、
    ５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、
    を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法。
15. １）酸化亜鉛と、ビスマス・シリコン酸化化合物と、酸化ビスマスと、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉シートを形成する工程と、
    ２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（３）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉シートを形成する工程と、
    
    Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （３）
    
    ３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、
    ４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉シート、前記バリスタ層粉シート、前記拡散防止層粉シートおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、
    ５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、
    を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法。
16. １）酸化亜鉛と、ビスマス・シリコン酸化化合物と、酸化ビスマスと、酸化コバルト、酸化クロムおよび酸化マンガンから選択される１種以上とを混合して、酸化亜鉛を主成分とし、酸化ビスマスをビスマス換算で０．３〜４．０ｍｏｌ％、および酸化ケイ素をシリコン換算で０．０１〜２．０ｍｏｌ％含み、コバルト換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化コバルト、クロム換算で０．１〜２．５ｍｏｌ％の酸化クロムおよびマンガン換算で０．１〜５．０ｍｏｌ％酸化マンガンから選ばれる１種以上を含む第１混合原料を得て、前記第１混合原料を含むバリスタ層粉ペーストを形成する工程と、
    ２）Ｚｎ_２ＳｉＯ_４とＢｉ_２Ｏ_３とＳｉＯ_２とを、モル比率で以下の組成式（４）を満たすように混合して、第２混合原料を得て、前記第２混合原料を含む拡散防止層粉ペーストを形成する工程と、
    
    Ｚｎ_２ＳｉＯ_４＋ｘＢｉ_２Ｏ_３＋ｙＳｉＯ_２（０．０６≦ｘ≦１．３０、０．５０≦ｙ≦２．００） （４）
    
    ３）少なくとも、酸化アルミニウムと、酸化ケイ素と、炭酸ストロンチウムと、酸化チタンと、酸化ビスマスと、酸化ナトリウムと、炭酸カリウムと、酸化銅と、酸化マンガンと、酸化銀と、酸化ジルコニウムとを混合して、Ａｌを２３．６〜６３．５ｍｏｌ％、Ｓｉを２４．２〜６０．０ｍｏｌ％、Ｓｒを５．１〜２６．８ｍｏｌ％、Ｔｉを０．１〜２．８ｍｏｌ％、Ｂｉを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｎａを０．１〜３．４ｍｏｌ％、Ｋを０〜１．２ｍｏｌ％、Ｃｕを０．１〜０．７ｍｏｌ％、Ｍｎを０．１〜０．６ｍｏｌ％、Ａｇを０．１〜２．０ｍｏｌ％およびＺｒを０．４〜１．７ｍｏｌ％含む第３混合原料を得て、前記第３混合原料を含む誘電体層粉シートを形成する工程と、
    ４）順に、前記誘電体層粉シート、前記拡散防止層粉ペースト、前記バリスタ層粉ペースト、前記拡散防止層粉ペーストおよび前記誘電体層粉シートを配置して、積層体を得る工程と、
    ５）前記積層体を８５０℃〜９００℃で焼成する工程と、
    を含むことを特徴とするバリスタ内蔵多層基板の製造方法。

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