JP6668347B2 - 自己発熱が低減されたbaw共振器、共振器を備える高周波フィルタ、高周波フィルタを備えるデュプレクサ、及びその製造方法 - Google Patents
自己発熱が低減されたbaw共振器、共振器を備える高周波フィルタ、高周波フィルタを備えるデュプレクサ、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6668347B2 JP6668347B2 JP2017527692A JP2017527692A JP6668347B2 JP 6668347 B2 JP6668347 B2 JP 6668347B2 JP 2017527692 A JP2017527692 A JP 2017527692A JP 2017527692 A JP2017527692 A JP 2017527692A JP 6668347 B2 JP6668347 B2 JP 6668347B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal conductive
- low thermal
- heat bridge
- conductive layer
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02102—Means for compensation or elimination of undesirable effects of temperature influence
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
- H03H9/172—Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
- H03H9/175—Acoustic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
- H03H9/703—Networks using bulk acoustic wave devices
- H03H9/706—Duplexers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/05—Manufacture of multilayered piezoelectric or electrostrictive devices, or parts thereof, e.g. by stacking piezoelectric bodies and electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
−支持基板を供給するステップと、
−交互に高熱伝導層と低熱伝導層を有する音響ミラーを配置するステップと、
−2つの電極間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域をミラー上に構成するステップ。
以下に本願の出願当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
BAW共振器(BAWR)は以下を備える:
2つの電極(EL)とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域(EAB)と、
支持基板(TS)と、
前記アクティブ領域(EAB)と前記支持基板(TS)との間に配置され、低熱伝導層(WI)と高熱伝導層(WL)とを有する、音響ミラーと、
ヒートブリッジ(WB)、
以下を特徴とする、
前記低熱伝導層(WI)は、前記アクティブ領域(EAB)から前記支持基板(TS)への熱流を低減するのに好適であり、
前記ヒートブリッジ(WB)は、前記アクティブ領域(TS)から前記支持基板(TS)への前記熱流を増加させるために備えられる。
[C2]
C1に記載のBAW共振器において、前記音響ミラーは、
2以上の低熱伝導層(WI)と、
2以上の高熱伝導層(WL)と、を有する。
[C3]
前記低熱伝導層(WI)は低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層(WL)は、高音響インピーダンスを有する、C1又は2に記載のBAW共振器。
[C4]
前記低熱伝導層(WI)は誘電材料を有し、前記高熱伝導層(WL)は金属を有する、C1乃至3の何れか1項に記載のBAW共振器。
[C5]
前記ヒートブリッジ(WB)は前記低熱伝導層(WI)よりも高い熱伝導性を有する、C1乃至4の何れか1項に記載のBAW共振器。
[C6]
C1乃至5の何れか1項に記載のBAW共振器において、
前記ヒートブリッジ(WB)と前記アクティブ領域(EAB)との距離は前記アクティブ領域(EAB)と前記支持基板(TS)との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジ(WB)と前記支持基板(TS)との距離は前記アクティブ領域(EAB)と前記支持基板(TS)との距離よりも短い。
[C7]
前記ヒートブリッジ(WB)は、前記アクティブ領域(EAB)を水平方向において取り囲む領域(WB1)を有する、C1乃至6の何れか1項に記載のBAW共振器。
[C8]
前記ヒートブリッジ(WB)は、少なくとも1つの低熱伝導層(WI)に配置され、少なくとも1つの高熱伝導層(WL)と前記アクティブ領域(EAB)又は前記支持基板(TS)とを結合する領域(WB2)を有する、C1乃至7の何れか1項に記載のBAW共振器。
[C9]
前記ヒートブリッジ(WB)は、少なくとも1つの低熱伝導層(WI)に配置され、2つの高熱伝導層(WL)を互いに結合する領域(WB2)を有する、C1乃至8の何れか1項に記載のBAW共振器。
[C10]
C1乃至9の何れか1項に記載のBAW共振器を備える高周波フィルタ。
[C11]
C10に記載の高周波フィルタを備えるデュプレクサ。
[C12]
BAW共振器(BAWR)の製造方法は以下のステップを備える。
支持基板(TS)を供給するステップと、
交互に高熱伝導層(WL)と低熱伝導層(WI)を有する音響ミラーを配置するステップと、
2つの電極(EL)間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域(EAB)を前記ミラー上に構成するステップ、
更に、熱を前記アクティブ領域(EAB)から前記支持基板(TS)へ伝達するために備えられたヒートブリッジ(WB)が構成されることを特徴とする。
[C13]
前記ヒートブリッジ(WB)が、前記低熱伝導層(WI)よりも高い熱伝導材料を有して前記アクティブ領域(EAB)を側方から取り囲む領域(WB1)を含む、C12に記載の方法。
[C14]
前記ヒートブリッジ(WB)は、前記低熱伝導層(WI)よりも高い熱伝導材料を有して前記低熱伝導層(WI)の内部に構成される領域(WB2)を含む、C12又は13に記載の方法。
[C15]
前記ヒートブリッジ(WB)の材料は前記低熱伝導層(WI)においてリソグラフィ工程により積層される、C14に記載の方法。
Claims (14)
- Bulk Acoustic Wave共振器(BAWR)であって、
2つの電極とその間に配置された圧電層を有する電気音響アクティブ領域と、
支持基板と、
前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との間に配置され、低熱伝導層と前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する高熱伝導層とを備える音響ミラー、ここにおいて、前記低熱伝導層は、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への熱流を低減する、と、
前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合されたヒートブリッジ、ここにおいて、前記ヒートブリッジは、少なくとも1つの前記低熱伝導層に配置され、少なくとも1つの前記高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支持基板とを直接接続する領域を備え、前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板への前記熱流を増加させる、と
を備える、BAWR。 - 前記音響ミラーは、複数の低熱伝導層と、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する複数の高熱伝導層と、を備える、請求項1に記載のBAWR。
- 前記低熱伝導層は、低音響インピーダンスを有し、前記高熱伝導層は、高音響インピーダンスを有する、請求項2に記載のBAWR。
- 前記低熱伝導層は、誘電材料を備え、前記高熱伝導層は、金属を備える、請求項2に記載のBAWR。
- 前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する、請求項1に記載のBAWR。
- 前記ヒートブリッジと前記電気音響アクティブ領域との距離は、前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短く、
前記ヒートブリッジと前記支持基板との距離は、前記電気音響アクティブ領域と前記支持基板との距離よりも短い、請求項1に記載のBAWR。 - 前記ヒートブリッジは、前記電気音響アクティブ領域を水平方向において取り囲む領域を備える、請求項1に記載のBAWR。
- 前記ヒートブリッジは、少なくとも1つの前記低熱伝導層に配置され、2つの前記高熱伝導層を互いに結合する領域を備える、請求項2に記載のBAWR。
- 請求項1に記載のBulk Acoustic Wave共振器(BAWR)を備える、高周波フィルタ。
- 請求項1に記載のBulk Acoustic Wave共振器(BAWR)を有する高周波フィルタを備える、デュプレクサ。
- Bulk Acoustic Wave共振器(BAWR)の製造方法であって、
支持基板上に交互に高熱伝導層と低熱伝導層を有する音響ミラーを形成すること、ここにおいて、前記高熱伝導層は、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導性を有する、と、
2つの電極層間に圧電層を有する電気音響アクティブ領域を前記音響ミラー上に形成することと、
熱を前記電気音響アクティブ領域から前記支持基板へ伝達するように構成され、前記支持基板および前記電気音響アクティブ領域に結合された、ヒートブリッジを形成すること、ここにおいて、前記ヒートブリッジは、少なくとも1つの前記低熱伝導層に配置され、少なくとも1つの前記高熱伝導層と前記電気音響アクティブ領域又は前記支持基板とを直接接続する領域を備える、と、
を備える、製造方法。 - 前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えかつ前記電気音響アクティブ領域を側方から取り囲む領域を備える、請求項11に記載の製造方法。
- 前記ヒートブリッジは、前記低熱伝導層よりも高い熱伝導材料を備えかつ前記低熱伝導層の内部に構成される領域を備える、請求項11に記載の製造方法。
- 前記ヒートブリッジを形成することは、前記ヒートブリッジの材料を前記低熱伝導層においてリソグラフィ工程を介して積層することを備える、請求項13に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102014117238.8A DE102014117238B4 (de) | 2014-11-25 | 2014-11-25 | BAW-Resonator mit verringerter Eigenerwärmung, HF-Filter mit BAW-Resonator, Duplexer mit HF-Filter und Verfahren zur Herstellung |
DE102014117238.8 | 2014-11-25 | ||
PCT/EP2015/076197 WO2016083121A1 (de) | 2014-11-25 | 2015-11-10 | Baw-resonator mit verringerter eigenerwärmung, hf-filter mit baw-resonator, duplexer mit hf-filter und verfahren zur herstellung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017536049A JP2017536049A (ja) | 2017-11-30 |
JP2017536049A5 JP2017536049A5 (ja) | 2019-07-18 |
JP6668347B2 true JP6668347B2 (ja) | 2020-03-18 |
Family
ID=54478045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017527692A Active JP6668347B2 (ja) | 2014-11-25 | 2015-11-10 | 自己発熱が低減されたbaw共振器、共振器を備える高周波フィルタ、高周波フィルタを備えるデュプレクサ、及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10298202B2 (ja) |
EP (1) | EP3224946A1 (ja) |
JP (1) | JP6668347B2 (ja) |
CN (1) | CN107005220B (ja) |
DE (1) | DE102014117238B4 (ja) |
WO (1) | WO2016083121A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016111061B4 (de) * | 2016-06-16 | 2018-06-28 | Snaptrack, Inc. | Akustischer Volumenwellenresonator mit reduzierten Verlusten, HF-Filter mit solchen Resonatoren und Verfahren zur Herstellung solcher Resonatoren |
DE102017129160B3 (de) | 2017-12-07 | 2019-01-31 | RF360 Europe GmbH | Elektroakustisches Resonatorbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
CN111342797A (zh) * | 2018-12-18 | 2020-06-26 | 天津大学 | 压电滤波器及具有其的电子设备 |
CN111384907B (zh) * | 2018-12-29 | 2023-07-18 | 开元通信技术(厦门)有限公司 | 体声波谐振器及其制作方法、滤波器、双工器 |
CN111010114B (zh) * | 2019-08-09 | 2023-10-27 | 天津大学 | 带吸热与散热结构的体声波谐振器、滤波器和电子设备 |
US11362638B2 (en) * | 2020-08-19 | 2022-06-14 | RF360 Europe GmbH | Bulk acoustic wave resonator with a heatsink region and electrical insulator region |
CN116325496A (zh) * | 2020-09-14 | 2023-06-23 | 华为技术有限公司 | 声反射器中具有通过质量载荷调谐频率的固态安装体声波谐振器及其制造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10252828B4 (de) * | 2002-11-13 | 2018-07-05 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
JP3889351B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2007-03-07 | Tdk株式会社 | デュプレクサ |
JP4624659B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-02-02 | パナソニック株式会社 | 超音波探触子 |
US6992400B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-01-31 | Nokia Corporation | Encapsulated electronics device with improved heat dissipation |
JP4697517B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜共振子およびその製造方法 |
US7378781B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-05-27 | Nokia Corporation | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes |
JP4835238B2 (ja) * | 2006-04-06 | 2011-12-14 | ソニー株式会社 | 共振器、共振器の製造方法および通信装置 |
JP4975377B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-07-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ |
US7463118B2 (en) * | 2006-06-09 | 2008-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Piezoelectric resonator with an efficient all-dielectric Bragg reflector |
JP2008035358A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 薄膜圧電バルク波共振器及びそれを用いた高周波フィルタ |
JP4895323B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-03-14 | 宇部興産株式会社 | 薄膜圧電共振器 |
JP5018788B2 (ja) * | 2007-01-24 | 2012-09-05 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子及び圧電フィルタ |
WO2008126473A1 (ja) | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜フィルタ |
JP5031450B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2012-09-19 | 富士フイルム株式会社 | 複合圧電材料、超音波探触子、超音波内視鏡、及び、超音波診断装置 |
US20090026192A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-01-29 | Fuhrman Michael D | Electric radiant heating element positioning mats and related methods |
US20100277034A1 (en) * | 2009-03-11 | 2010-11-04 | Rajarishi Sinha | Array of baw resonators with mask controlled resonant frequencies |
US8610333B2 (en) * | 2010-09-24 | 2013-12-17 | Wei Pang | Acoustic wave devices |
DE102010056562B4 (de) * | 2010-12-30 | 2018-10-11 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung des elektroakustischen Bauelements |
JP5735099B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-06-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法ならびに携帯電話機 |
CN102571027A (zh) * | 2012-02-27 | 2012-07-11 | 浙江瑞能通信科技有限公司 | 基于全金属布拉格反射层的薄膜体声波谐振器结构 |
US9118300B2 (en) * | 2013-01-15 | 2015-08-25 | Phonon Corporation | SAW device with heat efficient temperature controller |
DE102014112372B3 (de) * | 2014-08-28 | 2016-02-25 | Epcos Ag | Filterchip und Verfahren zur Herstellung eines Filterchips |
-
2014
- 2014-11-25 DE DE102014117238.8A patent/DE102014117238B4/de active Active
-
2015
- 2015-11-10 EP EP15791317.9A patent/EP3224946A1/de not_active Withdrawn
- 2015-11-10 WO PCT/EP2015/076197 patent/WO2016083121A1/de active Application Filing
- 2015-11-10 CN CN201580061603.5A patent/CN107005220B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-10 JP JP2017527692A patent/JP6668347B2/ja active Active
- 2015-11-10 US US15/528,713 patent/US10298202B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016083121A1 (de) | 2016-06-02 |
DE102014117238A1 (de) | 2016-05-25 |
US10298202B2 (en) | 2019-05-21 |
JP2017536049A (ja) | 2017-11-30 |
DE102014117238B4 (de) | 2017-11-02 |
CN107005220B (zh) | 2020-05-08 |
CN107005220A (zh) | 2017-08-01 |
EP3224946A1 (de) | 2017-10-04 |
US20170272053A1 (en) | 2017-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6668347B2 (ja) | 自己発熱が低減されたbaw共振器、共振器を備える高周波フィルタ、高周波フィルタを備えるデュプレクサ、及びその製造方法 | |
WO2021077711A1 (zh) | 电极具有空隙层的体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
US20220286105A1 (en) | Acoustic wave device with transverse mode suppression | |
US20210250014A1 (en) | Resonance apparatus for processing electrical loss using conductive material and method for manufacturing the same | |
JP5689080B2 (ja) | 圧電薄膜共振子、通信モジュール、通信装置 | |
US7893793B2 (en) | Film bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same | |
JP2009124640A (ja) | 薄膜圧電バルク波共振器およびその製造方法、並びに薄膜圧電バルク波共振器を用いた薄膜圧電バルク波共振器フィルタ | |
JP4629492B2 (ja) | 圧電薄膜共振子およびフィルタ | |
JP6330912B2 (ja) | 弾性波装置 | |
KR20100055415A (ko) | Baw 구조체, baw 구조의 형성 방법 및 baw 구조를 포함하는 반도체 다이 | |
US8878419B2 (en) | Piezoelectric device | |
JP2011041136A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
JP4895323B2 (ja) | 薄膜圧電共振器 | |
TW201830695A (zh) | Baw諧振器裝置 | |
JP2017536049A5 (ja) | ||
JP5390431B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
WO2021232530A1 (zh) | 一种固态装配谐振器的联接结构及制作工艺 | |
CN111434036A (zh) | 电声谐振器装置及其制造方法 | |
JP5585389B2 (ja) | 弾性波素子及びその製造方法 | |
JP4846509B2 (ja) | 圧電共振器及び圧電共振器の製造方法 | |
JP2007208727A (ja) | 圧電薄膜共振器、フィルタおよびその製造方法 | |
CN113615082A (zh) | Saw器件及其制造方法 | |
JP2008206139A (ja) | 二重モード圧電フィルタ、その製造方法、およびそれを用いた高周波回路部品および通信機器 | |
JP2008124638A (ja) | 薄膜圧電デバイス及びその製造方法 | |
JPWO2020049789A1 (ja) | 共振子及びそれを備えた共振装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190612 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190612 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190702 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190813 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6668347 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |