JP6770947B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
図1から図3を参照して、実施の形態1に係る光電変換素子1を説明する。
本実施の形態の光電変換素子1は、第1の面2aと第1の面2aと反対側の第2の面2bとを有する半導体基板2と、第1の非晶質半導体膜6と、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11と、第1の電極15と、複数の第2の電極16とを備える。半導体基板2は、第2の面2bに複数の島状の凹部8を有する。半導体基板2は、単結晶半導体基板である。第1の非晶質半導体膜6は、互いに隣り合う複数の島状の凹部8の間の第2の面2b上に設けられる。第1の非晶質半導体膜6は、第1の導電型を有する。第1の非晶質半導体膜6は、複数の島状の凹部8に対応する複数の開口部7を有する。複数の島状の第2の非晶質半導体膜11は、複数の島状の凹部8のそれぞれの上に設けられる。第2の非晶質半導体膜11は第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する。第1の電極15は、第1の非晶質半導体膜6上に設けられる。複数の第2の電極16は、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11のそれぞれの上に設けられる。そのため、第1の非晶質半導体膜6と複数の島状の第2の非晶質半導体膜11との面積比やパターン形状を自由に変更することができる。例えば、半導体基板2の第2の面2b側から見たときのn型単結晶半導体基板からなる半導体基板2の面積に対するp型の第1の非晶質半導体膜6の面積の割合を大きくすると、光電変換素子1における電流収集を向上させることができる。他方、半導体基板2の第2の面2b側から見たときのn型単結晶半導体基板からなる半導体基板2の面積に対するn型の第2の非晶質半導体膜11の面積の割合を大きくすると、光電変換素子1におけるパッシベーション性を向上させることができる。その結果、本実施の形態の光電変換素子1により、設計の自由度が向上された光電変換素子を提供することができる。
図14を参照して、実施の形態2の光電変換素子1aについて説明する。本実施の形態の光電変換素子1aは、基本的には、図1に示す実施の形態1の光電変換素子1と同様の構成を備え、同様の効果を得ることができるが、本実施の形態の光電変換素子1aは、実施の形態1の光電変換素子1とは、複数の島状の凹部8aの底部の形状において異なる。
本実施の形態の光電変換素子1aでは、複数の島状の凹部8aの底部は、第2の面2bに対して略垂直な断面において、第1の丸い角18を有している。半導体基板2の第1の面2a側から入射する光によって半導体基板2内に生成されるキャリア(電子または正孔)は、半導体基板2の第2の面2b上に形成された複数の島状の第2の非晶質半導体膜11または第1の非晶質半導体膜6へ移動する。複数の島状の凹部8aの底部は、半導体基板2の第2の面2bに対して略垂直な断面において、第1の丸い角18を有している。そのため、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11の特定の部分にこのキャリアが集中してこの特定の部分の温度が上昇することを抑制することができる。複数の島状の第2の非晶質半導体膜11の温度上昇に起因する、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11が劣化すること、または、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11が半導体基板2から剥がれることを抑制することができる。
図15(A)及び図15(B)を参照して、実施の形態3の光電変換素子1bについて説明する。本実施の形態の光電変換素子1bは、基本的には、図1に示す実施の形態1の光電変換素子1と同様の構成を備え、同様の効果を得ることができるが、本実施の形態の光電変換素子1bは、実施の形態1の光電変換素子1とは、複数の島状の凹部8b(図示せず)、複数の島状の第2のi型非晶質半導体膜10b(図示せず)、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11b、複数の島状の第2の電極16bの配置において異なる。特定的には、本実施の形態の光電変換素子1bでは、半導体基板2の第2の面2b側から見たときに、複数の島状の凹部8b、第1の非晶質半導体膜6の複数の開口部7b、複数の島状の第2のi型非晶質半導体膜10b、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11b及び複数の島状の第2の電極16bが、千鳥状に配置されている。
図16(A)及び図16(B)を参照して、実施の形態4の光電変換素子1cについて説明する。本実施の形態の光電変換素子1cは、基本的には、図1に示す実施の形態1の光電変換素子1と同様の構成を備え、同様の効果を得ることができるが、本実施の形態の光電変換素子1cは、実施の形態1の光電変換素子1とは、複数の島状の凹部8c(図示せず)、複数の島状の第2のi型非晶質半導体膜10c(図示せず)、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11c及び複数の島状の第2の電極16cの形状において異なる。
図17(A)及び図17(B)を参照して、実施の形態5の光電変換素子1dについて説明する。本実施の形態の光電変換素子1dは、基本的には、図1に示す実施の形態1の光電変換素子1と同様の構成を備え、同様の効果を得ることができるが、本実施の形態の光電変換素子1dは、実施の形態1の光電変換素子1とは、複数の島状の凹部8d(図示せず)、複数の島状の第2のi型非晶質半導体膜10d(図示せず)、複数の島状の第2の非晶質半導体膜11d及び複数の島状の第2の電極16dの形状において異なる。
次に、図18から図20を参照して、実施の形態6の光電変換素子1eについて説明する。本実施の形態の光電変換素子1eは、基本的には、図1に示す実施の形態1の光電変換素子1と同様の効果を得ることができるが、以下の点で異なる。
本実施の形態の光電変換素子1eでは、複数の島状の凹部8eの底面及び側面に、p型の第2の非晶質半導体膜11eが設けられる。そのため、n型単結晶半導体基板である半導体基板2とp型の第2の非晶質半導体膜11eとの接合面積を増加させることができ、光電変換素子1eにおいてpn接合またはpin接合の接合面積を増加させることができる。その結果、光電変換素子1eによれば、光エネルギーを電気エネルギーに変換する効率を向上させることができる。
(1)ここで開示された実施形態は、第1の面と第1の面と反対側の第2の面とを有する半導体基板と、第1の非晶質半導体膜と、複数の島状の第2の非晶質半導体膜と、第1の電極と、複数の第2の電極とを備える光電変換素子である。半導体基板は、第2の面に複数の島状の凹部を有する。半導体基板は、単結晶半導体基板である。第1の非晶質半導体膜は、互いに隣り合う複数の島状の凹部の間の第2の面上に設けられる。第1の非晶質半導体膜は、第1の導電型を有する。第1の非晶質半導体膜は、複数の島状の凹部に対応する複数の開口部を有する。複数の島状の第2の非晶質半導体膜は、複数の島状の凹部のそれぞれの上に設けられる。第2の非晶質半導体膜は第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する。第1の電極は、第1の非晶質半導体膜上に設けられる。複数の第2の電極は、複数の島状の第2の非晶質半導体膜のそれぞれの上に設けられる。ここで開示された実施形態の光電変換素子によれば、第1の非晶質半導体膜と複数の島状の第2の非晶質半導体膜との面積比やパターン形状を自由に変更することができ、設計の自由度が向上された光電変換素子を提供することができる。
Claims (6)
- 第1の面と前記第1の面と反対側の第2の面とを有する半導体基板を備え、前記半導体基板は前記第2の面に複数の島状の凹部を有し、前記半導体基板は単結晶半導体基板であり、さらに、
互いに隣り合う前記複数の島状の凹部の間の前記第2の面上に設けられた第1の非晶質半導体膜を備え、前記第1の非晶質半導体膜は第1の導電型を有し、前記第1の非晶質半導体膜は、前記複数の島状の凹部に対応する複数の開口部を有し、さらに、
前記複数の島状の凹部は、側面部および底面部を含み、
前記複数の島状の凹部のそれぞれの上に設けられた複数の島状の第2の非晶質半導体膜を備え、前記第2の非晶質半導体膜は前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有し、
前記側面部および底面部において、前記半導体基板と前記第2の非晶質半導体膜との間に挟まれるように設けられた複数の島状i型非晶質半導体膜を有し、
前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜は、前記複数の島状i型非晶質半導体膜を介して前記側面部および前記底面部に接するように設けられ、前記半導体基板からキャリアを収集可能とし、
さらに、
前記第1の非晶質半導体膜上に設けられた第1の電極と、
前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜のそれぞれの上に設けられた複数の第2の電極とを備え、
前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜の端部、および、前記複数の島状i型非晶質半導体膜の端部は、前記複数の開口部に隣接する前記第1の非晶質半導体膜の端部と重なるように覆う覆い端部を有し、
前記半導体基板の断面方向から見た場合、前記第2の電極は、前記複数の島状の凹部の中に埋まるように、かつ、前記覆い端部上にも設けられ、T字型の形状を有する、光電変換素子。 - 前記複数の島状の凹部の底部は、前記第2の面に対して略垂直な断面において、第1の丸い角を有する、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記半導体基板の前記第2の面側から見たときに、前記複数の島状の凹部及び前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜は、格子状または千鳥状に配置される、請求項1または請求項2に記載の光電変換素子。
- 前記半導体基板の前記第2の面側から見たときに、前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜のそれぞれと前記第1の非晶質半導体膜の前記複数の開口部のそれぞれとの少なくとも1つは、円形、多角形または第2の丸い角を有する多角形の形状を有する、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記半導体基板の前記第2の面側から見たときの、前記第1の非晶質半導体膜によるキャリアの収集に寄与しない領域の最長距離、または、互いに隣り合う前記複数の島状の第2の非晶質半導体膜の間において前記第2の非晶質半導体膜によるキャリアの収集に寄与しない領域の最長距離は、前記半導体基板の前記第1の面側から入射する光によって前記半導体基板内に生成される少数キャリアの前記半導体基板内における拡散長以下である、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光電変換素子。
- 前記半導体基板と前記第1の非晶質半導体膜との間に第1のi型非晶質半導体膜をさらに備える、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の光電変換素子。
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