JP6691304B2 - はんだ材料、ソルダペースト、及びはんだ継手 - Google Patents
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Description
ソルダペーストの基板への塗布は、例えば、メタルマスクを用いたスクリーン印刷により行われる。そのため、ソルダペーストの印刷性を確保するために、ソルダペーストの粘度は適度である必要がある。しかし、一般に、ソルダペーストは、保存安定性に劣り、経時でソルダペーストの粘度が上昇してしまうことがある。
Biを含有するはんだ材料としては、例えば、Ag:2.8〜4.2重量%、Cu:0.4〜0.6重量%、Biを50〜1000ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有しているバンプ用はんだ合金粉末が提案されている(特許文献2)。
Pbを含有するはんだ材料としては、例えば、Ag:2.8〜4.2重量%、Cu:0.4〜0.6重量%、Pbを50〜5000ppm含有し、残部がSn及び不可避不純物からなる成分組成を有しているバンプ用はんだ合金粉末が提案されている(特許文献3)。
しかし、特許文献1〜3に記載されたはんだ材料は、バンプ形成時に生じる突起を抑制することを課題としていて、変色やソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇の問題を改善するものではない。
すなわち、本発明の具体的態様は以下のとおりである。
なお、本明細書において、「〜」を用いて数値範囲を表す際は、その範囲は両端の数値を含むものとする。また、各元素の含有量は、例えば、JIS Z 3910 に準拠にしてICP−AESで分析することにより測定することができる。
[2] As、Sb、Bi及びPbの含有量が、下記式(1)及び式(2)を満たす、[1]に記載のはんだ材料。
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
ただし、式(1)及び式(2)中、As、Sb、Bi及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
[3] 前記はんだ材料の形態が粉末である、[1]又は[2]に記載のはんだ材料。
[4] [3]に記載のはんだ材料、及びフラックスを含むソルダペースト。
[5] 酸化ジルコニウム粉末をさらに含む[4]に記載のソルダペースト。
[6] ソルダペースト全体の質量に対する酸化ジルコニウム粉末の含有量が0.05〜20.0質量%である、[5]に記載のソルダペースト。
[7] Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはない)、As濃化層を有する、はんだ継手。
ただし、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。
また、Sn系合金としては、Sn−Ag合金、Sn−Cu合金、Sn−Ag−Cu合金、Sn−Ag−Cu−Ni−Co合金、Sn−In合金や前記合金組成にAg、Cu、In、Ni、Co、Ge、P、Fe、Zn、Al、Ga等を更に添加した合金が挙げられる。Sn系合金中のSnの含有量に限定はないが、例えば、40質量%超とすることができる。
なお、Sn及びSn系合金は、不可避不純物を含んでいてもよい。
この場合、ΔTの観点からは、はんだ材料全体の質量に対するAgの含有量は、4質量%以下が好ましい。Agの含有量が3.8質量%を超えるとΔTが大幅に増大する傾向にある。はんだ材料全体の質量に対するAgの含有量は、0.1〜3.8質量%がより好ましく、0.5〜3.5質量%が最も好ましい。
また、ΔTの観点からは、はんだ材料全体の質量に対するCuの含有量は、1.0質量%以下が好ましい。Cuの含有量が0.9質量%を超えるとΔTが大幅に増大する傾向にある。はんだ材料全体の質量に対するCuの含有量は、0.05〜0.9質量%がより好ましく、0.1〜0.7質量%が最も好ましい。
なお、上記のAg及びCuの含有量の好ましい数値範囲は各々独立したものであって、Ag及びCuの含有量は各々独立して決定することができる。
Asは、はんだ材料全体の質量に対する含有量が40〜250質量ppmであるという条件を満たし、はんだ材料中にAs濃化層が存在していれば、その一部又は全部がSnやSn系合金と共に合金(金属間化合物や固溶体等)を構成していてもよいし、Sn系合金とは別に、例えばAs単体や酸化物として、存在していてもよい。
Sb、Bi又はPbが十分に存在していると粘度上昇が抑制される傾向にあることが判明した。その理由は明らかではないが、これらの元素はSnに対して貴な金属であり、そのため、Sn−Sb/Bi/Pb合金はSnよりもイオン化しにくく、フラックスへのイオン状態(塩)としての溶出が起こりにくくなるためと考えられる。ただし、機序はこれによらない。また、Bi及びPbは、はんだ材料がAsを含む場合に起こる濡れ性の低下を抑制する傾向もある。
一方で、Sb、Bi及びPbの含有量が大きすぎると、固相線温度が低下し、液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)が大きくなり、溶融はんだの凝固過程において、BiやPbの含有量が少ない高融点の結晶相が先に析出し、その後、BiやPbの濃度が高い低融点の結晶相が偏析するため、はんだ材料の機械的強度等が劣化し、サイクル特性等の信頼性を低下させるおそれがある。特に、Bi濃度が高い結晶相は硬くて脆いため、はんだ材料中で偏析すると信頼性が著しく低下するおそれがある。
Sb含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは100質量ppm以上であり、特に好ましくは300質量ppm以上である。また、Sb含有量の上限は、好ましくは1150質量ppm以下であり、より好ましくは500質量ppm以下である。
Bi含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。また、Bi含有量の上限は、好ましくは1000質量ppm以下であり、より好ましくは600質量ppm以下であり、さらに好ましくは500質量ppm以下である。
Pb含有量の下限は、好ましくは25質量ppm以上であり、より好ましくは50質量ppm以上であり、さらに好ましくは75質量ppm以上であり、特に好ましくは100質量ppm以上であり、最も好ましくは250質量ppm以上である。また、Pb含有量の上限は、好ましくは5000質量ppm以下であり、より好ましくは1000質量ppm以下であり、さらに好ましくは850質量ppm以下であり、特に好ましくは500質量ppm以下である。
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
上記(1)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
As、Sb、Bi及びPbは、いずれもペーストとしたときの粘土上昇を抑制する効果(増粘抑制効果)を示す元素であるので、増粘抑制の観点からは、これらの合計が275ppm以上であることが好ましい。(1)式中、As含有量を2倍にしたのは、AsがSbやBiやPbと比較して増粘抑制効果が高いためである。
2As+Sb+Bi+Pbは、好ましくは350以上であり、より好ましくは1200以上である。一方、2As+Sb+Bi+Pbに上限はないが、ΔTを適した範囲にする観点から、18600以下であり、好ましくは10200以下であり、さらに好ましくは5300以下であり、特に好ましくは3800以下である。
上記好ましい態様の中から上限および下限を適宜選択したものが、下記(1a)式および(1b)式である。
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦18600 (1a)
275≦2As+Sb+Bi+Pb≦5300 (1b)
上記(1a)及び(1b)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
上記(2)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
一般に、As及びSbの含有量が多いとはんだ材料の濡れ性が劣化する傾向にある。一方、Bi及びPbは、Asを含有することによる濡れ性の劣化を抑制するが、含有量が多すぎるとΔTが上昇してしまうため、厳密な管理が必要である。特に、Bi及びPbを同時に含有する合金組成では、ΔTが広がりやすく、BiおよびPbの含有量を増加させて過度に濡れ性を向上させようとするとΔTが広がってしまう。一方、AsやSbの含有量を増加させて増粘抑制効果を向上させようとすると濡れ性が劣化してしまう。しかし、As及びSbのグループと、Bi及びPbのグループに分け、両グループの合計含有量が式(2)の関係を満足するようにすれば、As及びSbのグループとBi及びPbグループの含有量の間のバランスが適正になり、増粘抑制効果、ΔTの狭窄化、および濡れ性のすべてを同時に満たすことができる。
(2As+Sb)/(Bi+Pb)が0.01未満であると、Bi及びPbの含有量の合計がAs及びPbの含有量の合計と比較して相対的に多くなるため、ΔTが広がってしまう。(2As+Sb)/(Bi+Pb)は0.01以上であることが好ましく、より好ましくは0.02以上であり、さらに好ましくは0.41以上であり、なお好ましくは0.90以上であり、特に好ましくは1.00以上であり、最も好ましくは1.40以上である。一方、(2As+Sb)/(Bi+Pb)が10.00を超えると、As及びSbの含有量の合計がBi及びPbの含有量の合計より相対的に多くなるため、濡れ性が劣化してしまう。(2As+Sb)/(Bi+Pb)は10.00以下であることが好ましく、より好ましくは5.33以下であり、さらに好ましくは4.50以下であり、なお好ましくは2.67以下であり、特に好ましくは4.18以下であり、最も好ましくは2.30以下である。
なお、(2)式の分母は「Bi+Pb」であるので、式(2)が満たされる場合には、BiおよびPbのうちの少なくとも1種が必ず含有されることになる。Bi及びPbのいずれも含有しないはんだ材料は、前述のように、濡れ性が劣る傾向にある。
上記好ましい態様の中から上限および下限を適宜選択したものが、下記(2a)式である。
0.31≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2a)
上記(2a)式中、As、Sb、Bi、及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す。
As濃化層は、はんだ材料の表面側の少なくとも一部に存在していることが好ましく、表面全体を覆っていることが好ましい。
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプル(はんだ材料が板状でない場合には、5.0mm×5.0mmの範囲にはんだ材料(はんだ粉末、はんだボール等)を隙間なく敷き詰めたもの)を用意し、その中から任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいて後述のS1とS2の大小関係が一致する場合(As濃化層が表面側に存在している場合は、全3回の分析全てにおいてS1>S2となる場合)、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、S1、S2及びD1の定義は以下の通りである。
S1:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが0〜2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、SiO2換算の深さが2×D1〜4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:上述のサンプルについて行ったXPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となるSiO2換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さ(nm)(図3参照)。
ただし、本判定基準におけるXPS分析の詳細な条件は、後述の「(1)As濃化層の有無の評価」の記載に従う。
なお、本判定基準においては、D1が定義できる、すなわち、XPS分析チャートにおいて、O原子の検出強度が最大値を取るということを前提としており、D1が定義できない場合(O原子の検出強度が常に一定等の場合)には、As濃化層は存在していないと判断するものとする。
As濃化層の厚みが上記の範囲であると、濡れ性に悪影響を及ぼすことなく、ソルダペーストとしたときの経時での粘度上昇を十分に抑えることができる。
はんだ材料中にAs濃化層を形成する方法にも限定はない。As濃化層の形成方法の一例としては、はんだ材料を酸化雰囲気(空気や酸素雰囲気)中で加熱することが挙げられる。加熱温度に限定はないが、例えば、40〜200℃とすることができ、50〜80℃であってもよい。加熱時間にも限定はなく、例えば、数分〜数日間、好ましくは数分〜数時間とすることができる。十分な量のAs濃化層を形成するためには、加熱時間は10分以上、さらには20分以上とすることが好ましい。
はんだ材料が粒子状であるとはんだ材料の流動性が向上する。
はんだ材料が粒子状である場合、真球度は0.90以上が好ましく、0.95以上がより好ましく、0.99以上が最も好ましい。
ここで、「フラックス」とは、ソルダペーストにおけるはんだ粉末以外の成分全体のことをいい、はんだ粉末とフラックスとの質量比(はんだ粉末:フラックス)に限定はなく、用途に応じて適宜設定することができる。
酸化ジルコニウム粉末の含有量が上記範囲内であれば、フラックスに含まれる活性剤が酸化ジルコニウム粉末と優先的に反応し、はんだ粉末表面のSnやSn酸化物との反応が起こりにくくなることで経時変化による粘度上昇を更に抑制する効果が発揮される。
酸化ジルコニウム粒子の形状は特に限定されないが、異形状であればフラックスとの接触面積が大きく増粘抑制効果がある。球形であると良好な流動性が得られるためにペーストとしての優れた印刷性が得られる。所望の特性に応じて適宜形状を選択すればよい。
本実施形態におけるソルダペーストは、例えば、電子機器における微細構造の回路基板に使用することができ、具体的には、メタルマスクを用いた印刷法、ディスペンサを用いた吐出法、又は転写ピンによる転写法等により、はんだ付け部に塗布し、リフローを行うことができる。
本実施形態において、はんだ継手は、Sn又はSn系合金、40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Sb、Bi及びPbの含有量がすべて同時に0質量ppmになることはない)、少なくともその一部にAs濃化層を含む。本実施形態のはんだ継手は、上述の本実施形態のはんだ材料と同様の組成及び物性を有することができ、上述の本実施形態のはんだ材料を用いて形成することができる。
はんだ継手全体の質量に対するAsの含有量及びSb、Bi及びSbの含有量が上記範囲内であり、はんだ継手にAs濃化層が含まれる場合には、信頼性に優れたはんだ継手となる。
実施例、比較例それぞれのはんだ粉末について、以下のとおり、(1)As濃化層の有無の評価、(2)増粘抑制の評価、(3)はんだ濡れ性の評価、(4)信頼性の評価を行った。
As濃化層の有無は、XPS(X線光電分光法:X-ray Photoelectron Spectroscopy)による深さ方向分析を用いて以下の様に評価した。
(分析条件)
・分析装置:微小領域X線光電子分光分析装置(クレイトス・アナリティカル社製AXIS Nova)
・分析条件:X線源 AlKα線、X線銃電圧 15kV、X線銃電流値 10mA、分析エリア 700μm×300μm
・スパッタ条件:イオン種 Ar+、加速電圧 2kV、スパッタリングレート 0.5nm/min(SiO2換算)
・サンプル:カーボンテープを貼ったステージ上にはんだ材料(実施例及び比較例におけるはんだ粉末)を隙間なく平坦に敷き詰めたものを3つ用意し、サンプルとした。ただし、サンプルの大きさは5.0mm×5.0mmとした。
(評価手順)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプルの中から、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを行いながらSn、O及びAsの各原子についてXPS分析を行い、XPS分析のチャートを得た。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行った。
XPS分析により得られたチャートの一例を図1〜3に示す。図1〜3は、同一のサンプルについて縦軸の検出強度(cps)のスケールを変更したものであり、横軸はスパッタ時間から算出したSiO2換算の深さ(nm)である。XPS分析のチャートにおいては、縦軸は、検出強度(cps)であり、横軸は、スパッタ時間(min)又はスパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)のいずれかから選択できるが、図1〜3においては、XPS分析のチャートにおける横軸を、スパッタ時間からSiO2標準試料のスパッタエッチングレートを用いて算出したSiO2換算の深さ(nm)とした。
そして、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO2換算の深さをDo・max(nm)とした(図2参照)。そして、Do・maxより深い部分において、O原子の検出強度が、最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO2換算の深さをD1(nm)とした。
次いで、各サンプルのXPS分析のチャートにおいて、最表面から深さ2×D1までの領域(SiO2換算の深さが0〜2×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S1)と、深さ2×D1からさらに2×D1だけ深い部分までの領域(SiO2換算の深さが2×D1〜4×D1(nm)の領域)におけるAsの検出強度の積分値(S2)(図3参照)とを求め、その比較を行った。
そして、以下の基準に基づいて評価を行った。
・全3回の測定の全てにおいてS1>S2となる
:As濃化層が形成されている(○)
・全3回の測定のうちの2回以下の回数でS1>S2となる
:As濃化層が形成されていない(×)
以下の表1に示す組成の各材料を加熱撹拌した後、冷却することによりフラックスを調製した。調製したフラックス、並びに実施例、比較例それぞれのはんだ粉末を、フラックスとはんだ粉末との質量比(フラックス:はんだ粉末)が11:89となるように混練してソルダペーストを製造した。
12時間後の粘度 ≦ 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が小さく良好(○)
12時間後の粘度 > 初期粘度×1.2 :経時での粘度上昇が大きく不良(×)
上記の「(2)増粘抑制の評価」と同様にして、実施例及び比較例それぞれのはんだ粉末を用いてソルダペーストを製造した。
得られたソルダペーストを、Cu板上に開口径6.5mm、開口数4個、マスク厚0.2mmのメタルマスクを用いて印刷し、リフロー炉において、N2雰囲気下、昇温速度1℃/secで25℃から260℃まで加熱した後、室温(25℃)まで空冷し、4個のはんだバンプを形成した。光学顕微鏡(倍率:100倍)を用いて、得られたはんだバンプの外観を観察し、以下の基準に基づいて評価を行った。
4個のはんだバンプの全てにおいて溶融しきれないはんだ粒子が観察されなかった。
:はんだ濡れ性が良好(○)
4個のはんだバンプのうちの1個以上において溶融しきれないはんだ粒子が観察された。 :はんだ濡れ性が不良(×)
実施例、比較例それぞれのはんだ粉末について、示差走査熱量計(EXSTAR DSC7020、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用いて、昇温速度:5℃/分(180℃〜250℃)、降温速度:−3℃/分(250℃〜150℃)、キャリアガス:N2の測定条件でDSC測定を行い、液相線温度(TL)及び固相線温度(TS)を測定した。そして、液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)を算出し、以下の基準に基づいて評価を行った。
ΔTが10℃以内:信頼性に優れる(○)
ΔTが10℃超 :信頼性に劣る(×)
はんだ粉末の液相線温度(TL)と固相線温度(TS)との差(ΔT=TL−TS)が大きい場合、当該はんだ粉末を含むソルダペーストを電子機器の基板に塗布後、凝固する際に、はんだ粉末の表面に融点の高い組織が析出しやすい。はんだ粉末の表面に融点の高い組織が析出すると、その後、はんだ粉末の内側に向かって融点の低い組織が逐次析出し、はんだ粉末の組織が不均一となりやすく、サイクル性等の信頼性を低下させる原因になる。
Sn、As、Sb、Bi及びPbを、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表2に示すようになり、Snがその残部(Sn、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、JIS Z3284−1:2014の粉末サイズ分類(表2)の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例A3〜A14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
Sn、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.7質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表3に示すようになり、Snがその残部(Sn、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例B3〜B14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が1.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表4に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例C3〜C14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
実施例C1で得られたはんだ粉末について、Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの含有量をJIS Z 3910に準拠してICP−AESで分析したところ、仕込み量と一致していることが確認できた。
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が2.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表5に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例D3〜D14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なおSnとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が3.0質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表6に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例E3〜E14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbを、Cuの含有量が0.5質量%、Agの含有量が3.5質量%、As、Sb、Bi及びPbの含有量が以下の表7に示すようになり、Snがその残部(Sn、Ag、Cu、As、Sb、Bi及びPbの合計が100質量%となるような残部)となるようになるよう秤取り、溶融混合し、Ar雰囲気中で遠心噴霧することにより粉末(平均粒径21μm、粉末サイズ分類の4に該当)を調製した。得られた粉末を空気中において乾燥装置を用いて60℃で30分間加熱し、実施例、比較例のはんだ粉末を得た。なお、比較例F3〜F14については、該加熱処理は施さず、遠心噴霧に得られた粉末をそのままはんだ粉末とした。
なお、Snとしては、不可避不純物を含む3N材を用いた。
Claims (5)
- 40〜250質量ppmのAs、0〜3000質量ppmのSb、0〜10000質量ppmのBi及び0〜5100質量ppmのPbを含み(ただし、Bi及びPbの含有量が同時に0質量ppmになることはない)、残部がSnであり、
As、Sb、Bi及びPbの含有量が、下記式(1)及び式(2)を満たし、
275≦2As+Sb+Bi+Pb (1)
0.01≦(2As+Sb)/(Bi+Pb)≦10.00 (2)
(ただし、式(1)及び式(2)中、As、Sb、Bi及びPbは、各々のはんだ材料中の含有量(質量ppm)を表す)
以下の判定基準により確認されるAs濃化層を表面に有し、
前記As濃化層は、はんだ合金の最表面からSiO 2 換算の深さで2×D1(nm)までの領域であり、前記As濃化層のSiO 2 換算の厚みが0.5〜8.0nmである、はんだ合金。
(判定基準)
5.0mm×5.0mmの大きさのサンプル(5.0mm×5.0mmの範囲にはんだ材料(はんだ粉末、はんだボール等)を隙間なく敷き詰めたもの)において、任意の700μm×300μmのエリアを選定し、イオンスパッタリングを併用したXPS分析を行う。サンプル1個につき1つのエリアを選定し、3つのサンプルについてそれぞれ1回ずつ、合計3回の分析を行う。全3回の分析の全てにおいてS1>S2となる場合、As濃化層が形成されていると判断する。
ここで、
S1:XPS分析のチャートにおいて、SiO 2 換算の深さが0〜2×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
S2:XPS分析のチャートにおいて、SiO 2 換算の深さが2×D1〜4×D1(nm)の領域におけるAsの検出強度の積分値
D1:XPS分析のチャートにおいて、O原子の検出強度が最大となったSiO 2 換算の深さ(Do・max(nm))より深い部分において、O原子の検出強度が最大検出強度(Do・maxにおける強度)の1/2の強度となる最初のSiO 2 換算の深さ(nm)
なお、XPS分析チャートにおいて、O原子の検出強度が最大値を取らず、D1が定義できない場合には、As濃化層は存在していないと判断する。 - 0〜3.5質量%のAg及び/又は0〜0.7質量%のCuを含む、請求項1に記載のはんだ合金。
- 前記はんだ合金の形態が粉末である、請求項1又は2に記載のはんだ合金。
- 請求項3に記載のはんだ合金、及びフラックスからなるソルダペースト。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のはんだ合金から形成されるはんだ継手。
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