JP6773841B2 - 荷電ハドロンビームの供給 - Google Patents
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Description
10 ビーム供給システム
11 荷電ハドロン粒子ビーム
13 ビーム走査手段
15 ターゲット位置決めカウチ
16 照射制御部
19 ターゲット
20 ガントリ
25 照射シーケンサ
30 撮像手段
Claims (9)
- ターゲットを支持するためのターゲット位置決めカウチ(15)であって、並進方向(Y’)に沿って移動するように構成される、ターゲット位置決めカウチ(15)と、
第1の走査方向(X)及び第2の走査方向(Y)において前記ターゲットに渡ってハドロンペンシルビームを走査するためのビーム走査手段(13)であって、前記第2の走査方向が前記並進方向(Y’)と実質的に平行であり、前記第2の走査方向(Y)において最大走査振幅AYを設けるように制限される、ビーム走査手段(13)を含むビーム供給システム(10)と、
前記第2の走査方向(Y)において前記最大走査振幅AYよりも大きいターゲットサイズに渡ってターゲットに荷電ハドロン放射線を供給するように、前記並進方向(Y’)に沿って前記カウチを移動することと前記第1の走査方向(X)及び前記第2の走査方向(Y)においてハドロンペンシルビームを走査することとを同時に行い、前記カウチの移動中に、前記第1の走査方向(X)の走査を、前記第1の走査方向において第1の周波数でスイープさせながら、前記第2の走査方向(Y)の走査を、前記カウチの移動とは逆向きに進める態様で同期させるように構成される照射制御部(16)とを含む、
ターゲットに荷電ハドロン放射線を供給するための荷電ハドロン治療システム(100)。 - 前記ビーム供給システムは、
照射されることとなる前記ターゲットの様々な部分の照射のシーケンスを決定するための照射シーケンサ(25)をさらに含み、
前記照射シーケンサは、前記カウチの移動を計算に入れて前記シーケンスを決定する、
請求項1に記載の荷電ハドロン治療システム。 - 前記ビーム供給システムは、
前記第2の走査方向において荷電ハドロン粒子ビームのビーム側方の伝送を制限長さに制限する、前記ビーム走査手段の下流の構成要素を含み、
前記最大走査振幅AYは、前記制限長さよりも小さく制限される、
請求項1又は2に記載の荷電ハドロン治療システム。 - 照射シーケンサは、患者の治療処置計画に応じた前記ターゲットにおけるスポット位置を走査するためのシーケンスを決定するようにプログラムされ、
前記スポット位置は、前記患者の治療処置計画の様々なエネルギーレイヤの一部であり、
前記シーケンスは、前記カウチの移動を引き続き考慮に入れて照射されることとなる前記ターゲットのサブボリュームを規定する、
請求項1〜3のうちのいずれか1つに記載の荷電ハドロン治療システム。 - 前記サブボリュームは、偏菱形状のサブボリュームまたは矩形状のサブボリュームである、
請求項4に記載の荷電ハドロン治療システム。 - 前記ターゲットに渡ってハドロンペンシルビームを走査するための前記ビーム走査手段(13)は、
所定の時間幅の期間中に前記カウチ上で前記ターゲットの並進に同期して荷電ハドロン粒子ビーム(11)の並進を提供するようにプログラムされる、
請求項1〜5のうちのいずれか1つに記載の荷電ハドロン治療システム。 - 前記ビーム供給システム(10)は、前記ターゲットの周りにペンシルビームを回転するように適用されるガントリ(20)をさらに含み、及び/又は
前記ビーム供給システムは、前記ターゲットの少なくとも一部の二次元または三次元の画像を決定するための撮像手段(30)をさらに含む、
請求項1〜6のうちのいずれか1つに記載の荷電ハドロン治療システム。 - 前記ビーム供給システムは、磁気共鳴撮像システムを含み、
前記磁気共鳴撮像システムは、前記ターゲットにおける原子核の磁気モーメントを配列するための磁場を生成するための磁石を含み、
ビーム供給手段は、前記磁石の第1の部分と第2の部分の間のギャップを通して前記ターゲット(19)の方向に荷電ハドロンペンシルビーム(11)を向けるように配置され、
前記ギャップは、ペンシルビームのための伝送の最大領域を決定する、
請求項1〜7のうちのいずれか1つに記載の荷電ハドロン治療システム。 - 荷電ハドロン治療システムを制御するためのコントローラであって、
前記コントローラは、
並進方向(Y’)に沿ってカウチ上でターゲットの並進を制御するようにプログラムされ、
第1の走査方向(X)及び前記並進方向(Y’)に実質的に平行である第2の走査方向(Y)において前記ターゲットに渡るハドロンペンシルビームの走査を制御するようにプログラムされ、
前記コントローラは、最大走査振幅AYにより前記第2の走査方向(Y)におけるハドロンペンシルビームの走査を制御するように適用され、
前記コントローラは、
前記第2の走査方向(Y)において前記最大走査振幅AYよりも大きいターゲットサイズに渡ってターゲットに荷電ハドロン放射線を供給するように、前記並進方向(Y’)に沿って前記カウチを移動することと前記第1の走査方向(X)及び前記第2の走査方向(Y)においてハドロンペンシルビームを走査することとを同時に行い、前記カウチの移動中に、前記第1の走査方向(X)の走査を、前記第1の走査方向において第1の周波数でスイープさせながら、前記第2の走査方向(Y)の走査を、前記カウチの移動とは逆向きに進める態様で同期させるように適用される、
コントローラ。
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