JP2005049752A - レジスト用剥離剤組成物 - Google Patents
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Abstract
金属配線を有する電子基板に対して、アルミニウム配線だけでなく銅等の金属配線やLow−k膜等の絶縁膜を腐食せずに、残存する変質レジストや埋め込み材、及びエッチング残渣物等のいわゆるポリマーを除去するレジスト用剥離剤組成物、及び該剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】
水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と、酸化剤と、糖類と、水とを含有してなるレジスト用剥離剤組成物、該レジスト用剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法。
【選択図】 なし
Description
〔1〕水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と、酸化剤と、糖類と、水とを含有してなるレジスト用剥離剤組成物、並びに
〔2〕前記〔1〕記載のレジスト用剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法
に関する。
表1〜2に示す各種成分を混合して剥離剤組成物を調製した。なお、表中、(A)成分は、水溶性アミン又はアンモニウム化合物、(B)成分は酸化剤、(C)成分は糖類を示す。また、表中の各用語は以下の通りである。
TMAH: テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
H 2 O 2 : 過酸化水素(旭電化工業(株)製、アデカスーパーEL)
APS:過硫酸アンモニウム
DMAc:N,N- ジメチルアセトアミド
◎:完全に剥離する。
○:ほとんど剥離する。
×:剥離できない。
◎:全く腐食が認められない。
○:一部腐食が認められる。
×:腐食が認められる。
実施例1〜15及び比較例1〜9で測定・評価した剥離性、腐食性及び酸化剤の残存率の結果を表3、4に示す。
TEOS: プラズマTEOS酸化膜
FSG:Fluorinated Silica Glass
Aurora2.4:ASM International 社製
ポーラスBlack Diamond:Black Diamond II(Applied Materials社製)
Claims (7)
- 水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と、酸化剤と、糖類と、水とを含有してなるレジスト用剥離剤組成物。
- 糖類が糖アルコールである請求項1記載のレジスト用剥離剤組成物。
- アンモニウム化合物が有機アンモニウム化合物である請求項1又は2記載のレジスト用剥離剤組成物。
- 酸化剤が過酸化物、オゾン及び過酸化物を含むレドックス系の酸化剤からなる群より選ばれる1種以上の化合物である請求項1〜3いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物。
- (A)水溶性アミン及び/又はアンモニウム化合物と(B)酸化剤の重量比(A)/(B)が1〜50である請求項1〜4いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物。
- 請求項1〜5いずれか記載のレジスト用剥離剤組成物を用いてレジストを剥離する工程を有する電子基板の製造方法。
- 電子基板が半導体基板である請求項6記載の電子基板の製造方法。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006129549A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ホスホン酸及びアスコルビン酸を含む半導体用洗浄液組成物及び洗浄方法 |
JP2007027382A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Tokuyama Corp | 基板洗浄液 |
JP2009063649A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Nec Lcd Technologies Ltd | 薬液及びそれを用いた基板処理方法 |
TWI573867B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-03-11 | 氣體產品及化學品股份公司 | 具有高wn/w蝕刻選擇性的剝除組合物 |
KR20170101271A (ko) * | 2014-12-30 | 2017-09-05 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리핑 조성물 |
WO2020262448A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
KR102684831B1 (ko) | 2019-06-27 | 2024-07-12 | 카오카부시키가이샤 | 세정 방법 |
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006129549A1 (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | ホスホン酸及びアスコルビン酸を含む半導体用洗浄液組成物及び洗浄方法 |
JP2007027382A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Tokuyama Corp | 基板洗浄液 |
JP4667147B2 (ja) * | 2005-07-15 | 2011-04-06 | 株式会社トクヤマ | 基板洗浄液 |
JP2009063649A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Nec Lcd Technologies Ltd | 薬液及びそれを用いた基板処理方法 |
TWI573867B (zh) * | 2014-12-30 | 2017-03-11 | 氣體產品及化學品股份公司 | 具有高wn/w蝕刻選擇性的剝除組合物 |
KR20170101271A (ko) * | 2014-12-30 | 2017-09-05 | 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. | 반도체 기판으로부터 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리핑 조성물 |
JP2018503127A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-02-01 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物 |
US10301580B2 (en) | 2014-12-30 | 2019-05-28 | Versum Materials Us, Llc | Stripping compositions having high WN/W etching selectivity |
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WO2020262448A1 (ja) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 花王株式会社 | 洗浄方法 |
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