JP7196726B2

JP7196726B2 - crystal wafer

Info

Publication number: JP7196726B2
Application number: JP2019062123A
Authority: JP
Inventors: 宏樹藤原
Original assignee: Daishinku Corp
Current assignee: Daishinku Corp
Priority date: 2019-03-28
Filing date: 2019-03-28
Publication date: 2022-12-27
Anticipated expiration: 2039-03-28
Also published as: JP2020162069A

Description

本発明は、水晶ウエハに関する。 The present invention relates to quartz wafers.

近年、各種電子機器の動作周波数の高周波化や、パッケージの小型化（特に低背化）が進んでいる。そのような高周波化やパッケージの小型化にともなって、水晶振動デバイス（例えば水晶振動子や水晶発振器等）も高周波化やパッケージの小型化への対応が求められている。 2. Description of the Related Art In recent years, the operating frequencies of various electronic devices have been increased, and packages have been reduced in size (especially, the height thereof has been reduced). Along with the increase in frequency and miniaturization of packages, crystal oscillator devices (for example, crystal resonators, crystal oscillators, etc.) are also required to cope with the increase in frequency and miniaturization of packages.

この種の水晶振動デバイスでは、その筐体が略直方体状のパッケージで構成されている。パッケージは、水晶からなる第１封止部材および第２封止部材と、水晶からなり両主面に励振電極が形成された水晶振動板とによって構成される。第１封止部材と第２封止部材とが水晶振動板を介して積層して接合され、パッケージの内部（内部空間）に配された水晶振動板の励振電極が気密封止される（例えば、特許文献１参照）。以下、このような水晶振動デバイスの積層形態をサンドイッチ構造という。 In this type of crystal oscillator device, the housing is composed of a substantially rectangular parallelepiped package. The package is composed of a first sealing member and a second sealing member made of crystal, and a crystal vibration plate made of crystal and having excitation electrodes formed on both main surfaces thereof. The first sealing member and the second sealing member are laminated and joined via the crystal diaphragm, and the excitation electrodes of the crystal diaphragm arranged inside the package (internal space) are hermetically sealed (for example, , see Patent Document 1). Hereinafter, such a lamination structure of the crystal oscillation device is referred to as a sandwich structure.

ところで、この種の水晶振動デバイスは、製造過程において、パッケージが複数、集合されたウエハが作製され、ダイシング等により切断することによって、各パッケージに個片化される。また、従来では、水晶振動片が複数、集合されたウエハから、各水晶振動片を折り取ることによって個片化することが知られている（例えば、特許文献２参照）。 By the way, in the manufacturing process of this type of crystal oscillator device, a wafer in which a plurality of packages are assembled is produced, and the wafer is cut by dicing or the like to be individualized into individual packages. Further, conventionally, it is known that a wafer in which a plurality of crystal vibrating pieces are assembled is broken off from each of the crystal vibrating pieces to separate them into individual pieces (see, for example, Patent Document 2).

特開２０１０－２５２０５１号公報JP 2010-252051 A 特開２００８－０９２５０５号公報JP 2008-092505 A

しかし、上述したような水晶振動デバイスのパッケージが複数、集合されたウエハから、各パッケージを折り取って個片化する場合、割れ、チッピング等の折り取り痕（折り取り残り）がパッケージ側で発生することが懸念される。 However, when individual packages are broken off from a wafer in which a plurality of packages of the crystal oscillation device as described above are assembled, break-off traces (break-off residue) such as cracks and chipping are generated on the package side. It is feared that

本発明は上述したような実情を考慮してなされたもので、パッケージ側での折り取り痕の発生を抑制することが可能な水晶ウエハを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a crystal wafer capable of suppressing the occurrence of breakage marks on the package side.

本発明は、上述の課題を解決するための手段を以下のように構成している。すなわち、本発明は、水晶振動片を気密封止する水晶振動デバイスの少なくとも１つのパッケージが、平面視で前記パッケージの第１辺側に設けられた支持部に、連結部を介して連結された水晶ウエハであって、前記連結部は、前記パッケージの前記第１辺に沿った方向に所定の間隔を隔てて設けられた第１、第２連結部を含み、前記パッケージは平面視略矩形に形成され、前記パッケージの第２辺および第３辺が、前記第１辺の両端から前記第１辺に対して垂直方向にそれぞれ延び、前記第２辺は、第１隙間を隔てて、隣り合うパッケージまたは当該水晶ウエハのフレーム部に対向して設けられ、前記第１隙間の前記第１連結部側の端縁が、前記パッケージの前記第１辺の延長線上に設けられており、前記第３辺は、第２隙間を隔てて、隣り合うパッケージまたは当該水晶ウエハのフレーム部に対向して設けられ、前記第２隙間の前記第２連結部側の端縁が、前記パッケージの前記第１辺の延長線上に設けられ、前記第１、第２連結部が、前記支持部側に設けられており、前記第１、第２連結部のそれぞれの前記パッケージの第１辺側の端部には、溝部が当該パッケージの第１辺に沿って形成され、前記パッケージの前記第１辺は、当該水晶ウエハのＸ軸に垂直に設けられており、前記パッケージの前記第２辺および第３辺は、当該水晶ウエハのＸ軸に平行に設けられていることを特徴とする。 The present invention constitutes means for solving the above-described problems as follows. That is, in the present invention, at least one package of a crystal oscillation device that hermetically seals a crystal oscillation piece is coupled to a support portion provided on the first side of the package in plan view via a coupling portion. The crystal wafer, wherein the connection portion includes first and second connection portions provided at a predetermined interval in a direction along the first side of the package, and the package is approximately rectangular in plan view. a second side and a third side of the package each extend in a direction perpendicular to the first side from both ends of the first side, and the second sides are adjacent to each other across a first gap; The package or the frame portion of the crystal wafer is provided so as to face the package, and the edge of the first gap on the side of the first connecting portion is provided on an extension line of the first side of the package, and the third The side is provided to face adjacent packages or the frame portion of the crystal wafer with a second gap therebetween, and the edge of the second gap on the side of the second connecting portion forms the first side of the package. The first and second connecting portions are provided on the side of the supporting portion, and the ends of the first and second connecting portions on the first side side of the package are provided with , a groove is formed along a first side of the package, the first side of the package is provided perpendicular to the X-axis of the crystal wafer, and the second and third sides of the package are , are provided parallel to the X-axis of the crystal wafer .

ここで、前記パッケージは、前記水晶振動片を構成する水晶振動板と、前記水晶振動片を上下から覆う第１封止部材および第２封止部材とが、積層された構成となっており、当該水晶ウエハは、第１封止部材用ウエハと、水晶振動板用ウエハと、第２封止部材用ウエハとが、積層された構成となっており、前記第１連結部は、前記第１封止部材用ウエハに形成された第１封止部材用第１連結部と、前記水晶振動板用ウエハに形成された水晶振動板用第１連結部と、前記第２封止部材用ウエハに形成された第２封止部材用第１連結部とが、積層された構成になっており、前記第２連結部は、前記第１封止部材用ウエハに形成された第１封止部材用第２連結部と、前記水晶振動板用ウエハに形成された水晶振動板用第２連結部と、前記第２封止部材用ウエハに形成された第２封止部材用第２連結部とが、積層された構成になっていてもよい。 Here, the package has a configuration in which a crystal plate that forms the crystal plate, and a first sealing member and a second sealing member that cover the crystal plate from above and below are laminated, The crystal wafer has a configuration in which a first sealing member wafer, a crystal vibration plate wafer, and a second sealing member wafer are stacked, and the first connecting portion is the first sealing member wafer. A first sealing member first coupling portion formed on a sealing member wafer, a crystal diaphragm first coupling portion formed on the crystal diaphragm wafer, and a second sealing member wafer. The formed first connecting portion for the second sealing member is laminated, and the second connecting portion is the first sealing member formed on the wafer for the first sealing member. A second connecting portion, a second connecting portion for a crystal plate formed on the wafer for a crystal plate, and a second connecting portion for a second sealing member formed on the second sealing member wafer. , may be in a stacked configuration.

上記構成によれば、水晶振動子のパッケージが複数、集合された水晶ウエハから、各パッケージを折り取りによって容易に個片化することができ、パッケージ側での折り取り残りの発生を抑制することができる。具体的には、各パッケージの折り取りの際に発生する応力が、第１、第２連結部の内側端縁（第１、第２連結部のパッケージの第１辺の中央位置から近い側の端縁）とパッケージの第１辺との接続部に集中しやすくなり、水晶ウエハにその接続部を起点とした破断が発生しやすくなっている。上記構成によれば、第１隙間の第１連結部側の端縁および第２隙間の第２連結部側の端縁が、パッケージの第１辺の延長線上に設けられているので、パッケージの折り取りの際、上記接続部を起点として発生した破断をパッケージの第１辺に沿って略直線的で蛇行しないように進行させることができ、パッケージを水晶ウエハから容易に分離させることができる。これにより、割れ、チッピング等の折り取り痕がパッケージ側で発生することを抑制でき、パッケージの外観不良の発生を抑制することができる。この場合、溝部が水晶ウエハのＸ軸に垂直に形成されるので、ウェットエッチングによって溝部の斜面の形状を水晶ウエハの表裏で対称になるように形成することができる。また、溝部を水晶ウエハのＸ軸に垂直に形成し溝部の幅を調整すれば、そのエッチングレートが小さくなるので、他の隙間（第１隙間、第２隙間等）を形成する工程と同時にエッチング加工したとしても、溝部が水晶ウエハを貫通しないように設計することができる。これにより、エッチング加工の途中でパッケージが水晶ウエハから離脱することを回避できる。 According to the above configuration, each package can be easily broken off from a crystal wafer in which a plurality of crystal oscillator packages are assembled, and the generation of unbreakable parts on the package side can be suppressed. can be done. Specifically, the stress generated when breaking off each package is applied to the inner edge of the first and second connecting portions (the side closer to the center position of the first side of the package of the first and second connecting portions). edge of the package) and the first side of the package, and the crystal wafer tends to break from the connection. According to the above configuration, the edge of the first gap on the side of the first connecting portion and the edge of the second gap on the side of the second connecting portion are provided on the extension line of the first side of the package. At the time of breaking off, the rupture generated from the connecting portion as a starting point can be propagated along the first side of the package substantially linearly without meandering, so that the package can be easily separated from the crystal wafer. As a result, it is possible to suppress the occurrence of break-off traces such as cracks and chipping on the package side, and it is possible to suppress the occurrence of poor appearance of the package. In this case, since the grooves are formed perpendicular to the X-axis of the crystal wafer, the slopes of the grooves can be formed symmetrically on the front and back sides of the crystal wafer by wet etching. Also, if the groove is formed perpendicular to the X-axis of the crystal wafer and the width of the groove is adjusted, the etching rate is reduced. Even if processed, the groove can be designed so as not to penetrate the crystal wafer. This makes it possible to prevent the package from being detached from the crystal wafer during the etching process.

上記構成において、前記第１、第２連結部は、前記パッケージの一方の長辺側に設けられていることが好ましい。 In the above configuration, it is preferable that the first and second connecting portions are provided on one long side of the package.

上記構成によれば、溝部によって、パッケージの折り取りに必要な力を小さくすることができ、折り取りの際にパッケージに加えられるダメージを小さくすることができる。この際、第１、第２連結部をパッケージ側ではなく支持部側に設けることによって、パッケージが破断による影響を受けにくくなり、パッケージの外縁を略直線的に形成することができる。また、パッケージの第１辺に沿って形成された溝部によって破断の進行方向をコントロールすることができ、上記接続部を起点として発生した破断をパッケージの第１辺に沿って確実に進行させることができる。さらに、第１、第２連結部が、パッケージの一方の長辺側に設けられているので、パッケージの短辺側に設けられている場合に比べて、第１、第２連結部のそれぞれの幅（第１、第２連結部が並ぶ方向の幅）を大きくすることができ、折り取りまでにパッケージを支持部に連結しておくのに必要な第１、第２連結部の連結力（保持力）を確保することができる。また、第１、第２連結部をパッケージの＋Ｘ方向側の長辺に設けることによって、ウェットエッチングを行う際、水晶ウエハの異方性によって水晶振動板の振動部の＋Ｘ方向側の角部に欠損（面取り）が発生することを抑制できる。 According to the above configuration, the groove portion can reduce the force required to break off the package, and can reduce the damage to the package during breaking. At this time, by providing the first and second connecting portions on the support portion side instead of the package side, the package is less likely to be affected by breakage, and the outer edge of the package can be formed substantially linearly. Further, the direction in which the breakage progresses can be controlled by the groove formed along the first side of the package, and the breakage generated from the connecting portion as a starting point can be reliably propagated along the first side of the package. can. Furthermore, since the first and second connecting portions are provided on one of the long sides of the package, each of the first and second connecting portions is more flexible than when provided on the short side of the package. The width (the width in the direction in which the first and second connecting parts are arranged) can be increased, and the connecting force of the first and second connecting parts required to connect the package to the supporting part before breaking off ( retention force) can be ensured. In addition, by providing the first and second connecting portions on the long side of the +X direction side of the package, when wet etching is performed, the anisotropy of the crystal wafer causes the +X direction side corners of the oscillating portion of the crystal plate to be connected. It is possible to suppress the occurrence of chipping (chamfering).

本発明によれば、水晶振動子のパッケージが複数、集合された水晶ウエハから、各パッケージを折り取りによって容易に個片化することができ、パッケージ側での折り取り痕の発生を抑制することができる。 According to the present invention, each package can be easily broken off from a crystal wafer in which a plurality of crystal oscillator packages are assembled, and the generation of breakage marks on the package side can be suppressed. can be done.

図１は、本実施の形態にかかる水晶ウエハを示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing a crystal wafer according to this embodiment. 図２は、図１の水晶ウエハの一部を拡大して示す図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a part of the crystal wafer of FIG. 図３は、図１の水晶ウエハを構成する第１封止部材用ウエハ、水晶振動板用ウエハ、および第２封止部材用ウエハを示す分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view showing a first sealing member wafer, a crystal diaphragm wafer, and a second sealing member wafer, which constitute the crystal wafer of FIG. 図４は、本実施の形態にかかる水晶ウエハから個片化された水晶振動デバイスを示す概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a crystal oscillator device separated from a crystal wafer according to the present embodiment. 図５は、図４の水晶振動子の第１封止部材を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a first sealing member of the crystal unit of FIG. 4. FIG. 図６は、図４の水晶振動子の第１封止部材を示す概略裏面図である。6 is a schematic back view showing the first sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4. FIG. 図７は、図４の水晶振動子の水晶振動板を示す概略平面図である。7 is a schematic plan view showing a crystal plate of the crystal oscillator of FIG. 4. FIG. 図８は、図４の水晶振動子の水晶振動板を示す概略裏面図である。FIG. 8 is a schematic back view showing a crystal diaphragm of the crystal oscillator of FIG. 図９は、図４の水晶振動子の第２封止部材を示す概略平面図である。9 is a schematic plan view showing a second sealing member of the crystal oscillator of FIG. 4. FIG. 図１０は、図４の水晶振動子の第２封止部材を示す概略裏面図である。FIG. 10 is a schematic back view showing the second sealing member of the crystal unit of FIG. 4. FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態にかかる水晶ウエハは、水晶振動片を気密封止する略直方体状の水晶振動デバイスの少なくとも１つのパッケージが、平面視でパッケージの一辺側に設けられた支持部に、連結部を介して連結された構成になっている。つまり、図１に例示するように、水晶ウエハ１は、水晶振動デバイスのパッケージ１２０が複数、集合された構成になっている。水晶ウエハ１について説明する前に、まず、水晶振動デバイスについて説明する。以下では、水晶振動デバイスの一例として、図４～図１０に示すような水晶振動子１００について説明する。 In the crystal wafer according to the present embodiment, at least one package of a substantially rectangular parallelepiped crystal oscillation device that hermetically seals a crystal oscillation piece is connected to a support portion provided on one side of the package in plan view. It is configured to be connected via In other words, as illustrated in FIG. 1, the crystal wafer 1 has a configuration in which a plurality of packages 120 of crystal oscillation devices are assembled. Before describing the crystal wafer 1, first, the crystal oscillation device will be described. As an example of a crystal oscillator device, a crystal oscillator 100 as shown in FIGS. 4 to 10 will be described below.

－水晶振動子－
図４に示すように、水晶振動子１００は、水晶振動板（圧電振動板）１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を備えて構成されている。この水晶振動子１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが接合されることによって、略直方体のサンドイッチ構造のパッケージ１２０が構成される。すなわち、水晶振動子１００においては、水晶振動板１０の両主面のそれぞれに第１封止部材２０および第２封止部材３０が接合されることでパッケージ１２０の内部空間（キャビティ）が形成され、この内部空間に振動部１１（図７，８参照）が気密封止される。 -Crystal oscillator-
As shown in FIG. 4 , the crystal oscillator 100 includes a crystal diaphragm (piezoelectric diaphragm) 10 , a first sealing member 20 and a second sealing member 30 . In this crystal unit 100, the crystal plate 10 and the first sealing member 20 are joined together, and the crystal plate 10 and the second sealing member 30 are joined together, resulting in a package 120 having a substantially rectangular parallelepiped sandwich structure. is configured. That is, in the crystal oscillator 100, the internal space (cavity) of the package 120 is formed by bonding the first sealing member 20 and the second sealing member 30 to both main surfaces of the crystal plate 10, respectively. , the vibrating portion 11 (see FIGS. 7 and 8) is hermetically sealed in this internal space.

水晶振動子１００は、例えば、１．０×０．８ｍｍのパッケージサイズであり、小型化と低背化とを図ったものである。また、小型化に伴い、パッケージ１２０では、キャスタレーションを形成せずに、後述するスルーホールを用いて電極の導通を図っている。また、水晶振動子１００は、外部に設けられる外部回路基板（図示省略）に半田を介して電気的に接続されるようになっている。 The crystal resonator 100 has a package size of, for example, 1.0×0.8 mm, and is designed to be small and low profile. Further, along with miniaturization, the package 120 does not form castellations, but uses through-holes, which will be described later, to achieve electrode conduction. Further, the crystal oscillator 100 is electrically connected to an external circuit board (not shown) provided outside through solder.

次に、水晶振動子１００における水晶振動板１０、第１封止部材２０および第２封止部材３０の各部材について、図４～１０を用いて説明する。なお、ここでは、接合されていないそれぞれ単体として構成されている各部材について説明を行う。図５～１０は、水晶振動板１０、第１封止部材２０および第２封止部材３０のそれぞれの一構成例を示しているにすぎず、これらは本発明を限定するものではない。 Next, each member of the crystal plate 10, the first sealing member 20, and the second sealing member 30 in the crystal oscillator 100 will be described with reference to FIGS. 4 to 10. FIG. In addition, here, each member configured as a single unit that is not joined will be described. 5 to 10 merely show one configuration example of each of the crystal diaphragm 10, the first sealing member 20, and the second sealing member 30, and do not limit the present invention.

水晶振動板１０は、図７，８に示すように、水晶からなる圧電基板であって、その両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）が平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。本実施の形態では、水晶振動板１０として、厚みすべり振動を行うＡＴカット水晶板が用いられている。図７，８に示す水晶振動板１０では、水晶振動板１０の両主面１０１，１０２が、ＸＺ´平面とされている。このＸＺ´平面において、水晶振動板１０の短手方向（短辺方向）に平行な方向がＸ軸方向とされ、水晶振動板１０の長手方向（長辺方向）に平行な方向がＺ´軸方向とされている。なお、ＡＴカットは、人工水晶の３つの結晶軸である電気軸（Ｘ軸）、機械軸（Ｙ軸）、および光学軸（Ｚ軸）のうち、Ｚ軸に対してＸ軸周りに３５°１５′だけ傾いた角度で切り出す加工手法である。ＡＴカット水晶板では、Ｘ軸は水晶の結晶軸に一致する。Ｙ´軸およびＺ´軸は、水晶の結晶軸のＹ軸およびＺ軸からそれぞれ概ね３５°１５′傾いた（この切断角度はＡＴカット水晶振動板の周波数温度特性を調整する範囲で多少変更してもよい）軸に一致する。Ｙ´軸方向およびＺ´軸方向は、ＡＴカット水晶板を切り出すときの切り出し方向に相当する。 As shown in FIGS. 7 and 8, the crystal diaphragm 10 is a piezoelectric substrate made of crystal, and both main surfaces (first main surface 101 and second main surface 102) thereof are flat smooth surfaces (mirror-finished). formed. In this embodiment, an AT-cut quartz crystal plate that performs thickness-shear vibration is used as the quartz crystal plate 10 . In the crystal diaphragm 10 shown in FIGS. 7 and 8, both main surfaces 101 and 102 of the crystal diaphragm 10 are XZ' planes. In this XZ′ plane, the direction parallel to the short side direction (short side direction) of the crystal diaphragm 10 is the X axis direction, and the direction parallel to the longitudinal direction (long side direction) of the crystal diaphragm 10 is the Z′ axis. direction. In addition, the AT cut is 35° around the X axis with respect to the Z axis among the three crystal axes of artificial quartz, the electrical axis (X axis), the mechanical axis (Y axis), and the optical axis (Z axis). This is a processing method for cutting at an angle inclined by 15'. In an AT-cut quartz plate, the X-axis coincides with the crystallographic axis of the quartz. The Y'-axis and Z'-axis are inclined approximately 35°15' from the Y-axis and Z-axis of the quartz crystal axis, respectively (this cut angle may be changed slightly within the range of adjusting the frequency-temperature characteristics of the AT-cut quartz diaphragm. (may be). The Y'-axis direction and the Z'-axis direction correspond to the cutting direction when cutting out an AT-cut crystal plate.

水晶振動板１０の両主面１０１，１０２には、一対の励振電極（第１励振電極１１１，第２励振電極１１２）が形成されている。水晶振動板１０は、略矩形に形成された振動部１１と、この振動部１１の外周を取り囲む外枠部１２と、振動部１１と外枠部１２とを連結することで振動部１１を保持する保持部１３とを有している。すなわち、水晶振動板１０は、振動部１１、外枠部１２および保持部１３が一体的に設けられた構成となっている。保持部１３は、振動部１１の＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向に位置する１つの角部のみから、－Ｚ´方向に向けて外枠部１２まで延びている（突出している）。そして、振動部１１と外枠部１２との間には、水晶振動板１０を切り抜いて形成された切り抜き部１０ａが設けられている。本実施の形態では、水晶振動板１０には、振動部１１と外枠部１２とを連結する保持部１３が１つのみ設けられており、切り抜き部１０ａが振動部１１の外周囲を囲うように連続して形成されている。 A pair of excitation electrodes (a first excitation electrode 111 and a second excitation electrode 112) are formed on both main surfaces 101 and 102 of the quartz plate 10 . The crystal diaphragm 10 holds the vibrating portion 11 by connecting the vibrating portion 11 formed in a substantially rectangular shape, the outer frame portion 12 surrounding the outer periphery of the vibrating portion 11, and the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12. It has a holding portion 13 for holding. That is, the crystal diaphragm 10 has a configuration in which the vibrating portion 11, the outer frame portion 12, and the holding portion 13 are integrally provided. The holding portion 13 extends (protrudes) from only one corner portion of the vibrating portion 11 positioned in the +X direction and the -Z′ direction to the outer frame portion 12 in the −Z′ direction. Between the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12, a cutout portion 10a formed by cutting out the crystal diaphragm 10 is provided. In the present embodiment, the crystal diaphragm 10 is provided with only one holding portion 13 that connects the vibrating portion 11 and the outer frame portion 12 , and the cutout portion 10 a surrounds the outer periphery of the vibrating portion 11 . is formed continuously.

第１励振電極１１１は振動部１１の第１主面１０１側に設けられ、第２励振電極１１２は振動部１１の第２主面１０２側に設けられている。第１励振電極１１１，第２励振電極１１２には、これらの励振電極を外部電極端子に接続するための引出配線（第１引出配線１１３，第２引出配線１１４）が接続されている。第１引出配線１１３は、第１励振電極１１１から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１４に繋がっている。第２引出配線１１４は、第２励振電極１１２から引き出され、保持部１３を経由して、外枠部１２に形成された接続用接合パターン１５に繋がっている。 The first excitation electrode 111 is provided on the first principal surface 101 side of the vibrating portion 11 , and the second excitation electrode 112 is provided on the second principal surface 102 side of the vibrating portion 11 . The first excitation electrode 111 and the second excitation electrode 112 are connected to lead wires (first lead wire 113 and second lead wire 114) for connecting these excitation electrodes to external electrode terminals. The first lead wiring 113 is led out from the first excitation electrode 111 and connected to the connection bonding pattern 14 formed on the outer frame portion 12 via the holding portion 13 . The second lead wiring 114 is led out from the second excitation electrode 112 and connected to the connection bonding pattern 15 formed on the outer frame portion 12 via the holding portion 13 .

水晶振動板１０の両主面（第１主面１０１，第２主面１０２）には、水晶振動板１０を第１封止部材２０および第２封止部材３０に接合するための振動側封止部がそれぞれ設けられている。第１主面１０１の振動側封止部としては振動側第１接合パターン１２１が形成されており、第２主面１０２の振動側封止部としては振動側第２接合パターン１２２が形成されている。振動側第１接合パターン１２１および振動側第２接合パターン１２２は、外枠部１２に設けられており、平面視で環状に形成されている。 On both main surfaces (first main surface 101 and second main surface 102) of crystal diaphragm 10, vibration side seals for bonding crystal diaphragm 10 to first sealing member 20 and second sealing member 30 are provided. Each stop is provided. A vibration side first bonding pattern 121 is formed as the vibration side sealing portion of the first principal surface 101, and a vibration side second bonding pattern 122 is formed as the vibration side sealing portion of the second principal surface 102. there is The vibration-side first bonding pattern 121 and the vibration-side second bonding pattern 122 are provided on the outer frame portion 12 and are formed in an annular shape in plan view.

また、水晶振動板１０には、図７，８に示すように、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通する５つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第１スルーホール１６１は、外枠部１２の４隅（角部）の領域にそれぞれ設けられている。第２スルーホール１６２は、外枠部１２であって、振動部１１のＺ´軸方向の一方側（図７，８では、－Ｚ´方向側）に設けられている。第１スルーホール１６１の周囲には、それぞれ接続用接合パターン１２３が形成されている。また、第２スルーホール１６２の周囲には、第１主面１０１側では接続用接合パターン１２４が、第２主面１０２側では接続用接合パターン１５が形成されている。 In addition, as shown in FIGS. 7 and 8, the crystal diaphragm 10 is formed with five through holes penetrating between the first principal surface 101 and the second principal surface 102 . Specifically, the four first through holes 161 are provided in four corner (corner) regions of the outer frame portion 12 . The second through hole 162 is provided in the outer frame portion 12 on one side of the vibrating portion 11 in the Z′-axis direction (−Z′ direction side in FIGS. 7 and 8). Connection bonding patterns 123 are formed around the first through holes 161 . Further, around the second through-hole 162, a connection bonding pattern 124 is formed on the first main surface 101 side, and a connection bonding pattern 15 is formed on the second main surface 102 side.

第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２には、第１主面１０１と第２主面１０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第１スルーホール１６１および第２スルーホール１６２それぞれの中央部分は、第１主面１０１と第２主面１０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。 In the first through hole 161 and the second through hole 162, through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 101 and the second main surface 102 are formed along the inner wall surfaces of the through holes. formed. Further, the central portions of the first through hole 161 and the second through hole 162 are hollow penetrating portions penetrating between the first main surface 101 and the second main surface 102 .

第１封止部材２０は、図５，６に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第１封止部材２０の第２主面２０２（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第１封止部材２０は振動部を有するものではないが、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用いることで、水晶振動板１０と第１封止部材２０の熱膨張率を同じにすることができ、水晶振動子１００における熱変形を抑制することができる。また、第１封止部材２０におけるＸ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとされている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the first sealing member 20 is a rectangular parallelepiped substrate formed from a single AT-cut crystal plate. The surface to be joined to the plate 10) is formed as a flat smooth surface (mirror finish). Although the first sealing member 20 does not have a vibrating portion, by using an AT-cut crystal plate like the crystal plate 10, the coefficient of thermal expansion of the crystal plate 10 and the first sealing member 20 can be adjusted to They can be made the same, and thermal deformation in the crystal resonator 100 can be suppressed. Also, the directions of the X-axis, Y-axis and Z′-axis in the first sealing member 20 are the same as those in the crystal plate 10 .

第１封止部材２０の第１主面２０１（水晶振動板１０に面しない外方の主面）には、図５に示すように、配線用の第１、第２金属膜２２，２３と、シールド用の第３金属膜２８とが形成されている。配線用の第１、第２金属膜２２，２３は、水晶振動板１０の第１、第２励振電極１１１，１１２と、第２封止部材３０の外部電極端子３２とを電気的に接続するための配線として設けられている。第１、第２金属膜２２，２３は、Ｚ´軸方向の両端部に設けられており、第１金属膜２２が、＋Ｚ´方向側に設けられ、第２金属膜２３が、－Ｚ´方向側に設けられている。第１、第２金属膜２２，２３は、Ｘ軸方向に延びるように形成されている。第１金属膜２２は、略矩形状に形成されているが、第１金属膜２２の＋Ｘ方向側の部分には、－Ｚ´方向側に突出する突出部２２ａが設けられている。第２金属膜２３は、略矩形状に形成されているが、第２金属膜２３の－Ｘ方向側の部分には、＋Ｚ´方向側に突出する突出部２３ａが設けられている。 As shown in FIG. 5, first and second metal films 22 and 23 for wiring and , and a third metal film 28 for shielding are formed. The first and second metal films 22 and 23 for wiring electrically connect the first and second excitation electrodes 111 and 112 of the crystal diaphragm 10 and the external electrode terminals 32 of the second sealing member 30. It is provided as a wiring for The first and second metal films 22 and 23 are provided on both ends in the Z'-axis direction, the first metal film 22 is provided on the +Z' direction side, and the second metal film 23 is provided on the -Z' direction side. provided on the direction side. The first and second metal films 22 and 23 are formed to extend in the X-axis direction. The first metal film 22 is formed in a substantially rectangular shape, and a protrusion 22a that protrudes in the −Z′ direction is provided on the +X direction side of the first metal film 22 . The second metal film 23 is formed in a substantially rectangular shape, and a projecting portion 23a projecting in the +Z′ direction is provided on the −X direction side of the second metal film 23 .

第３金属膜２８は、第１、第２金属膜２２，２３の間に設けられており、第１、第２金属膜２２，２３とは所定の間隔を隔てて配置されている。第３金属膜２８は、第１封止部材２０の第１主面２０１の第１、第２金属膜２２，２３が形成されていない領域のうち、ほとんど全ての領域に設けられている。 The third metal film 28 is provided between the first and second metal films 22 and 23 and spaced apart from the first and second metal films 22 and 23 by a predetermined distance. The third metal film 28 is provided on almost all regions of the first main surface 201 of the first sealing member 20 where the first and second metal films 22 and 23 are not formed.

第１封止部材２０には、図５，６に示すように、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通する６つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第３スルーホール２１１が、第１封止部材２０の４隅（角部）の領域に設けられている。第４，第５スルーホール２１２，２１３は、図５，６の＋Ｚ´方向および－Ｚ´方向にそれぞれ設けられている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the first sealing member 20 is formed with six through holes penetrating between the first major surface 201 and the second major surface 202 . Specifically, four third through holes 211 are provided in four corner (corner) regions of the first sealing member 20 . The fourth and fifth through holes 212 and 213 are provided in the +Z' and -Z' directions of FIGS. 5 and 6, respectively.

第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３には、第１主面２０１と第２主面２０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、スルーホールそれぞれの内壁面に沿って形成されている。また、第３スルーホール２１１および第４，第５スルーホール２１２，２１３それぞれの中央部分は、第１主面２０１と第２主面２０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となる。そして、第１封止部材２０の第１主面２０１の対角に位置する２つの第３スルーホール２１１，２１１（図５，６の＋Ｘ方向かつ＋Ｚ´方向の角部に位置する第３スルーホール２１１と、－Ｘ方向かつ－Ｚ´方向の角部に位置する第３スルーホール２１１）の貫通電極同士が、第３金属膜２８によって電気的に接続されている。また、－Ｘ方向かつ＋Ｚ´方向の角部に位置する第３スルーホール２１１の貫通電極と、第４スルーホール２１２の貫通電極とが、第１金属膜２２によって電気的に接続されている。＋Ｘ方向かつ－Ｚ´方向の角部に位置する第３スルーホール２１１の貫通電極と、第５スルーホール２１３の貫通電極とが、第２金属膜２３によって電気的に接続されている。 In the third through-hole 211 and the fourth and fifth through-holes 212 and 213, through-electrodes for conducting the electrodes formed on the first principal surface 201 and the second principal surface 202 are provided in the respective through-holes. It is formed along the inner wall surface. The center portions of the third through-hole 211 and the fourth and fifth through-holes 212 and 213 are hollow penetrating portions penetrating between the first main surface 201 and the second main surface 202 . Two third through-holes 211, 211 (the third through-holes located at the corners of +X direction and +Z' direction in FIGS. The through-electrodes of the hole 211 and the third through-hole 211 located at the corners in the -X and -Z' directions are electrically connected to each other by the third metal film 28 . Also, the through electrode of the third through hole 211 and the through electrode of the fourth through hole 212 located at the corners in the −X direction and +Z′ direction are electrically connected by the first metal film 22 . The through electrode of the third through hole 211 located at the corner in the +X direction and the −Z′ direction and the through electrode of the fifth through hole 213 are electrically connected by the second metal film 23 .

第１封止部材２０の第２主面２０２には、水晶振動板１０に接合するための封止側第１封止部としての封止側第１接合パターン２４が形成されている。封止側第１接合パターン２４は、平面視で環状に形成されている。また、第１封止部材２０の第２主面２０２では、第３スルーホール２１１の周囲に接続用接合パターン２５がそれぞれ形成されている。第４スルーホール２１２の周囲には接続用接合パターン２６１が、第５スルーホール２１３の周囲には接続用接合パターン２６２が形成されている。さらに、接続用接合パターン２６１に対して第１封止部材２０の長軸方向の反対側（－Ｚ´方向側）には接続用接合パターン２６３が形成されており、接続用接合パターン２６１と接続用接合パターン２６３とは配線パターン２７によって接続されている。 A sealing-side first bonding pattern 24 serving as a sealing-side first sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 10 is formed on the second main surface 202 of the first sealing member 20 . The sealing-side first bonding pattern 24 is formed in an annular shape in plan view. Also, on the second main surface 202 of the first sealing member 20 , connecting bonding patterns 25 are formed around the third through holes 211 . A connection bonding pattern 261 is formed around the fourth through hole 212 , and a connection bonding pattern 262 is formed around the fifth through hole 213 . Furthermore, a connection bonding pattern 263 is formed on the side opposite to the connection bonding pattern 261 in the longitudinal direction of the first sealing member 20 (−Z′ direction side), and is connected to the connection bonding pattern 261 . The connection pattern 263 is connected by the wiring pattern 27 .

第２封止部材３０は、図９，１０に示すように、１枚のＡＴカット水晶板から形成された直方体の基板であり、この第２封止部材３０の第１主面３０１（水晶振動板１０に接合する面）は平坦平滑面（鏡面加工）として形成されている。なお、第２封止部材３０においても、水晶振動板１０と同様にＡＴカット水晶板を用い、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ´軸の向きも水晶振動板１０と同じとすることが望ましい。 As shown in FIGS. 9 and 10, the second sealing member 30 is a rectangular parallelepiped substrate formed from one AT-cut crystal plate. The surface to be joined to the plate 10) is formed as a flat smooth surface (mirror finish). It is desirable that the second sealing member 30 also uses an AT-cut crystal plate in the same manner as the crystal plate 10 and that the directions of the X-axis, Y-axis, and Z′-axis are the same as those of the crystal plate 10 .

この第２封止部材３０の第１主面３０１には、水晶振動板１０に接合するための封止側第２封止部としての封止側第２接合パターン３１が形成されている。封止側第２接合パターン３１は、平面視で環状に形成されている。 A sealing-side second bonding pattern 31 serving as a sealing-side second sealing portion for bonding to the crystal diaphragm 10 is formed on the first main surface 301 of the second sealing member 30 . The sealing-side second bonding pattern 31 is formed in an annular shape in plan view.

第２封止部材３０の第２主面３０２（水晶振動板１０に面しない外方の主面）には、水晶振動子１００の外部に設けられる外部回路基板に電気的に接続する４つの外部電極端子３２が設けられている。外部電極端子３２は、第２封止部材３０の第２主面３０２の４隅（隅部）にそれぞれ位置する。 The second main surface 302 of the second sealing member 30 (the outer main surface not facing the crystal plate 10 ) has four external circuit boards electrically connected to an external circuit board provided outside the crystal unit 100 . An electrode terminal 32 is provided. The external electrode terminals 32 are positioned at four corners (corners) of the second main surface 302 of the second sealing member 30 .

第２封止部材３０には、図９，１０に示すように、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通する４つのスルーホールが形成されている。具体的には、４つの第６スルーホール３３は、第２封止部材３０の４隅（角部）の領域に設けられている。第６スルーホール３３には、第１主面３０１と第２主面３０２とに形成された電極の導通を図るための貫通電極が、第６スルーホール３３それぞれの内壁面に沿って形成されている。このように第６スルーホール３３の内壁面に形成された貫通電極によって、第１主面３０１に形成された電極と、第２主面３０２に形成された外部電極端子３２とが導通されている。また、第６スルーホール３３それぞれの中央部分は、第１主面３０１と第２主面３０２との間を貫通した中空状態の貫通部分となっている。また、第２封止部材３０の第１主面３０１では、第６スルーホール３３の周囲には、それぞれ接続用接合パターン３４が形成されている。 As shown in FIGS. 9 and 10, the second sealing member 30 is formed with four through holes penetrating between the first principal surface 301 and the second principal surface 302 . Specifically, the four sixth through holes 33 are provided in four corner (corner) regions of the second sealing member 30 . In the sixth through hole 33, through electrodes for conducting the electrodes formed on the first main surface 301 and the second main surface 302 are formed along the respective inner wall surfaces of the sixth through hole 33. there is The electrodes formed on the first main surface 301 and the external electrode terminals 32 formed on the second main surface 302 are electrically connected by the through electrodes formed on the inner wall surfaces of the sixth through holes 33 in this manner. . Further, the central portion of each sixth through hole 33 is a hollow penetrating portion penetrating between the first main surface 301 and the second main surface 302 . Also, on the first main surface 301 of the second sealing member 30 , a connection bonding pattern 34 is formed around each of the sixth through holes 33 .

上記の水晶振動板１０、第１封止部材２０、および第２封止部材３０を含む水晶振動子１００では、水晶振動板１０と第１封止部材２０とが振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４を重ね合わせた状態で拡散接合され、水晶振動板１０と第２封止部材３０とが振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１を重ね合わせた状態で拡散接合されて、図４に示すサンドイッチ構造のパッケージ１２０が製造される。これにより、パッケージ１２０の内部空間、つまり、振動部１１の収容空間が気密封止される。 In the crystal resonator 100 including the crystal diaphragm 10, the first sealing member 20, and the second sealing member 30, the crystal diaphragm 10 and the first sealing member 20 are connected to the vibration side first bonding pattern 121 and the Diffusion bonding is performed with the sealing-side first bonding pattern 24 superimposed, and the crystal diaphragm 10 and the second sealing member 30 are superimposed on the vibration-side second bonding pattern 122 and the sealing-side second bonding pattern 31. Diffusion bonding is performed in this state to manufacture the sandwich structure package 120 shown in FIG. As a result, the internal space of the package 120, that is, the accommodation space of the vibrating section 11 is hermetically sealed.

この際、上述した接続用接合パターン同士も重ね合わせられた状態で拡散接合される。そして、接続用接合パターン同士の接合により、水晶振動子１００では、第１励振電極１１１、第２励振電極１１２、外部電極端子３２の電気的導通が得られるようになっている。具体的には、第１励振電極１１１は、第１引出配線１１３、配線パターン２７、第４スルーホール２１２、第１金属膜２２、第３スルーホール２１１、第１スルーホール１６１、および第６スルーホール３３を順に経由して、外部電極端子３２に接続される。第２励振電極１１２は、第２引出配線１１４、第２スルーホール１６２、第５スルーホール２１３、第２金属膜２３、第３スルーホール２１１、第１スルーホール１６１、および第６スルーホール３３を順に経由して、外部電極端子３２に接続される。また、第３金属膜２８は、第３スルーホール２１１、第１スルーホール１６１、および第６スルーホール３３を順に経由して、アース接続（グランド接続、外部電極端子３２の一部を利用）されている。 At this time, the bonding patterns for connection described above are also overlapped and diffusion bonded. In the crystal resonator 100, electrical conduction between the first excitation electrode 111, the second excitation electrode 112, and the external electrode terminal 32 is obtained by bonding the connection bonding patterns to each other. Specifically, the first excitation electrode 111 includes a first extraction wiring 113, a wiring pattern 27, a fourth through hole 212, a first metal film 22, a third through hole 211, a first through hole 161, and a sixth through hole. It is connected to the external electrode terminal 32 via the hole 33 in order. The second excitation electrode 112 extends through the second extraction wiring 114, the second through hole 162, the fifth through hole 213, the second metal film 23, the third through hole 211, the first through hole 161, and the sixth through hole 33. It is connected to the external electrode terminal 32 via in order. Also, the third metal film 28 is grounded (grounded, using part of the external electrode terminal 32) via the third through hole 211, the first through hole 161, and the sixth through hole 33 in this order. ing.

水晶振動子１００において、各種接合パターンは、複数の層が水晶板上に積層されてなり、その最下層側からＴｉ（チタン）層とＡｕ（金）層とが蒸着形成されているものとすることが好ましい。また、水晶振動子１００に形成される他の配線や電極も、接合パターンと同一の構成とすれば、接合パターンや配線および電極を同時にパターニングでき、好ましい。 In the crystal resonator 100, various bonding patterns are formed by laminating a plurality of layers on a crystal plate, and a Ti (titanium) layer and an Au (gold) layer are vapor-deposited from the lowest layer side. is preferred. Further, if other wirings and electrodes formed on the crystal resonator 100 are configured in the same manner as the bonding pattern, the bonding pattern, the wiring and the electrodes can be patterned at the same time, which is preferable.

上述のように構成された水晶振動子１００では、水晶振動板１０の振動部１１を気密封止する封止部（シールパス）１１５，１１６は、平面視で、環状に形成されている。シールパス１１５は、上述した振動側第１接合パターン１２１および封止側第１接合パターン２４の拡散接合によって形成され、シールパス１１５の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。同様に、シールパス１１６は、上述した振動側第２接合パターン１２２および封止側第２接合パターン３１の拡散接合によって形成され、シールパス１１６の外縁形状および内縁形状が略八角形に形成されている。 In the crystal resonator 100 configured as described above, the sealing portions (seal paths) 115 and 116 for airtightly sealing the vibrating portion 11 of the crystal plate 10 are formed annularly in a plan view. The seal path 115 is formed by diffusion bonding of the vibration-side first bonding pattern 121 and the sealing-side first bonding pattern 24 described above, and the outer edge shape and inner edge shape of the seal path 115 are formed substantially octagonal. Similarly, the seal path 116 is formed by diffusion bonding of the vibration-side second bonding pattern 122 and the sealing-side second bonding pattern 31 described above, and the outer edge shape and inner edge shape of the seal path 116 are formed in a substantially octagonal shape.

このように拡散接合によってシールパス１１５，１１６が形成された水晶振動子１００において、第１封止部材２０と水晶振動板１０とは、１．００μｍ以下のギャップを有し、第２封止部材３０と水晶振動板１０とは、１．００μｍ以下のギャップを有する。つまり、第１封止部材２０と水晶振動板１０との間のシールパス１１５の厚みが、１．００μｍ以下であり、第２封止部材３０と水晶振動板１０との間のシールパス１１６の厚みが、１．００μｍ以下（具体的には、本実施の形態のＡｕ－Ａｕ接合では０．１５μｍ～１．００μｍ）である。なお、比較例として、Ｓｎを用いた従来の金属ペースト封止材では、５μｍ～２０μｍとなる。 In the crystal oscillator 100 in which the seal paths 115 and 116 are thus formed by diffusion bonding, the first sealing member 20 and the crystal plate 10 have a gap of 1.00 μm or less, and the second sealing member 30 has a gap of 1.00 μm or less. and the crystal diaphragm 10 have a gap of 1.00 μm or less. That is, the thickness of the seal path 115 between the first sealing member 20 and the crystal diaphragm 10 is 1.00 μm or less, and the thickness of the seal path 116 between the second sealing member 30 and the crystal diaphragm 10 is , 1.00 μm or less (specifically, 0.15 μm to 1.00 μm for the Au—Au junction of this embodiment). As a comparative example, a conventional metal paste sealing material using Sn has a thickness of 5 μm to 20 μm.

－水晶ウエハ－
次に、本実施の形態にかかる水晶ウエハ１について、図１～３を参照して説明する。－Quartz Wafer－
Next, the crystal wafer 1 according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG.

図１に示すように、水晶ウエハ１は、水晶振動子１００のパッケージ１２０が複数、集合された構成になっている。図１の例では、水晶ウエハ１において、平面視略矩形に形成された複数のパッケージ１２０がマトリックス状に配列されており、縦方向（図１のＸ軸方向）および横方向（図１のＺ´軸方向）にそれぞれ８つのパッケージ１２０が配列され、合計６４のパッケージ１２０が備えられている。なお、パッケージ１２０の数は一例であって、上記の数に限定されるものではない。 As shown in FIG. 1, the crystal wafer 1 has a configuration in which a plurality of packages 120 of crystal oscillators 100 are assembled. In the example of FIG. 1, on the crystal wafer 1, a plurality of packages 120 each having a substantially rectangular shape in a plan view are arranged in a matrix and arranged in a vertical direction (X-axis direction in FIG. 1) and a horizontal direction (Z-axis direction in FIG. 1). A total of 64 packages 120 are provided, with eight packages 120 arranged in the 'axis direction). Note that the number of packages 120 is an example and is not limited to the above number.

水晶ウエハ１は、複数のパッケージ１２０を支持するための支持部（桟部）２を備えている。支持部２は、水晶ウエハ１のＺ´軸方向に沿って延びている。支持部２の両端部は、水晶ウエハ１のフレーム部（外枠部）３に一体的に連結されている。支持部２は、水晶ウエハ１のＸ軸方向に所定の間隔を隔てて複数（図１では８つ）設けられている。フレーム部３は、平面視で一辺が開放された略矩形の枠体であって、略「コ」字状に形成されている。フレーム部３の開放された一辺に対応する箇所に支持部２が設けられており、この支持部２とフレーム部３とによって環状の枠体が一体的に形成されるようになっている。 The crystal wafer 1 has a support portion (crosspiece) 2 for supporting a plurality of packages 120 . The support portion 2 extends along the Z′-axis direction of the crystal wafer 1 . Both ends of the support portion 2 are integrally connected to a frame portion (outer frame portion) 3 of the crystal wafer 1 . A plurality of support portions 2 (eight in FIG. 1) are provided at predetermined intervals in the X-axis direction of the crystal wafer 1 . The frame portion 3 is a substantially rectangular frame with one side open in a plan view, and is formed in a substantially U-shape. A support portion 2 is provided at a location corresponding to one open side of the frame portion 3, and the support portion 2 and the frame portion 3 integrally form an annular frame.

支持部２には、複数（図１では８つ）のパッケージ１２０が支持されている。パッケージ１２０は、水晶ウエハ１のＺ´軸方向に所定の間隔を隔てて配列されている。支持部２は、平面視でパッケージ１２０の第１辺１２０ａ側に設けられている。本実施の形態では、支持部２は、パッケージ１２０の一方の長辺である第１辺１２０ａ側（図１の＋Ｘ方向側）に設けられており、パッケージ１２０の他方の長辺１２０ｂ側（図１の－Ｘ方向側）には、設けられていない。パッケージ１２０の第１辺１２０ａは、Ｚ´軸方向に沿って延びている。パッケージ１２０の第１辺１２０ａの両端から、パッケージ１２０の第２辺１２０ｃおよび第３辺１２０ｄが、第１辺１２０ａに対して垂直方向（図１のＸ軸方向）にそれぞれ延びている。 A plurality of (eight in FIG. 1) packages 120 are supported by the support portion 2 . The packages 120 are arranged at predetermined intervals in the Z′-axis direction of the crystal wafer 1 . The support portion 2 is provided on the first side 120a side of the package 120 in plan view. In the present embodiment, the support portion 2 is provided on the first side 120a side (+X direction side in FIG. 1), which is one long side of the package 120, and on the other long side 120b side of the package 120 ( 1) is not provided. The first side 120a of the package 120 extends along the Z'-axis direction. From both ends of the first side 120a of the package 120, the second side 120c and the third side 120d of the package 120 extend in a direction perpendicular to the first side 120a (X-axis direction in FIG. 1).

パッケージ１２０は、連結部（折り取り部）を介して支持部２に連結されている。連結部は、水晶ウエハ１のＺ´軸方向に所定の間隔（空間）を隔てて設けられた第１、第２連結部４，５を含む構成となっている。第１、第２連結部４，５は、平面視でパッケージ１２０の第１辺１２０ａから支持部２まで延びている。つまり、第１、第２連結部４，５の一端側（図１の－Ｘ方向側）がパッケージ１２０の第１辺１２０ａに連結され、第１、第２連結部４，５の他端側（図１の＋Ｘ方向側）が支持部２に連結されている。パッケージ１２０は、第１、第２連結部４，５のみによって、水晶ウエハ１の支持部２に支持されている。つまり、平面視で、パッケージ１２０の外周縁は、第１、第２連結部４，５が連結された箇所を除いて、空間（隙間）に面している。 The package 120 is connected to the supporting portion 2 via a connecting portion (breaking portion). The connecting portion includes first and second connecting portions 4 and 5 provided at a predetermined interval (space) in the Z′-axis direction of the crystal wafer 1 . The first and second connecting portions 4 and 5 extend from the first side 120a of the package 120 to the supporting portion 2 in plan view. That is, one end side (−X direction side in FIG. 1) of the first and second connecting portions 4 and 5 is connected to the first side 120a of the package 120, and the other end side of the first and second connecting portions 4 and 5 is connected to the first side 120a of the package 120. (+X direction side in FIG. 1) is connected to the support portion 2 . The package 120 is supported on the supporting portion 2 of the crystal wafer 1 only by the first and second connecting portions 4 and 5. As shown in FIG. In other words, in a plan view, the outer peripheral edge of the package 120 faces the space (gap) except where the first and second connecting portions 4 and 5 are connected.

第１、第２連結部４，５は、同様の構成になっており、平面視で、パッケージ１２０の中心を通りパッケージ１２０の第１辺１２０ａに垂直な直線Ｌ１に対して略線対称な形状になっている。以下では、第１連結部４について代表して説明することとし、第２連結部５についての説明を省略する。 The first and second connecting portions 4 and 5 have the same configuration, and are substantially symmetrical with respect to a straight line L1 passing through the center of the package 120 and perpendicular to the first side 120a of the package 120 in plan view. It has become. Below, the 1st connection part 4 will be described as a representative, and the description of the 2nd connection part 5 will be omitted.

図２に示すように、第１連結部４は、支持部２側の端部４ａの幅（Ｚ´軸方向の幅）が、パッケージ１２０の第１辺１２０ａ側の端部４ｂの幅（Ｚ´軸方向の幅）よりも大きくなっている。第１連結部４の内側端縁４ｃ、つまり、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの中央位置１２０ｅから近い側（図２の＋Ｚ´方向側）の端縁は、支持部２側の端縁が、パッケージ１２０の第１辺１２０ａ側の端縁よりも、平面視で内側（図２の＋Ｚ´方向側）へ向けて突出されている。言い換えれば、支持部２側の端縁が、パッケージ１２０の第１辺１２０ａ側の端縁よりも、平面視で上記直線Ｌ１に近い位置に設けられている。支持部２側の端縁と上記直線Ｌ１との距離が、第１辺１２０ａ側の端縁と上記直線Ｌ１との距離よりも小さくなっている。このため、第１連結部４と第２連結部５との間には、略台形状の空間が形成されている。 As shown in FIG. 2, in the first connecting portion 4, the width of the end portion 4a on the support portion 2 side (the width in the Z′-axis direction) is equal to the width of the end portion 4b on the first side 120a side of the package 120 (Z ' width in the axial direction). The inner edge 4c of the first connecting portion 4, that is, the edge closer to the central position 120e of the first side 120a of the package 120 (the +Z′ direction side in FIG. 2) is the edge on the support portion 2 side, It protrudes inward (+Z′ direction side in FIG. 2) in plan view from the edge of the package 120 on the side of the first side 120a. In other words, the edge on the support portion 2 side is provided at a position closer to the straight line L1 in plan view than the edge on the first side 120a side of the package 120 . The distance between the edge on the support portion 2 side and the straight line L1 is smaller than the distance between the edge on the first side 120a side and the straight line L1. Therefore, a substantially trapezoidal space is formed between the first connecting portion 4 and the second connecting portion 5 .

また、第１連結部４の内側端縁４ｃは、曲線状に形成されている。具体的には、内側端縁４ｃにおいて、支持部２側の端縁と、第１辺１２０ａ側の端縁との間の部分、言い換えれば、両端部以外の部分は、角が設けられていない形状（角のない形状）になっている。この場合、内側端縁４ｃは、上記直線Ｌ１上に中心を有する円弧の一部になっている。内側端縁４ｃとパッケージ１２０の第１辺１２０ａとの接続部１２０ｇにおいて、内側端縁４ｃの接線とパッケージ１２０の第１辺１２０ａとのなす角が、９０度未満であることが好ましい。なお、内側端縁４ｃは、直線状であってもよく、あるいは、複数の円弧が組み合わされた波形の形状であってもよい。 An inner edge 4c of the first connecting portion 4 is formed in a curved shape. Specifically, in the inner edge 4c, the portion between the edge on the side of the support portion 2 and the edge on the side of the first side 120a, in other words, the portion other than both ends is not provided with corners. It has a shape (a shape without corners). In this case, the inner edge 4c is part of an arc centered on the straight line L1. At the connecting portion 120g between the inner edge 4c and the first side 120a of the package 120, the angle formed by the tangent line of the inner edge 4c and the first side 120a of the package 120 is preferably less than 90 degrees. In addition, the inner edge 4c may be linear, or may have a wavy shape in which a plurality of circular arcs are combined.

また、第１連結部４のパッケージ１２０側の端部４ｂには、溝部（凹部）６が形成されている。溝部６は、パッケージ１２０の第１辺１２０ａに沿って設けられている。つまり、溝部６は、水晶ウエハ１のＺ´軸方向に沿って延びている。溝部６は、内側端縁４ｃとパッケージ１２０の第１辺１２０ａとの接続部１２０ｇからパッケージ１２０の角部１２０ｈに向けて（図２の－Ｚ´方向側に向けて）延びている。溝部６は、パッケージ１２０の角部１２０ｈまで到達しておらず、溝部６は、パッケージ１２０の角部１２０ｈと間隔を隔てて設けられている。つまり、溝部６は、パッケージ１２０の角部１２０ｈまで到達しておらず、パッケージ１２０の角部１２０ｈの近傍は、溝部が形成されない部分になっている。なお、溝部６がパッケージ１２０の角部１２０ｈまで到達していてもよい。 A groove (recess) 6 is formed in the end 4b of the first connecting portion 4 on the package 120 side. The groove portion 6 is provided along the first side 120 a of the package 120 . That is, the groove portion 6 extends along the Z′-axis direction of the crystal wafer 1 . The groove portion 6 extends from a connecting portion 120g between the inner edge 4c and the first side 120a of the package 120 toward a corner portion 120h of the package 120 (toward the -Z' direction side in FIG. 2). The groove 6 does not reach the corner 120h of the package 120, and the groove 6 is spaced apart from the corner 120h of the package 120. As shown in FIG. That is, the groove 6 does not reach the corner 120h of the package 120, and the vicinity of the corner 120h of the package 120 is a portion where no groove is formed. Note that the groove portion 6 may reach the corner portion 120 h of the package 120 .

図２に示すように、パッケージ１２０の第２辺１２０ｃは、第１隙間７ａを隔てて、－Ｚ´方向側に隣り合うパッケージ１２０´に対向して設けられ、第１隙間７ａの第１連結部４側の端縁７ｃが、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に設けられている。また、図示しないが、パッケージ１２０の第３辺１２０ｄは、第２隙間７ｂを隔てて、＋Ｚ´方向側に隣り合うパッケージ１２０に対向して設けられ、第２隙間７ｂの第２連結部５側の端縁７ｄが、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に設けられている。なお、パッケージ１２０の－Ｚ´方向側に設けられた第１隙間７ａと、隣り合うパッケージ１２０´の＋Ｚ´方向側に設けられた第２隙間７ｂとは同じ隙間（空間）になっている。 As shown in FIG. 2, the second side 120c of the package 120 is provided to face the packages 120' adjacent to each other in the -Z' direction across the first gap 7a. An edge 7 c on the part 4 side is provided on an extension line of the first side 120 a of the package 120 . Although not shown, the third side 120d of the package 120 is provided to face the package 120 adjacent to the +Z′ direction across the second gap 7b, is provided on an extension line of the first side 120 a of the package 120 . The first gap 7a provided on the −Z′ direction side of the package 120 and the second gap 7b provided on the +Z′ direction side of the adjacent package 120′ are the same gap (space).

パッケージ１２０の第２辺１２０ｃと、－Ｚ´方向側に隣り合うパッケージ１２０´の第３辺１２０ｄとの間には、平面視で略矩形状の第１隙間７ａが設けられている。第１隙間７ａの第１連結部４側の端縁７ｃは、Ｚ´軸方向に平行（Ｘ軸方向に垂直）に設けられており、且つパッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に位置している。同様に、パッケージ１２０の第３辺１２０ｄと、＋Ｚ´方向側に隣り合うパッケージの第２辺１２０ｃとの間には、平面視で略矩形状の第２隙間７ｂが設けられている。第２隙間７ｂの第２連結部５側の端縁７ｄは、Ｚ´軸方向に平行（Ｘ軸方向に垂直）に設けられており、且つパッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に位置している。 Between the second side 120c of the package 120 and the third side 120d of the package 120' adjacent in the -Z' direction, a substantially rectangular first gap 7a is provided in plan view. The edge 7c of the first gap 7a on the side of the first connecting portion 4 is provided parallel to the Z′-axis direction (perpendicular to the X-axis direction) and positioned on the extension line of the first side 120a of the package 120. ing. Similarly, a substantially rectangular second gap 7b is provided between the third side 120d of the package 120 and the second side 120c of the package adjacent in the +Z' direction. An edge 7d of the second gap 7b on the side of the second connecting portion 5 is provided parallel to the Z′-axis direction (perpendicular to the X-axis direction) and positioned on an extension line of the first side 120a of the package 120. ing.

このように、第１隙間７ａおよび第２隙間７ｂは、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上までしか形成されておらず、例えば図２に２点鎖線で示すような凹部８のない形状になっている。このため、パッケージ１２０の第１連結部４と－Ｚ´方向側に隣り合うパッケージ１２０´の第２連結部５とが同じ幅（Ｘ軸方向の幅）で連続して設けられている。同様に、パッケージ１２０の第２連結部５と＋Ｚ´方向側に隣り合うパッケージ１２０の第１連結部４とが同じ幅（Ｘ軸方向の幅）で連続して設けられている。 In this way, the first gap 7a and the second gap 7b are formed only on the extension line of the first side 120a of the package 120. For example, the shape without the concave portion 8 shown by the two-dot chain line in FIG. It's becoming Therefore, the first connecting portion 4 of the package 120 and the second connecting portion 5 of the package 120' adjacent in the -Z' direction are continuously provided with the same width (the width in the X-axis direction). Similarly, the second connecting portion 5 of the package 120 and the first connecting portion 4 of the package 120 adjacent on the +Z′ direction side are continuously provided with the same width (the width in the X-axis direction).

なお、横方向（Ｚ´軸方向）に並んだ複数のパッケージ１２０のうち、－Ｚ´方向側の端に位置するパッケージ１２０の場合、パッケージ１２０の第２辺１２０ｃが、第１隙間７ａを隔てて、水晶ウエハ１のフレーム部３に対向して設けられ、第１隙間７ａの第１連結部４側の端縁７ｃが、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に設けられる。同様に、横方向に並んだ複数のパッケージ１２０のうち、＋Ｚ´方向側の端に位置するパッケージ１２０の場合、パッケージ１２０の第３辺１２０ｄが、第２隙間７ｂを隔てて、水晶ウエハ１のフレーム部３に対向して設けられ、第２隙間７ｂの第２連結部５側の端縁７ｄが、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に設けられる。 Among the plurality of packages 120 arranged in the horizontal direction (Z′-axis direction), in the case of the package 120 positioned at the end on the −Z′ direction side, the second side 120c of the package 120 is separated by the first gap 7a. An end edge 7c of the first gap 7a on the side of the first connecting portion 4 is provided on an extension line of the first side 120a of the package 120 so as to face the frame portion 3 of the crystal wafer 1 . Similarly, in the case of the package 120 located at the end on the +Z′ direction side among the plurality of packages 120 arranged in the horizontal direction, the third side 120d of the package 120 separates the crystal wafer 1 from the second gap 7b. An end edge 7d of the second gap 7b on the side of the second connecting portion 5 is provided to face the frame portion 3 and is provided on an extension line of the first side 120a of the package 120 .

本実施の形態では、水晶ウエハ１は、図３に示すように、第１封止部材用ウエハ１Ｂと、水晶振動板用ウエハ１Ａと、第２封止部材用ウエハ１Ｃとが積層された構成となっている。水晶振動板用ウエハ１Ａ、第１封止部材用ウエハ１Ｂ、および第２封止部材用ウエハ１Ｃは、平面視では、上述した水晶ウエハ１（図１参照）と同様の形状になっている。 In the present embodiment, as shown in FIG. 3, the crystal wafer 1 is configured by stacking a first sealing member wafer 1B, a crystal diaphragm wafer 1A, and a second sealing member wafer 1C. It has become. The crystal diaphragm wafer 1A, the first sealing member wafer 1B, and the second sealing member wafer 1C have the same shape as the above-described crystal wafer 1 (see FIG. 1) in plan view.

水晶振動板用ウエハ１Ａは、図３に示すように、上述した水晶振動板１０（図７，８参照）が複数、集合された構成になっている。図３の例では、水晶振動板用ウエハ１Ａにおいて、複数の水晶振動板１０がマトリックス状に配列されており、縦方向（図３のＸ軸方向）および横方向（図３のＺ´軸方向）にそれぞれ８つの水晶振動板１０が配列され、合計６４の水晶振動板１０が備えられている。そして、水晶振動板用ウエハ１Ａにおいては、上述した水晶ウエハ１の場合と同様に、水晶振動板１０が、第１、第２連結部４Ａ，５Ａによって支持部２Ａに支持されている。第１、第２連結部４Ａ，５Ａの水晶振動板１０側の端部には、溝部（スリット）６Ａ，６Ａが形成されている。溝部６Ａ，６Ａは、水晶振動板用ウエハ１Ａの両面に形成されていることが好ましいが、少なくとも片面に形成されていればよい。このような第１、第２連結部４Ａ，５Ａ、および溝部６Ａ，６Ａを有する水晶振動板用ウエハ１Ａは、例えばウェットエッチングによって形成することが可能である。なお、水晶振動板用ウエハ１Ａの各水晶振動板１０には、上述した振動部１１や外枠部１２、第１励振電極１１１、第２励振電極１１２や、振動側第１接合パターン１２１、振動側第２接合パターン１２２、第１スルーホール１６１、第２スルーホール１６２等が形成されているが、図３では図示を省略している。 As shown in FIG. 3, the quartz plate wafer 1A is constructed by gathering a plurality of the above-described quartz plates 10 (see FIGS. 7 and 8). In the example of FIG. 3, a plurality of crystal diaphragms 10 are arranged in a matrix on the crystal diaphragm wafer 1A and ), 8 quartz crystal diaphragms 10 are arranged in each row, and a total of 64 quartz crystal diaphragms 10 are provided. In the crystal diaphragm wafer 1A, similarly to the crystal wafer 1 described above, the crystal diaphragm 10 is supported by the supporting portion 2A through the first and second connecting portions 4A and 5A. Groove portions (slits) 6A, 6A are formed at the end portions of the first and second connecting portions 4A, 5A on the crystal plate 10 side. The grooves 6A, 6A are preferably formed on both sides of the crystal diaphragm wafer 1A, but may be formed on at least one side. The crystal diaphragm wafer 1A having such first and second connecting portions 4A and 5A and groove portions 6A and 6A can be formed by wet etching, for example. Each crystal plate 10 of the crystal plate wafer 1A includes the vibrating portion 11, the outer frame portion 12, the first excitation electrode 111, the second excitation electrode 112, the vibration-side first bonding pattern 121, and the vibration electrodes. A side second bonding pattern 122, a first through hole 161, a second through hole 162, etc. are formed, but are not shown in FIG.

第１封止部材用ウエハ１Ｂは、図３に示すように、上述した第１封止部材２０（図５，６参照）が複数、集合された構成になっている。図３の例では、第１封止部材用ウエハ１Ｂにおいて、複数の第１封止部材２０がマトリックス状に配列されており、縦方向（図３のＸ軸方向）および横方向（図３のＺ´軸方向）にそれぞれ８つの第１封止部材２０が配列され、合計６４の第１封止部材２０が備えられている。そして、第１封止部材用ウエハ１Ｂにおいては、上述した水晶ウエハ１の場合と同様に、第１封止部材２０が、第１、第２連結部４Ｂ，５Ｂによって支持部２Ｂに支持されている。第１、第２連結部４Ｂ，５Ｂの第１封止部材２０側の端部には、溝部６Ｂ，６Ｂが形成されている。溝部６Ｂ，６Ｂは、第１封止部材用ウエハ１Ｂの両面に形成されていることが好ましいが、少なくとも片面に形成されていればよい。このような第１、第２連結部４Ｂ，５Ｂ、および溝部６Ｂ，６Ｂを有する第１封止部材用ウエハ１Ｂは、例えばウェットエッチングによって形成することが可能である。なお、第１封止部材用ウエハ１Ｂの各第１封止部材２０には、上述した第１金属膜２２、第２金属膜２３、第３金属膜２８、封止側第１接合パターン２４、配線パターン２７、第３スルーホール２１１、第４スルーホール２１２、第５スルーホール２１３等が形成されているが、図３では図示を省略している。 As shown in FIG. 3, the first sealing member wafer 1B has a configuration in which a plurality of first sealing members 20 (see FIGS. 5 and 6) are assembled. In the example of FIG. 3, a plurality of first sealing members 20 are arranged in a matrix on the first sealing member wafer 1B, and 8 first sealing members 20 are arranged in the Z′-axis direction), and a total of 64 first sealing members 20 are provided. In the first sealing member wafer 1B, the first sealing member 20 is supported by the supporting portion 2B through the first and second connecting portions 4B and 5B, as in the crystal wafer 1 described above. there is Groove portions 6B and 6B are formed at the ends of the first and second connecting portions 4B and 5B on the first sealing member 20 side. The grooves 6B, 6B are preferably formed on both sides of the first sealing member wafer 1B, but may be formed on at least one side. The first sealing member wafer 1B having such first and second connecting portions 4B and 5B and groove portions 6B and 6B can be formed by wet etching, for example. Each first sealing member 20 of the first sealing member wafer 1B includes the above-described first metal film 22, second metal film 23, third metal film 28, sealing-side first bonding pattern 24, A wiring pattern 27, a third through-hole 211, a fourth through-hole 212, a fifth through-hole 213, etc. are formed, but are omitted in FIG.

第２封止部材用ウエハ１Ｃは、図３に示すように、上述した第２封止部材３０（図９，１０参照）が複数、集合された構成になっている。図３の例では、第２封止部材用ウエハ１Ｃにおいて、複数の第２封止部材３０がマトリックス状に配列されており、縦方向（図３のＸ軸方向）および横方向（図３のＺ´軸方向）にそれぞれ８つの第２封止部材３０が配列され、合計６４の第２封止部材３０が備えられている。そして、第２封止部材用ウエハ１Ｃにおいては、上述した水晶ウエハ１の場合と同様に、第２封止部材３０が、第１、第２連結部４Ｃ，５Ｃによって支持部２Ｃに支持されている。第１、第２連結部４Ｃ，５Ｃの第２封止部材３０側の端部には、溝部６Ｃ，６Ｃが形成されている。溝部６Ｃ，６Ｃは、第２封止部材用ウエハ１Ｃの両面に形成されていることが好ましいが、少なくとも片面に形成されていればよい。このような第１、第２連結部４Ｃ，５Ｃ、および溝部６Ｃ，６Ｃを有する第２封止部材用ウエハ１Ｃは、例えばウェットエッチングによって形成することが可能である。なお、第２封止部材用ウエハ１Ｃの各第２封止部材３０には、上述した封止側第２接合パターン３１、外部電極端子３２、第６スルーホール３３等が形成されているが、図３では図示を省略している。 As shown in FIG. 3, the second sealing member wafer 1C has a configuration in which a plurality of second sealing members 30 (see FIGS. 9 and 10) are assembled. In the example of FIG. 3, a plurality of second sealing members 30 are arranged in a matrix on the second sealing member wafer 1C, and 8 second sealing members 30 are arranged in the Z′-axis direction), and a total of 64 second sealing members 30 are provided. In the second sealing member wafer 1C, as in the crystal wafer 1 described above, the second sealing member 30 is supported by the supporting portion 2C by the first and second connecting portions 4C and 5C. there is Groove portions 6C and 6C are formed at the end portions of the first and second connecting portions 4C and 5C on the second sealing member 30 side. The grooves 6C, 6C are preferably formed on both sides of the second sealing member wafer 1C, but may be formed on at least one side. The second sealing member wafer 1C having such first and second connecting portions 4C and 5C and groove portions 6C and 6C can be formed by wet etching, for example. In each second sealing member 30 of the second sealing member wafer 1C, the sealing-side second bonding pattern 31, the external electrode terminal 32, the sixth through hole 33, etc. are formed. Illustration is omitted in FIG.

第１封止部材用ウエハ１Ｂと第２封止部材用ウエハ１Ｃとが水晶振動板用ウエハ１Ａを介して積層して接合されることによって、図１に示すように、サンドイッチ構造の水晶振動子１００のパッケージ１２０が複数、集合された水晶ウエハ１が構成される。この場合、水晶ウエハ１の第１、第２連結部４，５は、第１封止部材用ウエハ１Ｂの第１、第２連結部４Ｂ，５Ｂと、水晶振動板用ウエハ１Ａの第１、第２連結部４Ａ，５Ａと、第２封止部材用ウエハ１Ｃの第１、第２連結部４Ｃ，５Ｃとが積層された構成になっている。第１封止部材用ウエハ１Ｂの第１、第２連結部４Ｂ，５Ｂ、水晶振動板用ウエハ１Ａの第１、第２連結部４Ａ，５Ａ、および第２封止部材用ウエハ１Ｃの第１、第２連結部４Ｃ，５Ｃは、上述した水晶ウエハ１の第１、第２連結部４，５と同様の構成になっている。 The first sealing member wafer 1B and the second sealing member wafer 1C are laminated and bonded with the crystal plate wafer 1A interposed therebetween, thereby forming a crystal resonator having a sandwich structure as shown in FIG. A plurality of 100 packages 120 are aggregated to constitute the crystal wafer 1 . In this case, the first and second connecting portions 4 and 5 of the crystal wafer 1 are connected to the first and second connecting portions 4B and 5B of the first sealing member wafer 1B and the first and second connecting portions 4B and 5B of the crystal diaphragm wafer 1A. The second connecting portions 4A, 5A and the first and second connecting portions 4C, 5C of the second sealing member wafer 1C are laminated. The first and second connecting portions 4B and 5B of the first sealing member wafer 1B, the first and second connecting portions 4A and 5A of the crystal diaphragm wafer 1A, and the first and second connecting portions of the second sealing member wafer 1C. , and the second connecting portions 4C and 5C have the same structure as the first and second connecting portions 4 and 5 of the crystal wafer 1 described above.

また、水晶ウエハ１の溝部６，６は、第１封止部材用ウエハ１Ｂの少なくとも片面に形成された溝部６Ｂ，６Ｂ、水晶振動板用ウエハ１Ａの少なくとも片面に形成された溝部６Ａ，６Ａ、および第２封止部材用ウエハ１Ｃの少なくとも片面に形成された溝部６Ｃ，６Ｃを含む構成になっている。第１封止部材用ウエハ１Ｂの溝部６Ｂ，６Ｂ、水晶振動板用ウエハ１Ａの溝部６Ａ，６Ａ、および第２封止部材用ウエハ１Ｃの溝部６Ｃ，６Ｃは、上述した水晶ウエハ１の溝部６，６と同様の構成になっている。 The grooves 6, 6 of the crystal wafer 1 are grooves 6B, 6B formed on at least one side of the first sealing member wafer 1B, grooves 6A, 6A formed on at least one side of the crystal plate wafer 1A, and grooves 6C, 6C formed on at least one side of the second sealing member wafer 1C. The grooves 6B and 6B of the first sealing member wafer 1B, the grooves 6A and 6A of the crystal plate wafer 1A, and the grooves 6C and 6C of the second sealing member wafer 1C are the grooves 6 of the crystal wafer 1 described above. , 6.

本実施の形態によれば、水晶振動子１００のパッケージ１２０が複数、集合された水晶ウエハ１から、各パッケージ１２０を折り取りによって容易に個片化することができ、パッケージ１２０側での折り取り残りの発生を抑制することができる。以下、この点について説明する。 According to the present embodiment, each package 120 can be easily broken off from the crystal wafer 1 in which a plurality of the packages 120 of the crystal oscillator 100 are gathered, and the package 120 can be broken off at the package 120 side. Remaining occurrences can be suppressed. This point will be described below.

水晶ウエハ１においては、上述したパッケージ１２０の他方の長辺１２０ｂの中央位置１２０ｆ（図２参照）を棒状の部材等により押圧（加圧）することによって、第１、第２連結部４，５においてパッケージ１２０が水晶ウエハ１から折り取られ（分離され）、パッケージ１２０が個片化されるようになっている。この際、押圧による応力が、第１連結部４（第２連結部５についても同様）の内側端縁４ｃとパッケージ１２０の第１辺１２０ａとの接続部１２０ｇに最も集中しやすくなり、水晶ウエハ１に接続部１２０ｇを起点とした破断が発生しやすくなっている。 In the crystal wafer 1, the first and second connecting portions 4 and 5 are pressed (pressurized) by a rod-shaped member or the like at the center position 120f (see FIG. 2) of the other long side 120b of the package 120 described above. , the package 120 is broken off (separated) from the crystal wafer 1, and the package 120 is separated into individual pieces. At this time, the stress due to pressing tends to be most likely to concentrate on the connecting portion 120g between the inner edge 4c of the first connecting portion 4 (the same applies to the second connecting portion 5) and the first side 120a of the package 120. 1, breakage starting from the connecting portion 120g is likely to occur.

ここで、第１隙間７ａおよび第２隙間７ｂに上述したような凹部８（図２参照）がある場合、パッケージ１２０の折り取りの際、図２の矢印で示すように、接続部１２０ｇを起点として発生した破断が、凹部８の角部８ａに向けて破断が進行する。このような場合、割れ、チッピング等の折り取り痕がパッケージ１２０側で発生し、パッケージ１２０の外観不良が発生することが懸念される。 Here, if the first gap 7a and the second gap 7b have the concave portion 8 (see FIG. 2) as described above, when breaking off the package 120, as indicated by the arrow in FIG. The breakage that occurs as the breakage progresses toward the corner portion 8a of the recessed portion 8 . In such a case, it is feared that break-off traces such as cracks and chipping may occur on the package 120 side, resulting in appearance defects of the package 120 .

しかし、本実施の形態によれば、そのような凹部８がなく、第１隙間７ａの第１連結部４側の端縁７ｃおよび第２隙間７ｂの第２連結部５側の端縁７ｄが、パッケージ１２０の第１辺１２０ａの延長線上に設けられているので、パッケージ１２０の折り取りの際、接続部１２０ｇを起点として発生した破断をパッケージ１２０の第１辺１２０ａに沿って、略直線的で蛇行しないように進行させることができ、パッケージ１２０を水晶ウエハ１から容易に分離させることができる。これにより、割れ、チッピング等の折り取り痕がパッケージ１２０側で発生することを抑制でき、パッケージ１２０の外観不良の発生を抑制することができる。しかも、凹部８がある場合に比べて、支持部２の幅（Ｘ軸方向の幅）を小さくすることができるので、同じ大きさの水晶ウエハ１から、より多くのパッケージ１２０を得ることができる。言い換えれば、凹部８がある場合に比べて、同じ数のパッケージ１２０を得るのに必要な水晶ウエハ１のサイズを小さくすることができる。 However, according to the present embodiment, there is no such recess 8, and the edge 7c of the first gap 7a on the side of the first connecting portion 4 and the edge 7d of the second gap 7b on the side of the second connecting portion 5 are , is provided on the extension line of the first side 120a of the package 120, so that when the package 120 is broken off, the break that occurs from the connecting portion 120g as a starting point is substantially straight along the first side 120a of the package 120. , so that the package 120 can be easily separated from the crystal wafer 1 . As a result, it is possible to suppress the occurrence of break-off traces such as cracks and chipping on the package 120 side, thereby suppressing the occurrence of poor appearance of the package 120 . Moreover, since the width of the support portion 2 (the width in the X-axis direction) can be made smaller than when there is the concave portion 8, more packages 120 can be obtained from the crystal wafer 1 of the same size. . In other words, the size of the crystal wafer 1 required to obtain the same number of packages 120 can be reduced compared to the case where the recesses 8 are present.

また、溝部６によって、パッケージ１２０の折り取りに必要な押圧力（加圧力）を小さくすることができ、また、折り取りのために必要な箇所に限って破断を発生させることができ、折り取りの際にパッケージ１２０に加えられるダメージを小さくすることができる。この場合、第１封止部材用ウエハ１Ｂの両面に溝部６Ｂを形成し、水晶振動板用ウエハ１Ａの両面に溝部６Ａを形成し、さらに、第２封止部材用ウエハ１Ｃの両面に溝部６Ｃを形成することによって、折り取りの際のパッケージ１２０のダメージをより小さくすることができる。また、第１、第２連結部４，５が、支持部２側に設けられており、第１、第２連結部４，５のそれぞれのパッケージ１２０の第１辺１２０ａ側の端部に溝部６が設けられているので、折り取りの際のパッケージ１２０のダメージをさらに小さくすることができる。この際、第１、第２連結部４，５をパッケージ１２０側ではなく支持部２側に設けることによって、パッケージ１２０が破断による影響を受けにくくなり、パッケージ１２０の外縁を略直線的に形成することができる。また、パッケージ１２０の第１辺１２０ａに沿って形成された溝部６によって破断の進行方向をコントロールすることができ、接続部１２０ｇを起点として発生した破断をパッケージ１２０の第１辺１２０ａに沿って確実に進行させることができる。さらに、第１、第２連結部４，５が、パッケージ１２０の一方の長辺側に設けられているので、パッケージ１２０の短辺側に設けられている場合に比べて、第１、第２連結部４，５のそれぞれの幅（第１、第２連結部４，５が並ぶ方向の幅で、ここでは、Ｚ´軸方向の幅）を大きくすることができ、折り取りまでにパッケージ１２０を支持部２に連結しておくのに必要な第１、第２連結部４，５の連結力（保持力）を確保することができる。 In addition, the groove portion 6 can reduce the pressing force (pressure force) required for breaking off the package 120, and can cause breakage only at a portion necessary for breaking off, thereby reducing the force required for breaking off the package. damage to the package 120 can be reduced. In this case, grooves 6B are formed on both surfaces of the first sealing member wafer 1B, grooves 6A are formed on both surfaces of the crystal plate wafer 1A, and grooves 6C are formed on both surfaces of the second sealing member wafer 1C. , the damage to the package 120 during breaking off can be reduced. Also, the first and second connecting portions 4 and 5 are provided on the support portion 2 side, and groove portions are provided at the ends of the first and second connecting portions 4 and 5 on the side of the first side 120a of the package 120, respectively. 6 is provided, it is possible to further reduce damage to the package 120 during breaking off. At this time, by providing the first and second connecting portions 4 and 5 on the support portion 2 side instead of the package 120 side, the package 120 is less susceptible to breakage, and the outer edge of the package 120 is formed substantially straight. be able to. In addition, the direction in which the breakage progresses can be controlled by the groove 6 formed along the first side 120a of the package 120, and the breakage generated from the connecting portion 120g as a starting point can be reliably prevented along the first side 120a of the package 120. can proceed to Furthermore, since the first and second connecting portions 4 and 5 are provided on one of the long sides of the package 120 , the first and second connecting portions 4 and 5 are arranged on the short side of the package 120 . The width of each of the connecting portions 4 and 5 (the width in the direction in which the first and second connecting portions 4 and 5 are arranged, here, the width in the Z′-axis direction) can be increased. can be ensured.

また、溝部６が水晶ウエハ１のＸ軸方向に垂直な方向（この場合、Ｚ´軸方向）に沿って形成されており、溝部６がパッケージ１２０の角部１２０ｈと間隔を隔てて設けられているので、ウェットエッチングによって溝部６を形成する場合、ＡＴカット水晶板である水晶ウエハ１の異方性によるパッケージ１２０の角部１２０ｈの欠損（面取り）を抑制することができる。この場合、溝部６が水晶ウエハ１のＸ軸方向に垂直に形成されるので、ウェットエッチングによって溝部６の斜面の形状を水晶ウエハ１の表裏で対称になるように形成することができる。また、溝部６を水晶ウエハ１のＸ軸方向に垂直に形成し溝部６の幅を調整すれば、そのエッチングレートが小さくなるので、他の隙間（第１隙間７ａ、第２隙間７ｂ等）を形成する工程と同時にエッチング加工したとしても、溝部６が水晶ウエハ１を貫通しないように設計することができる。これにより、エッチング加工の途中でパッケージ１２０が水晶ウエハ１から離脱することを回避できる。 Further, the groove portion 6 is formed along the direction perpendicular to the X-axis direction of the crystal wafer 1 (in this case, the Z′-axis direction), and the groove portion 6 is spaced apart from the corner portion 120h of the package 120. Therefore, when the groove portion 6 is formed by wet etching, it is possible to suppress damage (chamfering) of the corner portion 120h of the package 120 due to the anisotropy of the crystal wafer 1, which is an AT-cut crystal plate. In this case, since the grooves 6 are formed perpendicular to the X-axis direction of the crystal wafer 1, the slopes of the grooves 6 can be formed symmetrically on the front and back sides of the crystal wafer 1 by wet etching. Also, if the groove 6 is formed perpendicular to the X-axis direction of the crystal wafer 1 and the width of the groove 6 is adjusted, the etching rate becomes smaller, so other gaps (the first gap 7a, the second gap 7b, etc.) are formed. Even if etching is performed at the same time as the forming process, the groove 6 can be designed so as not to penetrate through the crystal wafer 1 . This can prevent the package 120 from being detached from the crystal wafer 1 during the etching process.

また、第１、第２連結部４，５が、パッケージ１２０の＋Ｘ方向側の長辺である第１辺１２０ａに設けられているので、ウェットエッチングを行う際、ＡＴカット水晶板である水晶ウエハ１の異方性によって水晶振動板１０の振動部１１（図７参照）の＋Ｘ方向側の角部に欠損（面取り）が発生することを抑制できる。つまり、第１、第２連結部４，５がパッケージ１２０の－Ｘ方向側の長辺１２０ｂに設けられる場合に比べて、振動部１１をより矩形に近い形状に形成することができる。 In addition, since the first and second connecting portions 4 and 5 are provided on the first side 120a, which is the long side of the package 120 in the +X direction, when wet etching is performed, the crystal wafer, which is an AT-cut crystal plate, is provided. Due to the anisotropy of 1, it is possible to suppress the occurrence of chipping (chamfering) in the +X direction side corners of the vibrating portion 11 (see FIG. 7) of the crystal plate 10 . That is, compared to the case where the first and second connecting portions 4 and 5 are provided on the long side 120b on the -X direction side of the package 120, the vibrating portion 11 can be formed in a shape closer to a rectangle.

上記実施の形態では、水晶振動デバイスを水晶振動子としたが、水晶振動子以外の水晶振動デバイス（例えば水晶発振器）にも本発明を適用することが可能である。 In the above embodiments, the crystal oscillator is used as the crystal oscillator, but the present invention can also be applied to crystal oscillator devices other than crystal oscillators (for example, crystal oscillators).

また、上記実施の形態では、第１、第２連結部４，５をパッケージ１２０の長辺である第１辺１２０ａ側に設けたが、パッケージ１２０の短辺である第２辺１２０ｃ側または第３辺１２０ｄ側に第１、第２連結部を設ける構成としてもよい。 In addition, in the above-described embodiment, the first and second connecting portions 4 and 5 are provided on the side of the first long side 120a of the package 120. A configuration in which the first and second connecting portions are provided on the side of the three sides 120d may be adopted.

本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。 The invention can be embodied in many other forms without departing from its spirit, scope or essential characteristics. Therefore, the above-described embodiments are merely examples in every respect and should not be construed in a restrictive manner. The scope of the present invention is indicated by the claims, and is not restricted by the text of the specification. Furthermore, all modifications and changes within the equivalent range of claims are within the scope of the present invention.

本発明は、水晶振動デバイスのパッケージが複数、集合された水晶ウエハに利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used for a crystal wafer in which a plurality of crystal oscillation device packages are assembled.

１水晶ウエハ
２支持部
４第１連結部
５第２連結部
７ａ第１隙間
７ｂ第２隙間
１０水晶振動板
１１振動部
２０第１封止部材
３０第２封止部材
１００水晶振動子
１２０パッケージ
１２０ａ第１辺
１２０ｃ第２辺
１２０ｄ第３辺 REFERENCE SIGNS LIST 1 crystal wafer 2 support portion 4 first connecting portion 5 second connecting portion 7a first gap 7b second gap 10 crystal diaphragm 11 vibrating portion 20 first sealing member 30 second sealing member 100 crystal oscillator 120 package 120a First side 120c Second side 120d Third side

Claims

A crystal wafer in which at least one package of a crystal vibrating device that hermetically seals a crystal vibrating piece is connected to a support portion provided on a first side of the package in plan view via a connecting portion,
the connecting portion includes first and second connecting portions provided at a predetermined interval in a direction along the first side of the package;
the package is substantially rectangular in plan view, and second and third sides of the package extend from both ends of the first side in a direction perpendicular to the first side;
The second side is provided so as to face adjacent packages or frame portions of the crystal wafers with a first gap therebetween, and an edge of the first gap on the side of the first connecting portion is provided to face the frame portion of the package. It is provided on the extension line of the first side,
The third side is provided so as to face adjacent packages or frame portions of the crystal wafers with a second gap therebetween, and an edge of the second gap on the side of the second connecting portion is provided to face the package. Provided on the extension line of the first side ,
The first and second connecting portions are provided on the support portion side,
grooves are formed along the first side of the package at the end of each of the first and second connecting parts on the first side of the package;
The first side of the package is provided perpendicular to the X-axis of the crystal wafer,
The crystal wafer, wherein the second side and the third side of the package are provided parallel to the X-axis of the crystal wafer.

In the crystal wafer according to claim 1,
The crystal wafer, wherein the first and second connecting portions are provided on one long side of the package.

In the crystal wafer according to claim 1 or 2 ,
The package has a structure in which a crystal plate that forms the crystal plate, and a first sealing member and a second sealing member that cover the crystal plate from above and below are laminated,
The crystal wafer has a configuration in which a first sealing member wafer, a crystal vibration plate wafer, and a second sealing member wafer are laminated,
The first connecting portion includes a first sealing member first connecting portion formed on the first sealing member wafer and a crystal diaphragm first connecting portion formed on the crystal diaphragm wafer. , and the first connecting portion for the second sealing member formed on the wafer for the second sealing member are laminated,
The second connecting portion includes a first sealing member second connecting portion formed on the first sealing member wafer and a crystal diaphragm second connecting portion formed on the crystal diaphragm wafer. , and the second connecting portion for the second sealing member formed on the wafer for the second sealing member are laminated.