JP6670458B1 - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

高い透過率を有し、低電圧駆動が可能なＶＯＴタイプの液晶表示素子を提供する。液晶表示素子１０は、対向配置されたアクティブマトリックス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦと、これらの基板ＡＭ、ＣＦ同士の間に設けられ、液晶組成物で構成された液晶層５と、基板ＡＭに設けられ、面方向における離間距離が基板ＡＭ、ＣＦ同士の離間距離より小さくなるように配置された共通電極２１および画素電極２２とを有する。この液晶表示素子１０では、共通電極２１が画素電極２２より液晶層５側に配置され、共通電極２１と画素電極２２との間にフリンジ電界Ｅを形成する。液晶組成物は、負の誘電率異方性を有し、２５℃における誘電率異方性の絶対値が３以上である第１の液晶分子と、２５℃における誘電率異方性の絶対値が２以下である第２の液晶分子とを含有する。

Description

本発明は、液晶表示素子に関する。

表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス方式の液晶表示素子が、携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等に広く用いられている。アクティブマトリクス方式の液晶表示素子では、画素毎にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）またはＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）等が使用されている。この方式の液晶表示素子に用いられる液晶分子（液晶化合物）や液晶組成物は、高電圧保持率を有することが重要視されている。

さらに広い視角特性を得るために、ＶＡ（Vertical Alignment：垂直配向）モード、ＩＰＳ（In Plane Switching）モード、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend, Optically Compensated Birefringence）モードと組み合わせた液晶表示素子や、より明るい表示を得るために、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）モードの反射型の液晶表示素子が提案されている。このような液晶表示素子に対応するために、現在も新しい液晶分子や液晶組成物の提案がなされている。

現在、スマートフォン用の液晶ディスプレイには、高品位で、視認性に優れるＩＰＳモードの一種であるフリンジフィールドスイッチングモードの液晶表示素子（Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display）が広く用いられている（例えば、特許文献１〜３参照）。このＦＦＳモードの液晶表示素子は、画素電極を共通電極より液晶層側に配置するＰＯＴ（Pixel on Top）タイプと、共通電極を画素電極より液晶層側に配置するＶＯＴ（Vcommon on Top）タイプとに大別される。現状、いずれのタイプの液晶表示素子についても、特性の更なる向上を目的として、液晶組成物の検討がなされている。

特開２００１−５６４７４号公報 特開２００２−２４４１５８号公報 特開２００１−５９９７６号公報

本発明は、高い透過率を有し、低電圧駆動が可能なＶＯＴタイプの液晶表示素子を提供することにある。

このような目的は、下記の（１）〜（８）の本発明により達成される。

（１） 対向配置された一対の基板と、
該基板同士の間に設けられ、液晶組成物で構成された液晶層と、
一方の前記基板に設けられ、面方向における離間距離が前記基板同士の離間距離より小さくなるように配置された共通電極および画素電極とを有し、
前記共通電極が前記画素電極より前記液晶層側に配置され、前記共通電極と前記画素電極との間にフリンジ電界を形成する液晶表示素子であって、
前記液晶組成物は、負の誘電率異方性を有し、２５℃における誘電率異方性の絶対値が３以上である第１の液晶分子と、２５℃における誘電率異方性の絶対値が２以下である第２の液晶分子とを含有することを特徴とする液晶表示素子。

（２） 前記第１の液晶分子は、下記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）および（Ｎ−３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含む上記（１）に記載の液晶表示素子。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子またはフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は、−ＣＨ_２−または酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１およびｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２または３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）

（３） 前記第２の液晶分子は、下記一般式（Ｌ）で表される化合物から選択される少なくとも１種を含む上記（１）または（２）に記載の液晶表示素子。

（式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）

（４） 前記液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は、６０℃以上である上記（１）から（３）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（５） 前記液晶組成物の２５℃における誘電率異方性（Δε）の絶対値は、３〜５である上記（１）から（４）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（６） 前記液晶組成物の２５℃における回転粘度（γ１）は、１６５ｍＰａ・ｓ未満である上記（１）から（５）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（７） 前記共通電極は、複数のスリットを備える上記（１）から（６）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（８） 前記画素電極と前記共通電極との面方向における離間距離は、０である上記（１）から（７）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

本発明によれば、誘電率異方性が小さいか、誘電率異方性を有さない液晶分子を含有する液晶組成物を用いることにより、高い透過率を有し、低電圧駆動が可能なＶＯＴタイプの液晶表示素子が得られる。

液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図である。 図１中のＩＩ線で囲まれた領域の一例を拡大して示す平面図である。 図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。 配向膜により誘起された液晶分子の配向方向を模式的に示す図である。 図１中のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大して示す平面図である。 液晶表示素子の他の構成例を示す断面図（図３に対応）である。

以下、本発明の液晶表示素子について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。

図１は、液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図、図２は、図１中のＩＩ線で囲まれた領域の一例を拡大して示す平面図、図３は、図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図、図４は、配向膜により誘起された液晶分子の配向方向を模式的に示す図である。

なお、図１〜図４（後述する図５および図６においても同様）では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。

また、説明の都合上、図１中の右側を「上側」と、左側を「下側」と言い、図２、図４および図５中の紙面手前側を「上側」と、左側を「下側」と言い、図３および図６中の上側を「上側」と、下側を「下側」と言う。

図１に示す液晶表示素子１０は、ＦＦＳモードの液晶表示素子である。この液晶表示素子１０は、アクティブマトリックス基板ＡＭと、アクティブマトリックス基板ＡＭに対して対向配置されたカラーフィルタ基板ＣＦと、これらの基板ＡＭ、ＣＦ同士の間に挟持され、液晶組成物で構成された液晶層５とを有している。

アクティブマトリックス基板ＡＭは、下側基板２と、下側基板２の上面（液晶層５側の面）に形成された電極層３とを備えている。一方、カラーフィルタ基板ＣＦは、上側基板７と、上側基板７の下面（液晶層５側の面）に形成されたカラーフィルタ６とを備えている。

また、液晶層５と電極層３およびカラーフィルタ６との間には、それぞれ配向膜４が設けられている。各配向膜４は、液晶層５を構成する液晶組成物と直接接触して、液晶組成物中の液晶分子のホモジニアス配向を誘起する。なお、液晶分子は、電圧無印加時に下側基板２および上側基板７に対してほぼ平行になるように配向されている。

図１および図３に示すように、下側基板２の下面および上側基板７の上面には、それぞれ偏光板１、８が設けられている。

このように、本実施形態の液晶表示素子１０は、下側偏光板１と、下側基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、液晶組成物で構成された液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、上側基板７と、上側偏光板８とが順次積層された構成を有している。

下側基板２および上側基板７は．それぞれガラスまたはプラスチックのような柔軟性を有する透明な材料で構成することができる。なお、下側基板２および上側基板７の一方を、シリコン等の不透明な材料で構成するようにしてもよい。

アクティブマトリックス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの周辺領域には、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール材が配置され、このシール材によってアクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとが貼り合わされている。

なお、アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの間には、これらの離間距離を保持（規定）するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

図２に示すように、下側基板２の上面に形成され、薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリックス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２６および一対のデータバスライン２５のみが示されている。

２つのゲートバスライン２６と２つのデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示素子１０の単位画素領域が形成され、この単位画素領域内には、共通電極２１および画素電極２２が形成されている。

ゲートバスライン２６とデータバスライン２５とが互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタのドレイン電極２４は、画素電極２２に接続されており、画素電極２２に表示信号を供給するスイッチ素子として機能する。

また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられている。この共通ライン２９は、共通電極２１に接続されており、共通電極２１に共通信号を供給するように機能する。

図３に示すように、薄膜トランジスタは、下側基板２の上面に形成されたゲート電極１１（２８）と、ゲート電極１１を覆うように下側基板２のほぼ全面に形成されたゲート絶縁層１２とを備えている。ゲート絶縁層１２の上面には、ゲート電極１１と対向するよう半導体層１３が形成されている。また、保護膜１４が、半導体層１３の上面の一部を覆うように形成されている。

この保護層１４および半導体層１３の一方の側端部を覆うように、オーミック接触層１５を介してドレイン電極１６（２４）が設けられ、保護膜１４および半導体層１３の他方の側端部を覆うように、オーミック接触層１５を介してソース電極１７（２７）が設けられている。さらに、ドレイン電極１６およびソース電極１７を覆うように、絶縁保護層１８が形成されている。

なお、ゲート電極１１の上面には、ゲートバスライン２６との段差を低減すること等を目的として、陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

半導体層１３は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコン等で構成することができる。その他、半導体層１３に、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、液晶表示素子１０の開口率を増大する観点からも好ましい。

オーミック接触層１５は、半導体層１３とドレイン電極１６およびソース電極１７との間におけるショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で設けられる。このオーミック接触層１５は、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等に、リン等の不純物を高濃度に添加した材料で構成することができる。

ゲートバスライン２６、データバスライン２５および共通ライン２９は、それぞれ金属材料で構成することが好ましい。かかる金属材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられ、ＡｌまたはＡｌを含む合金が好ましい。

また、絶縁保護層１８は、絶縁性を有する層であり、例えば、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等で構成することができる。

図２および図３に示すように、画素電極２２は、ゲート絶縁層１２の上面に、各単位画素領域内のほぼ全面に形成された平板状の電極（ベタ電極）である。一方、共通電極２１は、画素電極２２を覆う絶縁保護層１８の上面に形成された櫛歯形状をなす電極（一端で開放する複数のスリットを備える電極）である。

本発明では、液晶表示素子１０は、共通電極２１が画素電極２２より液晶層５側に絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置された液晶表示素子、いわゆるＶＯＴ（Vcommon on Top）タイプの液晶表示素子である。

共通電極２１および画素電極２２は、それぞれ、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）のような透明導電性材料で構成することができる。このように、共通電極２１および画素電極２２を透明導電性材料で構成することにより、液晶表示素子１０の各単位画素領域における開口面積が大きくなり、開口率および透過率を増大させることができる。

共通電極２１と画素電極２２とは、これらの間にフリンジ電界Ｅを形成するために、共通電極２１と画素電極２２との電極間距離（離間距離）Ｒが、アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの基板間距離（離間距離）Ｇより小さくなるように配置されている。ここで、電極間距離Ｒは、共通電極２１と画素電極２２とが面方向において離間する距離を表す。

図３には、平板状の画素電極２２と櫛歯形状をなす共通電極２１とが重なり合っており、電極間距離Ｒが０（ゼロ）となる例が示されている。電極間距離Ｒが基板間距離（すなわち、セルギャップ）Ｇよりも小さくなるため、フリンジ電界Ｅが形成される。

したがって、このような液晶表示素子１０は、共通電極２１の櫛歯形状（櫛形）を形成するライン（分枝部分）に対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と放物線状の電界とを利用することができる。

この場合、共通電極２１のラインの幅ｌおよび共通電極２１のライン同士の間隙（スリット）の幅ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子３０が全て駆動され得る程度に適宜調整することが好ましい。

また、カラーフィルタ６には、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分に、ブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

電極層３の上面およびカラーフィルタ６の下面にそれぞれ設けられた配向膜４は、例えば、ラビング処理が施されたポリイミド膜で構成することができ、２つの配向膜４の配向方向は平行である。

ここで、図４を用いて、配向膜４のラビング方向（液晶分子の配向方向）について説明する。液晶組成物が負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を含有する場合、共通電極２１の櫛歯形状を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたとき、このｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが約０〜４５°となるように、液晶分子３０を配向させることが好ましい。なお、図３には、ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが約０°の例が示されている。

このように、液晶分子３０の配向方向を誘起させることにより、液晶表示素子１０の最大透過率を高めることができる。

また、下側偏光板１および上側偏光板８は、それらの透過軸の関係を適宜設定することにより、液晶表示素子１０に表示される画像の視野角やコントラストが良好になるように調整することができる。下側偏光板１および上側偏光板８は、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直交するように配置することが好ましい。特に、上側偏光板１および下側偏光板８のうちの一方は、その透過軸が液晶分子３０の配向方向と平行となるように配置することが好ましい。

また、液晶表示素子１０に表示される画像のコントラストが最大になるように、液晶分子（液晶組成物）の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。さらに、液晶表示素子１０に表示される画像の視野角を広げるために、位相差フィルムを使用することもできる。

このような構成の液晶表示素子１０は、薄膜トランジスタを介して画素電極２２に画像信号（電圧）を供給（印加）することで、共通電極２１と画素電極２２との間にフリンジ電界Ｅを生じさせ、この電界Ｅによって液晶分子３０を駆動する。

すなわち、電圧を印加しない状態では、液晶分子３０は、その長軸方向が、配向膜４の配向方向と平行になるように配置している。電圧を印加すると、共通電極２１と画素電極２２との間に、放物線状の電界の等電位線が共通電極２１および画素電極２２の上部にまで形成され、液晶分子３０は、形成された電界Ｅに沿って液晶層５内で回転する。

本発明では、好ましくは負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いるため、液晶分子３０の長軸方向が、発生した電界方向に直交するように回転する。共通電極２１の近くに位置する液晶分子３０は、フリンジ電界Ｅの影響を受け易い。

しかしながら、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０は、その分極方向が短軸方向であることから、長軸方向が配向膜４の面方向に対して直交する方向（液晶層５の厚さ方向）に回転することはない。そのため、液晶層５内の全ての液晶分子３０は、その長軸方向が配向膜４の面方向に対して平行な状態を維持することができる。

したがって、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いれば、より優れた透過率特性を有する液晶表示素子１０を得ることができる。

図１〜図４を用いて説明した液晶表示素子１０は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、液晶表示素子１０は、図５に示す構成とすることができる。図５は、図１中のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大して示す平面図である。

図５に示す共通電極２１は、両端が閉じた複数のスリット（平面視において長方形状をなす開口）を有し、連子状をなしている。なお、図５に示す構成では、スリットのパターンが、ゲートバスライン２６またはデータバスライン２５に対して所定の角度で傾斜するように形成されているが、傾斜することなく形成されてもよい。

また、図６は、液晶表示素子の他の構成例を示す断面図（図３に対応）である。

図６に示す液晶表示素子１０は、櫛歯形状または連子形状をなす画素電極２２を有し、共通電極２１と画素電極２２との電極間距離（離間距離）Ｒがαとなっている。

この場合、共通電極２１のラインの幅ｌ、画素電極２２のラインの幅ｎおよび電極間距離Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子３０が全て駆動され得る程度に適宜調整することが好ましい。

以上説明したような液晶表示素子１０、すなわちＶＯＴタイプの液晶表示素子１０は、開口率が大きく、よって高い透過率を有し、高解像度の表示も可能となる。

特に、本発明では、負の誘電率異方性を有し、２５℃における誘電率異方性の絶対値が３以上である第１の液晶分子と、２５℃における誘電率異方性の絶対値が２以下である第２の液晶分子とを含有する液晶組成物を用いる。第２の液晶分子は、誘電率異方性が小さいか、誘電率異方性を有さないため、液晶組成物の粘度（η）を低減することができる。このため、液晶層５（液晶表示素子１０）の低電圧駆動が可能となる。

第１の液晶分子と第２の液晶分子との量的な関係は、第１の液晶分子と第２の液晶分子との合計量に対する第２の液晶分子の量の比率で規定することができる。比率の好ましい下限値は、２０％、２３％、２５％、２８％、３０％、３３％、３５％、３８％、４０％、４３％、４５％、４８％、５０％、５３％、５５％、５８％である。一方、比率の好ましい上限値は、７０％、６８％、６５％、６３％、６０％、５８％、５５％、５３％、５０％、４８％、４５％、４３％、４０％である。このように、比較的多い量で第２の液晶分子を含む液晶組成物を用いることにより、前記効果をより向上させることができる。

液晶層５（液晶表示素子１０）の応答速度の改善を重視する場合には、第２の液晶分子の比率を大きく設定することが好ましく、液晶組成物の誘電率異方性の改善を重視する場合には、第２の液晶分子の比率を小さく設定することが好ましい。

液晶組成物中に含まれる第２の液晶分子の具体的な量は、１０〜６０質量％程度であることが好ましく、２０〜５０質量％程度であることがより好ましい。

なお、本明細書中において、液晶組成物中に含まれる「化合物Ｘ」の量とは、液晶組成物の総質量に対する「化合物Ｘ」の質量の割合（百分率）を意味する。

第１の液晶分子の誘電率異方性の絶対値は、３以上であればよいが、３．５〜５程度であることが好ましく、４〜５程度であることがより好ましい。かかる絶対値の誘電率異方性を有する第１の液晶分子であれば、フリンジ電界Ｅの作用により確実に駆動することができる。

このような第１の液晶分子は、下記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）および（Ｎ−３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。かかる第１の液晶分子は、誘電率異方性の絶対値が大きいことから好ましい。

式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。

Ｘ^Ｎ２１は、水素原子またはフッ素原子を表す。

Ｔ^Ｎ３１は、−ＣＨ_２−または酸素原子を表す。

ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１およびｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０〜３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２または３であり、Ａ^Ｎ１１〜Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１〜Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基または炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることがより好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることがさらに好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基または炭素原子数２〜３のアルケニル基であることが特に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）であることが最も好ましい。

また、それらは、ベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または炭素原子数４〜５のアルケニル基であることが好ましく、シクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、それらの炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）〜（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。

具体的には、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましく、下記化５の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基または１，４−フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−または単結合であることが好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−または単結合であることがより好ましく、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合がさらに好ましい。

Ｘ^Ｎ２１は、フッ素原子であることが好ましい。

Ｔ^Ｎ３１は、酸素原子であることが好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、１または２であることが好ましい。具体的には、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせが好ましい。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％、２０質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％、２０質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％、２０質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。

一般式（Ｎ−１）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ−１ａ）〜（Ｎ−１ｇ）で表される化合物を挙げることができる。

式中、Ｒ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２は、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

ｎ^Ｎａ１１は、０または１を表す。

ｎ^Ｎｂ１１は、１または２を表す。

ｎ^Ｎｃ１１は、０または１を表す。

ｎ^Ｎｄ１１は、１または２を表す。

ｎ^Ｎｅ１１は、１または２を表す。

ｎ^Ｎｆ１２は、１または２を表す。

ｎ^Ｎｇ１１は、１または２を表す。

Ａ^Ｎｅ１１は、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−フェニレン基を表す。

Ａ^Ｎｇ１１は、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基または１，４−フェニレン基を表すが、少なくとも１つは、１，４−シクロヘキセニレン基を表す。

Ｚ^Ｎｅ１１は、単結合またはエチレン基を表すが、少なくとも１つは、エチレン基を表す。

ただし、Ａ^Ｎｅ１１、Ｚ^Ｎｅ１１および／またはＡ^Ｎｇ１１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

より具体的には、一般式（Ｎ−１）で表される化合物は、下記一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１１１およびＲ^Ｎ１１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１１１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、プロピル基、ペンチル基またはビニル基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｎ１１２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、下記式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、下記式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、下記式（Ｎ−１−１．１）および（Ｎ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．２５）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１２１およびＲ^Ｎ１２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１２１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基またはペンチル基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｎ１２２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３７質量％、４０質量％、４２質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４８質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、下記式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）〜（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）、式（Ｎ−１−２．１３）および式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

なお、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、Δεの改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．３）〜（Ｎ−１−２．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、Ｔ_ｎｉの改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）および式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、応答速度の改良を重視する場合には、式（Ｎ−１−２．２０）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−２．１）〜（Ｎ−１−２．２５）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１３１およびＲ^Ｎ１３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１３１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｎ１３２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数３〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、１−プロペニル基、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）および式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）および式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）および式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできるが、式（Ｎ−１−３．１）で表される化合物と式（Ｎ−１−３．２）で表される化合物との併用、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）および式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種または３種の併用が好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．４）、式（Ｎ−１−３．６）および式（Ｎ−１−３．２１）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１４１およびＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１４１およびＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−４．１）、式（Ｎ−１−４．２）および式（Ｎ−１−４．４）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．２４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１５１およびＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１５１およびＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることが好ましい。

一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）〜（Ｎ−１−５．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）および式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）および式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−５．１）、式（Ｎ−１−５．２）および式（Ｎ−１−５．４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}およびＲ^{Ｎ１１０２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１０１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基または１−プロペニル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１０２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）および式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物から選ばれることがさら好ましい。

式（Ｎ−１−１０．１）および式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１０．１）および式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}およびＲ^{Ｎ１１１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１１１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基または１−プロペニル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１１２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１１．２および式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ−１−１１．２）および式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ−１−１１．２）および式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}およびＲ^{Ｎ１１２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１２１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１２２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}およびＲ^{Ｎ１１３２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１３１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１３２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}およびＲ^{Ｎ１１４２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１４１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１４２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１５１}およびＲ^{Ｎ１１５２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１５１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１５２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１５）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１６１}およびＲ^{Ｎ１１６２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１６１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１６２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１６）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１７１}およびＲ^{Ｎ１１７２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１７１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１７２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１７）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１８１}およびＲ^{Ｎ１１８２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１８１}は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

Ｒ^{Ｎ１１８２}は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択され。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−１８）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１８．１）〜（Ｎ−１−１８．５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−１８．１）〜（Ｎ−１−１１．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−１８．２および式（Ｎ−１−１８．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}およびＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２０１}およびＲ^{Ｎ１２０２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}およびＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２１１}およびＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２２１}およびＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２２１}およびＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−１−２２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ−１−２２．１）〜（Ｎ−１−２２．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

一般式（Ｎ−２）で表される化合物は、一般式（Ｎ−２−１）〜（Ｎ−２−３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎ２１１、Ｒ^Ｎ２１２、Ｒ^Ｎ２２１、Ｒ^Ｎ２２２、Ｒ^Ｎ２３１およびＲ^Ｎ２３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−２）におけるＲ^Ｎ２１およびＲ^Ｎ２２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ２１１、Ｒ^Ｎ２２１およびＲ^Ｎ２３１は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、プロピル基またはペンチル基であることがより好ましい。

Ｒ^Ｎ２１２、Ｒ^Ｎ２２２およびＲ^Ｎ２３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数１〜５のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはペンチルオキシ基であることがより好ましい。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。γ１を重視する場合には、実質的に含有しないことが好ましい。

その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５％質量、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％である。

一般式（Ｎ−３）で表される化合物は、一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｎ３２１およびＲ^Ｎ３２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ−３）におけるＲ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ３２１およびＲ^Ｎ３２２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましく、プロピル基またはペンチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５％質量、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ−３−２）で表される化合物は、式（Ｎ−３−２．１）〜（Ｎ−３−２．３）で表される化合から選ばれることが好ましい。

第２の液晶分子の誘電率異方性の絶対値は、２以下であることが好ましく、１．５以下であることがより好ましく、１以下であることがさらに好ましい。なお、第２の液晶分子の誘電率異方性の絶対値は、０（ゼロ）であってもよい。

このような第２の液晶分子は、下記一般式（Ｌ）で表される化合物から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。かかる第２の液晶分子は、誘電率異方性の絶対値が小さく、０（ゼロ）に近いことから好ましい。そのため、分子内に存在するハロゲン等の極性基の数は、２個以下であることが好ましく、１個以下であることがより好ましく、０個であることがさらに好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよい。

ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表す。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表す。

ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。

ｎ^Ｌ１が２または３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類である。あるいは、使用する化合物の種類は、本発明の別の実施形態では、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の双方がアルキル基であることが好ましく、第２の液晶分子の揮発性を低減させることを重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の双方がアルコキシ基であることが好ましく、液晶組成物の粘性の低下を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の少なくとも一方がアルケニル基であることが好ましい。

分子内に存在するハロゲン原子の数は、０、１、２または３個であることが好ましく、０または１個であることがより好ましく、他の液晶分子との相溶性を重視する場合には、１個であることがさらに好ましい。

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それらがベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または炭素原子数４〜５のアルケニル基であることが好ましく、それらがシクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）〜（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

ｎ^Ｌ１は、応答速度を重視する場合には０であることが好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２または３であることが好ましく、これらのバランスをとるためには１であることが好ましい。また、液晶組成物として求められる特性を満たすためには、ｎ^Ｌ１が異なる値である複数種類の一般式（Ｌ）で表される化合物を併用することが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。

具体的には、Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましく、下記化３８の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基または１，４−フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、その分子内に存在するハロゲン原子の数が０または１個であることが好ましい。

より具体的には、一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１）で表される化合物の量は、次のように設定される。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％、４５質量％、５０質量％、５５質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、９０質量％、８５質量％、８０質量％、７５質量％、７０質量％、６５質量％、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値が高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が中庸、かつ上限値が中庸であることが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

また、液晶組成物は、第２の液晶分子として、Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２の一方がアルケニル基である一般式（Ｌ−１）で表される化合物を所定量以上で含むことが好ましい。これにより、液晶組成物の回転粘度（γ１）が低下して、その応答速度が改善する傾向を示す。

好ましい所定量は、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２８質量％、３０質量％、３２質量％、３５質量％、３８質量％、４０質量％、４２質量％、４５質量％、４８質量％、５０質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）〜（Ｌ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）および式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ−１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）〜（Ｌ−１−２．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）または式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−２．３）で表される化合物と式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、３０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３８質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物と式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物との合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）〜（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）および式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）または式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３．３）で表される化合物と、式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物と、式（Ｌ−１−３．１１）で表される化合物と式（Ｌ−１−３．１３）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、２０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−４）および／または（Ｌ−１−５）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基または炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−４）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−４）および（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）〜（Ｌ−１−５．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）および式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）および式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用すること、あるいは式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）および式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することも好ましい。

液晶組成物中に含まれるこれらの化合物の合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、８０質量％、７０質量％、６０質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％である。

液晶組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）および式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましく、液晶組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）および式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましい。

一般式（Ｌ−１）で表される化合物は、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１７およびＲ^Ｌ１８は、それぞれ独立して、メチル基または水素原子を表す。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−１−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−１−６）で表される化合物は、式（Ｌ−１−６．１）〜（Ｌ−１−６．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ２１およびＲ^Ｌ２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ２１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ２２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−２）で表される化合物の量は、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）〜（Ｌ−２．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）および式（Ｌ−２．６）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−３）で表される化合物の量は、高い複屈折率を得る場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）〜（Ｌ−３．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−３．２）〜（Ｌ−３．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ４１およびＲ^Ｌ４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ４１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ４２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−４）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との双方を含有してもよいし、式（Ｌ−４．１）〜（Ｌ−４．３）で表される化合物の全てを含有してもよい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ−４．１）または式（Ｌ−４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、９質量％、１１質量％、１２質量％、１３質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との双方を含有する場合には、それらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、８質量％１０質量％、１２質量％、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．４）〜（Ｌ−４．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることがより好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との双方を含有していてもよい。

液晶組成物中の式（Ｌ−４．４）または式（Ｌ−４．５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１２質量％、１５質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との双方を含有する場合には、これらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、８質量％、１０質量％、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）〜（Ｌ−４．１０）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ５１およびＲ^Ｌ５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ５１は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

Ｒ^Ｌ５２は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−５）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である

さらに、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）または式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）〜（Ｌ−５．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１％質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を表す。

Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが好ましい。

Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２のうちの一方がフッ素原子であり、他方が水素原子であることが好ましい。

一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。なお、一般式（Ｌ−６）で表される化合物の量は、Δｎを大きくすることに重点を置く場合には多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置く場合には少ない方が好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）〜（Ｌ−６．９）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、式（Ｌ−６．１）〜（Ｌ−６．９）で表される化合物の中から１〜３種類選択することが好ましく、１〜４種類選択することがより好ましい。

また、併用する化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）および式（Ｌ−６．２）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．４）および式（Ｌ−６．５）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．６）および式（Ｌ−６．７）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ−６．８）および式（Ｌ−６．９）で表される化合物の中から１種類とを選択し、これらを適宜組み合わせることが好ましい。

中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）、式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）および式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

また、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１０）〜（Ｌ−６．１７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることがより好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい含有量の上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されもよい。

Ｚ^Ｌ７１は、一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、フッ素原子または水素原子を表す。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基または炭素原子数１〜４のアルコキシ基であることが好ましい。

Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、１，４−シクロヘキシレン基または１，４−フェニレン基であることが好ましい。なお、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ７１は、単結合またはＣＯＯ−であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。

Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、水素原子であることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。

使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

なお、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の量は、Ｔｎｉの高い液晶組成物が求められる場合には多めにすることが好ましく、低粘度の液晶組成物が求められる場合には少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）〜（Ｌ−７．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）〜（Ｌ−７．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）〜（Ｌ−７．２３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）〜（Ｌ−７．３４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）および／または式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）〜（Ｌ−７．４４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）および／または式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．５１）〜（Ｌ−７．５３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

以上のような液晶組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を有する化合物を含有しないことが好ましい。

なお、液晶組成物の信頼性および長期安定性を重視する場合には、カルボニル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を、５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることがさらに好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合には、塩素原子が置換している化合物の液晶組成物中の量を、１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることがより好ましく、８質量％以下とすることがさらに好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

また、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の液晶組成物中に含まれる量を多くすることが好ましく、具体的には８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることがさらに好ましく、実質的に１００質量％とすることが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を防止または抑制するためには、環構造としてシクロヘキセン環を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることがより好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

さらに、液晶組成物の酸化による劣化を防止または抑制するためには、連結基として−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の粘度（η）を改善し、かつネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を改善することを重視する場合には、水素原子がハロゲン原子で置換されてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる化合物（第１の液晶分子、第２の液晶分子等）が、側鎖としてアルケニル基が結合したシクロヘキシレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、２〜５であることが好ましい。また、液晶組成物中に含まれる化合物が、側鎖としてアルケニル基が結合したフェニレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、４〜５であることが好ましく、アルケニル基が有する不飽和結合とフェニレン基とは直接結合していないことが好ましい。

また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有し、かつ２，３−ジフルオロベンゼン−１，４−ジイル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）は、好ましくは１０〜２５である。ただし、その好ましい下限値は、１０、１０．５、１１、１１．５、１２、１２．３、１２．５、１２．８、１３、１３．３、１３．５、１３．８、１４、１４．３、１４．５、１４．８、１５、１５．３、１５．５、１５．８、１６、１６．３、１６．５、１６．８、１７、１７．３、１７．５、１７．８、１８である。一方、その好ましい上限値は、２５、２４．５、２４、２３．５、２３、２２．８、２２．５、２２．３、２２、２１．８、２１．５、２１．３、２１、２０．８、２０．５、２０．３、２０、１９．８、１９．５、１９．３、１９、１８．８、１８．５、１８．３、１８、１７．８、１７．５、１７．３、１７である。

消費電力削減を重視する場合には、バックライトの光量を抑えることが有効であるので、液晶表示素子１０の光の透過率を向上させることが好ましい。そのため、Ｋ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合には、Ｋ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。

液晶組成物の２５℃における屈折率異方性（Δｎ）（以下、単に「屈折率異方性」とも言う。）の値は、０．０８〜０．１３程度であることが好ましく、０．０９〜０．１２程度であることがより好ましい。更に詳述すると、基板間距離（セルギャップ）Ｇを小さく設定する場合には、屈折率異方性の値は、２５℃において、０．１０〜０．１２程度であることが好ましく、基板間距離（セルギャップ）Ｇを大きく設定する場合には、屈折率異方性の値は、０．０８〜０．１０程度であることが好ましい。

液晶組成物の２５℃における回転粘度（γ１）（以下、単に「回転粘度」とも言う。）は、１６５ｍＰａ・ｓ未満が好ましく、１１０〜１４５ｍＰａ・ｓ程度がより好ましく、１２０〜１３０ｍＰａ・ｓ程度がさらに好ましい。かかる回転粘度を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層５（液晶表示素子１０）の応答速度が低下することを防止することができる。

また、液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の値との関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

式中、γ１は、回転粘度を表し、Δｎは、屈折率異方性を表す。

Ｚは、１３，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１２，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１１，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。

液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は、６０℃以上であることが好ましく、７５℃以上であることがより好ましく、８０℃以上であることがさらに好ましい。かかるＴｎｉを有する液晶組成物を用いることにより、実使用される温度範囲で安定した駆動が可能な液晶層５（液晶表示素子１０）を得ることができる。

液晶組成物の比抵抗は、１０^１２Ω・ｍ以上であることが好ましく、１０^１３Ω・ｍ以上であることがより好ましく、１０^１４Ω・ｍ以上であることがさらに好ましい。

液晶組成物の２５℃における誘電率異方性（Δε）の絶対値は、３〜５程度であることが好ましく、３．１５〜４．７５程度であることがより好ましく、３．３〜４．５程度であることがさらに好ましく、３．４〜４．２５程度であることがさらに好ましく、３．４５〜４程度であることが特に好ましく、３．５〜３．８程度であることが最も好ましい。かかる誘電率異方性を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層５（液晶表示素子１０）をより低電圧で駆動することができるようになる。

なお、以上説明した液晶組成物は、第１の液晶分子および第２の液晶分子以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のような他の化合物（分子）を含有してもよい。

ただし、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中に塩素原子を有さないことが好ましい。また、液晶組成物の紫外線等の光に対する安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中にナフタレン環等に代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークを有する縮合環等を有さないことが好ましい。

液晶表示素子１０は、アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの間に液晶組成物を注入する際に、例えば、真空注入法または滴下注入（ＯＤＦ：One Drop Fill）法等の方法が用いられる。前述したような液晶組成物を用いることにより、特にＯＤＦ法において、アクティブマトリックス基板ＡＭに滴下した際の滴下痕の発生を抑制することができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

ここで、滴下痕の発生は、液晶組成物の組成や液晶表示素子１０の構成に大きな影響を受ける。液晶表示素子１０では、アクティブマトリックス基板ＡＭに形成される薄膜トランジスタおよび櫛歯形状や連子形状をなす共通電極２１等を液晶層５（液晶組成物）から隔離する部材として、配向膜４および／または絶縁保護層１８等しか存在しない。

しかしながら、前述したような液晶組成物によれば、イオン性物質の混入または発生が抑制される。このため、配向膜４や絶縁保護層１８でイオン性物質の薄膜トランジスタや共通電極２１に到達することを阻止し得るか、通過するイオン性物質の量を少なくすることができる。したがって、薄膜トランジスタや共通電極２１を構成する金属材料とイオン性物質との相互作用による滴下痕の発生を防止または抑制することができる。

また、ＯＤＦ法による液晶表示素子１０の製造工程においては、そのサイズに応じて最適な量の液晶組成物をアクティブマトリックス基板ＡＭに滴下する必要がある。前述したような液晶組成物によれば、例えば、滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響を受け難く、長時間にわたって安定的かつ連続的に滴下することが可能である。そのため、液晶表示素子１０の歩留まりを高く保持することもできる。

特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型の液晶表示素子では、液晶組成物の最適量が少ないため、この最適量からのズレを一定範囲内に制御すること自体が難しい。しかしながら、前述したような液晶組成物を用いることにより、小型の液晶表示素子においても最適量の液晶組成物を安定して供給することができる。

以上、本発明の液晶表示素子について説明したが、本発明は、前述した実施形態の構成に限定されるものではない。

例えば、本発明の液晶表示素子は、前述した実施形態に構成において、他の任意の構成を追加して有していてもよいし、同様の機能を発揮する任意の構成と置換されていてよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

なお、各実施例および各参考例で用いた化合物の記載について、以下の略号を用いる。

（側鎖）
−ｎ −Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
ｎ− Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１−：炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ −ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
Ｖ− ＣＨ_２＝ＣＨ−：ビニル基
１Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−：プロペニル基
２Ｖ− ＣＨ_３−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−：ブテニル基

（連結基）
−ｎ− −Ｃ_ｎＨ_２ｎ−
−ｎＯ− −Ｃ_ｎＨ_２ｎ−Ｏ−
（環構造）

（実施例１〜１３、参考例１〜２）
表１および表２に示す組成を有する実施例１〜１３および参考例１〜２の液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。

なお、各実施例および各参考例で用いた第２の液晶分子の２５℃における誘電率異方性は、ほぼ０（ゼロ）であった。

また、図１〜図３に示す構成を有し、液晶層を形成する前の複数のＶＯＴタイプの液晶表示素子（空セル）を作製し、それぞれの空セルに各液晶組成物を真空注入法により注入して液晶層を形成した。その後、封止剤により封口して液晶表示素子を得た。これらの液晶表示素子の駆動電圧および最大透過率の評価を行った。

各実施例および各参考例において測定した特性は、以下の通りである。

Ｔｎｉ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
γ１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）

［駆動電圧評価］
各液晶表示素子の２５℃における駆動電圧を電気光学測定装置（オートロニック社製、「ＤＭＳ７０３」）により測定した。

［最大透過率評価］
各液晶表示素子の電気光学特性を電気光学測定装置（オートロニック社製、「ＤＭＳ７０３」）により測定して、測定された最大輝度を最大透過率とした。

これらの評価結果を表１および表２に示す。なお、液晶分子の種類を記載したカラムの右側のカラムには、液晶分子の略号を記載した。

各評価は、以下の評価基準に基づいて行った。

＜評価基準＞
Ａ：参考例１の結果に対して１０％以上改善した。

Ｂ：参考例１の結果に対して３％以上１０％未満改善した。

Ｃ：参考例１の結果と同等（３％未満改善または３％未満低下）した。

Ｄ：参考例１の結果に対して３％以上低下した。

誘電率異方性（Δε）が同等（−３．５３〜−３．６７）である液晶組成物を用いた実施例１〜４および実施例８〜１３と参考例１との比較から、各実施例の液晶表示素子は、参考例１の液晶表示素子より低電圧での駆動が可能であり、最大透過率も大きくなることが明らかとなった。

同様に、誘電率異方性（Δε）が同等（−４．５５〜−４．６８）である液晶組成物を用いた実施例５〜７と参考例２との比較から、各実施例の液晶表示素子は、参考例２の液晶表示素子より低電圧での駆動が可能であり、最大透過率も大きくなることが明らかとなった。

また、実施例１〜４と実施例８〜１３との比較から、液晶組成物の回転粘度（γ１）を低下させることにより、液晶表示素子の応答速度が改善する傾向にあった。

さらに、実施例１〜４および実施例８〜１３と実施例５〜７との比較から、液晶組成物の誘電率異方性（Δε）の絶対値を大きくすることにより、液晶表示素子をより低電圧で駆動可能であることもわかった。

１ 下側偏光板
２ 下側基板
３ 電極層
４ 配向膜
５ 液晶層
６ カラーフィルタ
７ 上側基板
８ 上側偏光板
１０ 液晶表示素子
１１、２８ ゲート電極
１２ ゲート絶縁膜
１３ 半導体層
１４ 絶縁層
１５ オーミック接触層
１６、２４ ドレイン電極
１７、２７ ソース電極
１８ 絶縁保護層
２１ 共通電極
２２ 画素電極
２３ ストレイジキャパシタ
２５ データバスライン
２７ ソースバスライン
２９ 共通ライン
ＡＭ アクティブマトリックス基板
ＣＦ カラーフィルタ基板
Ｅ フリンジ電界
Ｇ 基板間距離
Ｒ 電極間距離

Claims (6)

1. 対向配置された一対の基板と、
   該基板同士の間に設けられ、負の誘電率異方性を有する液晶組成物で構成された液晶層と、
   一方の前記基板に設けられ、面方向における離間距離が前記基板同士の離間距離より小さくなるように配置された共通電極および画素電極とを有し、
   前記共通電極が前記画素電極より前記液晶層側に配置され、前記共通電極と前記画素電極との間にフリンジ電界を形成する液晶表示素子であって、
   前記液晶組成物は、負の誘電率異方性を有し、２５℃における誘電率異方性の絶対値が３以上である第１の液晶分子を１種又は２種以上と、
   一般式（Ｌ）：
   

   

   （式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
   ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表し、
   Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
   （ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
   Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される２５℃における誘電率異方性の絶対値が２以下である第２の液晶分子を１種又は２種以上と、を含有し、
   前記第１の液晶分子は、下記一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）および（Ｎ−３）：
   

   

   （式中、Ｒ ^Ｎ１１ 、Ｒ ^Ｎ１２ 、Ｒ ^Ｎ２１ 、Ｒ ^Ｎ２２ 、Ｒ ^Ｎ３１ およびＲ ^Ｎ３２ は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ _２ −は、それぞれ独立して、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
   Ａ ^Ｎ１１ 、Ａ ^Ｎ１２ 、Ａ ^Ｎ２１ 、Ａ ^Ｎ２２ 、Ａ ^Ｎ３１ およびＡ ^Ｎ３２ は、それぞれ独立して、
   （ａ） １，４−シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ _２ −は、−Ｏ−で置換されてもよい。）、
   （ｂ） １，４−フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、
   （ｃ） ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基またはデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の−ＣＨ＝は、−Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
   （ｄ） １，４−シクロヘキセニレン基
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
   Ｚ ^Ｎ１１ 、Ｚ ^Ｎ１２ 、Ｚ ^Ｎ２１ 、Ｚ ^Ｎ２２ 、Ｚ ^Ｎ３１ およびＺ ^Ｎ３２ は、それぞれ独立して、単結合、−ＣＨ _２ ＣＨ _２ −、−（ＣＨ _２ ） _４ −、−ＯＣＨ _２ −、−ＣＨ _２ Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ _２ −、−ＣＦ _２ Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−を表し、
   Ｘ ^Ｎ２１ は、水素原子またはフッ素原子を表し、
   Ｔ ^Ｎ３１ は、−ＣＨ _２ −または酸素原子を表し、
   ｎ ^Ｎ１１ 、ｎ ^Ｎ１２ 、ｎ ^Ｎ２１ 、ｎ ^Ｎ２２ 、ｎ ^Ｎ３１ およびｎ ^Ｎ３２ は、それぞれ独立して、０〜３の整数を表すが、ｎ ^Ｎ１１ ＋ｎ ^Ｎ１２ 、ｎ ^Ｎ２１ ＋ｎ ^Ｎ２２ およびｎ ^Ｎ３１ ＋ｎ ^Ｎ３２ は、それぞれ独立して、１、２または３であり、Ａ ^Ｎ１１ 〜Ａ ^Ｎ３２ 、Ｚ ^Ｎ１１ 〜Ｚ ^Ｎ３２ が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含み、
   前記第２の液晶分子として、下記一般式（Ｌ−１−２）：
   

   

   （式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。）
   で表される化合物を１種又は２種以上含有することを特徴とする液晶表示素子。
2. 前記液晶組成物のネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は、６０℃以上である請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 前記液晶組成物の２５℃における誘電率異方性（Δε）の絶対値は、３〜５である請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
4. 前記液晶組成物の２５℃における回転粘度（γ１）は、１６５ｍＰａ・ｓ未満である請求項１から３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
5. 前記共通電極は、複数のスリットを備える請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
6. 前記画素電極と前記共通電極との面方向における離間距離は、０である請求項１から５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。

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