JP4159944B2 - レジスト用剥離剤組成物 - Google Patents
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Description
〔1〕水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と、酸化剤と、糖類と、水とを含有してなるレジスト用剥離剤組成物、並びに
〔2〕前記〔1〕記載のレジスト用剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法
に関する。
表1〜2に示す各種成分を混合して剥離剤組成物を調製した。なお、表中、(A)成分は、水溶性アミン又はアンモニウム化合物、(B)成分は酸化剤、(C)成分は糖類を示す。また、表中の各用語は以下の通りである。
TMAH: テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
H 2 O 2 : 過酸化水素(旭電化工業(株)製、アデカスーパーEL)
APS:過硫酸アンモニウム
DMAc:N,N- ジメチルアセトアミド
◎:完全に剥離する。
○:ほとんど剥離する。
×:剥離できない。
◎:全く腐食が認められない。
○:一部腐食が認められる。
×:腐食が認められる。
実施例1〜15及び比較例1〜9で測定・評価した剥離性、腐食性及び酸化剤の残存率の結果を表3、4に示す。
TEOS: プラズマTEOS酸化膜
FSG:Fluorinated Silica Glass
Aurora2.4:ASM International 社製
ポーラスBlack Diamond:Black Diamond II(Applied Materials社製)
Claims (6)
- 水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と、過酸化物からなる酸化剤と、糖又は糖アルコールと、水とを含有してなるレジスト用剥離剤組成物であって、前記酸化剤の含有量が0.01〜3.5重量%であるレジスト用剥離剤組成物。
- アンモニウム化合物が有機アンモニウム化合物である請求項1記載のレジスト用剥離剤組成物。
- 酸化剤が過酸化水素である、請求項1又は2記載のレジスト用剥離剤組成物。
- (A)水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と(B)酸化剤の重量比(A)/(B)が1〜50である請求項1〜3いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物。
- 請求項1〜4いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法。
- 電子基板が半導体基板である請求項5記載の電子基板の製造方法。
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