JP6703584B2 - セラミックス搭載板と厚膜回路の接着力を高める方法 - Google Patents
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Description
2 熱伝導コロイド
3 セラミックス搭載板
4 金属回路
5 はんだ層
6 半導体素子
7 金属銅‐セラミックス共晶層
S101〜S106 ステップ
Claims (12)
- セラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法であって、
(A)セラミックス材料のセラミックス搭載板の本体を提供するステップ、
(B)前記セラミックス搭載板をクリーニングし、かつ艶出し及び研磨工程によって平らで滑らかにするステップ、
(C)金属銅または金属銅酸化物を用いたスクリーン印刷技術によって、回路パターンを前記セラミックス搭載板の表面に印刷し、金属回路を前記セラミックス搭載板の表面に密着させて貼り合わせるステップ、
(D)前記セラミックス搭載板をオーブンに設置し、105℃より低い温度で乾燥させるステップ、
(E)前記セラミックス搭載板を雰囲気環境の高温炉に設置すると同時に、40kgf/cm2以下でかつ搭載板に垂直な方向の圧力を加えるステップ、
(F)高温炉温度を前記金属銅と前記セラミックス搭載板の共晶温度±10℃以内に設定し、前記セラミックス搭載板と前記金属回路との間に固相拡散接合によって金属銅‐セラミックス共晶層を生成させるステップ、
(G)温度が下がった後、得られた前記セラミックス搭載板は、前記金属銅‐セラミックス共晶層によって、前記金属回路との接着力を高めるステップを含むセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。 - 前記セラミックス搭載板は、窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)または窒化酸化ケイ素(SiON)を含む、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 前記セラミックス搭載板が艶出し研磨工程を経た後、平滑度TTVが100μmより小さくなり、異なるニーズによって上記平滑度及び粗度を調整できる、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 前記金属銅または前記金属銅酸化物は、ペースト材またはコロイド材の形状であり、かつ高分子材料と均一に混合され、
前記金属銅または前記金属銅酸化物が総量の90%以上を占める、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。 - 前記ステップ(D)において、
前記ペースト材または前記コロイド材中の前記高分子材料を気体化させて、前記セラミックス搭載板と前記金属回路とを完全に貼り合わせる、請求項4に記載のセラミックス統制板と厚膜回路との接着力を高める方法。 - 前記雰囲気は窒素ガスであり、かつ10%以下の水素ガスを含む窒素ガス、または30%以下のアンモニアガスを含む窒素ガスである、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 高温炉中に加える圧力は、搭載板に垂直な方向の正方向力であり、または、高温炉内部の気圧を40kgf/m2以下まで高めるものである、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 前記セラミックス搭載板はアルミニウム系のセラミックス搭載板であり、
前記高温炉の温度を前記金属銅と前記アルミニウム系のセラミックス搭載板との共晶温度1065℃±10℃以内に設定する、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。 - 得られた前記金属銅‐セラミックス共晶層がAlN−Al2O3−Cuである、請求項8に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 前記金属銅‐セラミックス共晶層の厚さが2〜20μmである、請求項1に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。
- 前記セラミックス搭載板が窒化アルミニウム(AlN)、窒化ケイ素(Si3N4)または炭化ケイ素(SiC)を含む時、前記セラミックス搭載板を雰囲気環境の高温炉に設置するステップはさらに、
1%〜2%のO2を添加し、及び酸化反応を起こせるには十分な温度で前記セラミックス搭載板を処理するステップと、
前記雰囲気環境のガスを抜くステップと、
窒素ガス、10%以下の水素を含む窒素ガス、または30%以下のアンモニアガスを含む窒素ガスの雰囲気を提供するステップとを含む、請求項2に記載のセラミックス搭載板と厚膜回路との接着力を高める方法。 - 金属化セラミックス搭載板であって、
窒化アルミニウム(AlN)、酸化アルミニウム(Al2O3)、窒化ケイ素(Si3N4)、炭化ケイ素(SiC)または窒化酸化ケイ素(SiON)を含むセラミックス搭載板と、
前記セラミックス搭載板の表面に印刷され、かつ金属銅を含み、厚さが2〜100μmである回路パターンと、
前記セラミックス搭載板と前記金属回路との間に、AlN−Al2O3−Cuであり、かつ固相拡散接合によって生成された金属銅‐セラミックス共晶層とを含む、接着力の高い金属化セラミックス搭載板。
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