JP6663439B2 - エッチングされた孔を充填するためのプロセス - Google Patents
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Description
(i)前記前面上およびエッチングされた孔の中に熱可塑性の第1ポリマ層を堆積させるステップと;
(ii)第1ポリマをリフローさせるステップと;
(iii)前記ウェーハ基板を制御された酸化プラズマに曝露して、前記前面を露出させるステップと;
(iv)任意選択的に、ステップ(i)から(iii)を繰り返すステップと;
(v)各孔を前記第2ポリマで過充填するために、フォトイメージャブルな第2ポリマの層を堆積させるステップと;
(vi)前記孔の周囲の外側の領域から第2ポリマを選択的に除去して、過充填された孔を提供するステップであって、選択的な除去が、前記第2ポリマの露光および現像を含む、ステップと;
(vii)前記前面を平坦化して、前記第1および第2ポリマを具えるプラグで充填された1またはそれ以上の孔を提供するステップであって、各プラグの上面が、前記ウェーハ基板の前面と同一平面上にある、ステップとを具え、
前記第1ポリマと第2ポリマが異なることを特徴とするプロセス。
(i)前面とエッチングの孔にフォトイメージャブルな熱可塑性の第3ポリマの層を堆積させるステップと;
(ii)第3ポリマをリフローさせるステップと;
(iii)第3ポリマの露光および現像により、各孔の周囲の外側の領域から第3ポリマを任意選択的に除去するステップと;
(iv)各孔が第3ポリマで過充填されるまで、ステップ(i)から(iii)を任意選択的に繰り返すステップと;
(v)前面を平坦化して、第3ポリマのプラグで充填された1またはそれ以上の孔を提供するステップであって、各プラグの上面が、前記ウェーハ基板の前面と同一平面上にある、ステップとを具える。
(i)熱可塑性第1ポリマの層を前面およびエッチングの孔の層に堆積させるステップと;
(ii)第1ポリマをリフローさせるステップと;
(iii)孔が第1ポリマで過充填されるまでステップ(i)とステップ(ii)を選択的に繰り返すステップと;
(iv)フォトイメージャブルな第2ポリマの層を堆積させるステップと;
(vi)第2ポリマを露光および現像することで、孔の周囲の外側の領域から第2ポリマを任意選択的に除去するステップと;
(vii)前記ウェーハ基板を制御された酸化プラズマに曝露して、前記前面を露出させるステップと;
(viii)前記前面を平坦化して、前記第1のみを具えるプラグで充填された1またはそれ以上の孔を提供するステップであって、各プラグの上面が、前記ウェーハ基板の前面と同一平面上にある、ステップとを具え、
前記第1ポリマと第2ポリマが異なることを特徴とするプロセス。
(i)前面とエッチングされた孔にフォトイメージャブルな第4ポリマの層を堆積させるステップと;
(ii)各孔の周囲の外側の領域から第4ポリマを任意選択的に除去するステップであって、選択的な除去が、第4ポリマの露光および現像を含む、ステップと;
(iii)各孔が第4ポリマで過充填されるまで、ステップ(i)と(ii)を任意選択的に繰り返すステップと;
(vi)前面を平坦化して、第4ポリマのプラグで充填された1またはそれ以上の孔を提供するステップであって、各プラグの上面が、前記ウェーハ基板の前面と同一平面上にある、ステップとを具え、前記第1ポリマと第2ポリマが異なることを特徴とするプロセス。
図1には、前面3を画定する高いアスペクト比の孔2を有する基板1が示されている。この基板は、バルクシリコン基板4に配置された上側CMOS層5を有するCMOSシリコン基板である。CMOS層4は、典型的には、層間絶縁膜(ILD)層の間に挿入された1またはそれ以上の金属層を具える。孔2は、適当な異方性のDRIEプロセス(例えば、米国特許第5501893号に記載されるような「Bosch etch」)によって画定できる。孔2は、所望の断面形状を有することができ、その形状は、エッチングプロセス中のフォトレジストマスクにより画定される。
本発明の第2実施形態について、図8から図11を参照して説明する。図8をまず参照すると、孔2が、熱可塑性およびフォトイメージャブルな特性の両方を有するポリマ13で充填される。例えば、熱可塑性のフォトイメージャブルなポリマ13は、Level(登録商標)M10コーティングであり、Brewer Science社から入手可能である。熱可塑性のフォトイメージャブルなポリマ13は、上記の熱可塑性ポリマ7に匹敵する相対的に低い粘性を有する。したがって、ポリマ13は、一回のスピン・コーティングで、孔2を充填することができ、その後、ソフトベーキングにより溶媒が除去される。ポリマ13の低い粘性および熱可塑性のリフロー特性により、溶媒の泡または気泡が、ソフトベーキングおよびリフローベーキング中に抜けだすことができる。
図12から図16には、上記第1実施形態に関連する、第1ポリマ7および第2ポリマ9を用いる本発明の第3実施形態が示されている。図12には、熱可塑性の第1ポリマ7をスピン・コーティングしてリフローベーキングした後の基板1が示されている。第1実施形態とは対照的に、典型的には2またはそれ以上のサイクルのスピン・コーティングおよびリフローベーキングにより、孔2にはポリマ7が過充填されている。リフローベーキング後、基板1は、酸化プラズマに曝露されて、前面3からポリマ7が取り除かれるようにしてもよい。しかしながら、このステップは任意であり、図12には、スピン・コーティングとリフローベーキングの各サイクル後に、アッシングのステップのない代替的なプロセスが示されている。
本明細書における第4実施形態は、比較的浅いおよび/または低いアスペクト比の孔(例えば、1:1よりも小さいアスペクト比を有する孔および/または10ミクロン未満または5ミクロン未満の深さを有する孔)を充填するのに適している。図17は、基板の前面3に規定される低アスペクト比の孔21を有するシリコン基板1を示している。
完全にするため、上記の孔充填プロセスを利用して製造されるインクジェットノズルデバイスを記載する。
Claims (15)
- ウェーハ基板の表面に画定された1またはそれ以上のエッチングされた孔を充填するためのプロセスおいて、前記プロセスが、
(i)各孔を部分的に充填するために、前記表面上および各孔の中に非フォトイメージャブルな熱可塑性の第1ポリマの層を堆積させるステップと;
(ii)前記第1ポリマをリフローさせるステップと;
(iii)前記ウェーハ基板を制御された酸化プラズマに曝露して、前記表面を露出させるステップと;
(iv)任意選択的に、ステップ(i)から(iii)を繰り返すステップと;
(v)各孔を前記第2ポリマで過充填するために、フォトイメージャブルな第2ポリマの層を堆積させるステップと;
(vi)前記孔の周囲の外側の領域から前記第2ポリマを選択的に除去して、過充填された孔を提供するステップであって、選択的な除去が、前記第2ポリマの露光および現像を含む、ステップと;
(vii)前記表面を平坦化して、前記第1および第2ポリマを具えるプラグで充填された1またはそれ以上の孔を提供するステップであって、各プラグの上面が、前記ウェーハ基板の表面と同一平面上にある、ステップとを具え、
前記第1ポリマと第2ポリマが異なることを特徴とするプロセス。 - 請求項1に記載のプロセスにおいて、各孔が、少なくとも10ミクロンの深さを有することを特徴とするプロセス。
- 請求項1または2に記載のプロセスにおいて、各孔が、1:1よりも大きいアスペクト比を有することを特徴とするプロセス。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載のプロセスにおいて、前記第1ポリマが、前記第2ポリマよりも粘性が少ないことを特徴とするプロセス。
- 請求項1乃至4の何れか一項に記載のプロセスにおいて、ステップ(iii)において、前記制御された酸化プラズマへの曝露が、前記第1ポリマの予め設定された厚みを取り除くように時間調整されることを特徴とするプロセス。
- 請求項1乃至5の何れか一項に記載のプロセスにおいて、ステップ(vii)において、ウェーハが、化学機械平坦化(CMP)プロセスにより平坦化されることを特徴とするプロセス。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載のプロセスにおいて、ステップ(vii)の直前において孔を過充填する程度が、12ミクロンよりも小さいことを特徴とするプロセス。
- 請求項1乃至7の何れか一項に記載のプロセスが更に、追加のMEMS製造工程を具えることを特徴とするプロセス。
- 請求項8に記載のプロセスにおいて、前記追加のMEMS製造工程が、前記ウェーハ基板の平坦化された表面上にインクジェットノズルデバイスを構築することを特徴とするプロセス。
- 請求項9に記載のプロセスにおいて、各ノズルデバイスが、少なくとも1つの孔と流体連通するノズルチャンバを具えることを特徴とするプロセス。
- 請求項10に記載のプロセスにおいて、各ノズルチャンバのそれぞれの入口が、前記孔の1つにより画定されることを特徴とするプロセス。
- 請求項11に記載のプロセスが更に、ウェーハの薄型化およびインク供給流路の裏面エッチングうちの少なくとも一方を具えることを特徴とするプロセス。
- 請求項12に記載のプロセスにおいて、各インク供給流路が、1またはそれ以上の充填された孔と接することを特徴とするプロセス。
- 請求項13に記載のプロセスにおいて、各インク供給流路が、前記1またはそれ以上の孔よりも相対的に広いことを特徴とするプロセス。
- 請求項14に記載のプロセスが更に、前記孔から前記第1および第2ポリマを酸化除去するステップを具えることを特徴とするプロセス。
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---|---|---|---|---|
US4836885A (en) * | 1988-05-03 | 1989-06-06 | International Business Machines Corporation | Planarization process for wide trench isolation |
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JP3079241B2 (ja) * | 1992-12-25 | 2000-08-21 | 富士通株式会社 | 通信制御装置 |
US5516625A (en) * | 1993-09-08 | 1996-05-14 | Harris Corporation | Fill and etchback process using dual photoresist sacrificial layer and two-step etching process for planarizing oxide-filled shallow trench structure |
US5580826A (en) * | 1993-11-17 | 1996-12-03 | Nec Corporation | Process for forming a planarized interlayer insulating film in a semiconductor device using a periodic resist pattern |
US5435888A (en) * | 1993-12-06 | 1995-07-25 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Enhanced planarization technique for an integrated circuit |
US5702976A (en) * | 1995-10-24 | 1997-12-30 | Micron Technology, Inc. | Shallow trench isolation using low dielectric constant insulator |
US5863828A (en) * | 1996-09-25 | 1999-01-26 | National Semiconductor Corporation | Trench planarization technique |
US6069069A (en) * | 1996-12-16 | 2000-05-30 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Method for planarizing a low dielectric constant spin-on polymer using nitride etch stop |
US6015757A (en) * | 1997-07-02 | 2000-01-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Method of oxide etching with high selectivity to silicon nitride by using polysilicon layer |
US6114219A (en) * | 1997-09-15 | 2000-09-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of manufacturing an isolation region in a semiconductor device using a flowable oxide-generating material |
US6194283B1 (en) * | 1997-10-29 | 2001-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | High density trench fill due to new spacer fill method including isotropically etching silicon nitride spacers |
US6114220A (en) * | 1998-11-18 | 2000-09-05 | United Microelectronics Corp. | Method of fabricating a shallow trench isolation |
AU5175500A (en) * | 1999-06-01 | 2000-12-18 | 3M Innovative Properties Company | Optically transmissive microembossed receptor media |
US6531265B2 (en) * | 2000-12-14 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Method to planarize semiconductor surface |
KR100428805B1 (ko) * | 2001-08-09 | 2004-04-28 | 삼성전자주식회사 | 트렌치 소자분리 구조체 및 그 형성 방법 |
US6884729B2 (en) * | 2002-02-11 | 2005-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Global planarization method |
US6774042B1 (en) * | 2002-02-26 | 2004-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Planarization method for deep sub micron shallow trench isolation process |
US6767833B2 (en) * | 2002-07-02 | 2004-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for damascene reworking |
US6645851B1 (en) * | 2002-09-17 | 2003-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming planarized coatings on contact hole patterns of various duty ratios |
US6755509B2 (en) | 2002-11-23 | 2004-06-29 | Silverbrook Research Pty Ltd | Thermal ink jet printhead with suspended beam heater |
US7005236B2 (en) * | 2003-04-23 | 2006-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Maintaining photoresist planarity at hole edges |
US7441865B2 (en) | 2004-01-21 | 2008-10-28 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead chip having longitudinal ink supply channels |
US7226873B2 (en) * | 2004-11-22 | 2007-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of improving via filling uniformity in isolated and dense via-pattern regions |
JP5091428B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2012-12-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7445317B2 (en) * | 2005-10-11 | 2008-11-04 | Silverbrook Research Pty Ltd | Inkjet printhead with droplet stem anchor |
US8232176B2 (en) * | 2006-06-22 | 2012-07-31 | Applied Materials, Inc. | Dielectric deposition and etch back processes for bottom up gapfill |
CN100459100C (zh) * | 2006-09-30 | 2009-02-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 平坦化方法及顶层金属层隔离结构的形成方法 |
US7541297B2 (en) * | 2007-10-22 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Method and system for improving dielectric film quality for void free gap fill |
DK2237960T3 (da) | 2008-01-16 | 2013-01-14 | Silverbrook Res Pty Ltd | Printhovedpatron med to fluidkoblinger |
US7923379B2 (en) | 2008-11-12 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Multi-step process for forming high-aspect-ratio holes for MEMS devices |
US20110018937A1 (en) * | 2009-07-24 | 2011-01-27 | Silverbrook Research Pty Ltd | Printhead having ink ejection face complementing ink or other features of printhead |
US8053377B2 (en) * | 2009-10-01 | 2011-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low stress photo-sensitive resin with sponge-like structure and devices manufactured employing same |
US8453329B2 (en) | 2009-10-22 | 2013-06-04 | Zamtec Ltd | Method of fabricating inkjet printhead having low-loss contact for thermal actuators |
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