JP6616885B2 - 反射層の製造方法および反射層 - Google Patents

Description

本発明は、反射層の製造方法および反射層に関する。

コレステリック液晶相を固定してなる層は、特定の波長域において右円偏光および左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させる性質を有する層として知られている。そのため、種々の用途へ展開されており、例えば、位相差層として用いられている（特許文献１）。なお、特許文献１においては、配向膜の配向規制力の方向をランダムな状態とし、この配向膜と接触する液晶化合物のダイレクターの方向をランダムにしている。

特開２００５−４９８６６号公報

一方で、コレステリック液晶相を固定してなる層を投影スクリーンなどの投映像表示用部材へ応用する点からは、視野角の拡大が求められる。
より具体的には、通常、コレステリック液晶相を固定してなる層の表面の法線方向から光が入射した際には、右円偏光および左円偏光のいずれか一方が選択的に反射される。その際、反射が法線方向のみならず、斜め方向へもなされると、斜め方向からの視認性の向上に繋がる。つまり、反射層は、入射光が様々な方向に反射する特性（いわゆる、拡散反射性）に優れることが求められる。
本発明者らは、特許文献１に記載のラビング処理を施していない配向膜を用いて反射層を作製し、その拡散反射性について検討を行ったところ、拡散反射性が昨今の要求レベルを満たしておらず、更なる改良が必要であった。

本発明は、上記実情を鑑みて、優れた拡散反射性を有する反射層の製造方法、および、優れた拡散反射性を有する反射層を提供することを課題とする。

本発明者は、上記課題に対して鋭意検討を行ったところ、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ：Helical Twisting Power）を所定量上昇させる処理を実施することにより、所望の特性を有する反射層を製造できることを知見した。
すなわち、下記構成により、上記課題が解決できることを見出した。

［１］ 液晶化合物およびキラル剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布された組成物を加熱して液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする工程１と、
コレステリック液晶相の状態の組成物に含まれるキラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱して、反射層を形成する工程２と、を有する反射層の製造方法。
［２］ 工程２において、キラル剤の螺旋誘起力が１０％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱する、［１］に記載の反射層の製造方法。
［３］ 工程１で形成した塗布層の断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部を、基板と平行ではない状態に変化させるように、工程２において組成物を冷却または加熱する、［１］または［２］に記載の反射層の製造方法。
［４］ 工程１で形成した塗布層の断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状になるように、工程２において組成物を冷却または加熱する、［３］に記載の反射層の製造方法。
［５］ 液晶化合物が、重合性基を有する液晶化合物であり、工程２の際に、組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定化してなる反射層を形成する、または、工程２の後に、組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定化してなる反射層を形成する工程３をさらに有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［６］ 工程２におけるコレステリック液晶相の固定化、または、工程３におけるコレステリック液晶相の固定化は、組成物を冷却または加熱した後の構造を固定化するものである、［５］に記載の反射層の製造方法。
［７］ 工程２におけるコレステリック液晶相の固定化、または、工程３におけるコレステリック液晶相の固定化を、光照射による重合反応で行う、［５］または［６］に記載の反射層の製造方法。
［８］ 光照射による重合反応がラジカル重合反応である、［７］に記載の反射層の製造方法。
［９］ 工程２において、キラル剤の螺旋誘起力が１２％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱する、［１］〜［８］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１０］ 工程２において、組成物の温度が３０℃以上下がるように、組成物を冷却する、［１］〜［９］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１１］ 基板上に塗布された組成物の膜厚が０．１〜２０μｍである、［１］〜［１０］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１２］ 工程２において、キラル剤の螺旋誘起力が２０以上となるように、組成物を冷却または加熱する、［１］〜［１１］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１３］ 組成物を構成する化合物の１以上が複数の重合性基を有し、組成物における、複数の重合性基を有する化合物の総含有量が、組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上である、［１］〜［１２］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１４］ 液晶化合物およびキラル剤を含む組成物が、さらに、配向制御剤を含む、［１］〜［１３］のいずれかに記載の反射層の製造方法。
［１５］ 工程２において、最大値が毎秒１℃以上となる冷却速度で組成物を冷却する、［１］〜［１４］のいずれかに記載の反射層の製造方法。

［１６］ コレステリック液晶相を固定化してなる反射層であって、
反射層の断面において、コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状であり、
かつ、表面に、反射層の断面の明部および暗部の波と位相が異なる、周期的な凹凸を有する、反射層。
［１７］ 表面の凹凸が、コレステリック液晶相の配向の変化によって形成されたものである、［１６］に記載の反射層。
［１８］ 表面の凹凸のピッチが０．５〜１０μｍである、［１６］または［１７］に記載の反射層。
［１９］ 表面の凹凸の高さが１〜５００ｎｍである、［１６］〜［１８］のいずれかに記載の反射層。

本発明によれば、優れた拡散反射性を有する反射層の製造方法、および、優れた拡散反射性を有する反射層を提供することができる。

一般的なコレステリック液晶相状態の層の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）で観察した際の模式図である。 本発明の製造方法で製造した反射層の断面をＳＥＭで観察した際の模式図である。 本発明の反射層の断面をＳＥＭで観察した際の模式図である。 反射層１の偏光顕微鏡画像である。 反射層１の断面ＳＥＭ観察図である。 拡散反射性評価で用いられる装置の概略図である。 反射層１３の形状測定レーザマイクロスコープの表面解析結果である。 反射層１５の断面ＳＥＭ観察図である。

以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
また、本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレートおよびメタクリレートの両方を表す表記であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、アクリロイル基およびメタクリロイル基の両方を表す表記であり、「（メタ）アクリル」とは、アクリルおよびメタクリルの両方を表す表記である。

本発明の反射層の製造方法においては、コレステリック液晶相の状態の組成物に対して、キラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、冷却処理または加熱処理を施すことにより、拡散反射性に優れる反射層を形成できる。
これは、詳細には明らかではないが、本発明者らは以下のように推測している。
まず、図１に、一般的なコレステリック液晶相状態の組成物の層を基板上に配置した際の断面模式図を示す。図１に示すように、基板１０上に配置されたコレステリック液晶相状態の組成物の層１２ａの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察すると、通常、明部１４と暗部１６との縞模様が観察される。すなわち、コレステリック液晶相状態の組成物の層の断面では、明部１４と暗部１６とを交互に積層した層状構造が観察される。
図１中の１つの明部１４とその１つの明部１４の上下に配置される２つの暗部１６とで、螺旋１ピッチ分に相当する。
一般的に、図１に示すように、明部１４および暗部１６の縞模様（層状構造）は基板１０の表面と平行となるように形成される。このような態様の場合、コレステリック液晶相状態の組成物の層１２ａの法線方向から光が入射される場合、法線方向に光は反射されるが、斜め方向には光は反射されにくく、拡散反射性に劣る（図１中の矢印参照）。
それに対して、本発明の製造方法によれば、コレステリック液晶相の状態の組成物に対して、キラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、冷却処理または加熱処理を施すことにより、液晶化合物の捩れがより強くなり、コレステリック液晶相中の層が傾くように変化する。より具体的には、図１に示すコレステリック液晶相状態の組成物の層１２ａに対して、所定の処理を施すことにより、図２に示すように、明部１４および暗部１６が波状構造（アンジュレーション構造）をとる層１２ｂが得られる。このような波状構造（凹凸構造）を有する層１２ｂに対して、波状構造を有する層１２ｂの法線方向から光が入射されると、図２に示すように、液晶化合物の螺旋軸が傾いている領域があるため、入射光の一部が斜め方向に反射される（図２中の矢印参照）。つまり、本発明の製造方法によって、拡散反射性に優れる反射層が得られる。

本発明の反射層の製造方法は、以下の工程１および２を少なくとも有する。
工程１：液晶化合物およびキラル剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布された組成物を加熱して液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする工程
工程２：コレステリック液晶相の状態の組成物に含まれるキラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱して、反射層を形成する工程
以下、各工程で使用される材料、および、各工程の手順について詳述する。

＜工程１＞
工程１は、液晶化合物およびキラル剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布された組成物を加熱して液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする工程である。
以下では、まず、本工程で使用される基板および組成物について詳述し、その後、工程の手順について詳述する。

（基板）
基板は、後述する組成物の層を支持する板である。なかでも、透明基板であることが好ましい。なお、透明基板とは、可視光の透過率が６０％以上である基板を意図し、その透過率は８０％以上が好ましく、９０％以上がより好ましい。
基板を構成する材料は特に制限されず、例えば、セルロース系ポリマー、ポリカーボネート系ポリマー、ポリエステル系ポリマー、（メタ）アクリル系ポリマー、スチレン系ポリマー、ポリオレフィン系ポリマー、塩化ビニル系ポリマー、アミド系ポリマー、イミド系ポリマー、スルホン系ポリマー、ポリエーテルスルホン系ポリマー、および、ポリエーテルエーテルケトン系ポリマーなどが挙げられる。
基板には、ＵＶ（紫外線）吸収剤、マット剤微粒子、可塑剤、劣化防止剤、および、剥離剤などの各種添加剤が含まれていてもよい。
なお、基板は、可視光領域で低複屈折性であることが好ましい。例えば、基板の波長５５０ｎｍにおける位相差は５０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましい。

基板の厚さは特に制限されないが、薄型化、および、取り扱い性の点から、１０〜２００μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましい。
上記厚さは平均厚さを意図し、基板の任意の５点の厚さを測定し、それらを算術平均したものである。この厚さの測定方法に関しては、後述する反射層（コレステリック液晶相状態の組成物の層１２ａ）の厚さも同様である。

（液晶化合物）
液晶化合物の種類は、特に制限されない。
一般的に、液晶化合物はその形状から、棒状タイプ（棒状液晶化合物）と円盤状タイプ（ディスコティック液晶化合物、円盤状液晶化合物）とに分類できる。さらに、棒状タイプおよび円盤状タイプには、それぞれ低分子タイプと高分子タイプとがある。高分子とは一般に重合度が１００以上のものを指す（高分子物理・相転移ダイナミクス，土井 正男 著，２頁，岩波書店，１９９２）。本発明では、いずれの液晶化合物を用いることもできる。また、２種以上の液晶化合物を併用してもよい。

液晶化合物は、重合性基を有していてもよい。重合性基の種類は特に制限されず、付加重合反応が可能な官能基が好ましく、重合性エチレン性不飽和基または環重合性基がより好ましい。より具体的には、重合性基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基、エポキシ基、または、オキセタン基が好ましく、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。

液晶化合物としては、反射層の拡散反射性がより優れる点で、以下の式（Ｉ）で表される液晶化合物が好ましい。
なかでも、反射層の拡散反射性がより優れる点で、Ａで表される置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基の数をｍで割った数をｍｃとしたとき、ｍｃ＞０．１を満たす液晶化合物が好ましく、０．４≦ｍｃ≦０．８を満たす液晶化合物であるのがより好ましい。
なお、上記ｍｃは、以下の計算式で表される数である。
ｍｃ＝（Ａで表される置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基の数）÷ｍ

式中、
Ａは、置換基を有していてもよいフェニレン基または置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基を示し、Ａのうち少なくとも１つは置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基を示し、
Ｌは、単結合、または、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＮＨＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および、−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示し、
ｍは３〜１２の整数を示し、
Ｓｐ¹およびＳｐ²は、それぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Ｑ¹およびＱ²は、それぞれ独立に、水素原子、または、以下の式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、ただしＱ¹およびＱ²のいずれか一方は重合性基を示す；

Ａは、置換基を有していてもよいフェニレン基、または、置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基である。本明細書において、フェニレン基というとき、１，４−フェニレン基であるのが好ましい。
なお、Ａのうち少なくとも１つは置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基である。
ｍ個のＡは、互いに同一でも異なっていてもよい。

ｍは３〜１２の整数を示し、３〜９の整数であるのが好ましく、３〜７の整数であるのがより好ましく、３〜５の整数であるのがさらに好ましい。

式（Ｉ）中の、フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基が有していてもよい置換基としては、特に制限されず、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルエーテル基、アミド基、アミノ基、およびハロゲン原子、ならびに、上記の置換基を２つ以上組み合わせて構成される基からなる群から選択される置換基が挙げられる。また、置換基の例としては、後述の−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³−Ｓｐ³−Ｑ³で表される置換基が挙げられる。フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基は、置換基を１〜４個有していてもよい。２個以上の置換基を有するとき、２個以上の置換基は互いに同一であっても異なっていてもよい。

本明細書において、アルキル基は直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は１〜３０が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜６がさらに好ましい。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、１，１−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、および、ドデシル基などが挙げられる。アルコキシ基中のアルキル基の説明も、上記アルキル基に関する説明と同じである。また、本明細書において、アルキレン基というときのアルキレン基の具体例としては、上記のアルキル基の例それぞれにおいて、任意の水素原子を１つ除いて得られる２価の基が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、および、ヨウ素原子が挙げられる。

本明細書において、シクロアルキル基の炭素数は、３以上が好ましく、５以上がより好ましく、また、２０以下が好ましく、１０以下がより好ましく、８以下がさらに好ましく、６以下が特に好ましい。シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、および、シクロオクチル基などが挙げられる。

フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、および、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³−Ｓｐ³−Ｑ³からなる群から選択される置換基が好ましい。ここで、Ｘ³は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、もしくは−Ｎ（Ｓｐ⁴−Ｑ⁴）−を示すか、または、Ｑ³およびＳｐ³と共に環構造を形成している窒素原子を示す。Ｓｐ³およびＳｐ⁴は、それぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示す。
Ｑ³およびＱ⁴はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つもしくは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、または式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示す。

シクロアルキル基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基として、具体的には、テトラヒドロフラニル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペリジル基、ピペラジニル基、および、モルホルニル基などが挙げられる。これらのうち、テトラヒドロフラニル基が好ましく、２−テトラヒドロフラニル基がより好ましい。

式（Ｉ）において、Ｌは、単結合、または、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および、−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示す。Ｌは、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−ＯＣ（＝Ｏ）−であるのが好ましい。ｍ個のＬは互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｓｐ¹およびＳｐ²は、それぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示す。Ｓｐ¹およびＳｐ²はそれぞれ独立に、両末端にそれぞれ−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、および、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−からなる群から選択される連結基が結合した炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｏ−、および、炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基からなる群から選択される基を１または２以上組み合わせて構成される連結基であるのが好ましく、両末端に−Ｏ−がそれぞれ結合した炭素数１から１０の直鎖のアルキレン基であるのがより好ましい。

Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に、水素原子、または、以下の式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基を示す。ただし、Ｑ¹およびＱ²のいずれか一方は重合性基を示す。

重合性基としては、アクリロイル基（式（Ｑ−１））またはメタクリロイル基（式（Ｑ−２））が好ましい。

上記液晶化合物の具体例としては、以下の式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物、式（Ｉ−２１）で表される液晶化合物、式（Ｉ−３１）で表される液晶化合物が挙げられる。上記以外にも、特開２０１３−１１２６３１号公報の式（Ｉ）で表される化合物、特開２０１０−７０５４３号公報の式（Ｉ）で表される化合物、特開２００８−２９１２１８号公報の式（Ｉ）で表される化合物、特許第４７２５５１６号の式（Ｉ）で表される化合物、特開２０１３−０８７１０９号公報の一般式（II）で表される化合物、特開２００７−１７６９２７号公報の段落［００４３］記載の化合物、特開２００９−２８６８８５号公報の式（１−１）で表される化合物、ＷＯ２０１４／１０３２５号の一般式（Ｉ）で表される化合物、特開２０１６−８１０３５号公報の式（１）で表される化合物、ならびに、特開２０１６−１２１３３９号公報の式（２−１）および式（２−２）で表される化合物、などに記載の公知の化合物が挙げられる。

式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物

式中、Ｒ¹¹は水素原子、炭素数１から１２の直鎖もしくは分岐のアルキル基、または、−Ｚ¹²−Ｓｐ¹²−Ｑ¹²を示し、
Ｌ¹¹は単結合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または、−Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−を示し、
Ｌ¹²は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または、−ＣＯＮＲ²−を示し、
Ｒ²は、水素原子、または、炭素数１から３のアルキル基を示し、
Ｚ¹¹およびＺ¹²はそれぞれ独立に、単結合、−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、または、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹²−を示し、
Ｒ¹²は水素原子または−Ｓｐ¹²−Ｑ¹²を示し、
Ｓｐ¹¹およびＳｐ¹²はそれぞれ独立に、単結合、Ｑ¹¹で置換されていてもよい炭素数１から１２の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、または、Ｑ¹¹で置換されていてもよい炭素数１から１２の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において、いずれか１つ以上の−ＣＨ₂−を−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｑ¹¹）−、または、−Ｃ（＝Ｏ）−に置き換えて得られる連結基を示し、
Ｑ¹¹は水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、または、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、
Ｑ¹²は水素原子または式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基を示し、
ｌ¹¹は０〜２の整数を示し、
ｍ¹¹は１または２の整数を示し、
ｎ¹¹は１〜３の整数を示し、
複数のＲ¹¹、複数のＬ¹¹、複数のＬ¹²、複数のｌ¹¹、複数のＺ¹¹、複数のＳｐ¹¹、および、複数のＱ¹¹はそれぞれ互いに同じでも異なっていてもよい。
また、式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物は、Ｒ¹¹として、Ｑ¹²が式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基である−Ｚ¹²−Ｓｐ¹²−Ｑ¹²を少なくとも１つ含む。
また、式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物は、Ｚ¹¹が−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹²−、および、Ｑ¹¹が式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基である−Ｚ¹¹−Ｓｐ¹¹−Ｑ¹¹であるのが好ましい。また、式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物は、Ｒ¹¹として、Ｚ¹²が−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹²−、および、Ｑ¹²が式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基である−Ｚ¹²−Ｓｐ¹²−Ｑ¹²であるのが好ましい。

式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物に含まれる１，４−シクロヘキシレン基はいずれもトランス−１，４−シクロヘキレン基である。
式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物の好適態様としては、Ｌ¹¹が単結合、ｌ¹¹が１（ジシクロヘキシル基）、かつ、Ｑ¹¹が式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基である化合物が挙げられる。
式（Ｉ−１１）で表される液晶化合物の他の好適態様としては、ｍ¹¹が２、ｌ¹¹が０、かつ、２つのＲ¹¹がいずれも−Ｚ¹²−Ｓｐ¹²−Ｑ¹²を表し、Ｑ¹²が式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択される重合性基である化合物が挙げられる。

式（Ｉ−２１）で表される液晶化合物

式中、Ｚ²¹およびＺ²²は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または、置換基を有していてもよいフェニレン基を示し、
上記置換基はいずれもそれぞれ独立に、−ＣＯ−Ｘ²¹−Ｓｐ²³−Ｑ²³、アルキル基、およびアルコキシ基からなる群から選択される１から４個の置換基であり、
ｍ２１は１または２の整数を示し、ｎ２１は０または１の整数を示し、
ｍ２１が２を示すときｎ２１は０を示し、
ｍ２１が２を示すとき２つのＺ²¹は同一であっても異なっていてもよく、
Ｚ²¹およびＺ²²の少なくともいずれか一つは置換基を有していてもよいフェニレン基であり、
Ｌ²¹、Ｌ²²、Ｌ²³およびＬ²⁴はそれぞれ独立に、単結合、または、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示し、
Ｘ²¹は−Ｏ−、−Ｓ−、もしくは−Ｎ（Ｓｐ²⁵−Ｑ²⁵）−を示すか、または、Ｑ²³およびＳｐ²³と共に環構造を形成する窒素原子を示し、
ｒ²¹は１から４の整数を示し、
Ｓｐ²¹、Ｓｐ²²、Ｓｐ²³、およびＳｐ²⁵はそれぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Ｑ²¹およびＱ²²はそれぞれ独立に、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、
Ｑ²³は水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つもしくは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基、または、Ｘ²¹がＱ²³およびＳｐ²³と共に環構造を形成する窒素原子である場合において単結合を示し、
Ｑ²⁵は、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つもしくは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、または、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、Ｓｐ²⁵が単結合のとき、Ｑ²⁵は水素原子ではない。

式（Ｉ−２１）で表される液晶化合物は、１，４−フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基が交互に存在する構造であることも好ましく、例えば、ｍ２１が２であり、ｎ２１が０であり、かつ、Ｚ²¹がＱ²¹側からそれぞれ置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、置換基を有していてもよいアリーレン基であるか、または、ｍ２１が１であり、ｎ２１が１であり、Ｚ²¹が置換基を有していてもよいアリーレン基であり、かつ、Ｚ²²が置換基を有していてもよいアリーレン基である構造が好ましい。

式（Ｉ−３１）で表される液晶化合物；

式中、Ｒ³¹およびＲ³²はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、および、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³¹−Ｓｐ³³−Ｑ³³からなる群から選択される基であり、
ｎ３１およびｎ３２はそれぞれ独立に、０〜４の整数を示し、
Ｘ³¹は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、もしくは−Ｎ（Ｓｐ³⁴−Ｑ³⁴）−を示すか、または、Ｑ³³およびＳｐ³³と共に環構造を形成している窒素原子を示し、
Ｚ³¹は、置換基を有していてもよいフェニレン基を示し、
Ｚ³²は、置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または、置換基を有していてもよいフェニレン基を示し、
上記置換基はいずれもそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、および、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³¹−Ｓｐ³³−Ｑ³³からなる群から選択される１から４個の置換基であり、
ｍ３１は１または２の整数を示し、ｍ３２は０〜２の整数を示し、
ｍ３１およびｍ３２が２を示すとき２つのＺ³¹、Ｚ³²は同一であっても異なっていてもよく、
Ｌ³¹およびＬ³²はそれぞれ独立に、単結合、または、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示し、
Ｓｐ³¹、Ｓｐ³²、Ｓｐ³³およびＳｐ³⁴はそれぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示し、
Ｑ³¹およびＱ³²はそれぞれ独立に、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、
Ｑ³³およびＱ³⁴はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つもしくは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、または、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示し、Ｑ³³はＸ³¹およびＳｐ³³と共に環構造を形成している場合において、単結合を示してもよく、Ｓｐ³⁴が単結合のとき、Ｑ³⁴は水素原子ではない。
式（Ｉ−３１）で表される液晶化合物として、特に好ましい化合物としては、Ｚ³²がフェニレン基である化合物およびｍ３２が０である化合物が挙げられる。

式（Ｉ）で表される化合物は、以下の式（II）で表される部分構造を有することも好ましい。
式（ＩＩ）において、黒丸は、式（Ｉ）の他の部分との結合位置を示す。式（II）で表される部分構造は式（Ｉ）中の下記式（III）で表される部分構造の一部として含まれていればよい。

式中、Ｒ¹およびＲ²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、および、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³−Ｓｐ³−Ｑ³で表される基からなる群から選択される基である。ここで、Ｘ³は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、もしくは−Ｎ（Ｓｐ⁴−Ｑ⁴）−を示すか、または、Ｑ³およびＳｐ³と共に環構造を形成している窒素原子を示す。Ｘ³は単結合または−Ｏ−であることが好ましい。Ｒ¹およびＲ²は、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³−Ｓｐ³−Ｑ³であることが好ましい。また、Ｒ¹およびＲ²は、互いに同一であることが好ましい。Ｒ¹およびＲ²のそれぞれのフェニレン基への結合位置は特に制限されない。

Ｓｐ³およびＳｐ⁴はそれぞれ独立に、単結合、または、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基、および、炭素数１から２０の直鎖もしくは分岐のアルキレン基において１つまたは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、または−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基からなる群から選択される連結基を示す。Ｓｐ³およびＳｐ⁴としては、それぞれ独立に、炭素数１から１０の直鎖または分岐のアルキレン基が好ましく、炭素数１から５の直鎖のアルキレン基がより好ましく、炭素数１から３の直鎖のアルキレン基がさらに好ましい。
Ｑ³およびＱ⁴はそれぞれ独立に、水素原子、シクロアルキル基、シクロアルキル基において１つもしくは２つ以上の−ＣＨ₂−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ₃）−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−もしくは−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−で置換された基、または、式（Ｑ−１）〜式（Ｑ−５）で表される基からなる群から選択されるいずれかの重合性基を示す。

式（Ｉ）で表される化合物は、例えば、以下式（II−２）で表される構造を有することも好ましい。

式中、Ａ¹およびＡ²はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニレン基または置換基を有していてもよいトランス−１，４−シクロヘキレン基を示し、上記置換基はいずれもそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、および、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｘ³−Ｓｐ³−Ｑ³からなる群から選択される１から４個の置換基であり、
Ｌ¹、Ｌ²およびＬ³は単結合、または、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、および、−ＯＣ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−からなる群から選択される連結基を示し、
ｎ１およびｎ２はそれぞれ独立に、０から９の整数を示し、かつｎ１＋ｎ２は９以下である。
Ｑ¹、Ｑ²、Ｓｐ¹、および、Ｓｐ²の定義は、上記式（Ｉ）中の各基の定義と同義である。Ｘ³、Ｓｐ³、Ｑ³、Ｒ¹、および、Ｒ²の定義は、上記式（II）中の各基の定義と同義である。

式（Ｉ）で表される液晶化合物であって、０．４≦ｍｃ≦０．８を満たす液晶化合物としては、以下が例示される。

なお、液晶化合物は２種以上併用して用いてもよい。例えば、式（Ｉ）で表される液晶化合物を２種以上併用してもよい。
なかでも、上記式（Ｉ）で表される液晶化合物であって、０．４≦ｍｃ≦０．８を満たす液晶化合物と共に、式（Ｉ）で表される液晶化合物であって、０．１＜ｍｃ＜０．３を満たす液晶化合物を用いるのが好ましい。

式（Ｉ）で表される液晶化合物であって、０．１＜ｍｃ＜０．３を満たす液晶化合物としては、以下が例示される。

本発明に用いる液晶化合物としては、特開２０１４−１９８８１４号公報に記載される、以下の式（ＩＶ）で表される化合物、特に、式（ＩＶ）で表される１つの（メタ）アクリレート基を有する重合性液晶化合物も、好適に利用される。

式（ＩＶ）

式（ＩＶ）中、Ａ¹は、炭素数２〜１８のアルキレン基を表し、アルキレン基中の１つのＣＨ₂または隣接していない２つ以上のＣＨ₂は、−Ｏ−で置換されていてもよい；
Ｚ¹は、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−または単結合を表し；
Ｚ²は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し；
Ｒ¹は、水素原子またはメチル基を表し；
Ｒ²は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、置換基を有していてもよいフェニル基、ビニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アセトキシ基、Ｎ−アセチルアミド基、アクリロイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、マレイミド基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、アリルオキシカルバモイル基、アルキル基の炭素数が１〜４であるＮ−アルキルオキシカルバモイル基、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）カルバモイルオキシ基、Ｎ−（２−アクリロイルオキシエチル）カルバモイルオキシ基、または、以下の式（ＩＶ−２）で表される構造を表し；
Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³およびＬ⁴は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜４のアシル基、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³およびＬ⁴のうち少なくとも１つは水素原子以外の基を表す。

−Ｚ⁵−Ｔ−Ｓｐ−Ｐ 式（ＩＶ−２）
式（ＩＶ−２）中、Ｐはアクリル基、メタクリル基または水素原子を表し、Ｚ⁵は単結合、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹−（Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表す）、−ＮＲ¹Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、または、−ＳＣ（＝Ｏ）−を表し、Ｔは１，４−フェニレンを表し、Ｓｐは置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の２価の脂肪族基を表し、脂肪族基中の１つのＣＨ₂または隣接していない２以上のＣＨ₂は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−で置換されていてもよい。

上記式（ＩＶ）で表される化合物は、以下の式（Ｖ）で表される化合物であることが好ましい。
式（Ｖ）
式（Ｖ）中、ｎ１は３〜６の整数を表し；
Ｒ¹¹は水素原子またはメチル基を表し；
Ｚ¹²は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し；
Ｒ¹²は、水素原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または、以下の式（ＩＶ−３）で表される構造を表す。
−Ｚ⁵¹−Ｔ−Ｓｐ−Ｐ 式（ＩＶ−３）
式（ＩＶ−３）中、Ｐはアクリル基またはメタクリル基を表し；
Ｚ⁵¹は、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、または、−ＯＣ（＝Ｏ）−を表し；Ｔは１，４−フェニレンを表し；
Ｓｐは置換基を有していてもよい炭素数２〜６の２価の脂肪族基を表す。この脂肪族基中の１つのＣＨ₂または隣接していない２以上のＣＨ₂は、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−で置換されていてもよい。

上記ｎ１は３〜６の整数を表し、３または４であることが好ましい。
上記Ｚ¹²は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、−Ｃ（＝Ｏ）−を表すことが好ましい。
上記Ｒ¹²は、水素原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される基を表し、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される基を表すことが好ましく、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される構造を表すことがより好ましい。

以下に、上記式（ＩＶ）で表される化合物の具体例を示す。ただし、本発明において、式（ＩＶ）で表される化合物は、これらに制限はされない。

本発明に用いる液晶化合物としては、特開２０１４−１９８８１４号公報に記載される、以下の式（ＶＩ）で表される化合物、特に、以下の式（ＶＩ）で表される（メタ）アクリレート基を有さない液晶化合物も好適に利用される。

式（ＶＩ）
式（ＶＩ）中、Ｚ³は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−を表し；
Ｚ⁴は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し；
Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、置換基を有していてもよい芳香環、シクロヘキシル基、ビニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、アセトキシ基、アクリロイルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、マレイミド基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、アリルオキシカルバモイル基、アルキル基の炭素数が１〜４であるＮ−アルキルオキシカルバモイル基、Ｎ−（２−メタクリロイルオキシエチル）カルバモイルオキシ基、Ｎ−（２−アクリロイルオキシエチル）カルバモイルオキシ基、または、以下の式（ＶＩ−２）で表される構造を表し；
Ｌ⁵、Ｌ⁶、Ｌ⁷およびＬ⁸は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜４のアシル基、ハロゲン原子、または、水素原子を表し、Ｌ⁵、Ｌ⁶、Ｌ⁷およびＬ⁸のうち少なくとも１つは水素原子以外の基を表す。

−Ｚ⁵−Ｔ−Ｓｐ−Ｐ 式（ＶＩ−２）
式（ＶＩ−２）中、Ｐはアクリル基、メタクリル基または水素原子を表し、Ｚ⁵は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ¹−（Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表す）、−ＮＲ¹Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｓ−、または−ＳＣ（＝Ｏ）−を表し、Ｔは１，４−フェニレンを表し、Ｓｐは置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の２価の脂肪族基を表す。ただし、この脂肪族基中の１つのＣＨ₂または隣接していない２以上のＣＨ₂は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−で置換されていてもよい。

上記式（ＶＩ）で表される化合物は、以下の式（ＶII）で表される化合物であることが好ましい。
式（ＶII）

式（ＶII）中、Ｚ¹³は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し；
Ｚ¹⁴は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−を表し；
Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または上記式（ＩＶ−３）で表される構造を表す。

上記Ｚ¹³は、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ＝ＣＨ−を表し、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。
Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜４の直鎖アルキル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、アリルオキシ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される構造を表し、メチル基、エチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される構造を表すことが好ましく、メチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基、フェニル基、アクリロイルアミノ基、メタクリロイルアミノ基、または、上記式（ＩＶ−３）で表される構造を表すことがより好ましい。

以下に、上記式（ＶＩ）で表される化合物の具体例を示す。ただし、本発明において、式（ＶＩ）で表される化合物は、これらに制限はされない。

本発明に用いる液晶化合物としては、特開２０１４−１９８８１４号公報に記載される、以下の式（ＶIII）で表される化合物、特に、以下の式（ＶIII）で表される２つの（メタ）アクリレート基を有する重合性液晶化合物も好適に利用される。

式（ＶIII）

式（ＶIII）中、Ａ²およびＡ³は、それぞれ独立して、炭素数２〜１８のアルキレン基を表し、アルキレン基中の１つのＣＨ₂または隣接していない２つ以上のＣＨ₂は、−Ｏ−で置換されていてもよい；
Ｚ⁵は、−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＯＣ（＝Ｏ）−または単結合を表し；
Ｚ⁶は、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−または単結合を表し；
Ｒ⁵およびＲ⁶は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し；
Ｌ⁹、Ｌ¹⁰、Ｌ¹¹およびＬ¹²は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜４のアシル基、ハロゲン原子または水素原子を表し、Ｌ⁹、Ｌ¹⁰、Ｌ¹¹およびＬ¹²のうち少なくとも１つは水素原子以外の基を表す。

上記式（ＶIII）で表される化合物は、下記式（ＩＸ）で表される化合物であることが好ましい。
式（ＩＸ）

式（ＩＸ）中、ｎ２およびｎ３は、それぞれ独立して、３〜６の整数を表し；
Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表す。

式（ＩＸ）中、ｎ２およびｎ３は、それぞれ独立して、３〜６の整数を表し、上記ｎ２およびｎ３が４であることが好ましい。
式（ＩＸ）中、Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、上記Ｒ¹⁵およびＲ¹⁶が水素原子を表すことが好ましい。

以下に、上記式（ＶIII）で表される化合物の具体例を示す。ただし、本発明において、式（ＶIII）で表される化合物は、これらに制限はされない。

このような液晶化合物は、公知の方法により製造できる。

（キラル剤（キラル化合物））
組成物は、キラル剤を含む。
キラル剤の種類は、特に制限されない。キラル剤は液晶性であっても、非液晶性であってもよい。キラル剤は、公知の種々のキラル剤（例えば、液晶デバイスハンドブック、第３章４−３項、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）用カイラル剤、１９９頁、日本学術振興会第１４２委員会編、１９８９に記載）から選択できる。キラル剤は、一般に不斉炭素原子を含む。ただし、不斉炭素原子を含まない軸性不斉化合物または面性不斉化合物を、キラル剤として用いることもできる。軸性不斉化合物または面性不斉化合物の例には、ビナフチル、ヘリセン、パラシクロファンおよびこれらの誘導体が含まれる。キラル剤は、重合性基を有していてもよい。

組成物中、キラル剤の含有量は、液晶化合物全質量に対して、０．５〜３０質量％が好ましい。キラル剤の使用量は、より少ないことが液晶性に影響を及ぼさない傾向があるため好まれる。従って、キラル剤としては、少量でも所望の螺旋ピッチの捩れ配向を達成可能なように、強い捩り力のある化合物が好ましい。
このような強い捩れ力を示すキラル剤としては、例えば、特開２００２−３０２４８７号公報、特開２００２−８０４７８号公報、特開２００２−８０８５１号公報、特開２００２―１７９６６８号公報、特開２００２―１７９６７０号公報、特開２００２−３３８５７５号公報、特開２００２−１８００５１号公報、特開昭６２―８１３５４号公報、ＷＯ２００２／００６１９５号、特開２０１１−２４１２１５号公報、特開２００３−２８７６２３号公報、特開２００２−３０２４８７号公報、特開２００２−８０４７８号公報、特開２００２−８０８５１号公報、および、特開２０１４−０３４５８１号公報に記載のキラル剤、ならびに、ＢＡＳＦ社製のＬＣ−７５６などが挙げられる。

（任意の成分）
組成物には、液晶化合物およびキラル剤以外の他の成分が含まれていてもよい。

（重合開始剤）
組成物は、重合開始剤を含んでいてもよい。特に、液晶化合物が重合性基を有する場合、組成物が重合開始剤を含むことが好ましい。
重合開始剤としては、紫外線照射によって重合反応を開始可能な光重合開始剤であることが好ましい。光重合開始剤としては、α−カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号、同２３６７６７０号の各明細書記載）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書記載）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書記載）、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号、同２９５１７５８号の各明細書記載）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書記載）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書記載）およびオキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書記載）などが挙げられる。
組成物中での重合開始剤の含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．１〜２０質量％が好ましく、１〜８質量％がより好ましい。

（配向制御剤（配向剤））
組成物は、配向制御剤を含んでいてもよい。組成物に配向制御剤が含まれることにより、安定的または迅速なコレステリック液晶相の形成が可能となる。また、配向制御剤および／またはキラル剤の選択、ならびに、後述する工程２における加熱処理または冷却処理の条件の選択の、少なくとも一方により、後述する図３に示すような、表面に凹凸を有する反射層３０（コレステリック液晶相状態の組成物の層）を作製できる。
配向制御剤としては、例えば、含フッ素（メタ）アクリレート系ポリマー、ＷＯ２０１１／１６２２９１号に記載の一般式（Ｘ１）〜（Ｘ３）で表される化合物、特開２０１２−２１１３０６号公報の段落［０００７］〜［００２９］に記載の化合物、特開２０１３−４７２０４号公報の段落［００２０］〜［００３１］に記載の化合物、ＷＯ２０１６／００９６４８号の段落［０１６５］〜［０１７０］に記載の化合物、ＷＯ２０１６／０９２８４４号の段落［００７７］〜［００８１］、および、特許第４５９２２２５号公報に記載の一般式（Ｃｙ２０１）〜（Ｃｙ２１１）等が挙げられる。これらから選択される２種以上を含有していてもよい。これらの化合物は、層の空気界面において、液晶化合物の分子のチルト角を低減または実質的に水平配向させることができる。なお、本明細書で「水平配向」とは、液晶分子長軸と膜面が平行であることをいうが、厳密に平行であることを要求するものではなく、本明細書では、水平面とのなす傾斜角が２０°未満の配向を意味するものとする。
配向制御剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
組成物中での配向制御剤の含有量は特に制限されないが、液晶化合物全質量に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜５質量％がより好ましく、０．０１〜１質量％がさらに好ましい。

（溶媒）
組成物は、溶媒を含んでいてもよい。
溶媒としては、水または有機溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類；ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類；ピリジンなどのヘテロ環化合物；ベンゼン、ヘキサンなどの炭化水素；クロロホルム、ジクロロメタンなどのアルキルハライド類；酢酸メチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートなどのエステル類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンなどのケトン類；テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどのエーテル類；１，４−ブタンジオールジアセテート；などが挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

（その他の添加剤）
組成物は、１種または２種類以上の酸化防止剤、紫外線吸収剤、増感剤、安定剤、可塑剤、連鎖移動剤、重合禁止剤、消泡剤、レべリング剤、増粘剤、難燃剤、界面活性物質、分散剤、ならびに、染料および顔料などの色材、などの他の添加剤を含んでいてもよい。

組成物は、組成物を構成する化合物の１以上が、複数の重合性基を有する化合物（多官能性化合物）であるのが好ましい。さらに、組成物においては、複数の重合性基を有する化合物の総含有量が、組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上であるのが好ましい。なお、この上記固形分とは、反射層を形成する成分であり、溶媒は含まれない。
組成物中の全固形分の８０質量％以上を、複数の重合性基を有する化合物とすることにより、コレステリック液晶相の明部１４および暗部１６の波状構造、または、さらに、後述する図３に示す表面に周期的な凹凸を有する反射層３０を形成する際に、反射層３０（コレステリック液晶相）の波状構造または表面の凹凸構造を強固に固定して耐久性を付与できる等の点で好ましい。
なお、複数の重合性基を有する化合物とは、１分子内に２つ以上の固定化可能な基を有する化合物である。本発明において、組成物が含む多官能性化合物は、液晶性を有するものでも、液晶性を有さないものでもよい。

（工程１の手順）
工程１では、まず、上述した組成物を基板上に塗布する。塗布方法は特に制限されず、例えば、ワイヤーバーコーティング法、押し出しコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、および、ダイコーティング法などが挙げられる。なお、組成物の塗布に先立ち、基板に公知のラビング処理を施してもよい。
なお、必要に応じて、塗布後に、基板上に塗布された組成物を乾燥する処理を実施してもよい。乾燥処理を実施することにより、塗布された組成物から溶媒を除去できる。

基板上に塗布された組成物（組成物層）の膜厚は特に制限されないが、反射層の拡散反射性がより優れる点で、０．１〜２０μｍが好ましく、０．２〜１５μｍがより好ましく、０．５〜１０μｍがさらに好ましい。

次に、基板上に塗布された組成物（組成物層）を加熱して、組成物中の液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする。
組成物の液晶相転移温度は、製造適性の面から１０〜２５０℃の範囲内が好ましく、１０〜１５０℃の範囲内がより好ましい。
好ましい加熱条件としては、４０〜１００℃（好ましくは、６０〜１００℃）で０．５〜５分間（好ましくは、０．５〜２分間）にわたって組成物を加熱することが好ましい。
組成物を加熱する際には、液晶化合物が等方相（Ｉｓｏ）となる温度まで加熱しないことが好ましい。液晶化合物が等方相となる温度以上に組成物を加熱してしまうと、コレステリック液晶相の欠陥が増加してしまい、好ましくない。

＜工程２＞
工程２は、工程１で得られたコレステリック液晶相の状態の組成物に含まれるキラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱し、反射層を形成する工程である。つまり、基板上に形成された塗布層（組成物層）を構成する組成物に含まれるキラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、塗布層に冷却処理または加熱処理を施す工程である。上述したように、本工程を実施することにより、液晶化合物の捩れがより増し、結果として、コレステリック液晶相の配向（螺旋軸の傾き）が変化して、これにより、基板１０に平行な明部１４および暗部１６が変化して、図２に示すような波状構造（凹凸構造）の明部１４および暗部１６を有する反射層（コレステリック液晶相状態の組成物の層１２ｂ）が形成される。
また、この工程２における冷却処理および加熱処理の条件を選択することでも、コレステリック液晶相の配向の変化によって、図３に示すような、表面に周期的な凹凸を有する反射層３０を形成できる。

なお、キラル剤の螺旋誘起力（ＨＴＰ）は、下記式（１）で表される螺旋配向能力を示すファクターである。
式（１） ＨＴＰ＝１／（螺旋ピッチの長さ（単位：μｍ）×キラル剤の濃度）
螺旋ピッチの長さとは、組成物中におけるコレステリック液晶相の螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）の長さをいい、液晶便覧(丸善株式会社出版)の１９６ページに記載の方法で測定できる。また、キラル剤の濃度とは、組成物中の全固形分に対するキラル剤の濃度（質量％）を意図する。
なお、上記ＨＴＰの値は、キラル剤の種類のみならず、組成物中に含まれる液晶化合物の種類によっても影響を受ける。よって、例えば、所定のキラル剤Ｘおよび液晶化合物Ａを含む組成物と、所定のキラル剤Ｘおよび液晶化合物Ａとは異なる液晶化合物Ｂを含む組成物とを用意し、同一温度で両者のＨＴＰを測定した場合、その値が異なる場合もある。また、ＨＴＰの値は、組成物中に形成される螺旋ピッチの長さによって異なり、螺旋ピッチの長さは、組成物の温度によって適宜調節可能である。つまり、組成物に対して冷却処理または加熱処理を施すことにより、螺旋ピッチの長さを調節できる。

キラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するとは、組成物（組成物層）を冷却または加熱する前の組成物中のキラル剤の螺旋誘起力をＸとし、組成物（組成物層）を冷却または加熱した後の組成物中のキラル剤の螺旋誘起力をＹとした場合、以下の式（２）で表される上昇率Ｚが５％以上であることを意図する。
式（２）：上昇率Ｚ（％）＝｛（Ｙ−Ｘ）／Ｘ｝×１００
上昇率Ｚは５％以上であればよく、１０％以上がより好ましい。反射層の拡散反射性がより優れる点で、上昇率Ｚは１２％以上がさらに好ましい。上昇率Ｚの上限は特に制限されないが、３０％以下の場合が多い。

本工程では、上述したように、キラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、組成物を冷却または加熱する。なかでも、組成物を冷却するのが好ましい。
組成物を冷却する際には、反射層の拡散反射性がより優れる点で、組成物の温度が３０℃以上下がるように、組成物を冷却することが好ましい。なかでも、上記効果がより優れる点で、４０℃以上下がるように組成物を冷却することが好ましく、５０℃以上下がるように組成物を冷却することがより好ましい。上記冷却処理の低減温度幅の上限値は特に制限されないが、通常、７０℃程度である。
なお、上記冷却処理は、言い換えると、冷却前のコレステリック液晶相の状態の組成物の温度をＴ℃とする場合、Ｔ−３０℃以下となるように、組成物を冷却することを意図する。
上記冷却の方法は特に制限されず、組成物が配置された基板を所定の温度の雰囲気中に静置する方法が挙げられる。

冷却処理における冷却速度には制限はないが、コレステリック液晶相の明部１４および暗部１６の波状構造、または、さらに、後述する反射層の表面の凹凸を、好適に形成するためには、冷却速度を、ある程度の速さにするのが好ましい。
具体的には、冷却処理における冷却速度は、その最大値が毎秒１℃以上であるのが好ましく、毎秒２℃以上であるのがより好ましく、毎秒３℃以上であるのがさらに好ましい。なお、冷却速度の上限は、特に制限されないが、毎秒１０℃以下の場合が多い。

また、螺旋誘起力が５％以上上昇した後のキラル剤は、螺旋誘起力が２０以上であるのが好ましく、３０以上であるのがより好ましい。上限は特に制限されないが、１００以下の場合が多い。
キラル剤の螺旋誘起力を２０以上とすることにより、反射層の明部および暗部の波状構造を好適に形成できる。
ここで、本発明の反射層の製造方法においては、組成物層（反射層）が風に晒されると、形成される反射層の表面の面状にムラが生じてしまう可能性がある。この点を考慮すると、本発明の反射層の製造方法では、組成物の塗布〜加熱〜冷却の全工程において、組成物層（液晶層）が晒される環境の風速が低い方が好ましい。具体的には、本発明の反射層の製造方法では、組成物の塗布〜加熱〜冷却の全工程において、組成物層が晒される環境の風速は、１ｍ／ｓ以下が好ましい。

なお、液晶化合物が重合性基を有する場合、工程２において、基板上の組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定してもよい。つまり、上記冷却処理または加熱処理と同時に、硬化処理を実施してもよい。
得られる反射層は、コレステリック液晶相を固定してなる層に該当する。
なお、ここで、コレステリック液晶相を「固定化した」状態は、コレステリック液晶相となっている液晶化合物の配向が保持された状態が最も典型的、且つ、好ましい態様である。それだけには制限されず、具体的には、通常０〜５０℃、より過酷な条件下では−３０〜７０℃の温度範囲において、層に流動性が無く、また、外場もしくは外力によって配向形態に変化を生じさせることなく、固定化された配向形態を安定に保ち続けることができる状態を意味するものとする。本発明では、後述するように、紫外線照射によって進行する硬化反応により、コレステリック液晶相の配向状態を固定することが好ましい。
なお、コレステリック液晶相を固定してなる層においては、コレステリック液晶相の光学的性質が層中において保持されていれば十分であり、最終的に層中の組成物がもはや液晶性を示す必要はない。
また、このコレステリック液晶相の固定化は、冷却処理または加熱処理が行われた後のコレステリック液晶相の構造（配向状態）を固定化するものであるのが好ましい。

硬化処理の方法は特に制限されず、光硬化処理および熱硬化処理が挙げられる。なかでも、光照射処理が好ましく、紫外線照射処理がより好ましい。また、前述のように、液晶化合物は、重合性基を有する液晶化合物であるのが好ましい。液晶化合物が重合性基を有する場合には、硬化処理は、光照射（特に紫外線照射）による重合反応であるのが好ましく、光照射（特に紫外線照射）によるラジカル重合反応であるのがより好ましい。
紫外線照射には、紫外線ランプなどの光源が利用される。
紫外線の照射エネルギー量は特に制限されないが、一般的には、０．１〜０．８Ｊ／ｃｍ²程度が好ましい。また、紫外線を照射する時間は特に制限されないが、得られる層の充分な強度および生産性の双方の観点から適宜決定すればよい。

上記では工程２において組成物の層に硬化処理を施す手順について述べたが、工程２を実施した後に、組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定してなる反射層を形成する工程３を実施してもよい。
硬化処理の手順は、上述の通りである。

＜反射層＞
上記製造方法により、図２に示すような、断面ＳＥＭ観察図において明部と暗部とが波状構造をとる反射層が形成される。
反射層は、コレステリック液晶構造を有し、螺旋軸と反射層の表面とのなす角が周期的に変化する構造を有する層である。言い換えれば、反射層は、コレステリック液晶構造を有し、コレステリック液晶構造は走査型電子顕微鏡にて観測される反射層の断面図において明部と暗部との縞模様を与え、少なくとも一つの暗部がなす線の法線と反射層の表面となす角が周期的に変化する、反射層である。そのため本発明の反射層は、限られた方向ではなく、ほぼ任意の方向に光を拡散反射できる。
なお、特開２００６−２８４８６２号公報には、液晶化合物を含む組成物を塗布した後、液晶化合物が等方相になる温度以上に加熱し、次いで、所定の方向からガスを吹き付けて、液晶化合物がコレステリック液晶相になる温度まで降温させることで、コレステリック液晶相の螺旋軸方向を傾ける異方性光学素子の製造方法が記載されている。この方法で形成される異方性光学素子は、光の反射に異方性を発現するが、螺旋軸の傾斜方向に対応する方向にしか光を反射できず、本発明による反射層のような良好な拡散反射性は発現しない。

なお、基板上に上記反射層を複数層形成してもよい。
例えば、上述した方法によって基板上に所定の選択反射波長を有する反射層Ｘを形成した後、同様の手順によって、反射層Ｘとは異なる選択反射波長を有する反射層Ｙを形成してもよい。なお、上記のように複数層の反射層を形成する際には、重合性基を有する液晶化合物を用いて、コレステリック液晶相が固定化してなる層を複数積層することが好ましい。

ここで、本発明の製造方法では、キラル剤および／または配向制御剤の選択、ならびに、加熱処理または冷却処理の条件の選択の、少なくとも一方を行うことにより、図２に概念的に示すような、表面（基板１０とは逆側の面）が平坦（略平坦）な反射層に代えて、図３に断面を概念的に示すような、断面における明部１４および暗部１６の波状構造（凹凸構造）に加えて、表面に周期的な凹凸を有する、本発明の反射層３０を作製できる。
例えば、反射層３０の内部における波状構造の誘起力が大きいキラル剤を選択することによって、反射層３０における波状構造を大きくして、反射層３０の表面を凹凸にできる。また、反射層３０の表面のアンカリング効果が弱い配向制御剤を選択することによって、同様に反射層３０の表面を凹凸にできる。また、工程１における加熱温度と、工程２における冷却温度との差を大きくすることにより、同様に反射層３０の表面を凹凸にできる。さらに、工程２における冷却速度を速くすることにより、同様に反射層３０の表面を凹凸にできる。

本発明の反射層３０は、コレステリック液晶相を固定してなる反射層であって、図２に示す反射層と同様、コレステリック液晶相の螺旋構造によって形成されるコレステリック液晶相の断面の明部１４および暗部１６が、波状構造を有し、さらに、表面に、周期的な凹凸を有するものである。

なお、図３に示す反射層３０において、表面の凹凸（凸部）は、二次元的に形成される（図７参照）。
従って、反射層３０（コレステリック液晶相）の断面の明部１４および暗部１６の波状構造は、図３に示す横方向のみならず、例えば、図３の紙面に垂直な方向の断面でも、同様の波状構造が形成される。すなわち、反射層３０は、あらゆる方向の断面で、明部１４と暗部１６の波状構造が認められる。この点に関しては、前述の図２に示す反射層も同様である。
ただし、本発明は、これに制限はされず、反射層は、断面またはさらに表面において、連続的な波が一方向にのみ形成される波状構造を有するものでもよい。しかしながら、拡散反射性の点では、反射層３０は、前述のように、あらゆる方向の断面で明部１４と暗部１６の波状構造が認められ、または、さらに、図７に示されるように表面の凹凸が二次元的に形成される構造であるのが好ましい。

また、反射層３０の表面の凹凸は、周期的であるが、断面の波状構造とは位相が異なっている。具体的には、反射層３０の表面の凹凸は、断面の波状構造に対して、位相が、半分（略半分）ズレている。従って、基板１０の面方向では、反射層３０の断面の波状構造の凸部の位置が反射層３０の表面の凹凸の凹部の位置となり、反射層３０の断面の波状構造の凹部の位置が反射層３０の表面の凹凸の凸部の位置となる。
さらに、反射層３０は、図３に概念的に示すように、基本的に、表面の凹凸のピッチｐ１と、断面の波状構造のピッチｐ２とが等しい。すなわち、本発明の反射層３０は、表面の凹凸の周期と、断面の波状構造の周期とが等しい。
なお、図３に示すように、ピッチｐ１は、反射層３０の表面における凸部の頂点の間隔であり、ピッチｐ２は、反射層３０の表面に最も近い暗部１６の波の頂点の間隔である。
また、本発明において、ピッチｐ１とピッチｐ２とが等しいとは、ピッチｐ１とピッチｐ２とが完全に一致する場合のみならず、『［（ｐ１−ｐ２）／ｐ１］×１００』で算出されるピッチの差が±３０％以下である場合も含む。

また、図３に示す反射層３０において、反射層３０（コレステリック液晶相）の断面における明部１４および暗部１６の波状構造は、波のピッチ（周期）は均一であるが、波の高さは、反射層３０の厚さ方向の中心（中央領域）が最も高く、厚さ方向の表面側および基板１０側に向かうにしたがって、漸次、低くなっている。すなわち、反射層３０の断面の波状構造の振幅は、厚さ方向の中心が最も大きく、表面側および基板１０側に向かうにしたがって、漸次、小さくなっている。
この波状構造の波の高さに関しては、図２に示す表面に凹凸を有さない反射層（波状構造を有する層１２ｂ）も、同様に、厚さ方向の中心から、厚さ方向の表面側および基板１０に向かって、漸次、高さが低くなる構造であってもよい。また、図３に示す表面に凹凸を有する反射層３０の波状構造が、図２に示す反射層の波状構造のように、厚さ方向の全域で均一な高さの波を有する構造であってもよい。

このような表面に凹凸を有する反射層３０は、反射層３０（コレステリック液晶相）の断面における、コレステリック液晶相の螺旋構造による明部１４および暗部１６の波状構造の波の高さ（波の振幅）が、図２に示す表面が平坦な反射層よりも大きい。すなわち、反射層３０の内部に大きな波状構造を有すると、表面にも、その凹凸が伝わって、反射層３０の表面の形状が凹凸になる。
そのため、図３に示すような、表面に凹凸を有する反射層３０は、より高い拡散反射性が得られる。

反射層３０において、良好な高い拡散反射性を得るためには、断面の波状構造のピッチｐ２を狭くして、かつ、断面の波状構造の波を大きく（高く）するのが好ましい。ここで、反射層３０の表面の凹凸の状態は、断面の波状構造に大きく影響される。従って、反射層３０において、良好な拡散反射性を得るためには、表面の凹凸のピッチｐ１を狭くして、かつ、凹凸の高さｈを高く（深く）するのが好ましい。特に、凹凸の高さｈは、高いほど、高い拡散反射性を得られる傾向にある。
しかしながら、反射層３０の表面の凹凸のピッチｐ１を狭くすると、凹凸の高さｈは低くなる傾向にあり、また、凹凸の高さｈを高くすると、凹凸のピッチｐ１は狭くなる傾向にある。
この点を考慮すると、反射層３０の凹凸のピッチｐ１は、０．５〜１０μｍが好ましく、１〜６μｍがより好ましい。
また、反射層３０の凹凸の高さｈは、１〜５００ｎｍが好ましく、５〜３００ｎｍがより好ましく、５０〜３００ｎｍがさらに好ましく、６５〜２００ｎｍが特に好ましい。

反射層３０の厚さにも、特に制限はなく、反射層３０に要求される拡散反射性を満たす厚さを、反射層３０の面方向の大きさ、反射層３０の形成材料等に応じて、適宜、設定すればよい。
反射層３０の厚さは、０．３〜２０μｍが好ましく、０．５〜１０μｍがより好ましい。反射層３０の厚さを０．３μｍ以上とすることにより、十分な厚さの反射層３０によって、良好な拡散反射性が得られる。また、反射層３０の厚さを２０μｍ以下とすることにより、反射層３０が不要に厚くなることを防止して、例えば、後述する投映像表示用部材等を薄くできる。
なお、前述のように、基板１０の上に複数の反射層を有する場合には、１層あたり厚さが、この範囲であるのが好ましい。また、図２に示す表面に凹凸を有さない反射層の厚さも、この範囲であるのが好ましい。

＜用途＞
反射層は、所定の波状構造を有するコレステリック液晶相（コレステリック液晶構造）を有する層（以下、反射層を、「コレステリック液晶層」ともいう。）であり、このコレステリック液晶相を固定してなる層であることが好ましい。
コレステリック液晶層は、所定の波長域の光に対して選択反射特性を示す層である。コレステリック液晶層は選択反射波長域において、右円偏光および左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させ、他方のセンスの円偏光を透過させる円偏光選択反射層として機能する。コレステリック液晶層を１層または２層以上含むフィルムは、様々な用途に用いることができる。コレステリック液晶層を２層以上含むフィルムにおいて、各コレステリック液晶層が反射する円偏光のセンスは用途に応じて同じでも逆であってもよい。また、各コレステリック液晶層の後述の選択反射の中心波長も用途に応じて同じでも異なっていてもよい。

なお、本明細書において、円偏光につき「センス」というときは、右円偏光であるか、または左円偏光であるかを意味する。円偏光のセンスは、光が手前に向かって進んでくるように眺めた場合に電場ベクトルの先端が時間の増加に従って時計回りに回る場合が右円偏光であり、反時計回りに回る場合が左円偏光であるとして定義される。本明細書においては、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向について「センス」との用語を用いることもある。コレステリック液晶による選択反射は、コレステリック液晶の螺旋の捩れ方向（センス）が右の場合は右円偏光を反射し、左円偏光を透過し、センスが左の場合は左円偏光を反射し、右円偏光を透過する。

例えば、可視光波長域（波長４００〜７５０ｎｍ）に選択反射特性を示すコレステリック液晶層を含むフィルムは、投映像表示用のスクリーンおよびハーフミラーとして利用できる。また、反射帯域を制御することで、カラーフィルターまたはディスプレイの表示光の色純度を向上させるフィルタ（例えば特開２００３−２９４９４８号公報参照）として利用できる。
また、上記反射層は、光学素子の構成要素である、偏光素子、反射膜、反射防止膜、視野角補償膜、ホログラフィー、および、配向膜など、種々の用途に利用できる。
以下特に好ましい用途である投映像表示用部材としての用途について説明する。

コレステリック液晶層の上記の機能により、投射光のうち選択反射を示す波長において、いずれか一方のセンスの円偏光を反射させて、投映像を形成できる。投映像は投映像表示用部材表面で表示され、そのように視認されるものであってもよく、観察者から見て投映像表示用部材の先に浮かび上がって見える虚像であってもよい。

上記選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶相における螺旋構造のピッチＰ（＝螺旋の周期）に依存し、コレステリック液晶層の平均屈折率ｎとλ＝ｎ×Ｐの関係に従う。なお、ここで、コレステリック液晶層が有する選択反射の中心波長λは、コレステリック液晶層の法線方向から測定した円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。上記式から分かるように、螺旋構造のピッチを調節することによって、選択反射の中心波長を調節できる。すなわち、ｎ値とＰ値を調節して、例えば、青色光に対して右円偏光および左円偏光のいずれか一方を選択的に反射させるために、中心波長λを調節し、見かけ上の選択反射の中心波長が４５０〜４９５ｎｍの波長域となるようにすることができる。なお、見かけ上の選択反射の中心波長とは実用の際（投映像表示用部材としての使用時）の観察方向から測定したコレステリック液晶層の円偏光反射スペクトルの反射ピークの重心位置にある波長を意味する。コレステリック液晶相のピッチは液晶化合物とともに用いるキラル剤の種類、またはその添加濃度に依存するため、これらを調節することによって所望のピッチを得ることができる。なお、螺旋のセンスやピッチの測定法については「液晶化学実験入門」日本液晶学会編 シグマ出版２００７年出版、４６頁、および、「液晶便覧」液晶便覧編集委員会 丸善 １９６頁に記載の方法を用いることができる。

また、赤色光波長域、緑色光波長域、および青色光波長域にそれぞれ見かけ上の選択反射の中心波長を有するコレステリック液晶層をそれぞれ作製し、それらを積層することによりフルカラーの投映像の表示が可能である投映像表示用部材を作製できる。

各コレステリック液晶層の選択反射の中心波長を、投映に用いられる光源の発光波長域、および投映像表示用部材の使用態様に応じて調節することにより、光利用効率良く鮮明な投映像を表示できる。特にコレステリック液晶層の選択反射の中心波長をそれぞれ投映に用いられる光源の発光波長域などに応じてそれぞれ調節することにより、光利用効率良く鮮明なカラー投映像を表示できる。

また、例えば、上記投映像表示用部材を可視光領域の光に対して透過性を有する構成とすることによりヘッドアップディスプレイのコンバイナとして使用可能なハーフミラーとすることができる。投映像表示用ハーフミラーは、プロジェクターから投映された画像を視認可能に表示できるとともに、画像が表示されている同じ面側から投映像表示用ハーフミラーを観察したときに、反対の面側にある情報または風景を同時に観察できる。

以下に、実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、および、処理手順などは、本発明の主旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により制限的に解釈されるべきものではない。

［実施例１〜３、比較例１および２］
＜実施例１＞
（液晶組成物（１）の調製）
以下の成分を混合して、液晶組成物（１）を調製した。
棒状液晶化合物１０１ ５５質量部
棒状液晶化合物１０２ ３０質量部
棒状液晶化合物２０１ １３質量部
棒状液晶化合物２０２ ２質量部
重合開始剤 Ｉｒｇ８１９（ＢＡＳＦ社製） ４質量部
キラル剤 ＬＣ７５６（ＢＡＳＦ社製） ４．６質量部
配向制御剤（１） ０．０２質量部
配向制御剤（２） ０．０３質量部
酢酸メチル ２６０質量部
シクロヘキサノン ６５質量部

棒状液晶化合物１０１

棒状液晶化合物１０２

棒状液晶化合物２０１

棒状液晶化合物２０２

配向制御剤（１）

配向制御剤（２）

ラビング処理を施したＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）基板（富士フイルム株式会社製）のラビング処理面に、液晶組成物（１）を乾燥後の塗布層（組成物層）の厚さが５．０μｍになるように室温にてワイヤーバーを用いて塗布した。液晶組成物の塗布層を室温にて１０秒間乾燥させた後、９５℃の雰囲気で１分間加熱して液晶化合物を配向させた。その後、塗布層に対して３０℃でフュージョン製Ｄバルブ（ランプ９０ｍＷ／ｃｍ²）にて出力８０%で８秒間ＵＶ（紫外線）照射し、ＰＥＴ基板上に反射層１（コレステリック液晶相を固定化してなる層に該当）を形成した。
分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣ（島津製作所製）を用いて反射層１の透過スペクトルを測定したところ、反射層１は波長５３５ｎｍに中心を持つ選択反射ピークを有していた。
なお、上記手順においては、９５℃で液晶化合物を配向させた後、３０℃まで液晶組成物を冷却した。なお、冷却速度は、最大で４．２℃／秒であった。液晶組成物中のキラル剤の配向温度（９５℃）でのＨＴＰと、ＵＶ照射時に冷却された液晶組成物中のキラル剤の固定化温度（３０℃）でのＨＴＰとの間の変化率は１７％であった。なお、上記変化率は、以下の式（３）によって求められる。
式（３）：変化率＝｛（液晶組成物中のキラル剤の固定化温度（３０℃）でのＨＴＰ）−（液晶組成物中のキラル剤の配向温度（９５℃）でのＨＴＰ）／（液晶組成物中のキラル剤の配向温度（９５℃）でのＨＴＰ）｝×１００
さらに、ＰＥＴ基板の遅相軸が偏光顕微鏡の偏光子の方向と一致するように、反射層１を有するＰＥＴ基板を偏光顕微鏡にセットして、反射層１を観察したところ、回折格子状の構造（＝アンジュレーション構造）の形成をはっきりと確認した（図４参照）。
また、反射層１の断面ＳＥＭ観察（断面ＳＥＭ写真）によって、コレステリック液晶相の層状構造が波打っていることを確認した（図５参照）。
なお、いずれの実施例においても、固定化温度の際のキラル剤の螺旋誘起力が２０以上であった。

＜実施例２＞
９５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理の条件を、８５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、反射層２を得た。
なお、反射層１と同様に、反射層２においても、アンジュレーション構造が形成されていることが確認された。また、反射層２の選択反射ピークは、５３３ｎｍであった。

＜実施例３＞
ＵＶ照射時の温度（固定化温度）を３０℃から４０℃に変更した以外は、実施例２と同様の手順に従って、反射層３を得た。
なお、反射層１と同様に、反射層３においても、アンジュレーション構造が形成されていることが確認された。また、反射層３の選択反射ピークは、５４０ｎｍであった。

＜比較例１＞
以下の成分を混合して、液晶組成物（２）を調製した。
棒状液晶化合物２０１ ８０質量部
棒状液晶化合物３０１ ２０質量部
重合開始剤 Ｉｒｇ８１９（ＢＡＳＦ社製） ３質量部
キラル剤 ＬＣ７５６（ＢＡＳＦ社製） ５．５質量部
配向制御剤（２） ０．０５質量部
メチルエチルケトン ２３０質量部

棒状液晶化合物３０１

ラビング処理を施したＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）基板（富士フイルム株式会社製）のラビング処理面に、液晶組成物（２）を乾燥後の塗布層の厚みが４．５μｍになるように室温にてワイヤーバーを用いて塗布した。液晶組成物の塗布層を室温にて１０秒間乾燥させた後、９０℃の雰囲気で１分間加熱して液晶化合物を配向させた後、塗布層に対して３５℃でフュージョン製Ｄバルブ（ランプ９０ｍＷ／ｃｍ²）にて出力８０%で８秒間ＵＶ照射し、ＰＥＴ基板上に反射層４を形成した。
分光光度計ＵＶ−３１００ＰＣ（島津社製）を用いて反射層４の透過スペクトルを測定したところ、反射層４は波長５４０ｎｍに中心を持つ選択反射ピークを有していた。また、この液晶組成物中のキラル剤の９０℃（配向温度）でのＨＴＰと、ＵＶ照射時に冷却された液晶組成物中のキラル剤の３５℃（固定化温度）でのＨＴＰとの間の変化率は１％であった。
さらに、ＰＥＴ基板の遅相軸が偏光顕微鏡の偏光子の方向と一致するように反射層４を有するＰＥＴ基板を偏光顕微鏡にセットして、反射層４を観察したところ、回折格子状の構造（＝アンジュレーション構造）の形成は確認できなかった。

上記結果を以下の表１にまとめて示す。
なお、以下の顕微鏡観察評価は、以下の基準に従って評価した。
「Ａ」：アンジュレーション構造がはっきり見える
「Ｂ」：アンジュレーション構造が見える
「Ｃ」：アンジュレーション構造なし
また、表１中、「配向温度」は液晶化合物を配向させる温度であり、上記工程１での加熱温度に該当する。また、「固定化温度」はＵＶ照射時の温度を意図し、上記工程２での冷却温度に該当する。
また、表１中、「ＨＴＰ変化率（％）」は、以下の式（４）によって求められる値である。
式（４）：ＨＴＰ変化率（％）＝｛（液晶組成物中のキラル剤の固定化温度でのＨＴＰ）−（液晶組成物中のキラル剤の配向温度でのＨＴＰ）／（液晶組成物中のキラル剤の配向温度でのＨＴＰ）｝×１００

＜比較例２＞
特許文献１の実施例１に従って、配向膜表面にラビング処理を施していない、配向膜付きガラス基板を作製した。配向膜上に、液晶組成物（２）を乾燥後の厚みが４．５μｍとなるようにスピンコート塗布した。液晶組成物の塗布層を９０℃の雰囲気で１分間加熱して液晶化合物を配向させた後、塗布層に対して３５℃でフュージョン製Ｄバルブ（ランプ９０ｍＷ／ｃｍ²）にて出力８０%で８秒間ＵＶ照射し、配向膜付きガラス基板上に反射層５を得た。上記と同様にＨＴＰ変化率（％）を算出したところ、５％未満であった。

＜拡散反射性評価＞
村上色彩社製ＧＣＭＳ−３Ｂのダブルビーム測定モードを用いて、各反射層のリファレンス（白色板）に対する相対反射率を測定した。具体的には、図６に示すように、光源２０から入射光をサンプル（反射層１〜５）２２表面の法線方向から照射し、サンプル２２表面の法線方向に対して極角θが４０°または６０°に配置した検出器２４によって、相対反射率を測定した。
結果を、表２にまとめて示す。

上記表２に示すように、アンジュレーション構造を有する反射層の場合、４０°方向および６０°方向の相対反射率が高く、拡散反射性に優れることが確認された。
なお、表２には示さないが、実施例２および３に記載の反射層２〜３は、比較例１および２に記載の反射層４〜５よりも優れた拡散反射性を示すことが確認された。

［実施例４〜６、比較例３］
＜液晶組成物の調製＞
下記の表３に示す成分を混合して、液晶組成物（３）〜（５）を調製した。なお、各成分の量は、全て、質量部である。

棒状液晶化合物２０３

キラル剤（１）

配向制御剤（３）

＜実施例４＞
液晶組成物（１）に替えて液晶組成物（３）を用い、かつ、９５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理の条件を、１００℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、反射層６を得た。
なお、反射層１と同様に、反射層６においても、アンジュレーション構造が形成されていることが確認された。また、反射層６は、４５０〜６５０ｎｍの範囲に反射のピークを有していた。

＜実施例５＞
液晶組成物（１）に替えて液晶組成物（４）を用い、かつ、９５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理の条件を、１００℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、反射層７を得た。
なお、反射層１と同様に、反射層７においても、アンジュレーション構造が形成されていることが確認された。また、反射層７は、４５０〜６５０ｎｍの範囲に反射のピークを有していた。

＜実施例６＞
液晶組成物（１）に替えて液晶組成物（５）を用い、かつ、９５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理の条件を、８０℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理に変更し、かつ、ＵＶ照射時の温度（固定化温度）を３０℃から４０℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、反射層８を得た。
なお、反射層１と同様に、反射層８においても、アンジュレーション構造が形成されていることが確認された。また、反射層８は、４５０〜６５０ｎｍの範囲に反射のピークを有していた。

＜比較例３＞
９５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理の条件を、８５℃（配向温度）の雰囲気で１分間加熱処理に変更し、かつ、ＵＶ照射時の温度（固定化温度）を３０℃から７０℃に変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、反射層９を得た。
なお、反射層９においては、アンジュレーション構造が形成されていなかった。

＜評価＞
作製した実施例４〜６および比較例３の各反射層について、実施例１と同様に、ＨＴＰ変化率を算出し、また、顕微鏡観察結果（反射層断面の波状構造（層状構造）の評価）を評価した。
また、絶対反射率測定システム付きの分光光度計Ｖ−６７０（日本分光社製）に、作製した反射層を光源側に向けてセットし、０°入射４５°検出の条件で、４５°における反射性能の高さを評価した。４５°における反射性能は、横軸が波長、縦軸が反射率のグラフを作成し、基板に由来する反射率を除去した上で、反射層（コレステリック液晶相）の選択反射波長に相当する５００〜６５０ｎｍの領域における反射ピークの面積を算出し、この面積の大きさを、４５°における反射量として評価した。
結果を下記の表４に示す。

表４に示されるように、アンジュレーション構造を有する実施例４〜６の反射層は、アンジュレーション構造を有さない比較例３に比して、４５°における反射量が大きく、拡散反射性が優れることが分かる。

［実施例７〜１３、比較例４］
＜液晶組成物の調製＞
下記の表５に示す成分を混合して、液晶組成物（Ａ）〜（Ｇ）を調製した。なお、各成分の量は、全て、質量部である。

キラル剤（２）

キラル剤（３）

配向制御剤（４）

配向制御剤（５）

配向制御剤（６）

＜実施例７＞
ラビング処理を施したＰＥＴ（poly-ethylene terephthalate）基板（東洋紡社製）のラビング処理面に、液晶組成物（Ａ）を乾燥後の塗布層（組成物層）の厚さが３．４μｍになるように室温にてワイヤーバーを用いて塗布した。液晶組成物の塗布層を室温にて５０秒間乾燥させた後、９５℃の雰囲気で１分間加熱して液晶化合物を配向させた。
その後、塗布層に対して３０℃でフュージョン製Ｄバルブ（ランプ９０ｍＷ／ｃｍ²）にて出力８０％で８秒間ＵＶ（紫外線）を照射し、ＰＥＴ基板上に反射層１０（コレステリック液晶相を固定化してなる層に該当）を形成した。上記手順においても、９５℃で液晶化合物を配向させた後、３０℃まで液晶組成物を冷却した。なお、冷却速度は、最大で４．３℃／秒であった。
この液晶組成物（Ａ）中のキラル剤の９５℃（配向温度）でのＨＴＰと、ＵＶ照射時に冷却された液晶組成物（Ａ）中のキラル剤の３０℃でのＨＴＰとの間の変化率は１７％であった。ＨＴＰ変化率は、実施例１と同様に算出した。

＜実施例８〜１３、比較例４＞
使用する液晶組成物、および、液晶組成物の塗布量を変更した以外は、実施例７と同様にして、反射層１１〜１７を作製した。
また、実施例１と同様にＨＴＰ変化率を算出した。

＜評価＞
実施例７〜１３で作製した反射層１０〜１６、および、比較例４で作製した反射層１７について、以下の評価を行った。

＜＜膜厚＞＞
反射層の一部を剥離し、形状測定レーザマイクロスコープＶＫ−Ｘ２００（キーエンス社製）にて１０倍の対物レンズを用いて、反射層の膜厚を測定した。

＜＜表面の凹凸＞＞
形状測定レーザマイクロスコープＶＫ−Ｘ２００（キーエンス社製）によって、１５０倍の対物レンズを用いて反射層の表面を測定した。
測定結果を解析して、反射層の表面の凹凸のピッチｐ１（周期長）、および、表面の凹凸の高さｈを測定した。
また、図７に、実施例１１（反射層１４）における形状測定レーザマイクロスコープの表面解析結果を示す。なお、実施例７〜１０、１２および１３で作製した反射層１０〜１３、１５および１６の表面にも、同様に二次元的な凹凸が形成されていた。

＜＜内部の波状構造＞＞
反射層をウルトラミクロトームによって断面切削し、適切な前処理を行い、日立ハイテクノロジーズ社製のＳＵ８０３０型ＳＥＭを用いて測定した。測定結果を解析して、内部の波状構造の凹凸の最大高さ（内部凹凸高さ）、波状構造のピッチｐ２を測定した。
実施例７〜１３で形成した反射層１０〜１６は、厚さ方向の中央部分において顕著に波状構造を形成していた。また、いずれの反射層も、波状構造のピッチｐ２（周期長）は、表面凹凸のピッチｐ１（周期長）と等しかった。
図８に、実施例１３（反射層１６）における断面ＳＥＭ観察図を示す。なお、図８において、反射層１６は、図中下方のグレーの縞状の領域であり、その上の白色の領域は、断面に対して図中奥手側に位置する表面の凸部に起因するものである。また、実施例７〜１２で作製した反射層１０〜１５にも、同様の波状構造が観察された。

＜＜顕微鏡観察評価＞＞
実施例１と同様に、顕微鏡観察評価を行った。

＜＜反射性能＞＞
絶対反射率測定システム付きの分光光度計Ｖ−６７０（日本分光社製）に、作製した反射層を光源側に向けてセットし、０°入射４５°検出の条件で、４５°における反射性能の高さを評価した。
４５°における反射性能は、横軸が波長、縦軸が反射率のグラフを作成し、基板に由来する反射率を除去した上で、反射層（コレステリック液晶相）の選択反射波長に相当する５００〜６５０ｎｍの領域における反射ピークの面積を算出し、この面積の大きさを、４５°における反射量として評価した。

結果を下記の表６に示す。

表６に示されるように、内部に波状構造を有し、かつ、表面凹凸を有する本発明の反射層は、内部の波状構造および表面凹凸を有さない比較例４の反射層に比して、高い拡散反射性を有する。
また、拡散反射性は、表面凹凸の高さが高いほど、優れている。すなわち、コレステリック液晶相による反射は、表面よりも、内部での反射が支配的になる。前述のように、反射層３０の内部に大きな波状構造を有すると、表面にも、その凹凸が伝わって、反射層３０の表面の形状が凹凸になる。言い換えれば、表面に凹凸が形成される場合には、内部の波状構造も大きくなる。その結果、表面の凹凸が大きい反射層ほど、良好な拡散反射性を有する。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。

１０ 基板
１２ａ コレステリック液晶相状態の組成物の層
１２ｂ 波状構造を有する層
１４ 明部
１６ 暗部
２０ 光源
２２ サンプル
２４ 検出器
３０ 反射層

Claims (19)

1. 液晶化合物およびキラル剤を含む組成物を基板上に塗布し、塗布された前記組成物を加熱して前記液晶化合物を配向させてコレステリック液晶相の状態とする工程１と、
   コレステリック液晶相の状態の前記組成物に含まれる前記キラル剤の螺旋誘起力が５％以上上昇するように、前記組成物を冷却または加熱して、反射層を形成する工程２と、を有する反射層の製造方法。
2. 前記工程２において、前記キラル剤の螺旋誘起力が１０％以上上昇するように、前記組成物を冷却または加熱する、請求項１に記載の反射層の製造方法。
3. 前記工程１で形成した塗布層の断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部および暗部を、前記基板と平行ではない状態に変化させるように、前記工程２において前記組成物を冷却または加熱する、請求項１または２に記載の反射層の製造方法。
4. 前記工程１で形成した塗布層の断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状になるように、前記工程２において前記組成物を冷却または加熱する、請求項３に記載の反射層の製造方法。
5. 前記液晶化合物が、重合性基を有する液晶化合物であり、
   前記工程２の際に、前記組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定化してなる反射層を形成する、または、
   前記工程２の後に、前記組成物に硬化処理を施し、コレステリック液晶相を固定化してなる反射層を形成する工程３をさらに有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
6. 前記工程２におけるコレステリック液晶相の固定化、または、前記工程３におけるコレステリック液晶相の固定化は、前記組成物の冷却または加熱を行った後の構造を固定化するものである、請求項５に記載の反射層の製造方法。
7. 前記工程２におけるコレステリック液晶相の固定化、または、前記工程３におけるコレステリック液晶相の固定化を、光照射による重合反応で行う、請求項５または６に記載の反射層の製造方法。
8. 前記光照射による重合反応がラジカル重合反応である、請求項７に記載の反射層の製造方法。
9. 前記工程２において、前記キラル剤の螺旋誘起力が１２％以上上昇するように、前記組成物を冷却または加熱する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
10. 前記工程２において、前記組成物の温度が３０℃以上下がるように、前記組成物を冷却する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
11. 前記基板上に塗布された前記組成物の膜厚が０．１〜２０μｍである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
12. 前記工程２において、前記キラル剤の螺旋誘起力が２０以上となるように、前記組成物を冷却または加熱する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
13. 前記組成物を構成する化合物の１以上が複数の重合性基を有し、
    前記組成物における、前記複数の重合性基を有する化合物の総含有量が、前記組成物中の全固形分に対して、８０質量％以上である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
14. 前記液晶化合物およびキラル剤を含む組成物が、さらに、配向制御剤を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
15. 前記工程２において、最大値が毎秒１℃以上となる冷却速度で前記組成物を冷却する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の反射層の製造方法。
16. コレステリック液晶相を固定化してなる反射層であって、
    前記反射層の断面において、前記コレステリック液晶相に由来する明部および暗部が波状であり、
    かつ、表面に、前記反射層の断面の明部および暗部の波と位相が異なる、周期的な凹凸を有する、反射層。
17. 前記表面の凹凸が、前記コレステリック液晶相の配向の変化によって形成されたものである、請求項１６に記載の反射層。
18. 前記表面の凹凸のピッチが０．５〜１０μｍである、請求項１６または１７に記載の反射層。
19. 前記表面の凹凸の高さが１〜５００ｎｍである、請求項１６〜１８のいずれか１項に記載の反射層。