JP6650430B2 - Ｍｒｉ装置のためのアクティブ抵抗性シミング - Google Patents

Ｍｒｉ装置のためのアクティブ抵抗性シミング Download PDF

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Description

本発明は、磁気共鳴イメージング（「ＭＲＩ」）のためのシステム及び方法に関し、特にＭＲＩシステムのためのアクティブシミング（Shimming）に関する。
関連出願の相互参照
この出願は、２０１１年１２月１３日出願の発明の名称「ＭＲＩ装置のためのアクティブ抵抗性シミング」を有する米国出願第１３／３２４８５０号の利益を優先権主張し、その全開示が参照によりここに組み込まれる。
磁気共鳴イメージング、もしくは核磁気共鳴イメージングは主として、人体の内部構造及び機能を視覚化するために放射線医学において最も一般的に使用される医療のイメージング技術である。ＭＲＩ方法及び技術が、例えば、非特許文献１により説明され、参照によりここに組み込まれる。本開示は、磁気共鳴技術に関する。それは、医療磁気共鳴イメージングとともに特定の応用を見出し、それらに対する特定の参照を用いて説明されるであろう。しかしながら、当該開示はまた、他の複数のタイプの磁気共鳴イメージングシステムや磁気共鳴分光システムなどとともに応用が見出されることが認識されるべきである。
米国特許第３５６９８２３号明細書 米国特許出願公開第２００５／０１９７５６４号明細書 米国特許出願第１２／９５１９７６号明細書 米国特許出願公開第２０１１／００１２５９３号明細書
E.MARK HAACKE ET AL., "MAGNETIC RESONANCE IMAGING,"PHYSICAL PRINCIPLES AND SEQUENCE DESIGN(Wiley-Liss 1999).
しかしながら、傾斜コイルの近くの複数の導体を加熱する問題のみならず、ＭＲＩの動作に関連する種々の複数の磁場からの干渉のためこの配置による複数の問題が存在する。
従って、改良された複数のＭＲＩ傾斜コイルアッセンブリ及び当該ＭＲＩ傾斜コイルアッセンブリを製造する複数の方法の必要性が存在する。さらに、複数の水平オープンＭＲＩのための改良された複数の傾斜コイルアッセンブリ、及び追加的な複数の医療装置とともに水平オープンＭＲＩの動作を可能とする複数の傾斜コイルアッセンブリの必要性が存在する。
本開示の複数の特徴、複数の態様、及び複数の実施態様が、添付した複数の図面とともに説明される。
本開示のいくつかの複数の実施形態を用いて使用されるように、その中心のギャップ領域に位置する器具を有する水平オープンＭＲＩの斜視図を図示する。 図１に図示されるシステムのいくつかの複数の実施形態の簡単化された断面図を図示する。 本開示に係るＭＲＩシステムの実施形態の簡単化された断面図を図示する。 本開示のＸシム、Ｙシム、及びＺシムのいくつかの実施形態の例示的な電流パターンを図示する。 本開示のＸシム、Ｙシム、及びＺシムのいくつかの実施形態の例示的な電流パターンを図示する。 本開示のＸシム、Ｙシム、及びＺシムのいくつかの実施形態の例示的な電流パターンを図示する。 図１に図示されたシステムの実施形態の簡単化された概略的な斜視図を図示する。 ＸシムもしくはＹシムコイルの複数の事象に対する第１の電力接続方法を図示する。 ＸシムもしくはＹシムコイルの複数の事象に対する第２の電力接続方法を図示する。 ＸシムもしくはＹシムコイルの複数の事象に対する第３の電力接続方法を図示する。 ＸシムもしくはＹシムコイルの複数の事象に対する第４の電力接続方法を図示する。 本開示に係るＭＲＩシステムにおける均一場をシミングするための方法を例示する概略的なフロー図である。 自由度１０のアクティブシムコイルを使用するアクティブシミングの前後での第１の例示的な実施形態における構台位置に対するピーク・ツー・ピークの不均一性の比較を図示する。 自由度６のアクティブシムコイルを使用するアクティブシミングの前後での第１の例示的な実施形態における構台位置に対するピーク・ツー・ピークの不均一性の比較を図示する。 自由度１０のアクティブシムコイルを使用するアクティブシミングの前後での第２の例示的な実施形態における構台位置に対するピーク・ツー・ピークの不均一性の比較を図示する。 自由度６のアクティブシムコイルを使用するアクティブシミングの前後での第２の例示的な実施形態における構台位置に対するピーク・ツー・ピークの不均一性の比較を図示する。 アクティブシミングの前後での第３の例示的な実施形態における磁場の不均一性の比較を図示する。
磁気共鳴イメージングにおいて、複数の線形磁場傾斜が空間符号化のために使用される。複数の傾斜コイルが、これらの複数の線形磁場傾斜を発生させるために使用される。水平円筒型のＭＲＩシステムは、装置の長さにわたる複数の水平円筒型の傾斜コイルアッセンブリを有する。複数の「オープン」水平ＭＲＩシステムは、中心にギャップを有する分割の主磁石を有し、複数の分割傾斜コイルもまた有してもよい。より最近は、例えば複数の放射線治療装置、複数の生体検査、複数のアブレーション装置、複数の外科用装置、超音波、ＰＥＴ、ＳＰＥＣＴ、ＣＴ、ＬＩＮＡＣなどの複数のＭＲＩ及び複数のオープンＭＲＩシステムと組み合わせた種々の治療及び複数のイメージングモダリティ（撮像手段）を含むことが望まれるようになった。例えば、オープンＭＲＩシステムのギャップ領域内にそのような複数の器具を載置することが望まれるであろう。
ＭＲＩ画像の品質は、イメージング容積の内側の主磁石場の磁場の不均一性により悪影響が及ぼされる。例えば連続的な円筒型もしくは垂直にギャップされたシステムなどのいくつかのＭＲＩシステムでは、超伝導シムコイルが主磁石の内側に位置決めされて磁石の欠陥による磁場の不均一性を低減させるように使用される。連続的な円筒型磁石（ギャップされない磁石）に対して、超伝導シムは、ＭＲＩシステムの中心軸平面を通して連続的に及ぶ超伝導シムが例えばＸシム、Ｙシム及びＺシムコイル並びに高次のシムコイルなどの１次のシムコイルを含んでもよい。これらのシムコイルは、アクティブ超伝導シミング手順の間あるタイミングで１回電力が印加される。
パッシブシミング技術はまた、超伝導シムが印加された後に、残余の不均一性をある程度シムアウトするように使用されてもよい。通常は複数片の強磁性金属を備えるパッシブシムは、傾斜コイルの内側もしくは主磁石の内側ボア表面上のいずれかに配置される。アクティブ超伝導シミング及びパッシブシミングを組み合わせることのいくつかの反復は、所望されるレベルの不均一性を得るために必要とされてもよい。
しかしながら、一旦超伝導シムコイルが電流により電力が印加されると、主磁石の内側の超伝導シムコイルの位置はシムコイルへのさらなる接近を回避するので、電力チャネルは閉じられるであろう。このように、各シムコイルの連続する変化は可能性がない。もし電流を超伝導シムコイルに適合させることが所望されれば、主磁石におけるシムスイッチへのアクセスは、超伝導シムコイルへのアクセスを得るように開かれる必要があるであろう。
アクティブ抵抗性シムコイルは、患者に導入された不均一性をシムアウトするために使用されてもよい。これらのシムコイルは、例えばＺＯ、Ｚ２、ＸＺ、ＹＺ、ＸＹ、及びＸ２−Ｙ２タイプなどの０次、１次、及び２次のシムコイル、又はさらに高次のシムコイルを含んでもよい。これらのシムコイルは、特許文献１で説明されたゴーレイタイプのコイルであってもよいし、もしくは分散型のコイルであってもよい。上述したシステムにおけるアクティブシムコイルの構成に関する１つの不利益は、各シムコイルのすべての部分は直列接続され、同一の電力チャネルにより制御される。シムコイルの部分の直列接続は、不均一性をシムアウトするために自由度を制限する。
本開示のアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、任意のタイプのＭＲＩシステムを用いて使用されてもよい。従来のアクティブシムコイルとは異なってもよい本開示のアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリの一態様は、本アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリの各シムコイルが複数の電力チャネルに接続されてかつ当該複数の電力チャネルにより制御されてもよいということである。そのような構成は、アクティブ抵抗性シムコイルに電力を印加するときにおいて種々の付加的な自由度を可能とさせ、不均一性をより効果的にシムアウトすることができる調和関数を生成することが可能となる。
従来のアクティブシムコイルとは異なって、本開示のアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリのもう１つの態様は、２つの水平ＭＲＩ磁石の間の半分のギャップを含む分割ソレノイドの水平「オープン」ＭＲＩシステムを適合させるための構成を含んでもよい。従来の水平システムでは、典型的には５つのタイプのシムコイルが存在する。すなわち、ＺＯ、Ｚ２、ＸＺ、ＹＺ、ＸＹ、及びＸ２−Ｙ２のタイプである。この場合において、ＸＺ及びＹＺシムコイルは、中心平面に対して対称的に配置されて当該中心平面にわたって広がっており、それは分割システムに対しては不可能である。例示的な実施形態では、オープンＭＲＩシステムにおいてギャップを適合させるために、本開示のアクティブシムコイルアッセンブリは、２次もしくはより高次のシムコイルの代わりに分割Ｘタイプ、Ｙタイプ、及びＺタイプのアクティブシムコイルだけを有してもよい。対応する電流を複数の電力チャネルを介してＸタイプ、Ｙタイプ、及びＸタイプのアクティブシムコイルに提供すれば、すべてのＺＯ、Ｚ２、ＸＺ、ＹＺ、ＸＹ、及びＸ２−Ｙ２のシムコイルのみならずより高次のシムの調和関数を生成することができる。
ここで開示されるシムコイルは、そのギャップ内で動作される付加的な医療器具を用いて使用される水平オープンＭＲＩシステムとともに使用するのにさらにうまく適合される。図１は、ギャップ領域１０２を有する水平オープンＭＲＩシステムを有するそのような配置を図示する。器具１０４は、構台１１０上のギャップ領域１０２に装着される。また、患者１０６及び患者ベッド１０８が図示される。いくつかの複数の実施形態において、構台１１０は、患者１０６の周りに（すなわち、図１に図示されたＺ軸の周りに）器具１０４を再配置するために使用される。
図１の実施形態は、特許文献２の一部において説明された、本願譲受人であるビューレイ・インコーポレイテッド（ＶｉｅｗＲａｙ， Ｉｎｃ．）のシステムの複数の構成要素を含めることができ、当該特許文献２が参照によりここに組み込まれる。例えば、器具１０４は、放射線治療装置及び関連するマルチリーフコリメータ（ＭＬＣ）が備えられ、高速のイメージング水平オープンＭＲＩシステムと組み合わせて、特許文献２に説明されるように、治療中に目標となる場所を明らかにする改良された放射線治療を可能とする。１つのアッセンブリだけが図１の器具１０４として図示される一方で、いくつかの複数の実施形態は、器具１０４と関連する複数のアッセンブリを含むことができる。例えば、いくつかの複数の実施形態は、Ｚ軸の周りに分布されたギャップ１０２に装着され、構台１１０上のＺ軸の周りに回転可能な（図１に図示されない）３つの放射線ヘッドアッセンブリを含んでもよい。ここで開示された複数の実施形態のいくつかの複数の態様が特許文献２により開示されたビューレイシステムに関して説明される一方で、そのような複数の態様は開示されたシムコイルアッセンブリを用いた使用のためには必要とされない。ここで開示されたシムコイルアッセンブリは、関連する器具１０４の使用を用いて、もしくは用いないで、任意のタイプのＭＲＩシステムにおいて使用されてもよい。さらに、器具１０４を利用する複数のシステムのために、そのような複数の器具は、例えば複数の放射線源、もしくはＬＩＮＡＣなどの複数の放射線治療装置に限定されないが、ＭＲＩシステムを用いて使用される任意のタイプの器具を含むことができる。
図２ａは、図１に図示されたシステムの断面図である。図２ａの実施形態は、ギャップ１０２により分離された、一対の主磁石２００を含む水平オープンＭＲＩシステム１００を図示する。ＭＲＩシステム１００は、ギャップされないＭＲＩシステムに関連する実施形態に対する本開示の原理に従って、１つの主磁石２００だけを含むように設計されてもよいことが認識されるべきである。ＭＲＩシステムは、患者ベッド１０８上方の対象となる領域を画像化するように使用される。ＭＲＩシステム１００は、例えばＲＦコイルを含む無線周波数（ＲＦ）システムなどの、図示されない付加的な従来の構成要素を含む。図面及びこの開示を通して使用される座標系では、ＭＲＩボアを通り抜ける長手方向の軸をＺ軸と呼ぶ。Ｘ軸はＺ軸に対して垂直にかつＭＲＩシステム１００の左右に延在し、Ｙ軸はＺ軸に対して垂直にかつＭＲＩシステム１００のボトムからトップに延在する。
また、ＭＲＩボア（Ｚ軸）を介して磁石２００と長手方向軸２０６との間に配置される第１の傾斜コイル２０４が図２ａに図示される。ＭＲＩシステム１００は、磁石２００の外側に配置されかつ第１の傾斜コイル２０４に近接するアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８を含む。アクティブシムコイルアッセンブリ２０８は、少なくとも１つの増幅器２２０において（図示されない）複数の電力チャネルにそれぞれが接続される複数のシムコイルを含んでもよい。複数のシムコイルはそれぞれ、少なくとも１つの増幅器２２０における複数の電力チャネルを介して提供される分離した複数の電流により電力が印加されるように動作可能となってもよい。
実施形態では、第１の傾斜コイル２０４は、特許文献３で説明される他の傾斜コイル及び／又はシールドコイルを備える傾斜コイルアッセンブリ２０７において配置されてもよく、それは共有されてかつ参照によりここで組み込まれる。
磁石２００の外側のアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８の場所は変更させてもよいことが認識されるべきである。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、半径方向において第１の傾斜コイル２０４のいずれかの側に配置されてもよい。実施形態では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、磁石２００と第１の傾斜コイル２０４との間に配置されてもよい。もう１つの実施形態では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、第１の傾斜コイル２０４と長手方向軸２０６との間に配置されてもよい。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、傾斜コイルアッセンブリ２０７の内側もしくは外側に配置されてもよい。図２ａで図示される例示的な実施形態では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、傾斜コイルアッセンブリ２０７内に配置される。ＭＲＩシステム１００の冷却装置２０９は、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８と傾斜コイル２０４との両方に対する冷却を提供してもよい。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８の場所を除き、ＭＲＩシステム１００と実質的に同様であるＭＲＩシステム１５０が図２ｂに図示される。ＭＲＩシステム１５０では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、傾斜コイルアッセンブリ２０７の外側に配置される。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、磁石２００と傾斜コイルアッセンブリ２０７との間に配置される。この実施形態では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８を冷却するための専用の冷却装置２１０がＭＲＩシステム１５０内に含まれてもよい。
電流を複数の電力チャネルを介してアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８の各シムコイルに供給することの有益な効果が磁石２００の外側にアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８を配置することにより最適化されることが認識されるべきである。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリのそのような場所は、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８のシムコイルに電力が印加された後に、電力チャネルが閉じられることを必要としない。そのため、各アクティブシムコイルへの電流の簡単でかつ連続する変化が実現されるかもしれない。
実施形態では、本開示のアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８は、例えばアクティブＸシムタイプコイル（以下、「Ｘシムコイル」という。）、アクティブＹシムタイプコイル（以下、「Ｙシムコイル」という。）、及びアクティブＺシムタイプコイル（以下、「Ｚシムコイル」という。）などのアクティブ抵抗シムの種々の組み合わせを含んでもよい。例示的な実施形態では、Ｘシム、Ｙシム、及びＺシムコイルは、ゴーレイタイプのコイルであってもよい。もう１つの実施形態では、これらのコイルは分散型コイルであってもよい。実施形態では、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８はさらに、０次のシムコイルを含んでもよい。アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８におけるアクティブシムコイルの選択及び配置は、イメージング容積内の磁場において期待される不均一性及び所望される自由度に基づいて変化させてもよいことが認識されるべきである。
実施形態では、アクティブシムコイルアッセンブリ２０８は、Ｘタイプ、Ｙタイプ、及びＸタイプのアクティブシムコイルを含んでもよく、２次シムコイルもしくはより高次のシムコイルを含まなくてもよい。電流を複数の電力チャネルを介してＸタイプ、Ｙタイプ、及びＺタイプのアクティブシムコイルに供給することにより、ＺＯ、Ｚ２、ＸＺ、ＹＺ、ＸＹ、及びＸ２−Ｙ２シムコイルの調和関数のみならずより高次のシムに電力が印加される。
アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ２０８において含まれるように適合化されるアクティブ抵抗性シムコイルは、種々の自由度を可能にする異なる電力チャネルに対する種々の電流パターン及び多数の接続を含んでもよい。図３Ａを参照すれば、例示的な実施形態では、Ｘシムコイルの電流パターンは、少なくとも４つの象限を含むように構成されてもよい。実施形態では、Ｘシムコイルは、図４に図示される中心平面４００に対して対称的に配置される第１の象限３０２ａ及び第２の象限３０２ｂのペアを含んでもよい。図４は、ＭＲＩシステム１００の簡単化された概略図であり、図示されるように、長手方向軸２０６に対して垂直である中心平面４００は、Ｘ軸及びＹ軸により定義されてもよい。水平オープンＭＲＩシステムでは、中心平面４００は、複数の磁石２００間のギャップ内の中心にある。図３Ｂに戻ると、実施形態では、Ｙシムコイルはまた、図４に図示されるように、中心平面４００に対して対称的に配置される第１の象限３０４ａ及び第２の象限３０４ｂのペアを有する、少なくとも４つの象限を含んでもよい。Ｚシムタイプコイルの電流パターンは、図３Ｃに図示されるように、中心平面４００に対して対称的に配置される少なくとも２つのハーフ（半部）３０６ａ、３０６ｂを含んでもよい。Ｘシム、Ｙシム、及びＺシムコイルの半径方向の次数は、典型的にはＸ次元がＹ次元よりも大きくてかつＺシムコイルがＸ及びＹコイルよりも効率的であるという事実により決定されてもよい。
例示的な実施形態では、イメージング容積内の種々の磁場の不均一性をシムアウトするときにおいてより大きい自由度を可能とするために、アクティブＸシム、アクティブＹシム、及びアクティブＺシムコイルはそれぞれ、分離した電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能となる複数の象限を含んでもよい。例えば、Ｚシムコイルの２つのハーフは、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であってもよく、２つの自由度を可能とする。アクティブＸシムコイル及びアクティブＹシムタイプのコイルの象限を接続するための多くの方法が存在し、結果として異なる自由度を生じる。図５Ａにより図示される例示的な実施形態では、Ｘシム及びＹシムコイルの各象限５０２は、分離した電力チャネル５０３に接続されてもよく、結果としてＸ及びＹシムコイルのそれぞれに対して４つの自由度を生じる。図５Ｂで図示される実施形態では、Ｘシムコイルの第１の象限５０４ａ及び第２の象限５０４ｂは、第１の電力チャネル５０５に直列接続され、Ｘシムコイルの第３の象限５０６ａ及び第４の象限５０６ｂは、第２の電力チャネル５０６に直列接続される。同様に、Ｙシムコイルは、第１の電力チャネル５０５に直列接続される第１の象限５０４ａ及び第２の象限５０４ｂと、第２の電力チャネル５０６に直列接続される第３の象限５０６ａ及び第４の象限５０６ｂとを含むように構成されてもよい。第１の象限５０４ａ及び第２の象限５０４ｂを直列接続し、第３の象限５０６ａ及び第４の象限５０６ｂを直列接続するための他の例示的な方法が図５Ｃ及び図５Ｄで図示される。図５Ａ〜図５Ｄで図示される例示的な電力チャネル配置に加えて、電流をＸシムもしくはＹシムコイルの３つもしくは４つの象限に供給するための１つの電力チャネルを可能とする種々の接続を含む他の配置がまた使用されてもよい。
Ｘシム、Ｙシム、及びＺシムコイルの上述した構成は、種々の自由度を可能とする。例示的な実施形態では、アクティブＺシムコイルの２つのハーフは、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、Ｘシム及びＹシムコイルのそれぞれの４つの象限は、４つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、アクティブシミングのために１０個の自由度が存在する。もう１つの例示的な実施形態では、シムコイルは以下のように構成されてもよい。
１）Ｚシムコイルの２つの象限は、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、
２）Ｙシムコイルの第１の象限及び第２の象限は直列接続され、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、Ｙシムコイルの第３の象限及び第４の象限は直列接続され、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、
３）Ｘシムコイルの第１の象限及び第２の象限は直列接続され、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、Ｘシムコイルの第３の象限及び第４の象限は直列接続され、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である。そのような構成は、アクティブシミングのために６つの自由度を可能とする。
もう１つの例示的な実施形態では、ＭＲＩシステムは、２次もしくはより高次の抵抗性シムコイルを有するアクティブシムコイルアッセンブリ２０８を含んでもよい。例示的なアクティブシムコイルアッセンブリ２０８は、Ｚ２、ＺＸ、ＺＹ、ＸＺ、及びＸ２−Ｙ２のシムコイルを含んでもよい。ＺＸ及びＺＹ抵抗性シムコイルは、中心平面４００に対して対称的に配置されてもよい。ＺＸ抵抗性シムコイルは、方位角の方向において１８０度で分離される２つのハーフを含んでもよく、ＺＹ抵抗性シムコイルはまた、９０度でＺＸシムコイルから回転される２つのハーフを含んでもよい。ＸＹ抵抗性シムコイルは、８つの象限を含んでもよい。すなわち、中心平面４００に対して対称的に位置決めされる４つの象限と、方位角の方向において９０度で分離される４つの象限との２つのセットである。Ｘ２−Ｙ２抵抗性シムコイルはまた、中心平面４００に対して対称的に位置決めされる４つの象限と、９０度でＹＺシムコイルから回転される４つの象限との２つのセットを含んでもよい。
上述した例示的なオープンＭＲＩシステムのシムコイルと同様に、ＭＲＩシステムのＺ２、ＺＸ、ＺＹ、ＸＺ、及びＸ２−Ｙ２シムコイルはそれぞれ、分離した電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である複数の象限及び／又は複数のハーフの種々の組み合わせを含んでもよい。ＺＸ及びＺＹシムコイルのハーフはそれぞれ、分離した電力チャネルからの電流により電力が印加されてもよく、各シムコイルのために２つの自由度を可能とする。ＸＹ及びＸ２−Ｙ２シムコイルの複数の象限はそれぞれ、分離した電力チャネルからの電流により電力が印加されてもよく、各シムコイルのために８個の自由度を可能とする。このように、Ｚ２、ＺＸ、ＺＹ、ＸＺ、及びＸ２−Ｙ２のシムコイルを備えるアクティブシムコイルアッセンブリは、Ｘシム、Ｙシム、及びＺシムコイルだけを備えるアクティブシムコイルアッセンブリよりも大きい自由度を有してもよい。さらに、Ｚ２、ＺＸ、ＺＹ、ＸＺ、及びＸ２−Ｙ２のシムコイルの電力チャネルは、少なくとも４個から２０個までの範囲の種々の自由度を可能とするように組み合わされてもよい。
ＭＲＩシステムでは、Ｘシムコイル及びＹシムコイルのそれぞれにシムコイルの各象限、並びにＺシムコイルの各ハーフは、イメージング容積内の種々の球面調和関数を生成してもよい。ＹシムコイルのＹ１象限が４５ｃｍのＤＳＶ内で生成してもよい球面調和関数の例が以下の表１で挙げられる。
Figure 0006650430
ＹシムコイルのＹ＿２、Ｙ＿３、及びＹ＿４象限の感度は、アクティブＹシムコイルのＹ１象限に対する対称性の独立変数から求めることができる。同様に、ＸシムコイルのＸ１、Ｘ＿２、Ｘ＿３、及びＸ＿４象限の感度は、ＹシムコイルのＹ＿１、Ｙ＿２、Ｙ＿３、及びＹ＿４象限に対する対称性から求めることができる。
複数のＹシムコイルの感度の線形結合により次式が得られる。
Figure 0006650430
式（１）では、ＳＹ＿１（１≦Ｉ≦４）は、Ｙ＿Ｉ象限の感度であり、σは重み付け係数である。もしすべてのσ１が等しければ、その場合はＹシムはＹ傾斜として振る舞う。例えば、もしσ１＝σ３＝１でありσ２＝σ４＝−１であれば、その場合はＹシムは従来のＹＺシムとして振る舞う。例えば、もしσ１＝σ２＝１でありσ３＝σ４＝−１であれば、その場合はＹシムは従来のＺ２シムとＸＹシムコイルとの組み合わせとして振る舞う。例えば、もしσ１＝σ４＝１でありσ３＝σ２＝−１であれば、その場合はＹシムはほとんど従来のＺ傾斜として振る舞う。
ＺシムコイルのＺ＿１のハーフを４５ｃｍのＤＳＶ内で生成してもよい球面調和関数の例が以下の表２で挙げられる。
Figure 0006650430
ＺシムコイルのＺ＿２のハーフの感度は、ＺシムコイルのＺ＿１のハーフに対する対称性の独立変数から求めることができる。以下の式（２）は、球面調和関数係数の項での磁場のＺ成分の式である。
Figure 0006650430
式（２）では、
Figure 0006650430
 は磁場のＺ成分であり、
Figure 0006650430
 は観察点の球面座標であり、
Figure 0006650430
 はルジャンドル多項式であり、Ｃｎはゾーン球面調和関数係数であり、Ｃｎ，ｍ、Ｓｎ，ｍは方球（方域）調和関数の係数である。
演算では、電流をシムコイルに印加して磁場の不均一性を最小化するように分離した電力供給を使用してもよい。これが以下の関数を最小化することにより実行される。
Figure 0006650430
式（３）では、表記は以下の定義を有する。
・Ｎはフィールドカメラを使用する測定点の数である。
・ＮＤはベースのシムコイルの数である。
・δＢは中心フィールド値Ｂ０に対する磁場の測定されたフィールド値の変化である。
・Ｂｉ，ｎは、一連の測定点にわたって単位電流を用いて駆動される（文字ｎにより索引された）ベースのシムコイルにより生成される磁場の値である。これらの値はベースのシムコイルの感度を表す。
・Ｉｎはベースのシムコイルに印加されるべき未知の電流値である。
・λは印加されるべきシム電流値を最小化するように正則化係数である。
未知の電流値Ｉｎに関する関数Ｗの変化は解を決定する。
図６は、本開示のＭＲＩ装置をシミングするのに適した例示的な処理を示すフローチャートである。フローチャートで図示されたそれぞれの動作は図示された順番で実行されてもよい一方で、特段の定めがない限り、図示された順番以外の順番で実行されてもよいことが認識されるべきである。本開示のＭＲＩシステム内もしくは当該ＭＲＩシステム近くの種々の物体（オブジェクト）は、画像容積において磁場の不均一性を導入するかもしれない。例えば、ＭＲＩ装置の構台上に載置するいくつかの部品は、磁場の不均一性を導入することができる。イメージングの間に使用されるロボット装置は、磁場の不均一性の可能性がある源（ソース）の例である。図６で図示された例示的な方法６００は、磁石、傾斜コイル、及び磁石の外側に配置されてかつ傾斜コイルに近接して配置されるアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備える磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムでの磁場の不均一性をシムアウトするのに適してもよい。ＭＲＩシステムは、ここで開示されるＭＲＩシステムの任意の実施形態であってもよく、ＭＲＩシステムのアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数の電力チャネルを通して供給される電流により電力が印加されるように動作可能であるシムコイルを含んでもよい。
例示的な方法６００の動作６０２は、磁場を保持するようにＭＲＩシステムを動作させるステップを含む。例示的な方法６００の動作６０４は、ＭＲＩシステムのイメージング容積内の磁場の不均一性を決定するステップを含む。磁場の不均一性に基づき、方法６００の動作６０６及び動作６０８は、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリのシムコイルに供給されるべき複数の電流値を決定するステップと、電流をシムコイルに印加するステップをそれぞれ含んでもよい。電流により電力が印加されるシムコイルが少なくともいくつかの磁場の不均一性をシムアウトするように動作可能であるように電流値が決定される。動作６１０は、動作６０２での磁場を保持することを繰り返すステップと、シムコイルに供給される電流が所望されるレベルの磁場の不均一性を可能とするか否かを決定するように動作６０４での磁場の不均一性を決定するステップとを含んでもよい。もし付加的なシミングが所望されれば、動作６０６及び動作６０８での複数の電流値を決定することと当該電流をシムコイルに印加することとの動作は、シムコイルに供給される電流を調整するように反復されてもよく、動作６０２及び動作６０４は、合成磁場の不均一性を決定するようにもう一度繰り返されてもよい。動作６０２、６０４、６０６、及び６０８の反復の後、シムコイルはほとんどの磁場の不均一性をシムアウトするように調整された電流により電力が印加されてもよい。残余の不均一性がパッシブシムの調整と一緒にシムアウトされてもよい。
方法６００は、もしシムコイルが磁石の内側に配置されれば、実行することが負担でありかつ困難であるであろう反復方法であってもよいことが認識されるべきである。そのような場合において、超伝導シムへの接続は反復ごとに実行される必要があるであろう。しかしながら、アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは磁石の外側に配置されるので、方法６００は、ＭＲＩシステムの磁石が閉じられたままである間に実行されてもよい。この利点は、シムコイルに電力を印加させるための電流の簡単な調整を可能とするだけでなく、磁場の不均一性のソースがリアルタイムで移動するのでイメージングの間にシムコイルに対する電流のリアルタイムの調整を相乗的に可能としてもよい。そのようなリアルタイムの調整は、著しく改善されたイメージングの品質及びイメージングの精度を可能とするであろう。
動作６０２における磁場を保持するステップと、動作６０４における磁場の不均一性を決定するステップとは、従来から知られた種々の方法で取得されてもよい。実施形態では、動作６０２での磁場を保持するステップは、イメージング容積内に配置される物体を用いて磁場を保持することを含んでもよい。当該物体は、事前に決定されてもよい密度プロファイル及び参照磁場応答を有してもよい。そのような実施形態では、動作６０４での磁場の不均一性を決定するステップは、イメージング容積内の磁場を測定するステップと、測定された磁場と物体に対して事前に決定された参照磁場とを比較するステップとを含んでもよい。例示的な実施形態では、プロセッサは、磁場測定値を受信し、測定された磁場と参照磁場とを比較して磁場の不均一性を識別するためのソフトウェアを使用してもよい。
実施形態では、動作６０４での磁場の不均一性を決定するステップは、表面にわたって磁場を測定することと、当該表面にわたって測定された磁場に基づいてイメージング容積内の磁場を数学的に決定することとを含んでもよい。例えば、「磁気カメラ」は、ＭＲＩシステム内に着脱可能で配置されてもよい。その磁気カメラは、当該磁気カメラの表面にわたって磁場を測定するための複数のセンサを含んでもよい。磁気カメラの複数のセンサから収集されたデータは、イメージング容積内の磁場を数学的に決定するように使用されてもよい。実施形態では、プロセッサは、磁気カメラからデータを受信し、磁気カメラの表面にわたる磁場に基づき、イメージング容積内の磁場を決定するためのソフトウェアを使用してもよい。
本開示で説明される原理を考慮すれば、種々の磁場の不均一性をシムアウトするためのシステム及び方法の例示的な実施形態が以下に提供される。
例１：第１の構台により導入された不均一性のシムアウト
ある実施形態では、本開示のＭＲＩシステム内の構台上に１８個の「輪」が存在してもよい。これらの「輪」は、回転の間、構台を支持して導く。その「輪」は、強磁性物質から製造されてもよい。構台が回転するにつれてイメージング容積内の磁場の不均一性がどのように変化するかを測定するように測定が実行された。（例えば、４５ｃｍのＤＳＶを有する２４平面、２４アングル（角度）の）フィールドカメラが３６０度にわたって２９個の回転構台位置に対して磁場マップを取得するように使用された。その結果が図７に実線で図示される。この図は、ピーク・ツー・ピークの測定された不均一性が４３．９５ｐｐｍの平均値で構台が回転している間では２０．５ｐｐｍで変化することを示す。
式（３）に関して上述説明されたシミング手順が自由度１０を有するシムコイルを用いるこれらの測定の間に取得されるデータに適用された。その結果が図７で示される。図７でシミュレーションされたデータの変動は、２０．９０ｐｐｍの平均値を用いて３．９２ｐｐｍに等しい。例として、表３には、不均一性が５５ｐｐｍであった測定番号１５と測定番号１６とに対して必要とされる電流値がリストアップされる。
Figure 0006650430
またさらに、式（３）に関して上述説明されたシミング手順が自由度６を有するシムコイルを用いるこれらの測定の間に取得されるデータに適用された。自由度６は、図５Ｂ〜図５Ｄで図示されるいずれかの実施形態に従ってＸシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを構成することにより提供されてもよい。その結果が図８で示される。いま、図８でシミュレーションされたデータの変動は、２３．４５ｐｐｍの平均値を用いて３．２６ｐｐｍに等しい。例として、表４には、不均一性が５５ｐｐｍであった測定番号１５と測定番号１６とに対して必要とされる電流値がリストアップされる。
Figure 0006650430
例２：第２の構台により導入された不均一性のシムアウト
この例での「輪」は、ステンレス鋼、タングステン、アンプコロイ（登録商標）から製造された。構台が回転するにつれてイメージング容積内の磁場の不均一性がどのように変化するかを測定するように測定が実行された。（例えば、４５ｃｍのＤＳＶを有する２４平面、２４アングル（角度）の）フィールドカメラが３６０度にわたって２９個の回転構台位置に対して磁場マップを取得するように使用された。その結果が図９に実線で図示される。この図は、ピーク・ツー・ピークの測定された不均一性が４５．４９ｐｐｍの平均値で構台が回転している間では２．６７ｐｐｍで変化することを示す。
式（３）に関して上述説明されたシミング手順が自由度１０を有するシムコイルを用いるこれらの測定の間に取得されるデータに適用された。シミュレーションされたデータの結果が図９において破線で示される。図９における変動は、１８．５０ｐｐｍの平均値を用いて０．８２ｐｐｍに等しい。例として、表５には、不均一性が４５ｐｐｍであった測定番号１５と測定番号１６とに対して必要とされる電流値がリストアップされる。
Figure 0006650430
式（３）に関して上述説明されたシミング手順が自由度６を有するシムコイルを用いるこれらの測定の間に取得されるデータに適用された。自由度６は、図５Ｂ〜図５Ｄで図示されるいずれかの実施形態に従ってＸシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを構成することにより提供されてもよい。シミュレーションされたデータの結果が図１０において破線で示される。図１０でシミュレーションされたデータの変動は、２４．５０ｐｐｍの平均値を用いて２．３５ｐｐｍに等しい。例として、表６には、不均一性が４５ｐｐｍであった測定番号１５と測定番号１６とに対して必要とされる電流値がリストアップされる。
Figure 0006650430
例３：患者テーブルの動きにより導入された不均一性のシムアウト
図１における患者テーブル１０８の位置は、例えばモータなどのいくつかの磁性物質を含んでもよく、例えば、それ故に磁場の不均一性に影響を及ぼす可能性がある。アクティブシムは患者テーブル位置を補正することができる。ビューレイシステムにおける患者テーブルは、磁性成分を有する部品を含む。この患者テーブルは、左から右にもしくは上から下に軸方向に移動することができる。軸方向の動きの間、磁性部品は、患者テーブルに沿って移動しない。第１の２つのケース（左から右への移動、上から下への移動）では、磁性部品は、患者テーブルに沿って移動する。これらのケースでは、患者テーブルの動きは、磁場の不均一性に影響を及ぼすであろう。患者テーブルの動きが磁場の不均一性にどのように影響を及ぼすのかを調査するために５回の測定が行われた。それらは以下の通りであった。図１１は、測定の結果を実線で図示する。
１．患者テーブルが初期（デフォルト）位置にある。
２．患者テーブルが（初期位置より１００ミリだけ）下の位置にある。
３．患者テーブルが（初期位置より１００ミリだけ）上の位置にある。
４．患者テーブルが（初期位置より７０ミリだけ）左の位置にある。
５．患者テーブルが（初期位置より７０ミリだけ）右の位置にある。
例４：統合化されたシステムの不均一性のシムアウト
完全に統合化されたビューレイシステムの磁場プロットが取られた。構台はスチールから形成されたショックアブソーバ（衝撃吸収材）を含む。ピーク・ツー・ピークの磁場の不均一性が４５ｃｍのＤＳＶにわたって９８．４９ｐｐｍと測定された。主な寄与はＺ２の調和関数から来る。この種の挙動は、ロードされた構台の対称性に起因するかもしれない。２、３の調和関数が表７にリストアップされる。
Figure 0006650430
そのデータは、強いＺ２の調和関数が存在していることを示し、それは表７と一致する。式（３）に関して上述説明されたシミング手順が自由度１０を有するシムコイルを用いるこれらのデータに適用された。シミングの後、磁場の不均一性は２２．４ｐｐｍまで低減された。以下にリストアップされた表８及び表９には、帯域（帯球）調和関数のアクティブシミングの前後の比較と、方域（方球）調和関数のアクティブシミングの前後の比較とがそれぞれ示されている。表８及び表９は、アクティブシムコイルが実行した仕事が線形調和関数及び二次調和関数をほとんどゼロへと無効化していることを示している。調和関数Ｚ４は、符号を変化させた。残りの調和関数は、著しく変化しなかった。
Figure 0006650430
Figure 0006650430
表１０には、シムコイルにおいて必要とされる電流値がリストアップされる。
Figure 0006650430
ＬＩＮＡＣ−ＭＭシステムのアクティブシミング
ＬＩＮＡＣ−ＭＲＩシステムは特許文献４で説明され、それが参照によりここで組み込まれる。そのようなＬＩＮＡＣ−ＭＲＩシステムは、本開示で説明されたシムコイルアッセンブリ２０８を含むように変更されてもよい。例示的なＬＩＮＡＣ−ＭＲＩシステムでは、４５ｃｍのＤＳＶにわたってＬＩＮＡＣにより導入された磁場の不均一性は、９１４．６７ｐｐｍに等しい。球面調和関数は主に、表１１でリストアップされたＺ２、Ｚ４、Ｘ、及びＹである。
Figure 0006650430
アクティブシムが本開示のシムコイルアッセンブリを用いて適用された後、磁場の不均一性は、４５ｃｍのＤＳＶにわたって２９．８８ｐｐｍまで低減され、対応する複数の球面調和関数が表１２でリストアップされる。
Figure 0006650430
対応する複数のシム電流が表１３にリストアップされる。
Figure 0006650430
この例では、アクティブシムコイルを用いて不均一性がシムアウトされた。もう１つのアプローチが線形の項Ｘ及びＹを無効化するための傾斜オフセットを適用することである。傾斜オフセットの適用がまた傾斜コイルの内部特性であるより高次の不純物を導入させる。このケースでは、４５ｃｍのＤＳＶにわたって磁場の不均一性は３６６．５０ｐｐｍに等しい。アクティブシミング後では、磁場の不均一性は２４．９ｐｐｍまで低減される。
対応するシム電流が表１４にリストアップされる。このケースでは、Ｚシムにおける電流は表１３におけるのとほぼ同じだけ残り、Ｘシム及びＹシムに対する電流は表１３におけるＸシム及びＹシムに対する電流と比較すると約３倍低減される。
Figure 0006650430
開示された複数の原理に従った種々の複数の実施形態が上述説明された一方で、それらは例示だけの方法により提示されたのであって、限定されないということが理解されるべきである。従って、１つもしくは複数の発明の広さ及び範囲は、上述説明された例示的な複数の実施形態のいずれかにより限定されるべきでないが、この開示から公表する特許請求の範囲及びそれらの均等物に従ってだけに定義されるべきである。さらに、上述説明された複数の利点は、任意の発行された特許請求の範囲の、複数の利点のいずれかもしくはすべてを伴う複数のプロセス及び複数の構造に対する応用を制限することは意図されない。
さらに、セクションの冒頭説明は、この開示から公表されるかもしれないいくつかの複数の請求項において設定される１つもしくは複数の発明を制限しないであろうし、特徴付けもしないであろう。特に、実施例の方法により、冒頭説明は「技術分野」と呼ぶのだけれど、かかる特許請求の範囲は、いわゆる技術分野を説明するためのこの冒頭説明のもとで選択された言語により制限されるべきでない。さらに、「背景技術」における技術説明は、技術がこの開示における任意の１つもしくは複数の発明に対する従来技術であることの自白として解釈されるべきでない。「課題を解決するための手段」もまた、公表された特許請求の範囲において説明された１つもしくは複数の発明の特徴として解釈されるべきでない。さらに、一般的にこの開示に対する任意の参照、もしくは単数における言語「発明」の使用は以下に説明された複数の請求項の範囲に関して任意の制限を意味することは意図されない。複数の発明は、この開示から公表する複数の請求項の複数の限定に従って説明されてもよく、従ってそれらにより保護される複数の請求項は、１つもしくは複数の発明及びそれらの複数の均等物を定義する。

Claims (11)

  1. 第１の磁石と、器具を支持するように構成されたギャップにより第１の磁石から離れて配置される第２の磁石と、複数のシムコイルを備えるアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリとを備えたシステムであって、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記複数のシムコイルの少なくとも１つは、４つの象限を含む分割抵抗性シムコイルを備え、
    上記分割抵抗性シムコイルの４つの象限の第１のペアは、上記ギャップ内の中央に位置しかつ上記システムの長手方向に対して直交する中央平面に対して対称的に配置され、上記分割抵抗性シムコイルの４つの象限の第２のペアは、上記中央平面に対して対称的に配置されることを特徴とするシステム。
  2. 第１の磁石と、器具を支持するように構成されたギャップにより第１の磁石から離れて配置される第２の磁石と、複数のシムコイルを備えるアクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリとを備えたシステムであって、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記複数のシムコイルの少なくとも１つは、上記ギャップ内の中央に位置しかつ上記システムの長手方向に対して直交する中央平面に対して対称的に配置されるハーフのペアを含む分割抵抗性シムコイルを備えることを特徴とするシステム。
  3. アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備えたシステムであって、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数のシムコイルを備え、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記複数のシムコイルはさらに、０次シムコイルを備えることを特徴とするシステム。
  4. アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備えたシステムであって、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数のシムコイルを備え、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、第１の磁石と第１の傾斜コイルとの間に配置されることを特徴とするシステム。
  5. アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備えたシステムであって、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数のシムコイルを備え、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、第１の傾斜コイルと長手方向の軸との間に配置されることを特徴とするシステム。
  6. アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備えたシステムであって、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数のシムコイルを備え、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記Ｘシムコイル又はＹシムコイルの少なくとも１つの４つの象限は、
    直列接続された第１の象限及び第２の象限であって、第１の電力チャネルによって印加されるように動作可能であり、かつ中央平面の各対向する側に対称的に配置される第１の象限及び第２の象限と、
    直列接続された第３の象限及び第４の象限であって、第２の電力チャネルによって印加されるように動作可能であり、かつ中央平面の各対向する側に対称的に配置される第３の象限及び第４の象限と、
    を備えることを特徴とするシステム。
  7. アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリを備えたシステムであって、
    上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリは、複数のシムコイルを備え、
    上記複数のシムコイルは、Ｘシムコイル、Ｙシムコイル、及びＺシムコイルを備え、
    上記Ｘシムコイルは、第１の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｙシムコイルは、第２の複数の電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である４つの象限を備え、
    上記Ｚシムコイルは、第３の複数の各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能である２つのハーフを備え、
    上記Ｘシムコイル又はＹシムコイルの少なくとも１つの４つの象限は、
    中央平面の各対向する側に対称的に配置された第１の象限及び第２の象限と、
    中央平面の各対向する側に対称的に配置された第３の象限及び第４の象限とを備え、
    上記第１の象限及び第４の象限は、中央平面の各対向する側にあり、かつ直列接続され、第１の電力チャネルによって印加されるように動作可能であり、
    上記第２の象限及び第３の象限は、中央平面の各対向する側にあり、かつ直列接続され、第２の電力チャネルによって印加されるように動作可能であることを特徴とするシステム。
  8. 上記Ｘシムコイルの象限の２つのペアは、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、
    上記Ｙシムコイルの象限の２つのペアは、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であり、
    上記Ｚシムコイルの２つのハーフは、２つの各電力チャネルからの電流により電力が印加されるように動作可能であることを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか一項に記載のシステム。
  9. パッシブシミングデバイスをさらに備えたことを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか一項に記載のシステム。
  10. 上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ及び第１の傾斜コイルは、単一のモジュールの内側に配置されることを特徴とする請求項１、２、３、６、７のうちいずれか一項に記載のシステム。
  11. 上記アクティブ抵抗性シムコイルアッセンブリ及び第１の傾斜コイルは、単一のモジュールの内側に配置されることを特徴とする請求項４、５のうちいずれか一項に記載のシステム。
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