JP6774592B2 - 深紫外発光素子 - Google Patents
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また、エキシマランプは、ランプ寿命が短く、大型の装置になるので、特殊な用途に限定される問題があった。
また、本発明者らは、上記知見を得た後、さらに検討を重ねて、本発明を完成させるに至った。
[1] 第1の電極、第2の電極および発光層を少なくとも有しており、前記発光層が深紫外光を発光する深紫外発光素子において、前記発光層が、ガリウムを少なくとも含有する酸化物を含むことを特徴とする深紫外発光素子。
[2] 前記発光層は、第1の層と、第1の層とは異なる材料を主成分とする第2の層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有する前記[1]記載の深紫外発光素子。
[3] 第1の層および第2の層の主成分が、それぞれガリウムを少なくとも含有する酸化物である前記[2]記載の深紫外発光素子。
[4] 第1の層および第2の層の主成分のいずれかが、アルミニウムを少なくとも含有する酸化物である前記[2]または[3]に記載の深紫外発光素子。
[5] 第1の層および第2の層の主成分が、それぞれコランダム構造を有する酸化物である前記[2]〜[4]のいずれかに記載の深紫外発光素子。
[6] 第1の電極が基準電極であり、第2の電極が前記基準電極と対向するように配置された放電用電極と、前記放電用電極を挟んで前記基準電極の反対側に配置された発光層と、前記基準電極および前記放電用電極を収容する空間に充填されたガスと、前記基準電極および前記基準電極の電位よりも高い電圧が印加された場合に前記ガスによって発生するプラズマから、電子または正イオンを引き出す引き出し手段とを備え、前記引き出し手段によって引き出された電子又は正イオンが前記発光層に衝突することにより、前記発光層が深紫外光を発するように構成されている前記[1]〜[5]のいずれかに記載の深紫外発光素子。
[7] 前記基準電極を挟んで前記放電用電極の反対側に配置された二次電子放出材料層をさらに備え、前記引き出し手段が電子を引き出した場合に、前記基準電極側に引き出された正イオンが前記二次電子放出材料層に衝突することにより、前記二次電子放出材料層が電子を発生する前記[6]記載の深紫外発光素子。
[8] 前記ガスが、Ne、Xe、He、Ar、H2、D2、N2、XeClおよびArFからなる群から選ばれる少なくとも1種類のガスまたはその混合ガスである前記[6]または[7]に記載の深紫外発光素子。
[9] 前記引き出し手段が、前記放電用電極と前記発光層との間に配置された引っ張り用電極を含む前記[6]〜[8]のいずれかに記載の深紫外発光素子。
[10] 前記引き出し手段が、前記発光層を挟んで前記放電用電極の反対側に配置された加速電極を含む前記[6]〜[9]のいずれかに記載の深紫外発光素子。
[11] 前記加速電極が、前記深紫外発光素子の外部に露出している前記[10]記載の深紫外発光素子。
[12] 前記放電用電極、前記引っ張り用電極および前記加速電極の順にパルス電圧が順次印加される前記[10]または[11]に記載の深紫外発光素子。
[13] 前記引っ張り用電極および前記加速電極に印加される各パルス電圧が、その直前のパルス電圧の印加終了から所定の時間経過後に印加が開始される前記[12]記載の深紫外発光素子。
原料溶液は、霧化または液滴化が可能な材料を含んでいれば特に限定されず、無機材料であっても、有機材料であってもよいが、本発明においては、金属または金属化合物であるのが好ましく、ガリウム、鉄、インジウム、アルミニウム、バナジウム、チタン、クロム、ロジウム、ニッケル、コバルト、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、シリコン、イットリウム、ストロンチウムおよびバリウムから選ばれる1種または2種以上の金属を含むのがより好ましい。
前記基体は、前記膜を支持できるものであれば特に限定されない。前記基体の材料も、本発明の目的を阻害しない限り特に限定されず、公知の基体であってよく、有機化合物であってもよいし、無機化合物であってもよい。前記基体の形状としては、どのような形状のものであってもよく、あらゆる形状に対して有効であり、例えば、平板や円板等の板状、繊維状、棒状、円柱状、角柱状、筒状、螺旋状、球状、リング状などが挙げられるが、本発明においては、基板が好ましい。基板の厚さは、本発明においては特に限定されない。
前記積層方法としては、特に限定されないが、好適には、前記原料溶液を霧化または液滴化し(霧化・液滴化工程)、生成されるミストまたは液滴をキャリアガスによって前記基体に供給し(ミスト・液滴供給工程)、供給されたミストまたは液滴を反応させて、前記基体上に成膜する(成膜工程)。
パルス電圧P1,P2,P3は、放電用電極3、引っ張り用電極5および加速電極6に順次印加される。具体的には、任意の時間T1〜T2において、パルス電圧P1が出力され、任意の時間T3〜T4において、パルス電圧P2が出力され、任意の時間T5〜T6において、パルス電圧P3が出力され、以後このサイクルが所定の周期で繰り返される。前記サイクルの周波数、すなわち、各パルス電圧P1〜P3の周波数は、例えば50Hz〜100MHzである。また、パルス電圧P1,P2,P3は、例えば100〜5000Vであるが、少なくともパルス電圧P2,P3はパルス電圧P1よりも高く設定される。また、パルス電圧P1,P2,P3のパルス幅は、例えば10〜50μsである。時間T1〜T2では、放電用電極3にパルス電圧P1が印加される。これにより、基準電極2と放電用電極3との間に、変動する電磁場が形成され、空間110内に充填されているガスが電磁場よってプラズマを発生する。このとき、プラズマには電子と正イオンとが等量含まれており、電荷中性状態となっている。続いて、時間T3〜T4では、引っ張り用電極5にパルス電圧P2が印加される。これにより、プラズマ中の電子の一部が発光層104側に引っ張られる。これに伴い、プラズマ中のイオンの一部が基準電極102側に引き出される。続いて、時間T5〜T6では、加速電極106にパルス電圧P3が印加される。これにより、引っ張り用電極105によって引っ張られた電子が加速されて、発光層104に衝突する。これにより、発光層104が励起されて深紫外光を発生し、深紫外光は、二次電子放出材料層107および下部透明基板108を通って外部に放射される。なお、二次電子放出材料層107は、MgOまたはBNで形成されているため光透過性が非常に高い。また、プラズマは、一部の電子が引っ張り出されることにより電荷中性状態が部分的に崩れる。これに対し、基準電極102側に引き出されたイオンが二次電子放出材料層107に衝突することにより、二次電子放出材料層107が電子(二次電子)を発生するため、プラズマの電荷状態を安定させることができる。
1.成膜装置
図3を用いて、本実施例で用いたミストCVD装置(1)を説明する。ミストCVD装置(1)は、キャリアガスを供給するキャリアガス源(2a、12a)と、キャリアガス源(2a、12a)から送り出されるキャリアガスの流量を調節するための流量調節弁(3a、13a)と、原料溶液(4a、14a)が収容されるミスト発生源(4、14)と、水(5a、15a)が入れられている容器(5、15)と、容器(5、15)の底面に取り付けられた超音波振動子(6、16)と、成膜室(7)と、ミスト発生源(4、14)から基板(10)付近までをつなぐ供給管(9、19)と、成膜室(7)内に設置されたホットプレート(8)とを少なくとも備えている。なお、ホットプレート(8)上には、基板(10)が設置されている。また、原料溶液(4a、14a)は、2種類あり、それぞれ、キャリアガス源(2a、12a)、キャリアガス(希釈)源(2b、12b)、流量調節弁(3a、3b、13a、13b)、ミスト発生源(4、14)、容器(5、15)、超音波振動子(6、16)、供給管(9、19)が備え付けられている。
2−1.第1の原料溶液の作製
臭化ガリウムを水に混合し、0.005M臭化ガリウム水溶液を調整し、この際、臭化水素酸を体積比で10%含有させ、これを第1の原料溶液とした。
2−2.第2の原料溶液の作製
ガリウムアセチルアセトナート(Gaac)と、アルミニウムアセチルアセトナート(Alac)とを、Gaac0.07MおよびAlac0.02Mとなるように水に混合し、この際、臭化水素酸を体積比で2%含有させ、これを第2の原料溶液とした。
上記2.で得られた第1の原料溶液(4a)を第1のミスト発生源(4)内に収容した。また、上記2.で得られた第2の原料溶液(14a)を第2のミスト発生源(14)内に収容した。次に、基板(10)として、2インチのc面サファイア基板をホットプレート(8)上に設置し、ホットプレート(8)を作動させて温度を600℃にまで昇温させた。次に、流量調節弁(3a、13a)を開いて、キャリアガス源であるキャリアガス供給手段(2a、12a)からキャリアガスを成膜室(7)内に供給し、成膜室(7)の雰囲気をキャリアガスで十分に置換した後、キャリアガスの流量を5L/分に調節した。なお、キャリアガスとして酸素を用いた。
次に、超音波振動子(6、16)を2.4MHzで振動させ、その振動を、水(5a、15a)を通じて原料溶液(4a、14a)に伝播させることによって、原料溶液(4a、14a)を霧化させてミスト(4b、14b)を生成させた。このミスト(4b、14b)が、キャリアガスによって、供給管(9、19)内を通って、成膜室(7)内に導入され、大気圧下、600℃にて、成膜室(7)内でミストが熱反応して、基板(10)上に膜が形成された。なお、成膜時間については、第1の原料溶液を用いて20秒間成膜を行った後、10秒間成膜処理を停止し(ただし、ガス流量は0.5LPMとし)、ついで、第2の原料溶液を用いて80秒間成膜を行った後、10秒間成膜処理を停止し(ただし、ガス流量は0.5LPMとし)、この一連の処理を繰り返した。そして、第1の原料溶液からなる第1の層と、第2の原料溶液からなる第2の層とを交互に積層し、第1の層および第2の層を1対として、計17対の超格子構造を得た。なお、超格子構造はXRDで確認した。第2の層のアルミニウムとガリウムとの含有比(原子比)が、1:1であった。また、膜厚は、第1の層が1nmであり、第2の層が6nmであった。
得られた超格子構造を発光層として用いて、図2に示す発光素子101を作製した。下部透明基板108として上部透明基板111と同様にサファイア基板を用いた。そして、引っ張り電極105に正のパルス電圧(700V)を印加して、電子によって発光層104を励起発光させた場合の発光スペクトルを測定した。なお、プラズマを発生させるために、放電用電極103には500Vのパルス電圧を印加した。また、プラズマを発生させるガスとして、Neを用いた。
2a (第1の)キャリアガス源
3a (第1の)流量調節弁
4 (第1の)ミスト発生源
4a (第1の)原料溶液
4b (第1の)ミスト
5 (第1の)容器
5a (第1の)水
6 (第1の)超音波振動子
7 成膜室
8 ホットプレート
9 (第1の)供給管
10 基板
12a (第2の)キャリアガス源
13a (第2の)流量調節弁
14 (第2の)ミスト発生源
14a (第2の)原料溶液
14b (第2の)ミスト
15 (第2の)容器
15a (第2の)水
16 (第2の)超音波振動子
19 (第2の)供給管
Claims (11)
- 第1の電極、第2の電極および発光層を少なくとも有しており、前記発光層が深紫外光を発光する深紫外発光素子において、前記発光層が、少なくともガリウムおよびアルミニウムを含有する酸化物を含み、さらに、前記発光層は、第1の層と、第1の層とは異なる材料を主成分とする第2の層とが、少なくとも1層ずつ交互に積層されている量子井戸構造を有することを特徴とする深紫外発光素子。
- 前記酸化物が、コランダム構造を有する請求項1記載の深紫外発光素子。
- 第1の層および第2の層の主成分が、それぞれガリウムを少なくとも含有する酸化物である請求項1または2に記載の深紫外発光素子。
- 第1の層および第2の層の主成分が、それぞれコランダム構造を有する酸化物である請求項1〜3のいずれかに記載の深紫外発光素子。
- 第1の電極が基準電極であり、第2の電極が前記基準電極と対向するように配置された放電用電極と、前記放電用電極を挟んで前記基準電極の反対側に配置された発光層と、前記基準電極および前記放電用電極を収容する空間に充填されたガスと、前記放電用電極に前記基準電極の電位よりも高い電圧が印加された場合に前記ガスによって発生するプラズマから、電子または正イオンを引き出す引き出し手段とを備え、前記引き出し手段によって引き出された電子又は正イオンが前記発光層に衝突することにより、前記発光層が深紫外光を発するように構成されている請求項1〜4のいずれかに記載の深紫外発光素子。
- 前記基準電極を挟んで前記放電用電極の反対側に配置された二次電子放出材料層をさらに備え、前記引き出し手段が電子を引き出した場合に、前記基準電極側に引き出された正イオンが前記二次電子放出材料層に衝突することにより、前記二次電子放出材料層が電子を発生する請求項5記載の深紫外発光素子。
- 前記ガスが、Ne、Xe、He、Ar、H2、D2、N2、XeClおよびArFからなる群から選ばれる少なくとも1種類のガスまたはその混合ガスである請求項5または6に記載の深紫外発光素子。
- 前記引き出し手段が、前記放電用電極と前記発光層との間に配置された引っ張り用電極と、前記発光層を挟んで前記放電用電極の反対側に配置された加速電極とを含む請求項5〜7のいずれかに記載の深紫外発光素子。
- 前記加速電極が、前記深紫外発光素子の外部に露出している請求項8記載の深紫外発光素子。
- 前記放電用電極、前記引っ張り用電極および前記加速電極の順にパルス電圧が順次印加される請求項8または9に記載の深紫外発光素子。
- 前記引っ張り用電極および前記加速電極に印加される各パルス電圧が、その直前のパルス電圧の印加終了から所定の時間経過後に印加が開始される請求項10記載の深紫外発光素子。
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