JP7271880B2 - 液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示素子に関する。

表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス方式の液晶表示素子が、携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等に広く用いられている。液晶テレビは、ＶＡモードが主流である。ＶＡモードの一つには、ＵＶ２Ａ（ＶＡＴＮ）モードがある（例えば、特許文献１および２参照）。また、液晶テレビは、ＦＨＤから４ｋ２ｋ、８ｋ４ｋへと高精細化が進んでいる。

ＵＶ２Ａモードの液晶表示素子では、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板とにより、画素領域にチルト方向の異なる４つのドメインを形成している。ところが、ドメイン同士の境界部分や画素電極の縁部において、液晶分子が所定の方向に倒れず、暗線（光の透過率が低い暗領域）が生成する。画素サイズが大きい場合、暗線の影響は小さいが、画素サイズが小さくなると、暗線の影響が大きくなる。その結果、液晶表示素子の光の透過率が大きく低下することになる。

特許第４６６６３９８号公報 特開２０１１－５３７２１号公報

本発明は、暗領域のサイズを小さくして、光の透過率を高めた液晶表示素子を提供することにある。

このような目的は、下記の（１）～（７）の本発明により達成される。
（１） 複数の画素電極を備える第１基板と、
該画素電極に対向配置された対向電極を備える第２基板と、
前記画素電極と前記対向電極との間に配置され、液晶組成物で構成された垂直配向型の液晶層と、
前記第１基板の前記画素電極側に、前記液晶層に接触して配置された第１配向膜と、
前記第２基板の前記対向電極側に、前記液晶層に接触して配置され、配向方位が前記第１配向膜の配向方位と直交または平行する第２配向膜とを有し、
前記液晶組成物は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、そのベンド弾性定数（ｋ３３）が１４．６ｐＮ以上であることを特徴とする液晶表示素子。

（２） 前記第１配向膜および前記第２配向膜で規定される前記液晶分子のプレチルト角は、８５°超９０°未満である上記（１）に記載の液晶表示素子。
（３） 当該液晶表示素子は、前記複数の画素電極に対応する複数の画素領域を備え、
隣り合う前記画素領域の短辺のピッチは、２０～２５０μｍである上記（１）または（２）に記載の液晶表示素子。
（４） 前記液晶層は、電圧を印加した状態で、前記液晶分子のチルト方向が異なる複数のドメインを含む上記（１）～（３）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（５） 前記液晶分子は、下記一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含む上記（１）～（４）いずれか１つに記載の液晶表示素子。

（式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよく、
Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｄ） １，４－シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表し、
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子またはフッ素原子を表し、
Ｔ^Ｎ３１は、－ＣＨ_２－または酸素原子を表し、
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１およびｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２または３であり、Ａ^Ｎ１１～Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１～Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。）

（６） 前記液晶分子は、ｎ^Ｎ１１が２、ｎ^Ｎ１２が０、Ｒ^Ｎ１１が炭素原子数３のアルキル基、Ｒ^Ｎ１２が炭素原子数２のアルコキシ基、Ａ^Ｎ１１の少なくとも１つが１，４－シクロヘキシレン基である前記一般式（Ｎ－１）で表される化合物である化合物（Ｎ－１－Ｘ）を１種以上含む上記（５）に記載の液晶表示素子。
（７） 前記液晶組成物中に含まれる前記化合物（Ｎ－１－Ｘ）の合計量が２２質量％以上である上記（６）に記載の液晶表示素子。

（８） 前前記液晶組成物は、さらに、下記一般式（Ｌ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含有する上記（１）～（７）のいずれか１つに記載の液晶表示素子。

（式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよく、
ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表し、
Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表し、
ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよいが、前記一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物を除く。）

本発明によれば、所定のベンド弾性定数（ｋ３３）を有する液晶組成物を用いることにより、暗領域の幅の小さい液晶表示素子が得られる。

液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図である。 図１に示す液晶表示素子の駆動原理を説明するための概念図（（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態）である。 図１に示す液晶表示素子における画素領域の例を示す模式図である。 図３に示す画素領域の幅方向端部における透過率を示すグラフである。 配向分割構造を有する画素領域の透過光のシミュレーションの結果を示す図である。 配向分割構造を有する画素領域の例を示す模式図である。 ベンド弾性定数（ｋ３３）と暗領域の幅との関係を示すグラフである。 特定の液晶分子の量とベンド弾性定数（ｋ３３）との関係を示すグラフである。

以下、本発明の液晶表示素子について、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、液晶表示素子の一実施形態に模式的に示す分解斜視図、図２は、図１に示す液晶表示素子の駆動原理を説明するための概念図（（ａ）がオフ状態、（ｂ）がオン状態）、図３は、図１に示す液晶表示素子における画素領域の例を示す模式図、図４は、図３に示す画素領域の幅方向端部における透過率を示すグラフ、図５は、配向分割構造を有する画素領域の透過光のシミュレーションの結果を示す図、図６は、配向分割構造を有する画素領域の例を示す模式図である。

なお、図１～図３および図６では、便宜上、各部の寸法およびそれらの比率を誇張して示し、実際とは異なる場合がある。また、以下に示す材料、寸法等は一例であって、本発明は、それらに限定されず、その要旨を変更しない範囲で適宜変更することが可能である。
また、説明の都合上、図１中の右側を「上側」と、左側を「下側」と言い、図２中の上側を「上側」と、下側を「下側」と言い、図３、図５および図６中の紙面手前側を「上側」と、紙面奥側を「下側」と言う。

図１～図３（図５および図６も同様）に示す液晶表示素子１は、ＶＡＴＮモードの液晶表示素子である。この液晶表示素子１は、アクティブマトリックス基板ＡＭと、アクティブマトリックス基板ＡＭに対して対向配置されたカラーフィルタ基板ＣＦと、これらの基板ＡＭ、ＣＦの間に配置され、液晶組成物で構成された垂直配向型の液晶層４とを有している。本発明では、液晶組成物は、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１を含有する。
アクティブマトリックス基板ＡＭは、下側基板（第１基板）２と、下側基板２の上面（液晶層４側の面）に形成された電極層５とを備えている。一方、カラーフィルタ基板ＣＦは、上側基板（第２基板）３と、上側基板３の下面（液晶層４側の面）に順に形成されたカラーフィルタ６および対向電極層９とを備えている。

また、液晶層４と電極層５との間に下側配向膜（第１配向膜）Ｘが設けられ、液晶層４とカラーフィルタ６との間に上側配向膜（第２配向膜）Ｙが設けられている。各配向膜Ｘ、Ｙは、液晶層４と直接接触して、液晶層４中の液晶分子４１の配向を誘起する。
図２（ａ）に示すように、液晶層４に印加される電圧が閾値電圧未満であるオフ状態（電圧無印加状態）では、下側配向膜Ｘと上側配向膜Ｙとは、液晶分子４１を膜表面（基板面）に対してほぼ垂直かつ配向方位が互いに直交するように配向させる。
ここで、配向方位とは、液晶分子４１を膜表面に投影した際に、投影像の長手方向に相当する方位である。
なお、図２（ａ）に示す状態で、下側配向膜Ｘおよび上側配向膜Ｙで規定される液晶分子４１のプレチルト角は、８５°超９０°未満であることが好ましく、８７～８９°程度であることがより好ましい。これにより、液晶表示素子１の透過率およびコントラストの双方を高めることができる。

また、下側配向膜Ｘと上側配向膜Ｙとは、ＶＡＴＮモードにおける表示が可能な程度に液晶分子４１を配向させることができればよい。したがって、下側配向膜Ｘの配向方位と上側配向膜Ｙの配向方位とのなす角度は、９０±５°程度であればよい。
一方、図２（ｂ）に示すように、液晶層４に印加される電圧が閾値電圧を超えたオン状態（電圧印加状態）では、負の誘電率異方性を有する液晶分子４１が電界に応じて、膜表面に対してほぼ平行に配向する。
このような構成の液晶表示素子１では、オフ状態で光の透過が阻止され、オン状態で光の透過が許容される。
なお、各配向膜Ｘ、Ｙは、例えば、ラビング処理や偏光ＵＶ光の露光処理が施されたポリイミド膜で構成することができる。

図１に示すように、下側基板２の下面および上側基板７の上面には、それぞれ下側偏光板７および上側偏光板８が設けられている。
下側偏光板７および上側偏光板８は、それらの透過軸（偏光軸）が互いに直交するように配置されている。
なお、下側偏光板７の透過軸方向と下側配向膜Ｘの配向方位とを一致させ、上側偏光板８の透過軸方向と上側配向膜Ｙの配向方位とを一致させてもよく、下側偏光板７の透過軸方向と上側配向膜Ｙの配向方向とを一致させ、上側偏光板８の透過軸方向と下側配向膜Ｘの配向方向とを一致させるようにしてもよい。

このように、本実施形態の液晶表示素子１は、下側偏光板７と、下側基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層５と、下側配向膜Ｘと、液晶組成物で構成された液晶層４と、上側配向膜Ｙと、カラーフィルタ６と、対向電極層９と、上側基板３と、上側偏光板８とが順次積層された構成を有している。
下側基板２および上側基板３は．それぞれガラスまたはプラスチックのような柔軟性を有する透明な材料で構成することができる。なお、下側基板２および上側基板３の一方を、シリコン等の不透明な材料で構成するようにしてもよい。

アクティブマトリックス基板ＡＭおよびカラーフィルタ基板ＣＦの周辺領域には、エポキシ系熱硬化性組成物やアクリル系ＵＶ硬化性組成物等のシール材が配置され、このシール材によってアクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとが貼り合わされている。
なお、アクティブマトリックス基板ＡＭとカラーフィルタ基板ＣＦとの間には、これらの離間距離を保持（規定）するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

図示しないが、下側基板２の上面に形成された電極層５は、走査信号を供給するための複数のゲートバスラインと、表示信号を供給するための複数のソースバスラインと、ドレイン引き出し配線と、補助容量配線（ＣＳバスライン）とを有している。
ゲートバスラインとソースバスラインとが、互いに交差してマトリックス状に配置されている。そして、２つのゲートバスラインと２つのソースバスラインとにより囲まれた領域により、液晶表示素子１の１つの画素領域（単位画素領域）が形成され、この画素領域内に、画素電極５１が形成されている。

ゲートバスラインとソースバスラインとが互いに交差している交差部近傍には、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタのドレイン電極は、画素電極５１に接続されており、画素電極５１に表示信号を供給するスイッチ素子として機能する。
一方、対向電極層９は、図示しない対向電極（共通電極）と、対向電極に接続された共通ラインとを有している。
また、カラーフィルタ６には、光の漏れを防止する観点で、各画素領域を囲むように、ブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

ゲートバスライン、ソースバスラインおよび共通ラインは、それぞれ金属材料で構成することが好ましい。かかる金属材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられるが、ＡｌまたはＡｌを含む合金が好ましい。
共通電極および画素電極５１は、それぞれ、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＺＴＯ（Indium Zinc Tin Oxide）のような透明導電性材料で構成することができる。このように、共通電極および画素電極５１を透明導電性材料で構成することにより、液晶表示素子１の各単位画素領域における開口面積が大きくなり、開口率および透過率を増大させることができる。

図３には、下側配向膜Ｘの配向方位ＡＸと、下側配向膜Ｘの配向方位ＡＸと直交する上側配向膜Ｙの配向方位ＡＹと、液晶層４に電圧を印加したときの液晶分子４１のチルト方向とが示されている。
また、液晶層４に電圧を印加するとともに光を透過させた状態で、液晶表示素子１を平面視したときの表示面の様子も示されている。具体的には、液晶表示素子１の表示面は、画素電極５１の中央部に対応する明領域Ｌと、画素電極５１の縁部に対応し、光の透過率が明領域Ｌの光の透過率より低い線状の暗領域Ｄとを含んでいる。
なお、図３では、観察者側から見たときの液晶分子４１の配向方向を模式的に示しており、円柱状で示す液晶分子４１の端部（円形部分）が観察者側となるように、液晶分子４１が傾いている。

ここで、画素電極５１は、４つの辺Ｓ１～Ｓ４を有している。このため、液晶層４に電圧を印加した際に生成する斜め電界は、各辺Ｓ１～Ｓ４に直交し、かつ画素領域（液晶層４の画素電極５１に対応する領域）の内側に向かう方向の成分を含む配向規制力を発生させる。液晶分子４１は、この配向規制力に影響を受ける。
辺Ｓ１、Ｓ４においては、これらのそれぞれに直交し、かつ画素領域の内側に向かう方向が、液晶分子４１のチルト方向と９０°を上回る角度をなすため、液晶分子４１に配向の乱れが生じる。このため、液晶層４に電圧を印加するとともに光を透過させた状態では、辺Ｓ１、Ｓ４に平行に明領域Ｌより暗い暗領域Ｄが生じる。

液晶表示素子１の透過率を増大させるためには、暗領域Ｄのサイズ（幅）はできる限り小さい方が好ましい。かかる観点から、本発明者が鋭意検討を重ねた結果、液晶層４を構成する液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を１４．６ｐＮ以上とすることにより、暗領域Ｄのサイズを十分に小さくし得ることを見出した。
液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）は、１４．６ｐＮ以上であればよいが、１５ｐＮ以上であることが好ましく、１５．５ｐＮ以上であることがより好ましい。液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を上記範囲に設定することにより、暗領域Ｄのサイズをより小さくすることができる。なお、ベンド弾性定数（ｋ３３）の上限値は、特に限定されないが、他の物性との兼ね合いから実用性を考慮して、３０程度とすることが好ましい。

暗領域Ｄの幅は、液晶表示素子１の特性上、０μｍとすることはできないが、液晶表示素子１の透過率を改善するためにはできる限り小さいことが好ましい。具体的には、案領域Ｄの幅が５μｍ以下であることが好ましく、４．８μｍ以下であることがより好ましく、４．５μｍ以下であることがさらに好ましい。
ここで、暗領域Ｄの幅のサイズについて記載する場合、そのサイズは、長辺Ｓ１に沿った暗領域Ｄ（図６の場合、暗領域Ｄα、Ｄγ）の長手方向の中央位置での幅のサイズであり、図４に示す透過率曲線の谷となる部分が、透過率０．５の直線と交差する２点間の距離（両矢印で示す長さ）で表される。

また、図５および図６に示す構成では、画素領域は、４つのドメインα、β、γおよびδがマトリクス状に配置された４配向分割構造を有している。各ドメインα～δにおける液晶分子４１のチルト方向（オン状態）が互いに直交し、またドメインα～δの面積も互いにほぼ等しくなっている。かかる構成により、液晶表示素子１の視野角特性を向上させることができる。
下側配向膜Ｘが２つの領域に分割され、一方の領域の配向方位がＡＸ１、他方の領域の配向方位がＡＸ１と反対のＡＸ２となっている。一方、上側配向膜Ｙも２つの領域に分割され、一方の領域の配向方位がＡＹ１と、他方の領域の配向方位がＡＹ１と反対のＡＹ２となっている。これにより、液晶層４に電圧を印加したときに、４つのドメインα～δにおける液晶分子４１のチルト方向が互いに直交するようになる。

図５および図６に示す構成の画素領域では、図３に基づいて説明したのと同様の理由から、ドメインαでは、辺Ｓ１の近傍かつ辺Ｓ１に平行に暗領域Ｄαが生じ、ドメインβでは、辺Ｓ２の近傍かつ辺Ｓ２に平行に暗領域Ｄβが生じ、ドメインγでは、辺Ｓ３の近傍かつ辺Ｓ３に平行に暗領域Ｄγが生じ、ドメインδでは、辺Ｓ４の近傍かつ辺Ｓ４に平行に暗領域Ｄδが生じる。なお、図５に示す図は、ＬＣＤＭａｓｔｅｒ ３Ｄ（シンテック株式会社製）によるシミュレーションの結果である。
前述したように、所定のベンド弾性定数（ｋ３３）を有する液晶組成物を用いることにより、各暗領域Ｄα～Ｄδの幅を小さくすることができる。
なお、図５および図６に示す構成の画素領域では、ドメインα～δ同士が互いに隣接する境界部に、十字状の暗領域ＣＲも観察される。

したがって、図３に示す構成では、ゲートバスライン、ソースバスライン等の配線を暗領域Ｄに対応するように配置すれば、液晶表示素子１の有効開口率（光の利用効率）を高めることができる。
一方、図５および図６に示す構成では、上記配線を暗領域Ｄα～Ｄδおよび暗領域ＣＲに対応するように配置すれば、液晶表示素子１の有効開口率を高めることができる。
なお、図５および図６に示す構成では、各ドメインα～δにおける液晶分子４１のチルト方向が約４５°になるように、下側配向膜Ｘの配向方位と上側配向膜Ｙの配向方位とを直交させたが、もともとチルト方向が約４５°になるように、下側配向膜Ｘの配向方位と上側配向膜Ｙの配向方位とを平行（ただし、ほぼ１８０°反転）させてもよい。この場合、下側配向膜Ｘの配向方位と上側配向膜Ｙの配向方位とのなす角度は、０±５°程度であればよい。また、４つのドメインの配置も、図示のような２行×２列の行列状に限定されない。
また、図５および図６に示す構成では、１つの画素電極５１に対応する１つの画素領域に４つのドメインを形成していたが、２つの画素電極５１に対応する２つの画素領域に４つのドメインを形成してもよく、４つの画素電極５１に対応する４つの画素領域に４つのドメインを形成してもよい。

画素電極５１の形状は、特に限定されないが、図３、図５および図６に示すように、長方形状とすることができる。この場合、隣り合う画素電極５１（画素領域）において短辺のピッチが２０～２５０μｍ程度であることが好ましく、３５～１００μｍ程度であることがより好ましい。このように微小の画素電極５１を有する液晶表示素子１において、本発明を適用すれば、より顕著な効果が発揮される。なお、短辺のピッチとは、隣り合う画素電極５１の短辺の垂直二等分線（中心線）間の距離を言う。また、画素電極５１の形状が長方形状でない場合、隣り合う画素電極５１（画素領域）のピッチは、それらの中心線間の距離を言う。

このような特性を有する液晶組成物中に含まれる液晶分子は、下記一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。かかる化合物を含む液晶分子を用いることにより、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を上記範囲に調整し易くなる。

式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよい。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、
（ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｄ） １，４－シクロヘキセニレン基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表す。
Ｘ^Ｎ２１は、水素原子またはフッ素原子を表す。

Ｔ^Ｎ３１は、－ＣＨ_２－または酸素原子を表す。
ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１およびｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表すが、ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２または３であり、Ａ^Ｎ１１～Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１～Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。

Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基、炭素原子数２～８のアルケニル基または炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数２～５のアルケニルオキシ基であることがより好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることがさらに好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基または炭素原子数２～３のアルケニル基であることが特に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）であることが最も好ましい。

また、それらは、ベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または炭素原子数４～５のアルケニル基であることが好ましく、シクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、それらの炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）～（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。
具体的には、Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、２－フルオロ－１，４－フェニレン基、３－フルオロ－１，４－フェニレン基、３，５－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、２，３－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基であることが好ましく、下記化５の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－シクロヘキセニレン基または１，４－フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－ＣＦ_２ＣＦ_２－または単結合であることが好ましく、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＨ_２ＣＨ_２－または単結合であることがより好ましく、－ＣＨ_２Ｏ－または単結合がさらに好ましい。
Ｘ^Ｎ２１は、フッ素原子であることが好ましい。
Ｔ^Ｎ３１は、酸素原子であることが好ましい。

ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、１または２であることが好ましい。具体的には、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が２でありｎ^Ｎ１２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ１１が１でありｎ^Ｎ１２が１である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が１でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ２１が２でありｎ^Ｎ２２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が１でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせ、ｎ^Ｎ３１が２でありｎ^Ｎ３２が０である組み合わせが好ましい。

中でも、液晶分子は、ｎ^Ｎ１１が２、ｎ^Ｎ１２が０、Ｒ^Ｎ１１が炭素原子数３のアルキル基、Ｒ^Ｎ１２が炭素原子数２のアルコキシ基、Ａ^Ｎ１１の少なくとも１つが１，４－シクロヘキシレン基である前記一般式（Ｎ－１）で表される化合物である化合物（Ｎ－１－Ｘ）を１種以上含むことが好ましい。かかる液晶分子を用いることにより、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を上記範囲により調整し易くなる。

液晶組成物中に含まれる化合物（Ｎ－１－Ｘ）の合計量は、２２質量％以上であることが好ましく、２５質量％以上であることがより好ましく、２８質量％以上であることがさらに好ましい。かかる量の化合物（Ｎ－１－Ｘ）を配合することにより、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を上記範囲により正確に調整することができる。また、液晶組成物の誘電率異方性を比較的大きくすることができるため、液晶組成物の駆動電圧を低く保つこともできる。

一般式（Ｎ－１）で表される化合物としては、下記一般式（Ｎ－１ａ）～（Ｎ－１ｇ）で表される化合物を挙げることができる。

式中、Ｒ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２は、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。
ｎ^Ｎａ１１は、０または１を表す。
ｎ^Ｎｂ１１は、１または２を表す。
ｎ^Ｎｃ１１は、０または１を表す。
ｎ^Ｎｄ１１は、１または２を表す。
ｎ^Ｎｅ１１は、１または２を表す。
ｎ^Ｎｆ１２は、１または２を表す。
ｎ^Ｎｇ１１は、１または２を表す。

Ａ^Ｎｅ１１は、トランス－１，４－シクロへキシレン基または１，４－フェニレン基を表す。
Ａ^Ｎｇ１１は、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－シクロヘキセニレン基または１，４－フェニレン基を表すが、少なくとも１つは、１，４－シクロヘキセニレン基を表す。
Ｚ^Ｎｅ１１は、単結合またはエチレン基を表すが、少なくとも１つは、エチレン基を表す。
ただし、Ａ^Ｎｅ１１、Ｚ^Ｎｅ１１および／またはＡ^Ｎｇ１１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

より具体的には、一般式（Ｎ－１）で表される化合物は、下記一般式（Ｎ－１－１）～（Ｎ－１－２１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。
一般式（Ｎ－１－１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１１１およびＲ^Ｎ１１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１１１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、プロピル基、ペンチル基またはビニル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１１２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－１）で表される化合物は、下記式（Ｎ－１－１．１）～（Ｎ－１－１．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、下記式（Ｎ－１－１．１）～（Ｎ－１－１．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、下記式（Ｎ－１－１．１）および（Ｎ－１－１．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

式（Ｎ－１－１．１）～（Ｎ－１－１．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－１．１）～（Ｎ－１－１．２５）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ－１－２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１２１およびＲ^Ｎ１２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１２１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基またはペンチル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１２２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基またはプロポキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３７質量％、４０質量％、４２質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４８質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－２）で表される化合物は、下記式（Ｎ－１－２．１）～（Ｎ－１－２．２５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－２．３）～（Ｎ－１－２．７）、式（Ｎ－１－２．１０）、式（Ｎ－１－２．１１）、式（Ｎ－１－２．１３）および式（Ｎ－１－２．２０）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

なお、一般式（Ｎ－１－２）で表される化合物は、Δεの改良を重視する場合には、式（Ｎ－１－２．３）～（Ｎ－１－２．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、Ｔ_ｎｉの改良を重視する場合には、式（Ｎ－１－２．１０）、式（Ｎ－１－２．１１）および式（Ｎ－１－２．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、応答速度の改良を重視する場合には、式（Ｎ－１－２．２０）で表される化合物であることが好ましい。また、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）の調整を重視する場合には、式（Ｎ－１－２．４）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ－１－２．１）～（Ｎ－１－２．２５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－２．１）～（Ｎ－１－２．２５）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｎ－１－３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１３１およびＲ^Ｎ１３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１３１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^Ｎ１３２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数３～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、１－プロペニル基、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－３）で表される化合物は、式（Ｎ－１－３．１）～（Ｎ－１－３．２１）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－３．１）～（Ｎ－１－３．７）および式（Ｎ－１－３．２１）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－３．１）、式（Ｎ－１－３．２）、式（Ｎ－１－３．３）、式（Ｎ－１－３．４）および式（Ｎ－１－３．６）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。また、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）の調整を重視する場合には、式（Ｎ－１－３．２）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ－１－３．１）～（Ｎ－１－３．４）、式（Ｎ－１－３．６）および式（Ｎ－１－３．２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできるが、式（Ｎ－１－３．１）で表される化合物と式（Ｎ－１－３．２）で表される化合物との併用、式（Ｎ－１－３．３）、式（Ｎ－１－３．４）および式（Ｎ－１－３．６）から選ばれる２種または３種の併用が好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－３．１）～（Ｎ－１－３．４）、式（Ｎ－１－３．６）および式（Ｎ－１－３．２１）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１４１およびＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１４１およびＲ^Ｎ１４２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－４）で表される化合物は、式（Ｎ－１－４．１）～（Ｎ－１－４．２４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－４．１）～（Ｎ－１－４．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－４．１）、式（Ｎ－１－４．２）および式（Ｎ－１－４．４）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式（Ｎ－１－４．１）～（Ｎ－１－４．２４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－４．１）～（Ｎ－１－４．２４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１１質量％、１０質量％、８質量％である。

一般式（Ｎ－１－５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｎ１５１およびＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｎ１５１およびＲ^Ｎ１５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることが好ましい。

一般式（Ｎ－１－５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－５）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－５）で表される化合物は、式（Ｎ－１－５．１）～（Ｎ－１－５．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－５．１）、式（Ｎ－１－５．２）および式（Ｎ－１－５．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

式（Ｎ－１－５．１）、式（Ｎ－１－５．２）および式（Ｎ－１－５．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－５．１）、式（Ｎ－１－５．２）および式（Ｎ－１－５．４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、８質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１０１}およびＲ^{Ｎ１１０２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１０１}は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基または１－プロペニル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１０２}は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物は、式（Ｎ－１－１０．１）～（Ｎ－１－１０．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－１０．１）～（Ｎ－１－１０．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－１０．１）および式（Ｎ－１－１０．２）で表される化合物から選ばれることがさら好ましい。

式（Ｎ－１－１０．１）および式（Ｎ－１－１０．２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－１０．１）および式（Ｎ－１－１０．２）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１１１}およびＲ^{Ｎ１１１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１１１}は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基、ビニル基または１－プロペニル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１１２}は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には低めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物は、式（Ｎ－１－１１．１）～（Ｎ－１－１１．１４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－１１．１）～（Ｎ－１－１１．１４）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－１１．２および式（Ｎ－１－１１．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。また、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）の調整を重視する場合には、式（Ｎ－１－１１．４）で表される化合物であることが好ましい。

式（Ｎ－１－１１．２）および式（Ｎ－１－１１．４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
液晶組成物中に含まれる式（Ｎ－１－１１．２）および式（Ｎ－１－１１．４）で表される化合物の単独または併用での量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－１２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１２１}およびＲ^{Ｎ１１２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１２１}は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１２２}は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－１３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１３１}およびＲ^{Ｎ１１３２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１３１}は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１３２}は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１３）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－１４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１１４１}およびＲ^{Ｎ１１４２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１１４１}は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。
Ｒ^{Ｎ１１４２}は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましく、エトキシ基、プロポキシ基またはブトキシ基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－１４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択され。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－１４）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－１４）で表される化合物は、式（Ｎ－１－１４．１）～（Ｎ－１－１４．５）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－１４．１）～（Ｎ－１－１４．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－１４．２）および式（Ｎ－１－１４．３）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

一般式（Ｎ－１－２０）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２０１}およびＲ^{Ｎ１２０２}はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２０１}およびＲ^{Ｎ１２０２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－２０）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－２０）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－２１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２１１}およびＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２１１}およびＲ^{Ｎ１２１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－２１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－２１）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

一般式（Ｎ－１－２２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^{Ｎ１２２１}およびＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、一般式（Ｎ－１）におけるＲ^Ｎ１１およびＲ^Ｎ１２と同じ意味を表す。

Ｒ^{Ｎ１２２１}およびＲ^{Ｎ１２２２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましく、エチル基、プロピル基またはブチル基であることがより好ましい。

一般式（Ｎ－１－２２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｎ－１－２２）で表される化合物の量は、Δεの改善を重視する場合には高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、Ｔｎｉを重視する場合には高めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３５質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｎ－１－２２）で表される化合物は、式（Ｎ－１－２２．１）～（Ｎ－１－２２．１２）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｎ－１－２２．１）～（Ｎ－１－２２．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｎ－１－２２．１）～（Ｎ－１－２２．４）で表される化合物から選ばれることがさらに好ましい。

液晶組成物は、さらに、下記一般式（Ｌ）で表される化合物（液晶分子）から選ばれる少なくとも１種を含有してもよい。一般式（Ｌ）で表される化合物は、誘電率異方性を有さないか、あるいは極めて低い。このため、かかる化合物を液晶組成物中に配合することにより、液晶組成物の各種特性を調整することができる。

式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表すが、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよい。
ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表す。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
（ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
（ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
（ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよい。

Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表す。
ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ｎ^Ｌ１が２または３であってＺ^Ｌ３が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
ただし、一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物を除く。

一般式（Ｌ）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類である。あるいは、使用する化合物の種類は、本発明の別の実施形態では、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、１０質量％、２０質量％、３０質量％、４０質量％、５０質量％、５５質量％、６０質量％、６５質量％、７０質量％、７５質量％、８０質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、８５質量％、７５質量％、６５質量％、５５質量％、４５質量％、３５質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値も高いことが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

信頼性を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の双方がアルキル基であることが好ましく、揮発性を低減させることを重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の双方がアルコキシ基であることが好ましく、液晶組成物の粘性の低下を重視する場合には、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２の少なくとも一方がアルケニル基であることが好ましい。
分子内に存在するハロゲン原子の数は、０、１、２または３個であることが好ましく、０または１個であることがより好ましく、他の液晶分子との相溶性を重視する場合には、１個であることがさらに好ましい。

Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それらがベンゼン環（芳香族環）である環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または炭素原子数４～５のアルケニル基であることが好ましく、それらがシクロヘキサン環、ピラン環、ジオキサン環のような飽和した環構造に結合する場合には、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。なお、ネマチック相を安定化させるためには、炭素原子の数（酸素原子を含む場合には、炭素原子の数と酸素原子の数との合計）が５以下であることが好ましく、直鎖状であることも好ましい。

アルケニル基は、下記式（Ｒ１）～（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。

各式中の黒点は、環構造中の炭素原子を表す。

ｎ^Ｌ１は、応答速度を重視する場合には０であることが好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２または３であることが好ましく、これらのバランスをとるためには１であることが好ましい。また、液晶組成物として求められる特性を満たすためには、ｎ^Ｌ１が異なる値である複数種類の一般式（Ｌ）で表される化合物を併用することが好ましい。

Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、Δｎを大きくすることが求められる場合には、芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましい。
具体的には、Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、トランス－１，４－シクロへキシレン基、１，４－フェニレン基、２－フルオロ－１，４－フェニレン基、３－フルオロ－１，４－フェニレン基、３，５－ジフルオロ－１，４－フェニレン基、１，４－シクロヘキセニレン基、１，４－ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン－１，４－ジイル基、ナフタレン－２，６－ジイル基、デカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基または１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基であることが好ましく、下記化３１の基のうちのいずれかであることがより好ましく、トランス－１，４－シクロへキシレン基または１，４－フェニレン基であることがさらに好ましい。

Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。
一般式（Ｌ）で表される化合物は、その分子内に存在するハロゲン原子の数が０または１個であることが好ましい。
より具体的には、一般式（Ｌ）で表される化合物は、下記一般式（Ｌ－１）～（Ｌ－７）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ１１およびＲ^Ｌ１２は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－１）で表される化合物の量は、次のように設定される。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％、４５質量％、５０質量％、５５質量％である。一方、その好ましい上限値は、９５質量％、９０質量％、８５質量％、８０質量％、７５質量％、７０質量％、６５質量％、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％である。

液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度を高める必要がある場合には、上記の下限値が高く、かつ上限値が高いことが好ましい。さらに、液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性を高める必要がある場合には、上記の下限値が中庸、かつ上限値が中庸であることが好ましい。また、液晶組成物の駆動電圧を低く保つべく、その誘電率異方性を大きくしたい場合には、上記の下限値が低く、かつ上限値も低いことが好ましい。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、一般式（Ｌ－１－１）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ－１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

一般式（Ｌ－１－１）で表される化合物は、式（Ｌ－１－１．１）～（Ｌ－１－１．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－１－１．２）および式（Ｌ－１－１．３）で表される化合物から選ばれることがより好ましく、式（Ｌ－１－１．３）で表される化合物であることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－１．３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、一般式（Ｌ－１－２）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１２は、一般式（Ｌ－１）におけるＲ^Ｌ１２と同じ意味を表す。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－１－２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－１－２）で表される化合物は、式（Ｌ－１－２．１）～（Ｌ－１－２．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－１－２．２）～（Ｌ－１－２．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。
特に、式（Ｌ－１－２．２）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ－１－２．３）または式（Ｌ－１－２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－２．３）で表される化合物と式（Ｌ－１－２．４）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、３０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－２．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％、３８質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－１．３）で表される化合物と式（Ｌ－１－２．２）で表される化合物との合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１０質量％、１５質量％、２０質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４３質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３２質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２２質量％である。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、一般式（Ｌ－１－３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基または炭素原子数１～８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１３およびＲ^Ｌ１４は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２７質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－１－３）で表される化合物は、式（Ｌ－１－３．１）～（Ｌ－１－３．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－１－３．１）、式（Ｌ－１－３．３）および式（Ｌ－１－３．４）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。
特に、式（Ｌ－１－３．１）で表される化合物は、液晶組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ－１－３．３）、式（Ｌ－１－３．４）、式（Ｌ－１－３．１１）または式（Ｌ－１－３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。なお、液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－３．３）で表される化合物と、式（Ｌ－１－３．４）で表される化合物と、式（Ｌ－１－３．１１）で表される化合物と式（Ｌ－１－３．１３）で表される化合物との合計量は、低温での溶解度を良くするためには、２０質量％以上にすることは好ましくない。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－３．１）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、一般式（Ｌ－１－４）および／または（Ｌ－１－５）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基または炭素原子数１～８のアルコキシ基を表す。

Ｒ^Ｌ１５およびＲ^Ｌ１６は、それぞれ独立して、直鎖状の炭素原子数１～５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１～４のアルコキシ基または直鎖状の炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－４）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－１－４）および（Ｌ－１－５）で表される化合物は、式（Ｌ－１－４．１）～（Ｌ－１－５．３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－１－４．２）および式（Ｌ－１－５．２）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１７質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％である。

式（Ｌ－１－１．３）、式（Ｌ－１－２．２）、式（Ｌ－１－３．１）、式（Ｌ－１－３．３）、式（Ｌ－１－３．４）、式（Ｌ－１－３．１１）および式（Ｌ－１－３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用すること、あるいは式（Ｌ－１－１．３）、式（Ｌ－１－２．２）、式（Ｌ－１－３．１）、式（Ｌ－１－３．３）、式（Ｌ－１－３．４）および式（Ｌ－１－４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することも好ましい。

液晶組成物中に含まれるこれらの化合物の合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１３質量％、１５質量％、１８質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３３質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、８０質量％、７０質量％、６０質量％、５０質量％、４５質量％、４０質量％、３７質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％、２８質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％である。

液晶組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ－１－３．１）、式（Ｌ－１－３．３）および式（Ｌ－１－３．４）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましく、液晶組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ－１－１．３）および式（Ｌ－１－２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上を併用することが好ましい。

一般式（Ｌ－１）で表される化合物は、一般式（Ｌ－１－６）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

式中、Ｒ^Ｌ１７およびＲ^Ｌ１８は、それぞれ独立して、メチル基または水素原子を表す。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－１－６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、５質量％、１０質量％、１５質量％、１７質量％、２０質量％、２３質量％、２５質量％、２７質量％、３０質量％、３５質量％である。一方、その好ましい上限値は、６０質量％、５５質量％、５０質量％、４５質量％、４２質量％、４０質量％、３８質量％、３５質量％、３３質量％、３０質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－１－６）で表される化合物は、式（Ｌ－１－６．１）～（Ｌ－１－６．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

一般式（Ｌ－２）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ２１およびＲ^Ｌ２２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ２１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ２２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ－２）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－２）で表される化合物の量は、低温での溶解性を重視する場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合には、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。
その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０％質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－２）で表される化合物は、式（Ｌ－２．１）～（Ｌ－２．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－２．１）、式（Ｌ－２．３）、式（Ｌ－２．４）および式（Ｌ－２．６）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ－３）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ３１およびＲ^Ｌ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ－３）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－３）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、５質量％、３質量％である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－３）で表される化合物の量は、高い複屈折率を得る場合には高めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合には低めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、その量の範囲を中間に設定することが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ－３）で表される化合物は、式（Ｌ－３．１）～（Ｌ－３．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－３．２）～（Ｌ－３．５）で表される化合物から選ばれることがより好ましい。

一般式（Ｌ－４）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ４１およびＲ^Ｌ４２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ４１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ４２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ－４）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－４）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

さらに、一般式（Ｌ－４）で表される化合物は、式（Ｌ－４．１）～（Ｌ－４．３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ－４．１）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ－４．２）で表される化合物を含有してもよいし、式（Ｌ－４．１）で表される化合物と式（Ｌ－４．２）で表される化合物との双方を含有してもよいし、式（Ｌ－４．１）～（Ｌ－４．３）で表される化合物の全てを含有してもよい。

液晶組成物中に含まれる式（Ｌ－４．１）または式（Ｌ－４．２）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、９質量％、１１質量％、１２質量％、１３質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ－４．１）で表される化合物と式（Ｌ－４．２）で表される化合物との双方を含有する場合には、それらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ－４）で表される化合物は、式（Ｌ－４．４）～（Ｌ－４．６）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－４．４）で表される化合物であることがより好ましい。

液晶組成物は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ－４．４）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ－４．５）で表される化合物を含有してもよく、式（Ｌ－４．４）で表される化合物と式（Ｌ－４．５）で表される化合物との双方を含有していてもよい。

液晶組成物中の式（Ｌ－４．４）または式（Ｌ－４．５）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、３質量％、５質量％、７質量％、９質量％、１１質量％、１２質量％、１３質量％、１８質量％、２１質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、８質量％である。

液晶組成物が式（Ｌ－４．４）で表される化合物と式（Ｌ－４．５）で表される化合物との双方を含有する場合には、これらの液晶組成物中に含まれる合計量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１５質量％、１９質量％、２４質量％、３０質量％である。一方、その好ましい上限値は、４５質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１３質量％である。

また、一般式（Ｌ－４）で表される化合物は、式（Ｌ－４．７）～（Ｌ－４．１０）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ－４．９）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｌ－５）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ５１およびＲ^Ｌ５２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。

Ｒ^Ｌ５１は、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｒ^Ｌ５２は、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数４～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。

一般式（Ｌ－５）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－５）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である

さらに、一般式（Ｌ－５）で表される化合物は、式（Ｌ－５．１）又は式（Ｌ－５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ－５．１）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ－５）で表される化合物は、式（Ｌ－５．３）または式（Ｌ－５．４）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

また、一般式（Ｌ－５）で表される化合物は、式（Ｌ－５．５）～（Ｌ－５．７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、特に、式（Ｌ－５．７）で表される化合物であることが好ましい。
各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１％質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ－６）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、水素原子またはフッ素原子を表す。

Ｒ^Ｌ６１およびＲ^Ｌ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基または炭素原子数２～５のアルケニル基であることが好ましい。
Ｘ^Ｌ６１およびＸ^Ｌ６２のうちの一方がフッ素原子であり、他方が水素原子であることが好ましい。

一般式（Ｌ－６）で表される化合物は、１種類を単独で使用することも、２種類以上を併用することもできる。
併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－６）で表される化合物の量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％、２３質量％、２６質量％、３０質量％、３５質量％、４０質量％である。一方、その好ましい上限値は、５０質量％、４０質量％、３５質量％、３０質量％、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。なお、一般式（Ｌ－６）で表される化合物の量は、Δｎを大きくすることに重点を置く場合には多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置く場合には少ない方が好ましい。

さらに、一般式（Ｌ－６）で表される化合物は、式（Ｌ－６．１）～（Ｌ－６．９）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、式（Ｌ－６．１）～（Ｌ－６．９）で表される化合物の中から１～３種類選択することが好ましく、１～４種類選択することがより好ましい。
また、併用する化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ－６．１）および式（Ｌ－６．２）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ－６．４）および式（Ｌ－６．５）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ－６．６）および式（Ｌ－６．７）で表される化合物の中から１種類と、式（Ｌ－６．８）および式（Ｌ－６．９）で表される化合物の中から１種類とを選択し、これらを適宜組み合わせることが好ましい。
中でも、式（Ｌ－６．１）、式（Ｌ－６．３）、式（Ｌ－６．４）、式（Ｌ－６．６）および式（Ｌ－６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。

また、一般式（Ｌ－６）で表される化合物は、式（Ｌ－６．１０）～（Ｌ－６．１７）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－６．１１）で表される化合物であることがより好ましい。

各化合物の液晶組成物中に含まれる量は、次の通りであることが好ましい。すなわち、その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％である。一方、その好ましい含有量の上限値は、２０質量％、１５質量％、１３質量％、１０質量％、９質量％である。

一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、下記の化合物である。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＡ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３と同じ意味を表すが、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されもよい。
Ｚ^Ｌ７１は、一般式（Ｌ）におけるＺ^Ｌ２と同じ意味を表す。
Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、フッ素原子または水素原子を表す。

式中、Ｒ^Ｌ７１およびＲ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基または炭素原子数１～４のアルコキシ基であることが好ましい。
Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７２は、それぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基または１，４－フェニレン基であることが好ましい。なお、Ａ^Ｌ７１およびＡ^Ｌ７中に存在する水素原子は、それぞれ独立して、フッ素原子で置換されてもよい。
Ｚ^Ｌ７１は、単結合またはＣＯＯ－であることが好ましく、単結合であることがより好ましい。
Ｘ^Ｌ７１およびＸ^Ｌ７２は、水素原子であることが好ましい。

併用可能な化合物の種類は、特に制限されないが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、適宜選択される。
使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態では、１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。

液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－７）で表される化合物の量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて、適宜調整される。

その好ましい下限値は、１質量％、２質量％、３質量％、５質量％、７質量％、１０質量％、１４質量％、１６質量％、２０質量％である。一方、その好ましい上限値は、３０質量％、２５質量％、２３質量％、２０質量％、１８質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％である。

なお、一般式（Ｌ－７）で表される化合物の量は、Ｔｎｉの高い液晶組成物が求められる場合には多めにすることが好ましく、低粘度の液晶組成物が求められる場合には少なめにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．１）～（Ｌ－７．４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－７．２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．１１）～（Ｌ－７．１３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－７．１１）で表される化合物であることが好ましい。

また、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．２１）～（Ｌ－７．２３）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－７．２１）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．３１）～（Ｌ－７．３４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－７．３１）および／または式（Ｌ－７．３２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．４１）～（Ｌ－７．４４）で表される化合物から選ばれることが好ましく、式（Ｌ－７．４１）および／または式（Ｌ－７．４２）で表される化合物であることがより好ましい。

また、一般式（Ｌ－７）で表される化合物は、式（Ｌ－７．５１）～（Ｌ－７．５３）で表される化合物から選ばれることが好ましい。

本発明における液晶組成物は、一般式（Ｌ－１）で表される化合物と一般式（Ｌ－２）で表される化合物とを含有することが好ましい。この場合、液晶組成物中に含まれる一般式（Ｌ－１）で表される化合物と一般式（Ｌ－２）で表される化合物との合計計は、２５質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、３５質量％以上であることがさらに好ましく、４０質量％以上であることが特に好ましい。
一般式（Ｌ－１）で表される化合物としては、特に、式（Ｌ－１－３．１）で表される化合物、式（Ｌ－１－３．４）で表される化合物が好適である。
一般式（Ｌ－２）で表される化合物としては、特に、式（Ｌ－２．４）で表される化合物が好適である。式（Ｌ－２．４）で表される化合物は、液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）を高める効果も有する。

以上のような液晶組成物は、分子内に過酸（－ＣＯ－ＯＯ－）構造等の酸素原子同士が結合した構造を有する化合物を含有しないことが好ましい。
なお、液晶組成物の信頼性および長期安定性を重視する場合には、カルボニル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を、５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることがさらに好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

ＵＶ照射による安定性を重視する場合には、塩素原子が置換している化合物の液晶組成物中の量を、１５質量％以下とすることが好ましく、１０質量％以下とすることがより好ましく、８質量％以下とすることがさらに好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

また、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の液晶組成物中に含まれる量を多くすることが好ましく、具体的には８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることがさらに好ましく、実質的に１００質量％とすることが最も好ましい。

液晶組成物の酸化による劣化を防止または抑制するためには、環構造としてシクロヘキセン環を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、８質量％以下とすることがより好ましく、５質量％以下とすることがさらに好ましく、３質量％以下とすることが特に好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることが最も好ましい。

さらに、液晶組成物の酸化による劣化を防止または抑制するためには、連結基として－ＣＨ＝ＣＨ－を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の粘度（η）を改善し、かつネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を改善することを重視する場合には、水素原子がハロゲン原子で置換されてもよい２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物中に含まれる化合物（液晶分子等）が、側鎖としてアルケニル基が結合したシクロヘキシレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、２～５であることが好ましい。また、液晶組成物中に含まれる化合物が、側鎖としてアルケニル基が結合したフェニレン基を有する場合には、アルケニル基の炭素原子数は、４～５であることが好ましく、アルケニル基が有する不飽和結合とフェニレン基とは直接結合していないことが好ましい。

また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有し、かつ２，３－ジフルオロベンゼン－１，４－ジイル基を有する化合物の液晶組成物中に含まれる量を少なくすることが好ましく、具体的には１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に０（ゼロ）質量％とすることがさらに好ましい。

液晶組成物の平均弾性定数（Ｋ_ＡＶＧ）は、好ましくは１０～２５である。ただし、その好ましい下限値は、１０、１０．５、１１、１１．５、１２、１２．３、１２．５、１２．８、１３、１３．３、１３．５、１３．８、１４、１４．３、１４．５、１４．８、１５、１５．３、１５．５、１５．８、１６、１６．３、１６．５、１６．８、１７、１７．３、１７．５、１７．８、１８である。一方、その好ましい上限値は、２５、２４．５、２４、２３．５、２３、２２．８、２２．５、２２．３、２２、２１．８、２１．５、２１．３、２１、２０．８、２０．５、２０．３、２０、１９．８、１９．５、１９．３、１９、１８．８、１８．５、１８．３、１８、１７．８、１７．５、１７．３、１７である。

消費電力削減を重視する場合には、バックライトの光量を抑えることが有効であるので、液晶表示素子１の光の透過率を向上させることが好ましい。そのため、Ｋ_ＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合には、Ｋ_ＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。

液晶組成物の２５℃における屈折率異方性（Δｎ）（以下、単に「屈折率異方性」とも言う。）の値は、０．０８～０．１３程度であることが好ましく、０．０９～０．１２程度であることがより好ましい。
液晶組成物の２５℃における回転粘度（γ１）（以下、単に「回転粘度」とも言う。）は、１６５ｍＰａ・ｓ未満が好ましく、８０～１４５ｍＰａ・ｓ程度がより好ましく、９０～１３０ｍＰａ・ｓ程度がさらに好ましい。かかる回転粘度を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層４（液晶表示素子１）の応答速度が低下することを防止することができる。

また、液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の値との関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

式中、γ１は、回転粘度を表し、Δｎは、屈折率異方性を表す。
Ｚは、１３，０００ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましく、１２，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがより好ましく、１１，０００ｍＰａ・ｓ以下であることがさらに好ましい。

液晶組成物のネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は、６０℃以上であることが好ましく、７５℃以上であることがより好ましく、８０℃以上であることがさらに好ましい。かかるＴｎｉを有する液晶組成物を用いることにより、実使用される温度範囲で安定した駆動が可能な液晶層４（液晶表示素子１）を得ることができる。
液晶組成物の比抵抗は、１０^１２Ω・ｍ以上であることが好ましく、１０^１３Ω・ｍ以上であることがより好ましく、１０^１４Ω・ｍ以上であることがさらに好ましい。

液晶組成物の２５℃における誘電率異方性（Δε）の絶対値は、２．５～５程度であることが好ましく、２．６～４．５程度であることがより好ましく、２．７～４程度であることがさらに好ましく、２．８～３．５程度であることがさらに好ましい。かかる誘電率異方性を有する液晶組成物を用いることにより、液晶層４（液晶表示素子１）をより低電圧で駆動することができるようになる。

なお、以上説明した液晶組成物は、上記の液晶分子以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤等のような他の化合物（分子）を含有してもよい。
ただし、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中に塩素原子を有さないことが好ましい。また、液晶組成物の紫外線等の光に対する安定性が求められる場合には、他の化合物は、その構造中にナフタレン環等に代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークを有する縮合環等を有さないことが好ましい。

以上、本発明の液晶表示素子について説明したが、本発明は、前述した実施形態の構成に限定されるものではない。
例えば、本発明の液晶表示素子は、前述した実施形態に構成において、他の任意の構成を追加して有していてもよいし、同様の機能を発揮する任意の構成と置換されていてよい。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
なお、各実施例で用いた化合物の記載について、以下の略号を用いる。

（側鎖）
－ｎ －Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
ｎ－ Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１－：炭素原子数ｎの直鎖状のアルキル基
－Ｏｎ －ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１：炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基

（連結基）
－ｎＯ－ －Ｃ_ｎＨ_２ｎ－Ｏ－
（環構造）

１．ベンド弾性定数（ｋ３３）と暗領域の幅との関係
まず、前述したような液晶分子の種類および量を変更して、ベンド弾性定数（ｋ３３）の異なる複数の液晶組成物を調製した。
次に、図１～図３に示す構成を有し、液晶層を形成する前の複数の液晶表示素子（空セル）を作製し、それぞれの空セルに各液晶組成物を真空注入法により注入して液晶層を形成した。なお、各基板の液晶層側の面には、プレチルト角が８８．５～８９．０°になるようにラビング処理した垂直配向膜を配置した。
その後、封止剤により封口して液晶表示素子を得た。そして、これらの液晶表示素子の表示面に観察される暗領域の幅を測定した。

［ベンド弾性定数（ｋ３３）の測定］
各液晶組成物のベンド弾性定数（ｋ３３）は、弾性定数測定システム（東陽テクニカ社製、「ＥＣ－１型」）を用いて、２５℃で測定した。
［暗領域の幅の測定］
各液晶表示素子に対して、±８Ｖの矩形波電圧を印加しつつ、顕微鏡で暗線領域を撮影し、撮影された写真のプロファイルデータよりの幅を測定した。
横軸をベンド弾性定数（ｋ３３）、縦軸を暗領域の幅として作成したグラフを図７に示す。

図７に示すように、ベンド弾性定数（ｋ３３）と暗領域の幅との間に相関があることが確認された。また、暗領域の幅を５μｍ以下にするためには、ベンド弾性定数（ｋ３３）を１４．６以上にする必要があることが判った。

２．特定の液晶分子の量とベンド弾性定数（ｋ３３）との関係
まず、表１に示す液晶組成物を調製し、上記と同様にして、ベンド弾性定数（ｋ３３）を測定した。なお、表１には、液晶組成物の特性についても併せて示した。

Ｔｎｉ：ネマチック相－等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ ：２５℃における屈折率異方性
ｎｅ ：２５℃における異常光線についての屈折率
ｎｏ ：２５℃における通常光線についての屈折率
Δε ：２５℃における誘電率異方性
ε// ：２５℃における長軸方向の誘電率
ε⊥ ：２５℃における短軸方向の誘電率
γ１ ：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ）

横軸を液晶分子Ｉ～IIIの合計量、縦軸をベンド弾性定数（ｋ３３）として作成したグラフを図８に示す。
図８に示すように、液晶分子Ｉ～IIIの合計量と縦軸をベンド弾性定数（ｋ３３）との間に相関があることが確認された。また、１４．６ｐＮ以上のベンド弾性定数（ｋ３３）を有する液晶組成物を調製するには、液晶分子Ｉ～IIIの合計量を２２質量％以上にする必要があることが判った。

１ 液晶表示素子
２ 下側基板
３ 上側基板
４ 液晶層
４１ 液晶分子
５ 電極層
５１ 画素電極
６ カラーフィルタ
９ 対向電極層
７ 下側偏光板
８ 上側偏光板
Ｘ 下側配向膜
Ｙ 上側配向膜
ＡＭ アクティブマトリックス基板
ＣＦ カラーフィルタ基板
ＡＸ、ＡＸ１、ＡＸ２ 配向方位
ＡＹ、ＡＹ１、ＡＹ２ 配向方位
Ｌ 明領域
Ｄ、Ｄα、Ｄβ、Ｄγ、Ｄδ 暗領域
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４ 辺
α、β、γ、δ ドメイン
ＣＲ 暗領域

Claims (7)

1. 複数の画素電極を備える第１基板と、
   該画素電極に対向配置された対向電極を備える第２基板と、
   前記画素電極と前記対向電極との間に配置され、液晶組成物で構成された垂直配向型の液晶層と、
   前記第１基板の前記画素電極側に、前記液晶層に接触して配置された第１配向膜と、
   前記第２基板の前記対向電極側に、前記液晶層に接触して配置され、配向方位が前記第１配向膜の配向方位と直交または平行する第２配向膜とを有し、
   前記液晶組成物は、負の誘電率異方性を有する液晶分子を含有し、そのベンド弾性定数（ｋ３３）が１４．６ｐＮ以上である液晶表示素子であって、
   前記液晶層は、電圧を印加した状態で、前記液晶分子のチルト方向が異なる複数のドメインを含み、
   前記液晶組成物が、
   下記一般式（Ｎ－１－３）
   

   

   （式中、
   Ｒ ^Ｎ１３１ は、炭素原子数３～８のアルキル基を表し、
   Ｒ ^Ｎ１３２ は、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、
   該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ _２ －は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよい。）
   で表される化合物の１種又は２種以上を１７質量％以上含み、
   下記一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物の１種又は２種以上を１０質量％以上含む、及び／又は、
   下記一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物の１種又は２種以上を１５質量％以上含むことを特徴とする液晶表示素子。
   

   

   （式中、
   Ｒ^{Ｎ１１０１}、Ｒ^{Ｎ１１０２}、Ｒ^{Ｎ１１１１}及びＲ^{Ｎ１１１２}は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、
   該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよい。）
2. 前記第１配向膜および前記第２配向膜で規定される前記液晶分子のプレチルト角は、８５°超９０°未満である請求項１に記載の液晶表示素子。
3. 当該液晶表示素子は、前記複数の画素電極に対応する複数の画素領域を備え、
   隣り合う前記画素領域の短辺のピッチは、２０～２５０μｍである請求項１または２に記載の液晶表示素子。
4. 前記液晶組成物のネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）が、７５℃以上である請求項１～３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
5. 前記液晶分子は、下記一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１～４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
   

   

   （式中、Ｒ^Ｎ１１、Ｒ^Ｎ１２、Ｒ^Ｎ２１、Ｒ^Ｎ２２、Ｒ^Ｎ３１およびＲ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよく、
   Ａ^Ｎ１１、Ａ^Ｎ１２、Ａ^Ｎ２１、Ａ^Ｎ２２、Ａ^Ｎ３１およびＡ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、
   （ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
   （ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、
   （ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
   （ｄ） １，４－シクロヘキセニレン基
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）、基（ｃ）および基（ｄ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
   Ｚ^Ｎ１１、Ｚ^Ｎ１２、Ｚ^Ｎ２１、Ｚ^Ｎ２２、Ｚ^Ｎ３１およびＺ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表し、
   Ｘ^Ｎ２１は、水素原子またはフッ素原子を表し、
   Ｔ^Ｎ３１は、－ＣＨ_２－または酸素原子を表し、
   ｎ^Ｎ１１、ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１、ｎ^Ｎ２２、ｎ^Ｎ３１およびｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、０～３の整数を表すが、
   ｎ^Ｎ１１＋ｎ^Ｎ１２、ｎ^Ｎ２１＋ｎ^Ｎ２２およびｎ^Ｎ３１＋ｎ^Ｎ３２は、それぞれ独立して、１、２または３であり、
   Ａ^Ｎ１１～Ａ^Ｎ３２、Ｚ^Ｎ１１～Ｚ^Ｎ３２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよい。
   但し、一般式（Ｎ－１）で表される化合物において、一般式（Ｎ－１－１０）で表される化合物及び一般式（Ｎ－１－１１）で表される化合物を除く。）
6. 前記液晶組成物が、下記一般式（Ｌ）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種を含有する請求項１～５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
   

   

   （式中、Ｒ^Ｌ１およびＲ^Ｌ２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基を表し、該アルキル基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、それぞれ独立して、－ＣＨ＝ＣＨ－、－Ｃ≡Ｃ－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－ＣＯＯ－または－ＯＣＯ－で置換されてもよく、
   ｎ^Ｌ１は、０、１、２または３を表し、
   Ａ^Ｌ１、Ａ^Ｌ２およびＡ^Ｌ３は、それぞれ独立して、
   （ａ） １，４－シクロヘキシレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ_２－は、－Ｏ－で置換されてもよい。）、
   （ｂ） １，４－フェニレン基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）、および
   （ｃ） ナフタレン－２，６－ジイル基、１，２，３，４－テトラヒドロナフタレン－２，６－ジイル基またはデカヒドロナフタレン－２，６－ジイル基（該基中に存在する任意の１個または隣接しない２個以上の－ＣＨ＝は、－Ｎ＝で置換されてもよい。）
   からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）は、それぞれ独立して、シアノ基、フッ素原子または塩素原子で置換されてもよく、
   Ｚ^Ｌ１およびＺ^Ｌ２は、それぞれ独立して、単結合、－ＣＨ_２ＣＨ_２－、－（ＣＨ_２）_４－、－ＯＣＨ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、－ＣＯＯ－、－ＯＣＯ－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＦ_２Ｏ－、－ＣＨ＝Ｎ－Ｎ＝ＣＨ－、－ＣＨ＝ＣＨ－、－ＣＦ＝ＣＦ－または－Ｃ≡Ｃ－を表し、
   ｎ^Ｌ１が２または３であってＡ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよく、ｎ^Ｌ１が２又は３であってＺ^Ｌ２が複数存在する場合には、それらは同一であっても異なっていてもよいが、前記一般式（Ｎ－１）、（Ｎ－２）および（Ｎ－３）で表される化合物を除く。）
7. 前記一般式（Ｌ）で表される化合物の前記液晶組成物における含有量が１質量％以上である請求項６に記載の液晶表示素子。

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