JP6757460B2 - 構造体および構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
より具体的には、通常、コレステリック液晶相を固定してなる層の表面の法線方向から光が入射した際には、右円偏光および左円偏光のいずれか一方が選択的に反射される。その際、反射が法線方向のみならず、斜め方向へもなされると、斜め方向からの視認性の向上に繋がる。つまり、反射層は、入射光が様々な方向に反射する特性(いわゆる、拡散反射性)に優れることが求められる。
本発明者らは、特許文献1に記載のラビング処理を施していない配向膜を用いて反射層を作製し、その拡散反射性について検討を行ったところ、拡散反射性が昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であった。
すなわち、下記構成により、上記課題が解決できることを見出した。
反射層は、構造体の断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状構造を有し、
隣接する反射層同士で、最も近い明部の波状構造の凹凸が一致している、構造体。
[2] 複数の反射層のうちの少なくとも1層の選択反射波長が、他の反射層の選択反射波長と異なる、[1]に記載の構造体。
[3] 他の反射層と選択反射波長が異なる反射層は、他の反射層と選択反射波長が10nm以上異なる、[2]に記載の構造体。
[4] 3層以上の反射層を有し、少なくとも1層の反射層は赤色光を反射し、少なくとも1層の反射層は緑色光を反射し、少なくとも1層の反射層は青色光を反射する、[1]〜[3]のいずれかに記載の構造体。
[5] 構造体の断面における反射層の波状構造は、隣接する反射層に最も近い明部の波状構造のピッチが0.5〜5μmである、[1]〜[4]のいずれかに記載の構造体。
[6] 反射層の厚さが0.5〜30μmである、[1]〜[5]のいずれかに記載の構造体。
[7] 反射層の選択反射波長が200〜2000nmである、[1]〜[6]のいずれかに記載の構造体。
液晶化合物およびキラル剤を含む上層組成物を塗布して、液晶化合物を配向してコレステリック液晶相の状態として、上層反射層を形成する工程、を有し、
第1反射層を形成する工程を行った後、第1反射層の上に上層反射層を形成する工程を行い、あるいはさらに、形成した上層反射層の上に、上層反射層を形成する工程を、1回以上行う、構造体の製造方法。
[9] 第1反射層を形成する工程は、液晶化合物およびキラル剤を含む第1層組成物を基板上に塗布し、塗布した第1層組成物を加熱することで、液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする処理を行い、その後、第1層組成物を、冷却または加熱する処理、を行う、[8]に記載の構造体の製造方法。
[10] 第1反射層を形成する工程において、第1層組成物の冷却または加熱と同時に、あるいは、第1層組成物を冷却または加熱した後、第1層組成物を硬化する処理を行う、[9]に記載の構造体の製造方法。
[11] 上層反射層を形成する工程では、少なくとも1層の上層反射層の形成の際に、上層組成物を塗布した後、上層組成物を加熱することによって液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とし、その後、上層組成物を冷却する、[8]〜[10]のいずれかに記載の構造体の製造方法。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「(メタ)アクリレート」とは、アクリレートおよびメタクリレートの両方を表す表記であり、「(メタ)アクリロイル基」とは、アクリロイル基およびメタクリロイル基の両方を表す表記であり、「(メタ)アクリル」とは、アクリルおよびメタクリルの両方を表す表記である。
本明細書において、可視光は、電磁波のうち、ヒトの目で見える波長の光であり、400nm超700nm未満の波長域の光を示す。非可視光は、400nm以下の波長域または700nm以上の波長域の光である。また、これに限定されるものではないが、可視光のうち、420〜490nmの波長域の光は青色光であり、495〜570nmの波長域の光は緑色光であり、620〜750nmの波長域の光は赤色光である。
図1は、例えば、コレステリック液晶相を固定してなる層の断面を、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)で観察した状態を概念的に示す図である。この点に関しては、後述する図2および図3も同様である。
図1に示される反射部材10は、基板12と、基板12の一方の表面に形成された、構造体14とを有する。構造体14は、本発明の構造体であって、基板12の上に形成される第1反射層16と、第1反射層16に積層される上層反射層18とを有する。
すなわち、第1反射層16の断面では、コレステリック液晶相に由来して、厚さ方向に、明部20と暗部24とを交互に積層した縞模様が観察される。他方、上層反射層18の断面では、コレステリック液晶相に由来して、厚さ方向に、明部28と暗部30とを交互に積層した縞模様が観察される。
以下の説明では、第1反射層16と上層反射層18とを区別する必要がない場合には、両者をまとめて『反射層』とも言う。
すなわち、本発明において、反射層は、コレステリック液晶構造を有し、螺旋軸と反射層の表面とのなす角が周期的に変化する構造を有する層である。言い換えれば、反射層は、コレステリック液晶構造を有し、コレステリック液晶構造は走査型電子顕微鏡にて観測される反射層の断面図において明部と暗部との縞模様を与え、暗部がなす線の法線と反射層の表面となす角が周期的に変化する、反射層である。
先にも述べたが、図2に示すように、基板12上に配置されたコレステリック液晶相を固定してなる層32の断面では、通常、明部Bと暗部Dとの縞模様が観察される。すなわち、コレステリック液晶相を固定してなる層の断面では、明部Bと暗部Dとを交互に積層した層状構造が観察される。
図2中の1つの明部Bとその1つの明部Bの上下に配置される2つの暗部Dとで、コレステリック液晶相の螺旋1ピッチ分に相当する。
一般的に、明部Bおよび暗部Dの縞模様(層状構造)は、図2に示すように、基板12の表面と平行となるように形成される。このような態様の場合、層32は、鏡面反射性を示す。すなわち、コレステリック液晶相を固定してなる層32の法線方向から光が入射される場合、法線方向に光は反射されるが、斜め方向には光は反射されにくく、拡散反射性に劣る(図2中の矢印参照)。
つまり、コレステリック液晶相を固定してなる層において、明部Bと暗部Dとが波状構造を有することにより、拡散反射性の高い反射層が実現できる。
ここで、本発明の構造体は、隣接する反射層において、最も近い明部の波状構造の凹凸が一致している。図1に示す構造体14においては、隣接する第1反射層16と上層反射層18とにおいて、最も近い明部である第1反射層16の明部20aの波状構造と、上層反射層18の明部28aの波状構造とで、波状構造の凹凸が一致している。
すなわち、本発明の構造体は、コレステリック液晶相を固定してなる反射層を積層した構造体において、隣接する反射層では、上層の反射層の波状構造が、下層の反射層の波状構造を追従(踏襲)している。図示例の構造体14では、上層反射層18の明部28および暗部30の波状構造が、隣接する下層の第1反射層16の明部および暗部の波状構造を追従している。
すなわち、図1に示す構造体14であれば、第1反射層16と上層反射層18との界面12aを含まない、最も近接する明部であり、具体的には、界面12aを含まないで最も近接する、第1反射層16の明部20aと上層反射層18の明部28aとが、隣接する反射層において、最も近い明部となる。
従って、本発明において、最も近い明部である明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が一致しているとは、波状構造における凹凸の位相および周期が完全に一致している場合のみならず、図1に示すように、明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が略一致している場合も含む。
一例として、本発明においては、『[(p1−p2)/p1]×100』で算出される明部20aのピッチp1と明部28aのピッチp2との差が±15%以下、および、明部20と明部28aとの位相差tが20°以下の、いずれかを満たす場合、好ましくは両者を満たす場合に、明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が一致しているとみなす(図4参照)。なお、図4に示すように、ピッチp1およびピッチp2は、波状構造の凹凸における凸部の頂点の間隔である。
なお、上記明部20aのピッチp1と明部28aのピッチp2とを比較する場合、明部20aの一の凸部の頂部と、この一の凸部に隣接する他の凸部の頂部との間隔(ピッチp1)、および、明部20aの上記一の凸部の直上の明部28aの凸部の頂部と、明部20aの上記他の凸部の直上の明部28aの凸部の頂部との間隔(ピッチp2)を、比較する(図4参照)。
そのため、本発明の構造体によれば、例えば、厚い反射層を形成する際に、複数回、反射層を積層して、目的とする厚さの反射層を形成することで、厚さ方向の全域に渡って、明部および暗部が好適な波状構造を有する反射層を形成できる。また、選択反射波長(反射する色)が異なる反射層を積層する場合でも、全ての反射層を明部および暗部が好適な波状構造を有する構成にできるので、全ての色の光を好適に拡散反射して、例えば、斜めから観察した場合でも適正な画像観察が可能な投映像表示用のスクリーンが得られる。
例えば、第1反射層16の明部および暗部の波状構造に示されるように、波の高さが、反射層の厚さ方向の中央領域が最も高く、厚さ方向の上方(表面側)および基板12側に向かうにしたがって、漸次、低くなる構成でもよい。すなわち、反射層断面の波状構造の振幅は、厚さ方向の中央領域が最も大きく、表面側および基板12側に向かうにしたがって、漸次、小さくなる構成でもよい。
あるいは、図3に示す層34の波状構造のように、厚さ方向の全域で均一な高さの波を有する構造であってもよい。
反射層の上面が凹凸構造を有する場合には、一般的に、この凹凸構造は、周期的(略周期的)であり、また、凹凸の位相が、断面の明部および暗部の波状構造と逆になる。すなわち、断面の波状構造の凸の部分が上面における凹部となり、断面の波状構造の凹の部分が上面における凸部になる。
このような上面に凹凸構造を有する反射層は、後述する本発明の製造方法において、キラル剤および/または配向制御剤の選択、ならびに、加熱処理または冷却処理の条件の選択の、少なくとも一方を行うことにより、形成できる。
そのため、表面に凹凸を有する反射層は、より高い拡散反射性が得られる。
ただし、本発明は、これに限定はされず、反射層は、断面において、連続的な波が一方向にのみ進行するように形成される波状構造を有するものでもよい。しかしながら、拡散反射性の点では、反射層は、前述のように、あらゆる方向の断面で明部と暗部の波状構造が認められるのが好ましい。
この点に関しては、反射層の上面の凹凸に関しても、同様である。
反射層が好適な拡散反射性を発現するためには、波状構造のピッチを小さくして、波の高さすなわち波状構造の凹凸の高さを高くするのが好ましい。しかしながら、波状構造のピッチと凹凸の高さとは、通常、トレードオフの関係にある。これに対して、反射層の波状構造のピッチを上記範囲とすることにより、ピッチおよび高さのバランスが好適な波状構造を形成でき、高い拡散反射性を有する構造体14を形成できる。
構造体14において、第1反射層16および上層反射層18を構成するコレステリック液晶相の選択反射波長(選択反射の中心波長)には、特に制限は無い。
本発明の構造体は、紫外光から赤外光まで、必要な光を選択的に反射できるのが好ましく、反射層のコレステリック液晶相の選択反射波長は、200〜2000nmの範囲から選択されるのが好ましい。以下の説明では、『反射層のコレステリック液晶相の選択反射波長』を、単に『反射層の選択反射波長』とも言う。
これにより、構造体14は、色が異なる複数種の光を反射でき、例えば、本発明の構造体を投映像表示用のスクリーンに利用することにより、カラー画像を表示可能な投映像表示用のスクリーンを作製できる。
2層以上の上層反射層を有する場合には、少なくとも1層を、選択反射波長が赤色光の領域であるコレステリック液晶相を固定してなる、赤色光を反射する反射層とし、他の少なくとも1層を、選択反射波長が緑色光の領域であるコレステリック液晶相を固定してなる、緑色光を反射する反射層とし、さらに他の少なくとも1層を、選択反射波長が青色光の領域であるコレステリック液晶相を固定してなる、青色光を反射する反射層とするのが好ましい。これにより、例えば、本発明の構造体を投映像表示用のスクリーンに利用することにより、フルカラー画像を表示可能な投映像表示用のスクリーンを作製できる。
ここで、反射層が有する選択反射の中心波長λは、反射層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。上記式から分かるように、螺旋構造のピッチを調節することによって、選択反射の中心波長を調節できる。すなわち、n値とP値を調節して、例えば、青色光に対して右円偏光および左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させるために、中心波長λを調節し、見かけ上の選択反射の中心波長が420〜490nmの波長域となるようにすることができる。なお、見かけ上の選択反射の中心波長とは、実用の際の観察方向から測定した反射層の円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。実用の際とは、例えば、投映像表示用部材としての使用時である。
コレステリック液晶相のピッチは液晶化合物とともに用いるキラル剤の種類、またはその添加濃度に依存するため、これらを調節することによって所望のピッチを得ることができる。
本発明の構造体14において、第1反射層16および上層反射層18は、右円偏光を反射するものでも、左円偏光を反射するものでもよい。また、第1反射層16および上層反射層18は、同じ方向の円偏光を反射するものでも、異なる方向の円偏光を反射するものでもよい。この点に関しては、3層以上の反射層を有する構造体でも、同様である。
なお、コレステリック液晶相の旋回の方向は、反射層を形成する液晶化合物の種類または添加されるキラル剤の種類によって調節できる。
第1反射層16および上層反射層18の厚さも、同様に、構造体14の用途、構造体14の反射層を形成する液晶化合物の種類、構造体の反射層の層数等に応じて、適宜、設定すればよい。反射層の厚さは、反射層の拡散反射性がより優れる点で、0.5〜30μmが好ましく、1〜10μmがより好ましい。
構造体14、第1反射層16および上層反射層18の厚さは、レーザ膜厚顕微鏡(レーザ顕微鏡を用いた膜厚測定)等を用いる、公知の方法で測定すればよい。
反射部材10において、基板12は、構造体14(反射層を形成する組成物)を支持するための板状物である。
基板12は、透明基板であるのが好ましい。なお、透明基板とは、可視光の透過率が60%以上である基板を意図し、その透過率は80%以上が好ましく、90%以上がより好ましい。
基板には、UV(紫外線)吸収剤、マット剤微粒子、可塑剤、劣化防止剤、および、剥離剤などの各種添加剤が含まれていてもよい。
なお、基板は、可視光領域で低複屈折性であることが好ましい。例えば、基板の波長550nmにおける位相差は50nm以下が好ましく、20nm以下がより好ましい。
上記厚さは平均厚さを意図し、基板の任意の5点の厚さを測定し、それらを算術平均したものである。
第1反射層16および上層反射層18は、共に、コレステリック液晶相を固定してなる反射層である。このような反射層は、一例として、液晶化合物およびキラル剤を含む組成物(第1層組成物および上層組成物)を調製して、この組成物を塗布および乾燥し、必要に応じて組成物を硬化して、コレステリック液晶相を固定することで、形成できる。
液晶化合物の種類は、特に制限されない。
一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ(棒状液晶化合物)と円盤状タイプ(ディスコティック液晶化合物、円盤状液晶化合物)とに分類できる。さらに、棒状タイプおよび円盤状タイプには、それぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が100以上のものを指す(高分子物理・相転移ダイナミクス,土井 正男 著,2頁,岩波書店,1992)。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできる。また、2種以上の液晶化合物を併用してもよい。
なかでも、反射層の拡散反射性がより優れる点で、Aで表される置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基の数をmで割った数をmcとしたとき、mc>0.1を満たす液晶化合物が好ましく、0.4≦mc≦0.8を満たす液晶化合物であるのがより好ましい。
なお、上記mcは、以下の計算式で表される数である。
mc=(Aで表される置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基の数)÷m
Aは、置換基を有していてもよいフェニレン基または置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基を示し、Aのうち少なくとも1つは置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基を示し、
Lは、単結合、または、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)2OC(=O)−、−C(=O)O(CH2)2−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−CH=N−N=CH−、−CH=CH−、−C≡C−、−NHC(=O)−、−C(=O)NH−、−CH=N−、−N=CH−、−CH=CH−C(=O)O−、および、−OC(=O)−CH=CH−からなる群から選択される連結基を示し、
mは3〜12の整数を示し、
Sp1およびSp2は、それぞれ独立に、単結合、または、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において1つまたは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、または、−C(=O)O−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Q1およびQ2は、それぞれ独立に、水素原子、または、以下の式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、ただしQ1およびQ2のいずれか一方は重合性基を示す;
なお、Aのうち少なくとも1つは置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基である。
m個のAは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Q3およびQ4はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つもしくは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、もしくは、−C(=O)O−で置換された基、または式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示す。
L11は単結合、−C(=O)O−、または、−O(C=O)−を示し、
L12は−C(=O)O−、−OC(=O)−、または、−CONR2−を示し、
R2は、水素原子、または、炭素数1から3のアルキル基を示し、
Z11およびZ12はそれぞれ独立に、単結合、−O−、−NH−、−N(CH3)−、−S−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、または、−C(=O)NR12−を示し、
R12は水素原子または−Sp12−Q12を示し、
Sp11およびSp12はそれぞれ独立に、単結合、Q11で置換されていてもよい炭素数1から12の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、または、Q11で置換されていてもよい炭素数1から12の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において、いずれか1つ以上の−CH2−を−O−、−S−、−NH−、−N(Q11)−、または、−C(=O)−に置き換えて得られる連結基を示し、
Q11は水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つまたは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、もしくは−C(=O)O−で置換された基、または、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、
Q12は水素原子または式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、
l11は0〜2の整数を示し、
m11は1または2の整数を示し、
n11は1〜3の整数を示し、
複数のR11、複数のL11、複数のL12、複数のl11、複数のZ11、複数のSp11、および、複数のQ11はそれぞれ互いに同じでも異なっていてもよい。
また、式(I−11)で表される液晶化合物は、R11として、Q12が式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基である−Z12−Sp12−Q12を少なくとも1つ含む。
また、式(I−11)で表される液晶化合物は、Z11が−C(=O)O−または−C(=O)NR12−、および、Q11が式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基である−Z11−Sp11−Q11であるのが好ましい。また、式(I−11)で表される液晶化合物は、R11として、Z12が−C(=O)O−または−C(=O)NR12−、および、Q12が式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基である−Z12−Sp12−Q12であるのが好ましい。
式(I−11)で表される液晶化合物の好適態様としては、L11が単結合、l11が1(ジシクロヘキシル基)、かつ、Q11が式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基である化合物が挙げられる。
式(I−11)で表される液晶化合物の他の好適態様としては、m11が2、l11が0、かつ、2つのR11がいずれも−Z12−Sp12−Q12を表し、Q12が式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択される重合性基である化合物が挙げられる。
上記置換基はいずれもそれぞれ独立に、−CO−X21−Sp23−Q23、アルキル基、およびアルコキシ基からなる群から選択される1から4個の置換基であり、
m21は1または2の整数を示し、n21は0または1の整数を示し、
m21が2を示すときn21は0を示し、
m21が2を示すとき2つのZ21は同一であっても異なっていてもよく、
Z21およびZ22の少なくともいずれか一つは置換基を有していてもよいフェニレン基であり、
L21、L22、L23およびL24はそれぞれ独立に、単結合、または、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)2OC(=O)−、−C(=O)O(CH2)2−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−CH=CH−C(=O)O−、および−OC(=O)−CH=CH−からなる群から選択される連結基を示し、
X21は−O−、−S−、もしくは−N(Sp25−Q25)−を示すか、または、Q23およびSp23と共に環構造を形成する窒素原子を示し、
r21は1から4の整数を示し、
Sp21、Sp22、Sp23、およびSp25はそれぞれ独立に、単結合、または、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において1つまたは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、または−C(=O)O−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Q21およびQ22はそれぞれ独立に、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、
Q23は水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つもしくは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、もしくは−C(=O)O−で置換された基、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基、または、X21がQ23およびSp23と共に環構造を形成する窒素原子である場合において単結合を示し、
Q25は、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つもしくは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、もしくは−C(=O)O−で置換された基、または、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、Sp25が単結合のとき、Q25は水素原子ではない。
n31およびn32はそれぞれ独立に、0〜4の整数を示し、
X31は単結合、−O−、−S−、もしくは−N(Sp34−Q34)−を示すか、または、Q33およびSp33と共に環構造を形成している窒素原子を示し、
Z31は、置換基を有していてもよいフェニレン基を示し、
Z32は、置換基を有していてもよいトランス−1,4−シクロヘキシレン基、または、置換基を有していてもよいフェニレン基を示し、
上記置換基はいずれもそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、および、−C(=O)−X31−Sp33−Q33からなる群から選択される1から4個の置換基であり、
m31は1または2の整数を示し、m32は0〜2の整数を示し、
m31およびm32が2を示すとき2つのZ31、Z32は同一であっても異なっていてもよく、
L31およびL32はそれぞれ独立に、単結合、または、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)2OC(=O)−、−C(=O)O(CH2)2−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−CH=CH−C(=O)O−、および−OC(=O)−CH=CH−からなる群から選択される連結基を示し、
Sp31、Sp32、Sp33およびSp34はそれぞれ独立に、単結合、または、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数1から20の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において1つまたは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、または−C(=O)O−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Q31およびQ32はそれぞれ独立に、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、
Q33およびQ34はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つもしくは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−、もしくは−C(=O)O−で置換された基、または、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、Q33はX31およびSp33と共に環構造を形成している場合において、単結合を示してもよく、Sp34が単結合のとき、Q34は水素原子ではない。
式(I−31)で表される液晶化合物として、特に好ましい化合物としては、Z32がフェニレン基である化合物およびm32が0である化合物が挙げられる。
Q3およびQ4はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において1つもしくは2つ以上の−CH2−が−O−、−S−、−NH−、−N(CH3)−、−C(=O)−、−OC(=O)−もしくは−C(=O)O−で置換された基、または、式(Q−1)〜式(Q−5)で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示す。
L1、L2およびL3は単結合、または、−CH2O−、−OCH2−、−(CH2)2OC(=O)−、−C(=O)O(CH2)2−、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−OC(=O)O−、−CH=CH−C(=O)O−、および、−OC(=O)−CH=CH−からなる群から選択される連結基を示し、
n1およびn2はそれぞれ独立に、0から9の整数を示し、かつn1+n2は9以下である。
Q1、Q2、Sp1、および、Sp2の定義は、上記式(I)中の各基の定義と同義である。X3、Sp3、Q3、R1、および、R2の定義は、上記式(II)中の各基の定義と同義である。
なかでも、上記式(I)で表される液晶化合物であって、0.4≦mc≦0.8を満たす液晶化合物と共に、式(I)で表される液晶化合物であって、0.1<mc<0.3を満たす液晶化合物を用いるのが好ましい。
Z1は、−C(=O)−、−O−C(=O)−または単結合を表し;
Z2は、−C(=O)−または−C(=O)−CH=CH−を表し;
R1は、水素原子またはメチル基を表し;
R2は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、置換基を有していても良いフェニル基、ビニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アセトキシ基、N−アセチルアミド基、アクリロイルアミノ基、N,N−ジメチルアミノ基またはマレイミド基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、アリルオキシカルバモイル基、アルキル基の炭素数が1〜4であるN−アルキルオキシカルバモイル基、N−(2−メタクリロイルオキシエチル)カルバモイルオキシ基、N−(2−アクリロイルオキシエチル)カルバモイルオキシ基または以下の式(IV−2)で表される構造を表し;
L1、L2、L3およびL4は各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜4のアシル基、ハロゲン原子または水素原子を表し、L1、L2、L3およびL4のうち少なくとも1つは水素原子以外の基を表す。
式(IV−2)中、Pはアクリル基、メタクリル基または水素原子を表し、Z5は単結合、−C(=O)O−、−OC(=O)−、−C(=O)NR1−(R1は水素原子またはメチル基を表す)、−NR1C(=O)−、−C(=O)S−、または、−SC(=O)−を表し、Tは1,4−フェニレンを表し、Spは置換基を有していてもよい炭素数1〜12の2価の脂肪族基を表し、該脂肪族基中の1つのCH2または隣接していない2以上のCH2は、−O−、−S−、−OC(=O)−、−C(=O)O−または−OCOO−で置換されていてもよい。)を表す。
式(V)
R11は水素原子またはメチル基を表し;
Z12は、−C(=O)−または−C(=O)−CH=CH−を表し;
R12は、水素原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または以下の式(IV−3)で表される構造を表す。
−Z51−T−Sp−P 式(IV−3)
式(IV−3)中、Pはアクリル基またはメタクリル基を表し;
Z51は、−C(=O)O−、または、−OC(=O)−を表し;Tは1,4−フェニレンを表し;
Spは置換基を有していてもよい炭素数2〜6の2価の脂肪族基を表す。この脂肪族基中の1つのCH2または隣接していない2以上のCH2は、−O−、−OC(=O)−、−C(=O)O−または−OC(=O)O−で置換されていてもよい。
上記Z12は、−C(=O)−または−C(=O)−CH=CH−を表し、−C(=O)−を表すことが好ましい。
上記R12は、水素原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または上記式(IV−3)で表される基を表し、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または上記式(IV−3)で表される基を表すことがより好ましく、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または上記式(IV−3)で表される構造を表すことがさらに好ましい。
Z4は、−C(=O)−または−C(=O)−CH=CH−を表し;
R3およびR4は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、置換基を有していても良い芳香環、シクロヘキシル基、ビニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アセトキシ基、アクリロイルアミノ基、N,N−ジメチルアミノ基、マレイミド基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、アリルオキシカルバモイル基、アルキル基の炭素数が1〜4であるN−アルキルオキシカルバモイル基、N−(2−メタクリロイルオキシエチル)カルバモイルオキシ基、N−(2−アクリロイルオキシエチル)カルバモイルオキシ基または以下の式(VI−2)で表される構造を表し;
L5、L6、L7およびL8は各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜4のアシル基、ハロゲン原子または水素原子を表し、L5、L6、L7およびL8のうち少なくとも1つは水素原子以外の基を表す。
式(VI−2)中、Pはアクリル基、メタクリル基または水素原子を表し、Z5は−C(=O)O−、−OC(=O)−、−C(=O)NR1−(R1は水素原子またはメチル基を表す)、−NR1C(=O)−、−C(=O)S−、または−SC(=O)−を表し、Tは1,4−フェニレンを表し、Spは置換基を有していてもよい炭素数1〜12の2価の脂肪族基を表す。ただし、この脂肪族基中の1つのCH2または隣接していない2以上のCH2は、−O−、−S−、−OC(=O)−、−C(=O)O−または−OC(=O)O−で置換されていてもよい。
式(VII)
Z14は、−C(=O)−または−CH=CH−C(=O)−を表し;
R13およびR14は各々独立して、水素原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または上記式(IV−3)で表される構造を表す。
R13およびR14は各々独立して、水素原子、炭素数1〜4の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基または上記式(IV−3)で表される構造を表し、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、もしくは上記式(IV−3)で表される構造を表すことが好ましく、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基または上記式(IV−3)で表される構造を表すことがさらに好ましい。
Z5は、−C(=O)−、−OC(=O)−または単結合を表し;
Z6は、−C(=O)−、−C(=O)O−または単結合を表し;
R5およびR6は各々独立して、水素原子またはメチル基を表し;
L9、L10、L11およびL12は各々独立して、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、炭素数2〜5のアルコキシカルボニル基、炭素数2〜4のアシル基、ハロゲン原子または水素原子を表し、L9、L10、L11およびL12のうち少なくとも1つは水素原子以外の基を表す。
式(IX)
R15およびR16は各々独立して、水素原子またはメチル基を表す。
式(IX)中、R15およびR16は各々独立して、水素原子またはメチル基を表し、上記R15およびR16が水素原子を表すことが好ましい。
組成物は、キラル剤を含む。
キラル剤の種類は、特に制限されない。キラル剤は液晶性であっても、非液晶性であってもよい。キラル剤は、公知の種々のキラル剤(例えば、液晶デバイスハンドブック、第3章4−3項、TN(Twisted Nematic)、STN(Super Twisted Nematic)用カイラル剤、199頁、日本学術振興会第142委員会編、1989に記載)から選択することができる。キラル剤は、一般に不斉炭素原子を含む。ただし、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物または面性不斉化合物を、キラル剤として用いることもできる。軸性不斉化合物または面性不斉化合物の例には、ビナフチル、ヘリセン、パラシクロファンおよびこれらの誘導体が含まれる。キラル剤は、重合性基を有していてもよい。
このような強い捩れ力を示すキラル剤としては、例えば、特開2002−302487号公報、特開2002−80478号公報、特開2002−80851号公報、特開2002―179668号公報、特開2002―179670号公報、特開2002−338575号公報、特開2002−180051号公報、特開昭62―81354号公報、WO2002/006195号、特開2011−241215号公報、特開2003−287623号公報、特開2002−302487号公報、特開2002−80478号公報、特開2002−80851号公報、および、特開2014−034581号公報に記載のキラル剤、ならびに、BASF社製のLC−756などが挙げられる。
組成物には、液晶化合物およびキラル剤以外の他の成分が含まれていてもよい。
組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。特に、液晶化合物が重合性基を有する場合、組成物が重合開始剤を含むことが好ましい。
重合開始剤としては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物(米国特許第2367661号、同2367670号の各明細書記載)、アシロインエーテル(米国特許第2448828号明細書記載)、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物(米国特許第2722512号明細書記載)、多核キノン化合物(米国特許第3046127号、同2951758号の各明細書記載)、トリアリールイミダゾールダイマーとp−アミノフェニルケトンとの組み合わせ(米国特許第3549367号明細書記載)、アクリジンおよびフェナジン化合物(特開昭60−105667号公報、米国特許第4239850号明細書記載)およびオキサジアゾール化合物(米国特許第4212970号明細書記載)などが挙げられる。
組成物中での重合開始剤の含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、0.1〜20質量%が好ましく、1〜8質量%がより好ましい。
組成物は、配向制御剤を含んでいてもよい。組成物に配向制御剤が含まれることにより、安定的または迅速なコレステリック液晶相の形成が可能となる。
配向制御剤としては、例えば、含フッ素(メタ)アクリレート系ポリマー、WO2011/162291号に記載の一般式(X1)〜(X3)で表される化合物、特開2012−211306号公報の段落[0007]〜[0029]に記載の化合物、特開2013−47204号公報の段落[0020]〜[0031]に記載の化合物、WO2016/009648号の段落[0165]〜[0170]に記載の化合物、WO2016/092844号の段落[0077]〜[0081]、および、特許第4592225号公報に記載の一般式(Cy201)〜(Cy211)等が挙げられる。これらから選択される2種以上を含有していてもよい。これらの化合物は、層の空気界面において、液晶化合物の分子のチルト角を低減または実質的に水平配向させることができる。なお、本明細書で「水平配向」とは、液晶分子長軸と膜面が平行であることをいうが、厳密に平行であることを要求するものではなく、本明細書では、水平面とのなす傾斜角が20°未満の配向を意味するものとする。
配向制御剤は、1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
組成物中での配向制御剤の含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、0.01〜10質量%が好ましく、0.01〜5質量%がより好ましく、0.01〜1質量%がさらに好ましい。
組成物は、溶媒を含んでいてもよい。
溶媒としては、水または有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、N,N−ジメチルホルムアミドなどのアミド類;ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類;ピリジンなどのヘテロ環化合物;ベンゼン、ヘキサンなどの炭化水素;クロロホルム、ジクロロメタンなどのアルキルハライド類;酢酸メチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエステル類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類;テトラヒドロフラン、1,2−ジメトキシエタンなどのエーテル類;1,4−ブタンジオールジアセテート;などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
組成物は、1種または2種以上の、酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、安定剤、可塑剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、消泡剤、レべリング剤、増粘剤、難燃剤、界面活性物質、分散剤、ならびに、染料および顔料などの色材、などの他の添加剤を含んでいてもよい。
塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法などが挙げられる。
なお、必要に応じて、塗布後に、基板12に塗布した第1層組成物を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗布した組成物から溶媒を除去できる。
第1層組成物の液晶相転移温度は、製造適性の面から10〜250℃の範囲内が好ましく、10〜150℃の範囲内がより好ましい。
好ましい加熱条件としては、40〜100℃(好ましくは、60〜100℃)で0.5〜5分間(好ましくは、0.5〜2分間)にわたって組成物を加熱することが好ましい。
塗布層の冷却処理および加熱処理を施すことにより、キラル剤の螺旋誘起力が上昇して、液晶化合物の捩れが増して、結果として、コレステリック液晶相の配向(螺旋軸の傾き)が変化して、これにより、基板12に平行な明部20および暗部24が変化して、図1(図3)に示すような波状構造(凹凸構造)の明部20および暗部24を有する第1反射層16(コレステリック液晶相状態の組成物の層)が形成される。
なお、上記冷却処理は、言い換えると、冷却前のコレステリック液晶相の状態の組成物の温度をT℃とする場合、T−30℃以下となるように、組成物を冷却することを意図する。
上記冷却の方法は特に制限されず、組成物が配置された基板を所定の温度の雰囲気中に静置する方法が挙げられる。
具体的には、冷却処理における冷却速度は、その最大値が毎秒1℃以上であるのが好ましく、毎秒2℃以上であるのがより好ましい。
なお、コレステリック液晶相を「固定化した」状態は、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常0〜50℃、より過酷な条件下では−30〜70℃の温度範囲において、層に流動性が無く、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を意味するものとする。本発明では、後述するように、紫外線照射によって進行する硬化反応により、コレステリック液晶相の配向状態を固定することが好ましい。
なお、コレステリック液晶相を固定してなる層においては、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、最終的に層中の組成物がもはや液晶性を示す必要はない。
紫外線照射には、紫外線ランプなどの光源が利用される。
紫外線の照射エネルギー量は特に制限されないが、一般的には、0.1〜0.8J/cm2程度が好ましい。また、紫外線を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度および生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。
これにより、第1反射層16と上層反射層18とにおいて、最も近い明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が一致した、波状構造が第1反射層16に追従する上層反射層18を形成できる。
次いで、上層組成物を第1反射層16の上(表面)に塗布する。塗布方法は、第1層組成物と同様の方法が利用される。
次いで、必要に応じて上層組成物を乾燥した後、第1反射層16上に形成された組成物層中の液晶化合物を配向させて、コレステリック液晶相の状態として、上層反射層18を形成する。なお、液晶化合物が重合性基を有する場合には、さらに、第1反射層16と同様に、組成物の硬化処理を行ってもよい。
すなわち、第1反射層16上に形成された組成物層中の液晶化合物の配向を、上層組成物を加熱することによって行い、液晶化合物を配向した後に、上層組成物の冷却処理および加熱処理を行う。
これにより、上層反射層18の波状構造の凹凸を大きくして、拡散反射性が優れる上層反射層18を形成できる。
また、構造体14は、光学素子の構成要素である、偏光素子、反射膜、反射防止膜、視野角補償膜、ホログラフィー、および、配向膜など、種々の用途に利用できる。
すなわち、前述のような反射層の機能により、投射光のうち選択反射を示す波長において、いずれか一方のセンスの円偏光を反射させて、投映像を形成することができる。投映像は投映像表示用部材表面で表示され、そのように視認されるものであってもよく、観察者から見て投映像表示用部材の先に浮かび上がって見える虚像であってもよい。
下記の表1に示す成分を混合して、液晶組成物(塗布液)1〜5を調製した。なお、各成分の量は、全て、質量部である。
基板12として、ラビング処理を施したPET(poly-ethylene terephthalate)基板(東洋紡社製)を用意した。
基板12のラビング処理面に、第1層組成物として、液晶組成物1を室温にてワイヤーバーを用いて塗布した。液晶組成物の塗布層を室温にて50秒間乾燥させた後、95℃の雰囲気で1分間加熱して液晶化合物を配向させた。
その後、塗布層に対して30℃でフュージョン製Dバルブ(ランプ90mW/cm2)を用いて、出力80%で8秒間UV(紫外線)を照射し、基板12上に第1反射層16を形成した。上記手順においては、95℃で液晶化合物を配向させた後、30℃まで液晶組成物を冷却した。形成した第1反射層16の一部を剥離し、形状測定レーザマイクロスコープVK−X200(キーエンス社製)にて10倍の対物レンズを用いて、第1反射層16の膜厚を測定した。その結果、第1反射層16の膜厚は、3.4μmであった、
形成した第1反射層16の上に、上層組成物として、液晶組成物2を室温にてワイヤーバーを用いて塗布した。液晶組成物の塗布層を室温にて50秒間乾燥させた後、95℃の雰囲気で1分間加熱して液晶化合物を配向させた。
その後、塗布層に対して30℃でフュージョン製Dバルブ(ランプ90mW/cm2)を用いて、出力80%で8秒間UV(紫外線)を照射し、第1反射層16の上に、上層反射層18を形成して、基板12の上に構造体14を形成した。上記手順においては、95℃で液晶化合物を配向させた後、30℃まで液晶組成物を冷却した。第1反射層16と同様に形成した上層反射層18の膜厚を測定した結果、上層反射層18の膜厚は3.4μmであった。
使用する液晶組成物、および、液晶組成物の塗布量を変更した以外は、実施例1と同様にして、構造体14を形成した。
なお、比較例1および2では、反射層は1層のみ、形成した。
実施例1〜4、および、比較例1〜4で作製した構造体14について、以下の評価を行った。
構造体14をウルトラミクロトームによって断面切削し、適切な前処理を行い、日立ハイテクノロジーズ社製のSU8030型SEMを用いて測定した。測定結果を解析して、第1反射層16および上層反射層18の最も近い明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が一致しているか否かを検出した。
なお、第1反射層16と上層反射層18との界面が明確では無い場合には、各反射層の膜厚から、両反射層の界面を判断して、波状構造の凹凸の一致を検出した。
また、SEM像から、反射層の断面における明部と暗部との波状構造を確認した。その結果、実施例1〜4では、第1反射層16および上層反射層18の両者で、明確な波状構造が確認された。
比較例1も、反射層の断面には、明確な波状構造が確認された。なお、実施例4の上層反射層18と比較例1の反射層とは、全く同様に形成したものであるが、比較例1の反射層に比して、実施例4の上層反射層18の方が、大きな波状構造を有していた。
比較例2および比較例3は、いずれの反射層の断面にも明確な波状構造は確認されなかった(凹凸無し)。比較例4は、第1反射層16の断面では明確な波状構造は確認されなかったが(凹凸無し)、上層反射層18の断面には同様の明確な波状構造が確認された。
図5に、実施例3の構造体の断面のSEM写真を示す。
絶対反射率測定システム付きの分光光度計V−670(日本分光社製)に、上層反射層18を光源側に向けてセットし、0°入射45°検出の条件で、45°における反射性能の高さを評価した。45°における反射性能は、横軸が波長、縦軸が反射率のグラフを作成し、基板に由来する反射率を除去した上で、反射層(コレステリック液晶相)の選択反射波長に相当する500〜600nmの領域における反射ピークの面積を算出し、この面積の大きさを、45°における反射量として評価した。
以上の結果を下記の表2に示す。
ここで、本発明の構造体である実施例1〜4は、第1反射層16および上層反射層18が、共に明部および暗部の周期的な波状構造を有し、かつ、第1反射層16および上層反射層18の最も近い明部20aおよび明部28aの波状構造の凹凸が一致すなわち上層反射層18の波状構造が第1反射層16の波状構造に追従しているため、上層反射層18に由来して、高い拡散反射性を得られている。
また、比較例2に示されるように、液晶組成物4は、明部および暗部の波状構造を形成しないが、実施例3に示されるように、波状構造を形成する液晶組成物1を第1反射層16として、その上に液晶組成物4からなる上層反射層18を形成することで、液晶組成物4からなる上層反射層18も波状構造を形成し、良好な拡散反射性が得られる。
これに対し、比較例3に示されるように、波状構造を形成しない液晶組成物は、2層を積層しても、拡散反射性を得ることはできない。また、比較例4に示されるように、上層反射層18を波状構造を形成する液晶組成物2で形成することで、ある程度の拡散反射性が得られるが、第1反射層16が波状構造を有さないために、本発明の構造体に比して拡散反射性は低い。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
12 基板
14 構造体
16 第1反射層
18 上層反射層
20,28,B 明部
20a,28a 最も近い明部
24.30,D 暗部
32,34 層
p1.p2 ピッチ
t 位相差
Claims (13)
- コレステリック液晶相を固定化してなる反射層を、複数、積層した構造体であって、
前記反射層は、前記構造体の断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状構造を有し、
隣接する前記反射層同士で、最も近い前記明部の波状構造の凹凸が一致しており、前記構造体の一方の側の前記反射層の表面が凹凸構造を有し、前記表面の凹凸構造の凹凸の位相が、前記断面の波状構造の凹凸の位相と逆である、構造体。 - 複数の前記反射層のうちの少なくとも1層の選択反射波長が、他の前記反射層の選択反射波長と異なる、請求項1に記載の構造体。
- 前記他の反射層と前記選択反射波長が異なる反射層は、前記他の反射層と前記選択反射波長が10nm以上異なる、請求項2に記載の構造体。
- 3層以上の前記反射層を有し、少なくとも1層の前記反射層は赤色光を反射し、少なくとも1層の前記反射層は緑色光を反射し、少なくとも1層の前記反射層は青色光を反射する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記構造体の断面における前記反射層の波状構造は、隣接する前記反射層に最も近い前記明部の波状構造のピッチが0.5〜5μmである、請求項1〜4のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記反射層の厚さが0.5〜30μmである、請求項1〜5のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記反射層の選択反射波長が200〜2000nmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の構造体。
- 隣接する前記反射層同士で、最も近い前記明部の波状構造の凹凸は、前記隣接する反射層同士のうち、一方の反射層の明部の凸部の頂点の間隔をピッチp1、他方の反射層の明部の凸部の頂点の間隔をピッチp2として、『[(p1−p2)/p1]×100』で算出される前記ピッチp1と前記ピッチp2との差が±15%以下、および、前記一方の反射層の明部の凸部の頂点と前記他方の反射層の明部の凸部の頂点との位相差tが20°以下の、いずれかを満たす、請求項1〜7のいずれか1項に記載の構造体。
- 前記波状構造の波の高さは、前記反射層の厚さ方向の中央領域が最も高く、前記厚さ方向の一方の側および他方の側に向かうにしたがって、漸次、低くなる、請求項1〜8のいずれか1項に記載の構造体。
- コレステリック液晶相を固定化してなる層であって、断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状構造を有する、第1反射層を形成する工程、および、
液晶化合物およびキラル剤を含む上層組成物を塗布して、前記液晶化合物を配向してコレステリック液晶相の状態として、上層反射層を形成する工程、を有し、
前記第1反射層を形成する工程を行った後、前記第1反射層の上に前記上層反射層を形成する工程を行い、あるいはさらに、形成した前記上層反射層の上に、前記上層反射層を形成する工程を、1回以上行って、前記第1の反射層および前記上層反射層を含む複数の反射層を積層した構造体を形成し、前記構造体の一方の側の前記反射層の表面が凹凸構造を有し、前記表面の凹凸構造の凹凸の位相が、前記断面の波状構造の凹凸の位相と逆である、構造体の製造方法。 - 前記第1反射層を形成する工程は、
液晶化合物およびキラル剤を含む第1層組成物を基板上に塗布し、塗布した前記第1層組成物を加熱することで、前記液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする処理を行い、その後、前記第1層組成物を、冷却または加熱する処理、を行う、請求項10に記載の構造体の製造方法。 - 前記第1反射層を形成する工程において、前記第1層組成物の冷却または加熱と同時に、あるいは、前記第1層組成物を冷却または加熱した後、前記第1層組成物を硬化する処理を行う、請求項11に記載の構造体の製造方法。
- 前記上層反射層を形成する工程では、少なくとも1層の前記上層反射層の形成の際に、前記上層組成物を塗布した後、前記上層組成物を加熱することによって前記液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とし、その後、前記上層組成物を冷却する、請求項10〜12のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
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