JP6645108B2

JP6645108B2 - 多層伝送線路板

Info

Publication number: JP6645108B2
Application number: JP2015199360A
Authority: JP
Inventors: 近藤　裕介; 裕介近藤; 悦男水嶋; 隆雄谷川; 裕希永井; 富男福田
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2015-10-07
Filing date: 2015-10-07
Publication date: 2020-02-12
Anticipated expiration: 2035-10-07
Also published as: JP2017073460A

Description

本発明は、多層伝送線路板に関し、より詳細には、Ｇｂｐｓオーダーの差動伝送方式による高速デジタル伝送に用いる多層伝送線路板に関する。

信号の高速化に伴い、差動伝送方式が広く用いられるようになっている。差動伝送方式はノイズ低減に有利であるが、信号が益々高速になるのに伴い、コモンモードノイズの発生による信号劣化が問題となってきている。

ところで、多層伝送線路板の絶縁層には、多層伝送線路板製造時における材料の取り扱い性、多層伝送線路板自体の機械的特性等を確保するため、ガラスクロスと樹脂との複合材料が広く用いられている。
図１に示すように、ガラスクロスは、ガラス繊維を縦と横に織った構造を有するため、織り目部分ではガラス繊維が重なっている。したがって、ガラスクロスと樹脂との複合材料において、ガラス繊維の織り目部分は、ガラスの存在比率が高くなる。反対に、ガラス繊維の重なりが無い部分は、ガラスの存在比率が低くなる。このように、複合材料面内における樹脂とガラスとの存在比率は均一ではない。

一般的に樹脂とガラスとでは誘電率が異なるため、複合材料面内における樹脂とガラスとの存在比率が不均一であれば、複合材料面内における誘電率も不均一になる。
図２に示すように、差動配線が形成された多層伝送線路板では、ガラスの存在比率が高い部分と低い部分に配線が存在する場合が生ずるが、信号速度がそれぞれの場所で異なるため、受信側で信号の到達時間にずれ（スキュー）が生じ、信号品質を低下させる。

スキュー対策として、配線パターンをガラスの織り方向に対して斜めに配置する等の設計技術による対策が行われているが、この方法によると、配線パターンの面付けが非効率なものとなり、材料ロスを招くことから、別の解決手段が求められている。

特許文献１には、ガラスクロスの織り目でない部分に誘電率の高いフィラーを集中的に添加して、複合材料面内における誘電率を均質化する手法が開示されている。

特開２００９−２５９８７９号公報

しかしながら、特許文献１の手法によると、材料の製造プロセスが複雑になるため、材料コストの上昇に加え、材料品質のコントロールが困難となる場合があった。

そこで、本発明は、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減することが可能な多層伝送線路板を提供することを課題とする。

本発明者らは上記の課題を解決すべく検討を進めた結果、下記本発明により当該課題を解決できることを見出した。すなわち、本発明は、次の［１］〜［４］を提供する。
［１］一対のグランド層と、
前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線と、
前記差動配線と前記一方のグランド層との間に配置された絶縁層Ｉと、
前記差動配線と前記他方のグランド層との間に配置された絶縁層ＩＩとを有し、
前記絶縁層Ｉ及び絶縁層ＩＩのうち少なくとも一方はガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、
前記ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層のうち少なくとも一層における前記ガラスクロスと前記樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、多層伝送線路板。
［２］前記絶縁層Ｉ又は絶縁層ＩＩの一方がガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、
前記絶縁層Ｉ又は絶縁層ＩＩの他方がガラスクロスを含有せず、樹脂を含有する層であり、
前記ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層における前記ガラスクロスと前記樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、上記［１］に記載の多層伝送線路板。
［３］前記ガラスクロスの誘電率が５．０以下である、上記［１］又は［２］に記載の多層伝送線路板。
［４］ガラスクロスと樹脂組成物とを含有するプリプレグであり、前記ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の多層伝送線路板を形成するために用いられるプリプレグ。

本発明によれば、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減することが可能な多層伝送線路板を提供することができる。

ガラスクロスの織り目を示す模式図である。ガラスクロスと差動配線の配置例を示す模式図である。本発明の第一実施形態（実施例１）に係る多層伝送線路板を示す模式的断面図である。本発明の第二実施形態（実施例４）に係る多層伝送線路板を示す模式的断面図である。本発明の第一実施形態（実施例１）に係る別形態の多層伝送線路板を示す模式的断面図である。従来の多層伝送線路板を示す模式的断面図である。

他の指示がない限り、明細書及び特許請求の範囲において使用される特徴のサイズ、量、及び物理的特性を表す全ての数字は、全ての場合に「約」という用語によって修飾されるものと理解すべきである。それ故に、そうでないことが示されない限り、前述の明細書及び添付の特許請求の範囲で示される数値パラメータは、当業者が本明細書で開示される教示内容を用いて、目標対象とする所望の特性に応じて、変化し得る近似値である。端点による数値範囲の使用には、その範囲内に含まれる全ての数（例えば、１〜５には、１、１．５、２、２．７５、３、３．８０、４、及び５が含まれる）及びその範囲内の任意の範囲が含まれる。
以下、図面を参照しながら、本発明の多層伝送線路板の実施形態について詳細に説明する。

なお、本開示における「差動配線」とは、製造された多層伝送線路板の差動配線として機能するような回路加工を施された導体層であれば、多層伝送線路板の製造過程での該導体層をも含む。同様に、「グランド層」とは、製造された多層伝送線路板のグランド層として機能するような導体層であれば、多層伝送線路板の製造過程での該導体層をも含む。

また、本開示における誘電率とは、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したときの値を示す。

［多層伝送線路板］
本実施形態に係る多層伝送線路板は、例えば、Ｇｂｐｓオーダーの差動伝送方式による高速デジタル伝送で使用されるものである。
本発明の多層伝送線路板は、一対のグランド層と、前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線と、前記差動配線と前記一方のグランド層との間に配置された絶縁層Ｉと、前記差動配線と前記他方のグランド層との間に配置された絶縁層ＩＩとを有し、前記絶縁層Ｉ及び絶縁層ＩＩのうち少なくとも一方はガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、前記ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層における前記ガラスクロスと前記樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、多層伝送線路板である。
本発明の多層伝送線路板は、従来の伝送線路板におけるガラスクロスを含有する材料で構成されていた絶縁層の一部又は全部に、誘電率の差が小さいガラスクロスと樹脂組成物とを含有する材料を用いることで、誘電率の不均一性を軽減することにより、スキューを低減することができると考えられる。
以下、本発明の多層伝送線路板の実施態様として、第一及び第二実施形態に係る多層伝送線路板を例として挙げ、各態様について図面を参照しながら説明する。

＜第一実施形態に係る多層伝送線路板＞
図３は、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａを示す模式的断面図である。
図３に示すように、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、一対のグランド層１１、２１と、一対のグランド層１１、２１のうち一方のグランド層１１と他方のグランド層２１との間に配置された差動配線９１と、差動配線９１と一方のグランド層１１との間に配置された絶縁層（１−Ｉ）３１と、差動配線９１と他方のグランド層２１との間に配置された絶縁層（１−ＩＩ）３２とを含む。
絶縁層（１−Ｉ）３１と絶縁層（１−ＩＩ）３２は、ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、絶縁層（１−ＩＩ）３２におけるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は１．０以下である。絶縁層（１−ＩＩ）３２におけるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は小さいほど好ましく、誘電率の不均一性を軽減する観点から、０．５以下が好ましく、０．１以下がより好ましい。
なお、絶縁層（１−Ｉ）３１におけるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は、１．０を超えていても、１．０以下でも、いずれでも構わない。

本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、従来の伝送線路板におけるガラスクロスを含有する材料で構成されていた絶縁層の一部に、誘電率の差が小さいガラスクロスと樹脂組成物とを含有する材料を用いることで、誘電率の不均一性を軽減することにより、スキューを低減することができると考えられる。
図６に従来の多層伝送線路板４Ａの模式的断面図を示す。従来の多層伝送線路板４Ａは、プリプレグの両面に銅箔を積層して硬化することにより得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線９４を、他方の面にグランド層２４を配置した絶縁層６２を形成し、その差動配線９４側の面に更に絶縁層６１を形成するためのプリプレグとグランド層１４を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造していた。また、絶縁層６１、６２において、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差は１．０を越えていた。
本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、図６に示す従来の多層伝送線路板４Ａにおける絶縁層６２を、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である絶縁層（１−ＩＩ）３２に変更することで、スキューの低減を図ることができる。

（グランド層１１、２１）
グランド層１１、２１としては、特に限定されるものではないが、従来のプリント配線板等の導電層に適用されるものを適用することができ、例えば、金属箔から構成されるものを適用することができる。
金属箔としては、例えば、銅箔、ニッケル箔、アルミ箔等を適用することができ、取り扱い性及びコストの観点からは、銅箔を適用することができる。
また、グランド層１１、２１に金属箔を適用する場合、その防錆性、耐薬品性、耐熱性等を向上させる観点から、ニッケル、錫、亜鉛、クロム、モリブデン、コバルト等によるバリアー層形成処理が施されていてもよい。また、金属箔は、絶縁層との接着性を向上させる観点から、表面粗化処理、シランカップリング剤等による処理などの表面処理が施されていてもよい。
グランド層１１、２１に適用される金属箔としては、市販品の金属箔を用いてもよい。市販品の金属箔としては、例えば、銅箔である「Ｆ２−ＷＳ」（古河電気工業株式会社製、商品名、Ｒｚ＝２．０μｍ）、「ＦＶ−ＷＳ」（古河電気工業株式会社製、商品名、Ｒｚ＝１．５μｍ）、「３ＥＣＶＬＰ」（三井金属鉱業株式会社製、商品名、Ｒｚ＝３．０μｍ）等が商業的に入手可能である。
グランド層１１、２１は、１種の金属材料からなる単層構造であってもよく、複数の金属材料からなる単層構造であってもよく、更には異なる材質の金属層を複数積層した積層構造であってもよい。また、グランド層１１、２１の厚さは、特に限定されず、求める性能等に応じて適宜決定すればよい。

グランド層１１、２１は、めっきにより形成されていてもよい。具体的には、例えば、絶縁層（１−Ｉ）３１、絶縁層（１−ＩＩ）３２、又はそれらの上に設けられた接着用樹脂層の表面に無電解めっきを行って給電層を形成し、次いで電解めっきを行うことによりグランド層１１、２１を形成できる。

（差動配線９１）
差動配線９１を形成する材料としては、特に限定されず、例えば、金属箔から構成されるものを適用することができる。差動配線９１を形成する金属箔としては、例えば、グランド層１１、２１に適用可能な金属箔を使用することができる。差動配線９１は、めっきにより形成されていてもよい。

（絶縁層（１−ＩＩ）３２）
絶縁層（１−ＩＩ）３２は、ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である層である。

〔樹脂組成物〕
絶縁層（１−ＩＩ）３２に含まれる樹脂組成物は、樹脂を含むものであれば特に限定されず、必要に応じて無機充填材、難燃剤、各種添加剤等のその他の成分を更に配合してもよい。なお、本明細書において「樹脂組成物」に含まれる樹脂は硬化前のモノマー、半硬化状態（所謂Ｂステージ状態）のオリゴマー、硬化後のポリマーのいずれの状態であってもよい。

≪樹脂≫
樹脂組成物に含まれる樹脂は、特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等を用いることができる。誘電特性、耐熱性、耐溶剤性、及びプレス成形性を向上させる観点から、熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で変性した樹脂であってもよい。
熱可塑性樹脂としては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合体、ポリスチレン、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、ポリブタジエン、全芳香族ポリエステルの液晶ポリマー（ＬＣＰ）、フッ素樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＯ又はＰＰＥ）、スチレン系エラストマー等が挙げられる。加工性、金属及び他の樹脂材料との接着性、誘電特性、並びに低伝送損失性の観点から、ポリフェニレンエーテルとしてもよい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂等が挙げられる。
樹脂組成物に含まれる樹脂は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物に含まれる熱可塑性樹脂を熱硬化性樹脂で変性した樹脂としては、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有するポリフェニレンエーテル誘導体［以下、ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）と称することがある。］が好ましい。特に、ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）が分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有することにより、優れた高周波特性（低誘電率、低誘電正接）、導体との高接着性、優れた耐熱性、高ガラス転移温度、低熱膨張係数及び高難燃性を有する樹脂組成物となる。ここで、本発明でいう熱膨張係数は、線膨張係数とも呼ばれる値である。

ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）は、上記と同様の観点から、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド構造含有基及び下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有するものであると好ましい。

（式中、Ｒ^１は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。ｘは０〜４の整数である。）
前記一般式（Ｉ）中のＲ^１が表す脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基等が挙げられる。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であってもよく、メチル基であってもよい。また、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。ハロゲン原子としては、ハロゲンフリーとする観点から、フッ素原子であってもよい。
以上の中でも、Ｒ^１としては炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基であってもよい。
ｘは０〜４の整数であり、０〜２の整数であってもよく、２であってもよい。なお、ｘが１又は２である場合、Ｒ^１はベンゼン環上のオルト位（但し、酸素原子の置換位置を基準とする。）に置換していてもよい。また、ｘが２以上である場合、複数のＲ^１同士は同一であっても異なっていてもよい。
前記一般式（Ｉ）で表される構造単位としては、具体的には、下記一般式（Ｉ'）で表される構造単位であると好ましい。

Ｎ−置換マレイミド構造含有基としては、高周波特性、導体との接着性、耐熱性、ガラス転移温度、熱膨張係数及び難燃性の観点から、２つのマレイミド基の窒素原子同士が有機基を介して結合しているビスマレイミド構造を含有する基であってもよく、下記一般式（Ｚ）で表される基であってもよい。

（式中、Ｒ^２は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。ｙは０〜４の整数である。Ａ^１は、下記一般式（II）、（III）、（IV）又は（Ｖ）で表される基である。）

Ｒ^２が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ^１の場合と同様に説明される。
ｙは０〜４の整数であり、０〜２の整数であってもよく、０であってもよい。ｙが２以上の整数である場合、複数のＲ^２同士は同一であっても異なっていてもよい。
Ａ^１が表す、一般式（II）、（III）、（IV）又は（Ｖ）で表される基は、以下のとおりである。

（式中、Ｒ^３は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。ｐは０〜４の整数である。）
Ｒ^３が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ^１の場合と同様に説明される。
ｐは０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、０〜２の整数であってもよく、０又は１であってもよく、０であってもよい。ｐが２以上の整数である場合、複数のＲ^３同士は同一であっても異なっていてもよい。

（式中、Ｒ^４及びＲ^５は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。Ａ^２は炭素数１〜５のアルキレン基、炭素数２〜５のアルキリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、カルボオキシ基、ケト基、単結合又は下記一般式（III−１）で表される基である。ｑ及びｒは各々独立に０〜４の整数である。）
Ｒ^４及びＲ^５が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ^１の場合と同じものが挙げられる。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であってもよく、メチル基、エチル基であってもよく、エチル基であってもよい。
Ａ^２が表す炭素数１〜５のアルキレン基としては、例えば、メチレン基、１，２−ジメチレン基、１，３−トリメチレン基、１，４−テトラメチレン基、１，５−ペンタメチレン基等が挙げられる。該アルキレン基としては、高周波特性、導体との接着性、耐熱性、ガラス転移温度、熱膨張係数及び難燃性の観点から、炭素数１〜３のアルキレン基であってもよく、メチレン基であってもよい。
Ａ^２が表す炭素数２〜５のアルキリデン基としては、例えば、エチリデン基、プロピリデン基、イソプロピリデン基、ブチリデン基、イソブチリデン基、ペンチリデン基、イソペンチリデン基等が挙げられる。これらの中でも、高周波特性、導体との接着性、耐熱性、ガラス転移温度、熱膨張係数及び難燃性の観点から、イソプロピリデン基であってもよい。
Ａ^２としては、上記選択肢の中でも、炭素数１〜５のアルキレン基、炭素数２〜５のアルキリデン基であってもよい。
ｑ及びｒは各々独立に０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、いずれも、０〜２の整数であってもよく、０又は２であってもよい。ｑ又はｒが２以上の整数である場合、複数のＲ^４同士又はＲ^５同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
なお、Ａ^２が表す一般式（III−１）で表される基は以下のとおりである。

（式中、Ｒ^６及びＲ^７は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。Ａ^３は炭素数１〜５のアルキレン基、イソプロピリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、カルボオキシ基、ケト基又は単結合である。ｓ及びｔは各々独立に０〜４の整数である。）
Ｒ^６及びＲ^７が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ^４及びＲ^５の場合と同様に説明される。
Ａ^３が表す炭素数１〜５のアルキレン基としては、Ａ^２が表す炭素数１〜５のアルキレン基と同じものが挙げられる。
Ａ^３としては、上記選択肢の中でも、炭素数２〜５のアルキリデン基を選択してもよい。
ｓ及びｔは０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、いずれも、０〜２の整数であってもよく、０又は１であってもよく、０であってもよい。ｓ又はｔが２以上の整数である場合、複数のＲ^６同士又はＲ^７同士は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。

（式中、ｎは０〜１０の整数である。）
ｎは、入手容易性の観点から、０〜５の整数であってもよく、０〜３の整数であってもよい。

（式中、Ｒ^８及びＲ^９は各々独立に、水素原子又は炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基である。ｕは１〜８の整数である。）
Ｒ^８及びＲ^９が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子としては、Ｒ^１の場合と同様に説明される。
ｕは１〜８の整数であり、１〜３の整数であってもよく、１であってもよい。

一般式（Ｚ）で表される基の中のＡ^１としては、高周波特性、導体との接着性、耐熱性、ガラス転移温度、熱膨張係数及び難燃性の観点から、下記式のいずれかで表される基であってもよい。

上記のようなポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）は、例えば、以下の製造方法によって得ることができる。まず、下記一般式（VIII）で表されるアミノフェノール化合物［以下、アミノフェノール化合物（VIII）と称することがある。］と、例えば、数平均分子量１５０００〜２５０００のポリフェニレンエーテルを有機溶媒中で、公知の再分配反応をさせることにより、ポリフェニレンエーテルの低分子量化を伴いながら、分子中に第一級アミノ基を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ａ'）［以下、ポリフェニレンエーテル化合物（Ａ'）と称することがある。］を製造し、次いで、前記ポリフェニレンエーテル化合物（Ａ'）と一般式（IX）で表されるビスマレイミド化合物［以下、ビスマレイミド化合物（IX）と称することがある。］をマイケル付加反応させることによって、ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）を製造することができる。

（式中、Ｒ^２及びｙは、前記一般式（Ｚ）中のものと同じである。）

（式中、Ａ^１は、前記一般式（Ｚ）中のものと同じである。）

アミノフェノール化合物（VIII）としては、例えば、ｏ−アミノフェノール、ｍ−アミノフェノール、ｐ−アミノフェノール等が挙げられる。ビスマレイミド化合物（IX）としては、例えば、ビス（４−マレイミドフェニル）メタン、３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチル−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン等が挙げられる。

上記ビスマレイミド化合物（IX）及び必要により反応触媒等を、ポリフェニレンエーテル化合物（Ａ'）溶液中に所定量仕込み、加熱、保温、攪拌しながらマイケル付加反応させることによりポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）が得られる。この工程での反応条件としては、作業性及びゲル化抑制の観点から、例えば、反応温度は５０〜１６０℃、反応時間は１〜１０時間の範囲であってもよい。

樹脂組成物中のポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）の含有量は、特に制限はないが、優れた高周波特性（低誘電率、低誘電正接）、導体との高接着性、優れた耐熱性、高ガラス転移温度、低熱膨張係数及び高難燃性を有する樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物に含まれる樹脂総量中、２〜５０質量％であってもよく、５〜４０質量％であってもよく、１０〜３０質量％であってもよい。

樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するポリマレイミド化合物（ａ）［以下、（ａ）成分と称することがある。］、又は下記一般式（VI）で表されるポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）［以下、（Ｂ）成分と称することがある。］が好ましい。
ポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）は、例えば、（ａ）成分と分子中に２個の一級アミノ基を有する芳香族ジアミン化合物（ｂ）［以下、（ｂ）成分と称することがある。］とを有機溶媒中でマイケル付加反応させることにより得られる。

（式中、Ａ^４は前記一般式（Ｚ）中のＡ^１の定義と同じであり、Ａ^５は下記一般式（VII）で表される基である。）

（式中、Ｒ^１７及びＲ^１８は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基、炭素数１〜５のアルコキシ基、水酸基又はハロゲン原子である。式中、Ａ^８は炭素数１〜５のアルキレン基、炭素数２〜５のアルキリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、カルボオキシ基、ケト基、フルオレニレン基、単結合、又は下記一般式（VII-1）もしくは（VII-2）で表される基である。ｑ’及びｒ’は各々独立に０〜４の整数である。）

（式中、Ｒ^１９及びＲ^２０は各々独立に、炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。Ａ^９は炭素数１〜５のアルキレン基、イソプロピリデン基、ｍ−又はｐ−フェニレンジイソプロピリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、カルボオキシ基、ケト基又は単結合である。ｓ’及びｔ’は各々独立に０〜４の整数である。）

（式中、Ｒ^２１は炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子である。Ａ^１０及びＡ^１１は各々独立に、炭素数１〜５のアルキレン基、イソプロピリデン基、エーテル基、スルフィド基、スルホニル基、カルボオキシ基、ケト基又は単結合である。ｗは０〜４の整数である。）

前記一般式（VII）、（VII-1）又は（VII-2）中のＲ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０及びＲ^２１が表す炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又はハロゲン原子としては、一般式（Ｉ）中のＲ^１と同じものが挙げられる。該脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基であってもよく、メチル基、エチル基であってもよい。
前記一般式（VII）又は（VII-1）中のＡ^８及びＡ^９が表す炭素数１〜５のアルキレン基及び炭素数２〜５のアルキリデン基、及び前記一般式（VII-2）中のＡ^１０及びＡ^１１が表す炭素数１〜５のアルキレン基としては、前記一般式（III）中のＡ^２の場合と同様に説明される。
ｑ’及びｒ’は０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、いずれも０〜２の整数であってもよく、０又は２であってもよい。ｓ’及びｔ’は０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、いずれも０〜２の整数であってもよく、０又は１であってもよく、０であってもよい。ｗは０〜４の整数であり、入手容易性の観点から、０〜２の整数であってもよく、０であってもよい。

前記（ａ）成分としては、特に限定されるものではなく、例えば、前記ビスマレイミド化合物（IX）と同じものを適用してもよい。

前述のとおり、ポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）は、前記（ａ）成分と、分子中に２個の一級アミノ基を有する芳香族ジアミン化合物（ｂ）と、を有機溶媒中でマイケル付加反応させることにより得ることができる。

前記（ｂ）成分としては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチル−ジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチル−ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン、４，４’−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン等が挙げられる。

樹脂組成物中のポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）の含有量は、特に制限はないが、優れた高周波特性（低誘電率、低誘電正接）、導体との高接着性、優れた耐熱性、高ガラス転移温度、低熱膨張係数及び高難燃性を有する樹脂組成物を得る観点から、樹脂組成物に含まれる樹脂総量中、５０〜９８質量％であってもよく、６０〜９５質量％であってもよく、７０〜９０質量％であってもよい。

樹脂組成物に含まれる樹脂としては、導体との高接着性、優れた耐熱性、高ガラス転移温度、低熱膨張係数及び高難燃性を有する樹脂組成物を得る観点から、ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）及びポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）からなる群から選ばれる１種以上であることが好ましく、ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）とポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）とを併用することがより好ましい。

≪無機充填材≫
絶縁層（１−ＩＩ）３２に必要に応じて含まれる無機充填材としては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミナ、酸化チタン、マイカ、シリカ、ベリリア、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、炭酸アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニウム、炭酸カルシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、クレー、タルク、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、炭化ケイ素等が用いられる。これらの無機充填材は単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
無機充填材の形状は、特に限定されるものではなく、球状、破砕状等の無機充填材を用いることができる。
無機充填材の体積平均粒子径は、特に限定されるものではないが、例えば、０．０１〜５０μｍとしてもよく、０．１〜１５μｍとしてもよい。

樹脂に対する無機充填材の配合割合は、特に限定されるものではないが、例えば、樹脂の合計量１００質量部に対して、１〜１０００質量部とすることができる。無機充填材の配合割合が前記範囲内であると、より良好な接着性が得られるようになる他、絶縁層の靭性、耐熱性、耐薬品性等がより向上する傾向がある。更に、熱膨張を抑制する観点からは、樹脂の合計量１００質量部に対して、１〜８００質量部とすることができ、１０〜５００質量部とすることができる。

難燃剤としては、特に限定されないが、臭素系、リン系、金属水酸化物等の難燃剤が用いられる。難燃剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
難燃剤の配合割合は、特に限定されないが、例えば、樹脂の合計量１００質量部に対して、１０〜２００質量部とすることができ、１５〜１５０質量部とすることができ、２０〜１００質量部とすることができる。難燃剤の配合割合が１０質量部以上だと耐燃性がより向上する傾向があり、２００質量部以下だと耐熱性、接着性、及び成形性がより向上する傾向がある。

各種添加剤としては、特に限定されないが、例えば、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤、熱安定剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、顔料、着色剤、滑剤等が挙げられる。これらの添加剤は、それぞれ、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。

樹脂組成物から積層板を作製したときの誘電率は特に限定されない。誘電率の不均一性を軽減する観点から、４．５以下であることが好ましい。

〔ガラスクロス〕
ガラスクロスは特に限定されるものではないが、ヤーンを高密度に編んだもの、開繊された繊維糸（開繊糸）を用いたものであれば、誘電率の不均一性を軽減できる。また、縦糸と横糸に同種のガラス繊維糸を用いれば、同様に誘電率の不均一性を軽減できる。
ガラス繊維としては、Ｅガラス、ＮＥガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等が例示でき、縦糸と横糸に、含浸する樹脂に近い誘電率のガラス繊維糸を用いたもの等を用いることで誘電率の不均一性をさらに軽減できる。
ガラスクロスの誘電率は、誘電率の不均一性を軽減する観点から、５．０以下であることが好ましく、４．５以下であることがより好ましい。

絶縁層（１−ＩＩ）３２は、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である層である。
ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差を１．０以下にするためには、使用するガラスクロスの誘電率に、樹脂組成物の誘電率を近づければよい。例えば、樹脂として前述の熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用すれば、選択する樹脂種、その配合比率等によって一般的に誘電率を２〜４程度に制御することが可能である。誘電率の差が更に大きい場合、この樹脂に、樹脂よりも高い誘電率を有する無機充填材、難燃剤等を加えれば、当該樹脂の誘電率を更に高めることができる。例えば、Ｅガラスの誘電率は６．８程度であり、一般的なエポキシ樹脂の誘電率は３．８程度であるから、Ｅガラスのガラスクロスに対しては、エポキシ樹脂１００質量部と誘電率１０程度のアルミナフィラー３００質量部とを混合した樹脂組成物を用いることで、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差を１．０以下にすることができる。

絶縁層（１−ＩＩ）３２の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、３０〜４００μｍであり、薄型化と損失低減を両立する観点からは、４０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜２００μｍとすることができる。

（絶縁層（１−Ｉ）３１）
絶縁層（１−Ｉ）３１は、ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層である。
絶縁層（１−Ｉ）３１に含まれる樹脂組成物を構成する成分及びガラスクロスは、絶縁層（１−ＩＩ）３２に含まれるものと同様のものを使用できる。

絶縁層（１−Ｉ）３１は、公知のプリプレグを単独で又は所定の枚数貼り合わせた後、加熱及び／又は加圧して得られるものを用いることもできる。
絶縁層（１−Ｉ）３１の形成に用いられるプリプレグとしては、市販品を用いてもよい。市販品のプリプレグとしては、例えば、日立化成株式会社製「ＧＷＡ−９００Ｇ」、「ＧＷＡ−９１０Ｇ」、「ＧＨＡ−６７９Ｇ」、「ＧＨＡ−６７９Ｇ（Ｓ）」、「ＧＺＡ−７１Ｇ」（いずれも商品名）等を用いることができる。

絶縁層（１−Ｉ）３１の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、３０〜４００μｍであり、薄型化と損失低減を両立する観点からは、４０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜２００μｍとすることができる。

（第一実施形態に係る多層伝送線路板の製造方法）
次に、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａの製造方法について説明する。
本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａは、例えば、プリプレグの両面に銅箔を積層して硬化して得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線９１を、他方の面にグランド層２１を配置した絶縁層（１−ＩＩ）３２を形成し、次いで差動配線９１が形成された面に絶縁層（１−Ｉ）３１を形成するためのプリプレグと、グランド層１１を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造することができる。

〔プリプレグ〕
絶縁層（１−Ｉ）３１を形成するためのプリプレグは、前述のとおり市販品を用いてもよく、公知の方法で得たものを用いてもよい。
絶縁層（１−Ｉ）３１を形成するためのプリプレグは、例えば、前記樹脂及び、必要に応じて使用される前記無機充填材等を有機溶媒に溶解及び／又は分散して得られた樹脂ワニスを、前記ガラスクロスに含浸する方法により得られる。
樹脂ワニスをガラスクロスに含浸する方法としては、特に限定されないが、例えば、ガラスクロスを樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより樹脂ワニスをガラスクロスに塗布する方法、スプレーによって樹脂ワニスをガラスクロスに吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、樹脂ワニスの含浸性を向上させる観点から、ガラスクロスを樹脂ワニスに浸漬する方法を用いることができる。
絶縁層（１−ＩＩ）３２を形成するためのプリプレグは、例えば、前記樹脂組成物を有機溶媒に溶解及び／又は分散して得られた樹脂ワニスを、前記ガラスクロスに前述の方法で含浸することにより得られる。

樹脂ワニスに用いる有機溶媒としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、ブタノール等のアルコール類；エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチレングリコールモノメチルエーテル、カルビトール、ブチルカルビトール等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類；メトキシエチルアセテート、エトキシエチルアセテート、ブトキシエチルアセテート、酢酸エチル等のエステル類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の含窒素類などの有機溶媒が挙げられる。これらの有機溶媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
樹脂ワニスの固形分（不揮発分）濃度は、特に限定されないが、例えば、５〜８０質量％とすることができる。

樹脂ワニスをガラスクロスに含浸した後の乾燥条件は、例えば、乾燥後のプリプレグ中の有機溶媒の含有量が１０質量％以下となる条件とすることができ、また、５質量％以下となる条件とすることができる。例えば、３０〜６０質量％の有機溶媒を含むワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分程度乾燥させることにより、プリプレグを形成することができる。

プリプレグを硬化させた際の誘電率は特に限定されないが、高周波領域での使用により適合する観点から、４．０以下であることが好ましく、３．８以下であることがより好ましい。
プリプレグの厚さは、形成する絶縁層の厚さに応じて適宜決定すればよい。

〔積層成形条件〕
本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板の成形方法及び成形条件は、特に限定されないが、例えば、電気絶縁材料用積層板及び多層板の成形方法及び成形条件を適用することができる。具体的には、例えば、多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機等を使用し、温度１００〜２５０℃、圧力０．２〜１０ＭＰａ、加熱時間０．１〜５時間の範囲で成形することができる。
なお、グランド層は、上記のとおり金属箔の積層によって形成してもよく、乾式メッキ等の公知の方法を使用して形成してもよい。

得られた多層伝送線路板の絶縁層に穴開けを行ってビアホール、スルーホールを形成してもよい。穴開けは、例えば、ドリル、レーザー、プラズマ等の公知の方法により、また必要によりこれらの方法を組み合わせて行うことができる。

以上述べた本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板では、図５に示すように絶縁層（１−Ｉ）３１と絶縁層（１−ＩＩ）３２が上下反対になる構成を、上記と同様に形成して用いることもできる。また、絶縁層（１−Ｉ）３１と絶縁層（１−ＩＩ）３２を構成するプリプレグは同一のものであってもよい。
次に、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板について説明する。

＜第二実施形態に係る多層伝送線路板＞
図４は、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａを示す模式的断面図である。
図４に示すように、本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、一対のグランド層１２、２２と、一対のグランド層１２、２２のうち一方のグランド層１２と他方のグランド層２２との間に配置された差動配線９２と、差動配線９２と一方のグランド層１２との間に配置された絶縁層（２−Ｉ）４１と、差動配線９２と他方のグランド層２２との間に配置された絶縁層（２−ＩＩ）４２とを含む。絶縁層（２−Ｉ）４１は、ガラスクロスを含有せず、樹脂を含有する層であり、絶縁層（２−ＩＩ）４２は、ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、絶縁層（２−ＩＩ）４２におけるガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、多層伝送線路板である。

本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、図３に示す第一実施形態における多層伝送線路板１Ａにおける絶縁層（１−Ｉ）３１を、ガラスクロスを含有しない絶縁層（２−Ｉ）４１に変更することで、伝送損失の増加をより抑制しながらスキューを低減することができると考えられる。

本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａに用いられる、グランド層１２、２２、差動配線９２、絶縁層（２−Ｉ）４１及び絶縁層（２−ＩＩ）４２に用いられる樹脂及び樹脂組成物を構成する成分、並びにガラスクロスは、本発明の第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａに用いられるものと同様のものが用いられる。

絶縁層（２−Ｉ）４１の厚さ及び絶縁層（２−ＩＩ）４２の厚さは、特に限定されるものではないが、例えば、３０〜４００μｍであり、薄型化と損失低減を両立する観点からは、４０〜３００μｍとすることができ、同様の観点から、５０〜２００μｍとすることができる。

（第二実施形態に係る多層伝送線路板の製造方法）
本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａは、例えば、プリプレグの両面に銅箔を積層して硬化して得られた積層板の片側の銅箔に回路加工を施すことにより、一方の面に差動配線９２を、他方の面にグランド層２２を配置した絶縁層（２−ＩＩ）４２を形成し、次いで差動配線９２が形成された面に絶縁層（２−Ｉ）４１を形成するための樹脂フィルムと、グランド層１２を構成する銅箔とをこの順に積層して成形する方法により製造することができる。

〔樹脂フィルム〕
絶縁層（２−Ｉ）４１を形成するための樹脂フィルムは、公知の方法で得ることができ、例えば、前記樹脂を、必要に応じて前記その他の成分と混合した後、支持体上に層形成する方法により得られる。
樹脂の混合方法は特に制限されず、公知の方法を用いることができる。
樹脂を支持体上に層形成する方法としては、例えば、樹脂を有機溶媒に溶解及び／又は分散することにより樹脂ワニスを調製し、該樹脂ワニスを各種コーターを用いて支持体に塗布し、加熱、熱風吹きつけ等により乾燥する方法が挙げられる。
このようにして得られる樹脂フィルムは、半硬化（Ｂステージ化）させたものであってもよい。半硬化した樹脂フィルムは、積層し硬化する際に接着力が確保される状態、且つ差動配線９２への埋めこみ性（流動性）が確保される状態としてもよい。

樹脂ワニスに用いる有機溶媒としては、前記プリプレグの製造に用いることができる有機溶媒を用いることができる。樹脂ワニスの固形分（不揮発分）濃度は、特に限定されないが、例えば、５〜８０質量％とすることができる。

樹脂ワニスを支持体上に塗布する際に用いるコーターは、形成する樹脂フィルムの厚さ等に応じて適宜選択すればよく、例えば、ダイコーター、コンマコーター、バーコーター、キスコーター、ロールコーター等を用いることができる。

樹脂ワニスを支持体上に塗布した後の乾燥条件は、例えば、乾燥後の樹脂フィルム中の有機溶媒の含有量が１０質量％以下となる条件とすることができ、また、５質量％以下となる条件とすることができる。例えば、３０〜６０質量％の有機溶媒を含むワニスを５０〜１５０℃で３〜１０分程度乾燥させることにより、樹脂フィルムを形成することができる。乾燥条件は、予め簡単な実験により適宜、好適な乾燥条件を設定することができる。
樹脂フィルムの厚さは、形成する絶縁層の厚さに応じて適宜決定すればよい。

樹脂フィルムの支持体は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリカーボネート、ポリイミド等からなるフィルム、更には離型紙、金属箔（銅箔、アルミニウム箔等）などが挙げられる。なお、支持体及び後述する保護フィルムには、マット処理、コロナ処理の他、離型処理等を施してもよい。
支持体の厚さは、例えば、１０〜１５０μｍとすることができ、また、２５〜５０μｍとすることができる。樹脂フィルムの支持体が設けられていない面には、保護フィルムを更に積層することができる。保護フィルムは、支持体の材質と同じであってもよく、異なっていてもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１〜４０μｍである。保護フィルムを積層することにより、異物混入を防止することができ、樹脂フィルムをロール状に巻き取って保管することもできる。

第二実施形態に係る多層伝送線路板２Ａの製造方法に用いられるプリプレグ、樹脂フィルム等の積層成形条件は、第一実施形態に係る多層伝送線路板１Ａと同様である。

以上述べた本発明の第二実施形態に係る多層伝送線路板では、絶縁層（２−Ｉ）４１及び絶縁層（２−ＩＩ）４２が上下反対になる構成を、上記と同様に形成して用いることもできる。

本発明の第一及び第二実施形態のいずれの多層伝送線路板においても、低損失材を用いれば伝送損失が低減され、信号品質を一層向上することが可能である。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。

なお、本発明の多層伝送線路板及びプリプレグは、１ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う電子機器に好適に用いることができ、特に１０ＧＨｚ以上の高周波信号又は３０ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う電子機器に好適に用いることができる。

以下、実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、必ずしも以下の実施例に限定されない。

[合成例１］
（ポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）の製造）
下記手順に従って、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有するポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）を製造した。
温度計、還流冷却管、撹拌装置を備えた加熱及び冷却可能な容積２リットルのガラス製フラスコ容器に、トルエン１９０質量部、ＰＰＯ６４０（ポリフェニレンエーテル、数平均分子量：約１６０００、ＳＡＢＩＣイノベーティブプラスチックス社製）１００質量部、ｐ−アミノフェノール１．３５質量部を投入し、フラスコ内の温度を９０℃に設定し、保温して撹拌しながら溶解した。溶解を目視で確認後、パーブチル−Ｉ（ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、日油株式会社製）２質量部とナフテン酸マンガン０．１５質量部とを添加し、溶液温度９０℃で４時間反応させた後、７０℃に冷却して分子末端に一級アミノ基を有するポリフェニレンエーテル化合物（Ａ’）を得た。
次に上記反応溶液に、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン（大和化成工業株式会社製、商品名「ＢＭＩ−４０００」）７．２質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテル１９０質量部を加えて、攪拌しながら液温を昇温し、１２０℃で保温しながら４時間反応させた後、冷却及び２００メッシュ濾過してポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）を製造した。

[合成例２］
（ポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）の製造）
温度計、還流冷却管、撹拌装置を備えた加熱及び冷却可能な容積１リットルのガラス製フラスコ容器に、２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）プロパン５０質量部、３，３’−ジメチル−５，５’−ジエチル−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミド（大和化成工業株式会社製、商品名「ＢＭＩ−５１００」）５０質量部、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン（三井化学株式会社製、商品名「ビスアニリンＭ」）１４質量部及びプロピレングリコールモノメチルエーテル５０質量部を投入し、液温を１２０℃に保ったまま、撹拌しながら３時間反応させた後、冷却及び２００メッシュ濾過してポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）を製造した。

[製造例１］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１の調製）
上記で得られたポリフェニレンエーテル誘導体（Ａ）１００質量部、ポリアミノビスマレイミド化合物（Ｂ）４５０質量部、無機充填材ＡｌＯＯＨ（ベーマイト型水酸化アルミニウム、密度３．０ｇ／ｃｍ³、河合石灰工業株式会社製）８７０質量部、硬化促進剤パーブチル−Ｐ（α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、日油株式会社製）７質量部、Ｇ−８００９Ｌ（イソシアネートマスクイミダゾール、第一工業製薬株式会社製）７質量部、メチルエチルケトン８００質量部を用いて、６０℃で加熱しながら攪拌及び混合して、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１を調製した。

[製造例２］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２の調製）
無機充填材ＡｌＯＯＨを６４０質量部、メチルエチルケトンを６２０質量部とした以外は、製造例１と同様にして、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２を調製した。

[製造例３］
（熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３の調製）
無機充填材ＡｌＯＯＨを４６０質量部、メチルエチルケトンを４７０質量部とした以外は、製造例１と同様にして、固形分（不揮発分）濃度約５５質量％の熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３を調製した。

[製造例４］
（銅張積層板１の作製）
前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）１を、厚さ０．１ｍｍのガラス布（ＮＥガラス、日東紡績株式会社製、誘電率：４．４）に塗工した後、１６０℃で７分間加熱乾燥して、樹脂含有量（樹脂分）約５４質量％のプリプレグを作製した。このプリプレグの上下に、厚さ１８μｍのロープロファイル銅箔（ＦＶ−ＷＳ、Ｍ面Ｒｚ：１．５μｍ、古河電気工業株式会社製）をＭ面が接するように配置し、温度２３０℃、圧力３．９ＭＰａ、時間１８０分間の条件で加熱加圧成形して、銅張積層板１（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、この樹脂ワニスを温度２３０℃、時間１８０分の条件で加熱硬化して作製した樹脂板の誘電率を、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したところ、４．４（１０ＧＨｚ）であった。

[製造例５］
（銅張積層板２の作製）
熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）を前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）２とした以外は、製造例４と同様にして、銅張積層板２（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、この樹脂ワニスから、製造例４と同様の条件で作製した樹脂板の誘電率を、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したところ、４．０（１０ＧＨｚ）であった。

[製造例６]
（銅張積層板３の作製）
熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）を前記熱硬化性樹脂組成物（樹脂ワニス）３とした以外は、製造例４と同様にして、銅張積層板３（厚さ：１３０μｍ）を作製した。なお、この樹脂ワニスから、製造例４と同様の条件で作製した樹脂板の誘電率を、空洞共振器摂動法（摂動法空洞共振器：ＣＰ５３１、株式会社関東電子応用開発製）にて、１０ＧＨｚ帯で測定したところ、３．６（１０ＧＨｚ）であった。

［実施例１］
（多層伝送線路板１Ａ−１の作製）
図３に示す多層伝送線路板１Ａを次の手順で作製した。
まず、前記銅張積層板１の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｐを形成した。すなわち、内層回路板Ｐとは絶縁層（１−ＩＩ）３２の一方の面に差動配線９１を、他方の面にグランド層２１を配置したものを指す。

次に、厚さが１３０μｍのプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９１０Ｇ）を内層回路板Ｐの差動配線９１側の面に重ね合わせ、更にそのプリプレグの差動配線９１とは反対側の面に、グランド層１１を構成する厚さ１８μｍの銅箔（ＦＶ−ＷＳ、Ｍ面Ｒｚ：１．５μｍ、古河電気工業株式会社製）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．９ＭＰａ、時間１８０分の条件で積層一体化処理を施し、層間接続前の多層伝送線路板を得た。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１１、２１をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリル穴開けを行い、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板１Ａ−１を作製した。

［実施例２］
（多層伝送線路板１Ａ−２の作製）
実施例１において、銅張積層板を銅張積層板２とした以外は、実施例１と同様の手順により、多層伝送線路板１Ａ−２を作製した。

［実施例３］
（多層伝送線路板１Ａ−３の作製）
実施例１において、銅張積層板を銅張積層板３とした以外は、実施例１と同様の手順により、多層伝送線路板１Ａ−３を作製した。

［実施例４］
（多層伝送線路板２Ａ−１の作製）
図４に示す多層伝送線路板２Ａを次の手順で作製した。
まず、前記銅張積層板１の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｑを形成した。すなわち、内層回路板Ｑとは絶縁層（２−ＩＩ）４２の一方の面に差動配線９２を、他方の面にグランド層２２を配置したものを指す。

次に、絶縁層（２−Ｉ）４１を形成するための樹脂フィルムを次の手順で作製した。
２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン（ロンザ社製、商品名：ＢＡＤＣＹ）４８質量部（固形分量）、ｐ−（α−クミル）フェノール（東京化成工業株式会社製）４質量部（固形分量）、及びナフテン酸マンガン（和光純薬工業株式会社製）０．００８質量部（固形分量）をトルエン２１ｍｌに溶解させ、１１０℃で約３時間加熱反応させた。
その後、温度を８０℃とし、この溶液にスチレン−ブタジエン共重合体の水素添加物（旭化成ケミカルズ株式会社製、商品名：タフテックＨ１０５１、スチレン含有比率：４２％、数平均分子量Ｍｎ６６，０００）４８質量部（固形分量）、トルエン８０ｍｌ、及びメチルエチルケトン２５ｍｌを撹拌しながら配合して室温まで冷却した。そして、ナフテン酸亜鉛（和光純薬工業株式会社製）０．０２質量部（固形分量）を配合して調製したワニスから、６５μｍ厚の半硬化の樹脂フィルムを作製した。

次に、作製した樹脂フィルムを前記内層回路板Ｑの差動配線９２側の面に２枚重ね合わせ、温度１２０℃、圧力０．５ＭＰａ、時間４０秒の条件で仮圧着した。更に、樹脂フィルムの差動配線９２とは反対側の面に、グランド層１２を構成する厚さ１８μｍの銅箔（ＦＶ−ＷＳ、Ｍ面Ｒｚ：１．５μｍ、古河電気工業株式会社製）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．９ＭＰａ、時間１８０分の条件で積層一体化処理を施し、層間接続前の多層伝送線路板を得た。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１２、２２をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリル穴開けを行い、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板２Ａ−１を作製した。

［実施例５］
（多層伝送線路板２Ａ−２の作製）
実施例４において、銅張積層板を銅張積層板２とした以外は、実施例４と同様にして、多層伝送線路板２Ａ−２を作製した。

［実施例６］
（多層伝送線路板２Ａ−３の作製）
実施例４において、銅張積層板を銅張積層板３とした以外は、実施例４と同様にして、多層伝送線路板２Ａ−３を作製した。

［比較例１］
（多層伝送線路板４Ａ−１の作製）
図６に示す多層伝送線路板４Ａを、以下の手順で作製した。
まず、絶縁層６２の両面に銅箔が形成された積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９００Ｇ）を準備した。絶縁層６２の厚さは１３０μｍであり、銅箔の厚さは１８μｍ、絶縁層６２側の導体表面粗さ（Ｒｚ）は１．５μｍである。
次に、前記積層板の片面の銅箔をエッチングでパターニングすることにより、内層回路板Ｓを形成した。すなわち、内層回路板Ｓとは絶縁層６２の一方の面に差動配線９４を、他方の面にグランド層２４を配置したものを指す。

次に、絶縁層６１として用いる厚さが１３０μｍのプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９００Ｇ）を内層回路板Ｓの差動配線９４側の面に重ね、更にそのプリプレグの差動配線９４とは反対側の面に、グランド層１４を構成する厚さ１８μｍの銅箔（ＦＶ−ＷＳ、Ｍ面Ｒｚ：１．５μｍ、古河電気工業株式会社製）を重ね合わせて、温度２３０℃、圧力３．９ＭＰａ、時間１８０分の条件で積層一体化処理を施し、層間接続前の多層伝送線路板を得た。

続いて、上記多層伝送線路板のグランド層１４、２４をエッチングでパターニングし、測定端子を形成した。上記測定端子のグランドパターン部にドリル穴開けを行い、無電解めっきにより層間接続を行い、多層伝送線路板４Ａ−１を作製した。

［比較例２］
（多層伝送線路板４Ａ−２の作製）
絶縁層６１としてプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９１０Ｇ）を使用した以外は、比較例１と同様にして、多層伝送線路板４Ａ−２を作製した。

［比較例３］
（多層伝送線路板４Ａ−３の作製）
絶縁層６１としてプリプレグ（日立化成株式会社製、商品名：ＧＷＡ−９１０Ｇ）を、絶縁層６２として積層板（日立化成株式会社製、商品名：ＬＷ−９１０Ｇ）を使用した以外は、比較例１と同様にして、多層伝送線路板４Ａ−３を作製した。

［スキューの測定方法］
上記で得られた各多層伝送線路板のスキューを、以下に示す方法により測定した。
同軸ケーブル（ＨＵＢＥＲ−ＳＵＨＮＥＲ社製、商品名：ＳＵＣＯＦＬＥＸ１０４）を介して接続されたネットワークアナライザー（キーサイトテクノロジー社製、商品名：Ｎ５２２７Ａ）から差動配線に１０ＧＨｚの高周波信号を入射し、信号が配線を伝搬する際の遅延時間を測定した。配線間の遅延時間差からスキューを算出した。
従来構造を有する比較例１の多層伝送線路板のスキューを１００％と定義し、比較例１のスキューに対する割合（％）をそれぞれ表１に示した。該数値が小さい方が、スキュー低減効果が高いことを示す。

実施例１〜３は、従来構造を有する比較例１〜３の多層伝送線路板４Ａにおいて、絶縁層の一部を、ガラスクロスと樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下になるように変更した例である。実施例１〜３は、いずれもスキューは２３〜３３％に低減している。これは、材料の置き換えにより、誘電率の不均一性が改善されたためであると考えられる。

実施例４〜６は、実施例１〜３の絶縁層の一部を、さらにガラスクロスを含有しない材料に変更した例である。いずれもスキューは８％以下に大きく低減している。これは、材料の置き換えにより誘電率の不均一性がより大きく改善されたためであると考えられる。

上述した測定結果から、本発明の多層伝送線路板が、複雑なプロセスを用いることなく、差動伝送においてスキューを低減することが可能であることが分かる。

１Ａ〜４Ａ多層伝送線路板
１１〜１４、２１〜２４グランド層
３１絶縁層（１−Ｉ）
３２絶縁層（１−ＩＩ）
４１絶縁層（２−Ｉ）
４２絶縁層（２−ＩＩ）
５１絶縁層（３−Ｉ）
５２絶縁層（３−ＩＩ）
６１、６２ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する絶縁層
９１〜９４差動配線

Claims

一対のグランド層と、
前記一対のグランド層のうち一方のグランド層と他方のグランド層との間に配置された差動配線と、
前記差動配線と前記一方のグランド層との間に配置された絶縁層Ｉと、
前記差動配線と前記他方のグランド層との間に配置された絶縁層ＩＩとを有し、
前記絶縁層Ｉ又は絶縁層ＩＩの一方がガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層であり、
前記絶縁層Ｉ又は絶縁層ＩＩの他方がガラスクロスを含有せず、樹脂組成物を含有する層であり、
前記ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層における前記ガラスクロスと前記樹脂組成物との誘電率の差が１．０以下である、多層伝送線路板。
前記ガラスクロスの誘電率が５．０以下である、請求項１に記載の多層伝送線路板。
前記ガラスクロスと樹脂組成物とを含有する層の樹脂組成物、及び前記ガラスクロスを含有せず、樹脂組成物を含有する層の樹脂組成物からなる群から選択される１以上の樹脂組成物が、分子中に少なくとも１個のＮ−置換マレイミド基を有するポリフェニレンエーテル誘導体を含有する、請求項１又は２に記載の多層伝送線路板。
前記絶縁層Ｉ及び前記絶縁層ＩＩの厚さが、３０〜４００μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層伝送線路板。