JP6744078B2

JP6744078B2 - Crystal oscillator

Info

Publication number: JP6744078B2
Application number: JP2015181380A
Authority: JP
Inventors: 英紀芦沢; 水本　勝也; 勝也水本; 義則木下; 佑亮山形; 大健今; 雅樹宮川
Original assignee: River Eletec Corp
Current assignee: River Eletec Corp
Priority date: 2015-09-15
Filing date: 2015-09-15
Publication date: 2020-08-19
Anticipated expiration: 2035-09-15
Also published as: JP2017059918A

Description

本発明は、各種の振動モードからなる水晶振動片を有する振動体と、この振動体を封止する一対の封止体とからなる水晶振動子に関するものである。 The present invention includes a vibrating body having a quartz crystal resonator element comprising various vibration modes, but about the crystal oscillator consisting of a pair of sealing body which seals the vibrator.

従来の一般的な水晶振動子は、所定の振動モード及び形状からなる水晶振動片と、この水晶振動片を収容するセラミック製のケース及び前記水晶振動片を封止する金属製の蓋体とによって形成されている。前記水晶振動片は、振動腕部を保持する基端部が前記ケース内に設けられている電極部に導電性の接合剤を介して電気的に接続される。 A conventional general crystal resonator includes a crystal vibrating piece having a predetermined vibration mode and a shape, a ceramic case that houses the crystal vibrating piece, and a metal lid that seals the crystal vibrating piece. Has been formed. The quartz crystal vibrating piece has a base end portion that holds the vibrating arm portion electrically connected to an electrode portion provided in the case via a conductive bonding agent.

一方、前記水晶振動片を水晶ウェハからエッチング等によって形成された振動体と、この振動体を挟持することによって前記水晶振動片を封入する一対のウェハ状の封止体とを一体的に形成するウェハレベルパッケージによって製造された水晶振動子が知られている。 On the other hand, a vibrating body formed by etching the crystal vibrating piece from a quartz wafer and a pair of wafer-shaped sealing bodies that enclose the crystal vibrating piece by sandwiching the vibrating body are integrally formed. A crystal unit manufactured by a wafer level package is known.

特許文献１，２には上記ウェハレベルパッケージによって形成された水晶振動子が開示されている。このウェハレベルパッケージによる水晶振動子は、各種振動モードの水晶振動片及びこの水晶振動片を囲うようにして一端が支持される支持枠とからなる振動体と、前記水晶振動片を封入する一対の封止体とを水晶ウェハからエッチング等によって打ち抜き形成し、前記振動体を一対の封止体で挟み込んで積層することによって形成されている。 Patent Documents 1 and 2 disclose crystal oscillators formed by the wafer level package. This crystal oscillator using a wafer level package includes a vibrating body including a crystal vibrating piece of various vibration modes and a support frame having one end supported so as to surround the crystal vibrating piece, and a pair of a vibrating piece that encloses the crystal vibrating piece. It is formed by punching a sealing body from a quartz wafer by etching or the like, and sandwiching and laminating the vibrating body with a pair of sealing bodies.

特開２００４−３２８４４２号公報JP, 2004-328442, A 特許第４７０７０２１号公報Japanese Patent No. 4707021

上記ウェハレベルパッケージによって形成される水晶振動子は、一枚の水晶ウェハから一括して大量の水晶振動子を製造できるので、製造工数及び製造コストの低廉化や水晶振動子自体の小型化及び薄型化が図られるといった利点を有したものとなっている。 The crystal unit formed by the above wafer level package can manufacture a large number of crystal units at once from a single crystal wafer. Therefore, the number of manufacturing steps and the manufacturing cost can be reduced, and the crystal unit itself can be made small and thin. It has the advantage that it can be realized.

このようなウェハレベルパッケージにあっては、振動体の支持枠に水晶振動片との電気的接続を図る内部電極が形成されるが、前記振動体を一対の封止体で挟み込んで形成されるため、前記内部電極の厚み分しか外部に露出しないこととなる。このため、外部に設けられる外部電極を介して前記内部電極との電気的接続を図る場合、従来の水晶振動子の構造では振動体の内部電極とスパッタリング等で形成された外部電極との接触部分が前記内部電極の厚みと略同じ１０００Å〜２０００Åほどしかないため、導通不良が発生したり、接続部分の電気抵抗値が高くなったりするなどの電気的特性に問題が生じる場合があった。 In such a wafer level package, an internal electrode for electrically connecting to the crystal vibrating piece is formed on the supporting frame of the vibrating body, which is formed by sandwiching the vibrating body with a pair of sealing bodies. Therefore, only the thickness of the internal electrode is exposed to the outside. Therefore, when electrical connection is made with the internal electrode via an external electrode provided outside, in the structure of the conventional crystal unit, the contact portion between the internal electrode of the vibrating body and the external electrode formed by sputtering or the like. However, since it is only about 1000 Å to 2000 Å, which is approximately the same as the thickness of the internal electrode, there may be a problem in electrical characteristics such as a conduction failure or a high electrical resistance value of the connection portion.

前記内部電極の引き回しに関しては、従来であれば、基板にスルーホール配線を形成し、励振電極から延びた引出電極と外部端子を接続する方法がとられる。しかしながら、パッケージサイズが小さくなるにしたがって、スルーホールの形成が困難となる。このように、スルーホール形成の工程に時間とコストがかかると共に強度面において問題があった。 Regarding the routing of the internal electrodes, conventionally, a method of forming through-hole wiring on the substrate and connecting the extraction electrode extending from the excitation electrode to the external terminal is adopted. However, as the package size becomes smaller, it becomes more difficult to form through holes. As described above, the step of forming the through hole requires time and cost, and there is a problem in strength.

振動体の封止に関しては、水晶振動片を真空に近い状態にする必要がある。このため、上記特許文献１では、封止体の一部に通気孔を予め設けておき、減圧環境下で振動体を一対の封止体で接合した後に、前記通気孔を外側から閉塞することで前記水晶振動片を気密封止している。一方、上記特許文献２では、振動体や封止体の一部に通気孔を設け、前記封止体で振動体を接合した後に、前記通気孔を半田やスズ等で閉塞している。しかしながら、ウェハ状の振動体や封止体に対して直接通気孔を開設しようとすると、変形やクラック等が生じるといった問題があった。また、前記通気孔を後から閉塞させるための部材が必要となるなど、別途材料費や工数がかかるといった問題があった。 Regarding the sealing of the vibrating body, it is necessary to bring the quartz crystal vibrating piece into a state close to a vacuum. For this reason, in the above-mentioned Patent Document 1, a ventilation hole is previously provided in a part of the sealing body, and after connecting the vibrating body with the pair of sealing bodies in a reduced pressure environment, the ventilation hole is closed from the outside. The airtightly seals the crystal vibrating piece. On the other hand, in Patent Document 2 described above, a ventilation hole is provided in a part of the vibrating body or the sealing body, and after the vibrating body is joined by the sealing body, the ventilation hole is closed with solder or tin. However, there is a problem that deformation and cracks occur when an air hole is directly opened in a wafer-shaped vibrating body or a sealing body. Further, there is a problem in that a material for closing the vent hole later is required, which requires additional material costs and man-hours.

また、従来のウェハレベルパッケージの製造工程にあっては、振動体及び一対の封止体をダイシングで小片に分割した後に端子形成を行い、外部電極によって振動体と封止体との導通を確保する際、ダイシングによるクラックや汚れあるいはダイシングカスによって、真空引き用の通気路や振動体と外部端子との導通部分が目詰まりするなど端子形成の際の真空度の確保が難しく、導通不良が起こりやすいといった問題がある。また、パッケージが小片に分割されてしまうため、後工程（スパッタリング、周波数調整）を小片で行う必要があり、製造工数が増加するといった問題もあった。 Also, in the conventional wafer level package manufacturing process, the vibrating body and the pair of sealing bodies are divided into small pieces by dicing and then terminals are formed, and electrical continuity between the vibrating body and the sealing body is secured by external electrodes. When doing so, it is difficult to secure the degree of vacuum when forming terminals, such as cracks or dirt due to dicing, or dicing debris that clogs the ventilation passages for vacuuming or the conductive parts between the vibrating body and external terminals. There is a problem that it is easy. Further, since the package is divided into small pieces, it is necessary to perform the post-process (sputtering, frequency adjustment) with the small pieces, and there is a problem that the number of manufacturing steps increases.

そこで、本発明の目的は、各種の振動モードからなる水晶振動片を有する振動部を一対の封止体によって容易且つ確実に気密封止することができると共に、前記水晶振動片と外部との電気的接続の向上化を図ることのできる水晶振動子を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to easily and surely hermetically seal a vibrating portion having a crystal vibrating piece having various vibration modes with a pair of sealing bodies, and to electrically connect the crystal vibrating piece and the outside. It is to provide a crystal unit capable of improving the electrical connection.

上記課題を解決するために、本発明の水晶振動子は、水晶振動片とこの水晶振動片の少なくとも一端を支持する支持枠とからなる振動体と、前記支持枠の上下面にそれぞれ接合される当接面及び内側に凹部を有する一対の封止体とを有し、前記支持枠の上下面のそれぞれに前記水晶振動片を囲うように形成される導電層を介して前記一対の封止体の当接面が接合され、接合された前記振動体及び一対の封止体の側面に露出する前記導電層の側面を覆うようにして外部電極が被覆形成される水晶振動子であって、前記一対の封止体は、各封止体の一の側面が内側に向けて傾斜され、支持枠の上下面に一対の封止体の各当接面を接合した際には、支持枠の上面に形成された導電層の上面の一端及び支持枠の下面に形成された導電層の下面の一端が前記各当接面からそれぞれ露出し、前記各当接面から露出した支持枠の上面に形成された導電層の上面の一端及び支持枠の下面に形成された導電層の下面の一端が前記外部電極によって被覆されていることを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems, a crystal resonator of the present invention is joined to a vibrating body including a crystal vibrating piece and a support frame that supports at least one end of the crystal vibrating piece, and the upper and lower surfaces of the support frame, respectively. A pair of sealing bodies having a contact surface and a concave portion inside, and the pair of sealing bodies via conductive layers formed so as to surround the crystal vibrating piece on each of the upper and lower surfaces of the support frame. A contact surface of the quartz crystal is joined, and the external electrode is formed so as to cover the side surface of the conductive layer exposed on the side surfaces of the joined vibrating body and the pair of sealing bodies. The pair of sealing bodies has one side surface of each sealing body inclined inward, and when the abutting surfaces of the pair of sealing bodies are joined to the upper and lower surfaces of the supporting frame, the upper surface of the supporting frame is One end of the upper surface of the conductive layer formed on the lower surface of the support frame and one end of the lower surface of the conductive layer formed on the lower surface of the support frame are exposed from the contact surfaces, respectively, and are formed on the upper surface of the support frame exposed from the contact surfaces. One end of the upper surface of the conductive layer and one end of the lower surface of the conductive layer formed on the lower surface of the support frame are covered with the external electrode.

本発明の水晶振動子によれば、振動体と一対の封止体とを導電層を介して接合させる際、前記導電層の側面及び上下面の一端が露出することで、この露出した部分を外部電極の電気的な接続面とすることができる。これによって、小型化及び薄型化が進む水晶振動子の外部電極形成が容易になると共に、前記振動体に対して良好な導電性を得ることができる。 According to the crystal resonator of the present invention, when the vibrating body and the pair of sealing bodies are bonded to each other via the conductive layer, one end of the side surface and one of the upper and lower surfaces of the conductive layer is exposed, so that the exposed portion is removed. It can be an electrical connection surface of the external electrode. This facilitates the formation of external electrodes of a crystal resonator, which is becoming smaller and thinner, and also provides good conductivity to the vibrating body.

また、前記振動体と一対の封止体とを接合する導電層に通気路を設けた場合にあっては、振動体や一対の封止体に孔部を設けるような加工を要することなく、一対の封止体によって接合された凹部内の空気を外部に抜くことができる。また、前記振動体及び封止体の一側面において前記通気路の一端部を閉塞することで、前記振動体や封止体に変形やクラック等を生じさせることなく、容易且つ確実に振動体を気密封止することができる。 Further, in the case where the ventilation path is provided in the conductive layer that joins the vibrating body and the pair of sealing bodies, it is not necessary to perform processing such as providing a hole in the vibrating body or the pair of sealing bodies, Air in the recess joined by the pair of sealing bodies can be discharged to the outside. In addition, by closing one end of the ventilation path on one side surface of the vibrating body and the sealing body, the vibrating body can be easily and reliably formed without causing deformation or cracks in the vibrating body or the sealing body. It can be hermetically sealed.

本発明の第１実施形態の水晶振動子の分解斜視図である。It is an exploded perspective view of the crystal oscillator of a 1st embodiment of the present invention. 上記水晶振動子を構成する振動体及び一対の封止体の積層構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the laminated structure of the vibrating body and a pair of sealing bodies which comprise the said crystal oscillator. 外部電極を設けた水晶振動子の斜視図である。It is a perspective view of a crystal oscillator provided with an external electrode. 外部電極を設けた水晶振動子の断面図である。It is sectional drawing of the crystal oscillator which provided the external electrode. 振動体及び一対の封止体に形成される内部（接続）電極の形成例を示す平面図である。It is a top view showing an example of formation of an internal (connection) electrode formed in a vibrating body and a pair of sealing bodies. 上記内部電極及び外部電極が形成された水晶振動子の断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view of a crystal unit in which the internal electrode and the external electrode are formed. 段差を有して接合される振動体及び一対の封止体の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a vibrating body and a pair of sealing bodies that are joined together with a step. 集合振動基板及び一対の集合封止基板の形成工程を示す平面図である。It is a top view which shows the formation process of a collective vibration substrate and a pair of collective sealing substrate. 集合振動基板及び一対の集合封止基板の積層工程及び外部電極形成工程を示す斜視図である。It is a perspective view showing a lamination process of a collective vibration substrate and a pair of collective sealing substrates, and an external electrode formation process. 本発明の第２実施形態の水晶振動子の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the crystal oscillator of 2nd Embodiment of this invention. 上記水晶振動子を構成する振動体及び一対の封止体の積層構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the laminated structure of the vibrating body and a pair of sealing bodies which comprise the said crystal oscillator. 外部電極を設けた水晶振動子の斜視図である。It is a perspective view of a crystal oscillator provided with an external electrode. 外部電極を設けた水晶振動子の断面図である。It is sectional drawing of the crystal oscillator which provided the external electrode. 振動体及び一対の封止体に形成される内部（接続）電極の形成例を示す平面図である。It is a top view showing an example of formation of an internal (connection) electrode formed in a vibrating body and a pair of sealing bodies. 上記外部電極とは別の封止部材によって通気路を閉塞した水晶振動子の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a crystal unit in which a ventilation path is closed by a sealing member different from the external electrode. 振動体の他の実施形態の平面図である。It is a top view of other embodiments of a vibrating body.

以下、本発明の水晶振動子の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１乃至図６は、第１実施形態の水晶振動子１１を示したものである。この水晶振動子１１は、ウェハ状の振動体１２と、この振動体１２を表裏両面から挟み込んで封止する一対のウェハ状の封止体１３，１４との三層構造によって構成されている。この水晶振動子１１は、後述するように所定のカット角で形成された水晶ウェハをエッチング及びダイシングすることによって、前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４を形成し、減圧環境下においてそれぞれが所定厚みの導電性の金属膜からなる導電層３０を介して溶接接合されている。 Hereinafter, an embodiment of a crystal oscillator of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 to 6 show a crystal resonator 11 according to the first embodiment. The crystal unit 11 has a three-layer structure including a wafer-shaped vibrating body 12 and a pair of wafer-shaped encapsulating bodies 13 and 14 that sandwich and enclose the vibrating body 12 from both sides. The crystal oscillator 11 forms the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14 by etching and dicing a crystal wafer formed at a predetermined cut angle as described later, and is under a reduced pressure environment. Each of them is welded and joined through a conductive layer 30 made of a conductive metal film having a predetermined thickness.

前記水晶ウェハは、電気軸をＸ軸、機械軸をＹ軸、光軸をＺ軸とした水晶原石の直交座標系において、Ｚ軸平面から約１°Ｘ軸回転させたカット角で板状に薄くスライスすることによって形成される。そして、この水晶ウェハに対してフォトリソ工程によってマスクパターンを形成し、水晶エッチングを施すことによって、基部１８と、この基部１８から平行に延びる一対の振動腕部１９とからなる音叉型の水晶振動片１５と、この水晶振動片１５の外周を取り囲む四角形状の支持枠１６と、この支持枠１６の一端と前記基部１８の一端とを連結する連結部１７とからなる振動体１２が形成される。前記振動腕部１９は、厚みが５０〜２００μｍで、振動周波数に応じて長さ及び幅が設定される。また、一対の封止体１３，１４も同様に、エッチングによって、四角形状の当接面２１と、前記水晶振動片１５を収容するための凹部２３が形成される。なお、前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４の形状は、微細加工に適したレーザやパウダービームを用いた切断や打ち抜きによって形成することもできる。 The quartz wafer is formed into a plate shape with a cut angle obtained by rotating the quartz crystal roughly 1° from the Z-axis plane in the orthogonal coordinate system of the rough quartz crystal with the electrical axis as the X axis, the mechanical axis as the Y axis, and the optical axis as the Z axis. It is formed by slicing thinly. Then, a mask pattern is formed on this crystal wafer by a photolithography process, and crystal etching is performed to make a tuning fork type crystal vibrating piece composed of a base portion 18 and a pair of vibrating arm portions 19 extending in parallel from the base portion 18. A vibrating body 12 is formed of a support frame 16 having a rectangular shape that surrounds the outer periphery of the crystal vibrating piece 15, and a connecting portion 17 that connects one end of the supporting frame 16 and one end of the base portion 18. The vibrating arm portion 19 has a thickness of 50 to 200 μm, and the length and width are set according to the vibration frequency. Similarly, the pair of sealing bodies 13 and 14 are also etched to form a rectangular contact surface 21 and a recess 23 for accommodating the crystal vibrating piece 15. The shapes of the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14 can also be formed by cutting or punching using a laser or a powder beam suitable for fine processing.

前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４の接合は、支持枠１６の両面及び一対の当接面２１の各全周面に形成された導電層３０同士を当接した後、溶着することによって行われる。 The vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14 are joined to each other by welding the conductive layers 30 formed on both surfaces of the support frame 16 and on the entire circumferential surfaces of the pair of contact surfaces 21. Done by.

本実施形態では、図１乃至図６に示したように、前記一対の封止体１３，１４の少なくとも一の側面１３ａ，１４ａを振動体１２に向かうように内側に向けて傾斜させた。これによって、前記側面１３ａ，１４ａ以外の他の側面を前記振動体１２の支持枠１６の側面に合わせて接合した際、前記封止体１３の側面１３ａ側には、導電層３０の側面３０ａと、上面３０ｂの一端を露出させることができる。また、前記封止体１４の側面１４ａ側には、導電層３０の側面３０ａと、下面３０ｃの一端を露出させることができる。その結果、図３及び図４に示したように、水晶振動子１１の外周面に沿って一対の外部電極２５ａ，２５ｂをスパッタリング等によって形成する際、前記導電層３０の側面３０ａから上面３０ｂ又は下面３０ｃの一端に沿って被覆させることができる。 In this embodiment, as shown in FIGS. 1 to 6, at least one side surface 13a, 14a of the pair of sealing bodies 13, 14 is inclined inward toward the vibrating body 12. Thus, when the side surfaces other than the side surfaces 13a and 14a are joined to the side surface of the support frame 16 of the vibrating body 12 and joined, the side surface 13a of the sealing body 13 and the side surface 30a of the conductive layer 30 are formed. , One end of the upper surface 30b can be exposed. In addition, on the side surface 14a side of the sealing body 14, the side surface 30a of the conductive layer 30 and one end of the lower surface 30c can be exposed. As a result, as shown in FIGS. 3 and 4, when the pair of external electrodes 25a and 25b are formed along the outer peripheral surface of the crystal unit 11 by sputtering or the like, the side surface 30a of the conductive layer 30 to the upper surface 30b or It can be coated along one end of the lower surface 30c.

前記導電層３０の側面３０ａは、導電層３０を形成する金属材料の厚みに依存するため、この厚み分だけでは外部電極２５ａ，２５ｂとの電気的接続が十分ではないが、前記封止体１３，１４の一部の側面１３ａ，１４ａを傾斜させることによって、導電層３０の上面３０ｂ及び下面３０ｃの一端についても電気的接続面とすることが可能となった。これによって、外部電極２５ａ，２５ｂと導電層３０との接触面積が増し、電気的な接触不良を防止することができると共に、この導電層３０と電気的に接続される水晶振動片１５に安定した電力を供給することができる。また、前記外部電極２５ａ，２５ｂと電気的な接合部分が導電層３０の側面３０ａから上面３０ｂ及び下面３０ｃの一端に広がるので、接合部分の電気抵抗が低減し、水晶振動片１５における等価直列抵抗の低減効果も得られる。 Since the side surface 30a of the conductive layer 30 depends on the thickness of the metal material forming the conductive layer 30, this thickness alone does not provide sufficient electrical connection with the external electrodes 25a and 25b. By inclining the side surfaces 13a, 14a of a part of the conductive layers 30, 14, it is possible to make one end of the upper surface 30b and the lower surface 30c of the conductive layer 30 electrically connected. As a result, the contact area between the external electrodes 25a and 25b and the conductive layer 30 is increased, electrical contact failure can be prevented, and the crystal vibrating piece 15 electrically connected to the conductive layer 30 is stabilized. Power can be supplied. In addition, since the electrically connected portion with the external electrodes 25a and 25b spreads from the side surface 30a of the conductive layer 30 to one end of the upper surface 30b and the lower surface 30c, the electrical resistance of the connected portion is reduced, and the equivalent series resistance of the crystal vibrating piece 15 is reduced. Can also be obtained.

前記一対の封止体１３，１４は、図８に示すように、一対の集合封止基板４３，４４からウェットエッチングによって抜き加工をする際に、エッチング速度の異方性を利用することができる。このエッチング速度の異方性によって、エッチングの深さ方向に対して傾斜した側面１３ａ，１４ａを形成することができる。このウェットエッチングは、前記封止体１３，１４の傾斜したい側面に対して行えばよく、他の側面については、ダイシングによって切断することができる。 As shown in FIG. 8, the pair of sealing bodies 13 and 14 can utilize the anisotropy of etching rate when punching the pair of collective sealing substrates 43 and 44 by wet etching. .. Due to the anisotropy of the etching rate, it is possible to form the side surfaces 13a and 14a that are inclined with respect to the etching depth direction. This wet etching may be performed on the side surfaces of the sealing bodies 13 and 14 that are desired to be inclined, and the other side surfaces can be cut by dicing.

前記ウェットエッチングによって傾斜加工した側面１３ａ，１４ａに沿うようにスパッタリング、メッキあるいはハンダ等を施すことによって外部電極２５ａ，２５ｂを形成することができる。 The external electrodes 25a and 25b can be formed by performing sputtering, plating, soldering, or the like along the side surfaces 13a and 14a inclined by the wet etching.

前記導電層３０は、一対の外部電極２５ａ，２５ｂと振動体１２内の水晶振動片１５に形成される一対の励振電極との電気的接続を図るための内部電極として形成されている。図５は前記内部電極の構成例を示したものであり、図６は前記内部電極の断面構成を示したものである。ここで、図５（ａ）は振動体１２の支持枠１６の上面と、この上面に対向する封止体１３の当接面２１とを見開きで示したものであり、図５（ｂ）は振動体１２の支持枠１６の下面と、この下面に対向する封止体１４の当接面２１とを見開きで示したものである。前記振動体１２における水晶振動片１５の表面には、基部１８から一対の振動腕部１９にかけて一対の励振電極３１ａ，３１ｂがパターン形成されている。なお、この実施形態では支持枠１６の上下面及びこの上下面に接合される一対の封止体１３，１４の各当接面２１の両方に、それぞれ導電層３０を設けているが、一対の封止体１３，１４のそれぞれの当接面２１に形成される導電層３０は支持枠１６及び外部電極２５ａ，２５ｂとの接合に寄与するものであるので、前記導電層３０は少なくとも支持枠１６の上下面に形成されていればよい。 The conductive layer 30 is formed as an internal electrode for electrically connecting the pair of external electrodes 25a and 25b to the pair of excitation electrodes formed on the crystal vibrating piece 15 in the vibrating body 12. FIG. 5 shows a configuration example of the internal electrode, and FIG. 6 shows a cross-sectional configuration of the internal electrode. Here, FIG. 5A is a plan view of the upper surface of the support frame 16 of the vibrating body 12 and the contact surface 21 of the sealing body 13 facing the upper surface, and FIG. The lower surface of the support frame 16 of the vibrating body 12 and the contact surface 21 of the sealing body 14 facing the lower surface are shown in a spread manner. On the surface of the crystal vibrating piece 15 of the vibrating body 12, a pair of excitation electrodes 31a and 31b are patterned from the base portion 18 to the pair of vibrating arm portions 19. In this embodiment, the conductive layer 30 is provided on both the upper and lower surfaces of the support frame 16 and the contact surfaces 21 of the pair of sealing bodies 13 and 14 joined to the upper and lower surfaces thereof, respectively. Since the conductive layer 30 formed on each contact surface 21 of the sealing bodies 13 and 14 contributes to the bonding between the support frame 16 and the external electrodes 25a and 25b, the conductive layer 30 is at least the support frame 16. It may be formed on the upper and lower surfaces of the.

前記水晶振動片１５を囲う支持枠１６の上面には、前記それぞれの励振電極３１ａ，３１ｂと対応する第１の内部電極３２ａ，第２の内部電極３２ｂが支持枠１６の一対の対向する側面に沿って設けられる絶縁部３４を隔てて形成されている（図５（ａ））。なお、前記第２の内部電極３２ｂは、支持枠１６の一方の側面１６ｂに露出させるためだけに設けられる。 A first inner electrode 32a and a second inner electrode 32b corresponding to the respective excitation electrodes 31a and 31b are provided on a pair of opposite side surfaces of the support frame 16 on the upper surface of the support frame 16 surrounding the crystal vibrating piece 15. It is formed so as to separate the insulating portion 34 provided along it (FIG. 5A). The second internal electrode 32b is provided only to expose the one side surface 16b of the support frame 16.

一方、前記支持枠１６の裏面には、前記励振電極３１ａ，３１ｂと対応する第１の内部電極３２ａ，第２の内部電極３２ｂが支持枠１６の一対の対向する側面に沿って設けられる絶縁部３４を隔てて形成されている（図５（ｂ））。なお、前記第１の内部電極３２ａは、支持枠１６の他方の側面１６ａに露出させるためだけに設けられる。 On the other hand, on the back surface of the support frame 16, an insulating portion in which a first internal electrode 32a and a second internal electrode 32b corresponding to the excitation electrodes 31a and 31b are provided along a pair of opposing side surfaces of the support frame 16. It is formed by separating 34 (FIG. 5B). The first internal electrode 32a is provided only to be exposed on the other side surface 16a of the support frame 16.

図５（ａ）に示したように、前記支持枠１６の表面に対応する封止体１３の当接面２１には、この支持枠１６の表面に形成されている第１の内部電極３２ａ，第２の内部電極３２ｂと面対称となるような第１の内部電極３３ａ，第２の内部電極３３ｂがパターン形成される。また、図５（ｂ）に示したように、前記支持枠１６の裏面に対応する封止体１４の当接面２１には、支持枠１６の裏面に形成されている第１の内部電極３２ａ，第２の内部電極３２ｂと面対称となるような第１の内部電極３３ａ，第２の内部電極３３ｂがパターン形成される。 As shown in FIG. 5A, on the contact surface 21 of the sealing body 13 corresponding to the surface of the support frame 16, the first internal electrodes 32 a formed on the surface of the support frame 16, The first internal electrode 33a and the second internal electrode 33b are patterned so as to be plane-symmetrical to the second internal electrode 32b. Further, as shown in FIG. 5B, the contact surface 21 of the sealing body 14 corresponding to the back surface of the support frame 16 has a first internal electrode 32 a formed on the back surface of the support frame 16. , The first inner electrode 33a and the second inner electrode 33b are patterned so as to be plane-symmetrical to the second inner electrode 32b.

図７は、上記封止体１３，１４の他の実施形態を示したものである。この実施形態の水晶振動子は、封止体１３，１４の外形サイズを支持枠１６よりも小さく形成することによって、側面１３ａ，１４ａ側に段差を有した状態で積層したものである。このような段差を設けたことで、前記導電層３０の側面３０ａから上面３０ｂ及び下面３０ｃの一端に接するようにして一対の外部電極２５ａ，２５ｂを被覆形成することができる。 FIG. 7 shows another embodiment of the sealing bodies 13 and 14. In the crystal unit of this embodiment, the outer sizes of the sealing bodies 13 and 14 are formed smaller than that of the support frame 16 so that the side surfaces 13a and 14a are stepped and stacked. By providing such a step, the pair of external electrodes 25a and 25b can be formed so as to be in contact with the side surface 30a of the conductive layer 30 and one end of the upper surface 30b and the lower surface 30c.

振動体１２と一対の封止体１３，１４との積層構造において、外周面に露出する導電層３０の側面３０ａだけで外部電極２５ａ，２５ｂとの電気的接続を図ろうとすると、十分な導電性が得られないが、上記図１乃至図７に示したような構成にすることによって、外部電極２５ａ，２５ｂから導電層３０を経て水晶振動片１５の励振電極に至る間の導電性を向上させることが可能となる。また、前記一対の外部電極２５ａ，２５ｂと導電層３０との機械的な接合強度が高まるので、外部からの衝撃や外部環境等による導電不良や導通不良なども起こり難くなる。 In the laminated structure of the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14, sufficient electrical conductivity is obtained if an attempt is made to electrically connect to the external electrodes 25a and 25b only by the side surface 30a of the conductive layer 30 exposed on the outer peripheral surface. However, with the structure shown in FIGS. 1 to 7, the conductivity between the external electrodes 25a and 25b, the conductive layer 30, and the excitation electrode of the quartz crystal vibrating piece 15 is improved. It becomes possible. In addition, since the mechanical bonding strength between the pair of external electrodes 25a and 25b and the conductive layer 30 is increased, it is less likely that a conductive failure or a conductive failure due to an external impact or an external environment will occur.

図８及び図９は、上記実施形態の水晶振動子１１の製造方法を示したものである。この水晶振動子１１は、複数の振動体１２が形成される集合振動基板４２と、複数の封止体１３，１４が形成される一対の集合封止基板４３，４４とによって形成される。 8 and 9 show a method of manufacturing the crystal unit 11 of the above embodiment. The crystal resonator 11 is formed by a collective vibration substrate 42 on which a plurality of vibrators 12 are formed and a pair of collective sealing substrates 43 and 44 on which a plurality of seal bodies 13 and 14 are formed.

前記集合振動基板４２には、四角形状の支持枠１６と、この支持枠１６の内側に連結部１７を介して延びる音叉型の水晶振動片１５とからなる振動体１２が複数配列される。前記それぞれの振動体形成領域は、フォトリソ工程によって形成されたマスクパターンを介して水晶エッチングを施すことによって打ち抜き形成されると共に、前記水晶振動片１５の表面に一対の励振電極が形成され、前記支持枠１６の表裏面には前記一対の励振電極と電気的に接続される内部電極がパターン形成される。 On the collective vibration substrate 42, a plurality of vibrating bodies 12 each including a rectangular support frame 16 and a tuning-fork type crystal vibrating piece 15 extending inside the support frame 16 via a connecting portion 17 are arranged. The respective vibrating body forming regions are punched and formed by performing quartz etching through a mask pattern formed by a photolithography process, and a pair of excitation electrodes are formed on the surface of the quartz vibrating reed 15. Internal electrodes that are electrically connected to the pair of excitation electrodes are patterned on the front and back surfaces of the frame 16.

一方、一対の集合封止基板４３，４４には、前記支持枠１６に対応する当接面２１と、この当接面２１の内部を所定の深さにエッチングして形成した凹部２３とからなる封止体１３，１４が複数配列される。前記それぞれの封止体形成領域は、フォトリソ工程によって形成されたマスクパターンを介して水晶エッチングを施すことによって打ち抜き形成されている。 On the other hand, the pair of collective sealing substrates 43, 44 includes a contact surface 21 corresponding to the support frame 16 and a recess 23 formed by etching the inside of the contact surface 21 to a predetermined depth. A plurality of sealing bodies 13 and 14 are arranged. The respective sealing body forming regions are punched and formed by performing crystal etching through a mask pattern formed by a photolithography process.

また、前記集合振動基板４２に形成される各支持枠１６及び一対の集合封止基板４３，４４に形成される各当接面２１の対向する辺の外側に沿って所定幅の貫通孔４５がそれぞれ形成される。この貫通孔４５は、積層された振動体１２及び一対の封止体１３，１４の外周面に沿って外部電極２５ａ，２５ｂを形成するために設けられるものである。前記外部電極２５ａ，２５ｂは、スパッタリングによって形成される。 Further, through holes 45 having a predetermined width are formed along the outer sides of the opposing sides of the support frames 16 formed on the collective vibration substrate 42 and the contact surfaces 21 formed on the pair of collective sealing substrates 43 and 44. Formed respectively. The through holes 45 are provided to form the external electrodes 25a and 25b along the outer peripheral surfaces of the laminated vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14. The external electrodes 25a and 25b are formed by sputtering.

図９は、真空度が１．０×１０Ｐａ以下の減圧環境下での製造工程を示したものである。このような減圧環境の下で図９（ａ）に示すように、前記支持枠１６の両面と一対の当接面２１とが重なるように位置合わせし、集合振動基板４２を一対の集合封止基板４３，４４で挟み込むようにして積層し、導電層３０を介して溶接接合する。なお、前記導電層３０は、図５及び図６に示したように、一対の内部電極によってパターン形成されるが、ここではそれぞれの内部電極の形状を省略して示す。 FIG. 9 shows a manufacturing process under a reduced pressure environment where the degree of vacuum is 1.0×10 Pa or less. Under such a reduced pressure environment, as shown in FIG. 9A, the both sides of the support frame 16 and the pair of contact surfaces 21 are aligned so as to overlap each other, and the collective vibration substrate 42 is paired and sealed. The substrates 43 and 44 are laminated so as to be sandwiched between the substrates 43 and 44, and are joined by welding through the conductive layer 30. Although the conductive layer 30 is patterned by a pair of internal electrodes as shown in FIGS. 5 and 6, the shape of each internal electrode is omitted here.

次に、図９（ｂ）に示すように、前記積層された前記集合振動基板４２及び一対の集合封止基板４３，４４の共通する貫通孔４５に対してスパッタリングを施すことによって、支持枠１６及び当接面２１に沿って形成されている導電層３０の側面及び上面あるいは下面の一端と電気的に接続される一対の外部電極２５ａ，２５ｂを形成する。この外部電極２５ａ，２５ｂを形成することによって、水晶振動片１５を気密状態で封止することができる。 Next, as shown in FIG. 9B, the support frame 16 is formed by performing sputtering on the common through holes 45 of the stacked collective vibration substrate 42 and the pair of collective sealing substrates 43 and 44. And a pair of external electrodes 25a, 25b electrically connected to the side surface and one end of the upper surface or the lower surface of the conductive layer 30 formed along the contact surface 21. By forming the external electrodes 25a and 25b, the crystal vibrating piece 15 can be hermetically sealed.

最後に、前記集合振動基板４２及び一対の集合封止基板４３，４４の積層体をダイシングライン４６に沿ってダイシングすることで、図３に示した三層構造の水晶振動子１１を一括して複数製造することができる。 Finally, the laminated body of the collective vibrating substrate 42 and the pair of collective sealing substrates 43 and 44 is diced along a dicing line 46 to collectively form the crystal resonator 11 having the three-layer structure shown in FIG. Multiple products can be manufactured.

次に、第２実施形態の水晶振動子５１の実施形態を図１０乃至図１４に基づいて説明する。この実施形態は、振動体１２に形成されている導電層３０の少なくとも一箇所に、水晶振動片１５が収容される凹部２３を開放するスリット状の通気路２２を形成したものである。図１２及び図１３に示したように、前記通気路２２は、前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４の一対の対向する側面に設けられる外部電極２５ａ，２５ｂのうち一方の外部電極２５ａによって閉塞される。 Next, an embodiment of the crystal oscillator 51 of the second embodiment will be described based on FIGS. 10 to 14. In this embodiment, a slit-shaped air passage 22 that opens a recess 23 in which the crystal vibrating piece 15 is housed is formed in at least one location of the conductive layer 30 formed on the vibrating body 12. As shown in FIGS. 12 and 13, the ventilation path 22 includes one of the external electrodes 25a and 25b provided on the pair of opposed side surfaces of the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14. It is closed by 25a.

次に、前記水晶振動子５１における導電層３０の構成例を図１４に示す。この実施形態では、振動体１２の表面側の支持枠１６に形成される第１の内部電極３２ａの一部を貫くようにスリット状の通気路２２が設けられる。この通気路２２は、支持枠１６の水晶面の一部に筋状パターンが形成されたマスクを施して第１の内部電極３２ａをスパッタリングすることによって形成することができる。また、前記支持枠１６の表面に第１の内部電極３２ａを形成するための薄膜状の金属材料を一様に形成しておいて、後からその金属材料の一部をスリット状に除去することによって形成することもできる。なお、前記通気路２２は、前記振動体１２を一対の封止体１３，１４によって封止した際にその一部が解放可能な位置であれば、前記支持枠１６に形成される第１の内部電極３２ａ，第２の内部電極３２ｂあるいは当接面２１に形成される内部電極３３ａ，３３ｂのどの位置に設けてもよく、また、複数設けてもよい。 Next, FIG. 14 shows a structural example of the conductive layer 30 in the crystal unit 51. In this embodiment, the slit-shaped ventilation passage 22 is provided so as to penetrate a part of the first internal electrode 32a formed on the support frame 16 on the front surface side of the vibrating body 12. The ventilation path 22 can be formed by sputtering a first internal electrode 32a with a mask having a streak pattern formed on a part of the crystal surface of the support frame 16. Further, a thin film metal material for forming the first internal electrode 32a is uniformly formed on the surface of the support frame 16, and a part of the metal material is removed later in a slit shape. It can also be formed by. The ventilation passage 22 is formed in the support frame 16 at a position where a part of the ventilation passage 22 can be released when the vibrating body 12 is sealed by the pair of sealing bodies 13 and 14. The internal electrode 32a, the second internal electrode 32b, or the internal electrodes 33a, 33b formed on the contact surface 21 may be provided at any position, or a plurality of them may be provided.

前記通気路２２を設けることで、振動体１２と一対の封止体１３，１４とを接合した際に、水晶振動片１５が封止されている凹部２３から外部に通じる空気の通り道を確保することができ、これによって、前記凹部２３内を減圧させることができる。この減圧の下、図１２に示したように、前記通気路２２を外側から塞ぐようにして、一対の外部電極２５ａ，２５ｂを形成することで、前記水晶振動片１５を高減圧環境の下で封止することが可能となる。 By providing the ventilation path 22, when the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14 are joined, a passageway for air that communicates with the outside from the recess 23 in which the crystal vibrating piece 15 is sealed is secured. Therefore, the inside of the recess 23 can be depressurized. Under this reduced pressure, as shown in FIG. 12, by forming the pair of external electrodes 25a and 25b so as to block the ventilation passage 22 from the outside, the quartz crystal vibrating piece 15 is placed under a high reduced pressure environment. It becomes possible to seal.

前記通気路２２を塞ぐ外部電極２５ａ，２５ｂは、前述したようにスパッタリングによって形成されるため、その金属成分の一部が通気路２２内に入り込んで電気的及び機械的な接合をより一層高めることができる。 Since the external electrodes 25a and 25b that block the ventilation path 22 are formed by sputtering as described above, a part of the metal component thereof enters the ventilation path 22 to further enhance electrical and mechanical bonding. You can

本実施形態では、前記通気路２２を支持枠１６の表面及び裏面のいずれか一方に設けたが、両方に対向させるなどして複数形成することができる。また、図１５に示すように、前記通気路２２を外部電極２５ａ，２５ｂが形成されていない長辺側の接合面に設けてもよい。この場合は、減圧を行う際に、別の金属膜や樹脂膜等の封止体材２６によって、通気路２２を塞ぐようにする必要がある。 In the present embodiment, the ventilation path 22 is provided on either the front surface or the back surface of the support frame 16, but a plurality of ventilation paths 22 can be formed by facing both. Further, as shown in FIG. 15, the ventilation passage 22 may be provided on the joint surface on the long side where the external electrodes 25a and 25b are not formed. In this case, when the pressure is reduced, it is necessary to block the ventilation path 22 with another sealing material 26 such as a metal film or a resin film.

この第２実施形態の水晶振動子５１によれば、通気路２２を振動体１２と一対の封止体１３，１４との電気的接続を図る導電層３０に形成するため、外部電極２５ａ，２５ｂの形成工程と同時に前記通気路２２を封止することができる。これによって、気密封止をより確実に行うことができると共に、水晶振動片１５に形成されている一対の励振電極との電気的特性を良好に維持することができる。 According to the crystal oscillator 51 of the second embodiment, since the ventilation path 22 is formed in the conductive layer 30 that electrically connects the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14, the external electrodes 25a and 25b are formed. The ventilation path 22 can be sealed at the same time as the step of forming. As a result, it is possible to more reliably perform hermetic sealing, and it is possible to maintain good electrical characteristics with the pair of excitation electrodes formed on the crystal vibrating piece 15.

また、前記導電層３０の一部に通気路２２を設けたことで、前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４に孔開け等の加工を加えることなく、減圧環境の下で容易且つ確実に気密封止を行うことができる。これによって、水晶振動片１５を気密封止する際に、前記振動体１２及び一対の封止体１３，１４に亀裂やクラック等が生じることがないので、所定の振動特性を備えた薄型の水晶振動子を安定的に量産することができる。 In addition, since the ventilation path 22 is provided in a part of the conductive layer 30, the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14 can be easily and easily operated under a reduced pressure environment without performing processing such as punching. Airtight sealing can be reliably performed. As a result, when the crystal vibrating piece 15 is hermetically sealed, cracks or cracks do not occur in the vibrating body 12 and the pair of sealing bodies 13 and 14, so that a thin crystal having predetermined vibration characteristics is provided. The oscillator can be stably mass-produced.

図１６は様々な形状の支持枠６２，７２を有する振動体６１，７１の形成例を示したものである。この振動体６１，７１は、支持枠６２，７２がそれぞれ四角形状の外周部６３，７３と、水晶振動片１５を囲う内周部６４，７４とを有し、前記内周部６４，７４を曲面形成することによって、前記水晶振動片１５を封入するスペース６５，７５を規制するものである。図１６（ａ）は水晶振動片１５の上端側及び下端側のスペースに余裕を持たせる一方、水晶振動片１５の中央側のスペース６５をすぼめたひょうたん形に形成したものであり、図１６（ｂ）は水晶振動片１５の中央部との間隔に余裕を持たせ、水晶振動片１５の上端側及び下端側に向けて間隔を狭くした卵形に形成したものである。なお、前記振動体６１，７１を挟持する一対の封止体の封止枠に対しても、同様な対応する曲面形状に形成される。 FIG. 16 shows an example of forming vibrating bodies 61 and 71 having support frames 62 and 72 of various shapes. The vibrating bodies 61, 71 have support frames 62, 72 each having a quadrangular outer peripheral portion 63, 73 and inner peripheral portions 64, 74 surrounding the quartz crystal vibrating piece 15, respectively. By forming a curved surface, the spaces 65 and 75 for enclosing the crystal vibrating piece 15 are regulated. FIG. 16(a) is a gourd-shaped one in which the space on the upper end side and the lower end side of the crystal vibrating piece 15 has a margin, while the space 65 on the center side of the crystal vibrating piece 15 is narrowed. In b), a space is provided between the central portion of the crystal vibrating piece 15 and a space is narrowed toward the upper end side and the lower end side of the crystal vibrating piece 15 to form an oval shape. The sealing frames of the pair of sealing bodies sandwiching the vibrating bodies 61, 71 are also formed in the same corresponding curved shape.

上記図１６（ａ），（ｂ）に示した実施形態では、いずれも支持枠６２，７２の内周部６４，７４によって、水晶振動片１５を囲うスペース６５，７５を図１乃至図１５に示した振動体１２に比べて狭くすることができる。これによって、特に、支持枠６２，７２の四隅の面積が広く確保することができるので、水晶振動子が受ける外部からの衝撃に対する変形や破壊を有効に防止することができ、安定した振動モードを維持することができる。また、前記支持枠と重なる一対の封止枠との密接面が広がることで、接合強度が増し、気密封止をより確実に行うことができる。 In the embodiments shown in FIGS. 16(a) and 16(b), spaces 65 and 75 that surround the crystal vibrating piece 15 are formed by the inner peripheral portions 64 and 74 of the support frames 62 and 72 in FIGS. It can be made narrower than the vibrating body 12 shown. As a result, in particular, the four corners of the support frames 62 and 72 can have a large area, so that the crystal resonator can be effectively prevented from being deformed or destroyed by an external impact, and a stable vibration mode can be obtained. Can be maintained. Further, since the contact surface between the support frame and the pair of sealing frames that overlap with each other expands, the bonding strength increases, and the hermetic sealing can be performed more reliably.

１１水晶振動子
１２振動体
１３，１４封止体
１３ａ，１４ａ側面
１５水晶振動片
１６支持枠
１６ａ，１６ｂ側面
１７連結部
１８基部
１９振動腕部
２１当接面
２２通気路
２３凹部
２５ａ，２５ｂ外部電極
２６封止部材
３０導電層
３０ａ側面
３０ｂ上面
３０ｃ下面
３１ａ，３１ｂ励振電極
３２ａ，３３ａ第１の内部電極
３２ｂ，３３ｂ第２の内部電極
３４絶縁部
４２集合振動基板
４３，４４集合封止基板
４５貫通孔
４６ダイシングライン
５１水晶振動子
６１，７１振動体
６２，７２支持枠
６３，７３外周部
６４，７４内周部
６５，７５スペース
Reference Signs List 11 crystal oscillator 12 vibrating body 13,14 sealing body 13a, 14a side surface 15 crystal vibrating piece 16 supporting frame 16a, 16b side surface 17 connecting portion 18 base portion 19 vibrating arm portion 21 abutting surface 22 air passage 23 concave portion 25a, 25b external Electrode 26 Sealing member 30 Conductive layer 30a Side surface 30b Upper surface 30c Lower surface 31a, 31b Excitation electrode 32a, 33a First internal electrode 32b, 33b Second internal electrode 34 Insulating portion 42 Collective vibration substrate 43, 44 Collective sealing substrate 45 Through hole 46 Dicing line 51 Crystal oscillator 61,71 Vibrating body 62,72 Support frame 63,73 Outer peripheral portion 64,74 Inner peripheral portion 65,75 Space

Claims

A vibrating body comprising a crystal vibrating piece and a support frame that supports at least one end of the crystal vibrating piece,
And a pair of sealing bodies having concave portions inside thereof, which are respectively joined to the upper and lower surfaces of the support frame, and are formed so as to surround the crystal vibrating piece on each of the upper and lower surfaces of the support frame. The contact surfaces of the pair of sealing bodies are joined via a conductive layer, and the external electrodes are covered so as to cover the side surfaces of the conductive layer exposed on the side surfaces of the joined vibrating body and the pair of sealing bodies. A crystal unit formed,
The pair of sealing bodies, one side surface of each sealing body is inclined toward the inner side, when the contact surfaces of the pair of sealing bodies are joined to the upper and lower surfaces of the supporting frame, One end of the upper surface of the conductive layer formed on the upper surface and one end of the lower surface of the conductive layer formed on the lower surface of the support frame are respectively exposed from the contact surfaces, and on the upper surface of the support frame exposed from the contact surfaces. A crystal resonator, wherein one end of the upper surface of the formed conductive layer and one end of the lower surface of the conductive layer formed on the lower surface of the support frame are covered with the external electrodes.

One side surface that is inclined toward the inner side of the sealing body that is joined to the upper surface side of the support frame and one side surface that is inclined toward the inner side that is joined to the lower surface side of the support frame face each other. The crystal resonator according to claim 1.

The conductive layer is formed by a pair of excitation electrodes provided on the crystal vibrating piece and a pair of internal electrodes electrically connecting a pair of external electrodes corresponding to the pair of excitation electrodes, respectively. The crystal unit according to claim 1, wherein the crystal unit is formed so as to interpose an insulating portion between the internal electrodes.

One of the pair of internal electrodes formed by the upper and lower surfaces of the support frame and the contact surfaces of the pair of sealing bodies facing the upper and lower surfaces is electrically connected to the corresponding excitation electrode of the crystal vibrating piece. The crystal unit according to claim 3, which is electrically connected.

The conductive layer is provided with a ventilation path that communicates the recess of the sealing body with the outside at least at one location, and one end of the ventilation path is formed by the external electrode on one side surface of the vibrating body and the sealing body. The crystal unit according to claim 1, which is closed.

The conductive layer is provided on at least one entire circumferential surface of the support frame and at least one entire circumferential surface of the contact surfaces of the pair of sealing bodies bonded to both surfaces of the support frame, respectively, and provided on the conductive layer. The crystal unit according to claim 5, wherein the ventilation path is formed in a slit shape in the conductive layer.