WO2015056644A1

WO2015056644A1 - 液晶表示素子

Info

Publication number: WO2015056644A1
Application number: PCT/JP2014/077177
Authority: WO
Inventors: 小川　真治; 芳典岩下
Original assignee: Dic株式会社
Priority date: 2013-10-15
Filing date: 2014-10-10
Publication date: 2015-04-23
Also published as: JP5943228B2; JPWO2015056644A1

Abstract

　本発明は、しきい値電圧、応答速度、低温安定性、視角特性等の液晶表示素子における特性を悪化させること無く、透過率を改善したＦＦＳ型の液晶表示素子を提供する。本発明の液晶表示素子は透過率が高く、バックライトの光量を低減し、ＦＦＳ型の優れた視角特性を保持し、低消費電力である特徴を有し、優れた表示特性を有するので、携帯端末、液晶ＴＶ、モニター等の液晶表示素子に有用である。

Description

液晶表示素子

　本願発明は、誘電率異方性が正のネマチック晶組成物を用い、高透過率、高開口率に特徴を有する液晶表示装置に関する。

　表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス形液晶表示装置が携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等の市場に出されている。アクティブマトリクス表示方式は、画素毎にTFT（薄膜トランジスタ）あるいはMIM（メタル・インシュレータ・メタル）等が使われており、この方式には高電圧保持率であることが重要視されている。また、更に広い視角特性を得るためにVA、IPS、OCBモードと組み合わせたTFT表示やより明るい表示を得るためにECBモードの反射型が提案されている。この様な表示素子に対応するために、現在も新しい液晶化合物あるいは液晶組成物の提案がなされている。

　現在スマートホン用の液晶ディスプレイとしては、高品位で、視覚特性に優れるインプレインスイッチング（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＩＰＳ）モードＬＣＤの一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇｍｏｄｅＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳ）が広く用いられている。ＦＦＳ方式は、上記ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶材料としては、低電圧化がし易いことからp型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳの用途が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

　ＦＦＳ方式においては現在、誘電率異方性（Δε）の絶対値を増大し易く、結果的にしきい値電圧を低減できる正のΔεを有する液晶材料（p型液晶材料）を用いることが一般的である（特許文献１及び２参照）。しかし、ＦＦＳ方式においては、ＩＰＳとは異なり完全な平行電界を生じるわけでは無く、p型液晶材料を用いた場合は画素電極に近い液晶分子はフリンジの電界に沿って液晶分子の長軸が傾くことにより透過率が悪化してしまう問題がある。

　また、負のΔεを有する液晶材料（n型液晶材料）を用いた場合、n型組成物の分極方向が分子短軸方向にあることから、フリンジ電界の影響は、液晶分子を長軸に沿って回転させるのみで分子長軸は平行配列が維持されるため、透過率の低下は生じない（特許文献３及び４参照）。しかし、n型液晶材料は低消費電力を要求するような液晶表示素子においては、Δεの絶対値を増大しにくいことから、携帯機器用の表示素子としては応用が困難という問題を有していた。

　一方、p型液晶材料にn型液晶材料を添加する試みは、MIM素子におけるダイオードに平行の迷容量を減少させ、クロストークを削減する目的として開発された経緯が既に知られている（特許文献５及び６参照）。さらに、p型液晶材料に１０％以下のテルフェニル系n型液晶材料を添加した液晶組成物がIPS方式に好適である旨の開示も知られている（特許文献７参照）。しかし、MIM表示素子は、表示素子における基板面と垂直な電界でツイストネマチック状態の液晶材料をスイッチングする点でFFS方式とは全く異なる。また、IPS方式も液晶の配向方向こそホモジニアス配向である点で同一であるが、FFS方式ではフリンジ電界というIPS方式とは全く異なった電界により液晶分子をスイッチングする点で異なる。従って、これらの公知文献の表示素子とは、必要とされる光学特性が異なり、単純にこれらの公知文献記載の液晶組成物を転用しても、今日求められるような高性能な液晶表示素子を構成することは困難であり、ＦＦＳ方式に最適化された液晶組成物の提供が求められている。

特開平１１－２０２３５６号公報特開２００３－２３３０８３号公報特開２００２－０３１８１２号公報特開２００２－１８２２３０号公報特表平０６－５０１５１７号公報特開２００７－３１４７９５号公報特開２００５－１６３０４７号公報

　本発明の課題は、しきい値電圧、応答速度、低温安定性、視角特性等の液晶表示素子における特性を悪化させること無く、透過率を改善した液晶表示素子を提供することにある。

　本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、FFS方式の液晶表示素子において二つの特徴的構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物の有用性を見出し本願発明の完成に至った。

　すなわち、本発明は、対向に配置された第一の透明絶縁基板と、第二の透明絶縁基板と、前記第一の基板と第二の基板間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
前記第一基板上に、透明導電性材料からなる共通電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交叉部に、薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極とを各画素毎に有し、
前記液晶層と、前記第一基板と第二基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、
前記画素電極と共通電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離：Ｒが前記第一の基板と第二の基板との距離：Ｇより小さく、
前記共通電極は、前記第一基板のほぼ全面に平板状に、前記画素電極より第一基板に近い位置に配置され、
該液晶組成物が、正の誘電率異方性を有し、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、誘電率異方性の絶対値が１以上であり、一般式（Ｍ）

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＰＭは、０、１、２、３又は４を表し、
　Ｃ^Ｍ１及びＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｅ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）、基（ｅ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｋ^Ｍ１及びＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＰＭが２、３又は４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３又は４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
　Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物、一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＯＬは０、１、２又は３を表し、
　Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物及び一般式（ＩＶ）

（式中R⁷及びR⁸はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
A¹及びA²はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基を表すが、A¹又は／及びA²が1,4-フェニレン基を表す場合、該1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Z¹及びZ²はそれぞれ独立して単結合、－OCH₂－、－OCF₂－、－CH₂O－、又はCF₂O－を表し、
n1及びn2はそれぞれ独立して、0、1、2又は3を表すが、n1+n2は1～3であり、A¹、A²、Z¹及び／又はZ²が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を含有し、該一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量が０．５から２０％であることを特徴とする液晶表示素子である。

　本発明のＦＦＳモードの液晶表示素子は透過率が高く、バックライトの光量を低減できることから、FFS方式の優れた視角特性を保持し、低消費電力である特徴を有し、優れた表示特性を有する。本発明の液晶表示素子は、携帯端末、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子に有用である。

本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す図図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大した平面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図

　前述の通り、本願発明は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に最適なｐ型液晶組成物を見出したものである。以下、まず、本発明における液晶組成物の実施の態様について説明する。
（液晶層）
　本発明の液晶表示素子は、一般式（Ｍ）で表される化合物を含有する。

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＰＭは、０、１、２、３又は４を表し、
　Ｃ^Ｍ１及びＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｅ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）、基（ｅ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｋ^Ｍ１及びＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＰＭが２、３又は４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３又は４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
　Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。さらに、本発明の別の実施形態では３種類である。またさらに、本発明の別の実施形態では４種類である。さらに、本発明の別の実施形態では５種類である。さらに、本発明の別の実施形態では６種類である。さらに、本発明の別の実施形態では７種類以上である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｍ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　Ｒ^Ｍ１は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び炭素原子数４～５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　一般式（Ｍ）で表される化合物は液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。更に液晶組成物内に塩素原子を有する化合物が５％以下であることが好ましく、３％以下であることが好ましく、１％以下であることが好ましく、０．５％以下であることが好ましく、実質的に含有しないことが好ましい。実質的に含有しないとは、化合物製造時の不純物として生成した化合物等の意図せず塩素原子を含む化合物のみが液晶組成物に混入することを意味する。

　一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^８は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^８１からＸ^８５はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^８はフッ素原子または－ＯＣＦ_３を表す。）
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＶＩＩＩ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^８は一般式（ＶＩＩＩ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＶＩＩＩ－１）で表される化合物は、具体的には式（２６．１）から式（２６．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２６．１）または式（２６．２）で表される化合物が好ましく、式（２６．２）で表される化合物がさらに好ましい。

　式（２６．２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＶＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＶＩＩＩ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^８は一般式（ＶＩＩＩ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＶＩＩＩ－２）で表される化合物は、式（２７．１）から式（２７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２７．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＸ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^９１及びＸ^９２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表し、Ｙ^９はフッ素原子、塩素原子または－ＯＣＦ_３を表し、Ｕ^９は単結合、－ＣＯＯ－または－ＣＦ_２Ｏ－を表す。）
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９およびＸ^９２は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＩＸ－１）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－１－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－１－１）表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－１－１）で表される化合物は、式（２８．１）から式（２８．５）で表される化合物であることが好ましく、式（２８．３）または／および式（２８．５）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、式（２８．３）で表される化合物または／および式（２８．５）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－１）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－１－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＩＸ－１－２）で表される化合物は、式（２９．１）から式（２９．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２９．２）または／および式（２９．４）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９、Ｘ^９１およびＸ^９２は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－２－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－２－１）で表される化合物は、式（３０．１）から式（３０．４）で表される化合物であることが好ましく、式（３０．１）から式（３０．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－２－２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－２－２）で表される化合物は、式（３１．１）から式（３１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（３１．１）から式（３１．４）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－２－３）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－２－３）で表される化合物は、式（３２．１）から式（３２．４）で表される化合物であることが好ましく、式（３２．２）および／または式（３２．４）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２－４）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－２－４）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－２－４）で表される化合物は、式（３３．１）から式（３３．５）で表される化合物であることが好ましく、式（３３．１）および／または式（３３．３）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ－２）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－２－５）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－２－５）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

　さらに、一般式（ＩＸ－２－５）で表される化合物は、式（３４．１）から式（３４．５）で表される化合物であることが好ましく、式（３４．１）、式（３４．２）、式（３４．３）および／または式（３４．５）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＸ）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９、Ｘ^９１およびＸ^９２は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（ＩＸ－３）で表される化合物は、一般式（ＩＸ－３－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^９は一般式（ＩＸ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＸ－３－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＸ－３－１）で表される化合物は、式（３５．１）から式（３５．４）で表される化合物であることが好ましく、式（３５．１）および／または式（３５．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（Ｘ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１０１からＸ^１０４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^１０はフッ素原子、塩素原子、－ＯＣＦ_３を表し、Ｑ^１０は単結合または－ＣＦ_２Ｏ－を表し、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ａ^１０１およびＡ^１０２はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基または

を表すが、１,４-フェニレン基上の水素原子はフッ素原子によって置換されていてもよい。）
　一般式（Ｘ）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

　本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｘ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１０１からＸ^１０３およびＲ^１０は一般式（Ｘ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（Ｘ－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１）で表される化合物は、一般式（Ｘ－１－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１０は一般式（Ｘ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（Ｘ－１－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１－１）で表される化合物は、具体的には式（３６．１）から式（３６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（３６．１）および／または式（３６．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１）で表される化合物は、一般式（Ｘ－１－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（Ｘ－１－２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１－２）で表される化合物は、具体的には式（３７．１）から式（３７．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（３７．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１）で表される化合物は、一般式（Ｘ－１－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

　一般式（Ｘ－１－３）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－１－３）で表される化合物は、具体的には式（３８．１）から式（３８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（３８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｘ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１０２からＸ^１０３はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^１０はフッ素原子、塩素原子、－ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－２）で表される化合物は、一般式（Ｘ－２－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましく、１種から３種類以上組み合わせることがより好ましい。

　一般式（Ｘ－２－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して３質量％以上であることが好ましく、６質量％以上がより好ましく、９質量％以上がさらに好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１６質量％以下がさらに好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－２－１）で表される化合物は、具体的には式（３９．１）から式（３９．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（３９．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－２）で表される化合物は、一般式（Ｘ－２－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。
一般式（Ｘ－２－２）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して３質量％以上であることが好ましく、６質量％以上がより好ましく、９質量％以上がさらに好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１６質量％以下がさらに好ましく、１２質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－２－２）で表される化合物は、具体的には式（４０．１）から式（４０．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４０．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は一般式（Ｘ－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１０２からＸ^１０３はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－３）で表される化合物は、一般式（Ｘ－３－１）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（Ｘ－３－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を１０質量％以下にとどめることが好ましく、８質量％以下がさらに好ましく、６質量％以下がより好ましく、４質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－３－１）で表される化合物は、具体的には式（４１．１）から式（４１．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４１．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　更に、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｘ－４）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１０２はフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^１０は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましく、１種から３種類以上組み合わせることがより好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－４）で表される化合物は、一般式（Ｘ－４－１）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（Ｘ－４－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して２質量％以上であることが好ましく、５質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がさらに好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１７質量％以下がさらに好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１３質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－４－１）で表される化合物は、具体的には式（４２．１）から式（４２．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４２．３）で表される化合物を含有することが好ましい。

　更に、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｘ－５）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－５）で表される化合物は、一般式（Ｘ－５－１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－５－１）で表される化合物は、具体的には式（４３．１）から式（４３．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４３．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（Ｘ－６）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（Ｘ－６）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では本発明の液晶組成物の総量に対して４％、別の実施形態では５％、さらに別の実施形態では６％、またさらに別の実施形態では８％、またさらに別の実施形態では９％、またさらに別の実施形態では１１％、またさらに別の実施形態では１４％である。またさらに別の実施形態では１８％である。

　また、含有量の上限値は、例えば、本発明の一つの実施形態では３０％、別の実施形態では２０％、更に別の実施形態では１３％、また更に別の実施形態では１０％、また更に別の実施形態では７％、また更に別の実施形態では３％である。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（Ｘ－６）で表される化合物は、具体的には式（４４．１）から式（４４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４４．１）および／または式（４４．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（ＸＩ）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１１１からＸ^１１７はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｘ^１１１からＸ^１１７の少なくとも一つはフッ素原子を表し、Ｒ^１１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｙ^１１はフッ素原子または－ＯＣＦ３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から３種類以上組み合わせることが好ましい。

　一般式（ＸＩ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では、本発明の液晶組成物の総量に対して２％、別の実施形態では４％、さらに別の実施形態では５％、またさらに別の実施形態では７％、またさらに別の実施形態では９％、またさらに別の実施形態では１０％、またさらに別の実施形態では１２％である。またさらに別の実施形態では１３％である。またさらに別の実施形態では１５％である。またさらに別の実施形態では１８％である。

　また、含有量の上限値は、例えば、本発明の一つの実施形態では３０％、別の実施形態では２５％、更に別の実施形態では２０％、また更に別の実施形態では１５％、また更に別の実施形態では１０％、また更に別の実施形態では５％である。

　本発明の液晶組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩ）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩ）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（ＸＩ）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（ＸＩ）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ＸＩ）で表される化合物は、一般式（ＸＩ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して、実施形態ごとに適宜組み合わせる。例えば、本発明の一つの実施形態では１種類、別の実施形態では２種類、更に別の実施形態では３種類以上組み合わせる。

　一般式（ＸＩ－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上がより好ましく、４質量％以上がさらに好ましく、６質量％以上がさらに好ましく、９質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１５質量％以下がさらに好ましく、１２質量％以下がより好ましく、８質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ＸＩ－１）で表される化合物は、具体的には式（４５．１）から式（４５．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４５．２）から式（４５．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（４５．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。

　さらに、一般式（Ｘ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩ）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１２１からＸ^１２６はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^１２は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｙ^１２はフッ素原子または－ＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から３種類以上組み合わせることが好ましく、１種から４種類以上組み合わせることがより好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ＸＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１２は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましく、１種から３種類以上組み合わせることがより好ましい。

　一般式（ＸＩＩ－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上がより好ましく、３質量％以上がさらに好ましく、４質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を１５質量％以下にとどめることが好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、８質量％以下がより好ましく、６質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ＸＩＩ－１）で表される化合物は、具体的には式（４６．１）から式（４６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４６．２）から式（４６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩ－２）で表される化合物であることが好ましい。

　一般式（ＸＩＩ－２）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上がより好ましく、４質量％以上がさらに好ましく、６質量％以上がさらに好ましく、９質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１７質量％以下がさらに好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１３質量％以下が特に好ましい。

　さらに、本発明の液晶組成物に使用される一般式（ＸＩＩ－２）で表される化合物は、具体的には式（４７．１）から式（４７．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（４７．２）から式（４７．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　更に、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｘ^１３１からＸ^１３５はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｒ^１３は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｙ^１３はフッ素原子または－ＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種～２種類含有することが好ましく、１種～３種類含有することがより好ましく、１種～４種類含有することが更に好ましい。

　一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では、本発明の液晶組成物の総量に対して２％、別の実施形態では４％、さらに別の実施形態では５％、またさらに別の実施形態では７％、またさらに別の実施形態では９％、またさらに別の実施形態では１１％、またさらに別の実施形態では１３％である。またさらに別の実施形態では１４％である。またさらに別の実施形態では１６％である。またさらに別の実施形態では２０％である。

　本発明の液晶組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物は一般式（ＸＩＩＩ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＩＩ－１）で表される化合物を本発明の液晶組成物の総量に対して１質量%以上含有することが好ましく、３質量％以上含有することがさらに好ましく、５質量％以上含有することがさらに好ましく、１０質量％以上含有することが特に好ましい。また、最大に含有できる比率としては、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ－１）で表される化合物は、式（４８．１）から式（４８．４）で表される化合物であることが好ましく、式（４８．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物は一般式（ＸＩＩＩ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種～２種類以上含有することが好ましい。

　一般式（ＸＩＩＩ－２）で表される化合物を本発明の液晶組成物の総量に対して５質量%以上含有することが好ましく、６質量％以上含有することがさらに好ましく、８質量％以上含有することがさらに好ましく、１０質量％以上含有することが特に好ましい。また、最大に含有できる比率としては、２５質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１５質量％以下がさらに好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ－２）で表される化合物は、式（４９．１）から式（４９．４）で表される化合物であることが好ましく、式（４９．１）または／および式（４９．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ）で表される化合物は一般式（ＸＩＩＩ－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種～２種類含有することが好ましい。

　一般式（ＸＩＩＩ－３）で表される化合物を、本発明の液晶組成物の総量に対して２質量%以上含有することが好ましく、４質量%以上含有することが更に好ましく、９質量％以上含有することが更に好ましく、１１質量％以上含有することが特に好ましい。また、最大に含有できる比率としては、２０質量％以下が好ましく、１７質量％以下がより好ましく、１４質量％以下がさらに好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＩＩ－３）で表される化合物は、式（５０．１）から式（５０．４）で表される化合物であることが好ましく、式（５０．１）または／および式（５０．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｍ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～７のアルキル基、炭素原子数２～７のアルケニル基または炭素原子数１～７のアルコキシ基を表し、し、Ｘ^１４１からＸ^１４４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^１４はフッ素原子、塩素原子または－ＯＣＦ_３を表し、Ｑ^１４は単結合、－ＣＯＯ－または－ＣＦ_２Ｏ－を表し、ｍ^１４は０または１である。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。例えば、本発明の一つの実施形態では１種である。さらに、本発明の別の実施形態では２種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では３種類である。また、本発明のさらに別の実施形態では４種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では５種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では６種類以上である。

　一般式（ＸＩＶ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では、本発明の液晶組成物の総量に対して３％、別の実施形態では７％、さらに別の実施形態では８％、またさらに別の実施形態では１１％、またさらに別の実施形態では１２％、またさらに別の実施形態では１６％、またさらに別の実施形態では１８％である。またさらに別の実施形態では１９％である。またさらに別の実施形態では２２％である。またさらに別の実施形態では２５％である。

　また、含有量の上限値は、例えば、本発明の一つの実施形態では４０％、別の実施形態では３５％、更に別の実施形態では３０％、また更に別の実施形態では２５％、また更に別の実施形態では２０％、また更に別の実施形態では１５％である。

　本発明の液晶組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～７のアルキル基、炭素原子数２～７のアルケニル基または炭素原子数１～７のアルコキシ基を表し、Ｙ^１４はフッ素原子、塩素原子または－ＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から３種類組み合わせることが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－１）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－１－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～７のアルキル基、炭素原子数２～７のアルケニル基または炭素原子数１～７のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して２質量％以上であることが好ましく、４質量％以上がより好ましく、７質量％以上がさらに好ましく、１０質量％以上がさらに好ましく、１８質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０質量％以下にとどめることが好ましく、２７質量％以下がさらに好ましく、２４質量％以下がより好ましく、２１質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－１－１）で表される化合物は具体的には式（５１．１）から式（５１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（５１．１）で表される化合物を含有することがより好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－１）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－１－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～７のアルキル基、炭素原子数２～７のアルケニル基または炭素原子数１～７のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－１－２）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましく、７質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を１５質量％以下にとどめることが好ましく、１３質量％以下がさらに好ましく、１１質量％以下がより好ましく、９質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－１－２）で表される化合物は具体的には式（５２．１）から式（５２．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５２．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ｘ^１４１からＸ^１４４はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表し、Ｙ^１４はフッ素原子、塩素原子または－ＯＣＦ_３を表す。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。例えば、本発明の一つの実施形態では１種である。さらに、本発明の別の実施形態では２種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では３種類である。また、本発明のさらに別の実施形態では４種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では５種類以上である。

　一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では、本発明の液晶組成物の総量に対して３％、別の実施形態では７％、さらに別の実施形態では８％、またさらに別の実施形態では１０％、またさらに別の実施形態では１１％、またさらに別の実施形態では１２％、またさらに別の実施形態では１８％である。またさらに別の実施形態では１９％である。またさらに別の実施形態では２１％である。またさらに別の実施形態では２２％である。

　また、含有量の上限値は、例えば、本発明の一つの実施形態では４０％、別の実施形態では３５％、更に別の実施形態では２５％、また更に別の実施形態では２０％、また更に別の実施形態では１５％、また更に別の実施形態では１０％である。

　本発明の液晶組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－２－１）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましく、７質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を１５質量％以下にとどめることが好ましく、１３質量％以下がさらに好ましく、１１質量％以下がより好ましく、９質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－１）で表される化合物は具体的には式（５３．１）から式（５３．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５３．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－２－２）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して３質量％以上であることが好ましく、６質量％以上がより好ましく、９質量％以上がさらに好ましく、１２質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２０質量％以下にとどめることが好ましく、１７質量％以下がさらに好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１４質量％以下が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－２）で表される化合物は具体的には式（５４．１）から式（５４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５４．２）および／または式（５４．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－２－３）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して５質量％以上であることが好ましく、９質量％以上がより好ましく、１２質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０質量％以下にとどめることが好ましく、２７質量％未満がさらに好ましく、２４質量％以下がより好ましく、２０質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－３）で表される化合物は具体的には式（５５．１）から式（５５．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５５．２）および／または式（５５．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－４）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることのできる化合物の種類に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して実施形態ごとに適宜組み合わせる。例えば、本発明の一つの実施形態では１種である。さらに、本発明の別の実施形態では２種類である。あるいは、本発明のさらに別の実施形態では３種類以上である。

　一般式（ＸＩＶ－２－４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。含有量の下限値は、たとえば、本発明の一つの実施形態では、本発明の液晶組成物の総量に対して２％、別の実施形態では５％、さらに別の実施形態では８％、またさらに別の実施形態では９％、またさらに別の実施形態では１０％、またさらに別の実施形態では１８％、またさらに別の実施形態では２１％である。またさらに別の実施形態では２２％である。またさらに別の実施形態では２４％である。

　また、含有量の上限値は、例えば、本発明の一つの実施形態では３５％、別の実施形態では３０％、更に別の実施形態では２５％、また更に別の実施形態では２０％、また更に別の実施形態では１５％、また更に別の実施形態では１０％である。

　本発明の液晶組成物が、駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（ＸＩＶ－２－４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また応答速度の速い液晶表示素子に用いられる液晶組成物である場合は、一般式（ＸＩＶ－２－４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－４）で表される化合物は具体的には式（５６．１）から式（５６．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５６．１）、式（５６．２）および式（５６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－５）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－２－５）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１３質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２５質量％以下にとどめることが好ましく、２２質量％未満がさらに好ましく、１８質量％以下がより好ましく、１５質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－５）で表される化合物は具体的には式（５７．１）から式（５７．４）で表される化合物である。中でも式（５７．１）で表される化合物を含有することが好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２）で表される化合物は、一般式（ＸＩＶ－２－６）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１４は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＸＩＶ－２－６）で表される化合物の含有量は、本発明の液晶組成物の総量に対して５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を２５質量％以下にとどめることが好ましく、２２質量％以下がさらに好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１７質量％未満が特に好ましい。

　さらに、一般式（ＸＩＶ－２－６）で表される化合物は具体的には式（５８．１）から式（５８．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（５８．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

　本願発明に使用する化合物は、分子内に過酸（－ＣＯ－ＯＯ－）構造を持たない。また、液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物を使用しないことが好ましい。また、ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物を使用しないことが望ましい。分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみであることも好ましい。

　本発明の液晶表示素子は、一般式（ＩＶ）で表される化合物を含有する液晶組成物を使用する。

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基を表すが、Ａ^１又は／及びＡ^２が1,4-フェニレン基を表す場合、該1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｚ¹及びＺ²はそれぞれ独立して単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１+ｎ^２は１～３であり、Ａ¹、Ａ²、Ｚ¹及び／又はＺ²が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）
　一般式（ＩＶ）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、３質量％が更に好ましく、５質量％が特に好ましく、上限値としては２０質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、７質量％が特に好ましく、５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＶ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がシクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時はアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、ベンゼンである時はアルキル基、アルコキシ基又はアルケニル基であることが好ましい。シクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。また、一般式（ＩＶ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がベンゼンである時は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。

　表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。アルケニル基としては次に記載する式（ｉ）～式（ｉｖ）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましい。

　Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基が好ましい。

　Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して粘度の低減を重視する場合には単結合が好ましく、Δεの絶対値を大きくすることを重視する場合には－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又は－ＣＦ_２Ｏ－が好ましく、酸素原子が2,3-ジフルオロベンゼン-1,4-ジイル基に連結するように配置されることが好ましい。

　ｎ^１+ｎ^２は２以下が好ましく、粘度の低減を重視する場合には１が好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合やΔｎの増大を重視する場合には２が好ましい。

　一般式（ＩＶ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＶａ１）及び（ＩＶａ２）

（式中、Ｒ^7a1及びＲ^7a2、Ｒ^8a1及びＲ^8a2はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
ｎ^a2は０又は１を表し、Ａ^1a2は1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基を表し、一般式（ＩＶａ１）及び一般式（ＩＶａ２）中の1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から選ばれることが好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＶａ１－１）で表される化合物が特に好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＶａ２－１）～一般式（ＩＶａ２－９）

（式中、Ｒ⁷は一般式（ＩＶ）におけるＲ⁷と同じ意味を表し、Ｒ⁸は一般式（ＩＶ）におけるＲ⁸と同じ意味を表す。）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）で表される化合物を使用する場合には、式（ＩＶａ２－１）で表される化合物を使用することが好ましいが、式（ＩＶａ２－１）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）におけるＲ⁷及びＲ⁸はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基又は炭素原子数２～５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ⁷及びＲ⁸が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

　更に詳述すると、Ｒ⁷がプロピル基を表しＲ⁸がエチル基を表す化合物又はＲ⁷がブチル基を表しＲ⁸がエチル基を表す化合物が好ましい。

　本願における１，４－シクロヘキシル基はトランス－１，４－シクロヘキシル基であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＶ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数４～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数３～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合二つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）
　一般式（ＩＩ）で表される化合物で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては０．５質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、２質量％が更に好ましく、４質量％が特に好ましく、４質量％が最も好ましく、上限値としては２０質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、７質量％が特に好ましく、５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩａ）～一般式（ＩＩｃ）

（式中、Ｒ³¹～Ｒ³³及びＲ⁴¹～Ｒ⁴³は一般式（ＩＩ）におけるＲ³及びＲ⁴と同じ意味を表す）で表される化合物群の中から少なくとも１種以上選ばれることが好ましいが、２種以上選ばれることがより好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物が更に好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物は、下限値としては０．５質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、上限値としては２０質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、７質量％が特に好ましく、５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩａ－１）、式（ＩＩａ－２）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）、式（ＩＩａ－２）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－６）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩｂ－１）及び式（ＩＩｂ－３）で表される化合物が特に好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）で表される化合物の含有量が、（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を３種使用する場合には、（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩｂ－１）及び式（ＩＩｂ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）及び式（ＩＩｂ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｃ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｃ－１）～（ＩＩｃ－４）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｃ－１）又は式（ＩＩｃ－２）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＩｃ）で表される化合物を２種以上使用する場合には、式（ＩＩｃ－１）及び式（ＩＩｃ－２）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｃ－１）及び式（ＩＩｃ－２）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｃ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　本発明の液晶組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類または２種類以上含有する。

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＯＬは０、１、２又は３を表し、
　Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。さらに、本発明の別の実施形態では４種類である。さらに、本発明の別の実施形態では５種類である。さらに、本発明の別の実施形態では６種類である。さらに、本発明の別の実施形態では７種類である。さらに、本発明の別の実施形態では８種類である。さらに、本発明の別の実施形態では９種類である。さらに、本発明の別の実施形態では１０種類以上である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

　Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４～５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基が好ましい。

　一般式（Ｌ）で表される化合物は液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましい。

　一般式（Ｌ）で表される化合物は、例えば、一般式（Ｉ）で表される化合物群から選ばれる化合物が好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数１～５のアルコキシ基又は炭素原子数２～５のアルケニル基を表し、Ａ^１１およびＡ^１２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基、１,４-フェニレン基、２－フルオロ－１,４-フェニレン基または３－フルオロ－１,４-フェニレン基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。さらに、本発明の別の実施形態では４種類である。さらに、本発明の別の実施形態では５種類である。さらに、本発明の別の実施形態では６種類以上である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

　さらに、一般式（Ｉ－１）で表される化合物は一般式（Ｉ－１－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－１－１）で表される化合物の
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（Ｉ－１－１）で表される化合物は、式（１．１）から式（１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（１．２）または式（１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（１．３）で表される化合物であることが好ましい。

　式（１．２）または式（１．３）で表される化合物がそれぞれ単独で使われる場合は、式（１．２）で表される化合物の含有量は高めであることが応答速度の改善に効果があり、式（１．３）で表される化合物の含有量は下記に示す範囲が応答速度の速く電気的、光学的に信頼性が高い液晶組成物ができるので好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ－１）で表される化合物は一般式（Ｉ－１－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中Ｒ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－１－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（Ｉ－１－２）で表される化合物は、式（２．１）から式（２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（２．２）から式（２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（２．２）で表される化合物は本発明の液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（２．３）または式（２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（２．３）および式（２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０％以上にすることは好ましくない。

　本発明の液晶組成物において、式（２．２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　本願発明の液晶組成物は、更に、一般式（Ｉ－１－２）で表される化合物と類似した構造を有する式（２．５）で表される化合物を含有することもできる。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて式（２．５）であらわされる化合物の含有量を調整することが好ましい。　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３およびＲ^１４はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
さらに、一般式（Ｉ－２）で表される化合物は、式（３．１）から式（３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（３．１）、式（３．３）または式（３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（３．２）で表される化合物は本発明の液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（３．３）または式（３．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（３．３）および式（３．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０％以上にすることは好ましくない。

　さらに、一般式（Ｉ－２）で表される化合物は、式（３．１）から式（３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（３．１）、式（３．３）および／または式（３．４）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、式（３．３）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１３は一般式（Ｉ－２）における意味と同じ意味を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明の別の実施形態では３種類である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。

　低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ－３）で表される化合物は、式（４．１）から式（４．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（４．３）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ－４）で表される化合物は、式（５．１）から式（５．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（５．２）から式（５．４）で表される化合物であることが好ましい。

　式（５．４）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物において、一般式（Ｉ－５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ－５）で表される化合物は、式（６．１）から式（６．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（６．３）、式（６．４）および式（６．６）で表される化合物であることが好ましい。

　例えば、式（６．６）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　一般式（Ｉ）で表される化合物は、更に、一般式（Ｉ－５）で表される化合物と類似した構造を有する式（２．７）及び式（６．８）で表される化合物であることもできる。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて式（６．７）であらわされる化合物の含有量を調整することが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（Ｉ－６）で表される化合物は、式（７．１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１１およびＲ^１２は一般式（Ｉ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（Ｉ－７）で表される化合物は、式（８．１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は一般式（Ｉ－８）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^１６およびＲ^１７はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、１種類から３種類組み合わせることが好ましい。一般式（Ｉ－８）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて決定される。

　さらに、一般式（Ｉ－８）で表される化合物は、式（９．１）から式（９．１０）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（９．２）、式（９．４）および式（９．７）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－０）で表される化合物から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２１およびＲ^２２はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ａ^２は１，４－シクロヘキシレン基または１，４－フェニレン基を表し、Ｑ^２は単結合、－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－ＣＨ_２－または－ＣＦ_２Ｏ－を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類である。また、本発明のさらに別の実施形態では３種類である。さらに、本発明の別の実施形態では４種類以上である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（ＩＩ－０）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＩ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２１およびＲ^２２は一般式（ＩＩ－０）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＩ－１）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて調整することが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩ－１）で表される化合物は、例えば式（１０．１）及び式（１０．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２３は炭素原子数２～５のアルケニル基を表し、Ｒ^２４は炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類以上である。

　本発明の液晶組成物において、一般式（ＩＩ－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　さらに、一般式（ＩＩ－２）で表される化合物は、例えば式（１１．１）から式（１１．３）で表される化合物であることが好ましい。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（１１．１）で表される化合物を含有していても、式（１１．２）で表される化合物を含有していても、式（１１．１）で表される化合物と式（１１．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（１１．１）から式（１１．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。式（１１．１）または式（１１．２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　式（１１．１）で表される化合物と式（１１．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、両方の化合物の合計含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＩ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２５は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^２４は炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、これらの化合物の中から１種～３種類含有することが好ましい。

　一般式（ＩＩ－３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＩ－３）で表される化合物は、例えば式（１２．１）から式（１２．３）で表される化合物であることが好ましい。

　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（１２．１）で表される化合物を含有していても、式（１２．２）で表される化合物を含有していても、式（１２．１）で表される化合物と式（１２．２）で表される化合物との両方を含有していても良い。式（１２．１）または式（１２．２）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　式（１２．１）で表される化合物と式（１２．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、両方の化合物の合計含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　また、式（１２．３）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６式（１２．３）で表される化合物は、光学活性化合物であってもよい。

　さらに、一般式（ＩＩ－３）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－３－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２５は炭素原子数１～５のアルキル基を表し、Ｒ^２６は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　一般式（ＩＩ－３－１）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて調整することが好ましい。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＩ－３－１）で表される化合物は、例えば式（１３．１）から式（１３．４）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（１３．３）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＩ－４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^２１およびＲ^２２はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～５のアルキル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　さらに、一般式（ＩＩ－４）で表される化合物は、例えば式（１４．１）から式（１４．５）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（１４．２）または／および式（１４．５）で表される化合物であることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３１およびＲ^３２はそれぞれ独立して炭素原子数２～５のアルケニル基をまたは炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、例えば式（１５．１）又は式（１５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（１５．１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３３は炭素原子数２～５のアルケニル基を表し。Ｒ^３２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）
　低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて含有量を調整することが好ましい。

　一般式（ＩＩＩ－１）で表される化合物は、たとえば式（１６．１）または式（１６．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、一般式（ＩＩＩ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（Ｒ^３１は一般式（ＩＩＩ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（ＩＩＩ－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて調整することが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＩＩ－２）で表される化合物は、たとえば式（１７．１）から式（１７．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（１７．３）で表される化合物であることが好ましい。

　更に、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（ＩＶ－０）で表される群より選ばれるであることが好ましい。

（式中、Ｒ^４１及びＲ^４２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基を表し、Ｘ^４１及びＸ^４２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表す。）
　さらに、一般式（ＩＶ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＶ－１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４３、Ｒ^４４はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基を表す。）
一般式（ＩＶ－１）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（ＩＶ－１）で表される化合物は、例えば式（１８．１）から式（１８．９）で表される化合物であることが好ましい。

　選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（１８．１）または（１８．２）で表される化合物から１種類、式（１８．４）または（１８．５）で表される化合物から１種類、式（１８．６）または式（１８．７）で表される化合物から１種類、式（１８．８）または（１８．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（１８．１）、式（１８．３）式（１８．４）、式（１８．６）および式（１８．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

　さらに、一般式（ＩＶ－０）で表される化合物は、例えば一般式（ＩＶ－２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^４５及びＲ^４６はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基を表すが、少なくとも１つは炭素原子数２～５のアルケニル基を表し、Ｘ^４１及びＸ^４２はそれぞれ独立して水素原子またはフッ素原子を表す。）
　組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。

　一般式（ＩＶ－２）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　さらに、一般式（ＩＶ－２）で表される化合物は、例えば式（１９．１）から式（１８．８）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（１９．２）で表される化合物であることが好ましい。

　液晶組成物の成分として選ばれる化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（１９．１）または（１９．２）で表される化合物から１種類、式（１９．３）または（１９．４）で表される化合物から１種類、式（１９．５）または式（１９．６）で表される化合物から１種類、式（１９．７）または（１９．８）で表される化合物から１種類の化合物をそれぞれ選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｌ）で表される化合物は、一般式（Ｖ）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２はそれぞれ独立して炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数１～４のアルコキシ基を表し、Ａ^５１およびＡ^５２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基または１,４-フェニレン基を表し、Ｑ^５は単結合または－ＣＯＯ－を表し、Ｘ^５１およびＸ^５２はそれぞれ独立してフッ素原子または水素原子を表す。）
含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６　
　さらに、一般式（Ｖ）で表される化合物は一般式（Ｖ－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２、Ｘ^５１およびＸ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す）
　さらに、一般式（Ｖ－１）で表される化合物は一般式（Ｖ－１－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（Ｖ－１－１）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（Ｖ－１－１）で表される化合物は、式（２０．１）から式（２０．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２０．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－１）で表される化合物は一般式（Ｖ－１－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－１－２）で表される化合物は、式（２１．１）から式（２１．３）で表される化合物であることが好ましく、式（２１．１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－１）で表される化合物は一般式（Ｖ－１－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－１－３）で表される化合物は、式（２２．１）から式（２２．３）で表される化合物である。式（２２．１）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ）で表される化合物は一般式（Ｖ－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２、Ｘ^５１およびＸ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）

　含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　本発明の液晶組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｖ－２）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－２）で表される化合物は一般式（Ｖ－２－１）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
さらに、一般式（Ｖ－２－１）で表される化合物は、式（２３．１）から式（２３．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２３．１）または／および式（２３．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ－２）で表される化合物は一般式（Ｖ－２－２）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
　さらに、一般式（Ｖ－２－２）で表される化合物は、式（２４．１）から式（２４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（２４．１）または／および式（２４．２）で表される化合物であることが好ましい。

　さらに、一般式（Ｖ）で表される化合物は一般式（Ｖ－３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^５１およびＲ^５２は一般式（Ｖ）における意味と同じ意味を表す。）
　一般式（Ｖ－３）で表される化合物の含有量の好ましい範囲は、下記の表に示すとおりである。

最も好ましい＝１、特に好ましい＝２、より更に好ましい＝３、さらに好ましい＝４、より好ましい＝５、好ましい＝６
　さらに、一般式（Ｖ－３）で表される化合物は、式（２５．１）から式（２４．３）で表される化合物であることが好ましい。

　本発明の液晶組成物は、更に、一般式（ＶＩ）または／および一般式（ＶＩＩ）で表される化合物を１種または２種類以上含有することもできる。

(式中、Ｒ^６１Ｒ^６２、Ｒ^７１およびＲ^７２はそれぞれ独立して炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、炭素原子数１から１０の直鎖アルコキシ基又は炭素原子数２から１０の直鎖アルケニル基を表す。）
　一般式（ＶＩ）で表される化合物は、具体的には次に挙げる化合物が好適に使用できる。

　一般式（ＶＩＩ）で表される化合物は、具体的には次に挙げる化合物が好適に使用できる。

（液晶表示素子）
　上記のような本発明の液晶組成物は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に適用される。以下、図１～６を参照にして、本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子の例を説明する。

　図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第一の透明絶縁基板２と、第二の透明絶縁基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有するＦＦＳモードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第一の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第一の透明絶縁基板２及び第二の透明絶縁基板７のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第二の基板２および前記第一の基板７は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第二の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。

　すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、第一の偏光板１と、第一の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第二の基板７と、第二の偏光板８と、が順次積層された構成である。第一の基板２と第二の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

　図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第一の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２５及び一対のデータバスライン２４のみが示されている。

　複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

　薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１と対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１７の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護膜１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

　前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

　さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

　ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

　図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上のほぼ全面に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第一の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

　画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離：Ｒが、第一の基板２と第二の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成されている。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３には、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、電極間距離：Ｒが第一の基板２と第二の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

　カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

　電極層３、及び、カラーフィルタ６上には、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４が設けられている。配向膜４は、例えば、ラビング処理されたポリイミド膜であり、各配向膜の配向方向は平行である。ここで、図４を用いて、本実施形態における配向膜４のラビング方向（液晶組成物の配向方向）について説明する。図４は、配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図である。本発明においては、正の誘電率異方性を有する液晶組成物が用いられる。したがって、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたときに、該ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね４５～９０°となるように配向されることが好ましい。図４に示す例では、ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね４５°の例が示されている。このように液晶の配向方向を誘起するのは、液晶表示装置の最大透過率を高めるためである。

　また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子３０の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

　上記のような構成のＦＦＳ型の液晶表示装置１０は、薄膜ＴＦＴを介して画素電極２１に画像信号（電圧）を供給することで、画素電極２１と共通電極２２との間にフリンジ電界を生じさせ、この電界によって液晶を駆動する。すなわち、電圧を印加しない状態では、液晶分子３０は、その長軸方向が、配向膜４の配向方向と平行になるように配置している。電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子３０は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転する。本発明では、正の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いるため、液晶分子３０の長軸方向が、発生した電界方向に平行になるように回転する。

　図１～図４を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、図５は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の例である。図５に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６又はデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

　また、図６は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図６に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離はＲ＝αとなる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図６に示されるように、共通電極２２を第一の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

　本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子は、特定の液晶組成物を用いているため、高速応答と表示不良の抑制を両立させることができる。

　また、ＦＦＳモードの液晶表示素子は、第一の基板２と第二の基板７との間に液晶層５を注入する際、例えば、真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：One Drop Fill）法等の方法が行われるが、本願発明においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

　滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、さらに、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。ＦＦＳモードの液晶表示素子においては、表示素子中に形成される薄膜トランジスター、及び、櫛形やスリットを有する画素電極２１等は、薄い配向膜４、あるいは薄い配向膜４と薄い絶縁保護層１８等しか液晶組成物を隔てる部材が無いことから、イオン性物質を遮断しきれない可能性が高く、電極を構成する金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかったが、ＦＦＳ型の液晶表示素子において本願発明の液晶組成物を組み合わせて用いることにより、効果的に滴下痕の発生が抑えられる。

　また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本願発明の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本願発明の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。

　本発明の液晶表示素子には、ＰＳ－ＦＦＳモード等の重合性モノマーの硬化物を構成要素とする液晶表示素子として使用するために、重合性化合物を含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。更に具体的には、一般式（ＸＸ）

（式中、Ｘ^２０１及びＸ^２０２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、
Ｚ^２０１は－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＯＯ－、－ＣＨ＝ＣＨ－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＯＣＯ－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯＯ－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＯＣＯ－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－ＣＨ_２－、－ＯＣＯ－ＣＨ_２－、－ＣＨ_２－ＣＯＯ－、－ＣＨ_２－ＯＣＯ－、－ＣＹ^１＝ＣＹ^２－（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、－Ｃ≡Ｃ－又は単結合を表し、
Ｍ^２０１は１，４－フェニレン基、トランス－１，４－シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４－フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表される二官能モノマーが好ましい。

　Ｘ^２０１及びＸ^２０２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。

　Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１～８のアルキレン基又は－Ｏ－（ＣＨ_２）_ｓ－を表す態様が好ましい。この場合１～４のアルキル基が好ましく、ｓは１～４が好ましい。

　Ｚ^２０１は、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－又は単結合が好ましく、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。

　Ｍ^２０１は任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４－フェニレン基、トランス－１，４－シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４－フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^２０１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｍ^２０１が単結合の場合、Ｚ^２０１は単結合が好ましい。

　これらの点から、一般式（ＸＸ）において、Ｓｐ^２０１及びＳｐ^２０２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。

　一般式（ＸＸ）において、Ｍ^２０１が単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（ＸＸａ－１）から式（ＸＸａ－５）を表すことが好ましく、式（ＸＸａ－１）から式（ＸＸａ－３）を表すことがより好ましく、式（ＸＸａ－１）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^２０１又はＳｐ^２０２に結合するものとする。）
　これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。

　以上のことから、重合性モノマーとしては、一般式（ＸＸ－１）～一般式（ＸＸ－４）が特に好ましく、中でも一般式（ＸＸ－２）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２０は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
　本発明の液晶組成物にモノマーを添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

　本発明における液晶組成物は、さらに、一般式（Ｑ）で表される化合物を含有することができる。

（式中、Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－で置換されてよく、Ｍ^Ｑはトランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基又は単結合を表す。）
　Ｒ^Ｑは炭素原子数１から２２の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上のＣＨ_２基は、酸素原子が直接隣接しないように、－Ｏ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＯ－、－ＯＣＯ－、－ＣＯＯ－、－Ｃ≡Ｃ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－で置換されてよいが、炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－又は－ＣＯＯ－に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－又は－ＣＯＯ－に置換された分岐鎖アルキル基が好ましく、炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－又は－ＣＯＯ－に置換された直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、分岐アルコキシ基、１つのＣＨ_２基が－ＯＣＯ－又は－ＣＯＯ－に置換された分岐鎖アルキル基が更に好ましい。Ｍ^Ｑはトランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基又は単結合を表すが、トランス－１，４－シクロへキシレン基又は１，４－フェニレン基が好ましい。

　一般式（Ｑ）で表される化合物は、より具体的には、下記の一般式（Ｑ－ａ）から一般式（Ｑ－ｄ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^Ｑ１は炭素原子数１から１０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ２は炭素原子数１から２０の直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基が好ましく、Ｒ^Ｑ３は炭素原子数１から８の直鎖アルキル基、分岐鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基又は分岐鎖アルコキシ基が好ましく、Ｌ^Ｑは炭素原子数１から８の直鎖アルキレン基又は分岐鎖アルキレン基が好ましい。一般式（Ｑ－ａ）から一般式（Ｑ－ｄ）で表される化合物中、一般式（Ｑ－ｃ）及び一般式（Ｑ－ｄ）で表される化合物が更に好ましい。
本願発明の液晶組成物において、一般式（Ｑ）で表される化合物を１種又は２種を含有することが好ましく、１種から５種含有することが更に好ましく、その含有量は０．００１から１質量％であることが好ましく、０．００１から０．１質量％が更に好ましく、０．００１から０．０５質量％が特に好ましい。

　本発明の重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与される。　液晶表示素子に使用される液晶セルの２枚の基板はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、実質的に透明であれば材質に特に限定はなく、ガラス、セラミックス、プラスチック等を使用することができる。プラスチック基板としてはセルロ－ス、トリアセチルセルロ－ス、ジアセチルセルロ－ス等のセルロ－ス誘導体、ポリシクロオレフィン誘導体、ポリエチレンテレフタレ－ト、ポリエチレンナフタレ－ト等のポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリビニルアルコ－ル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアミド、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリスチレン、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレ－ト、ポリエーテルサルホン、ポリアリレート、さらにガラス繊維－エポキシ樹脂、ガラス繊維－アクリル樹脂などの無機－有機複合材料などを用いることができる。

　なおプラスチック基板を使用する際には、バリア膜を設けることが好ましい。バリア膜の機能は、プラスチック基板が有する透湿性を低下させ、液晶表示素子の電気特性の信頼性を向上することにある。バリア膜としては、それぞれ、透明性が高く水蒸気透過性が小さいものであれば特に限定されず、一般的には酸化ケイ素などの無機材料を用いて蒸着やスパッタリング、ケミカルベーパーデポジション法（ＣＶＤ法）によって形成した薄膜を使用する。２枚の基板は同素材を使用しても異素材を使用してもよく特に限定はない。ガラス基板を用いれば耐熱性や寸法安定性の優れた液晶表示素子を作製することができて好ましい。またプラスチック基板であれば、ロールツウロール法による製造方法に適し且つ軽量化あるいはフレキシブル化に適しており好ましい。また、平坦性及び耐熱性付与を目的とするならば、プラスチック基板とガラス基板とを組み合わせると良い結果を得ることができる。
２枚の基板の内の一方の基板はシリコン等の不透明な材料でも良い。
透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムスズオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。

　カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。

　前記基板上には、ブラックマトリックス、カラーフィルタ６、平坦化膜あるいは配向膜４等を設けている。

　ブラックマトリックスは、例えば、顔料分散法にて作製する。具体的にはバリア膜を設けた基板上に、ブラックマトリックス形成用に黒色の着色剤を均一分散させたカラーレジン液を塗布し、着色層を形成する。続いて、着色層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックスが完成する。

　あるいは、フォトレジスト型の顔料分散液を使用してもよい。この場合は、フォトレジスト型の顔料分散液を塗布し、プリベークしたのち、マスクパターンを通して露光した後に、現像を行って着色層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、着色層をベーキングしてブラックマトリックスが完成する。

　カラーフィルタ６は、顔料分散法、電着法、印刷法あるいは染色法等にて作成する。顔料分散法を例にとると、（例えば赤色の）顔料を均一分散させたカラーレジン液を基板上に塗布し、ベーキング硬化後、該上にフォトレジストを塗布しプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に現像を行い、パターニングする。この後フォトレジスト層を剥離し、再度ベーキングすることで、（赤色の）カラーフィルタが完成する。作成する色順序に特に限定はない。同様にして、緑カラーフィルタ、青カラーフィルタを形成する。

　透明電極には、カラーフィルタ上に、必要に応じて表面平坦化のためにオーバーコート層を設ける。透明電極は透過率が高い方が好ましく、電気抵抗が小さいほうが好ましい。透明電極はＩＴＯなどの酸化膜をスパッタリング法などによって形成する。

　また、前記透明電極を保護する目的で、透明電極の上にパッシベーション膜を設ける場合もある。

　前記基板には、配向膜４を形成しているが、これは液晶を配向させる機能を有する膜であり、通常ポリイミドのような高分子材料が用いられることが多い。塗布液には、高分子材料と溶剤からなる配向剤溶液が使われる。配向膜はシール材との接着力を阻害する可能性があるため、封止領域内にパターン塗布する。塗布にはフレキソ印刷法のような印刷法、インクジェットのような液滴吐出法が用いられる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、ベーキングにより架橋硬化される。この後、配向機能を出すために、配向処理を行う。

　配向処理は通常ラビング法にて行われる。前述のように形成された高分子膜上を、レーヨンのような繊維から成るラビング布を用いて一方向にこすることにより液晶配向能が生じる。

　また、光配向法を用いることもある。光配向法は、光感受性を有する有機材料を含む配向膜上に偏光を照射することにより配向能を発生させる方法であり、ラビング法による基板の傷や埃の発生が生じない。光配向法における有機材料の例としては二色性染料を含有する材料がある。二色性染料としては、光二色性に起因するワイゲルト効果による分子の配向誘起もしくは異性化反応（例：アゾベンゼン基）、二量化反応（例：シンナモイル基）、光架橋反応（例：ベンゾフェノン基）、あるいは光分解反応（例：ポリイミド基）のような、液晶配向能の起源となる光反応を生じる基（以下、光配向性基と略す）を有するものを用いることができる。塗布された配向剤溶液は仮乾燥により溶剤が蒸発した後、任意の偏向を有する光（偏光）を照射することで、任意の方向に配向能を有する配向膜を得ることができる。

　前記基板２、７の基板間の厚みを均一に保つために、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１～１００μｍとなるように調整するのが好ましい。１．５から１０μｍが更に好ましく、偏光板を使用する場合は、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。スペーサーの種類として、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料などからなる柱状スペーサー等が挙げられる。前記柱状スペーサーの形状は特に限定されず、その水平断面を円形、四角形などの多角形など様々な形状にすることができるが、工程時のミスアラインマージンを考慮して、水平断面を円形または正多角形にすることが特に好ましい。また該突起形状は、円錐台または角錐台であることが好ましい。

　前記柱状スペーサーの材質は、シール材もしくはシール材に使用する有機溶剤、あるいは液晶に溶解しない材質であれば特に限定されないが、加工及び軽量化の面から合成樹脂（硬化性樹脂）であることが好ましい。一方、前記突起は、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法により、第一の基板上のシール材が接する面に設けることが可能である。このような理由から、フォトリソグラフィによる方法や液滴吐出法に適した、光硬化性樹脂を使用することが好ましい。

　透明電極上に、柱状スペーサー形成用の（着色剤を含まない）レジン液を塗布する。続いて、このレジン層をベーキングして硬化する。この上にフォトレジストを塗布し、これをプリベークする。フォトレジストにマスクパターンを通して露光した後に、現像を行ってレジン層をパターニングする。この後、フォトレジスト層を剥離し、レジン層をベーキングして柱状スペーサーが完成する。

　柱状スペーサーの形成位置はマスクパターンによって所望の位置に決めることができる。従って、液晶表示素子の封止領域内と封止領域外（シール材塗布部分）との両方を同時に作成することができる。また柱状スペーサーは封止領域の品質が低下することがないように、ブラックマトリックスの上に位置するように形成させることが好ましい。このようにフォトリソグラフィ法によって作製された柱状スペーサーのことを、カラムスペーサ又はフォトスペーサと呼ぶことがある。

　前記スペーサーの材質は、ＰＶＡ－スチルバゾ感光性樹脂などのネガ型水溶性樹脂や多官能アクリル系モノマー、アクリル酸共重合体、トリアゾール系開始剤などの混合物が使用される。あるいはポリイミド樹脂に着色剤を分散させたカラーレジンを使う方法もある。本発明においては特に限定はなく、使用する液晶やシール材との相性に従い公知の材質でスペーサーを得ることができる。　前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させ、又、封止領域となる面にシール材を塗布する。

　シール材の材質は特に限定はなく、エポキシ系やアクリル系の光硬化性、熱硬化性、光熱併用硬化性の樹脂に重合開始剤を添加した硬化性樹脂組成物が使用される。また、透湿性や弾性率、粘度などを制御するために、無機物や有機物よりなるフィラー類を添加することがある。これらフィラー類の形状は特に限定されず、球形、繊維状、無定形などがある。さらに、セルギャップを良好に制御するために単分散径を有する球形や繊維状のギャップ材を混合したり、基板との接着力をより強化するために、基板上突起と絡まりやすい繊維状物質を混合しても良い。このとき使用する繊維状物質の直径はセルギャップの１／５～１／１０以下程度が望ましく、繊維状物質の長さはシール塗布幅よりも短いことが望ましい。

　また、繊維状物質の材質は所定の形状が得られるものであれば特に限定されず、セルロース、ポリアミド、ポリエステルなどの合成繊維やガラス、炭素などの無機材料を適宜選ぶことが可能である。

　シール材を塗布する方法としては、印刷法やディスペンス法があるが、シール材の使用量が少ないディスペンス法が望ましい。シール材の塗布位置は封止領域に悪影響を及ぼさないように通常ブラックマトリックス上とする。次工程の液晶滴下領域を形成するため（液晶が漏れないように）、シール材塗布形状は閉ループ形状とする。

　前記シール材を塗布した基板の閉ループ形状（封止領域）に液晶を滴下する。通常はディスペンサーを使用する。滴下する液晶量は液晶セル容積と一致させるため、柱状スペーサーの高さとシール塗布面積とを掛け合わせた体積と同量を基本とする。しかし、セル貼り合わせ工程における液晶漏れや表示特性の最適化のために、滴下する液晶量を適宜調整することもあれば、液晶滴下位置を分散させることもある。

　次に、前記シール材を塗布し液晶を滴下したフ基板に、もう一方の基板を貼り合わせる。具体的には、静電チャックのような基板を吸着させる機構を有するステージに一方の基板ともう一方の基板を吸着させ、双方の配向膜と配向膜とが向きあい、シール材ともう一方の基板が接しない位置（距離）に配置する。この状態で系内を減圧する。減圧終了後、基板と基板との貼り合せ位置を確認しながら両基板位置を調整する（アライメント操作）。貼り合せ位置の調整が終了したら、一方の基板上のシール材ともう一方の基板とが接する位置まで基板を接近させる。この状態で系内に不活性ガスを充填させ、徐々に減圧を開放しながら常圧に戻す。このとき、大気圧により双方の基板が貼り合わされ、柱状スペーサーの高さ位置でセルギャップが形成される。この状態でシール材に紫外線を照射してシール材を硬化することによって液晶セルを形成する。この後、場合によって加熱工程を加え、シール材硬化を促進する。シール材の接着力強化や電気特性信頼性の向上のために、加熱工程を加えることが多い。

　二枚の偏光板１、８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラトが良好になるように調整する。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

　実施例中、測定した特性は以下の通りである。

　Ｔ_ＮＩ　：ネマチック相－等方性液体相転移温度（℃）
　Δｎ　：２５℃における屈折率異方性
　Δε　：２５℃における誘電率異方性
　η　　：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
　γ_１　：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で６０℃における電圧保持率（％）
　焼き付き　：
　液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

　◎残像無し
　○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
　△残像有り許容できないレベル
　×残像有りかなり劣悪
　滴下痕　：
　液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の４段階評価で行った。

　◎残像無し
　○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
　△残像有り許容できないレベル
　×残像有りかなり劣悪
プロセス適合性　：
　プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に５０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０～１００回、１０１～２００回、２０１～３００回、・・・・９９９０１～１０００００回」の各１００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。

　◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
　○変化が僅かに有るも許容できるレベル
　△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
　×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
　低温での溶解性：
　低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「－２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（－０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（－０．１℃／毎分）→－２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。

　◎６００時間以上析出物が観察されなかった。

　○３００時間以上析出物が観察されなかった。

　△１５０時間以内に析出物が観察された。

　×７５時間以内に析出物が観察された。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（側鎖）
　－ｎ　　　　－ＣｎＨ２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
　－Ｏｎ　　　－ＯＣｎＨ２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
　－Ｖ　　　　－Ｃ＝ＣＨ２　ビニル基
　－Ｖｎ　　　－Ｃ＝Ｃ－ＣｎＨ２ｎ＋１　炭素原子数（ｎ＋１）の１－アルケン
　－ＣＦ_２Ｏ―－ＣＦＦＯ－
（環構造）

　（比較例１（液晶組成物１））
　次に示す組成を有する液晶組成物１（比較例１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍのＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

　尚、化合物略号の右の数値は含有量を表し、数値は全て質量％を表す。

液晶組成物１はＴＶ用液晶組成物として良好な物性を示し、電圧保持率、焼き付き、滴下痕などの信頼性にかかる特性も良好な特性を示した。また、プロセス適合性、低温での溶解性も良好な結果を示した。透過率は８７．２％であった。
（実施例１）
比較例１の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Ph-Ph5-Ph-2を添加した実施例１の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例１の組成物は、比較例１の液晶組成物１と比較してほぼ同等の物性、信頼性、プロセス適合性、低温での溶解性を維持しつつ、比較例１の液晶組成物１の透過率である８７．２％と比較して高い透過率である８８．１％を示した。
（実施例２～４）
比較例１の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Ph-Ph5-Ph-2を比率を変えて添加した実施例２～４の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例２～４の組成物は、比較例１の液晶組成物１と比較してほぼ同等の物性、信頼性、プロセス適合性、低温での溶解性を維持しつつ、比較例１の液晶組成物１の透過率である８７．２％と比較して高い透過率である８９．０～９０．１％を示した。
（実施例５～８）
比較例１の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Ph-Ph5-Ph-2及び3-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例５～８の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例５～８の組成物は、比較例１の液晶組成物１と比較してほぼ同等の物性、信頼性、プロセス適合性、低温での溶解性を維持しつつ、比較例１の液晶組成物１の透過率である８７．２％と比較して高い透過率である８７．９～９０．３％を示した。
（実施例９～１１）
比較例１の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Cy-Cy-Ph5-O2、5-Cy-Cy-Ph5-O2及び3-Cy-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例９～１１の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例９～１１の組成物は、比較例１の液晶組成物１と比較してほぼ同等の物性、信頼性、プロセス適合性、低温での溶解性を維持しつつ、比較例１の液晶組成物１の透過率である８７．２％と比較して高い透過率である８９．１～９０．３％を示した。
（比較例２）
　次に示す組成を有する液晶組成物２（比較例２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍのＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

液晶組成物２はＴＶ用液晶組成物として良好な物性を示した。また、透過率は８７．３％であった。
（実施例１２～１５）
比較例２の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Ph-Ph5-Ph-O2及び3-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例１２～１５の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例１２～１５の組成物は、比較例２の液晶組成物２と比較してほぼ同等の物性を維持しつつ、比較例２の液晶組成物２の透過率である８７．３％と比較して高い透過率である８８．１～８９．３％を示した。
（実施例１６～１８）
比較例２の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Cy-Cy-Ph5-O2、5-Cy-Cy-Ph5-O2及び3-Cy-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例１６～１８の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例１６～１８の組成物は、比較例２の液晶組成物２と比較してほぼ同等の物性を維持しつつ、比較例２の液晶組成物２の透過率である８７．３％と比較して高い透過率である８８．３～８９．５％を示した。
（比較例３）
　次に示す組成を有する液晶組成物３（比較例３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物３を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍのＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

液晶組成物３はＴＶ用液晶組成物として良好な物性を示した。また、透過率は８８．０％であった。
（実施例１９～２２）
比較例３の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Ph-Ph5-Ph-2及び3-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例１９～２２の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例１９～２２の組成物は、比較例３の液晶組成物３と比較してほぼ同等の物性を維持しつつ、比較例３の液晶組成物３の透過率である８８．０％と比較して高い透過率である８８．８～９０．０％を示した。
（実施例２３～２５）
比較例３の液晶組成物に、本願一般式（ＩＶ）で表される化合物である3-Cy-Cy-Ph5-O2、5-Cy-Cy-Ph5-O2及び3-Cy-Ph-Ph5-O2を比率を変えて添加した実施例２３～２５の組成物を調整し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

実施例２３～２５の組成物は、比較例３の液晶組成物３と比較してほぼ同等の物性を維持しつつ、比較例３の液晶組成物３の透過率である８８．０％と比較して高い透過率である８９．２～９０．５％を示した。

Claims

対向に配置された第一の透明絶縁基板と、第二の透明絶縁基板と、前記第一の基板と第二の基板間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
前記第一基板上に、透明導電性材料からなる共通電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交叉部に、薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極とを各画素毎に有し、
前記液晶層と、前記第一基板と第二基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、
前記画素電極と共通電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離：Ｒが前記第一の基板と第二の基板との距離：Ｇより小さく、
前記共通電極は、前記第一基板のほぼ全面に平板状に、前記画素電極より第一基板に近い位置に配置され、
該液晶組成物が、正の誘電率異方性を有し、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、誘電率異方性の絶対値が１以上であり、一般式（Ｍ）

（式中、Ｒ^Ｍ１は炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＰＭは、０、１、２、３又は４を表し、
　Ｃ^Ｍ１及びＣ^Ｍ２はそれぞれ独立して、
（ｄ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－又は－Ｓ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｅ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ｄ）、基（ｅ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｋ^Ｍ１及びＫ^Ｍ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＰＭが２、３又は４であってＫ^Ｍ１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＰＭが２、３又は４であってＣ^Ｍ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、
　Ｘ^Ｍ１及びＸ^Ｍ３はそれぞれ独立して水素原子、塩素原子又はフッ素原子を表し、
　Ｘ^Ｍ２は、水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、フルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロメトキシ基又は２，２，２－トリフルオロエチル基を表す。）で表される化合物、一般式（Ｌ）

（式中、Ｒ^Ｌ１及びＲ^Ｌ２はそれぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の－ＣＨ_２－はそれぞれ独立して－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－又は－ＯＣＯ－によって置換されていてもよく、
　ＯＬは０、１、２又は３を表し、
　Ｂ^Ｌ１、Ｂ^Ｌ２及びＢ^Ｌ３はそれぞれ独立して
（ａ）　１，４－シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ_２－又は隣接していない２個以上の－ＣＨ_２－は－Ｏ－に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）　１，４－フェニレン基（この基中に存在する１個の－ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の－ＣＨ＝は－Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
　Ｌ^Ｌ１及びＬ^Ｌ２はそれぞれ独立して単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－又は－Ｃ≡Ｃ－を表し、
　ＯＬが２又は３であってＬ^Ｌ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ＯＬが２又は３であってＢ^Ｌ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物及び一般式（ＩＶ）

（式中R⁷及びR⁸はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
A¹及びA²はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基を表すが、A¹又は／及びA²が1,4-フェニレン基を表す場合、該1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Z¹及びZ²はそれぞれ独立して単結合、－OCH₂－、－OCF₂－、－CH₂O－、又はCF₂O－を表し、
n1及びn2はそれぞれ独立して、0、1、2又は3を表すが、n1+n2は1～3であり、A¹、A²、Z¹及び／又はZ²が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物を含有し、該一般式（ＩＶ）で表される化合物の含有量が０．５から２０％であることを特徴とする液晶表示素子。
一般式（Ｌ）で表される化合物が、下記一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）である請求項１記載の液晶表示素子。
該画素電極が櫛形であるか又は、スリットを有する請求項１又は２記載の液晶表示素子。