JP6683788B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明は表示装置に関し、より詳しくは、電極コンタクト部で抵抗により発生する損傷を防止することができる表示装置に関する。

情報化社会が発展するにつれて、画像を表示するための表示装置に対する要求が多様な形態に増加している。表示装置分野は体積の大きい陰極線管（Cathode Ray Tube：ＣＲＴ）に取り替える、薄くて軽くて大面積が可能な平板表示装置（Flat Panel Display Device：ＦＰＤ）に急速に変化してきた。平板表示装置には液晶表示装置（Liquid Crystal Display Device：ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）、有機発光表示装置（Organic Light Emitting Display Device：ＯＬＥＤ）、そして電気泳動表示装置（Electrophoretic Display Device：ED）などがある。

そのうち、有機発光表示装置は自ら発光する自発光素子であって、応答速度が速く、発光効率、輝度、及び視野角が大きいという長所がある。特に、有機発光表示装置は柔軟な（flexible）プラスチック基板の上にも形成できるだけでなく、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）や無機電界発光（ＥＬ）ディスプレイに比べて低い電圧で駆動が可能であり、電力消耗が比較的少なく、色感に優れるという長所がある。

有機発光表示装置は、アノードである第１電極、発光する有機膜層、及びカソードである第２電極を含む。第１電極は高電位電圧が形成され、第２電極は低電位電圧が形成されて、第１電極と第２電極との間に駆動電流が流れて有機膜層で光を発光する。このような有機発光表示装置を駆動するために、同種または異種の複数の配線または電極が互いにコンタクトして連結される。しかしながら、異種の配線または電極がコンタクトすれば、コンタクト部の抵抗によって温度が上昇し、この温度が臨界点以上になればコンタクト部が損傷される問題がある。

本発明は電極コンタクト部で抵抗により発生する損傷を防止することができる表示装置を提供する。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、第１電極、有機膜層、及び第２電極を含む有機発光ダイオードが位置する表示部、及び前記表示部の外に位置し、少なくとも１つの連結パターンを通じて前記第２電極と低電位ラインとが連結された電極コンタクト部を含む非表示部を含み、前記電極コンタクト部は前記少なくとも１つの連結パターンを露出する複数のパッシベーションホールを含むパッシベーション膜、及び前記パッシベーション膜を露出するオーバーコートホールを含むオーバーコート層を含む。

前記複数のパッシベーションホールの全周囲は、前記オーバーホールの周囲より長い。

前記複数のパッシベーションホールの傾斜部の面積は、前記オーバーコートホールの傾斜部の面積より大きい。

前記複数のパッシベーションホールは、前記オーバーコートホール内に配置される。

前記低電位ライン上で前記低電位ラインとコンタクトする第１連結パターン及び前記第１連結パターン上で前記第１連結パターンとコンタクトする第２連結パターンをさらに含む。

前記第２連結パターンは、前記複数のパッシベーションホールの傾斜部に沿って前記第１連結パターンとコンタクトする。

前記パッシベーション膜は前記第１連結パターンと前記第２連結パターンとの間に位置し、前記複数のパッシベーションホールは前記第１連結パターンを露出する。

前記第２電極は前記第２連結パターン上に位置し、前記第２連結パターンとコンタクトする。

前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードである。

前記複数のパッシベーションホールの平面形状はストライプ状またはドット形である。

本発明に関する理解を助けるために詳細な説明の一部に含まれる、添付図面は本発明に対する実施形態を提供し、詳細な説明と共に本発明の技術的特徴を説明する。

有機発光表示装置の概略的なブロック図である。 サブピクセルの概略的な回路構成図である。 サブピクセルの詳細回路構成例示図である。 表示パネルの断面例示図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のサブピクセル部分を示す断面図である。 図５の電極コンタクト部を拡大した図である。 図７の切取線I-I'による断面図である。 バーントが発生した電極コンタクト部を示すイメージである。 本発明の実施形態に係る電極コンタクト部を示す平面図である。 配線と抵抗の関係を示す模式図である。 図１０の切取線II-II'による断面図である。 図１０の切取線III-III'による断面図である。 図１０の切取線IV-IV'による断面図である。 パッシベーションホールの多様な平面形状を示す図である。 パッシベーションホールの多様な平面形状を示す図である。 パッシベーションホールの多様な平面形状を示す図である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態を説明する。明細書の全体に亘って同一な参照番号は実質的に同一な構成要素を意味する。以下の説明で、本発明と関連した公知技術または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。また、以下の説明で使われる構成要素の名称は明細書作成の容易性を考慮して選択されたものであって、実際の製品の部品名称とは相異することがある。また、位置関係に対する説明の場合、例えば、‘〜上に’、‘〜上部に’、‘〜下部に’、‘〜側に’などで２部分の位置関係が説明される場合、‘直ぐ’または‘直接’または‘接して’が一緒に用いられない以上、２部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。

本発明に従う表示装置は、ガラス基板またはフレキシブル基板上に表示素子が形成された表示装置である。表示装置の例に、有機発光表示装置、液晶表示装置、電気泳動表示装置などが使用可能であるが、本発明では有機発光表示装置を例として説明する。有機発光表示装置は、アノードである第１電極とカソードである第２電極との間に有機物からなる有機膜層を含む。したがって、第１電極から供給を受ける正孔と第２電極から供給を受ける電子が有機膜層内で結合して正孔−電子対である励起子（exciton）を形成し、励起子が底状態に戻りながら発生するエネルギーにより発光する自発光表示装置である。

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。

図１は有機発光表示装置の概略的なブロック図であり、図２はサブピクセルの概略的な回路構成図であり、図３はサブピクセルの詳細回路構成例示図であり、図４は表示パネルの断面例示図である。

図１に図示したように、有機発光表示装置は、映像処理部１１０、タイミング制御部１２０、データ駆動部１３０、スキャン駆動部１４０、及び表示パネル１５０を含む。

映像処理部１１０は外部から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）と共にデータイネーブル信号（ＤＥ）などを出力する。映像処理部１１０は、データイネーブル信号（ＤＥ）の他にも垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号のうち、１つ以上を出力することができるが、この信号は説明の便宜上、省略図示する。

タイミング制御部１２０は、映像処理部１１０からデータイネーブル信号（ＤＥ）または垂直同期信号、水平同期信号、及びクロック信号などを含む駆動信号と共にデータ信号（ＤＡＴＡ）の供給を受ける。タイミング制御部１２０は、駆動信号に基づいてスキャン駆動部１４０の動作タイミングを制御するためのゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）とデータ駆動部１３０の動作タイミングを制御するためのデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）を出力する。

データ駆動部１３０は、タイミング制御部１２０から供給されたデータタイミング制御信号（ＤＤＣ）に応答してタイミング制御部１２０から供給されるデータ信号（ＤＡＴＡ）をサンプリングしラッチして、ガンマ基準電圧に変換して出力する。データ駆動部１３０は、データラインＤＬ１〜ＤＬｎを通じてデータ信号（ＤＡＴＡ）を出力する。データ駆動部１３０は、ＩＣ（Integrated Circuit）形態に形成できる。

スキャン駆動部１４０は、タイミング制御部１２０から供給されたゲートタイミング制御信号（ＧＤＣ）に応答してスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｍを通じてスキャン信号を出力する。スキャン駆動部１４０は、ＩＣ（Integrated Circuit）形態に形成されるか、または表示パネル１５０にゲートインパネル（Gate In Panel）方式により形成される。

表示パネル１５０は、データ駆動部１３０及びスキャン駆動部１４０から供給されたデータ信号（ＤＡＴＡ）及びスキャン信号に対応して映像を表示する。表示パネル１５０は、映像が表示できるように動作するサブピクセルＳＰを含む。

サブピクセルＳＰは、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、及び青色サブピクセルを含むか、または白色サブピクセル、赤色サブピクセル、緑色サブピクセル、及び青色サブピクセルを含む。サブピクセルＳＰは、発光特性によって１つ以上の異なる発光面積を有することができる。

図２に図示したように、１つのサブピクセルには、スイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、キャパシタＣｓｔ、補償回路ＣＣ、及び有機発光ダイオードＯＬＥＤが含まれる。

スイッチングトランジスタＳＷはゲートラインＧＬを通じて供給されたスキャン信号に応答してデータラインＤＬを通じて供給されるデータ信号がキャパシタＣｓｔにデータ電圧で格納されるようにスイッチング動作する。駆動トランジスタＤＲは、キャパシタＣｓｔに格納されたデータ電圧によって第１電源ラインＥＶＤＤ（高電位電圧）と第２電源ラインＥＶＳＳ（低電位電圧）との間に駆動電流が流れるように動作する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは駆動トランジスタＤＲにより形成された駆動電流によって光を発光するように動作する。

補償回路ＣＣは駆動トランジスタＤＲのしきい値電圧などを補償するためにサブピクセル内に追加された回路である。補償回路ＣＣは、１つ以上のトランジスタで構成される。補償回路ＣＣの構成は外部補償方法によって非常に多様であるところ、これに対する例示を説明すると、次の通りである。

図３に図示したように、補償回路ＣＣにはセンシングトランジスタＳＴとセンシングラインＶＲＥＦ（または、レファレンスライン）が含まれる。センシングトランジスタＳＴは、駆動トランジスタＤＲの第２の電極、例えばドレイン電極と有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極との間（以下、センシングノード）に接続される。センシングトランジスタＳＴは、センシングラインＶＲＥＦを通じて伝達される初期化電圧（または、センシング電圧）を駆動トランジスタＤＲのセンシングノードに供給するか、または駆動トランジスタＤＲのセンシングノードまたはセンシングラインＶＲＥＦの電圧または電流がセンシングできるように動作する。

スイッチングトランジスタＳＷはデータラインＤＬに第１電極が連結され、駆動トランジスタＤＲのゲート電極に第２電極が連結される。駆動トランジスタＤＲは第１電源ラインＥＶＤＤに第１電極が連結され、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に第２電極が連結される。キャパシタＣｓｔは駆動トランジスタＤＲのゲート電極に第１電極が連結され、有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極に第２電極が連結される。有機発光ダイオードＯＬＥＤは駆動トランジスタＤＲの第２電極にアノード電極が連結され、第２電源ラインＥＶＳＳにカソード電極が連結される。センシングトランジスタＳＴはセンシングラインＶＲＥＦに第１電極が連結され、センシングノードである有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード電極及び駆動トランジスタＤＲの第２電極に第２電極が連結される。

センシングトランジスタＳＴの動作時間は外部補償アルゴリズム（または、補償回路の構成）によってスイッチングトランジスタＳＷと類似／同一、または異なることができる。一例に、スイッチングトランジスタＳＷは第１ａゲートラインＧＬ１ａにゲート電極が連結され、センシングトランジスタＳＴは第１ｂゲートラインＧＬ１ｂにゲート電極が連結できる。この場合、第１ａゲートラインＧＬ１ａにはスキャン信号（Ｓｃａｎ）が伝達され、第１ｂゲートラインＧＬ１ｂにはセンシング信号（Ｓｅｎｓｅ）が伝達される。他の例に、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極に連結された第１ａゲートラインＧＬ１ａとセンシングトランジスタＳＴのゲート電極に連結された第１ｂゲートラインＧＬ１ｂは共通に共有するように連結できる。

センシングラインＶＲＥＦは、データ駆動部に連結できる。この場合、データ駆動部はリアルタイム、映像の非表示期間、またはＮフレーム（Ｎは、１以上の整数）期間の間サブピクセルのセンシングノードをセンシングし、センシング結果が生成できるようになる。一方、スイッチングトランジスタＳＷとセンシングトランジスタＳＴは同一な時間にターンオンできる。この場合、データ駆動部の時分割方式によりセンシングラインＶＲＥＦを通じてのセンシング動作とデータ信号を出力するデータ出力動作は相互分離（区分）される。

その他に、センシング結果に従う補償対象は、デジタル形態のデータ信号、アナログ形態のデータ信号、またはガンマなどになることができる。そして、センシング結果に基づいて補償信号（または、補償電圧）などを生成する補償回路は、データ駆動部の内部、タイミング制御部の内部、または別途の回路で具現できる。

光遮断層ＬＳは、駆動トランジスタＤＲのチャンネル領域の下部のみに配置されるか、または駆動トランジスタＤＲのチャンネル領域の下部だけでなく、スイッチングトランジスタＳＷ及びセンシングトランジスタＳＴのチャンネル領域の下部にも配置できる。光遮断層ＬＳは、単純に外光を遮断する目的として使用するか、または光遮断層ＬＳを他の電極やラインとの連結を図って、キャパシタなどを構成する電極に活用することができる。したがって、光遮断層ＬＳは遮光特性を有するように複層（異種金属の複層）の金属層に選択される。

その他、図３ではスイッチングトランジスタＳＷ、駆動トランジスタＤＲ、キャパシタＣｓｔ、有機発光ダイオードＯＬＥＤ、センシングトランジスタＳＴを含む３Ｔ（Transistor）１Ｃ（Capacitor）構造のサブピクセルを一例として説明したが、補償回路ＣＣが追加された場合、３Ｔ２Ｃ、４Ｔ２Ｃ、５Ｔ１Ｃ、６Ｔ２Ｃなどで構成されることもできる。

図４に図示したように、基板（または、薄膜トランジスタ基板）ＳＵＢの表示領域ＡＡ上には図３で説明された回路に基づいてサブピクセルが形成される。表示領域ＡＡ上に形成されたサブピクセルは保護部材ＥＮＣにより封入される。その他の未説明されたＮＡは非表示領域を意味する。

サブピクセルは表示領域ＡＡ上で赤色（Ｒ）、白色（Ｗ）、青色（Ｂ）、及び緑色（Ｇ）の順に水平または垂直に配置される。そして、サブピクセルは赤色（Ｒ）、白色（Ｗ）、青色（Ｂ）、及び緑色（Ｇ）が１つのピクセルＰとなる。しかしながら、サブピクセルの配置順序は発光材料、発光面積、補償回路の構成（または、構造）などによって多様に変更できる。また、サブピクセルは赤色（Ｒ）、青色（Ｂ）、及び緑色（Ｇ）が１つのピクセルＰとなることができる。

図５は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置を示す平面図であり、図６は本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置のサブピクセル部分を示す断面図であり、図７は図５の電極コンタクト部を拡大した図であり、図８は図７の切取線I-I'による断面図であり、図９はバーント（burnt）が発生した電極コンタクト部を示すイメージである。

図５を参照すると、有機発光表示装置は基板ＳＵＢ上に表示部ＡＡ及び非表示部ＮＡを含む。非表示部ＮＡは基板ＳＵＢの左右側に各々配置されたＧＩＰ駆動部ＧＩＰ、及び基板ＳＵＢの下側に配置されたパッド部ＰＤを含む。表示部ＡＡは複数のサブピクセルＳＰが配置されて、Ｒ、Ｇ、Ｂ、またはＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗを発光してフルカラーを具現する。ＧＩＰ駆動部ＧＩＰは、表示部ＡＡにゲート駆動信号を印加する。パッド部ＰＤは、表示部ＡＡの一側、例えば下側に配置され、パッド部ＰＤにチップオンフィルムＣＯＦが付着される。表示部ＡＡから連結された複数の信号線（図示せず）にチップオンフィルムＣＯＦを通じて印加されるデータ信号及び電源が印加される。

以下、本発明の図６を参照して、有機発光表示装置のサブピクセルＳＰ領域の断面構造を説明する。

図６を参照すると、本発明の一実施形態に係る有機発光表示装置は基板ＳＵＢ上に第１バッファ層ＢＵＦ１が位置する。基板ＳＵＢはフレキシブル基板またはガラス基板であって、フレキシブル基板は柔軟なポリイミド（Polyimide）などの樹脂基板でありうる。第１バッファ層ＢＵＦ１は基板ＳＵＢから流出されるアルカリイオンなどの不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役目をする。第１バッファ層ＢＵＦ１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。

第１バッファ層ＢＵＦ１上に光遮断層ＬＳが位置する。光遮断層ＬＳは外部の光が入射されることを遮断して薄膜トランジスタで光電流が発生することを防止する役目をする。光遮断層ＬＳ上に第２バッファ層ＢＵＦ２が位置する。第２バッファ層ＢＵＦ２はシールド層ＬＳから流出されるアルカリイオンなどの不純物から後続工程で形成される薄膜トランジスタを保護する役目をする。第２バッファ層ＢＵＦ２は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。

第２バッファ層ＢＵＦ２上に半導体層ＡＣＴが位置する。半導体層ＡＣＴは、シリコン半導体や酸化物半導体からなることができる。シリコン半導体は、非晶質シリコンまたは結晶化された多結晶シリコンを含むことができる。ここで、多結晶シリコンは移動度が高くて（１００ｃｍ^２／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低く、信頼性が優れて、駆動素子用ゲートドライバー及び／又はマルチプレクサＭＵＸに適用するか、または画素内の駆動ＴＦＴに適用することができる。一方、酸化物半導体はオフ電流が低いので、オン（On）時間が短く、オフ（Off）時間を長く維持するスイッチングＴＦＴに適している。また、オフ電流が小さいので、画素の電圧維持期間が長くて、低速駆動及び／又は低消費電力を要求する表示装置に適している。また、半導体層ＡＣＴはｐ型またはｎ型の不純物を含むドレイン領域及びソース領域を含み、これらの間にチャンネルを含む。

半導体層ＡＣＴ上にゲート絶縁膜ＧＩが位置する。ゲート絶縁膜ＧＩは、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。ゲート絶縁膜ＧＩ上に前記半導体層ＡＣＴの一定領域、即ち不純物が注入された場合のチャンネルと対応する位置にゲート電極ＧＡが位置する。ゲート電極ＧＡは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金で形成される。また、ゲート電極ＧＡは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなる多重層でありうる。例えば、ゲート電極ＧＡはモリブデン／アルミニウム−ネオジム、またはモリブデン／アルミニウムの二重層でありうる。

ゲート電極ＧＡ上にゲート電極ＧＡを絶縁させる層間絶縁膜ＩＬＤが位置する。層間絶縁膜ＩＬＤは、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。層間絶縁膜ＩＬＤ及びゲート絶縁膜ＧＩの一部領域に半導体層ＡＣＴの一部を露出させるコンタクトホールＣＨが位置する。

層間絶縁膜ＩＬＤ上にドレイン電極ＤＥとソース電極ＳＥが位置する。ドレイン電極ＤＥは半導体層ＡＣＴのドレイン領域を露出するコンタクトホールＣＨを通じて半導体層ＡＣＴに連結され、ソース電極ＳＥは半導体層ＡＣＴのソース領域を露出するコンタクトホールＣＨを通じて半導体層ＡＣＴに連結される。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは単一層または多重層からなることができ、前記ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが単一層である場合には、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、チタニウム（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、及び銅（Ｃｕ）からなる群から選択されたいずれか１つまたはこれらの合金からなることができる。また、前記ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥが多重層である場合には、モリブデン／アルミニウム−ネオジムの二重層、チタニウム／アルミニウム／チタニウム、モリブデン／アルミニウム／モリブデン、またはモリブデン／アルミニウム−ネオジム／モリブデンの三重層からなることができる。したがって、半導体層ＡＣＴ、ゲート電極ＧＡ、ドレイン電極ＤＥ、及びソース電極ＳＥを含む薄膜トランジスタＴＦＴが構成される。

薄膜トランジスタＴＦＴを含む基板ＳＵＢ上にパッシベーション膜ＰＡＳが位置する。パッシベーション膜ＰＡＳは下部の素子を保護する絶縁膜であって、シリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）、またはこれらの多重層でありうる。パッシベーション膜ＰＡＳ上にカラーフィルタＣＦが位置する。カラーフィルタＣＦは、有機発光ダイオードＯＬＥＤで発光する白色の光を赤色、緑色、または青色に変換する役目をする。カラーフィルタＣＦ上にオーバーコート層ＯＣが位置する。オーバーコート層ＯＣは下部構造の段差を緩和させるための平坦化膜であって、ポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリレート（acrylate）などの有機物からなる。オーバーコート層ＯＣは、前記有機物を液状形態にコーティングした後、硬化させるＳＯＧ（spin on glass）のような方法により形成できる。

オーバーコート層ＯＣの一部領域にはドレイン電極ＤＥを露出させるビヤホ―ルＶＩＡが位置する。オーバーコート層ＯＣ上に有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置する。より詳しくは、オーバーコート層ＯＣ上に第１電極ＡＮＯが位置する。第１電極ＡＮＯは画素電極として作用し、ビヤホールＶＩＡを通じて薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＥに連結される。第１電極ＡＮＯはアノードであって、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、またはＺｎＯ（Zinc Oxide）などの透明導電物質からなることができる。第１電極ＡＮＯが反射電極である場合、第１電極ＡＮＯは反射層をさらに含む。反射層は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、またはこれらの合金からなることができ、好ましくはＡＰＣ（銀／パラジウム／銅合金）からなることができる。

第１電極ＡＮＯを含む基板ＳＵＢ上に画素を区画するバンク層ＢＮＫが位置する。バンク層ＢＮＫはポリイミド（polyimide）、ベンゾシクロブテン系樹脂（benzocyclobutene series resin）、アクリレート（acrylate）などの有機物からなる。バンク層ＢＮＫには第１電極ＡＮＯを露出させる画素定義部ＯＰが位置する。フレキシブル基板ＰＩの前面には第１電極ＡＮＯにコンタクトする有機膜層ＯＬＥが位置する。有機膜層ＯＬＥは電子と正孔が結合して発光する層であって、有機膜層ＯＬＥと第１電極ＡＮＯとの間に正孔注入層または正孔輸送層を含むことができ、有機膜層ＯＬＥ上に電子輸送層または電子注入層を含むことができる。

有機膜層ＯＬＥ上に第２電極ＣＡＴが位置する。第２電極ＣＡＴは表示部ＡＡの前面に位置し、カソード電極に仕事関数の低いマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金からなることができる。第２電極ＣＡＴが透過電極である場合、光が透過できる程度に薄い厚さで形成され、反射電極である場合、光が反射できる程度に厚い厚さで形成される。第２電極ＣＡＴ上に保護膜ＰＲＬが位置する。薄膜トランジスタＴＦＴと有機発光ダイオードＯＬＥＤが形成された基板ＳＵＢの上部面には接着層ＦＳＡを通じて保護部材ＥＮＣが付着される。保護部材ＥＮＣは金属薄膜でありうる。

また、図５を参照すると、以上のように構成された有機発光表示装置は、非表示部ＮＡで第２電極ＣＡＴに低電位を供給するための低電位ラインと第２電極が連結される電極コンタクト部ＣＣが配置される。以下にこれを具体的に説明する。

図７を参照すると、電極コンタクト部ＣＣは有機発光表示装置の非表示部ＮＡに位置する。電極コンタクト部ＣＣは、パッド部（図示せず）から延長された低電位ラインＶＳＳＬと表示部ＡＡから延長された第２電極ＣＡＴが重畳して互いに連結される。電流パスは第２電極ＣＡＴから低電位ラインＶＳＳＬに流れるようになる。

より具体的に、図８を参照すると、低電位ラインＶＳＳＬは層間絶縁膜ＩＬＤの層間ホールＩＬＣＨを通じて上部の第１連結パターンＳＤＣとコンタクトする。第１連結パターンＳＤＣは、ソース／ドレイン電極物質からなる。第１連結パターンＳＤＣは、パッシベーション膜ＰＡＳのパッシベーションホールＰＡＣＨ及びオーバーコート層ＯＣのオーバーホールＯＣＨを通じて上部の第２連結パターンＩＴＣとコンタクトする。第２連結パターンＩＴＣは、第１電極ＡＮＯのような材料、例えばＩＴＯなどの金属酸化物からなる。第２連結パターンＩＴＣ上に第２電極ＣＡＴが第２連結パターンＩＴＣと直接コンタクトして、最終的に第２電極ＣＡＴが低電位ラインＶＳＳＬと電気的に連結される。

電極コンタクト部ＣＣは、第１領域Ａ、第２領域Ｂ、及び第３領域Ｃに区分できる。第１領域ＡはオーバーホールＯＣＨが位置した領域であり、第２領域ＢはパッシベーションホールＰＡＣＨが始まる領域であって、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬが位置した領域であり、第３領域Ｃはパッシベーション膜ＰＡＳが存在しないパッシベーションホールＰＡＣＨの内部領域である。

前記第１から第３領域Ａ、Ｂ、Ｃで電流パスを調べると、第１領域Ａの第２電極ＣＡＴから電流が流れて第２領域Ｂを通じて第３領域Ｃの低電位ラインＶＳＳＬに流れ出す。この際、第２電極ＣＡＴはパッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬでその厚さが薄くなる。これは、パッシベーション膜ＰＡＳの無機材料特性上、ドライエッチングしてパッシベーションホールＰＡＣＨを形成すれば、傾斜部ＳＬの傾斜角が非常に大きく形成される。相対的にオーバーホールＯＣＨはオーバーコート層ＯＣの有機材料特性上、ウェットエッチングするので、オーバーホールＯＣＨの傾斜角が小さく形成される。したがって、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬが配置された第２領域Ｂで第２電極ＣＡＴの厚さが薄く形成されるので、抵抗が増加する。第１から第３領域Ａ、Ｂ、Ｃの各々で同一面積対比相対抵抗を調べると、第２領域Ｂで抵抗が最も大きく、第１領域Ａ及び第３領域Ｃの順に抵抗が小さくなる。したがって、図９に図示したように、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬが配置された第２領域Ｂで抵抗によって発熱が増加してバーントが発生する。
以下、前述した電極コンタクト部でのバーント問題を解消するために、電極コンタクト部の構造を変更する実施形態を開示する。

＜実施形態＞
図１０は本発明の実施形態に係る電極コンタクト部を示す平面図であり、図１１は配線と抵抗の関係を示す模式図であり、図１２は図１０の切取線II-II'による断面図であり、図１３は図１０の切取線III-III'による断面図であり、図１４は図１０の切取線IV-IV'による断面図である。図１５から図１７はパッシベーションホールの多様な平面形状を示す図である。

図１０を参照すると、本発明の実施形態に係る有機発光表示装置は非表示部ＮＡに電極コンタクト部ＣＣを含む。電極コンタクト部ＣＣは、パッド部（図示せず）から延長された低電位ラインＶＳＳＬと表示部ＡＡから延長された第２電極ＣＡＴが重畳して互いに連結される。

基板（図示せず）上に低電位ラインＶＳＳＬが配置され、低電位ラインＶＳＳＬ上にパッシベーション膜ＰＡＳとオーバーコート層ＯＣが配置される。オーバーコート層ＯＣ上に第２電極ＣＡＴが配置される。オーバーコート層ＯＣにはパッシベーション膜ＰＡＳを露出するオーバーホールＯＣＨが備えられ、パッシベーション膜ＰＡＳにも第２電極ＣＡＴが低電位ラインＶＳＳＬとコンタクトするように複数のパッシベーションホールＰＡＣＨを備える。したがって、第２電極ＣＡＴはオーバーコート層ＯＣのオーバーホールＯＣＨとパッシベーション膜ＰＡＳのパッシベーションホールＰＡＣＨを通じて低電位ラインＶＳＳＬと連結される。低電位ラインＶＳＳＬと第２電極ＣＡＴとの間の電流パスは第２電極ＣＡＴから低電位ラインＶＳＳＬに流れるようになる。

本発明は前述した図７に図示したものとは異なり、第２電極ＣＡＴと低電位ラインＶＳＳＬと連結されるためのパッシベーションホールＰＡＣＨが複数個に備えられる。平面視すると、複数のパッシベーションホールＰＡＣＨはオーバーホールＯＣＨ内に配置される。ここで、複数のパッシベーションホールＰＡＣＨの全周囲はオーバーホールＯＣＨの周囲より長く形成される。

図１１を参照すると、一定の厚さ（Ｔ）、幅（Ｗ）、及び長さ（Ｌ）を有する配線が示されている。このように、厚さが同一な配線の場合、幅（Ｗ）を増加させることで、配線の抵抗を減らすことができる。

このような原理を用いて、本発明は第２電極ＣＡＴの厚さが薄くなって抵抗が増える領域、即ち、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬの面積を増加させて第２電極ＣＡＴの抵抗を低める。この際、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬの面積はパッシベーションホールＰＡＣＨの周囲の長さに比例し、図１１の配線の幅（Ｗ）を増加させるようにパッシベーションホールＰＡＣＨの周囲の長さを増加させて第２電極ＣＡＴの抵抗を低める。

具体的に、図１２から図１４を参照して、図１０の領域別に断面構造を説明する。図１２に図示された断面構造は、電極コンタクト部ＣＣでパッシベーションホールＰＡＣＨが形成されない領域である。

図１２を参照すると、基板（図示せず）上に低電位ラインＶＳＳＬが配置される。低電位ラインＶＳＳＬは、薄膜トランジスタのゲート電極物質からなる。低電位ラインＶＳＳＬ上に層間絶縁膜ＩＬＤが配置される。層間絶縁膜ＩＬＤ上に第１連結パターンＳＤＣが配置される。第１連結パターンＳＤＣは、薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極物質からなり、電極コンタクト部ＣＣで島（island）パターンに形成される。第１連結パターンＳＤＣ上にパッシベーション膜ＰＡＳが配置され、パッシベーション膜ＰＡＳ上にオーバーコート層ＯＣが配置される。オーバーコート層ＯＣは、下部のパッシベーション膜ＰＡＳを露出するためにオーバーホールＯＣＨを備える。オーバーコート層ＯＣ及びパッシベーション膜ＰＡＳ上に第２連結パターンＩＴＣが配置され、オーバーコート層ＯＣ及び第２連結パターンＩＴＣ上に第２電極ＣＡＴが配置される。

図１２に図示された領域はパッシベーションホールＰＡＣＨが形成されないので、第２電極ＣＡＴが低電位ラインＶＳＳＬに連結されない。したがって、第２電極ＣＡＴの電流パスは第２電極ＣＡＴに沿って流れるようになる。

一方、図１３を参照して電極コンタクト部ＣＣでパッシベーションホールＰＡＣＨが形成された領域の断面構造を調べると、基板（図示せず）上に低電位ラインＶＳＳＬが配置される。低電位ラインＶＳＳＬは、薄膜トランジスタのゲート電極物質からなる。低電位ラインＶＳＳＬ上に層間絶縁膜ＩＬＤが位置し、層間絶縁膜ＩＬＤは下部の低電位ラインＶＳＳＬを露出する少なくとも１つの層間ホールＩＬＣＨを備える。層間絶縁膜ＩＬＤ上に第１連結パターンＳＤＣが位置する。第１連結パターンＳＤＣは薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極物質からなり、電極コンタクト部ＣＣで島（island）パターンに形成される。第１連結パターンＳＤＣは、層間ホールＩＬＣＨを通じて下部の低電位ラインＶＳＳＬとコンタクトする。

第１連結パターンＳＤＣ上にパッシベーション膜ＰＡＳが配置される。パッシベーション膜ＰＡＳは下部の第１連結パターンＳＤＣを露出するためにパッシベーションホールＰＡＣＨを備える。パッシベーションホールＰＡＣＨはパッシベーション膜ＰＡＳの厚さが減って下部の第１連結パターンＳＤＣを露出する傾斜部ＳＬを含む。

パッシベーション膜ＰＡＳ上にオーバーコート層ＯＣが配置される。オーバーコート層ＯＣは、下部のパッシベーション膜ＰＡＳ及び第１連結パターンＳＤＣを露出するためにオーバーホールＯＣＨを備える。オーバーホールＯＣＨは、オーバーコート層ＯＣの厚さが減って下部のパッシベーション膜ＰＡＳ及び第１連結パターンＳＤＣを露出する傾斜部ＯＳＬを含む。オーバーコート層ＯＣ、パッシベーション膜ＰＡＳ、及び第１連結パターンＳＤＣ上に第２連結パターンＩＴＣが配置される。第２連結パターンＩＴＣは、オーバーコート層ＯＣ及びパッシベーション膜ＰＡＳのステップカバレッジに従って形成されて第１連結パターンＳＤＣとコンタクトする。第２連結パターンＩＴＣは、第１電極と同一な材料、例えばＩＴＯなどの金属酸化物からなる。

そして、オーバーコート層ＯＣ及び第２連結パターンＩＴＣ上に第２電極ＣＡＴが配置される。第２電極ＣＡＴは、第２連結パターンＩＴＣのステップカバレッジに従って形成される。したがって、第２電極ＣＡＴが第２連結パターンＩＴＣと直接コンタクトして、最終的に第２電極ＣＡＴが低電位ラインＶＳＳＬと電気的に連結される。

図１０及び図１３を参照すると、電極コンタクト部ＣＣは、第１領域Ａ、第２領域Ｂ、及び第３領域Ｃに区分できる。第１領域Ａは平らなオーバーホールＯＣＨが始まる領域であって、オーバーホールＯＣＨの傾斜部ＯＳＬが位置した領域であり、第２領域ＢはパッシベーションホールＰＡＣＨが始まる領域であって、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬが位置した領域であり、第３領域Ｃはパッシベーション膜ＰＡＳが存在しないパッシベーションホールＰＡＣＨの内部領域である。

前記第１から第３領域Ａ、Ｂ、Ｃで電流パスを調べると、第１領域Ａの第２電極ＣＡＴから電流が流れて第２領域Ｂを通じて第３領域Ｃの低電位ラインＶＳＳＬに流れ出す。この際、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬは第２電極ＣＡＴの厚さが薄くなる領域であって、第２電極ＣＡＴの抵抗を増加させる要因として作用する。

図１４を参照して複数のパッシベーションホールＰＡＣＨが表れた断面構造を調べると、基板（図示せず）上に低電位ラインＶＳＳＬが配置される。低電位ラインＶＳＳＬ上に層間絶縁膜ＩＬＤが位置し、層間絶縁膜ＩＬＤは下部の低電位ラインＶＳＳＬを露出する少なくとも１つの層間ホールＩＬＣＨを備える。層間絶縁膜ＩＬＤ上に第１連結パターンＳＤＣが位置する。第１連結パターンＳＤＣは層間ホールＩＬＣＨを通じて下部の低電位ラインＶＳＳＬとコンタクトする。

第１連結パターンＳＤＣ上にパッシベーション膜ＰＡＳが配置される。パッシベーション膜ＰＡＳは、下部の第１連結パターンＳＤＣを露出するために複数のパッシベーションホールＰＡＣＨを備える。パッシベーションホールＰＡＣＨは、パッシベーション膜ＰＡＳの厚さが減って下部の第１連結パターンＳＤＣを露出する傾斜部ＳＬを各々含む。

パッシベーション膜ＰＡＳ上にオーバーコート層ＯＣが配置される。オーバーコート層ＯＣは、下部のパッシベーション膜ＰＡＳ及び第１連結パターンＳＤＣを露出するためにオーバーホールＯＣＨを備える。オーバーホールＯＣＨも厚さが減って下部のパッシベーション膜ＰＡＳを露出する傾斜部ＯＳＬを含む。オーバーコート層ＯＣ、パッシベーション膜ＰＡＳ、及び第１連結パターンＳＤＣ上に第２連結パターンＩＴＣが配置される。第２連結パターンＩＴＣは、オーバーコート層ＯＣ及びパッシベーション膜ＰＡＳのステップカバレッジに従って形成されて第１連結パターンＳＤＣとコンタクトする。そして、オーバーコート層ＯＣ及び第２連結パターンＩＴＣ上に第２電極ＣＡＴが配置される。第２電極ＣＡＴは、第２連結パターンＩＴＣのステップカバレッジに従って形成される。したがって、第２電極ＣＡＴが第２連結パターンＩＴＣと直接コンタクトして、最終的に第２電極ＣＡＴが低電位ラインＶＳＳＬと電気的に連結される。

図１４に図示された電極コンタクト部ＣＣでは、オーバーホールＯＣＨの傾斜部ＯＳＬが位置した第１領域Ａ及びパッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬが位置した第２領域Ｂが表れる。前記第１領域Ａ及び第２領域Ｂで電流パスを調べると、第１領域Ａの第２電極ＣＡＴから電流が流れて第２領域Ｂを通じて低電位ラインＶＳＳＬに流れ出す。

本発明は第２電極ＣＡＴから低電位ラインＶＳＳＬに入る電流パスを広げてくれて、第２電極ＣＡＴの全体抵抗及び電流密度を減少させる。具体的に、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬの面積を増加させて電極コンタクト部ＣＣでの第２電極ＣＡＴの全体抵抗及び電流密度を減少させる。パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬの面積はパッシベーションホールＰＡＣＨの周囲の長さに比例するので、パッシベーションホールＰＡＣＨの周囲の長さを増加させることも同一な効果を示すことができる。

第２電極ＣＡＴから低電位ラインＶＳＳＬに入る電流パスを広げてくれるために、パッシベーションホールＰＡＣＨの形状は多様になされることができる。

図１５及び図１６に図示したように、パッシベーションホールＰＡＣＨは横ストライプまたは縦ストライプ 平面構造からなることができ、図１７に図示したように、ドット平面形状からなることもできる。しかしながら、パッシベーションホールＰＡＣＨの傾斜部ＳＬの面積がオーバーホールＯＣＨの傾斜部ＯＳＬの面積より大きく形成されるか、またはパッシベーションホールＰＡＣＨの全周囲がオーバーホールＯＣＨの周囲より長く形成されれば、パッシベーションホールＰＡＣＨの平面形状は如何なる形状からなっても関係ない。また、図１５から図１７で、パッシベーションホールＰＡＣＨの平面形状を複数の三角形または四角形に図示したが、複数の円形またはランダムな形状も可能である。

前述したように、本発明は電極コンタクト部でパッシベーション膜のパッシベーションホールを複数に形成し、かつオーバーコート層のオーバーホールより周囲の長さを長く形成するか、またはパッシベーションホールの傾斜部の面積をオーバーホールの傾斜部の面積より大きく形成することができる。したがって、第２電極で低電位ラインに流れ込む電流パスを増加させて、第２電極の全体抵抗及び電流密度を減少させることができる。したがって、本発明は電極コンタクト部で第２電極の抵抗によってバーントが発生することを防止することができる利点がある。

以上で説明された実施形態は本発明の構成要素と特徴が所定の形態に結合されたものである。各構成要素または特徴は別途の明示的な言及がない限り、選択的なものとして考慮されなければならない。各構成要素または特徴は、他の構成要素や特徴と結合されない形態に実施できる。また、一部の構成要素及び／又は特徴を結合して本発明の実施形態を構成することも可能である。本発明の実施形態で説明される動作の順序は変更できる。

本特許出願は、２０１７年１０月１６日付けで韓国に出願した特許出願番号第１０−２０１７−０１３４１８０号に対して優先権を主張し、その全ての内容は参考文献として本特許出願に併合される。

Claims (9)

1. 第１電極、有機膜層、及び第２電極を含む有機発光ダイオードが位置する表示部と、
   前記表示部の外に位置し、少なくとも１つの連結パターンを通じて前記第２電極と低電位ラインとが連結された電極コンタクト部を含む非表示部と、を含み、
   前記電極コンタクト部は、
   前記少なくとも１つの連結パターンを露出する複数のパッシベーションホールを含むパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜を露出するオーバーコートホールを含むオーバーコート層とを含み、前記複数のパッシベーションホールの全周囲は前記オーバーコートホールの周囲より長い、表示装置。
2. 第１電極、有機膜層、及び第２電極を含む有機発光ダイオードが位置する表示部と、
   前記表示部の外に位置し、少なくとも１つの連結パターンを通じて前記第２電極と低電位ラインとが連結された電極コンタクト部を含む非表示部と、を含み、
   前記電極コンタクト部は、
   前記少なくとも１つの連結パターンを露出する複数のパッシベーションホールを含むパッシベーション膜と、
   前記パッシベーション膜を露出するオーバーコートホールを含むオーバーコート層とを含み、前記複数のパッシベーションホールの傾斜部の面積は、前記オーバーコートホールの傾斜部の面積より大きい、表示装置。
3. 前記複数のパッシベーションホールは、前記オーバーコートホール内に配置される、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記低電位ライン上で前記低電位ラインとコンタクトする第１連結パターンと、
   前記第１連結パターン上で前記第１連結パターンとコンタクトする第２連結パターンをさらに含む、請求項１または２のいずれかに記載の表示装置。
5. 前記第２連結パターンは、前記複数のパッシベーションホールの傾斜部に沿って前記第１連結パターンとコンタクトする、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記パッシベーション膜は、前記第１連結パターンと前記第２連結パターンとの間に位置し、前記複数のパッシベーションホールは前記第１連結パターンを露出する、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第２電極は前記第２連結パターン上に位置し、前記第２連結パターンとコンタクトする、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記第１電極はアノードであり、前記第２電極はカソードである、請求項１または２のいずれかに記載の表示装置。
9. 前記複数のパッシベーションホールの平面形状はストライプ状またはドット形である、請求項１または２のいずれかに記載の表示装置。