JP2017204524A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
112 SiC半導体層
113 不純物拡散層
114 ゲート絶縁膜
115 オーミック電極
116 ゲート電極
117 層間絶縁膜
Claims (5)
- それぞれが、電源と接地との間に配置された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、
前記第1トランジスタと電源との間に接続された第3トランジスタと、
前記第2トランジスタと電源との間に接続された第4トランジスタとを備え、
前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、同一導電型であり、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのゲート電極は、第1論理信号が入力される第1入力端子と接続され、
前記第3トランジスタの第1オーミック電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第4トランジスタの第1オーミック電極は、前記第2トランジスタの第2オーミック電極と接続され、
前記第3トランジスタのゲート電極及び前記第4トランジスタのゲート電極は、前記第1トランジスタの第2オーミック電極と前記第3トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードと接続され、
前記第2トランジスタの第2オーミック電極と前記第4トランジスタの第1オーミック電極との接続ノードは、前記第1論理信号の論理演算結果を出力する出力端子と接続された、炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタは、基板の上に形成された炭化珪素半導体層と、前記ゲート電極と前記炭化珪素半導体層との間に設けられたゲート絶縁膜とを有し、
前記ゲート絶縁膜の厚さは、3nm以上、30nm以下である、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記ゲート電極は、モリブデン、ニオブ、又はニオブとニッケルとの積層体からなる、請求項1又は2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1トランジスタと接地との間に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと接地との間に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理積を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。 - 前記第1トランジスタと並列に接続された第5トランジスタと、
前記第2トランジスタと並列に接続された第6トランジスタとをさらに備え、
前記第5トランジスタ及び前記第6トランジスタのゲート電極は、第2論理信号が入力される第2入力端子と接続され、
前記出力端子から、前記第1論理信号と前記第2論理信号との否定論理和を出力する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
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