WO2020262448A1 - 洗浄方法 - Google Patents

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山田晃平
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花王株式会社
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    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material

Definitions

  • This disclosure relates to a cleaning method, a method of manufacturing an electronic component using the cleaning method, and the use thereof.
  • a method of using a dry film resist as a thick film resin mask instead of a metal mask is known.
  • This resin mask is finally peeled off and removed, and as a cleaning agent used for cleaning such as peeling and removal, a cleaning agent for peeling off a resin mask containing an alkaline agent and water is known.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-254555
  • Patent Document 1 states that a color resist on a color filter substrate for a liquid crystal display, a black matrix resin, a polyimide-based alignment film, a photoresist, etc.
  • an alkaline cleaning agent that can be peeled off and washed
  • a cleaning agent composition containing one or more kinds obtained from the group consisting of a specific quaternary ammonium salt and a specific polyvalent carboxylate, a hydrophilic organic solvent, and an alkaline component is described. ing.
  • Patent Document 2 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2015-79244 (Patent Document 2) provides a cleaning agent capable of both promoting removal of the resin mask layer after heat treatment of solder bumps and suppressing solder corrosion and improving solder connection reliability.
  • the cleaning agent composition is 1 part by mass of tetramethylammonium hydroxide, 5 parts by mass of monoethanolamine, 1 part by mass of ammonium formate, 85 parts by mass of water, 4 parts by mass of diethylene glycol butyl ether and 4 parts by mass of dimethyl sulfoxide. The thing is listed. Japanese Patent Application Laid-Open No.
  • Patent Document 3 states that the load on the environment is low, and the releasability of the resist residue generated after ashing and the metal oxidation product derived from metal wiring even under low temperature and short-time cleaning conditions
  • the content of organic amine is 0.2 to 30% by weight
  • the content of organic phosphonic acid is 0.05 to 10% by weight
  • the content of water is high.
  • a release agent composition having an amount of 60 to 99.7% by weight and a pH of the composition at 20 ° C. of 9 to 13 is described.
  • WO2018 / 043440 contains a treatment liquid for a semiconductor device, which contains a hydroxylamine compound, a base compound, and at least one selected from the group consisting of a reducing agent and a chelating agent, and has a pH.
  • a treatment liquid having a value of 10 or more is described.
  • the present disclosure is, in one aspect, a cleaning method including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned to which a resin mask is attached by using a cleaning agent composition.
  • the cleaning agent composition contains an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C), and water (component D).
  • Component B is at least one solvent selected from glycol ethers and aromatic ketones.
  • Component C is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group.
  • the content of component B at the time of use of the cleaning agent composition is 1% by mass or more and 12% by mass or less.
  • the content of component D at the time of use of the cleaning agent composition is 65% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the present invention relates to a cleaning method in which the object to be cleaned has undergone at least one of soldering and plating treatments using a resin mask.
  • the present disclosure relates to, in one aspect, a method for manufacturing an electronic component, which comprises a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned to which a resin mask is attached by using the cleaning method of the present disclosure.
  • the present disclosure relates to the use as a release agent of a cleaning agent composition in the removal of a resin mask from an object to be cleaned which has undergone at least one of soldering and plating treatments using a resin mask.
  • the cleaning agent composition contains an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C), and water (component D).
  • Component B is at least one solvent selected from glycol ethers and aromatic ketones.
  • Component C is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group.
  • the content of component B at the time of use is 1% by mass or more and 12% by mass or less.
  • the content of the component D at the time of use is 65% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the resin mask is formed by using a resist whose physical properties such as solubility in a developing solution are changed by light, an electron beam, or the like. Resists are roughly classified into negative type and positive type according to the reaction method with light and electron beam.
  • the negative resist has the property that its solubility in a developing solution decreases when exposed, and the layer containing the negative resist (hereinafter, also referred to as “negative resist layer”) is exposed to the exposed portion after exposure and development treatment. Used as a resin mask.
  • the positive resist has the property of increasing its solubility in a developing solution when exposed, and the layer containing the positive resist (hereinafter, also referred to as “positive resist layer”) has an exposed portion after exposure and development treatment. It is removed and the unexposed area is used as a resin mask.
  • a resin mask having such characteristics, it is possible to form fine connection portions of a circuit board such as metal wiring, metal pillars, and solder bumps.
  • the cleaning agent composition is required to have high resin mask removability, while having little influence on the substrate.
  • the present disclosure provides, in one aspect, a cleaning method capable of reducing the influence on the substrate and having excellent resin mask removability.
  • the present disclosure is, in one aspect, a cleaning method including a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned to which a resin mask is attached by using a cleaning agent composition.
  • the cleaning agent composition contains an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C), and water (component D).
  • Component B is at least one solvent selected from glycol ethers and aromatic ketones.
  • Component C is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group.
  • the content of component B at the time of use of the cleaning agent composition is 1% by mass or more and 12% by mass or less.
  • the content of component D at the time of use of the cleaning agent composition is 65% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the present invention relates to a cleaning method (hereinafter, also referred to as “the cleaning method of the present disclosure”), wherein the object to be cleaned has undergone at least one of soldering and plating treatments using a resin mask.
  • the cleaning method of the present disclosure can efficiently remove the resin mask from the object to be cleaned while reducing the influence on the substrate to be cleaned. Then, by using the cleaning method of the present disclosure, high quality electronic components can be obtained in high yield. Further, by using the cleaning agent composition of the present disclosure, it is possible to efficiently manufacture an electronic component having a fine wiring pattern.
  • a minute residue of the resin mask may be generated in a minute gap of a circuit pattern formed by copper plating or the like.
  • at least one organic solvent (component B) and water (component D) selected from an alkaline agent (component A), glycol ether, and aromatic ketone are blended into the resin mask by permeating the resin mask. It is considered that the dissociation of the alkali-soluble resin is promoted, and the peeling of the resin mask is promoted by further causing charge repulsion.
  • a specific chelating agent (component C) is adsorbed on the surface of the circuit pattern formed by copper plating or the like, so that the resin mask remains in the fine gaps of the circuit pattern. Is likely to be easily detached. It is presumed that the detergency is improved by promoting the peeling of these resins and improving the ease of detaching from the gap. Further, by setting the contents of the component B and water (component D) contained in the cleaning method of the present disclosure within a predetermined range, excellent cleaning while suppressing the influence of the component B and / or the component C on the substrate is suppressed. It is thought to express sex. However, the present disclosure may not be construed as being limited to this mechanism.
  • the resin mask to be peeled off / removed in the present disclosure is a mask for protecting the surface of a substance from treatments such as etching, plating, and heating, that is, a mask that functions as a protective film.
  • the resin mask is subjected to at least one treatment of the resist layer after the exposure and development steps, and exposure and development (hereinafter, also referred to as “exposure and / or development treatment”). Examples thereof include a resist layer and a cured resist layer.
  • the resin material forming the resin mask include a film-like photosensitive resin, a resist film, and a photoresist in one or more embodiments.
  • a general-purpose resist film can be used.
  • the cleaning method of the present disclosure includes a step of peeling the resin mask from the object to be cleaned to which the resin mask is attached by using the cleaning agent composition, and the object to be cleaned is at least one of soldering and plating treatment using the resin mask. It has undergone the process of processing.
  • the step of peeling the resin mask from the object to be cleaned includes, in one or more embodiments, bringing the object to be cleaned to which the resin mask is attached into contact with the cleaning agent composition of the present disclosure.
  • the cleaning agent composition used in the step of peeling the resin mask from the object to be cleaned is hereinafter also referred to as "the cleaning agent composition of the present disclosure".
  • the present disclosure contains an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C) and water (component D), wherein the component B is a glycol ether and an aromatic ketone. It is at least one solvent selected from the above, and the component C is a compound having two or more at least one acid group selected from the carboxy group and the phosphonic acid group, and the content of the component B at the time of use is 1 mass.
  • the present invention relates to a cleaning method using a cleaning agent composition for removing a resin mask (cleaning agent composition of the present disclosure), wherein the content of component D at the time of use is 65% by mass or more and 95% by mass or less. .. According to the cleaning agent composition of the present disclosure, in one or more embodiments, it is possible to provide a cleaning method capable of reducing the influence on the substrate and having excellent resin mask removability.
  • a cleaning agent composition is added.
  • a method of contacting by immersing in a washing tub a method of injecting a cleaning agent composition into a spray and making contact (shower method), and an ultrasonic cleaning method of irradiating ultrasonic waves during immersion.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure can be used as it is for cleaning without being diluted.
  • Examples of the object to be cleaned include the above-mentioned object to be cleaned.
  • the cleaning method of the present disclosure may include, in one or more embodiments, a step of contacting the cleaning agent composition with the object to be cleaned, rinsing with water, and drying.
  • the cleaning method of the present disclosure may include, in one or more embodiments, a step of contacting the cleaning agent composition with the object to be cleaned and then rinsing with water.
  • the cleaning method of the present disclosure it is preferable to irradiate ultrasonic waves at the time of contact between the cleaning agent composition of the present disclosure and the object to be cleaned, because the cleaning power of the cleaning agent composition of the present disclosure is easily exhibited. It is more preferable that the sound wave has a relatively high frequency.
  • the ultrasonic irradiation conditions are preferably, for example, 26 to 72 kHz and 80 to 1500 W, and more preferably 36 to 72 kHz and 80 to 1500 W.
  • the temperature of the cleaning agent composition is preferably 40 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher, and the influence on the substrate is reduced, from the viewpoint that the cleaning power of the cleaning agent composition of the present disclosure is easily exhibited. From the viewpoint of the above, 70 ° C. or lower is preferable, and 60 ° C. or lower is more preferable.
  • component A Alkaline agent
  • examples of the alkaline agent (hereinafter, also simply referred to as “component A”) contained in the cleaning agent composition of the present disclosure include at least one selected from inorganic alkali and organic alkali in one or more embodiments, and wastewater. Inorganic alkali is preferable from the viewpoint of reducing the processing load.
  • the component A may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the inorganic alkali examples include hydroxides, carbonates and silicates of alkali metals or alkaline earth metals in one or more embodiments, and specifically, sodium hydroxide, potassium hydroxide and water. At least one selected from lithium oxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate and potassium silicate can be mentioned. Among these, from the viewpoint of improving the resin mask removability, one or a combination of two or more selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and potassium carbonate is preferable, and at least one of sodium hydroxide and potassium hydroxide. Is more preferable, and potassium hydroxide is further preferable. In the present disclosure, the inorganic alkali does not include ammonia.
  • Examples of the organic alkali include a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I), an amine represented by the following formula (II), and the like in one or more embodiments.
  • the component A is a combination of the quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) and the amine represented by the formula (II) in one or more embodiments from the viewpoint of improving the resin mask removability. Is preferably used. Further, the component A is preferably a quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) from the viewpoint of improving the resin mask removability.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently selected from at least one methyl group, ethyl group, propyl group, hydroxymethyl group, hydroxyethyl group and hydroxypropyl group. Is.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group
  • R 6 is at least selected from a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group
  • R 7 is at least one selected from an aminoethyl group, a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, or in formula (II), R 5 is a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group.
  • Examples of the quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) include a salt composed of a quaternary ammonium cation and a hydroxide.
  • Specific examples of the quaternary ammonium hydroxide are tetramethylammonium hydroxide (TMAH), tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, 2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide (choline), and 2-hydroxyethyltriethyl.
  • Ammonium Hydroxide 2-Hydroxyethyl Tripropylammonium Hydroxide, 2-Hydroxypropyltrimethylammonium Hydroxide, 2-Hydroxypropyltriethylammonium Hydroxide, 2-Hydroxypropyltripropylammonium Hydroxide, Dimethylbis (2-Hydroxyethyl) Ammonium hydroxide, diethylbis (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, dipropylbis (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, tris (2-hydroxyethyl) methylammonium hydroxide, tris (2-hydroxyethyl) ethylammonium hydroxide, Examples thereof include at least one selected from tris (2-hydroxyethyl) propylammonium hydroxide, tetrakis (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide, and tetrakis (2-hydroxypropyl) ammoni
  • tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide are preferable, and tetramethylammonium hydroxide is more preferable, from the viewpoint of improving the resin mask removability.
  • Examples of the amine represented by the formula (II) include alkanolamines, primary to tertiary amines, heterocyclic compounds and the like. Specific examples of amines include monoethanolamine, monoisopropanolamine, N-methylmonoethanolamine, N-methylisopropanolamine, N-ethylmonoethanolamine, N-ethylisopropanolamine, diethanolamine, diisopropanolamine, and N-dimethyl.
  • the content of component A at the time of use of the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 1% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, further preferably 6% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability. From the same viewpoint, 20% by mass or less is preferable, 16% by mass or less is more preferable, and 12% by mass or less is further preferable. More specifically, the content of the component A at the time of use of the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 1% by mass or more and 20% by mass or less, more preferably 4% by mass or more and 16% by mass or less, and 6% by mass. More preferably 16% by mass or less. When the component A is a combination of two or more kinds, the content of the component A means the total content thereof.
  • the "content of each component at the time of using the cleaning agent composition” means the content of each component at the time of cleaning, that is, at the time when the cleaning agent composition is started to be used for cleaning.
  • the organic solvent (hereinafter, also referred to as “component B”) contained in the cleaning agent composition of the present disclosure is at least one solvent selected from glycol ethers and aromatic ketones in one or more embodiments.
  • the component B may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the glycol ether include compounds having a structure in which 1 to 3 mol of ethylene glycol is added to an alcohol having 1 or more and 8 or less carbon atoms from the viewpoint of improving the resin mask removability and reducing the influence on the substrate.
  • glycol ether examples include at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, and diethylene glycol diethyl ether.
  • aromatic ketone examples include acetophenone and the like from the viewpoint of improving the resin mask removability and reducing the influence on the substrate.
  • the content of component B at the time of use of the cleaning agent composition of the present disclosure is 1% by mass or more, preferably 1.5% by mass or more, preferably 2% by mass or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability. It is more preferable, and from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and the influence on the substrate, it is 12% by mass or less, preferably 8% by mass or less, and more preferably 4% by mass or less. More specifically, the content of the component B at the time of use is 1% by mass or more and 12% by mass or less, preferably 1.5% by mass or more and 8% by mass or less, and 2% by mass or more and 4% by mass or less. More preferred. When the component B is a combination of two or more kinds, the content of the component B means the total content thereof.
  • the chelating agent (hereinafter, also referred to as “component C”) contained in the cleaning agent composition of the present disclosure is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group. Further, the component C is preferably a compound having 4 or less acid groups from the viewpoint of improving the resin mask removability. In one or more embodiments, the component C includes aminotrimethylene phosphonic acid, 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid, etidronic acid and the like.
  • 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid, etidronic acid and the like, which are compounds containing no nitrogen atom, are preferable from the viewpoint of reducing the environmental load.
  • the component C may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the molecular weight of the component C is preferably 1000 or less, more preferably 500 or less, from the viewpoint of improving the resin mask removability.
  • the content of component C at the time of use of the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and from the same viewpoint, from the viewpoint of improving the resin mask removability. 5, 5% by mass or less is preferable, and 3% by mass or less is more preferable. More specifically, the content of the component C at the time of use is preferably 0.5% by mass or more and 5% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 3% by mass or less.
  • the content of the component C means the total content thereof.
  • the mass ratio (C / B) of the component C to the component B is preferably 0.1 or more, preferably 0.3 or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability and reducing the influence on the substrate. More preferably, 0.4 or more is further preferable, and from the same viewpoint, 1 or less is preferable, 0.8 or less is more preferable, and 0.7 or less is further preferable. More specifically, the mass ratio (C / B) is preferably 0.1 or more and 1 or less, more preferably 0.3 or more and 0.8 or less, and further preferably 0.4 or more and 0.7 or less.
  • the mass ratio (A / C) of the component A to the component C is preferably 1 or more, more preferably 1.5 or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability and reducing the influence on the substrate. 2, 2 or more is more preferable, and from the same viewpoint, 10 or less is preferable, 8 or less is more preferable, and 6 or less is further preferable. More specifically, the mass ratio (A / C) is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1.5 or more and 8 or less, and further preferably 2 or more and 6 or less.
  • Component D Water
  • ion-exchanged water RO water
  • distilled water pure water
  • ultrapure water etc.
  • the content of component D in the cleaning agent composition of the present disclosure can be the residue excluding component A, component B, component C and any component described later.
  • the content of the component D when the cleaning agent composition of the present disclosure is used is 65% by mass or more from the viewpoint of improving the resin mask removability, reducing the wastewater treatment load, and reducing the influence on the substrate. , 75% by mass or more, more preferably 82% by mass or more, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 95% by mass or less, 90% by mass or less is preferable, and 87% by mass or less is more preferable.
  • the content of the component D in use of the cleaning agent composition of the present disclosure is 65% by mass or more and 95% by mass or less, and 75% by mass or more and 90% by mass in one or more embodiments. % Or less is preferable, and 82% by mass or more and 87% by mass or less is more preferable.
  • the content of component D in use of the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 82% by mass or more and 95% by mass or less, more preferably 82% by mass or more and 90% by mass or less, and more preferably 82% by mass or less, in one or more embodiments. More preferably, it is by mass% or more and 97% by mass or less.
  • the mass ratio (D / B) of the component D to the component B is preferably 5 or more from the viewpoint of improving the resin mask removability, reducing the wastewater treatment load, and reducing the influence on the substrate.
  • the above is more preferable, 25 or more is further preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 45 or less is more preferable, 40 or less is more preferable, and 35 or less is further preferable.
  • the mass ratio (D / B) is preferably 5 or more and 45 or less, more preferably 13 or more and 40 or less, and further preferably 25 or more and 35 or less.
  • the mass ratio (D / C) of the component D to the component C is preferably 30 or more, preferably 35 or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability, reducing the wastewater treatment load, and reducing the influence on the substrate.
  • the above is more preferable, 40 or more is further preferable, and from the viewpoint of improving the resin mask removability, 90 or less is preferable, 65 or less is more preferable, and 55 or less is further preferable.
  • the mass ratio (D / C) is preferably 30 or more and 90 or less, more preferably 35 or more and 65 or less, and further preferably 40 or more and 55 or less.
  • the cleaning composition of the present disclosure further contains at least one ammonium salt of ammonia and an organic acid (hereinafter, also referred to as “component E”) from the viewpoint of resin mask removability.
  • component E an ammonium salt of a carboxylic acid having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and ammonium formate is more preferable, from the viewpoint of resin mask removability.
  • the component E may be one kind or a combination of two or more kinds.
  • the content of the component E when the cleaning agent composition of the present disclosure is used is preferably 0.1% by mass or more and 2% by mass or less, and 0.2% by mass or more and 1.5% by mass from the viewpoint of improving the resin mask removability. % Or less is more preferable, and 0.3% by mass or more and 1% by mass or less is more preferable.
  • the content of the component E means the total content thereof.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure may further contain other components, if necessary, in addition to the components A to E.
  • other components include components that can be used in ordinary cleaning agents, for example, organic solvents other than component B, surfactants, chelating agents other than component C, thickeners, dispersants, and rust preventives. Examples thereof include agents, polymer compounds, solubilizers, antioxidants, preservatives, antifoaming agents, antibacterial agents and the like.
  • the content of other components when the cleaning composition of the present disclosure is used is preferably 0% by mass or more and 2% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 1.5% by mass or less, and 0% by mass or more and 1. It is more preferably 3% by mass or less, and even more preferably 0% by mass or more and 1% by mass or less.
  • the cleaning composition of the present disclosure may be free of hydroxylamine and / or salts thereof in one or more embodiments.
  • the cleaning composition of the present disclosure may be substantially free of linear sugar alcohols in one or more embodiments.
  • the content of the linear sugar alcohol in use of the cleaning composition of the present disclosure is less than 0.1% by weight in one or more embodiments.
  • the total content of organic substances derived from component A, component B, component C and optional components when using the cleaning agent composition of the present disclosure is 30% by mass or less from the viewpoint of reducing the wastewater treatment load and reducing the influence on the substrate.
  • 25% by mass or less is more preferable, 20% by mass or less is further preferable, 16% by mass or less is further preferable, and from the viewpoint of improving resin mask removability, 2% by mass or more is preferable, and 4% by mass or more is preferable. More preferably, 8% by mass or more is further preferable, and 12% by mass or more is further preferable.
  • the total content of the organic substances derived from the component A, the component B, the component C and the optional component at the time of using the cleaning agent composition of the present disclosure is preferably 2% by mass or more and 30% by mass or less, preferably 4% by mass. % To 25% by mass is more preferable, 8% by mass or more and 20% by mass or less is further preferable, and 12% by mass or more and 16% by mass or less is further preferable.
  • the pH of the cleaning agent composition of the present disclosure at the time of use is preferably 10 or more, more preferably 11 or more, further preferably 12 or more, and more preferably 13 or more, from the viewpoint of improving the resin mask removability and reducing the influence on the substrate. More preferred.
  • the "pH at use” is the pH at 25 ° C. and can be measured using a pH meter. Specifically, it can be measured by the method described in Examples.
  • the cleaning composition of the present disclosure can be produced by blending the above-mentioned components A to D and, if necessary, the above-mentioned optional components by a known method.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure may be composed of at least the above-mentioned components A to D. Therefore, the present disclosure relates to a method for producing a cleaning agent composition, which comprises at least a step of blending the components A to D.
  • "blending" includes mixing components A to D and, if necessary, the above-mentioned optional components at the same time or in any order.
  • the preferable blending amount of each component can be the same as the preferable content of each component of the cleaning agent composition of the present disclosure described above.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure may be prepared as a concentrate in which the amount of water (component D) is reduced as long as the storage stability is not impaired by causing separation or precipitation.
  • the concentrate of the cleaning agent composition is preferably a concentrate having a dilution ratio of 3 times or more, and from the viewpoint of storage stability, it is preferably a concentrate having a dilution ratio of 30 times or less. ..
  • the concentrate of the cleaning agent composition can be diluted with water (component D) so that the components A to D and the optional components have the above-mentioned contents (that is, the contents at the time of washing) at the time of use. Further, the concentrate of the cleaning agent composition can be used by adding each component separately at the time of use.
  • the "during use" or “during cleaning” of the cleaning agent composition of the concentrated solution means a state in which the concentrated solution of the cleaning agent composition is diluted.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure is a release agent for peeling a resin mask from an object to be cleaned which has undergone at least one of soldering and plating treatments using a resin mask in one or more embodiments.
  • the cleaning agent composition contains an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C), and water (component D).
  • Component B is at least one solvent selected from glycol ethers and aromatic ketones.
  • Component C is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group.
  • the content of component B at the time of use is 1% by mass or more and 12% by mass or less.
  • the content of the component D at the time of use is 65% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure can be used in one or more embodiments for cleaning an object to be cleaned to which a resin mask is attached.
  • the object to be cleaned include, in one or more embodiments, an object to be cleaned having a metal portion on the surface, and examples thereof include electronic parts and their manufacturing intermediates.
  • the electronic component include at least one component selected from a metal plate such as a printed circuit board, a wafer, a copper plate, and an aluminum plate.
  • the manufacturing intermediate product is an intermediate product in the manufacturing process of the electronic component, and includes an intermediate product after the resin mask treatment.
  • soldering and plating treatment copper plating, aluminum plating, nickel plating, etc.
  • the process is performed.
  • soldering means forming solder bumps by allowing solder to exist in a non-existent portion of a resin mask on a substrate and heating the solder.
  • the plating treatment means performing at least one plating treatment selected from copper plating, aluminum plating, and nickel plating on a portion of the substrate in which the resin mask does not exist.
  • the present disclosure relates, in one aspect, to the use of the cleaning agent composition of the present disclosure as a cleaning agent in the manufacture of electronic components.
  • the object to be cleaned is a step of performing at least one of soldering and plating treatment on a substrate having a resist pattern formed by developing a resin mask laminated on the substrate. It has passed.
  • examples of the substrate to be cleaned include a substrate having a portion where a cured resist layer is formed on a substrate and a resin mask present portion, and a portion where a solder bump or a plating layer is formed on a portion where the resin mask does not exist. Be done.
  • the cleaning agent composition of the present disclosure is suitable for cleaning a resin mask or an object to be cleaned to which a plating-treated and / or heat-treated resin mask is attached from the viewpoint of cleaning effect.
  • the resin mask may be, for example, a negative type resin mask or a positive type resin mask.
  • the negative resin mask is formed by using a negative resist, and examples thereof include a negative resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the positive resin mask is formed by using a positive resist, and examples thereof include a positive resist layer that has been exposed and / or developed.
  • the present disclosure comprises a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned to which a resin mask is attached by using the cleaning method of the present disclosure (hereinafter, "the electronic component of the present disclosure”. Also called “manufacturing method”).
  • the object to be cleaned include the above-mentioned object to be cleaned.
  • the resin mask adhering to the electronic components can be effectively removed by cleaning using the cleaning method of the present disclosure, so that highly reliable electronic components can be manufactured. Become. Further, by performing the cleaning method of the present disclosure, the resin mask adhering to the electronic component can be easily removed, so that the cleaning time can be shortened and the manufacturing efficiency of the electronic component can be improved.
  • kits for use in any of the cleaning methods of the present disclosure and the method of manufacturing electronic components of the present disclosure (hereinafter, also referred to as "kit of the present disclosure").
  • kits of the present disclosure are kits for producing the cleaning composition of the present disclosure in one or more embodiments. According to the kit of the present disclosure, it is possible to obtain a cleaning agent composition which can reduce the influence on the substrate and has excellent resin mask removability.
  • a solution containing component A (first solution), a solution containing component B (second solution), and a solution containing component C (third solution) are used.
  • the solution include a kit (three-component cleaning agent composition) that is mixed at the time of use. After the first solution, the second solution and the third solution are mixed, they may be diluted with component C (water) if necessary.
  • each of the first liquid, the second liquid, and the third liquid may contain the above-mentioned optional components, if necessary.
  • a solution containing component A and component C (first solution) and a solution containing component B (second solution) are contained in a state where they are not mixed with each other.
  • Each of the first liquid and the second liquid may contain the above-mentioned optional components, if necessary.
  • the present disclosure further relates to one or more embodiments below.
  • ⁇ 1> Containing an alkaline agent (component A), an organic solvent (component B), a chelating agent (component C) and water (component D), the component B is at least one selected from glycol ether and aromatic ketone. It is a solvent, and component C is a compound having two or more at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group, and the content of component B at the time of use is 1% by mass or more and 12% by mass or less.
  • a cleaning agent composition for removing a resin mask wherein the content of component D at the time of use is 65% by mass or more and 95% by mass or less.
  • the content of component C at the time of use is preferably 0.5% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, preferably 5% by mass or less, more preferably 3% by mass or less, and more specific.
  • the cleaning agent composition according to ⁇ 1>, wherein the content of the component C at the time of use is preferably 0.5% by mass or more and 5% by mass or less, and more preferably 1% by mass or more and 3% by mass or less.
  • the mass ratio (C / B) of the component C to the component B is preferably 0.1 or more, more preferably 0.3 or more, further preferably 0.4 or more, and preferably 1 or less.
  • the mass ratio (C / B) is preferably 0.1 or more and 1 or less, more preferably 0.3 or more and 0.8 or less.
  • the mass ratio (D / B) of the component D to the component B is preferably 5 or more, more preferably 13 or more, further preferably 25 or more, and preferably 45 or less, more preferably 40 or less, and 35 or less.
  • the mass ratio (D / B) is preferably 5 or more and 45 or less, more preferably 13 or more and 40 or less, still more preferably 25 or more and 35 or less, ⁇ 1> to ⁇ 3>.
  • the cleaning agent composition according to any one. ⁇ 5> The cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 4>, wherein the pH at 25 ° C. is preferably 10 or more, more preferably 11 or more, further preferably 12 or more, and even more preferably 13 or more. ..
  • the component B is preferably a compound having a structure in which 1 or more and 3 mol of ethylene glycol is added to an alcohol having 1 or more and 8 or less carbon atoms, and is preferably diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, or diethylene glycol monohexyl ether.
  • the cleaning composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, more preferably at least one selected from ethylene glycol monophenyl ether and diethylene glycol diethyl ether.
  • ⁇ 7> It is preferable to further contain at least one ammonium salt of ammonia and an organic acid (component E), an ammonium salt of a carboxylic acid having 1 to 5 carbon atoms is more preferable, and ammonium formate is further preferable, from ⁇ 1>.
  • Component A is at least one selected from inorganic alkali and organic alkali, and the inorganic alkali is preferably alkali metal or alkaline earth metal, hydroxide, carbonate or silicate, and sodium hydroxide.
  • At least one selected from potassium hydroxide, lithium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate and potassium silicate is more preferable, and one selected from sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate and potassium carbonate1
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently selected from at least one methyl group, ethyl group, propyl group, hydroxymethyl group, hydroxyethyl group and hydroxypropyl group.
  • Component A is at least one selected from inorganic alkali and organic alkali, and the organic alkali is represented by the quaternary ammonium hydroxide represented by the following formula (I) and the following formula (II).
  • At least one of the amines is preferable, and it is more preferable to use a combination of the quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) and the amine represented by the formula (II).
  • the cleaning agent composition according to any one.
  • R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are each independently selected from at least one methyl group, ethyl group, propyl group, hydroxymethyl group, hydroxyethyl group and hydroxypropyl group. Is.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group
  • R 6 is at least selected from a hydrogen atom, a hydroxyethyl group, a hydroxypropyl group, a methyl group or an ethyl group
  • R 7 is at least one selected from an aminoethyl group, a hydroxyethyl group or a hydroxypropyl group, or in formula (II), R 5 is a methyl group, an ethyl group or an aminoethyl group.
  • the quaternary ammonium hydroxide represented by the formula (I) is preferably at least one selected from tetramethylammonium hydroxide and tetraethylammonium hydroxide, more preferably tetramethylammonium hydroxide, ⁇ 9. > Or the cleaning agent composition according to ⁇ 10>.
  • the content of component A at the time of use of the cleaning agent composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, further preferably 6% by mass or more, and from the same viewpoint, 20% by mass. % Or less is preferable, 16% by mass or less is more preferable, 12% by mass or less is further preferable, and more specifically, the content of component A at the time of using the cleaning agent composition of the present disclosure is 1% by mass or more and 20% by mass.
  • the cleaning agent composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12> preferably by mass% or less, more preferably 4% by mass or more and 16% by mass or less, and further preferably 6% by mass or more and 16% by mass or less.
  • the content of component B at the time of use is preferably 1.5% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, preferably 8% by mass or less, more preferably 4% by mass or less, and more specific.
  • the content of the component B at the time of use is preferably 1.5% by mass or more and 8% by mass or less, more preferably 2% by mass or more and 4% by mass or less, according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 14>.
  • Cleaning agent composition ⁇ 16>
  • the component C is preferably a compound having 4 or less at least one acid group selected from a carboxy group and a phosphonic acid group, and is preferably aminotrimethylenephosphonic acid and 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid.
  • the mass ratio (A / C) of the component A to the component C is preferably 1 or more, more preferably 1.5 or more, further preferably 2 or more, and preferably 10 or less, more preferably 8 or less.
  • the mass ratio (A / C) is preferably 1 or more and 10 or less, more preferably 1.5 or more and 8 or less, further preferably 2 or more and 6 or less, any one of ⁇ 1> to ⁇ 17>.
  • the cleaning agent composition according to. ⁇ 19> The content of the component D at the time of use is preferably 75% by mass or more, more preferably 82% by mass or more, and 95% by mass or less, preferably 90% by mass or less, preferably 87% by mass or less. More preferably, the content of the component D at the time of use is preferably 75% by mass or more and 90% by mass or less, more preferably 82% by mass or more and 87% by mass or less, ⁇ 1> to ⁇ 18>.
  • the cleaning agent composition according to any one. ⁇ 20>
  • the mass ratio (D / C) of the component D to the component C is preferably 30 or more, more preferably 35 or more, further preferably 40 or more, and preferably 90 or less, more preferably 65 or less, and 55 or less. More preferably, the mass ratio (D / C) is preferably 30 or more and 90 or less, more preferably 35 or more and 65 or less, still more preferably 40 or more and 55 or less, ⁇ 1> to ⁇ 19>.
  • the cleaning agent composition according to any one.
  • the content of component E at the time of use is preferably 0.1% by mass or more and 2% by mass or less, more preferably 0.2% by mass or more and 1.5% by mass or less, and 0.3% by mass or more and 1% by mass.
  • the content of the linear sugar alcohol at the time of use is preferably less than 0.1% by weight, and more preferably substantially free of the linear sugar alcohol.
  • the total content of organic substances derived from component A, component B, component C and any component at the time of use is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, further preferably 20% by mass or less, 16 More preferably, it is more preferably mass% or less, preferably 2% by mass or more, more preferably 4% by mass or more, further preferably 8% by mass or more, further preferably 12% by mass or more, and more specifically, at the time of use.
  • the total content of organic substances derived from component A, component B, component C and any component in the above is preferably 2% by mass or more and 30% by mass or less, more preferably 4% by mass or more and 25% by mass or less, and 8% by mass or more and 20% by mass.
  • the cleaning agent composition further contains at least one ammonium salt of ammonia and an organic acid (component E), and the content of other components other than the components A to E of the cleaning agent composition is 0. It is preferably 0% by mass or more and 2% by mass or less, more preferably 0% by mass or more and 1.5% by mass or less, further preferably 0% by mass or more and 1.3% by mass or less, and further preferably 0% by mass or more and 1% by mass or less.
  • a method for manufacturing an electronic component which comprises a step of peeling a resin mask from an object to be cleaned to which a resin mask is attached by using the cleaning agent composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 24>.
  • a cleaning method comprising the step of peeling the resin mask from the object to be cleaned to which the resin mask is attached, using the cleaning agent composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 24>.
  • a cleaning method in which the object to be cleaned has undergone at least one of soldering and plating treatments using a resin mask.
  • At least one of the wiring and the connection terminal is formed on the substrate surface of the object to be cleaned to which the resin mask is attached, preferably through a step of performing at least one of soldering and plating treatments using the resin mask.
  • the cleaning method according to ⁇ 26> which is a plated electronic component.
  • the object to be cleaned has undergone a step of performing at least one of soldering and plating treatment on a substrate having a resist pattern formed by developing a resin mask laminated on the substrate.
  • the step according to any one of ⁇ 27> to ⁇ 29>, wherein the step of peeling the resin mask from the object to be cleaned preferably includes contacting the object to be cleaned with the resin mask attached to the cleaning agent composition.
  • the method of contacting the cleaning agent composition of the present disclosure with the object to be cleaned is a method of contacting the object to be cleaned by immersing it in a cleaning bathtub containing the cleaning agent composition, or spraying the cleaning agent composition into a spray.
  • the temperature of the cleaning agent composition is preferably 40 ° C.
  • the cleaning agent composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 24> as a cleaning agent for an object to be cleaned to which a resin mask is attached.
  • a photosensitive film for forming a PKG substrate circuit (Fotech RY-5560, thickness 60 ⁇ m, negative dry film resist) is laminated on the surface of polyimide after electroless plating under the following conditions, and selectively exposed to cure the exposed part. After that (exposure step), the unexposed portion was removed by a developing process (development step) to obtain a substrate having a resist pattern (a negative resin mask having a pattern shape). Then, a test piece (30 mm ⁇ 50 mm and 120 mm ⁇ 120 mm) was obtained by performing a copper plating treatment (thickness 50 ⁇ m) on the region from which the unexposed portion was removed by the development treatment.
  • the test piece After performing a cleaning test using an optical microscope "Digital Microscope VHX-2000" (manufactured by KEYENCE CORPORATION), the resin mask remaining at the boundary between the thin line part and the solid part of the specific pattern area of the test piece. The presence or absence is magnified 300 times and visually confirmed, and the number of residues is counted. The results are shown in Table 1. When the number of remaining resin masks is clearly large, such as when the remaining resin masks are continuously left, they are listed in Table 1 as “> 50”.
  • the test piece has a size of 30 mm ⁇ 50 mm and has a copper circuit pattern having a thin wire portion and a solid portion. The thickness of the pattern is 50 ⁇ m, the width of the thin wire portion is 20 ⁇ m, and the width of the solid portion is 300 to 1500 ⁇ m. Is.
  • the cleaning agent compositions of Examples 1 to 11 include Reference Examples 1 and 2 which do not contain component C, Comparative Examples 1 and 4 which do not contain component B, and components. Compared with Comparative Example 2 which does not contain A and Comparative Examples 3 and 5 in which the contents of the components B and D are not within the predetermined range, the influence on the substrate is reduced and the resin mask removability is excellent. all right.
  • Comparative Example 3 is an example according to the example of Patent Document 4
  • Comparative Example 4 is an example according to the example of Patent Document 3.
  • a box-type spray washer equipped with a 1-fluid nozzle (fan-shaped) VVP9060 (manufactured by Ikeuchi Co., Ltd.) as a spray nozzle sprays the cleaning agent composition in the storage tank onto the test piece for 2 minutes (pressure: 0.1 MPa, spray). Distance: 10 cm).
  • the sprayed cleaning agent composition is collected in a storage tank, circulated and reused.
  • the glass beaker is immersed in a rinsing tank containing 1 kg of water for rinsing, and then dried with a nitrogen blow.
  • the test piece After performing a cleaning test using an optical microscope "Digital Microscope VHX-2000" (manufactured by KEYENCE CORPORATION), the resin mask remaining at the boundary between the thin line part and the solid part of the specific pattern area of the test piece. The presence or absence is magnified 300 times and visually confirmed, and the number of residues is counted. The results are shown in Table 2.
  • the test piece has the same circuit pattern as the test piece under the dip condition except that the size of the test piece is 120 mm ⁇ 120 mm.
  • the cleaning method using the cleaning agent composition of the present disclosure is useful in the manufacturing process of electronic parts, shortening the cleaning process of electronic parts to which a resin mask is attached, and improving the performance and reliability of manufactured electronic parts. This can be improved, and the productivity of semiconductor devices can be improved.

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Abstract

一態様において、基板に対する影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供する。　本開示は、一態様において、洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む洗浄方法であって、　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下であり、　被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、洗浄方法に関する。

Description

洗浄方法
　本開示は、洗浄方法、これを用いる電子部品の製造方法及び使用に関する。
　近年、パーソナルコンピュータや各種電子デバイスにおいては、低消費電力化、処理速度の高速化、小型化が進み、これらに搭載されるパッケージ基板などの配線は年々微細化が進んでいる。このような微細配線並びにピラーやバンプといった接続端子形成にはこれまでメタルマスク法が主に用いられてきたが、汎用性が低いことや配線等の微細化への対応が困難になってきたことから、他の新たな方法へと変わりつつある。
　新たな方法の一つとして、ドライフィルムレジストをメタルマスクに代えて厚膜樹脂マスクとして使用する方法が知られている。この樹脂マスクは最終的に剥離・除去されるが、剥離・除去等の洗浄に使用する洗浄剤として、アルカリ剤と水とを含む樹脂マスク剥離用洗浄剤が知られている。
　例えば、特開２００７－２５４５５５号公報（特許文献１）には、液晶ディスプレイ用のカラーフィルター基板上のカラーレジスト、ブラックマトリクス樹脂、ポリイミド系配向膜およびホトスペーサーなどの硬化後フォトレジストを短時間に剥離・洗浄できるアルカリ洗浄剤として、特定の４級アンモニウム塩と特定の多価カルボン酸塩からなる群から得ばれる１種以上、親水性有機溶剤及びアルカリ成分を含有する洗浄剤組成物が記載されている。そして、実施例には、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム２．５部、ジエチレングリコールジエチルエーテル５部、ジエチレングリコールモノメチルエーテル２０部、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド１０部及び水が残部で合計１００部である洗浄剤が記載されている。
　特開２０１５－７９２４４号公報（特許文献２）には、はんだバンプの加熱処理後の樹脂マスク層の除去の促進とはんだ腐食の抑制とを両立でき、はんだ接続信頼性を向上させうる洗浄剤として、特定の第四級アンモニウム水酸化物、水溶性アミン、酸又はそのアンモニウム塩、水を含有する樹脂マスク層用洗浄剤組成物が記載されている。そして、実施例には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド１質量部、モノエタノールアミン５質量部、ギ酸アンモニウム１質量部、水８５質量部、ジエチレングリコールブチルエーテル４質量部及びジメチルスルホキシド４質量部である洗浄剤組成物が記載されている。
　特開２００６－１７３５６６号公報（特許文献３）には、環境に対する負荷が低く、低温で短時間の洗浄条件下においても、アッシング後に発生するレジスト残渣および金属配線由来の金属酸化生成物の剥離性に優れ、かつ、金属配線に対する防食性に優れる剥離剤組成物として、有機アミンの含有量が０．２～３０重量％、有機ホスホン酸の含有量が０．０５～１０重量％、水の含有量が６０～９９．７重量％であり、２０℃ における該組成物のｐＨが９～１３である剥離剤組成物が記載されている。そして、実施例には、１，２－プロパンジアミン７．３重量％、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸２．０重量％及び水９０．７重量％である剥離剤組成物が記載されている。
　ＷＯ２０１８／０４３４４０（特許文献４）には、半導体デバイス用の処理液であって、ヒドロキシルアミン化合物と、塩基化合物と、還元剤及びキレート剤からなる群より選ばれる少なくとも１種とを含有し、ｐＨが１０以上である、処理液が記載されている。そして、実施例には、ヒドロキシルアミン１０．０％、テトラヒドロフルフリルアミン１０％、３－メトキシ－３－メチル－１－ブタノール４０％、ジエチレントリアミン五酢酸５．０％、５－ＭＢＴＡ５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール１％及び水が残部（３４％）である処理液が記載されている。
　本開示は、一態様において、洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む洗浄方法であって、
　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下であり、
　被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、洗浄方法に関する。
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法に関する。
　本開示は、一態様において、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経た被洗浄物からの樹脂マスクの剥離における、洗浄剤組成物の剥離剤としての使用であって、
　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
　使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
　使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下である、使用に関する。
　プリント基板等に微細配線を形成する上で、樹脂マスクの残存はもちろんのこと、微細配線やバンプ形成に用いられるはんだやめっき液等に含まれる助剤等の残存を低減するため、洗浄剤組成物には高い洗浄性が要求される。
　ここで、樹脂マスクとは、光や電子線等によって現像液に対する溶解性等の物性が変化するレジストを用いて形成されるものである。レジストは、光や電子線との反応方法から、ネガ型とポジ型に大きく分けられている。ネガ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が低下する特性を有し、ネガ型レジストを含む層（以下、「ネガ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が樹脂マスクとして使用される。ポジ型レジストは、露光されると現像液に対する溶解性が増大する特性を有し、ポジ型レジストを含む層（以下、「ポジ型レジスト層」ともいう）は、露光及び現像処理後に露光部が除去され、未露光部が樹脂マスクとして使用される。このような特性を有する樹脂マスクを使用することで、金属配線、金属ピラーやハンダバンプといった回路基板の微細な接続部を形成することができる。
　しかしながら、配線が微細化するにつれて、微細な隙間にある樹脂マスクを除去することが困難になってきた。また、単に洗浄力を強化すると、基板表面を溶解したり、変質させる等、基板にダメージを与えることが懸念された。すなわち、洗浄剤組成物には、高い樹脂マスク除去性が要求される一方で、基板に対する影響が少ないことが要求される。
　そこで、本開示は、一態様において、基板に対する影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供する。
［洗浄方法］
　本開示は、一態様において、洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む洗浄方法であって、
　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下であり、
　被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、洗浄方法（以下、「本開示の洗浄方法」ともいう）に関する。
　本開示によれば、一態様において、基板に対する影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供できる。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、被洗浄物である基板に対する影響を低減しつつ、被洗浄物から樹脂マスクを効率よく除去できる。そして、本開示の洗浄方法を用いることによって、高い収率で高品質の電子部品が得られうる。更に、本開示の洗浄剤組成物を用いることによって、微細な配線パターンを有する電子部品を効率よく製造できる。
　本開示の洗浄方法における効果の作用メカニズムの詳細は不明な部分があるが、以下のように推定される。
　銅めっきなどで形成された回路パターンの微細な隙間に樹脂マスクの微小残渣が発生することがある。
　本開示では、アルカリ剤（成分Ａ）、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の有機溶剤（成分Ｂ）及び水（成分Ｄ）が樹脂マスクに浸透することにより、樹脂マスクに配合されているアルカリ可溶性樹脂の解離を促進し、更に電荷反発を起こすことによって樹脂マスクの剥離を促進すると考えられる。一方、アルカリ剤（成分Ａ）の存在下で特定のキレート剤（成分Ｃ）が、銅めっきなどで形成された回路パターン表面へと吸着することで、回路パターンの微細な隙間に残留する樹脂マスクが脱離しやすくなることが考えられる。これらの樹脂の剥離促進と隙間からの離脱のしやすさの向上により洗浄性が向上すると推定される。
　さらに、本開示の洗浄方法に含まれる成分Ｂ及び水（成分Ｄ）の含有量を所定範囲内とすることで、成分Ｂ及び／又は成分Ｃによる基板への影響を抑制しつつ、優れた洗浄性を発現すると考えられる。
　但し、本開示はこのメカニズムに限定して解釈されなくてもよい。
　本開示において剥離・除去される樹脂マスクとは、エッチング、めっき、加熱等の処理から物質表面を保護するためのマスク、すなわち、保護膜として機能するマスクである。樹脂マスクとしては、一又は複数の実施形態において、露光及び現像工程後のレジスト層、露光及び現像の少なくとも一方の処理が施された（以下、「露光及び／又は現像処理された」ともいう）レジスト層、あるいは、硬化したレジスト層が挙げられる。樹脂マスクを形成する樹脂材料としては、一又は複数の実施形態において、フィルム状の感光性樹脂、レジストフィルム、又はフォトレジストが挙げられる。レジストフィルムは汎用のものを使用できる。
　本開示の洗浄方法は、洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含み、被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである。
　本開示の洗浄方法において、被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物を本開示の洗浄剤組成物に接触させることを含む。本開示の洗浄方法において、被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程で用いる洗浄剤組成物を、以下、「本開示の洗浄剤組成物」ともいう。したがって、本開示は、一態様において、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物（本開示の洗浄剤組成物）を用いる洗浄方法に関する。本開示の洗浄剤組成物によれば、一又は複数の実施形態において、基板に対する影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる洗浄方法を提供できる。
　本開示の洗浄剤組成物を用いて被洗浄物から樹脂マスクを剥離する方法、又は、被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法としては、例えば、洗浄剤組成物を入れた洗浄浴槽内へ浸漬することで接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法（シャワー方式）、浸漬中に超音波照射する超音波洗浄方法等が挙げられる。本開示の洗浄剤組成物は、希釈することなくそのまま洗浄に使用できる。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。
　本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水でリンスし、乾燥する工程を含むことができる。本開示の洗浄方法は、一又は複数の実施形態において、洗浄剤組成物に被洗浄物を接触させた後、水ですすぐ工程を含むことができる。
　本開示の洗浄方法は、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、本開示の洗浄剤組成物と被洗浄物との接触時に超音波を照射することが好ましく、その超音波は比較的高周波数であることがより好ましい。前記超音波の照射条件は、同様の観点から、例えば、２６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗが好ましく、３６～７２ｋＨｚ、８０～１５００Ｗがより好ましい。
　本開示の洗浄方法において、本開示の洗浄剤組成物の洗浄力が発揮されやすい点から、洗浄剤組成物の温度は４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、基板に対する影響低減の観点から、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい。
［成分Ａ：アルカリ剤］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれるアルカリ剤（以下、単に「成分Ａ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種が挙げられ、排水処理負荷低減の観点から、無機アルカリが好ましい。成分Ａは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　無機アルカリとしては、一又は複数の実施形態において、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩又は珪酸塩等が挙げられ、具体的には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウムから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムから選ばれる１種又は２種以上の組合せが好ましく、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの少なくとも一方がより好ましく、水酸化カリウムが更に好ましい。本開示において、無機アルカリには、アンモニアは含まれない。
　有機アルカリとしては、一又は複数の実施形態において、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物、下記式（ＩＩ）で表されるアミン等が挙げられる。成分Ａとしては、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク除去性向上の観点から、式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物と式（ＩＩ）で表されるアミンとの組合せを用いることが好ましい。また、成分Ａが、樹脂マスク除去性向上の観点から、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　上記式（ＩＩ）において、Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ7は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ5は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ6とＲ7は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。
　式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物としては、例えば、第４級アンモニウムカチオンとヒドロキシドとからなる塩等が挙げられる。第４級アンモニウム水酸化物の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（コリン）、２－ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシエチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリエチルアンモニウムヒドロキシド、２－ヒドロキシプロピルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジエチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、ジプロピルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）エチルアンモニウムヒドロキシド、トリス（２－ヒドロキシエチル）プロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラキス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、及びテトラキス（２－ヒドロキシプロピル）アンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシドが好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい。
　式（ＩＩ）で表されるアミンとしては、例えば、アルカノールアミン、１～３級アミン及び複素環化合物等が挙げられる。アミンの具体例としては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルモノエタノールアミン、Ｎ－メチルイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルモノエタノールアミン、Ｎ－エチルイソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジメチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジメチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－メチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－ジエチルモノエタノールアミン、Ｎ－ジエチルモノイソプロパノールアミン、Ｎ－エチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルジイソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）イソプロパノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）ジイソプロパノールアミン、１－メチルピペラジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピロリジン、１－（２－ヒドロキシエチル）ピペラジン、エチレンジアミン及びジエチレントリアミンから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。これらの中でも、樹脂マスク除去性向上の観点から、モノエタノールアミン及びジエタノールアミンが好ましく、モノエタノールアミンがより好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、１質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、６質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２０質量％以下が好ましく、１６質量％以下がより好ましく、１２質量％以下が更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、４質量％以上１６質量％以下がより好ましく、６質量％以上１６質量％以下が更に好ましい。成分Ａが２種以上の組合せである場合、成分Ａの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示において「洗浄剤組成物の使用時における各成分の含有量」とは、洗浄時、すなわち、洗浄剤組成物の洗浄への使用を開始する時点での各成分の含有量をいう。
［成分Ｂ：有機溶剤］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれる有機溶剤（以下、「成分Ｂ」ともいう）は、一又は複数の実施形態において、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤である。成分Ｂは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　グリコールエーテルとしては、樹脂マスク除去性向上、及び基板に対する影響低減の観点から、炭素数１以上８以下のアルコールにエチレングリコールが１以上３モル以下付加した構造を有する化合物が挙げられる。グリコールエーテルの具体例としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、及びジエチレングリコールジエチルエーテルから選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
　芳香族ケトンとしては、樹脂マスク除去性向上、及び基板に対する影響低減の観点から、アセトフェノン等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点からは、１質量％以上であって、１．５質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、そして、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、１２質量％以下であって、８質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｂの含有量は、１質量％以上１２質量％以下であって、１．５質量％以上８質量％以下が好ましく、２質量％以上４質量％以下がより好ましい。成分Ｂが２種以上の組合せである場合、成分Ｂの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［成分Ｃ：キレート剤］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれるキレート剤（以下、「成分Ｃ」ともいう）は、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物である。また、成分Ｃは、樹脂マスク除去性向上の観点から、前記酸基を４以下有する化合物であることが好ましい。成分Ｃとしては、一又は複数の実施形態において、アミノトリメチレンホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸などが挙げられる。これらの中でも、環境負荷低減の観点から、窒素原子を含まない化合物である２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸等が好ましい。成分Ｃは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　成分Ｃの分子量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、そして、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましい。より具体的には、使用時における成分Ｃの含有量は、０．５質量％以上５質量％以下が好ましく、１質量％以上３質量％以下がより好ましい。成分Ｃが２種以上の組合せである場合、成分Ｃの含有量はそれらの合計含有量をいう。
　本開示の洗浄剤組成物において、成分Ｂに対する成分Ｃの質量比（Ｃ／Ｂ）は、樹脂マスク除去性向上、基板に対する影響低減の観点から、０．１以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．４以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．７以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ｃ／Ｂ）は、０．１以上１以下が好ましく、０．３以上０．８以下がより好ましく、０．４以上０．７以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物において、成分Ｃに対する成分Ａの質量比（Ａ／Ｃ）は、樹脂マスク除去性向上、基板に対する影響低減の観点から、１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、２以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ａ／Ｃ）は、１以上１０以下が好ましく、１．５以上８以下がより好ましく、２以上６以下が更に好ましい。
［成分Ｄ：水］
　本開示の洗浄剤組成物に含まれる水（以下、「成分Ｄ」ともいう）としては、一又は複数の実施形態において、イオン交換水、ＲＯ水、蒸留水、純水、超純水等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物中の成分Ｄの含有量は、成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び後述する任意成分を除いた残余とすることができる。具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、樹脂マスク除去性向上、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、６５質量％以上であって、７５質量％以上が好ましく、８２質量％以上がより好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、９５質量％以下であって、９０質量％以下が好ましく、８７質量％以下がより好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、６５質量％以上９５質量％以下であって、７５質量％以上９０質量％以下が好ましく、８２質量％以上８７質量％以下がより好ましい。本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量は、一又は複数の実施形態において、８２質量％以上９５質量％以下が好ましく、８２質量％以上９０質量％以下がより好ましく、８２質量％以上９７質量％以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物において、成分Ｂに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｂ）は、樹脂マスク除去性向上、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、５以上が好ましく、１３以上がより好ましく、２５以上が更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、４５以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３５以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ｄ／Ｂ）は、５以上４５以下が好ましく、１３以上４０以下がより好ましく、２５以上３５以下が更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物において、成分Ｃに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｃ）は、樹脂マスク除去性向上、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、３０以上が好ましく、３５以上がより好ましく、４０以上が更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、９０以下が好ましく、６５以下がより好ましく、５５以下が更に好ましい。より具体的には、質量比（Ｄ／Ｃ）は、３０以上９０以下が好ましく、３５以上６５以下がより好ましく、４０以上５５以下が更に好ましい。
［成分Ｅ：アンモニア又は有機酸のアンモニウム塩］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスク除去性の観点から、アンモニア及び有機酸のアンモニウム塩の少なくとも１種（以下、「成分Ｅ」ともいう）をさらに含むことが好ましい。有機酸のアンモニウム塩としては、樹脂マスク除去性の観点から、炭素数１～５のカルボン酸のアンモニウム塩が好ましく、ギ酸アンモニウムがより好ましい。成分Ｅは、１種でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ｅの含有量は、樹脂マスク除去性向上の観点から、０．１質量％以上２質量％以下が好ましく、０．２質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１質量％以下がより好ましい。成分Ｅが２種以上の組合せである場合、成分Ｅの含有量はそれらの合計含有量をいう。
［その他の成分］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｅ以外に、必要に応じてその他の成分を更に含有することができる。その他の成分としては、通常の洗浄剤に用いられうる成分を挙げることができ、例えば、成分Ｂ以外の有機溶剤、界面活性剤、成分Ｃ以外のキレート剤、増粘剤、分散剤、防錆剤、高分子化合物、可溶化剤、酸化防止剤、防腐剤、消泡剤、抗菌剤等が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時におけるその他の成分の含有量は、０質量％以上２質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下が更に好ましく、０質量％以上１質量％以下がより更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、ヒドロキシルアミン及び／又はその塩を含有しないものとすることができる。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、直鎖糖アルコールを実質的に含まないものとすることができる。例えば、本開示の洗浄剤組成物の使用時における直鎖糖アルコールの含有量は、一又は複数の実施形態において、０．１重量％未満である。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、排水処理負荷低減、及び基板に対する影響低減の観点から、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１６質量％以下がより更に好ましく、そして、樹脂マスク除去性向上の観点から、２質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、８質量％以上が更に好ましく、１２質量％以上がより更に好ましい。より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分由来の有機物の総含有量は、２質量％以上３０質量％以下が好ましく、４質量％以上２５質量％以下がより好ましく、８質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、１２質量％以上１６質量％以下がより更に好ましい。
　本開示の洗浄剤組成物の使用時のｐＨは、樹脂マスク除去性向上、及び基板に対する影響低減の観点から、１０以上が好ましく、１１以上がより好ましく、１２以上が更に好ましく、１３以上がより更に好ましい。本開示において、「使用時のｐＨ」とは、２５℃におけるｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定できる。具体的には、実施例に記載の方法で測定できる。
［洗浄剤組成物の製造方法］
　本開示の洗浄剤組成物は、前記成分Ａ～Ｄ及び必要に応じて上述の任意成分を公知の方法で配合することにより製造できる。例えば、本開示の洗浄剤組成物は、少なくとも前記成分Ａ～Ｄを配合してなるものとすることができる。したがって、本開示は、少なくとも前記成分Ａ～Ｄを配合する工程を含む、洗浄剤組成物の製造方法に関する。本開示において「配合する」とは、成分Ａ～Ｄ及び必要に応じて上述した任意成分を同時に又は任意の順に混合することを含む。本開示の洗浄剤組成物の製造方法において、各成分の好ましい配合量は、上述した本開示の洗浄剤組成物の各成分の好ましい含有量と同じとすることができる。
　本開示の洗浄剤組成物は、分離や析出等を起こして保管安定性を損なわない範囲で水（成分Ｄ）の量を減らした濃縮物として調製してもよい。洗浄剤組成物の濃縮物は、輸送及び貯蔵の観点から、希釈倍率３倍以上の濃縮物とすることが好ましく、保管安定性の観点から、希釈倍率３０倍以下の濃縮物とすることが好ましい。洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に成分Ａ～Ｄ及び任意成分が上述した含有量（すなわち、洗浄時の含有量）になるよう水（成分Ｄ）で希釈して使用することができる。更に洗浄剤組成物の濃縮物は、使用時に各成分を別々に添加して使用することもできる。本開示において濃縮液の洗浄剤組成物の「使用時」又は「洗浄時」とは、洗浄剤組成物の濃縮物が希釈された状態をいう。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経た被洗浄物から樹脂マスクを剥離するための剥離剤として使用できる。
　すなわち、本開示は、一態様において、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経た被洗浄物からの樹脂マスクの剥離における、洗浄剤組成物の剥離剤としての使用であって、
　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
　使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
　使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下である、使用に関する。
［被洗浄物］
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に使用されうる。被洗浄物としては、一又は複数の実施形態において、表面に金属部位を有する被洗浄物が挙げられ、例えば、電子部品及びその製造中間物が挙げられる。電子部品としては、例えば、プリント基板、ウエハ、銅板及びアルミニウム板等の金属板から選ばれる少なくとも１つの部品が挙げられる。前記製造中間物は、電子部品の製造工程における中間製造物であって、樹脂マスク処理後の中間製造物を含む。
　樹脂マスクが付着した被洗浄物の具体例としては、例えば、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理（銅めっき、アルミニウムめっき、ニッケルめっき等）の少なくとも一方の処理を行う工程を経ることにより、配線や接続端子等が基板表面に形成された電子部品等が挙げられる。本開示において、半田付けとは、基板上の樹脂マスク非存在部に半田を存在させ、加熱により半田バンプ形成することをいう。本開示において、めっき処理とは、基板上の樹脂マスク非存在部に銅めっき、アルミニウムめっき及びニッケルめっきから選ばれる少なくとも１種のめっき処理を行うことをいう。樹脂マスク非存在部とは、基板にラミネートされた樹脂マスクを現像処理することにより形成されたレジストパターンにおいて、現像処理により樹脂マスクが除去された部分のことである。したがって、本開示は、一態様において、本開示の洗浄剤組成物の、電子部品の製造における洗浄剤としての使用に関する。被洗浄物は、一又は複数の実施形態において、基板にラミネートされた樹脂マスクを現像処理することにより形成されたレジストパターンを有する基板に、半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである。例えば、被洗浄物として、硬化したレジスト層が基板上に形成された樹脂マスク存在部である部位と、樹脂マスク非存在部に半田バンプ又はめっき層が形成された部位、とを有する基板が挙げられる。
　本開示の洗浄剤組成物は、一又は複数の実施形態において、洗浄効果の点から、樹脂マスク、あるいは、更にめっき処理及び／又は加熱処理された樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄に好適に用いられうる。樹脂マスクとしては、例えば、ネガ型樹脂マスクでもよいし、ポジ型樹脂マスクでもよい。本開示においてネガ型樹脂マスクとは、ネガ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたネガ型レジスト層が挙げられる。本開示においてポジ型樹脂マスクとは、ポジ型レジストを用いて形成されるものであり、例えば、露光及び／又は現像処理されたポジ型レジスト層が挙げられる。
［電子部品の製造方法］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法（以下、「本開示の電子部品の製造方法」ともいう）に関する。被洗浄物としては、上述した被洗浄物を挙げることができる。本開示の電子部品の製造方法は、本開示の洗浄方法を用いて洗浄を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクを効果的に除去できるため、信頼性の高い電子部品の製造が可能になる。更に、本開示の洗浄方法を行うことにより、電子部品に付着した樹脂マスクの除去が容易になることから、洗浄時間が短縮化でき、電子部品の製造効率を向上できる。
［キット］
　本開示は、一態様において、本開示の洗浄方法及び本開示の電子部品の製造方法のいずれかに使用するためのキット（以下、「本開示のキット」ともいう）に関する。本開示のキットは、一又は複数の実施形態において、本開示の洗浄剤組成物を製造するためのキットである。本開示のキットによれば、基板への影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる洗浄剤組成物が得られうる。
　本開示のキットの一実施形態としては、成分Ａを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）と、成分Ｃを含有する溶液（第３液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液、第２液及び第３液から選ばれる少なくとも１つは、成分Ｄの一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液と第３液は使用時に混合されるキット（３液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液と第３液が混合された後、必要に応じて成分Ｃ（水）で希釈されてもよい。第１液、第２液及び第３液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。
　本開示のキットのその他の実施形態としては、成分Ａ及び成分Ｃを含有する溶液（第１液）と、成分Ｂを含有する溶液（第２液）とを、相互に混合されない状態で含み、第１液及び第２液の少なくとも一方は、成分Ｄ（水）の一部又は全部を更に含有し、第１液と第２液とは使用時に混合される、キット（２液型洗浄剤組成物）が挙げられる。第１液と第２液とが混合された後、必要に応じて成分Ｄ（水）で希釈されてもよい。第１液及び第２液の各々には、必要に応じて上述した任意成分が含まれていてもよい。
　本開示は、さらに以下の一又は複数の実施形態に関する。
＜１＞　アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下である、樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物。
＜２＞　使用時における成分Ｃの含有量が、０．５質量％以上が好ましく、１質量％以上がより好ましく、そして、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、より具体的には、使用時における成分Ｃの含有量が、０．５質量％以上５質量％以下が好ましく、１質量％以上３質量％以下がより好ましい、＜１＞に記載の洗浄剤組成物。
＜３＞　成分Ｂに対する成分Ｃの質量比（Ｃ／Ｂ）が、０．１以上が好ましく、０．３以上がより好ましく、０．４以上が更に好ましく、そして、１以下が好ましく、０．８以下がより好ましく、０．７以下が更に好ましく、より具体的には、質量比（Ｃ／Ｂ）は、０．１以上１以下が好ましく、０．３以上０．８以下がより好ましく、０．４以上０．７以下が更に好ましい、＜１＞又は＜２＞に記載の洗浄剤組成物。
＜４＞　成分Ｂに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｂ）が、５以上が好ましく、１３以上がより好ましく、２５以上が更に好ましく、そして、４５以下が好ましく、４０以下がより好ましく、３５以下が更に好ましく、より具体的には、質量比（Ｄ／Ｂ）は、５以上４５以下が好ましく、１３以上４０以下がより好ましく、２５以上３５以下が更に好ましい、＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜５＞　２５℃におけるｐＨが、１０以上が好ましく、１１以上がより好ましく、１２以上が更に好ましく、１３以上がより更に好ましい、＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜６＞　成分Ｂが、炭素数１以上８以下のアルコールにエチレングリコールが１以上３モル以下付加した構造を有する化合物であることが好ましく、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、及びジエチレングリコールジエチルエーテルから選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい、＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜７＞　アンモニア及び有機酸のアンモニウム塩の少なくとも１種（成分Ｅ）をさらに含むことが好ましく、炭素数１～５のカルボン酸のアンモニウム塩がより好ましく、ギ酸アンモニウムが更に好ましい、＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜８＞　成分Ａが、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種であり、無機アルカリが、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の、水酸化物、炭酸塩又は珪酸塩が好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、珪酸ナトリウム及び珪酸カリウムから選ばれる少なくとも１種がより好ましく、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウムから選ばれる１種又は２種以上の組合せが更に好ましく、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの少なくとも一方が更に好ましく、水酸化カリウムが更に好ましい、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜９＞　成分Ａが、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物である、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
＜１０＞成分Ａが、無機アルカリ及び有機アルカリから選ばれる少なくとも１種であり、有機アルカリが下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物及び下記式（ＩＩ）で表されるアミンの少なくとも一方が好ましく、式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物と式（ＩＩ）で表されるアミンとの組合せを用いることがより好ましい、＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 　上記式（ＩＩ）において、Ｒ5は、水素原子、メチル基、エチル基又はアミノエチル基を示し、Ｒ6は、水素原子、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシプロピル基、メチル基又はエチル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ7は、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種か、あるいは、式（ＩＩ）において、Ｒ5は、メチル基、エチル基、アミノエチル基、ヒドロキシエチル基又はヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種であって、Ｒ6とＲ7は互いに結合して式（ＩＩ）中のＮ原子と共にピロリジン環又はピペラジン環を形成する。
＜１１＞　式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物が、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド及びテトラエチルアンモニウムヒドロキシドから選ばれる少なくとも１種が好ましく、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドがより好ましい、＜９＞又は＜１０＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１２＞　式（ＩＩ）で表されるアミンが、モノエタノールアミン及びジエタノールアミンから選ばれる少なくとも１種が好ましく、モノエタノールアミンがより好ましい、＜１０＞に記載の洗浄剤組成物。
＜１３＞　洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量が、１質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、６質量％以上が更に好ましく、そして、同様の観点から、２０質量％以下が好ましく、１６質量％以下がより好ましく、１２質量％以下が更に好ましく、より具体的には、本開示の洗浄剤組成物の使用時における成分Ａの含有量は、１質量％以上２０質量％以下が好ましく、４質量％以上１６質量％以下がより好ましく、６質量％以上１６質量％以下が更に好ましい、＜１＞から＜１２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１４＞　成分Ｂが、アセトフェノンである、＜１＞から＜１３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１５＞　使用時における成分Ｂの含有量が、１．５質量％以上が好ましく、２質量％以上がより好ましく、そして、８質量％以下が好ましく、４質量％以下がより好ましく、より具体的には、使用時における成分Ｂの含有量は、１．５質量％以上８質量％以下が好ましく、２質量％以上４質量％以下がより好ましい、＜１＞から＜１４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１６＞　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を４以下有する化合物であることが好ましく、アミノトリメチレンホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸がより好ましく、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、エチドロン酸が更に好ましい、＜１＞から＜１５＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１７＞　成分Ｃの分子量が、１０００以下が好ましく、５００以下がより好ましい、＜１＞から＜１６＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１８＞　成分Ｃに対する成分Ａの質量比（Ａ／Ｃ）が、１以上が好ましく、１．５以上がより好ましく、２以上が更に好ましく、そして、１０以下が好ましく、８以下がより好ましく、６以下が更に好ましく、質量比（Ａ／Ｃ）は、１以上１０以下が好ましく、１．５以上８以下がより好ましく、２以上６以下が更に好ましい、＜１＞から＜１７＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜１９＞　使用時における成分Ｄの含有量が、７５質量％以上が好ましく、８２質量％以上がより好ましく、そして、９５質量％以下であって、９０質量％以下が好ましく、８７質量％以下がより好ましく、より具体的には、使用時における成分Ｄの含有量が、７５質量％以上９０質量％以下が好ましく、８２質量％以上８７質量％以下がより好ましい、＜１＞から＜１８＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２０＞　成分Ｃに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｃ）が、３０以上が好ましく、３５以上がより好ましく、４０以上が更に好ましく、そして、９０以下が好ましく、６５以下がより好ましく、５５以下が更に好ましく、より具体的には、質量比（Ｄ／Ｃ）は、３０以上９０以下が好ましく、３５以上６５以下がより好ましく、４０以上５５以下が更に好ましい、＜１＞から＜１９＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２１＞　使用時における成分Ｅの含有量が、０．１質量％以上２質量％以下が好ましく、０．２質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０．３質量％以上１質量％以下がより好ましい、＜１＞から＜２０＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２２＞　使用時における直鎖糖アルコールの含有量は、一複数の実施形態において、０．１重量％未満であることが好ましく、直鎖糖アルコールを実質的に含まないことがより好ましい、＜１＞から＜２１＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２３＞　使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分由来の有機物の総含有量が、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましく、１６質量％以下がより更に好ましく、そして、２質量％以上が好ましく、４質量％以上がより好ましく、８質量％以上が更に好ましく、１２質量％以上がより更に好ましく、より具体的には、使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分由来の有機物の総含有量が、２質量％以上３０質量％以下が好ましく、４質量％以上２５質量％以下がより好ましく、８質量％以上２０質量％以下が更に好ましく、１２質量％以上１６質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２２＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２４＞　前記洗浄剤組成物が、アンモニア及び有機酸のアンモニウム塩の少なくとも１種（成分Ｅ）をさらに含み、前記洗浄剤組成物の成分Ａ～Ｅ以外のその他の成分の含有量が、０質量％以上２質量％以下が好ましく、０質量％以上１．５質量％以下がより好ましく、０質量％以上１．３質量％以下が更に好ましく、０質量％以上１質量％以下がより更に好ましい、＜１＞から＜２３＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物。
＜２５＞　＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
＜２６＞　電子部品は、プリント基板、ウエハ、金属板から選ばれる少なくとも１つの部品である＜２５＞に記載の電子部品の製造方法。
＜２７＞　＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、洗浄方法であって、
　被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、洗浄方法。
＜２８＞　樹脂マスクが付着した被洗浄物が、好ましくは樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経ることにより、配線及び接続端子の少なくとも一方が基板表面に形成された電子部品である、＜２６＞に記載の洗浄方法。
＜２９＞　被洗浄物が、基板にラミネートされた樹脂マスクを現像処理することにより形成されたレジストパターンを有する基板に、半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、＜２７＞又は＜２８＞に記載の洗浄方法。
＜３０＞　被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程が、好ましくは樹脂マスクが付着した被洗浄物を洗浄剤組成物に接触させることを含む、＜２７＞から＜２９＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３１＞　被洗浄物に本開示の洗浄剤組成物を接触させる方法が、洗浄剤組成物を入れた洗浄浴槽内へ浸漬することで接触させる方法、洗浄剤組成物をスプレー状に射出して接触させる方法及び浸漬中に超音波照射する超音波洗浄方法から選ばれる１以上であることが好ましい、＜３０＞に記載の洗浄方法。
＜３２＞　洗浄剤組成物の温度が、４０℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましく、そして、７０℃以下が好ましく、６０℃以下がより好ましい、＜２７＞から＜３１＞のいずれかに記載の洗浄方法。
＜３３＞　＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物の、樹脂マスクが付着した被洗浄物の洗浄剤としての使用。
＜３４＞　樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経た被洗浄物からの樹脂マスクの剥離における、洗浄剤組成物の剥離剤としての使用であって、前記洗浄剤組成物が、＜１＞から＜２４＞のいずれかに記載の洗浄剤組成物である、使用。
　以下に、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
１．実施例１～１１、比較例１～５、参考例１～２の洗浄剤組成物の調製
　有効分換算で成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ、成分Ｄ、その他成分を表１に記載の組成比で配合し、それを攪拌して混合することにより、実施例１～１１、比較例１～５及び参考例１～２の洗浄剤組成物を調製した。表１の組成は固形分量である。表１に示す各洗浄剤組成物の２５℃におけるｐＨは、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ－３０Ｇ）を用いて測定した値であり、ｐＨメータの電極を洗浄剤組成物に浸漬して３分後の数値である。
　実施例１～１１、比較例１～５及び参考例１～２の洗浄剤組成物の成分には、下記のものを使用した。
（成分Ａ）
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド［昭和電工株式会社製、TMAH（２５％）］
水酸化カリウム［関東化学株式会社製、特級、固形分４８質量％］
モノエタノールアミン［株式会社日本触媒製］
１，２－プロパンジアミン［富士フィルム和光純薬株式会社］
（非成分Ａ）
ヒドロキシルアミン［富士フィルム和光純薬株式会社、一級、５０％水溶液］
（成分Ｂ）
ブチルジグリコール［日本乳化剤株式会社製、ジエチレングリコールモノブチルエーテル］
ベンジルグリコール［日本乳化剤株式会社製、エチレングリコールモノベンジルエーテル］
ヘキシルジグリコール［日本乳化剤株式会社製、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル］
フェノキシエタノール［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級、エチレングリコールモノフェニルエーテル］
ジエチルジグリコール［富士フィルム和光純薬株式会社製、一級、ジエチレングリコールジエチルエーテル］
アセトフェノン［富士フィルム和光純薬株式会社製、特級］
（成分Ｃ）
エチドロン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、Dequest2010、含有量60%］
2-ホスホノブタン-1,2,4-トリカルボン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、Dequest7000(CN)、含有量50%］
アミノトリメチレンホスホン酸［イタルマッチジャパン株式会社製、Dequest2000、含有量50%］
（成分Ｄ）
水［オルガノ株式会社製純水装置G-10DSTSETで製造した1μS/ｃｍ以下の純粋］
（成分Ｅ）
ギ酸アンモニウム［富山薬品工業株式会社］
アンモニア［富士フィルム和光純薬株式会社、一級、２５％水溶液］
（その他の成分）
５－メチル－１Ｈ-ベンゾトリアゾール［東京化成工業株式会社］
２．洗浄剤組成物の評価
　調製した実施例１～１１、比較例１～５及び参考例１～２の洗浄剤組成物について下記評価を行った。
［テストピースの作製］
　ＰＫＧ基板回路形成用感光性フィルム（フォテックＲＹ－５５６０、厚み６０μｍ、ネガ型ドライフィルムレジスト）を無電解めっき後のポリイミドの表面に下記条件でラミネートし、選択的に露光処理して露光部を硬化した後（露光工程）、現像処理することで未露光部を除去し（現像工程）、レジストパターン（パターン形状のネガ型樹脂マスク）を有する基板を得た。そして、前記現像処理で未露光部が除去された領域を銅めっき処理（厚さ５０μｍ）することで、テストピース（３０ｍｍ×５０ｍｍ及び１２０ｍｍ×１２０ｍｍ）を得た。
（１）ラミネート：クリーンローラー（株式会社レヨーン工業製、ＲＹ－５０５Ｚ）及び真空アプリケータ（ローム＆ハース社製、ＶＡ７０２４／ＨＰ５）を用いてローラー温度５０℃、ローラー圧１．４Ｂａｒで行う。
（２）露光：プリント基板用直接描画装置（株式会社ＳＣＲＥＥＮグラフィックアンドプレシジョンソリューションズ製、Ｍｅｒｃｕｒｅｘ ＬＩ－９５００）を用い、露光量１５ｍＪ／ｃｍ2で露光を行う。
（３）パターン形状：Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍの縞状パターン
（４）現像：基板用現像装置（揚博科技株式会社製、ＬＴ－９８０３６６）、３０℃の１％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、スプレー圧０．２ＭＰａ、未露光部の樹脂マスクを除去する。
［洗浄試験・樹脂マスク残渣数の評価（ディップ条件）］
　トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、実施例１～１１、比較例１～５及び参考例１～２の各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して５０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピースを１０分間浸漬する。そして、１００ｍＬガラスビーカーに水を１００ｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、窒素ブローにて乾燥する。
　光学顕微鏡「デジタルマイクロスコープＶＨＸ－２０００」（株式会社キーエンス製）を用いて、洗浄試験を行った後のテストピースの特定パターン領域の細線部とベタ部の境界となる部位に残存する樹脂マスクの有無を３００倍に拡大して目視確認し、残渣数を数える。結果を表１に示した。残存する樹脂マスクが連続して残存しているなど、明らかに残存数が多い場合は、「＞５０」として表１に記載した。
　なお、テストピースは、３０ｍｍ×５０ｍｍのサイズで、細線部とベタ部とを有する銅の回路パターンを有しており、パターンの厚さ５０μｍ、細線部の幅２０μｍ、ベタ部の幅３００～１５００μｍである。
［洗浄試験・樹脂マスクの剥離開始速度の評価］
トール型の２００ｍＬガラスビーカーに、実施例１～１１、比較例１～５及び参考例１～２の各洗浄剤組成物を１００ｇ添加して５０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数６００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピースを浸漬する。目視観察にて、樹脂マスクが剥離されて洗浄剤組成物内に舞っているのが確認できた時間を測定し、以下のように判定する。結果を表１に示した。
　なお、テストピースは、洗浄試験のディップ条件と同様の形態ものを用いた。
＜評価基準＞
Ａ：５分以内
Ｂ：５分より長く、１０分以内
Ｃ：１０分より長く、１５分以内
Ｄ：１５分より長い
［基板ダメージの評価］
　上記のディップ条件での洗浄試験の前後で、基板外観にパターン部の色等の変化が生じるかを目視で確認し、下記評価基準で評価した結果を表１に示す。
＜評価基準＞
Ａ：洗浄試験の前後で変化が見られない。
Ｂ：洗浄試験の前後で変化が見られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　表１に示すとおり、ディップ条件での洗浄試験の結果、実施例１～１１の洗浄剤組成物は、成分Ｃを含まない参考例１～２、成分Ｂを含まない比較例１、４、成分Ａを含まない比較例２、成分Ｂ及びＤの含有量が所定範囲内ではない比較例３、５に比べて、基板への影響が低減され、かつ、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。
　なお、比較例３は、特許文献４の実施例に準じた例、比較例４は特許文献３の実施例に準じた例である。
　さらに、実施例１～２及び参考例２の洗浄剤組成物について、下記に示すディップとシャワーを連続で行う条件での洗浄試験を行い、樹脂マスク除去性を評価した。
［洗浄試験・樹脂マスク残渣数の評価（ディップ＋シャワー条件）］
　以下の要領でディップとシャワーを連続で行う。１Ｌガラスビーカーに、実施例１～２及び参考例２の各洗浄剤組成物を１ｋｇ添加して５０℃に加温し、回転子（フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）、φ８ｍｍ×２５ｍｍ）を用いて回転数３００ｒｐｍで撹拌した状態で、テストピースを３分間浸漬する。別途準備した１０Ｌステンレスビーカーを貯槽とし、１Ｌガラスビーカーと同じ洗浄剤組成物を１０ｋｇ添加して５０℃に加温する。そして、１流体ノズル（扇形）ＶＶＰ９０６０（株式会社いけうち製）をスプレーノズルとして取り付けたボックス型スプレー洗浄機にて貯槽中の洗浄剤組成物をテストピースに２分間スプレー（圧力：０．１ＭＰａ、スプレー距離：１０ｃｍ）する。なお、スプレーされた洗浄剤組成物は、貯槽に回収し循環して再使用する。次いで、１Ｌガラスビーカーに水を１ｋｇ添加したすすぎ槽へ浸漬してすすいだ後、窒素ブローにて乾燥する。
　光学顕微鏡「デジタルマイクロスコープＶＨＸ－２０００」（株式会社キーエンス製）を用いて、洗浄試験を行った後のテストピースの特定パターン領域の細線部とベタ部の境界となる部位に残存する樹脂マスクの有無を３００倍に拡大して目視確認し、残渣数を数える。結果を表２に示した。
　なお、テストピースは、１２０ｍｍ×１２０ｍｍのサイズである以外は、ディップ条件のテストピースと同様の回路パターンを有している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表２に示すとおり、ディップ及びシャワー条件での洗浄試験の結果、実施例１～２の洗浄剤組成物は、成分Ｃを参考例２に比べて、樹脂マスク除去性に優れていることがわかった。
　本開示によれば、基板に対する影響を低減でき、樹脂マスク除去性に優れる樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物を提供できる。よって、本開示の洗浄剤組成物を用いる洗浄方法は、電子部品の製造工程において有用であり、樹脂マスクが付着した電子部品の洗浄工程の短縮化及び製造される電子部品の性能・信頼性の向上が可能となり、半導体装置の生産性を向上できる。

Claims (15)

  1. 　洗浄剤組成物を用いて樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む洗浄方法であって、
    　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
    　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
    　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
    　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
    　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下であり、
    　被洗浄物が、樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、洗浄方法。
  2. 　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ｃの含有量が、０．５質量％以上５質量％以下である、請求項１に記載の洗浄方法。
  3. 　成分Ｂに対する成分Ｃの質量比（Ｃ／Ｂ）が、０．１以上１以下である、請求項１又は２に記載の洗浄方法。
  4. 　成分Ｂに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｂ）が、５以上４５以下である、請求項１から３のいずれかに記載の洗浄方法。
  5. 　前記洗浄剤組成物の２５℃におけるｐＨが１０以上である、請求項１から４のいずれかに記載の洗浄方法。
  6. 　成分Ｂが、炭素数１以上８以下のアルコールにエチレングリコールが１以上３モル以下付加した構造を有する化合物である、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄方法。
  7. 　成分Ａが、下記式（Ｉ）で表される第４級アンモニウム水酸化物である、請求項１から６のいずれかに記載の洗浄方法。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     　上記式（Ｉ）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基及びヒドロキシプロピル基から選ばれる少なくとも１種である。
  8. 　前記洗浄剤組成物は、アンモニア及び有機酸のアンモニウム塩の少なくとも１種（成分Ｅ）をさらに含み、
    　前記洗浄剤組成物の成分Ａ～Ｅ以外のその他の成分の含有量が、０質量％以上２質量％以下である、請求項１から７のいずれかに記載の洗浄方法。
  9. 　前記洗浄剤組成物の使用時における成分Ａ、成分Ｂ、成分Ｃ及び任意成分由来の有機物の総含有量が、３０質量％以下である、請求項１から８のいずれかに記載の洗浄方法。
  10. 　前記洗浄剤組成物の使用時における洗浄剤組成物中の成分Ｄの含有量が、８２質量％以上９５質量％以下である、請求項１から９のいずれかに記載の洗浄方法。
  11. 　成分Ｃに対する成分Ｄの質量比（Ｄ／Ｃ）が、３０以上９０以下である、請求項１から１０のいずれかに記載の洗浄方法。
  12. 　被洗浄物は、基板にラミネートされた樹脂マスクを現像処理することにより形成されたレジストパターンを有する基板に、半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経たものである、請求項１から１１のいずれかに記載の洗浄方法。
  13. 　請求項１から１２のいずれかに記載の洗浄方法を用いて、樹脂マスクが付着した被洗浄物から樹脂マスクを剥離する工程を含む、電子部品の製造方法。
  14. 　電子部品は、プリント基板である請求項１３に記載の電子部品の製造方法。
  15. 　樹脂マスクを使用した半田付け及びめっき処理の少なくとも一方の処理を行う工程を経た被洗浄物からの樹脂マスクの剥離における、洗浄剤組成物の剥離剤としての使用であって、
    　前記洗浄剤組成物は、アルカリ剤（成分Ａ）、有機溶剤（成分Ｂ）、キレート剤（成分Ｃ）及び水（成分Ｄ）を含有し、
    　成分Ｂが、グリコールエーテル及び芳香族ケトンから選ばれる少なくとも１種の溶剤であり、
    　成分Ｃが、カルボキシ基及びホスホン酸基から選ばれる少なくとも１種の酸基を２以上有する化合物であり、
    　使用時における成分Ｂの含有量が、１質量％以上１２質量％以下、
    　使用時における成分Ｄの含有量が、６５質量％以上９５質量％以下である、使用。
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