JP6655145B1 - めっき装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 めっきの厚みが薄くなりすぎる部分の発生の抑制を図ることができるめっき装置を提供する。【解決手段】 めっき装置１は、めっき液３で満たされた第１のめっき槽１１Ａと、第１のめっき槽１１Ａ内で、被めっき体２に対向するように配置されたアノード１４と、被めっき体２に給電するカソード１２と、アノード１４と被めっき体２の端部との間に介在する板状部１５１を有する遮蔽部材１５と、を備え、アノード１４は、アノード１４の端部を覆うカバー部１４２を有しており、板状部１５１は、板状部１５１を貫通する開口１５３ａを有している。【選択図】 図２

Description

本発明は、めっき装置に関するものである。

銅めっき工程において、搬送方向に少なくとも２つ以上に分割された遮蔽板によって、リ−ル状基材のリ−ル端面を陽極から遮蔽するめっき方法が知られている（例えば特許文献１参照）。このめっき方法では、電流集中が生じやすいリ−ル状基材の端面を遮蔽板により遮蔽することで、リ−ル状基材の端部におけるめっきの厚みの増大を抑制している。

特開２００５−２４８２７９号公報

しかしながら、上記のめっき方法では、リ−ル状基材の縁におけるめっきの厚みの過度な増加を抑制できるものの、リ−ル状基材の縁より内側の部分で形成されるめっきの厚みが薄くなり過ぎてしまい、その後の回路形成の工程において基材が露出してしまう場合もあるという問題があった。

本発明が解決しようとする課題は、めっきの厚みが薄くなりすぎる部分の発生の抑制を図ることができるめっき装置を提供することである。

［１］本発明に係るめっき装置は、めっき液で満たされためっき槽と、前記めっき槽内に設けられ、被めっき体に対向するように配置されたアノードと、前記被めっき体に給電するカソードと、前記めっき槽内に設けられ、前記アノードと前記被めっき体の端部との間に介在する板状部を有する遮蔽部材と、を備え、前記アノードは、棒状の電極部と、前記電極部の端部を覆うカバー部と、を有しており、前記板状部は、前記板状部を貫通する開口を有するめっき装置である。

［２］上記発明において、前記カバー部の少なくとも一部は、前記開口と対向していてもよい。

［３］上記発明において、前記板状部は、複数の前記開口を有し、複数の前記開口は、前記被めっき体の長手方向に沿って配列されていてもよい。

［４］上記発明において、下記（１）式を満たしていてもよい。
Ｗ_１＜Ｗ_２ … （１）
上記（１）式において、Ｗ_１は、前記板状部において前記被めっき体と重複する領域の長さであり、Ｗ_２は、前記板状部において前記被めっき体と重複していない領域の長さである。

［５］上記発明において、下記（２）式を満たしていてもよい。
Ｗ_１×０．５＞Ｗ_３ … （２）
上記（２）式において、Ｗ_１は、前記板状部において前記被めっき体と重複する領域の長さであり、Ｗ_３は、前記板状部の一端から前記開口の中心までの距離である。

［６］上記発明において、前記遮蔽部材は、前記被めっき体が間に介在する一対の前記板状部と、一対の前記板状部同士を連結する連結部と、を含み、前記連結部は、前記連結部を貫通する貫通孔を有していてもよい。

本発明によれば、被めっき体においてアノードから遮蔽されてめっきの厚みが薄くなりやすい部分に、開口を介して適量の電流を流すことができるため、被めっき体の端部において、めっきの厚みが薄くなりすぎる部分が生じることがない。また、アノードの端部がカバー部によって覆われていることで開口部に過度に電流が集中することを抑制できる。

図１は、本発明の実施形態におけるめっき装置の一例を示す断面図である。 図２は、本発明の実施形態における第１のめっき槽の一例を示す平面図である。 図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。 図４は、図２のIV-IV線に沿った断面図である。 図５は、図４のV部分の拡大図である。 図６は、実施例における基材の遮蔽量とめっきの膜厚分布の関係を示すグラフである。 図７は、比較例における基材の遮蔽量とめっきの膜厚分布の関係を示すグラフである。 図８は、実施例３と比較例２の結果を対比するグラフである。

以下、本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。

図１は本実施形態におけるめっき装置の一例を示す断面図であり、図２は本実施形態における第１のめっき槽の一例を示す平面図であり、図３は図２のIII-III線に沿った断面図であり、図４は図２のIV-IV線に沿った断面図であり、図５は図４のV部分の拡大図である。

図１に示すように、本実施形態のめっき装置１は、ロールトゥロール搬送方式の連続電解めっき装置であり、平板長尺状の被めっき体２に対してめっき処理を施し、セミアディティブ用途の銅張積層板（ＣＣＬ）等の基板を製造するために用いられる。被めっき体２としては、例えば、シード層が形成されたポリイミドから成る基材などを挙げることができる。ただし、めっき装置は、これに限定されず、他の搬送方式を採用したものであってもよいし、あらゆる被めっき体をめっき処理することができる。

図１に示すように、めっき装置１は、第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂと、複数のカソード１２と、複数の搬送ロール１３と、複数のアノード１４と、複数の遮蔽部材１５と、を備えている。なお、本実施形態におけるめっき装置１が本発明におけるめっき装置の一例に相当し、本実施形態におけるカソード１２が本発明におけるカソードの一例に相当し、本実施形態におけるアノード１４が本発明におけるアノードの一例に相当し、本実施形態における遮蔽部材１５が本発明における遮蔽部材の一例に相当する。

第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂは、内部にめっき液３を収容するための槽である。めっき処理工程において、この第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂは、目的とするめっき処理の金属種に応じためっき液３で満たされ、例えば、銅めっきの場合は硫酸銅溶液で満たされる。

それぞれのカソード１２は略円柱状の外形を有しているローラ給電用のカソードである。カソード１２は、図１に示すように、第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂの外部に配置されており、一対のカソード１２が、第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂの両側において、被めっき体２を上下から挟み込んでいる。それぞれのカソード１２は、図示しない回転駆動部によって回転することが可能である。これらのカソード１２は、被めっき体２に給電することで、当該被めっき体の電位をアノード１４の電位に対してより低くする。

搬送ロール１３、アノード１４、及び遮蔽部材１５は、第１及び第２のめっき槽１１Ａ，１１Ｂの内部に収容されているとともに、めっき液３に浸漬されている。本実施形態では、第２のめっき槽１１Ｂの内部に設けられた搬送ロール１３、アノード１４、及び遮蔽部材１５の構成は、第１のめっき槽１１Ａと同様となっているため、以下では、第１のめっき槽１１Ａの内部における装置構成を代表して説明する。

それぞれの搬送ロール１３は、図２及び図３に示すように、略円柱形状を有しており、搬送ロール１３の軸方向が被めっき体２の短手方向（図中の±Ｙ方向）と平行になるように配置されている。複数の搬送ロール１３は、被めっき体２を複数箇所で上下から挟み込むように配置されている。

被めっき体２を上下から挟み込む一対の搬送ロール１３は、被めっき体２の長手方向（図２中の±Ｘ方向）に沿って一列に並べられている。各搬送ロール１３は、図示しない回転駆動部によって図３中の矢印方向に回転することができ、この回転によって被めっき体２を図３中の−Ｘ方向に搬送することができる。

搬送ロール１３の材質は、めっき液への耐薬品性を有する樹脂材料等であることが好ましく、例えば、オレフィン系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。

それぞれのアノード１４は棒状の全体形状を有している。このアノード１４は、図４に示すように、電極部１４１と、カバー部１４２と、を有している。電極部１４１は棒状の外形を有しており、電極部１４１の材質は、銅などの金属である。一方で、カバー部１４２は、電極部１４１の両端部を覆っており、略円筒状の外形を有している。このカバー部１４２は、樹脂材料等の電気的に絶縁を有する材料から構成されており、その材料の具体例としては、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）等を例示することができる。本実施形態における電極部１４１が本発明における電極部の一例に相当し、本実施形態におけるカバー部１４２が本発明におけるカバー部の一例に相当する。

電極部１４１の一方端部を覆うカバー部１４２から他方端部を覆うカバー部１４２までの距離Ｄ_１（図４参照）は２４０ｍｍであり、言い換えれば、電極部１４１の被めっき体２に対向する部分の長さが２４０ｍｍとなっている。この電極部１４１の被めっき体２に対向する部分の電位は、めっき処理時には、被めっき体２の電位よりも相対的に高電位となる。

図２に戻り、アノード１４は、その軸方向が被めっき体２の短手方向（図２中の±Ｙ方向）と平行になるように配置されている。それぞれのアノード１４は、被めっき体２の進路に対向した位置に設けられており、本実施形態では、被めっき体２の長手方向（図２中の±Ｘ方向）に沿って並べられている。

アノード１４は、図３に示すように、被めっき体２の上方と下方に複数設けられている。アノード１４と被めっき体２との距離Ｄ_２は１１．５ｍｍである。また、被めっき体２の上方に位置するアノード１４と、被めっき体２の下方に位置するアノード１４との距離Ｄ_３は２３ｍｍである。なお、距離Ｄ_２はアノード１４と被めっき体２の対向面間の距離であり、距離Ｄ_３はアノード１４同士の対向面間の距離である。

それぞれのアノード１４は、平面視において搬送ロール１３と重複しないように、搬送ロール１３の間で被めっき体２と対向している。本実施形態では、搬送ロール１３の間の領域には、複数（一対）のアノードからなるアノード群１４Ａ，１４Ｂが、被めっき体２の上下に配置されている。このアノード群１４Ａ（１４Ｂ）内における、アノード１４，１４同士の距離Ｄ_４は５２ｍｍである。また、アノード群１４Ａ（１４Ｂ）同士の±Ｘ方向（被めっき体２の搬送方向）における距離Ｄ_５は７２ｍｍである。なお、距離Ｄ_４，Ｄ_５は、アノード１４の中心軸間の距離である。

遮蔽部材１５は、図４に示すように、被めっき体２の端部２１とアノード１４との間に少なくとも一部が介在している。一対の遮蔽部材１５は、被めっき体２の両端部２１，２１に配置されており、被めっき体２の端部２１の両面（上面及び下面）をアノード１４から遮蔽している。本実施形態では、被めっき体２の幅方向に沿って相対する遮蔽部材１５同士の距離Ｄ_６が２３５ｍｍとなっている。

それぞれの遮蔽部材１５は、第１の板状部１５１ａと、第２の板状部１５１ｂと、連結部１５２と、を有しており、第１の板状部１５１ａと第２の板状部１５１ｂとが連結部１５２によって連結されたコの字状の断面形状を有している。なお、本実施形態における第１の板状部１５１ａと第２の板状部１５１ｂが本発明における板状部の一例に相当し、本実施形態における連結部１５２が本発明における連結部の一例に相当する。

第１の板状部１５１ａは、上側のアノード１４と被めっき体２の端部２１との間に介在している。すなわち、この第１の板状部１５１ａは、透過平面視（めっき装置１を上方又は下方から透過して見た場合の平面視）において、上側のアノード１４及び被めっき体２の端部２１と重複しており、被めっき体２の端部２１を上側のアノード１４から遮蔽している。

一方で、第２の板状部１５１ｂは、下側のアノード１４と被めっき体２の端部２１との間に介在している。すなわち、この第２の板状部１５１ｂは、透過平面視において、下側のアノード１４及び被めっき体２の端部２１と重複しており、被めっき体２の端部２１を下側のアノード１４から遮蔽している。

本実施形態では、第１の板状部１５１ａと被めっき体２との距離Ｄ_７は６ｍｍとなっている。第２の板状部１５１ｂと被めっき体２との距離もＤ_７と同じ距離であり、第２の板状部１５１ｂは被めっき体２から６ｍｍ離して配置されている。

本実施形態では、第１の板状部１５１ａと電極部１４１との距離Ｄ_８は６ｍｍとなっている。第２の板状部１５１ｂと電極部１４１との距離もＤ_８と同じ距離である。

第１の板状部１５１ａにおいて被めっき体２と重複する領域の長さＷ_１は、本実施形態では、７．５ｍｍとなっている。第２の板状部１５１ｂにおいて被めっき体２と重複する領域の長さも７．５ｍｍとなっている。なお、以下では、被めっき体２が第１及び第２の板状部１５１ａ，１５１ｂと重複する領域のことを「遮蔽領域」と呼称し、上記の長さＷ_１を「遮蔽量」と呼称することもある。

この遮蔽量Ｗ_１は、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが好ましく（５ｍｍ≦Ｗ_１≦１０ｍｍ）、６ｍｍ以上９ｍｍ以下であることがより好ましく（６ｍｍ≦Ｗ_１≦９ｍｍ）、７ｍｍ以上８ｍｍ以下であることが特に好ましい（７ｍｍ≦Ｗ_１≦８ｍｍ）。遮蔽量Ｗ_１が５ｍｍ以上であることで、被めっき体２の縁２１ａにおけるめっきの厚みの過度な増大をより抑制することができる。また、遮蔽量Ｗ_１が１０ｍｍ以下であることで、膜厚調整のために必要な開口（後述）の大きさを小さく設定できるため、遮蔽部材１５の強度をより向上することができる。

一方で、第１及び第２の板状部１５１ａ，１５１ｂにおいて被めっき体２と重複していない領域（遮蔽領域ではない領域）の長さＷ_２は、７ｍｍ以上１２ｍｍ以下であることが好ましく（７ｍｍ≦Ｗ_２≦１２ｍｍ）、８ｍｍ以上１１ｍｍ以下であることがより好ましく（８ｍｍ≦Ｗ_２≦１１ｍｍ）、９ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることが特に好ましい（９ｍｍ≦Ｗ_２≦１０ｍｍ）。本実施形態では、この長さＷ_２は９．５ｍｍとなっている。

また、上記の遮蔽量Ｗ_１は、下記（１）式のように、第１及び第２の板状部１５１ａ，１５１ｂと被めっき体２が重複していない領域の長さＷ_２よりも短いことが好ましい。下記（１）式を満たすことで、遮蔽量Ｗ_１が大きくなりすぎることがないため、被めっき体の端部において、めっきの厚みが薄くなりすぎる部分がより生じ難くなる。
Ｗ_１＜Ｗ_２ … （１）

第１の板状部１５１ａは、第１の板状部１５１ａを厚み方向（図４中の±Ｚ方向）に貫通する開口１５３ａを有している。この開口１５３ａは、図２の平面視に示すように、第１の板状部１５１ａに複数設けられているとともに、被めっき体２の長手方向（図２中の±Ｘ方向）に沿って一列に並べられている。複数の開口１５３ａを、被めっき体２の長手方向（被めっき体２の搬送方向）に沿って並べることで、被めっき体２のめっきの厚みが薄く形成されやすい部分に、複数の開口１５３ａから連続的に電流を供給することができる。よって、当該部分におけるめっきの厚みをより十分な厚みとすることができる。

それぞれの開口１５３ａは、丸穴形状を有しており、その直径は３ｍｍとなっている。なお、本実施形態では、開口１５３ａの形状は、加工の容易性の観点から、丸穴形状としているが、これに限定されない。開口１５３ａの形状は矩形、スリット形状、メッシュ形状等であってもよい。

第１の板状部１５１ａにおける開口面積Ｓ_０は、平面視における第１の板状部１５１ａの面積Ｓ_１に対して１０％以上２５％以下とすることが好ましい（１０％≦Ｓ_０／Ｓ_１≦２５％）。開口面積を１０％以上とすることで、被めっき体２のめっきの厚みが薄くなりやすい部分により多くの電流を流すことができるため、当該部分におけるめっきの厚みをより十分な厚みとすることができる。また、開口面積を２５％以下とすることで、被めっき体２の縁２１ａにおけるめっきの厚さの増大抑制効果を十分に得ることができる。

図５に示すように、それぞれの開口１５３ａは、被めっき体２の端部２１と対向する位置に形成されている。また、開口１５３ａの中心から端面１５４ａ（第１の板状部１５１ａの先端）までの距離Ｗ_３は、下記（２）式のように、上記の遮蔽量Ｗ_１の半分未満となっている。
Ｗ_１×０．５＞Ｗ_３ … （２）

従来のように、開口１５３ａを備えていない遮蔽板をめっき装置に設けた場合、遮蔽領域の中点付近（すなわち、遮蔽板の端面からの長さが遮蔽領域の長さの半分である点の付近）において、めっきの厚みが最も薄くなる傾向がある（後述の比較例の図７参照）。

これに対し、本発明者は、上記（２）式を満たすように開口１５３ａを形成する（すなわち、開口１５３ａの中心Ｃ_１を遮蔽領域の中点Ｃ_２よりも端面１５４ａに近づく側にずれた位置に形成する）ことで、めっきの厚みが最も薄くなりやすい部分において、めっきの厚みを効果的に増加させられることを見出した。すなわち、上記（２）式を満たすことで、めっきの厚みが薄くなりすぎる部分の発生をより抑制できることを見出した。

特にこのとき、遮蔽量Ｗ_１は、６ｍｍより大きく、１０ｍｍ以下であることが好ましい（６ｍｍ＜Ｗ_１≦１０ｍｍ）。遮蔽量Ｗ_１がこのような範囲であれば、上記（２）式を満たすことによる効果がより顕著に得られる。

また、これらの開口１５３ａは、第１の板状部１５１ａの端面１５４ａから３ｍｍ以上離れた位置に中心Ｃ_１が位置するように形成されている。つまり、図５における端面１５４ａから開口１５３ａの中心Ｃ_１までの距離Ｗ_４が３ｍｍ以上となっている（Ｗ_４≧３ｍｍ）。このように開口１５３ａを端面１５４ａから３ｍｍ以上離すことで、被めっき体２の縁２１ａに回り込む電流を第１の板状部１５１ａによってより低減でき、被めっき体２の縁２１ａにおけるめっきの厚みをより低減できる。

また、開口１５３ａの一部は、カバー部１４２の一部と対向している。これにより、開口部に過度に電流が集中することを抑制するという効果を得ることができる。

第２の板状部１５１ｂは、第１の板状部１５１ａと同様の形状を有している。また、第２の板状部１５１ｂは、第１の板状部１５１ａと同様の位置に、開口１５３ｂが形成されている。この開口１５３ｂの形状や位置も上記の開口１５３ａと同様である。

連結部１５２は、第１の板状部１５１ａと第２の板状部１５１ｂを連結している。本実施形態では、連結部１５２は、第１の板状部１５１ａと第２の板状部１５１ｂと一体的に形成されている。

この連結部１５２は、連結部１５２を貫通する貫通孔１５５を有している。貫通孔１５５はめっき液３の流路であり、この貫通孔１５５によって、めっき液３の流れをより良くすることができる。これにより、めっきに必要な銅イオンを安定して供給する効果を得ることができる。液流れが悪い場合、局所的に銅イオンの不足が生じ、「焼け」と呼ばれる表面の荒れた品質の悪いめっき被膜が形成される。

また、めっき装置１は、めっき前の被めっき体２に前処理を施すことができる脱脂手段、水洗手段、及び酸活性手段等を有していてもよい。同様に、めっき後の被めっき体２に後処理を施すことができる水洗手段、乾燥手段等を有していてもよい。

以上のような本実施形態のめっき装置１であれば、被めっき体２の端部において、従来からめっきの厚みが薄くなりやすかった部分に、開口１５３ａ，１５３ｂから適量の電流を流すことができるため、被めっき体の端部において、めっきの厚みが薄くなりすぎる部分が生じることがない。また、アノードの端部がカバー部によって覆われていることで開口部に過度に電流が集中することを抑制できる。

なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

例えば、上記の実施形態では、めっき装置１は２つのめっき槽１１Ａ，１１Ｂを備えているが、めっき装置１は１つ又は３つ以上のめっき槽を備えていてもよい。

また、上記の実施形態では、被めっき体２の両面にめっき処理を施しているがこれに限定されず、片面のみにめっき処理を施してもよい。片面のみにめっき処理を施す場合、被めっき体２の上方又は下方のみに、カソード１２、アノード１４、板状部１５１ａを配置すればよい。

（実施例１）
上記のめっき装置１を用いて基材に銅めっき処理を行った。めっきの目標の厚さは２μｍとした。その他の、主なめっき条件は下記の通りである。

基材： カプトン１００ＥＮ（東レ・デュポン株式会社製）
基材の厚み： ２５μｍ
基材のシード層： Ｎｉ１０ｎｍ／Ｃｕ２５ｎｍ（スパッタで形成）
めっき液： Ｃｕ−ＢＲＩＴＥ ＶＴ−２８（株式会社ＪＣＵ製）
第１のめっき槽における電流密度： ３．９Ａ／ｄｍ^２
第１のめっき槽における処理時間： ３７秒
第２のめっき槽における電流密度： ９．３Ａ／ｄｍ^２
第１のめっき槽における処理時間： ３７秒
遮蔽量Ｗ_１： ２．５ｍｍ

上記の条件でめっき処理を行った後、基材に形成された銅めっきの膜厚分布を測定した。なお、膜厚は、ＳＥＭによる断面観察で測定した。

（実施例２）
遮蔽量Ｗ_１を５．０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で、上記のめっき装置１を用いて基材に銅めっき処理を行った。

（実施例３）
遮蔽量Ｗ_１を７．５ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で、上記のめっき装置１を用いて基材に銅めっき処理を行った。

（実施例４）
遮蔽量Ｗ_１を１０．０ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で、上記のめっき装置１を用いて基材に銅めっき処理を行った。

（実施例５）
遮蔽量Ｗ_１を１２．５ｍｍとしたこと以外は、実施例１と同様の条件で、上記のめっき装置１を用いて基材に銅めっき処理を行った。

（比較例１）
遮蔽部材を設けなかったこと以外は、実施例１と同様の条件で基材に銅めっき処理を行った。

（比較例２）
遮蔽部材に開口を設けなかったこと以外、実施例３と同様の条件で基材に銅めっき処理を行った。

図６は実施例における基材の遮蔽量とめっきの膜厚分布の関係を示すグラフであり、図７は比較例における基材の遮蔽量とめっきの膜厚分布の関係を示すグラフであり、図８は図６及び図７のグラフから実施例３と比較例２の実施結果を取り出して対比したグラフである。図６〜図８のグラフでは、縦軸が銅めっきの膜厚［μｍ］、横軸が基材の端面からの距離［ｍｍ］を示している。

図６及び図７からわかるように、比較例１では、遮蔽部材を設けなかったため、基材の縁の銅めっきの膜厚が４μｍ程度まで増大した。一方で、実施例１〜実施例５では、基材の縁の銅めっきの膜厚は３．５μｍ以下に抑制できた。すなわち、実施例１〜５では、基材の縁における銅めっきの膜厚の過度な増加を防止できることが確認された。

また、図８からわかるように、遮蔽量Ｗ_１が同じ実施例３と比較例２とを比べた場合、実施例３では、基材の端面からの距離が３ｍｍ〜５ｍｍの領域で、銅めっきの膜厚を増加させられることが確認できた。特に、実施例３では、膜厚を、全体にわたって、２±０．４μｍ（±２０％）の範囲内とすることができた。

また、図６に示すように、特に、５．０ｍｍ≦Ｗ_１≦１０．０ｍｍの範囲において、銅めっきの膜厚を１．４μｍ以上２．８μｍ以下とすることができた。すなわち、遮蔽量Ｗ_１をこの範囲内とすることで、目標の値からのずれを特に小さく抑えられることが確認できた。

１…めっき装置
１１Ａ…第１のめっき槽
１１Ｂ…第２のめっき槽
１２…カソード
１３…搬送ロール
１４…アノード
１４１…電極部
１４２…カバー部
１５…遮蔽部材
１５１，１５１ａ，１５１ｂ…板状部
１５２…連結部
１５３ａ，１５３ｂ…開口
１５４ａ…端面
１５５…貫通孔
２…被めっき体
２１…端部
２１ａ…縁
３…めっき液

Claims (6)

1. めっき液で満たされためっき槽と、
   前記めっき槽内に設けられ、被めっき体に対向するように配置されたアノードと、
   前記被めっき体に給電するカソードと、
   前記めっき槽内に設けられ、前記アノードと前記被めっき体の端部との間に介在する板状部を有する遮蔽部材と、を備え、
   前記アノードは、
   棒状の電極部と、
   前記電極部の端部を覆うカバー部と、を有しており、
   前記板状部は、前記板状部を貫通する開口を有しており、
   前記カバー部の少なくとも一部は、前記開口と対向しており、
   前記カバー部の内側端部は、前記板状部と重複しているめっき装置。
2. 請求項１に記載のめっき装置であって、
   前記被めっき体の端部は、前記内側端部よりも外側に位置しているめっき装置。
3. 請求項１又は２に記載のめっき装置であって、
   前記板状部は、複数の前記開口を有し、
   複数の前記開口は、前記被めっき体の長手方向に沿って配列されているめっき装置。
4. 請求項１〜３の何れか一項に記載のめっき装置であって、
   下記（１）式を満たすめっき装置。
   Ｗ_１＜Ｗ_２ … （１）
   上記（１）式において、Ｗ_１は、前記板状部において前記被めっき体と重複する領域の長さであり、Ｗ_２は、前記板状部において前記被めっき体と重複していない領域の長さである。
5. 請求項１〜４の何れか一項に記載のめっき装置であって、
   下記（２）式を満たすめっき装置。
   Ｗ_１×０．５＞Ｗ_３ … （２）
   上記（２）式において、Ｗ_１は、前記板状部において前記被めっき体と重複する領域の長さであり、Ｗ_３は、前記板状部の前記被めっき体と重複する側の一端から前記開口の中心までの距離である。
6. 請求項１〜５の何れか一項に記載のめっき装置であって、
   前記遮蔽部材は、
   前記被めっき体が間に介在する一対の前記板状部と、
   一対の前記板状部同士を連結する連結部と、を含み、
   前記連結部は、前記連結部を貫通する貫通孔を有しており、
   前記貫通孔は、前記開口と繋がっていないめっき装置。

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