JP6709766B2 - 希土類ボンド磁石、希土類ボンド磁石の製造方法および希土類ボンド磁石を有するモータ - Google Patents
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Description
[希土類ボンド磁石]
実施形態に係る希土類ボンド磁石は、希土類磁石粒子と、第1バインダー樹脂硬化物と、第2バインダー樹脂硬化物とを含む。具体的には、希土類ボンド磁石は、希土類磁石粒子と第1バインダー樹脂硬化物とを含む硬化体の空隙に、第2バインダー樹脂硬化物を有する。図1は、実施形態の希土類ボンド磁石を模式的に説明するための図である。
実施形態に用いる希土類磁石粒子は、具体的には、等方性Nd(ネオジム)−Fe(鉄)−B(ホウ素)系磁石粒子である。Nd−Fe−B系磁石は錆を生じやすい傾向にあるが、実施形態に係る希土類ボンド磁石では、特定のバインダー樹脂硬化物を含むため、上記錆を好適に抑えられる。
実施形態に用いる第1バインダー樹脂硬化物は、具体的には、第1エポキシ樹脂硬化物である。第1エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は、150℃以上である。また、第1エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は、通常200℃以下である。なお、ガラス転移点(Tg)は、熱機械分析(TMA)法により求められる。ガラス転移点(Tg)が上記範囲にあると、希土類ボンド磁石を高温で使用する際にも十分な機械強度を発揮できる。
実施形態に用いる第2バインダー樹脂硬化物は、具体的には、第2エポキシ樹脂硬化物である。第2エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は、150℃未満であり、130℃以下であることが好ましく、100℃以下であることがより好ましい。また、第2エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は、通常80℃以上である。なお、ガラス転移点(Tg)は、熱機械分析(TMA)法により求められる。ガラス転移点(Tg)が上記範囲にあると、第2バインダー樹脂硬化物は優れた可撓性を有する。このため、希土類ボンド磁石を高温で使用する際にも熱減磁の経時変化を抑えられる。
実施形態に係る希土類ボンド磁石の製造方法は、硬化体形成工程と、希土類ボンド磁石形成工程をと含む。この製造方法によれば、上述した希土類ボンド磁石が得られる。また、この製造方法によって得られた希土類ボンド磁石は、図1に示した構造を有すると考えられる。
実施形態に係るモータ(具体的には直流モータ)は、上述した希土類ボンド磁石を有する。実施形態に係るモータは、たとえば、モータフレーム、希土類ボンド磁石およびロータを用いて、公知の方法により製造できる。実施形態に係るモータは、高温環境下で使用しても、初期の性能を長期間維持できる。このため、150℃以上にもなり得る自動車のエンジンルームで使用するモータとして好適に用いられる。
[実施例1]
(硬化体形成工程)
第1エポキシ樹脂としてo(オルソ)−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂と、硬化剤としてフェノール系硬化剤とを、メチルエチルケトンに溶かして、第1エポキシ樹脂溶液を調製した。ここで、硬化剤は、第1エポキシ樹脂中のエポキシ基に対する硬化剤中の官能基の当量比が1.0となる量で用いた。
まず、第2エポキシ樹脂としてビスフェノールA型エポキシ樹脂と、硬化剤としてフェノール系硬化剤とを、メチルエチルケトンに溶かして、第2エポキシ樹脂組成物(溶液)を調製した。ここで、硬化剤は、第2エポキシ樹脂中のエポキシ基に対する硬化剤中の官能基の当量比が1.0となる量で用いた。また、第2エポキシ樹脂組成物中に、第2エポキシ樹脂は20質量%の量で含まれていた。
第2エポキシ樹脂としてビスフェノールF型エポキシ樹脂を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、希土類磁石粒子と、第1エポキシ樹脂硬化物と、第2エポキシ樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石を得た。なお、希土類ボンド磁石形成工程において、190℃で30分間加熱して、第2エポキシ樹脂を硬化させた。また、第2エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は130℃であった。
硬化体形成工程において、第1エポキシ樹脂としてビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂を用いたこと、等方性Nd−Fe−B系磁石粉末(固有保磁力(iHc)=800kA/m)を用いたこと、および希土類ボンド磁石形成工程における第2エポキシ樹脂組成物の含浸を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、希土類磁石粒子と第1エポキシ樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石を得た。なお、硬化体形成工程において、190℃で20分間加熱して、第1エポキシ樹脂を硬化させた。また、第1エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は130℃であった。なお、着磁は実施例1と同様に行った。
希土類ボンド磁石形成工程における第2エポキシ樹脂組成物の含浸を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、希土類磁石粒子と第1エポキシ樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石を得た。なお、着磁は実施例1と同様に行った。
希土類ボンド磁石形成工程において、第2エポキシ樹脂としてナフタレン型エポキシ樹脂と、硬化剤としてイミダゾール系硬化剤とを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、希土類磁石粒子と、第1エポキシ樹脂硬化物と、第2エポキシ樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石を得た。なお、希土類ボンド磁石形成工程において、200℃で30分間加熱して、第2エポキシ樹脂を硬化させた。また、第2エポキシ樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)は210℃であった。
熱機械分析(TMA)法により求めた。
実施例、比較例で得られた希土類ボンド磁石の総磁束量を23℃にて測定した。さらに、希土類ボンド磁石を180℃にて暴露し、1時間、10時間、100時間および1000時間後室温に戻してから、希土類ボンド磁石の総磁束量を測定した。総磁束量の測定は、「ボンド磁石試験方法ガイドブック」(日本ボンド磁石工業協会編、日本ボンド磁石工業協会発行、初版、2000年4月)のBMG−6002 5・7・2に記載された方法に準拠して行った。
Claims (8)
- 希土類磁石粒子と、第1バインダー樹脂硬化物と、第2バインダー樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石であって、
前記第1バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が150℃以上であり、前記第2バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が150℃未満であり、
前記希土類磁石粒子と前記第1バインダー樹脂硬化物とを含む硬化体の空隙に、前記第2バインダー樹脂硬化物が含まれており、
前記第1バインダー樹脂硬化物および前記第2バインダー樹脂硬化物が、エポキシ樹脂硬化物である、希土類ボンド磁石。 - 前記第2バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が、130℃以下である、請求項1に記載の希土類ボンド磁石。
- 前記第2バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が、100℃以下である、請求項1に記載の希土類ボンド磁石。
- 前記希土類磁石粒子が、等方性Nd−Fe−B系磁石粒子であり、前記等方性Nd−Fe−B系磁石粒子の固有保磁力が、940kA/m以上である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類ボンド磁石。
- 前記第2バインダー樹脂硬化物が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂の硬化物またはビスフェノールF型エポキシ樹脂の硬化物である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の希土類ボンド磁石。
- 希土類磁石粒子と第1バインダー樹脂と硬化剤とを含む圧縮成形体を作製し、前記圧縮成形体を加熱し、前記圧縮成形体中の前記第1バインダー樹脂を硬化させて、希土類磁石粒子と第1バインダー樹脂硬化物とを含む硬化体を得る工程と、
前記硬化体の空隙に、第2バインダー樹脂と硬化剤とを含む第2バインダー樹脂組成物を含浸させ、前記第2バインダー樹脂組成物を含浸させた硬化体を加熱し、前記硬化体中の前記第2バインダー樹脂を硬化させて、希土類磁石粒子と、第1バインダー樹脂硬化物と、第2バインダー樹脂硬化物とを含む希土類ボンド磁石を得る工程とを含み、
前記第1バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が150℃以上であり、前記第2バインダー樹脂硬化物のガラス転移点(Tg)が150℃未満であり、
前記第1バインダー樹脂および前記第2バインダー樹脂が、エポキシ樹脂である、希土類ボンド磁石の製造方法。 - 前記第2バインダー樹脂が、ビスフェノールA型エポキシ樹脂またはビスフェノールF型エポキシ樹脂である、請求項6に記載の希土類ボンド磁石の製造方法。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の希土類ボンド磁石を有するモータ。
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