JP6713647B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
炭化珪素半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6713647B2 JP6713647B2 JP2016094454A JP2016094454A JP6713647B2 JP 6713647 B2 JP6713647 B2 JP 6713647B2 JP 2016094454 A JP2016094454 A JP 2016094454A JP 2016094454 A JP2016094454 A JP 2016094454A JP 6713647 B2 JP6713647 B2 JP 6713647B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- silicon carbide
- carbide semiconductor
- semiconductor device
- logic signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 64
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 59
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 58
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N Cobalt-60 Chemical compound [60Co] GUTLYIVDDKVIGB-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000987 absorbed dose Toxicity 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
112 SiC半導体層
113 不純物拡散層
114 ゲート絶縁膜
115 オーミック電極
116 ゲート電極
117 層間絶縁膜
Claims (5)
- それぞれが、電源と接地との間に配置された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと電源との間に接続された第3トランジスタと、
前記第2トランジスタと電源との間に接続された第4トランジスタとを備え、
前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、同一導電型の炭化珪素半導体からなるトランジスタであり、いずれもエンハンスメント型又はデュプレッション型であり、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲート電極は、第1論理信号が入力される第1入力端子と接続され、
前記第3トランジスタの第1オーミック電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第4トランジスタの第1オーミック電極は、前記第2トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第3トランジスタのゲート電極及び前記第4トランジスタのゲート電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と前記第3トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードと接続され、
前記第2トランジスタの第2オーミック電極と前記第4トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードは、前記第1論理信号の論理演算結果を出力する出力端子と接続された、炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、基板の上に形成された炭化珪素半導体層と、前記ゲート電極と前記炭化珪素半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、3nm以上、30nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲート電極は、モリブデン、ニオブ、又はニオブとニッケルとの積層体からなる、請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1トランジスタと接地との間に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと接地との間に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタは、前記第1〜第4トランジスタと同一導電型の炭化珪素半導体からなるトランジスタであり、且つ前記第1〜第4トランジスタと同じエンハンスメント型又はデュプレッション型であり、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理積を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタと並列に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと並列に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタは、前記第1〜第4トランジスタと同一導電型の炭化珪素半導体からなるトランジスタであり、且つ前記第1〜第4トランジスタと同じエンハンスメント型又はデュプレッション型であり、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理和を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016094454A JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016094454A JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017204524A JP2017204524A (ja) | 2017-11-16 |
JP6713647B2 true JP6713647B2 (ja) | 2020-06-24 |
Family
ID=60321553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016094454A Active JP6713647B2 (ja) | 2016-05-10 | 2016-05-10 | 炭化珪素半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6713647B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7248539B2 (ja) * | 2019-08-13 | 2023-03-29 | 株式会社日立製作所 | 圧力伝送装置および原子力発電プラント計測システム |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4135102A (en) * | 1977-07-18 | 1979-01-16 | Mostek Corporation | High performance inverter circuits |
JPS58130623A (ja) * | 1982-01-29 | 1983-08-04 | Toshiba Corp | 論理回路 |
JP2524686B2 (ja) * | 1994-07-11 | 1996-08-14 | 沖電気工業株式会社 | GaAs論理回路装置 |
US7969226B2 (en) * | 2009-05-07 | 2011-06-28 | Semisouth Laboratories, Inc. | High temperature gate drivers for wide bandgap semiconductor power JFETs and integrated circuits including the same |
JP5322169B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-10-23 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 炭化珪素絶縁ゲート電界効果トランジスタを用いたインバータ回路および論理ゲート回路 |
JP2011091186A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6558359B2 (ja) * | 2014-02-24 | 2019-08-14 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-05-10 JP JP2016094454A patent/JP6713647B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017204524A (ja) | 2017-11-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5456987B2 (ja) | アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路 | |
US8890118B2 (en) | Tunnel field effect transistor | |
Jiang et al. | Impact of Thickness on Contact Issues for Pinning Effect in Black Phosphorus Field‐Effect Transistors | |
US10950597B2 (en) | Electrostatic protection circuit and a semiconductor structure | |
KR102425131B1 (ko) | 그래핀 트랜지스터 및 이를 이용한 3진 논리 소자 | |
US9768289B2 (en) | Field effect transistor with conduction band electron channel and uni-terminal response | |
CN1728394A (zh) | 半导体集成电路器件 | |
WO2012137914A1 (ja) | 炭化珪素縦型電界効果トランジスタ | |
US10930640B2 (en) | Intelligent diode structures | |
US20180151550A1 (en) | Semiconductor Device with Reduced Leakage Current | |
JP6713647B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
US9130567B2 (en) | Inverter device, NAND device, NOR device, and logic device including the same | |
Trommer et al. | Reconfigurable germanium transistors with low source-drain leakage for secure and energy-efficient doping-free complementary circuits | |
US20160276474A1 (en) | Semiconductor device | |
US20220130825A1 (en) | Semiconductor device including transistors sharing gates with structures having reduced parasitic circuit | |
US20220109440A1 (en) | Circuit for Capturing Electrical Energy from Vibrating Molecular Charges | |
Hung et al. | Design, process, and characterization of complementary metal–oxide–semiconductor circuits and six-transistor static random-access memory in 4H-SiC | |
CN113472343A (zh) | 一种逻辑门的构建方法 | |
JP2014060299A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017212397A (ja) | SiC接合型電界効果トランジスタ及びSiC相補型接合型電界効果トランジスタ | |
US20150054060A1 (en) | Protection diode | |
CN108735730B (zh) | 电力开关及其半导体装置 | |
Duhan et al. | Anomalous Width Dependence of Gate Current in High-$ K $ Metal Gate nMOS Transistors | |
US10361190B2 (en) | Standard cell circuitries | |
JP4595128B2 (ja) | 4端子型ダブルゲート電界効果トランジスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20160531 |
|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20160526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200121 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200518 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6713647 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |