JP6707546B2 - 半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物 - Google Patents

Description

関連出願に対するクロスリファレンス
本願は、全体が参照により本明細書に組み込まれる、２０１４年１２月３０日に提出された米国仮特許出願第６２／０９７，７４７号への優先権を主張する。

本開示は、半導体基板からのフォトレジスト（例えば、ポジもしくはネガフォトレジスト）またはフォトレジスト残渣の除去のための新規の剥離組成物に一般に関する。具体的には、本開示は、エッチングまたはプラズマ灰化プロセスの後にフォトレジストまたはフォトレジスト残渣を除去するのに有用なアルカリ組成物に関する。

集積回路の製造において、チップパッド上に堆積されたはんだバンプによって半導体デバイス、例えば、ＩＣチップおよび微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）を外付け回路に相互接続するための制御崩壊チップ接続（Ｃ４）プロセスとして知られているフリップチッププロセスは、現在では、かなり確立されている。厚膜ネガ型フォトレジストは、フリップチップまたはＣ４プロセスの際に一般的に適用され、厚膜ネガ型レジスト用の市販のレジスト剥離配合物は、主にＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）またはＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）およびＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）系の配合物である。しかし、厚膜ネガ型レジスト用のこれらの市販のレジスト剥離配合物は、不十分なレジスト剥離性、短い浴寿命、または金属基板およびバンプ組成との低い適合性という問題を示す場合がある。また、溶解されたフォトレジスト、または溶解されたフォトレジスト中の界面活性剤によって生じる発泡問題が起こる可能性がある。

この開示は、バンプおよびメタライゼーション材料（例えば、ＳｎＡｇ、ＣｕＮｉＳｎ、ＣｕＣｏＣｕ、ＣｏＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｓｎ、Ｃｏなど）を含有するデバイス用に調整されたレジスト剥離組成物の開発を記載する。本発明者らは、厚膜ポジまたはネガ型レジストを効果的に剥離し、バンプおよび下層のメタライゼーション材料（例えば、ＳｎＡｇ、ＣｕＮｉＳｎ、ＣｕＣｏＣｕ、ＣｏＳｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｓｎ、Ｃｏなど）に非腐食性であるという能力が、本開示の組成物を使用することによって達成され得ることを予想外にも見出した。また、本開示の組成物は、広い材料適合性を示し、かつ剥離プロセスの際の発泡問題を効果的に制御することができる。

いくつかの実施形態において、この開示は、ａ）少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と；ｂ）少なくとも１種のアルコール溶媒と；ｃ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；ｄ）水と；ｅ）６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；ｆ）場合により、少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含むフォトレジスト剥離組成物を特徴とする。いくつかの実施形態において、フォトレジスト剥離組成物は、少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤をさらに含むことができる。

いくつかの実施形態において、本開示は、
ａ）約３０％〜約９０％の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と；
ｂ）約５％〜約６０％の少なくとも１種のアルコール溶媒と；
ｃ）約０．１％〜約１０％の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；
ｄ）約２．５％〜約２５％の水と；
ｅ）約０．１％〜約１０％の６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；
ｆ）場合により、リン酸類、リン酸類の塩、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物からなる群から選択される約０．１％〜約１０％の少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤、ただし、トリアゾールカルボン酸化合物が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする、上記Ａｌ腐食抑制剤と；
ｇ）場合により、約０．０１％〜約３％の少なくとも１種の脱泡界面活性剤と
を含有するアルカリフォトレジスト剥離組成物に関する。

いくつかの実施形態において、この開示は、
ａ）約３０％〜約９０％の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と；
ｂ）約５％〜約６０％の少なくとも１種のアルコール溶媒と；
ｃ）約０．１％〜約１０％の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；
ｄ）約２．５％〜約２５％の水と；
ｅ）約０．１％〜約１０％の６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；場合により
ｆ）約０．０１％〜約３％の少なくとも１種の脱泡界面活性剤と
を含有するアルカリフォトレジスト剥離組成物に関する。

いくつかの実施形態において、この開示は、フォトレジストまたはフォトレジスト残渣を含有する半導体基板を、この開示のフォトレジスト剥離組成物と接触させて、フォトレジストまたはフォトレジスト残渣を除去することを含むフォトレジスト剥離方法に関する。いくつかの実施形態において、剥離方法は、上記の方法によって得られる半導体基板から半導体デバイス（例えば、集積回路デバイス、例えば、半導体チップ）を形成することをさらに含む。

いくつかの実施形態において、上記のフォトレジスト剥離組成物は、少なくとも約１３のｐＨを有することができる。

定義
本明細書において使用されているとき、別途記述されていない限り、表示されている全ての百分率は、剥離組成物の合計重量に対する重量百分率であると理解されるべきである。別途記述されていない限り、周囲温度は、約１６および約２７セ氏温度（℃）の間であると定義される。

本明細書において使用されているとき、「水溶性」物質（例えば、水溶性アルコール、ケトン、エステル、エーテルなど）は、２５℃で水に少なくとも５重量％の溶解度を有する物質を称する。

本明細書において使用されているとき、用語「極性非プロトン性溶媒」は、酸性プロトンを欠失し、比較的高い双極子モーメント（例えば、少なくとも２．７）を有する溶媒を称する。

本明細書において使用されているとき、「ＩＩ族金属カチオン」は、周期表のＩＩ族における金属のカチオンを称する。

互変異性化は、単および隣接する二重結合の切り替えに伴う水素原子またはプロトンのホルマール移動として本明細書において定義される。トリアゾール化合物の言及、記載または特許請求の範囲もまた、トリアゾール環系における互変異性化のための低い活性化エネルギーに起因したトリアゾール化合物の互変異性体も含む。

本明細書において使用されているとき、用語「トリアゾール」は、縮環トリアゾール類、例えばベンゾトリアゾールもしくはナフトトリアゾールまたはこれらの誘導体を含まない。この開示のトリアゾール類は環状置換基を有していてよいが、置換基は、唯一の炭素において環に結合している。

いくつかの実施形態において、この開示は
ａ）約３０％〜約９０％の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と；
ｂ）約５％〜約６０％の少なくとも１種のアルコール溶媒と；
ｃ）約０．１％〜約１０％の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；
ｄ）約２．５％〜約２５％の水と；
ｅ）約０．１％〜約１０％の６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；場合により、
ｆ）約０．０１％〜約３％の少なくとも１種の脱泡界面活性剤と
を含有するアルカリフォトレジスト剥離組成物に関する。

本開示の剥離組成物は、少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒を含有する。水溶性極性非プロトン性溶媒は、１種の水溶性溶媒、または、いずれの比での水溶性溶媒の混合物であってもよい。本開示での使用に好適なかかる溶媒の例として、限定されないが、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルスルホン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、およびこれらの混合物が挙げられる。いくつかの実施形態において、水溶性極性非プロトン性溶媒は、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ガンマ−ブチロラクトン、またはＮ−メチルピロリドンである。

いくつかの実施形態において、本開示の組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒を含有する。

本開示の剥離組成物は、少なくとも１種のアルコール溶媒、例えば、水溶性アルコール溶媒を含有する。水溶性アルコール溶媒の分類として、限定されないが、アルカンジオール類（限定されないが、アルキレングリコール類を含む）、グリコール類、アルコキシアルコール類（限定されないがグリコールモノエーテル類を含む）、飽和脂肪族一価アルコール類、不飽和非芳香族一価アルコール類、環構造を含有するアルコール類（例えば、低分子量アルコール類）、およびこれらの混合物が挙げられる。剥離組成物は、１種のアルコール溶媒、またはいずれの比でのアルコール溶媒の混合物を含んでいてもよい。

水溶性アルカンジオール類の例として、限定されないが、２−メチル−１，３−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、２，２−ジメチル−１，３−ジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、ピナコール、およびアルキレングリコールが挙げられる。

水溶性アルキレングリコール類の例として、限定されないが、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコールおよびテトラエチレングリコールが挙げられる。

水溶性アルコキシアルコール類の例として、限定されないが、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、１−メトキシ−２−ブタノール、および水溶性グリコールモノエーテル類が挙げられる。

水溶性グリコールモノエーテル類の例として、限定されないが、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−プロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、１−メトキシ−２−プロパノール、２−メトキシ−１−プロパノール、１−エトキシ−２−プロパノール、２−エトキシ−１−プロパノール、プロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ−ｎ−プロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、およびジエチレングリコールモノベンジルエーテルが挙げられる。

水溶性飽和脂肪族一価アルコール類の例として、限定されないが、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−ブタノール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、２−ペンタノール、ｔ−ペンチルアルコール、および１−ヘキサノールが挙げられる。

水溶性不飽和非芳香族一価アルコール類の例として、限定されないが、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、２−ブテニルアルコール、３−ブテニルアルコール、および４−ペンテン−２−オールが挙げられる。

環構造を含有する水溶性の低分子量アルコール類の例として、限定されないが、テトラヒドロフルフリルアルコール、フルフリルアルコール、および１，３−シクロペンタンジオールが挙げられる。

いくつかの実施形態において、水溶性アルコール溶媒は、アルコキシアルコール類、テトラヒドロフルフリルアルコール、および水溶性アルカンジオール類である。いくつかの実施形態において、水溶性アルコール溶媒は、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、１−メトキシ−２−ブタノール、水溶性グリコールモノエーテル類、水溶性アルキレングリコール類、およびテトラヒドロフルフリルアルコールである。いくつかの実施形態において、水溶性アルコール溶媒は、３−メトキシ−３−メチル−１−ブタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、およびテトラヒドロフルフリルアルコールである。

いくつかの実施形態において、本明細書において記載されているフォトレジスト剥離方法が、加熱した剥離剤を用いるとき、水溶性アルコール類は、安全を考慮して１１０℃超の沸点を有し得る。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の少なくとも１種のアルコール溶媒を含有する。

本開示の剥離組成物は、少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムを含有する。いくつかの実施形態において、好ましい水酸化第４級アンモニウムは、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨによって表される化合物であり、式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、独立して、ヒドロキシによって場合により置換されている線状、分岐状または環状アルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または置換もしくは非置換のベンジル基（例えば、フェニル基において置換されているまたは置換されていないベンジル基）である。フェニル基上の、およびベンジル基のフェニル基上の置換基として、ハロゲン、ヒドロキシル、アルコキシ、またはアルキルを挙げることができる。いくつかの実施形態において、水酸化第４級アンモニウムは、水酸化テトラアルキルアンモニウムである。いくつかの実施形態において、水酸化第４級アンモニウムは、水酸化テトラアルカノールアンモニウムである。いくつかの実施形態において、水酸化第４級アンモニウムは、いずれかの比での２種以上の水酸化第４級アンモニウムの混合物である。

いくつかの実施形態において、好ましい水酸化第４級アンモニウムは、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨの化合物であり、式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である。

好適な水酸化第４級アンモニウム化合物の例として、限定されないが、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、水酸化メチルトリプロピルアンモニウム、水酸化ブチルトリメチルアンモニウム、水酸化メチルトリブチルアンモニウム、水酸化ペンチルトリメチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム（コリン）、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウム、水酸化（３−ヒドロキシプロピル）トリエチルアンモニウム、水酸化トリス−２−ヒドロキシエチルアンモニウム、水酸化テトラエタノールアンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、およびこれらの混合物が挙げられる。

いくつかの実施形態において、水酸化第４級アンモニウムは、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム（コリン）、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、または水酸化テトラエタノールアンモニウムである。

いくつかの実施形態において、水酸化第４級アンモニウムは、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、ＴＢＡＨ、コリン、または水酸化テトラエタノールアンモニウムである。

いくつかの実施形態において、本開示の組成物は、少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムを含有する。

本開示の剥離組成物は、水を一般に含有する。いくつかの実施形態において、上記水は、脱イオン化されていて超高純度であり、有機汚染物質を含有せず、約４〜約１７メガオームの最小抵抗率を有する。いくつかの実施形態において、上記水の抵抗率は、少なくとも１７メガオームである。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水を含有する。

本開示の剥離組成物は、６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンである少なくとも１種の銅腐食抑制剤をさらに含むことができる。２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンにおける置換基は、線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基（例えば、メチル、ヘキシル、−ＣＨ_２−アリール、ＣＨ_２ＯＲ^１００、−ＣＨ_２ＳＲ^１００、−ＣＨ_２（ＮＲ^１００Ｒ^１０１））、置換もしくは非置換のＣ_３〜Ｃ_１２シクロアルキル基（例えば、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル、もしくはヒドロキシシクロヘキシル）、置換もしくは非置換のアリール基（例えば、フェニル、メトキシフェニル、もしくはナフチル）、−ＳＣＨ_２Ｒ^１００、−Ｎ（Ｒ^１００Ｒ^１０１）、またはイミジルであってよく、ここで、Ｒ^１００およびＲ^１０１の各々が、独立して、アルキル鎖において窒素または酸素原子を場合により含有する線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基、シクロアルキル環において窒素または酸素原子を場合により含有する置換もしくは非置換のＣ_３〜Ｃ_１２シクロアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、または結合する原子と一緒になって環を形成するＲ^１００およびＲ^１０１である。アルキルおよびシクロアルキル基における置換基として、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコキシ、ヒドロキシル、および置換または非置換のアリールをさらに挙げることができる。いくつかの実施形態において、アリール基における置換基は、電子吸引性（例えば、ハロゲン）よりもむしろ電子供与性（例えば、アルコキシ）である。

好適な６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類の例として、６−メチル−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン；６−フェニル−２，４−ジアミノ−１，３，５−ジメチルトリアジン；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［２−（２−フラニル）エチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［（ヘキサヒドロ−１−メチルピロロ［３，４−ｃ］ピロール−２（１Ｈ）−イル）メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［［（３−アミノブチル）チオ］メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−（４，４−ジフルオロシクロヘキシル）−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［（３−クロロフェニル）メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［（フェニルチオ）メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［（テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イル）メチル］−；２−（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−フルオロ−フェノール；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−（１−エチルシクロペンチル）−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［［４−（ジフェニルメチル）−１−ピペラジニル］メチル］−；９−アクリジンカルボン酸，１，２，３，４−テトラヒドロ−４−［（４−メトキシフェニル）メチレン］−，（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）メチルエステル；１Ｈ−ベンズ［ｄｅ］イソキノリン−１，３（２Ｈ）−ジオン，２−［［（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）アミノ］メチル］−；９−アクリジンカルボン酸，２−（１，１−ジメチルプロピル）−１，２，３，４−テトラヒドロ−，（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）メチルエステル；１，３，５−トリアジン−２，４，６−トリアミン，Ｎ２−［２−［（７−クロロ−４−キノリニル）アミノ］エチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［［４−（１−メチルエチル）フェノキシ］メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［［３−（トリフルオロメチル）フェノキシ］メチル］−；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［［（テトラヒドロ−２Ｈ−ピラン−２−イル）メチル］チオ］−；Ｎ−シクロヘキシル−２−［（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）チオ］−プロパンアミド；３−クロロ−４−［（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）メトキシ］−５−メトキシ−ベンゾニトリル；ベンゼン酢酸，３−メトキシ−，（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）メチルエステル；１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［３−（１−ピロリジニル）フェニル］−；１，３，５−トリアジン−２−オクタンニトリル，４，６−ジアミノ−；ｓ−トリアジン−２−ブチロニトリル，４，６−ジアミノ−；１，３，５−トリアジン−２−プロパン酸，４，６−ジアミノ−；１，３，５−トリアジン−２−メタンチオール、４，６−ジアミノ−；ベンズアミド，Ｎ−（４，６−ジアミノ−１，３，５−トリアジン−２−イル）−４−ヒドロキシ−；および１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミン，６−［（メチルチオ）メチル］−が挙げられる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の少なくとも１種の銅腐食抑制剤を含有する。

本開示の剥離組成物は、脱泡界面活性剤を場合により含む。好適な脱泡界面活性剤の例として、ポリシロキサン類（例えば、ポリジメチルシロキサン）、ポリエチレングリコールメチルエーテルポリマー、エチレンオキサイド／プロピレンオキサイドコポリマー、テトラメチルデシンジオール、およびグリシジルエーテルでキャップされたアセチレン性ジオールエトキシレート類（参照により本明細書に組み込まれる米国特許第６７１７０１９号に記載されている）が挙げられる。市販の脱泡界面活性剤の例として、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ ４４０、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ １０４、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ ＭＤ−２０、Ｔｒｏｙｓｏｌ Ｓ３６６、Ｃｏａｓｔａｌ １０１７Ｆ、Ａｌｄｏ ＬＦ、Ｄｏｗ ＤＢ−１００、およびＤｏｗ ＤＳＰが挙げられる。いくつかの実施形態において、脱泡界面活性剤は、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ ＭＤ−２０、Ｓｕｒｆｙｎｏｌ １０４、およびＴｒｏｙｓｏｌ Ｓ３６６である。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤を含有する。

また、いくつかの実施形態において、本開示の剥離組成物は、添加剤、例えば、さらなるｐＨ調整剤（例えば、有機酸、無機酸、および有機塩基）、さらなる腐食抑制剤、キレート剤、界面活性剤、さらなる有機溶媒（例えば、グリコールジエーテル類）、ならびに殺生物剤を、場合による成分として含有していてよい。

いくつかの実施形態において、本開示の剥離組成物は、以下の成分の１以上を、１を超える場合にはいずれかの組み合わせで、具体的に除いてよい。かかる成分は、脱酸素剤、アミドキシム、酸化剤（例えば、過酸化物、オキソアンモニウム化合物、無機酸化剤、および過酸）、研磨剤、フッ化物含有化合物、アルカリ金属およびアルカリ土類塩基（例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムおよびＬｉＯＨ）、ハロゲン化金属化合物、カルボン酸類、ホスフィン酸類、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリコール類、フラニルアルコール、グリセリン、糖アルコール類、単糖類、アリールエーテル類、Ｎ−ヒドロキシホルムアミド、アルカノールアミン類、Ｎ−アルキルアルカノールアミン類、スルホン酸化ポリマー、金属スルホネート類、ヒドロキシルアミン、２−アミノベンゾチアゾール、チオベンゾトリアゾール、スルホン酸化ポリエステル類、尿素化合物、シリケート塩基、シラン類、シリコン化合物、脱泡界面活性剤以外の界面活性剤、ピロリドン、立体ヒンダードアミド溶媒、例えば、１，３−ジメチル−２−ピペリドンおよび１，５−ジメチル−２−ピペリドン、ＤＭＳＯもしくはジメチルスルホンまたは硫黄含有置換基を含有するトリアゾール化合物以外の硫黄化合物、テトラゾリウム塩、ホウ酸およびホウ酸の誘導体、ベンズイミダゾール類、非トリアゾール含有フェノール性化合物、キレート剤、ならびにこの開示に記載されているＣｕまたはＡｌ腐食抑制剤以外の腐食抑制剤からなる群から選択される。

この開示のいくつかの実施形態において、本開示の剥離組成物は、少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤を場合によりさらに含む。これらの実施形態において、アルカリフォトレジスト剥離組成物は
ａ）約３０％〜約９０％の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と；
ｂ）約５％〜約６０％の少なくとも１種のアルコール溶媒と；
ｃ）約０．１％〜約１０％の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；
ｄ）約２．５％〜約２５％の水と；
ｅ）約０．１％〜約１０％の６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；
ｆ）リン酸類、リン酸類の塩、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物から選択される約０．１％〜約１０％の少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤、ただし、トリアゾールカルボン酸化合物が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする、上記Ａｌ腐食抑制剤と、場合により、
ｇ）約０．０１％〜約３％の少なくとも１種の脱泡界面活性剤と
を含有する。

本開示のこれらの実施形態の要素ａ〜ｅおよびｇは、上に記載されている。

この開示のいくつかの実施形態は、リン酸類、リン酸類の塩、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物からなる群から選択される少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤を含有し、ただし、トリアゾールカルボン酸化合物が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする。

この開示において企図されているリン酸類として、一リン酸、ポリリン酸類、および無水リン酸が挙げられる。ポリリン酸類の例として、限定されないが、ピロリン酸、トリポリリン酸、テトラポリリン酸、およびトリメタリン酸が挙げられる。ポリリン酸類および無水リン酸は、一リン酸に加水分解することが知られており、そのため、一リン酸のソースとなる。

いくつかの実施形態において、リン酸類の塩は、水の存在下での、リン酸類と、水酸化アンモニウム、有機塩基（例えば、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨ：式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は上記で定義されている；の水酸化第４級アンモニウム類）、アミジン塩基（例えば、グアニジン、アセトアミジン、ホルムアミジン、ジアザビシクロウンデセン（ＤＢＵ）およびジアザビシクロノネン（ＤＢＮ））、ならびにアミン類（例えば、第１級、第２級、および第３級モノアミン類；第１級、第２級、および第３級ジアミン類；ならびに第１級、第２級、および第３級アルカノールアミン類）との反応生成物から選択される。上記塩は、剥離組成物の配合の前に、または剥離組成物の配合の際にインサイチュで調製されてよい。

リン酸塩を形成するのに使用され得る好適な水酸化第４級アンモニウム化合物の例として、限定されないが、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）、水酸化テトラエチルアンモニウム（ＴＥＡＨ）、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム（ＴＢＡＨ）、水酸化エチルトリメチルアンモニウム、水酸化ジエチルジメチルアンモニウム、水酸化メチルトリプロピルアンモニウム、水酸化ブチルトリメチルアンモニウム、水酸化メチルトリブチルアンモニウム、水酸化ペンチルトリメチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウム（コリン）、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウム、水酸化（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウム、水酸化（３−ヒドロキシプロピル）トリエチルアンモニウム、水酸化トリス−２−ヒドロキシエチルアンモニウム、水酸化テトラエタノールアンモニウム、水酸化フェニルトリメチルアンモニウム、水酸化ベンジルトリメチルアンモニウム、およびこれらの混合物が挙げられる。

リン酸塩を形成するのに使用され得る好適な第１級、第２級、または第３級モノアミン類として、限定されないが、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、イソプロピルアミン、ジメチルアミン、エチルメチルアミン、メチルプロピルアミン、メチルイソプロピルアミン、ブチルメチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、エチルプロピルアミン、エチルブチルアミン、プロピルブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、およびトリブチルアミンが挙げられる。

リン酸塩を形成するのに使用され得る好適な第１級、第２級、または第３級ジアミン類として、限定されないが、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ブチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ’−エチルエチレンジアミン、Ｎ−メチル−Ｎ’−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルブチレンジアミン、およびＮ，Ｎ’−ジメチルブチレンジアミンが挙げられる。

リン酸塩を形成するのに使用され得る好適な第１級、第２級、または第３級アルカノールアミン類として、限定されないが、ヒドロキシエチルアミン、ヒドロキシプロピルアミン、ヒドロキシブチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）メチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジメチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）メチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジエチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）エチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）プロピルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジプロピルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）プロピルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ブチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジブチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ブチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ペンチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジペンチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ペンチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ヘキシルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ジヘキシルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ヘキシルアミン、Ｎ−ヒドロキシエチルヘプチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ヘプチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）オクチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）オクチルアミン、Ｎ−ヒドロキシエチルメチルエチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）メチルプロピルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチルメチル）ブチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エチルプロピルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エチルブチルアミン、ビス（Ｎ，Ｎ−ヒドロキシエチル）アミン、トリス（Ｎ，Ｎ，Ｎ−ヒドロキシエチル）アミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）メチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）プロピルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ブチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）アミノエトキシエタノール、脂肪族アルカノールポリアミン類、例えば、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ’−ジヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）ブチレンジアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチルプロピレンジアミン、（Ｎ，Ｎ’−ジヒドロキシエチル）ブチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）ブチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリヒドロキシエチル）ブチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラヒドロキシエチル）ブチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ’−ジヒドロキシエチル）プロピレンジアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）プロピレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリヒドロキシエチル）プロピレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラヒドロキシエチル）プロピレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジヒドロキシエチル−Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリヒドロキシエチル−Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ’，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル−Ｎ’，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジヒドロキシエチル−Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリヒドロキシエチル−Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ’，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル−Ｎ’，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリエチルエチレンジアミン、ならびに脂肪族アルカノールエーテルアミン類、例えば、（Ｎ−ヒドロキシエチル）メトキシエチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）メトキシエチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）メトキシプロピルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）メトキシプロピルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エトキシエチルアミン、（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）エトキシエチルアミン、（Ｎ−ヒドロキシエチル）エトキシプロピルアミン、および（Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチル）エトキシプロピルアミンが挙げられる。

本明細書において記載されている剥離組成物のいくつかの実施形態は、少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤を含有することができる。いくつかの実施形態において、少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤は、リン酸類およびリン酸類の塩からなる群から選択される化合物を含むことができる。かかるＡｌ腐食抑制剤の例として、一リン酸、ポリリン酸類、無水リン酸類、およびこれらの塩が挙げられる。

いくつかの実施形態において、少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤は、第１および第２成分を含むことができる。第１成分は、ＩＩ族金属カチオンを含むことができる。好適なＩＩ族金属カチオンの例として、Ｃａ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｓｒ^２＋、およびＢａ^２＋が挙げられる。いくつかの実施形態において、本明細書において記載されている剥離組成物は、少なくとも約５ｐｐｍ（例えば、少なくとも約７ｐｐｍ、少なくとも約８ｐｐｍ、もしくは少なくとも約１０ｐｐｍ）および／または最大で約３０ｐｐｍ（例えば、最大で約２５ｐｐｍ、最大で約２０ｐｐｍ、もしくは最大で約１５ｐｐｍ）の第１成分を含むことができる。理論によって拘束されることを望まないが、比較的高量の可溶化されたＩＩ族金属カチオン（例えば、カルシウムカチオン）を含有する剥離組成物は、剥離組成物のＡｌエッチングレートを有意に低減させることにより、剥離組成物が使用の際にＡｌエッチングを抑制することを可能にするとされている。さらに、理論によって拘束されることを望まないが、ＩＩ族金属化合物が本明細書において記載されている剥離組成物に概してあまり可溶性でないため、（例えば、ＩＩ族金属カチオンとの錯体を形成することによって）ＩＩ族金属カチオンを可溶化することができる剤を添加することで、剥離組成物中の可溶化されたＩＩ族金属カチオンの量を有意に増加させ、これにより、これらのＡｌエッチング抑制能力を改良することができるとされている。

いくつかの実施形態において、少なくとも１種のＡｌ腐食抑制剤における第２成分は、（例えば、ＩＩ族金属カチオンとの錯体を形成することによって）ＩＩ族金属カチオンを可溶化することが可能である剤を含むことができる。いくつかの実施形態において、上記剤は、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物から選択され得、ただし、場合により、トリアゾールカルボン酸類が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする。

塩基性条件下で電子供与基である好適な基の例として、限定されないが、カルボキシル、メルカプト、ヒドロキシフェニル、アミノ、アルキルアミノ、およびジアルキルアミノが挙げられる。理論によって拘束されることを望まないが、トリアゾールカルボン酸化合物におけるカルボキシル基は、基板におけるアルミニウムと錯体を形成することができるとされている。また、塩基性条件下で電子供与基である基は、基板におけるアルミニウムと錯体を形成してもよく、または、トリアゾール環系を通してカルボキシル基に電子的に接続しているおかげで、アルミニウムとの結合定数に良好な影響を与える。

互変異性化は、単および隣接する二重結合の切り替えに伴う水素原子またはプロトンのホルマール移動として本明細書において定義される。ＮＨ結合を有するトリアゾール類は、互変異性化のための低い活性化エネルギーを一般に有する。そのため、環におけるＮＨおよび二重結合の１つの位置は、温度または溶媒極性に応じて変動することがある。そのため、トリアゾール化合物の言及、記載または特許請求の範囲もまた、トリアゾール化合物の互変異性体も含む。

好適なトリアゾールカルボン酸類の例として、限定されないが、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸；５−アミノ−１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸；５−アミノ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−カルボン酸；４−アミノ−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−カルボン酸；２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４，５−ジカルボン酸；１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３，５−ジカルボン酸；１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４，５−ジカルボン酸；２，５−ジヒドロ−５−チオキソ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸；５−メルカプト−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−４−カルボン酸；４−（４−ヒドロキシフェニル）−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−カルボン酸；４−（２−ヒドロキシフェニル）−１Ｈ−１，２，３−トリアゾール−５−カルボン酸；３−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸；３−（２−ヒドロキシフェニル）−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸；５−（４−ヒドロキシフェニル）−１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸；および５−（２−ヒドロキシフェニル）−１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸が挙げられる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤を含有する。

また、いくつかの実施形態において、本開示の、アルミニウム腐食抑制剤を含む剥離組成物は、添加剤、例えば、さらなるｐＨ調整剤、さらなる腐食抑制剤、界面活性剤、さらなる有機溶媒（例えば、グリコールジエーテル類）、および殺生物剤を、場合による成分として含有していてよい。

Ａｌ腐食抑制剤を含有する実施形態において、本開示の剥離組成物は、以下の成分の１以上を、１を超える場合にはいずれかの組み合わせで、具体的に除いてよい。かかる成分は、脱酸素剤、アミドキシム、酸化剤（例えば、過酸化物、オキソアンモニウム化合物、無機酸化剤、および過酸）、研磨剤、フッ化物含有化合物、アルカリ金属およびアルカリ土類塩基（例えば、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムおよびＬｉＯＨ）、ハロゲン化金属化合物、カルボン酸類、ホスフィン酸類、テトラヒドロフルフリルアルコール、グリコール類、フラニルアルコール、グリセリン、糖アルコール類、単糖類、アリールエーテル類、Ｎ−ヒドロキシホルムアミド、アルカノールアミン類、Ｎ−アルキルアルカノールアミン類、スルホン酸化ポリマー、金属スルホネート類、ヒドロキシルアミン、２−アミノベンゾチアゾール、チオベンゾトリアゾール、スルホン酸化ポリエステル類、尿素化合物、シリケート塩基、シラン類、シリコン化合物、脱泡界面活性剤以外の界面活性剤、ピロリドン、立体ヒンダードアミド溶媒、例えば、１，３−ジメチル−２−ピペリドンおよび１，５−ジメチル−２−ピペリドン、ＤＭＳＯもしくはジメチルスルホンまたは硫黄含有置換基を含有するトリアゾール化合物以外の硫黄化合物、テトラゾリウム塩、ホウ酸およびホウ酸の誘導体、ベンズイミダゾール類、非トリアゾール含有フェノール性化合物、ならびにこの開示に記載されているＣｕまたはＡｌ腐食抑制剤以外の腐食抑制剤からなる群から選択される。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒と；少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の少なくとも１種のアルコール溶媒と；少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、６−置換２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；場合により、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含有するか、これらからなるか、またはこれらから本質的になる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ガンマ−ブチロラクトン、およびＮ−メチルピロリドンから選択される少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒と；少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の、グリコール類、アルコキシアルコール類、およびテトラヒドロフルフリルアルコールから選択される少なくとも１種の水溶性アルコール溶媒と；少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨ：式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である；の水酸化第４級アンモニウム化合物から選択される少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤において、６−置換基が、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基および置換または非置換のアリール基から選択される、上記銅腐食抑制剤と；場合により、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含有するか、これらからなるか、またはこれらから本質的になる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒と；少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の少なくとも１種のアルコール溶媒と；少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、６−置換−２，４−ジアミン−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、リン酸類、リン酸類の塩、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物から選択される少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤、ただし、トリアゾールカルボン酸類が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする、上記アルミニウム腐食抑制剤と、場合により、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含有するか、これらからなるか、またはこれらから本質的になる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ガンマ−ブチロラクトン、およびＮ−メチルピロリドンから選択される少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒と；少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の、グリコール類、アルコキシアルコール類、およびテトラヒドロフルフリルアルコールから選択される少なくとも１種の水溶性アルコール溶媒と；少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨ：式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である；の水酸化第４級アンモニウム化合物から選択される少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、６−置換２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤において、６−置換基が、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基および置換または非置換のアリール基から選択される、上記銅腐食抑制剤と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、リン酸類およびリン酸類の塩から選択される少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含有するか、これらからなるか、またはこれらから本質的になる。

いくつかの実施形態において、この開示の剥離組成物は、少なくとも約３０重量％（例えば、少なくとも約４０重量％、少なくとも約５０重量％もしくは少なくとも約６０重量％）および／または最大で約９０重量％（例えば、最大で約８５重量％、最大で約８０重量％もしくは最大で約７５重量％）の、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ガンマ−ブチロラクトン、およびＮ−メチルピロリドンから選択される少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性溶媒と；少なくとも約５重量％（例えば、少なくとも約７重量％、少なくとも約１０重量％もしくは少なくとも約１２重量％）および／または最大で約６０重量％（例えば、最大で約４５重量％、最大で約３５重量％もしくは最大で約２５重量％）の、グリコール類、アルコキシアルコール類、およびテトラヒドロフルフリルアルコールから選択される少なくとも１種の水溶性アルコール溶媒と；少なくとも約０．１重量％（例えば、少なくとも約０．５重量％、少なくとも約１重量％もしくは少なくとも約１．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約８重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約３重量％）の、一般式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨ：式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４は、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である；の水酸化第４級アンモニウム化合物から選択される少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと；少なくとも約２．５重量％（例えば、少なくとも約５重量％、少なくとも約７重量％もしくは少なくとも約１０重量％）および／または最大で約２５重量％（例えば、最大で約２０重量％、最大で約１５重量％もしくは最大で約１２．５重量％）の水と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、６−置換−２，４−ジアミノトリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤において、６−置換基がＣ_１〜Ｃ_４アルキル基および置換または非置換のアリール基から選択される、上記銅腐食抑制剤と；少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０５重量％、少なくとも約０．１重量％もしくは少なくとも約０．５重量％）および／または最大で約１０重量％（例えば、最大で約７重量％、最大で約５重量％もしくは最大で約２重量％）の、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物から選択される少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤、ただし、トリアゾールカルボン酸類が、１，２，３−または１，２，４−トリアゾール環において１つのＮＨ部位を含有することとする、上記アルミニウム腐食抑制剤と、場合により、少なくとも約０．０１重量％（例えば、少なくとも約０．０３重量％、少なくとも約０．０５重量％もしくは少なくとも約０．１重量％）および／または最大で約３重量％（例えば、最大で約２重量％、最大で約１重量％もしくは最大で約０．５重量％）の少なくとも１種の脱泡界面活性剤とを含有するか、これらからなるか、またはこれらから本質的になる。

本開示の剥離組成物は、概して、性質がアルカリである。いくつかの実施形態において、本開示の剥離組成物は、少なくとも約１３のｐＨ（例えば、少なくとも約１３．５または少なくとも約１４）を有する。理論によって拘束されることを望まないが、剥離組成物のアルカリ性質が、半導体基板におけるフォトレジストの除去を容易にすることができるとされている。

本開示の一実施形態は、半導体基板からフォトレジストを剥離する方法であって、フォトレジストを含有する半導体基板を、本明細書において記載されている剥離組成物と、基板表面からフォトレジストを除去するのに十分な時間および温度で接触させることを含む、上記方法である。上記方法は、接触ステップの後に半導体基板をリンス溶媒によってリンスすること、および／またはリンスステップの後に半導体基板を乾燥させることをさらに含むことができる。

いくつかの実施形態において、フォトレジスト剥離方法は：
（Ａ）フォトレジストコーティングを有する半導体基板を付与するステップと；
（Ｂ）上記フォトレジストコーティングを有する半導体基板を、本明細書において記載されている剥離組成物と接触させて、フォトレジストを除去するステップと；
（Ｃ）上記半導体基板を好適なリンス溶媒によってリンスするステップと；
（Ｄ）場合により、上記リンス溶媒を除去しかつ上記半導体基板の完全性を損なわないいずれかの手段で上記半導体基板を乾燥するステップとを含む。いくつかの実施形態において、剥離方法は、上記の方法によって得られる半導体基板から半導体デバイス（例えば、集積回路デバイス、例えば、半導体チップ）を形成することをさらに含む。

この方法において剥離される半導体基板は、除去する必要がある少なくとも１種のフォトレジスト（例えば、ポジまたはネガフォトレジスト）を有する。半導体基板は、シリコン、シリコンゲルマニウム、ＧａＡｓのようなＩＩＩ族−Ｖ化合物、またはこれらのいずれかの組み合わせから典型的には構成される。半導体基板は、露出した集積回路構造、例えば、金属線のような相互接続特徴部、および誘電体材料をさらに含有していてよい。相互接続特徴部に使用される金属および金属合金として、限定されないが、アルミニウム、銅によって合金化されたアルミニウム、銅、チタン、タンタル、コバルト、ニッケル、シリコン、ポリシリコン、チタン窒化物、タンタル窒化物、錫、タングステン、ＳｎＡｇ、ＳｎＡｇ／Ｎｉ、ＣｕＮｉＳｎ、ＣｕＣｏＣｕ、およびＣｏＳｎが挙げられる。上記半導体基板は、層間絶縁体、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物、チタン酸化物、および炭素ドープシリコン酸化物の層を含有していてもよい。

半導体基板は、いずれの好適な方法、例えば、剥離組成物を槽内に入れ、半導体基板を剥離組成物中に浸漬させかつまたは漬けること、剥離組成物を半導体基板上に噴霧すること、剥離組成物を半導体基板上に流すこと、またはこれらのいずれかの組み合わせによって剥離組成物と接触され得る。いくつかの実施形態において、半導体基板は、剥離組成物中に浸漬される。

本開示の剥離組成物は、最高で約９０℃の温度まで効果的に使用され得る。いくつかの実施形態において、剥離組成物は、約２５℃〜約８０℃で使用され得る。いくつかの実施形態において、剥離組成物は、約３０℃〜約６０℃の温度範囲で用いられ得る。いくつかの実施形態において、剥離組成物は、約４０℃〜約６０℃の温度範囲で用いられ得る。最終的には安全の理由で、最高温度は、使用される溶媒の引火点よりも有意に低く保たれる。

同様に、剥離時間は、用いられる特定の剥離方法、温度および剥離組成物に応じて広範囲にわたって変動し得る。浸漬バッチ型プロセスにおいて剥離されるとき、好適な時間範囲は、例えば、最大で約６０分である。いくつかの実施形態において、バッチ型プロセスに好適な時間範囲は、約１分〜約６０分である。いくつかの実施形態において、バッチ型プロセスに好適な時間範囲は、約３分〜約２０分である。いくつかの実施形態において、バッチ型剥離プロセスに好適な時間範囲は、約４分〜約１５分である。

枚葉プロセスの剥離時間は、約１０秒〜約５分の範囲であってよい。いくつかの実施形態において、枚葉プロセスの剥離時間は、約１５秒〜約４分の範囲であってよい。いくつかの実施形態において、枚葉プロセスの剥離時間は、約１５秒〜約３分の範囲であってよい。いくつかの実施形態において、枚葉プロセスの剥離時間は、約２０秒〜約２分の範囲であってよい。いくつかの実施形態において、剥離組成物の１以上の適用が行われてよい。枚葉プロセスにおいて用いられる剥離組成物の体積は、基板を完全に被覆するのに典型的には十分であり、基板サイズおよび剥離組成物の表面張力に依る。

本開示の剥離組成物の剥離可能性をさらに促進するために、機械的かき混ぜ手段が用いられてよい。好適なかき混ぜ手段の例として、基板の上での剥離組成物の循環、基板の上に剥離組成物を流すまたは噴霧すること、および剥離プロセスの際の超音波またはメガソニックかき混ぜが挙げられる。グランドに対する半導体基板の配向は、いずれの角度であってもよい。いくつかの実施形態において、水平または垂直配向が好適である。

本開示の剥離組成物は、当業者に公知の従来の剥離ツールにおいて使用され得る。本開示の剥離組成物の有意な利点は、全体および一部において、比較的非毒性、非腐食性、および非反応性の成分を含み、これにより、上記組成物が、広い温度およびプロセス時間範囲で安定であることである。本開示の剥離組成物は、バッチおよび枚葉剥離のための既存の提案されている半導体ウェハ剥離プロセスツールを構築するのに使用される実用的な全ての材料と概して化学的に適合可能である。

剥離の後、半導体基板は、かき混ぜ手段を用いてまたは用いずに約５秒〜最大で約５分間、好適なリンス溶媒によってリンスされる。好適なリンス溶媒の例として、限定されないが、脱イオン（ＤＩ）水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、Ｎ−メチルピロリジノン、ガンマ−ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。いくつかの実施形態において、リンス溶媒の例として、限定されないが、ＤＩ水、メタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコールが挙げられる。いくつかの実施形態において、リンス溶媒は、ＤＩ水およびイソプロピルアルコールである。いくつかの実施形態において、リンス溶媒は、ＤＩ水である。溶媒は、本明細書において記載されている剥離組成物を適用するときに使用されるものと同様の手段を使用して適用されてよい。剥離組成物は、リンスステップの開始の前に半導体基板から除去されていてよく、またはリンスステップの開始時に半導体基板と依然として接触していてよい。いくつかの実施形態において、リンスステップにおいて用いられる温度は、１６℃と２７℃との間である。

場合により、半導体基板は、リンスステップ後に乾燥される。当該分野において公知のいずれの好適な乾燥手段が用いられてもよい。好適な乾燥手段の例として、乾燥手段として、スピン乾燥、半導体基板を横断しての乾燥ガスの流通、加熱手段、例えば、ホットプレートまたは赤外線ランプによる半導体基板の加熱、マランゴニ乾燥、ロタゴニ乾燥、ＩＰＡ乾燥またはこれらのいずれかの組み合わせが挙げられる。乾燥時間は、用いられる具体的な方法に依るが、典型的には、およそ３０秒〜最大で数分である。

いくつかの実施形態において、半導体基板は、その後に加工されて、基板に１以上のさらなる回路を形成することができ、または、加工されて、例えば、アセンブリング（例えば、ダイシングおよびボンディング）ならびにパッケージング（例えば、チップシーリング）によって半導体チップが形成され得る。

本開示を以下の実施例を参照してより詳細に示すが、これらの実施例は例示目的であり、本開示の範囲を限定すると解釈されるべきではない。
一般手順１（剥離剤配合物）

剥離組成物を、有機溶媒、および超高純度の脱イオン水（ＤＩＷ）を撹拌しながら混合することによって調製した。水性（２５％）ＴＭＡＨを撹拌しながらゆっくり添加し、続いてＣｕ抑制剤を添加した。均一な溶液を得た後、場合による添加剤を、使用する場合、添加した。使用した全ての成分は市販されており、高純度を有した。

全ての成分を完全に溶解した後、所望によりｐＨ測定を周囲温度（１７〜２５℃）で行った。これらのｐＨ測定には、Ｂｅｃｋｍａｎ Ｃｏｕｌｔｅｒ Φ４００ Ｓｅｒｉｅｓ Ｈａｎｄｈｅｌｄメータを使用することができる。大部分のサンプルのｐＨ測定は＞１３であったが、典型的には低濃度の水が、これらの測定の信頼性をなくす。
一般手順２（剥離試験）

剥離試験を、カスタマー供給の２００ｍｍまたは３００ｍｍのフルウェハを使用して行った。厚膜ポジまたはネガ型レジストを有するカスタマー供給ウェハを、剥離試験のための一体のダイを含む小さなクーポンにダイシングした。サンプルを、およそ２００ｍＬの本開示の剥離組成物を含む６００ｍＬの容積のガラスビーカーに入れた。サンプルを剥離組成物に浸漬する前に、剥離組成物を、制御された溶液かき混ぜ用におよそ２５０ｒｐｍに設定されたホットプレートにおいて試験条件温度（典型的には５０℃〜８０℃）まで前加熱した。次いで、デバイス側が撹拌棒に「対向して」、前加熱した剥離組成物にサンプルを入れ、試験条件時間（典型的には０．５〜１０分）にわたって一定のかき混ぜで溶液にサンプルを放置することにより、剥離試験を実施した。一旦、サンプルを試験条件の持続時間にわたって溶液中で暴露したら、サンプルを、１対のプラスチックの「固定」ピンセットを用いて試験溶液から迅速に除去し、周囲温度（約１７℃）において、およそ５００ｍＬの超高純度の脱イオン水を充填した６００ｍＬのプラスチックビーカーに入れた。サンプルを脱イオン水のビーカーにおいておよそ１０〜２０秒間、穏やかにかき混ぜしながら放置し、次いで、除去して、さらに４０〜５０秒間、周囲温度で超高純度の脱イオン水流（流量約２Ｌ／分）下に置き、次いで除去した。除去の際、サンプルを、サンプル表面上のいずれの液滴もサンプルから吹き飛ばし、さらに、サンプルデバイス表面および裏側を完全に乾燥させるハンドヘルド窒素吹き付けガンからの窒素ガスに、ただちに暴露した。この最終窒素乾燥ステップの後、サンプルをプラスチックピンセットホルダーから除去し、被覆されたプラスチックキャリア内にデバイス側を上にして入れ、約２時間以下の短い期間保存した。次いで、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像を、剥離試験サンプルデバイス表面における主要な特徴部（すなわち、ＳｎＡｇ／Ｎｉバンプ）について採取した。
一般手順３（エッチングレート測定）

種々の基板材料のエッチングレートを測定し、試験した剥離組成物の腐食性を求めた。試験されるフォトレジスト材料のコーティングを有するウェハからのクーポン（Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｏ、シリコン窒化物、またはポリ−Ｓｉ）を、試験条件温度に前加熱されたある特定の体積の試験剥離組成物に浸漬した。試験条件時間の持続時間にわたって試験剥離組成物に浸漬した後、クーポンを１対のプラスチック「固定」ピンセットによって試験組成物から迅速に除去し、脱イオン水によってリンスし、Ｎ_２ガス流によって吹き付け乾燥した。

試験組成物におけるディッピングの前後でのクーポン上の誘電体膜の厚さを、エリプソメータまたはＦｉｌｍｅｔｒｉｃｓ膜厚測定デバイスのいずれかによって測定した。エッチング時間によって除算される膜厚の差を使用してエッチングレートを算出した。

試験組成物におけるディッピングの前後でのクーポン上の金属膜のシート抵抗を、Ｒｅｓｍａｐ４探針装置によって測定した。Ｓｎを除く金属において、膜厚とシート抵抗との間の相関関係を用いて膜厚を求めた。エッチングレートを、膜厚変化を組成物への浸漬時間によって除算することにより求めた。
一般手順４（消泡試験）

消泡試験を１００ｍＬのメスシリンダにおいて行った。３０ｍＬの試験溶液液体を１００ｍＬのメスシリンダに投入し、シリンダの頂部をＰＡＲＡＦＩＬＭ（登録商標）Ｍによってきっちりと蓋をした。メスシリンダを３０秒間振とうした。液体および泡体の合計体積を０秒、１０秒、３０秒、１分の時間で記録し、いくつかの場合においてはこれより長い時間（例えば、５分）で記録した。
実施例１〜２および比較例ＣＥ−１〜ＣＥ−１３
Ｃｕ腐食抑制剤のスクリーニング

添加剤を含む１８の実験剥離組成物を、一般手順１にしたがって配合し、フォトレジスト剥離の際に起こり得る銅エッチングの抑制についてスクリーニングした。銅エッチングレート試験を、一般手順３にしたがって、試験溶液においてブランケット銅ウェハクーポンで７０℃において１０分間実施した。配合物およびエッチング結果を表１に示す。

結果は、ＦＥ−１およびＦＥ２における２つのジアミノ−１，３，５−トリアジン（すなわち、２，４−ジアミノ−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（ベンゾグアナミン）および６−メチル−１，３，５−トリアジン−２，４−ジアミンが、上記実施例において試験したＣｕ腐食抑制剤の間で有意に最も有効であったことを実証している。
実施例３〜６
抑制された水酸化第４級アンモニウム／極性溶媒系剥離剤におけるＣｕエッチングレートに対する水濃度の影響

７．５％〜２２．５％の範囲の量の水を含有する剥離剤配合物を一般手順１にしたがって調製した。２つの異なるソースからのＣｕ膜を剥離配合物によって一般手順３にしたがって７０℃で１０分間処理し、得られるエッチングレートを測定した。剥離配合物およびエッチング結果を表２に示す。

結果は、試験した含水量の範囲内で、Ｃｕエッチングレートが、試験した剥離組成物における水の量の増加によって有意に変化しなかったことを示している。
実施例７〜１５

実施例７〜１５において、代替のアルコール性溶媒を複数の濃度で含有する、一般手順１にしたがって調製した剥離組成物を用いて、Ｃｕ膜を、一般手順３にしたがって７０℃において１０分間処理した。Ｃｕエッチングレートに対しての、水酸化第４級アンモニウム／極性溶媒系剥離剤におけるアルコール性溶媒およびその濃度の変化の影響を表３に示す。

ジ（エチレングリコール）エチルエーテルはまた、ジエチレングリコールモノエチルエーテルおよびエチルジグリコールとしても知られている。

結果は、試験したアルコール性溶媒およびそれらの濃度の変化が、有意な濃度範囲（すなわち、１２％〜６０％）にわたってさえも腐食の抑制に有意に影響しなかったことを示している。
実施例１６〜１７
Ｃｕエッチングレートに対する界面活性剤の影響

実施例１６〜１７において、脱泡界面活性剤を含有する、一般手順１にしがたって調製した剥離組成物を用いて、Ｃｕ膜を、一般手順３にしたがって７０℃において１０分間処理した。Ｃｕエッチングレートに対しての、この開示の剥離組成物における脱泡界面活性剤の影響を表４に示す。

表４における結果は、Ｃｕエッチングレートに対しての界面活性剤添加の影響が最小であることを示しており、実験誤差の範囲内と考えられた。
実施例１８〜３４
厚膜レジスト剥離試験

実施例１８〜３４において、一般手順１にしたがって調製した、表５に示す剥離組成物を用いて、シリコン基板におけるＳｎＡｇ／Ｎｉバンプ上にコーティングされたフォトレジストを、一般手順２にしたがって、７０℃において５、１５、および３０分間剥離した。剥離剤組成物における、含水量、ＤＭＳＯ含量または具体的なアルコール性溶媒の変動の影響をこの実施例において研究した。

表５において、3M3MBuは３−メトキシ−３−メチルブタノールを、DEGEEはジ（エチレングリコール）エチルエーテルを表わす。

ＳＥＭ像の分析は、表５に列挙した剥離剤の全てが、ＳｎＡｇ／Ｎｉバンプを有するシリコン基板からフォトレジストを満足のいくように除去したことを示した。この分析は、剥離剤における水濃度が１０．５％未満であることがＳｎＡｇ／Ｎｉバンプのエッチングを回避するのに好ましいことを示唆した。
実施例３５〜４３
さらなる厚膜レジスト剥離試験

実施例３５〜４３において、一般手順１にしたがって調製した、表６に示す剥離組成物を用いて、シリコン基板におけるＳｎＡｇ／Ｎｉバンプ上にコーティングされたフォトレジストを、一般手順２にしたがって、７０℃において５、１５、および３０分間剥離して、２種のアルコール性溶媒（すなわち、ジ（エチレングリコール）エチルエーテルおよびヘキシレングリコール）についてアルコール性溶媒の濃度の変動の影響を調査した。

基準としてＦＥ−３を使用したＳＥＭ像の分析は、剥離組成物における２種の他のアルコール性溶媒（すなわち、ジ（エチレングリコール）エチルエーテルおよびヘキシレングリコール）ならびにこれらの濃度の性能影響を示す。この分析は、これら２種のアルコール性溶媒の濃度を増加させるにつれ、フォトレジストの剥離レートが減少したことを示した。より低いフォトレジスト剥離レートに調整するには、より長い剥離時間が用いられる可能性がある。グリコールは、３−メトキシ−３−メチルブタノールおよびジ（エチレングリコール）エチルエーテルと比較して、より遅いフォトレジスト剥離レートを有した。この分析は、１２〜２５％の範囲のアルコール性溶媒の濃度が、好ましい結果を付与したが、この範囲は、正確なアルコール溶媒を使用することに依ることを示唆している。
実施例４４〜４９
さらなる厚膜レジスト剥離試験

実施例４４〜４９において、一般手順１にしたがって調製した、表７に示す剥離組成物を用いて、シリコン基板におけるＳｎＡｇ／Ｎｉバンプ上にコーティングされたフォトレジストを、一般手順２にしたがって、７０℃において、５、１５、３０、および６０分間剥離して、フォトレジスト剥離に対しての界面活性剤の影響を調査した。

ＳＥＭ像の分析は、種々の配合物における界面活性剤の存在が、フォトレジスト剥離またはＳｎＡｇ／Ｎｉバンプのエッチングに負の影響を与えなかったことを示した。
実施例５０〜５２
発泡抑制

表８に記載した３種の剥離組成物を、一般手順１にしたがって配合した。３００ｍｍウェハを、７０ミクロン厚の膜によってコーティングした。ウェハにおける４５％のレジストコーティングを、実施例５０において用いた１００ｍＬの剥離組成物に溶解した。このことを、実施例５１および５２において用いた組成物の各々において４５％のウェハコーティングを使用して繰り返した。剥離組成物の３０ｍＬ部分を一般手順４にしたがって発泡形成について試験した。各剥離組成物のさらなるアリコートをある量のＳｕｒｆｙｎｏｌ ＭＤ−２０界面活性剤と混ぜ、一般手順４にもしたがって発泡抑制について試験した。界面活性剤の量および発泡抑制データを表９において報告する。

表９において分かるように、脱泡界面活性剤を含まない剥離組成物は、メスシリンダの振とうの際に有意に発泡した。脱泡界面活性剤を含まない３種の剥離組成物の５分後の発泡レベルは、それぞれ、３５ｍＬ、５４ｍＬ、および５４ｍＬであった（表９に示さず）。脱泡界面活性剤ＭＤ−２０を含有する剥離組成物は、振とう後、ほとんど発泡しなかった。
実施例５３〜６４および８４ならびに比較例ＣＥｘ１４〜ＣＥｘ３８およびＣＥｘ４０〜ＣＥｘ５５
アルミニウムエッチングの抑制に関する添加剤のスクリーニング

アルミニウムエッチングの抑制に関してスクリーニングするための添加剤を含むフォトレジスト剥離組成物を、一般手順１にしたがって配合し、Ａｌ含有基板またはデバイス上のフォトレジスト剥離の際に起こり得るアルミニウムエッチングの抑制に関してスクリーニングした。アルミニウムエッチングレート試験を、試験溶液においてブランケットアルミニウムウェハクーポンで７０℃において６分間、Ａｌを使用した一般手順３にしたがって実施した。ブランケットアルミニウム膜は、５００ｎｍ厚であった。全ての可能性のあるアルミニウム抑制剤を、ブランケット膜を使用してスクリーニングした。ダミーのアルミニウムボンディングパッドを使用して、選択された配合物を使用して、パターニングされたクーポンにおいて、エッチングレートが低いことを確認した。ダミーのアルミニウムボンディングパッドを、選択された配合物において１、２、および５分間試験した。ボンディングパッドの走査電子顕微鏡写真を撮り、表面粗さを、測定したエッチングレートと定量的に相関させた。

配合物およびエッチング結果を表１０および１１に示す。ＦＥ−３を、スクリーニングする組成物の各バッチにおける基礎組成物として用いて、アルミニウムエッチングレートに対する影響をチェックした。

表１０および１１における結果は、種々の添加剤が、剥離組成物においてアルミニウムエッチングレートに（正または負に）影響することができたが、およそ１％のレベルの添加剤では、リン酸、いくつかのリン酸塩、ポリリン酸、ならびに３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸およびカルシウムカチオンの組み合わせのみが、Ａｌエッチングレートを有意に低下させることができた（例えば、およそ１００Å／分以下まで）ことを示した。３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸添加剤は、１Å／分未満のＡｌエッチングレートを驚くべきことに付与した。
実施例６６〜７７
Ａｌ抑制剤の濃度研究

添加剤を含む剥離組成物を一般手順１にしたがって配合し、フォトレジスト剥離の際に起こり得るアルミニウムエッチングの抑制に対しての添加剤の濃度の影響を研究した。アルミニウムエッチングレート試験を、一般手順３にしたがって、試験溶液においてブランケットアルミニウムウェハクーポンで７０℃において６分間実施した。配合物は、種々の濃度のリン酸または３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸およびカルシウムカチオンの組み合わせを含有した。配合物およびエッチング結果を表１２（リン酸）ならびに表１３（３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸およびカルシウムカチオンの組み合わせ）に示す。

両方のＡｌエッチング抑制剤添加剤が、添加剤のある特定の濃度までＡｌエッチングレートにおいて比較的鋭い降下を生じた。
実施例７９、８０、８５、および８６、ならびに比較例ＣＥｘ５６〜ＣＥｘ６７
アルミニウムエッチング抑制に関する他のトリアゾール類のスクリーニング

さらなるトリアゾール類を、この開示の剥離組成物においてアルミニウムエッチングを抑制する能力についてスクリーニングした。剥離組成物を一般手順１にしたがって配合した。アルミニウムエッチングレート試験を、一般手順３にしたがって、試験溶液においてブランケットアルミニウムウェハクーポンで７０℃において６分間実施した。結果を表１４に報告する。

驚くべきことに、ＣＦＥ−５６〜ＣＦＥ−６１の組成物のいずれもが、ＦＥ−４１（３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸）およびカルシウムカチオンの組み合わせを含有した）の組成物によって示されるＡｌエッチングレートの抑制の程度付近を示さなかった。３−アミノ−１，２，４−トリアゾールおよび１，２，４−トリアゾール−３−カルボン酸は、Ａｌエッチングレートが緩やかに低減しただけであり、このことは、２つの官能基の必要性を示唆した。３−アミノ−１，２，４−トリアゾールおよび添加した酸（すなわち、クエン酸またはリン酸）を含有する配合物は、Ａｌ抑制に対する酸の影響を示唆する抑制を生じた。このこともまた、より低いＡｌエッチングレートを達成するには２つの官能基が同じ分子上にあることが好ましいことを示唆している。しかし、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−チオールからの結果は、カルボン酸置換基が置換基の１つとして好ましいことを示唆している。

可溶化されたカルシウムの影響を、この開示の剥離組成物においてアルミニウムエッチングを抑制する能力に関して評価した。剥離組成物を一般手順１にしたがって配合した。アルミニウムエッチングレート試験を、試験溶液においてブランケットアルミニウムウェハクーポンで７０℃において６分間、一般手順３にしたがって実施した。結果を表１５に報告する。表１５において、最初の４行は、さらなるカルシウムを添加しなかった汚染物質としての微量の可溶化されたカルシウムを含有する４つの組成物からの結果を含む。最後の４行は、０．００７４％のシュウ酸カルシウム一水和物を添加した４つの組成物からの結果を含む。「溶解したカルシウム」の下の欄は、元素分析によって測定した可溶化されたカルシウムの量を含む。表１５に示すように、添加したシュウ酸カルシウム一水和物の一部のみが、試験した組成物に溶解した。

表１５は、比較的高量の可溶化されたカルシウムカチオン（例えば、７６００ｐｐｂ）が、Ａｌエッチングレートを効果的に低減させ、これにより、Ａｌエッチングを抑制したが、一方で、比較的低量の可溶化されたカルシウムカチオン（例えば、１９５ｐｐｂ）は、Ａｌエッチングレートを有意に低減させなかったことを示す。また、表１５は、低量の可溶化されたカルシウムを含む３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸を含有する組成物がＡｌエッチングを効果的に抑制しなかったことを示す。理論によって拘束されることを望まないが、比較的高量の可溶化されたカルシウムカチオンは、使用したトリアゾール類に関わらず、Ａｌエッチングを効果的に抑制することができたとされる。さらに、理論によって拘束されることを望まないが、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸は、カルシウムカチオンを効果的に可溶化することができるため、本明細書において記載されている剥離組成物における可溶化されたカルシウムの量を効果的に増加することができるとされる。このように、好適な錯化剤（例えば、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸）およびカルシウム塩（例えば、シュウ酸カルシウム）の組み合わせは、本明細書において記載されている剥離組成物のＡｌエッチング抑制を有意に改良することができる。
実施例８１〜８３
他の金属のエッチングレートに対するアルミニウム抑制剤の影響

剥離手順の際に暴露した他の一般的な材料のエッチングレートに対しての場合によるＡｌ抑制剤の包含の影響を実験した。用いた配合物を表１６に記載する。Ｃｕ、Ｃｏ、ＷおよびＮｉ膜（１０分）、Ｓｎ膜（３０分）およびＡｌブランケット膜（６分）を一般手順２にしたがって７０℃でエッチングした。表１６に記載されている剥離組成物によって処理したときの種々の材料のエッチングレートを表１７に報告する。

表１７に示すように、水溶性極性非プロトン性有機溶媒、水溶性アルコール性溶媒、水酸化第４級アンモニウム、水、および銅腐食抑制剤を含む、本開示の剥離組成物は、Ａｌを除いて、試験した基板材料と良好な適合性を示した。そのため、暴露されたＡｌ特徴部を含まない適用に好適である。表１７もまた、本明細書において記載されているアルミニウム腐食抑制剤の添加が、大部分の他の基板材料のエッチングレートを低下させるさらなる利益を有して、Ａｌエッチングレートを驚くべきことに抑制したことも示した。
配合例５１〜７２

この開示の組成物に対してさらに調査するために、さらなる剥離配合物を表１８に記載する。

Claims (49)

1. １）３０％〜９０％の少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と、
   ２）少なくとも１種のアルコール溶媒と、
   ３）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと、
   ４）水と、
   ５）６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と、
   ６）所望により、少なくとも１種の脱泡界面活性剤と、
   を含むフォトレジスト剥離用の組成物。
2. 前記少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムが、式［ＮＲ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４］^＋ＯＨの化合物を含み、式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４の各々が、独立して、ヒドロキシによって場合により置換されている線状、分岐状、もしくは環状アルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または置換もしくは非置換のベンジル基である、請求項１に記載の組成物。
3. Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、およびＲ_４の各々が、独立して、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である、請求項２に記載の組成物。
4. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムを含む、請求項１に記載の組成物。
5. 前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤が、６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンを含み、６位の置換基は、線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基、置換もしくは非置換のＣ_３〜Ｃ_１２シクロアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、−ＳＣＨ_２Ｒ^１００、−Ｎ（Ｒ^１００Ｒ^１０１）、またはイミジルであり、ここで、Ｒ^１００およびＲ^１０１の各々が、独立して、アルキル鎖中に窒素または酸素原子を含有してもよい線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ_１〜Ｃ_１２アルキル基、シクロアルキル環中に窒素または酸素原子を含有してもよい置換もしくは非置換のＣ_３〜Ｃ_１２シクロアルキル基、もしくは置換もしくは非置換のアリール基であるか、またはＲ^１００およびＲ^１０１はそれらが結合する原子と共に環を形成する、請求項１に記載の組成物。
6. 前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤が、６−フェニル−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンまたは６−メチル−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンを含む、請求項１に記載の組成物。
7. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤を含む、請求項１に記載の組成物。
8. 前記少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルスルホン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、またはこれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
   １に記載の組成物。
9. ４０％〜９０％の前記少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒を含む、請求項１に記載の組成物。
10. 前記少なくとも１種のアルコール溶媒が、アルカンジオール、グリコール、アルコキシアルコール、飽和脂肪族一価アルコール、不飽和非芳香族一価アルコール、環構造を含有するアルコール、またはこれらの混合物を含む、請求項１に記載の組成物。
11. ５％〜６０％の前記少なくとも１種のアルコール溶媒を含む、請求項１に記載の組成物。
12. ２．５％〜２５％の水を含む、請求項１に記載の組成物。
13. ０．０１％〜３％の前記少なくとも１種の脱泡界面活性剤を含む、請求項１に記載の組成物。
14. 少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
15. 前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、リン酸類およびリン酸類の塩からなる群から選択される化合物を含む、請求項１４に記載の組成物。
16. 前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、一リン酸、ポリリン酸、無水リン酸、またはその塩を含む、請求項１５に記載の組成物。
17. 前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、第１および第２成分を含み、第１成分が、ＩＩ族金属カチオンを含み、第２成分が、前記ＩＩ族金属カチオンを可溶化することが可能である剤を含む、請求項１４に記載の組成物。
18. 前記第１成分が、Ｃａ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｓｒ^２＋、またはＢａ^２＋を含む、請求項１７に記載の組成物。
19. 前記剤が、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物からなる群から選択される、請求項１７に記載の組成物。
20. 前記電子供与基が、カルボキシル、メルカプト、ヒドロキシフェニル、アミノ、アルキルアミノ、またはジアルキルアミノである、請求項１９に記載の組成物。
21. 前記剤が、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸である、請求項２０に記載の組成物。
22. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤を含む、請求項１４に記載の組成物。
23. １３以上のｐＨを有する、請求項１に記載の組成物。
24. フォトレジストまたはフォトレジスト残渣を含有する半導体基板を、請求項１〜請求項２３のいずれかに記載の組成物と接触させて、前記フォトレジストまたはフォトレジスト残渣を除去すること、を含む方法。
25. 前記接触ステップの後、前記半導体基板をリンス溶媒でリンスすることをさらに含む、請求項２４に記載の方法。
26. 前記リンスステップの後、前記半導体基板を乾燥することをさらに含む、請求項２５に記載の方法。
27. 前記半導体基板中のＣｕまたはＡｌを実質的に除去しない、請求項２４に記載の方法。
28. １）少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒と、
    ２）少なくとも１種のアルコール溶媒と、
    ３）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムと、
    ４）水と、
    ５）６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジン類から選択される少なくとも１種の銅腐食抑制剤と、
    ６）少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤と、及び
    ７）所望により、少なくとも１種の脱泡界面活性剤と、
    を含むフォトレジスト剥離用の組成物であって、
    前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、第１および第２成分を含み、第１成分が、ＩＩ族金属カチオンを含み、第２成分が、前記ＩＩ族金属カチオンを可溶化することが可能である剤を含む、組成物。
29. 前記少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムが、式［ＮＲ _１ Ｒ _２ Ｒ _３ Ｒ _４ ］ ^＋ ＯＨの化合物を含み、式中、Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、およびＲ _４ の各々が、独立して、ヒドロキシによって場合により置換されている線状、分岐状、もしくは環状アルキル基、置換もしくは非置換のフェニル基、または置換もしくは非置換のベンジル基である、請求項２８に記載の組成物。
30. Ｒ _１ 、Ｒ _２ 、Ｒ _３ 、およびＲ _４ の各々が、独立して、Ｃ _１ 〜Ｃ _４ アルキル基、ヒドロキシエチル基、フェニル基、またはベンジル基である、請求項２９に記載の組成物。
31. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウムを含む、請求項２８に記載の組成物。
32. 前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤が、６−置換−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンを含み、６位の置換基は、線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ _１ 〜Ｃ _１２ アルキル基、置換もしくは非置換のＣ _３ 〜Ｃ _１２ シクロアルキル基、置換もしくは非置換のアリール基、−ＳＣＨ _２ Ｒ ^１００ 、−Ｎ（Ｒ ^１００ Ｒ ^１０１ ）、またはイミジルであり、ここで、Ｒ ^１００ およびＲ ^１０１ の各々が、独立して、アルキル鎖中に窒素または酸素原子を含有してもよい線状もしくは分岐状の置換もしくは非置換のＣ _１ 〜Ｃ _１２ アルキル基、シクロアルキル環中に窒素または酸素原子を含有してもよい置換もしくは非置換のＣ _３ 〜Ｃ _１２ シクロアルキル基、もしくは置換もしくは非置換のアリール基であるか、またはＲ ^１００ およびＲ ^１０１ はそれらが結合する原子と共に環を形成する、請求項２８に記載の組成物。
33. 前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤が、６−フェニル−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンまたは６−メチル−２，４−ジアミノ−１，３，５−トリアジンを含む、請求項２８に記載の組成物。
34. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種の銅腐食抑制剤を含む、請求項２８に記載の組成物。
35. 前記少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒が、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルスルホン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ガンマ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、またはこれらの混合物を含む、請求項２８に記載の組成物。
36. ３０％〜９０％の前記少なくとも１種の水溶性極性非プロトン性有機溶媒を含む、請求項２８に記載の組成物。
37. 前記少なくとも１種のアルコール溶媒が、アルカンジオール、グリコール、アルコキシアルコール、飽和脂肪族一価アルコール、不飽和非芳香族一価アルコール、環構造を含有するアルコール、またはこれらの混合物を含む、請求項２８に記載の組成物。
38. ５％〜６０％の前記少なくとも１種のアルコール溶媒を含む、請求項２８に記載の組成物。
39. ２．５％〜２５％の水を含む、請求項２８に記載の組成物。
40. ０．０１％〜３％の前記少なくとも１種の脱泡界面活性剤を含む、請求項２８に記載の組成物。
41. 少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤をさらに含む、請求項２８に記載の組成物。
42. 前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、リン酸類およびリン酸類の塩からなる群から選択される化合物を含む、請求項４１に記載の組成物。
43. 前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤が、一リン酸、ポリリン酸、無水リン酸、またはその塩を含む、請求項４２に記載の組成物。
44. 前記第１成分が、Ｃａ ^２＋ 、Ｍｇ ^２＋ 、Ｓｒ ^２＋ 、またはＢａ ^２＋ を含む、請求項２８に記載の組成物。
45. 前記剤が、塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，３−トリアゾールカルボン酸化合物、および塩基性条件下で電子供与基である基によって置換されている１，２，４−トリアゾールカルボン酸化合物からなる群から選択される、請求項２８に記載の組成物。
46. 前記電子供与基が、カルボキシル、メルカプト、ヒドロキシフェニル、アミノ、アルキルアミノ、またはジアルキルアミノである、請求項４５に記載の組成物。
47. 前記剤が、３−アミノ−１，２，４−トリアゾール−５−カルボン酸である、請求項４６に記載の組成物。
48. ０．１％〜１０％の前記少なくとも１種のアルミニウム腐食抑制剤を含む、請求項４１に記載の組成物。
49. １３以上のｐＨを有する、請求項２８に記載の組成物。