JP6654219B2 - 発光素子および発光素子パッケージ - Google Patents
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Description
図1は、本発明の一実施形態に係る発光素子1の模式的な平面図である。図2は、図1の切断面線II−IIにおける断面図である。図3は、図1の切断面線III−IIIにおける断面図である。図4は、発光素子1の模式的な斜視図である。
図2を参照して、発光素子1は、基板2と、第1導電型半導体層3と、発光層4と、第2導電型半導体層5と、ITO層6と、反射層7と、絶縁層8と、絶縁管層9と、第1外部接続部10と、第1コンタクト11と、第2外部接続部12と、第2コンタクト13と、バリア層15と、接合層16とを含んでいる。
基板2は、発光層4の発光波長(たとえば450nm)に対して透明な材料(たとえばサファイア、GaNまたはSiC)からなり、所定の厚さを有している。「発光波長に対して透明」とは、具体的には、たとえば、発光波長の透過率が60%以上の場合をいう。基板2は、その厚さ方向から見た平面視において、図2における左右方向に長手方向を有し、図2における奥行き方向に短手方向を有する矩形形状に形成されている(図1参照)。基板2の長手方向寸法は、たとえば、約1000μmであり、基板2の短手方向寸法は、たとえば、約500μmである。基板2では、図2における下面が、光取出し面となる表面2Aであり、図2における上面が、表面2Aとは反対側の反対面となる裏面2Bである。裏面2Bは、基板2における第1導電型半導体層3との接合面である。基板2の裏面2Bには、第1導電型半導体層3側へ突出する凸部17が複数形成されている。複数の凸部17は、離散配置されている。具体的には、複数の凸部17は、基板2の裏面2Bにおいて、互いに間隔を空けて行列状に配置されていてもよいし、千鳥状に配置されていてもよい。各凸部17は、SiNで形成されていてもよい。
次に、図5〜図8のグラフを参照しながら、第1層71の最適な厚さについて説明する。図5は、第1層71の厚さを変化させた場合における波長と反射率との関係を示すグラフである。図6は、第1層71の厚さと反射率との関係を示すグラフである。図7は、第1層71が1nmの厚さのTiNからなる場合における波長と反射率との関係を示すグラフである。図8は、第1層71が2nmの厚さのTiNからなる場合における波長と反射率との関係を示すグラフである。
次に、第1層71の厚さが1nmであるサンプルについて、異なる加熱温度(200℃、250℃、300℃、330℃)による加熱処理を3時間加えた4種類のサンプルを新たに準備した。そして、図7は、当該4種類のサンプルと、加熱処理を加えていない基本サンプルとについて、波長の異なる光を当てた場合における、波長と、各サンプルでの反射率との関係を示している。第1層71の厚さが1nmであるサンプルでは、加熱温度が200℃〜300℃である場合には、基本サンプルとほぼ一致する特性カーブを描くが、加熱温度が330℃まで上昇すると反射率が全体的に低下することが分かった。第1層71の厚さが1nmである(薄い)サンプルの場合、加熱温度が330℃まで上昇すると、ガルバニック腐食の影響により、反射率が低下するものと思われる。
絶縁層8は、SiO2(酸化シリコン)、SiON(窒化酸化シリコン)およびSiN(窒化シリコン)のうちの一種以上を含む絶縁性材料で形成されている。絶縁層8は、反射層7上に積層されている。絶縁層8は、反射層7の表面7A(第2層72の上面)の全域を覆う被覆部8Aと、平面視における被覆部8Aの端部から基板2側へ延びる延設部8Bとを一体的に有している。延設部8Bは、平面視における発光層4、第2導電型半導体層5、ITO層6および反射層7のそれぞれの外側端面(第2導電型半導体層5の段付き部分5AおよびITO層6の段付き部分6Aも含む)と、第1導電型半導体層3の段付部分3Cとを全域に亘って覆っている。
複数の絶縁管層9は、図1に示すように、平面視において交差する2方向(基板2の長手方向および短手方向)に沿って行列状に規則配列されていてもよいし、平面視で千鳥状に配列されていてもよい。この実施形態では、絶縁管層9の数は、15であり、3行5列の行列状に配置されている。この場合、行方向が基板2の短手方向に一致し、列方向が基板2の長手方向に一致している。
接合層16は、第1外部接続部10上のバリア層15上に、第1外部接続部10と同一パターンで積層されているとともに、第2外部接続部12上のバリア層15上に、第2外部接続部12と同一パターンで積層されている。接合層16は、たとえば、Ag、TiもしくはPtまたはこれらの合金からなる。接合層16は、半田またはAuSn(金錫)からなってもよい。この実施形態では、接合層16は、AuSnからなる。バリア層15によって、接合層16から第1外部接続部10および第2外部接続部12へのSn(錫)の拡散が抑えられている。
接合層16において、第1外部接続部10上および第2外部接続部12上のバリア層15と接する面が下面であり、この下面とは反対側の上面を接合面16Aということにする。第1外部接続部10側の接合層16の接合面16Aと、第2外部接続部12側の接合層16の接合面16Aとはいずれも平坦面であり、同じ高さ位置(基板2の厚さ方向における位置)において面一になっている。前述したように第1外部接続部10と第2外部接続部12とが分離絶縁されているので、第1外部接続部10側の接合層16と、第2外部接続部12側の接合層16とは、分離絶縁されている。
以上のように反射した光は、ITO層6、第2導電型半導体層5、発光層4、第1導電型半導体層3および基板2をこの順で透過して基板2の表面2Aから取り出される。
ITO層6に積層された反射層7では、Alを含む第2層72とITO層6との間に、Tiを含む第1層71が介在されている。そのため、第2層72とITO層6との接触が回避され、第1層71が第2層72からITO層6を保護しているので、ITO層6がガルバニック腐食することを防止できる。ITO層6の腐食を防止できることによって、発光素子1における電気特性を向上させることができる。一方で、Tiを含む第1層71は、第2層72の反射率に影響を与えることなくITO層6を保護できるため、第1層71が無い場合に比べて、反射層7における反射率の向上を図ることができる。
また、第1層71の厚さと反射層7における反射率との間には、前述した相関関係(図5〜図8参照)があり、第1層71の厚さが、1nm以上10nm以下であると、反射層7における反射率の更なる向上を図ることができる。
図9A〜図9Gは、図2に示す発光素子1の製造方法を示す図解的な断面図である。
まず、図9Aに示すように、基板2の裏面2Bに、SiNからなる層(SiN層)を形成し、レジストパターン(図示せず)をマスクとするエッチングにより、このSiN層を、複数の凸部17に分離する。次いで、基板2を反応容器(図示せず)内に配置して反応容器内にガス(シランガス等)を流すことによって、基板2の裏面2B上に半導体層をエピタキシャル成長させる処理が行われる。その際、ガスの流量比を変えることで、基板2の裏面2B上に、第1導電型半導体層3、発光層4および第2導電型半導体層5を、この順番で連続的に形成することができる。
この実施形態の場合、具体的には、まず、Tiを含む材料(この実施形態では、TiN)からなる層(第1層)を、ITO層6の上、および、第2導電型半導体層5において各貫通穴19からが露出された部分の上の全域に亘って形成する。次いで、当該第1層の上の全域に亘って、Alを含む材料(この実施形態では、Al単体)からなる層(第2層)を形成する。第1層および第2層は、スパッタリングによって形成することができる。
図9Cを参照して、除去後に残った第1層が、第1層71となって、ITO層6上に、ITO層6とほぼ同一のパターンで形成される。また、除去後に残った第2層が、第2層72となって、第1層71と同一パターンで形成される。以上により、第1層71および第2層72を有する反射層7が形成される。なお、ここでのエッチングに用いたレジストパターンは、前述した貫通穴19より少し大きい貫通穴を有している。そのため、反射層7には、平面視でITO層6の各貫通穴19と一致する位置に、貫通穴19より少し大きい貫通穴21が形成されている。よって、反射層7が形成された後のITO層6には、前述した段付き部分6Aが存在する。このように段付き部分6Aを設定することによって、反射層7の大きさに多少の誤差があっても、反射層7を、確実に、ITO層6上からはみ出さないように形成することができる。
次いで、レジストパターン27をマスクとするドライエッチングにより、絶縁層8と、各トレンチ25内のSiN層26とを選択的に除去する。これにより、平面視においてレジストパターン27の各開口28と一致する位置の絶縁層8およびSiN層26がレジストパターン27側から除去される。このドライエッチングの条件は、第1導電型半導体層3および反射層7がエッチングされない条件になっている。そのため、各開口28におけるエッチングは、トレンチ25の底面における第1導電型半導体層3の手前でストップする。また、各開口29におけるエッチングは、反射層7の手前でストップする。
トレンチ30は、基板2の厚さ方向に延びる円筒状であり、その断面の円形状は、基板2の厚さ方向における全域に亘って同じ大きさである。トレンチ30は、第1コンタクト11と同じ数(ここでは、15個)形成されていて、各トレンチ30は、いずれかのトレンチ25の内側に配置されている。各トレンチ25が第1導電型半導体層3の厚さ途中まで到達しているので、各トレンチ30も、第1導電型半導体層3の厚さ途中まで到達している。各トレンチ30の底では、第1導電型半導体層3が露出されている。各トレンチ25内に埋め尽くされたSiN層26は、トレンチ30が形成されることによって、絶縁管層9となる。
次いで、バリア層15上の全域に、たとえば電解めっき法によって、AuSnからなる層(AuSn層)を形成する。AuSn層は、接合層16である。
以上の結果、発光素子1が完成する。
第1コンタクト11が埋め込まれるトレンチ30は、第1コンタクト11と同じ大きさの円形状の断面を有しており、その直径(内径)は、20μm以上40μm以下である。これに対し、第2コンタクト13が埋め込まれるトレンチ31は、平面視においてトレンチ30よりも大きい(図1参照)。そのため、前述したように、絶縁層8上にAl層32を形成する際に(図9G参照)、各トレンチ31内にAl層32を埋め尽くすと、絶縁層8には、各トレンチ31の跡90が凹みとなって現れ、最終的には、第2外部接続部12上の接合層16の接合面16Aにも現れる(図4参照)。しかし、複数のトレンチ31は、基板2の短手方向において間隔を隔てているので(図1参照)、これらのトレンチ31が1列につながっている場合に比べて、各トレンチ31の跡90は、とても小さく目立たない。そのため、第2外部接続部12上の接合層16の接合面16Aはほとんど平坦になる。
図10に二点鎖線で示すように、発光素子1は、接合層16によってサブマウント50に接合され、発光素子1およびサブマウント50は、発光素子ユニット64を構成する。
サブマウント50は、サブマウント基板51と、絶縁層52と、電極層53と、接合層54とを備えている。
電極層53は、たとえばAlからなる。電極層53は、絶縁層52上において分離された2つの領域に設けられており、図10では、2つの電極層53が、左右に隔てた状態で絶縁層52上に形成されている。2つの電極層53のうち、図10における左側の電極層53を第1マウント電極層53Aといい、図10における右側の電極層53を第2マウント電極層53Bということにする。第1マウント電極層53Aと第2マウント電極層53Bとは、第1外部接続部10および第2外部接続部12の間隔とほぼ等しい間隔、たとえば、60μm程度の間隔を隔てて分離絶縁されて配置されている。
平面視において、第1マウント電極層53A上の接合層54は、発光素子1の第1外部接続部10上の接合層16と同じ大きさであり、第2マウント電極層53B上の接合層54は、発光素子1の第2外部接続部12上の接合層16と同じ大きさである(図1参照)。
図12Aを参照して、発光装置60は、発光素子ユニット64(発光素子1およびサブマウント50)と、支持基板61とを含んでいる。
支持基板61は、絶縁性材料で形成された絶縁基板62と、絶縁基板62の両端から露出するように設けられて、発光素子1と外部とを電気的に接続する金属製の一対のリード63とを有している。絶縁基板62は、たとえば平面視矩形に形成されており、その対向する一対の辺に沿って一対のリード63がそれぞれ帯状に形成されている。各リード63は、絶縁基板62の一対の端縁に沿って、上面から側面を渡って下面に至るように折り返され、横向きU字形断面を有するように形成されている。
発光素子1をサブマウント50に接近させると、図12Aに示すように、発光素子1の接合層16の接合面16Aと、サブマウント50の接合層54の表面54Aとが面接触する。具体的には、第1外部接続部10側の接合層16の接合面16Aが、第1マウント電極層53A側の接合層54の表面54Aに対して面接触し、第2外部接続部12側の接合層16の接合面16Aが、第2マウント電極層53B側の接合層54の表面54Aに対して面接触する。この状態でリフロー(熱処理)を行えば、第1外部接続部10と第1マウント電極層53Aとが接合層16,54を介して接合され、かつ第2外部接続部12と第2マウント電極層53Bとが接合層16,54を介して接合される。接合層16と接合層54とが融解・固着して互いに接合すると、発光素子1が、電極層53および接合層54を介してサブマウント50のサブマウント基板51に接合され、サブマウント50にフリップチップ接続される。フリップチップ接続の結果、発光素子1とサブマウント50とが一体化した発光素子ユニット64が得られる。
発光素子パッケージ70は、図12Aに示した構造の発光装置60とパッケージ91と封止樹脂92とを含んでいる。
パッケージ91は、樹脂が充填されたリング状のケースであり、その内側に発光素子ユニット64(発光素子1)を収容して(覆って)側方から包囲して保護した状態で、支持基板61に固定されている。この状態で、発光素子ユニット64の発光素子1では、基板2において光取出し面となる表面2A側が露出されている。パッケージ91の内壁面は、発光素子ユニット64の発光素子1から出射された光を反射させて外部へ取り出すための反射面91aを形成している。この実施形態では、反射面91aは、内方に向かうに従って支持基板61に近づくように傾斜した傾斜面からなり、発光素子1からの光を光取り出し方向(基板2の表面2Aの法線方向)に向かって反射するように構成されている。
図13には、支持基板61上に一つの発光素子ユニット64が実装されている構造を示したが、むろん、支持基板61上に複数個の発光素子ユニット64が共通に実装されていて、それらが封止樹脂92によって共通に封止されていてもよい。
前述した発光素子1は、いわゆるフリップタイプの発光素子であるが、図14に示す発光素子74は、いわゆる2ワイヤータイプの発光素子である。
発光素子74は、基板75と、第1導電型半導体層76と、発光層77と、第2導電型半導体層78と、第1電極79と、第2電極80と、前述したITO層6および反射層7とを含んでいる。
第2導電型半導体層78は、発光層77と同一パターンで発光層77上に積層されている。そのため、平面視において、第2導電型半導体層78の領域は、発光層77の領域と一致している。第2導電型半導体層78は、p型の窒化物半導体(たとえば、GaN)からなっていて、発光層77の発光波長に対して透明である。このように、n型半導体層である第1導電型半導体層76とp型半導体層である第2導電型半導体層78とで発光層77を挟んだ発光ダイオード構造が形成されている。
ITO層6は、前述した実施形態(図2参照)と同様に、基板75に対して裏面75B側に配置されて対向配置されていて、裏面75Bの全域を覆っている。
一方、発光層77から第1導電型半導体層76側に向かう光も存在し、この光は、第1導電型半導体層76、基板75およびITO層6をこの順で透過して、ITO層6と反射層7との界面や、反射層7における第1層71と第2層72との界面で反射される。反射した光は、ITO層6および基板75をこの順で透過して第2導電型半導体層78の表面78Aから取り出される。
この発光素子74を作成する場合、まず、基板75の表面75Aに第1導電型半導体層76を形成し、第1導電型半導体層76の表面76Bの全域に発光層77および第2導電型半導体層78をこの順番で形成する。次いで、エッチングまたはリフトオフによって、第1導電型半導体層76、発光層77および第2導電型半導体層78のそれぞれをパターニングして、第1導電型半導体層76の表面76Bの第1領域76Cを露出させる。次いで、第1領域76Cに第1電極79を形成し、第2導電型半導体層78に第2電極80を形成する。その後、基板75の裏面75Bに、ITO層6ならびに反射層7の第1層71および第2層72をこの順番で形成する。そして、基板75の元基板となる1枚のウエハを、レーザスクライバ等を用いてダイシングすると、発光素子74が個別に切り出される。
図15に示す発光素子74では、ITO層6が、第2導電型半導体層78の表面78Aと、第1導電型半導体層76の表面76Bにおける第1領域76Cとのそれぞれに、積層されている。第1導電型半導体層76側のITO層6と、第2導電型半導体層78側のITO層6とは、つながっておらず、分離絶縁されている。そして、第1導電型半導体層76側のITO層6上には、反射層7を介して第1電極79が積層されている。第2導電型半導体層78側のITO層6上には、反射層7を介して第2電極80が積層されている。この場合も、各ITO層6は、前述した実施形態(図2および図14参照)と同様に、基板75に対して対向配置されていて、反射層7は、対応するITO層6に対して基板75とは反対側に積層されている。また、各ITO層6上の反射層7は、前述した第1層71および第2層72を含んでいる。第1層71は、ITO層6に接触するようにITO層6に積層され、第2層72は、第1層71に対してITO層6とは反対側に積層されている。そのため、第2層72とITO層6との間には、第1層71だけが存在する。第1層71および第2層72のそれぞれの寸法(厚さ)や材料は、前述した実施形態(図2および図14参照)と同様である。
この発光素子74でも、前述した発光素子1および74(図2および図14参照)と同様の作用効果を奏することができる。特に、第1電極79および第2電極80での光の反射率を上げることによって、発光素子74における光の取り出し効率を上げることができる。なお、前述した絶縁層8が、第1電極79および第2電極80のそれぞれの表面だけを露出させるように、第1導電型半導体層76の表面76B、第2導電型半導体層78の表面78A、ITO層6および反射層7を覆っていてもよい。
また、図15は、2ワイヤタイプの例だが、たとえば図2のようなフリップチップタイプにおいて電極(第1電極79および第2電極80に相当する部分)を除く表面を絶縁膜で覆う構成も考えられる。
たとえば、前述の実施形態では、第1導電型がn型で、第2導電型がp型の例について説明したが、第1導電型をp型とし、第2導電型をn型として発光素子を構成してもよい。すなわち、前述の実施形態において、導電型をp型とn型とで反転した構造も、この発明の一つの実施形態である。また、前述の実施形態では、第1導電型半導体層および第2導電型半導体層を構成する窒化物半導体としてGaNを例示したが、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)などの他の窒化物半導体が用いられてもよい。窒化物半導体は、一般には、AlxInyGa1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)と表わすことができる。また、窒化物半導体に限らず、GaAs等の他の化合物半導体や、化合物半導体以外の半導体材料(たとえばダイヤモンド)を用いた発光素子にこの発明を適用してもよい。
図16は、本発明において絶縁層8に多層反射鏡95を適用した場合の実施形態に係る発光素子1の模式的な断面図である。図16に示す発光素子1と図12Aに示す発光素子1との違いは、絶縁層8に多層反射鏡95を適用するか否かだけであり、その他の構成は、ほとんど同じである。よって、図16において、図12Aで説明した部分と対応する部分には、同一の参照符号を付し、当該部分についての詳しい説明を省略する。なお、図16では、発光素子1がフリップチップ接続されるサブマウント50(サブマウント基板51)および支持基板61等を、図12Aよりも簡略化して示している(後述する図18でも同様)。
多層反射鏡95は、屈折率差を有する2種類以上の膜(詳しくは、発光波長に対して透明な透明膜)を交互に積層することで構成される。ここでの「交互に積層する」とは、同じ種類の膜同士が重なって積層されないように複数類の膜を積層するということである。多層反射鏡95に用いられる膜の種類として、SiO2、SiN、SiON、TiO2、Al2O3、Nb2O5、ZrO2およびAlN等が挙げられるが、以下の説明では、SiO2およびSiNの2種類を用いて多層反射鏡95を構成することにする。
このような多層反射鏡95の製造方法としては、図9Dに示すようにトレンチ25および第1導電型半導体層3の段付部分3Cが形成された後に、レジストパターン22を除去してから、反射層7上に、前述した複数ペアのSiO2膜96およびSiN膜97を交互に積層する。すると、図9Eに示すように、前述したSiN層26の代わりに、多層反射鏡95が各トレンチ25の内部空間を埋め尽くすとともに、発光層4、第2導電型半導体層5、ITO層6および反射層7のそれぞれの外側端面と、第1導電型半導体層3の段付部分3Cとを全域に亘って覆う。絶縁層8に多層反射鏡95を適用した発光素子1(改良品という)の製造工程は、多層反射鏡95の製造工程以外においては、絶縁層8に多層反射鏡95を適用していない発光素子1(通常品といい、図2および図12A等を参照)の製造工程と同じである。
図12Aに示す通常品では、前述したように反射層7で反射されずに絶縁管層9内を進む光の一部が、単一の絶縁性材料(SiO2等)で構成された絶縁管層9および絶縁層8を透過する。当該一部の光のほとんどは、第1および第2外部接続部10,12で反射される。しかし、当該一部の光には、平面視の発光素子1において反射層7ならびに第1および第2外部接続部10,12と重なっていない領域からサブマウント50側(パッケージ側)へ漏れてしまう光が存在し得る。一方、図16に示す改良品では、当該領域が、多層反射鏡95を適用した絶縁層8によって覆われているので、反射層7で反射されなかった光は、第1および第2外部接続部10,12よりも前に多層反射鏡95によって基板2側へ反射され、基板2の表面2A(光取出し面)から放出される。そのため、改良品では、ITO6層および反射層7に到達した光が基板2の表面2Aとは反対側へ漏れることを多層反射鏡95によって抑制し、反射層7で反射されなかった光を99%という非常に高い反射率で反射させることができるので、図17に示すように、通常品に比べて輝度の向上を図ることができる。
2 基板
2A 表面
3 第1導電型半導体層
4 発光層
5 第2導電型半導体層
6 ITO層
7 反射層
8 絶縁層
70 発光素子パッケージ
71 第1層
72 第2層
74 発光素子
75 基板
75A 表面
76 第1導電型半導体層
77 発光層
78 第2導電型半導体層
91 パッケージ
95 多層反射鏡
Claims (11)
- 発光層の発光波長に対して透明な基板と、
前記基板上に積層された第1導電型半導体層と、
前記第1導電型半導体層上に積層された前記発光層と、
前記発光層上に積層された第2導電型半導体層と、
前記基板に対して対向配置され、前記第2導電型半導体層上に積層されたITO層と、
前記ITO層に対して前記基板とは反対側に積層された反射層と、
屈折率差を有する2種類以上の膜を交互に積層した多層反射鏡であって、前記反射層に対して前記基板とは反対側に積層された多層反射鏡と、
前記多層反射鏡に対して前記基板とは反対側に積層され、前記発光層の発光のために電圧が印加される外部接続部とを含む発光素子であって、
前記多層反射鏡は、前記基板の厚さ方向から見た平面視において前記反射層および前記外部接続部に重ならない領域を有し、
前記平面視における前記第2導電型半導体層は、外側の輪郭と、この外側の輪郭によって囲まれた領域に形成された貫通穴の周縁部をなす内側の輪郭とを有し、
前記平面視における前記ITO層は、外側の輪郭と、この外側の輪郭によって囲まれた領域に形成された貫通穴の周縁部をなす内側の輪郭とを有し、
前記平面視において、前記ITO層は、前記第2導電型半導体層における外側の輪郭と内側の輪郭との間に位置していて、前記反射層は、前記ITO層における外側の輪郭と内側の輪郭との間に位置していて、
前記多層反射鏡は、前記反射層、前記ITO層、前記第2導電型半導体層および前記発光層のそれぞれの側面に接していて、
前記平面視において、前記第2導電型半導体層の領域は、前記発光層の領域と一致している、発光素子。 - 前記反射層は、
Tiを含む材料からなり、前記ITO層に接触するように前記ITO層に積層された第1層と、
Alを含む材料からなり、前記第1層に対して前記ITO層とは反対側に積層された第2層とを含む、請求項1に記載の発光素子。 - 前記平面視において、前記第1層の領域と前記第2層の領域とが一致している、請求項2に記載の発光素子。
- 前記多層反射鏡は、前記反射層において前記外部接続部側の面に接している、請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記多層反射鏡は、前記ITO層において前記外部接続部側の面に接している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記多層反射鏡は、前記第2導電型半導体層において前記外部接続部側の面に接している、請求項1〜5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記平面視における前記第1導電型半導体層の端部には、前記基板側へ凹んだ段付部分が形成され、
前記多層反射鏡は、前記段付部分を覆っている、請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記平面視における前記多層反射鏡の外側面は、前記厚さ方向に沿って直線状に延びていて、前記平面視における前記第1導電型半導体層の外側面と面一になっている、請求項7に記載の発光素子。
- 前記多層反射鏡において前記反射層、前記ITO層、前記第2導電型半導体層および前記発光層のそれぞれの側面に接する内側面は、前記第2導電型半導体層から前記反射層へ向かうにつれて階段状に延びている、請求項8に記載の発光素子。
- 前記多層反射鏡は、前記第1導電型半導体層において前記外部接続部側の面に接している、請求項7〜9のいずれか一項に記載の発光素子。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の発光素子と、
前記基板の光取出し面側が露出されるように前記発光素子を覆うパッケージとを含む、発光素子パッケージ。
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