JP6610288B2 - 熱媒ボイラシステム - Google Patents
熱媒ボイラシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6610288B2 JP6610288B2 JP2016012414A JP2016012414A JP6610288B2 JP 6610288 B2 JP6610288 B2 JP 6610288B2 JP 2016012414 A JP2016012414 A JP 2016012414A JP 2016012414 A JP2016012414 A JP 2016012414A JP 6610288 B2 JP6610288 B2 JP 6610288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circulation pump
- heat medium
- medium boiler
- heat
- heating medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/327—Arrangements for generating the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3322—Problems associated with coating
- H01J2237/3323—Problems associated with coating uniformity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Instantaneous Water Boilers, Portable Hot-Water Supply Apparatuses, And Control Of Portable Hot-Water Supply Apparatuses (AREA)
Description
このため、熱媒ボイラ運転停止時には、熱媒油の温度が所定の温度に下がるまで、循環ポンプの運転を継続して、熱媒油を冷却させる必要があった。
このため、特許文献1では、熱媒ボイラ停止後の経過時間と熱媒油の温度を検出し、熱媒ボイラ停止後に所定時間が経過し、且つ熱媒油の温度が予め設定した温度以下になるまで、送風機及び循環ポンプの運転を継続することで、熱媒油の炭化を防止する技術が記載されている。
しかしながら、熱媒ボイラの運転スイッチを切ると、いずれにしても、循環ポンプが停止するため、例えば熱媒油の循環を継続させたい場合に、熱媒ボイラの運転スイッチを切ることができなかった。また、熱媒ボイラ故障などの原因で熱媒ボイラの運転ができない場合に、熱媒油を循環させることができなかった。
また、熱媒ボイラシステム1は、熱媒ボイラ2の燃焼又は停止指示をするための熱媒ボイラ運転スイッチ22と、循環ポンプ5を起動するための循環ポンプ起動スイッチ58と、循環ポンプ5を強制停止するための循環ポンプ強制停止スイッチ59と、を備える。熱媒ボイラ運転スイッチ22、循環ポンプ起動スイッチ58、及び循環ポンプ強制停止スイッチ59は、熱媒ボイラシステム1の備える操作パネルに設けることができる。
熱媒循環ライン4には、さらに、循環ポンプ5、熱媒油温度検出部8、熱媒流量検出部9が設けられる。循環ポンプ5は、熱媒油供給経路42、又は熱媒油戻り経路43、又は両経路のいずれに設置してもよい。
循環ポンプ5を作動することにより、熱媒油加熱管内で加熱された熱媒油は、熱媒油供給経路42を経由して熱使用部3に送られる。熱使用部3で熱を奪われた熱媒油は、熱媒油戻り経路43を経由して熱媒ボイラ2に戻される。このように、循環ポンプ5を作動することにより、熱使用部3で熱を使用することで温度の低下した熱媒油は、熱媒循環ライン4により熱媒ボイラ2に循環させるように構成される。
循環ポンプ5の詳細については後述する。
制御部6は、循環ポンプ起動スイッチ58がオンされることに応答して、熱媒循環ライン4に設けられた循環ポンプ5の運転を開始する。また、制御部6は、循環ポンプ強制停止スイッチ59がオンされることに応答して、循環ポンプ5の運転を停止する。
制御部6の詳細については後述する。
次に循環ポンプ5について、詳細に説明する。
循環ポンプ5には、循環ポンプ5を冷却するための冷却水を供給する循環ポンプ冷却水ライン53が設けられる。循環ポンプ冷却水ライン53には、循環ポンプ冷却水電磁弁54が設けられ、循環ポンプ5の作動時に、制御部6により、循環ポンプ冷却水電磁弁54を開くように制御される。そうすることで、冷却水を循環ポンプ冷却水ライン53を介して、循環ポンプ5に供給し、循環ポンプ5を冷却することができる。循環ポンプ冷却水電磁弁54は、信号線7を介して制御部6と電気的に接続されている。
循環ポンプ過熱検知部55は、循環ポンプ5が過熱状態となった場合、循環ポンプ過熱異常信号を接点で取り込むことで、循環ポンプ5が過熱状態である異常が発生したか否かを検知することができる。
、循環ポンプ温度検出部56は、センサ(熱電対)により循環ポンプ5の温度を検出することで、予め設定された所定の温度(閾値)を超える異常が発生したか否かを検出することができる。
ベアリング不良検知部57は、循環ポンプ5の回転部に使用するベアリング不良の信号を取り込むことで、ベアリング不良の異常が発生したか否かを検知することができる。
循環ポンプ過熱検知部55と、循環ポンプ温度検出部56と、ベアリング不良検知部57は、それぞれ、信号線7を介して制御部6と電気的に接続されている。
そうすることで、例えば循環ポンプ5が過熱状態となった場合、循環ポンプ5の温度が予め設定した所定の温度(閾値)を超える場合、又は循環ポンプ5の回転部に使用するベアリング不良を検知した場合、後述するように、制御部6は、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させることで事故を避けるとともに、善後策を取ることができる。
次に、図2を参照しながら、循環ポンプ電源回路10について説明する。
循環ポンプ電源回路10は、循環ポンプ起動スイッチ58によるa接点(以下「循環ポンプ起動スイッチa接点101」という)と、循環ポンプ運転入力信号出力部102と、循環ポンプ強制停止スイッチ59によるb接点(以下「循環ポンプ強制停止スイッチb接点103」という)と、冷却動作終了信号によるb接点(以下「冷却動作終了信号b接点104」という)と、保護装置(サーマル)105と、過電流信号出力部106と、電源オフディレータイマ107と、電源オフディレータイマ107によるa接点(以下「電源オフディレータイマa接点108」という)と、循環ポンプ強制停止スイッチ59によるa接点(以下「循環ポンプ強制停止スイッチa接点109」という)と、冷却動作終了信号によるa接点(以下「冷却動作終了信号a接点110」という)と、を備える。
ここで、a接点とは、通常、接点が開いており、スイッチが押されることで当該接点がつながり、回路が閉じて電気が流れるものをいう。b接点は、a接点とは逆に通常閉じており、スイッチが押されることで当該接点が離れ、回路が開いて電気が止まるものをいう。
ここで、冷却動作終了信号とは、熱媒ボイラ2の運転停止後の循環ポンプ5による熱媒油の冷却運転時に、熱媒油温度検出部8により測定される熱媒温度が所定の温度以下になった場合、及び/又は所定時間経過後に、制御部6(冷却動作終了信号出力部62)から出力される信号を意味する。
過電流信号出力部106は、電源回路10に過電流が流れた場合、過電流信号を出力する。
なお、電源オフディレータイマ107は、循環ポンプ強制停止スイッチ59のオン、又は冷却動作終了信号に応答して、強制リセットされる。
次に、制御部6について説明する。図1に示すように、制御部6は、循環ポンプ起動検知部61と、冷却動作終了信号出力部62と、第1制御部63とを備える。
循環ポンプ起動検知部61は、循環ポンプ起動スイッチ58がオンされることに応答して、循環ポンプ電源が導通した状態を検知する。より具体的には、循環ポンプ運転入力信号出力部102の出力する運転入力信号を検知する。循環ポンプ起動検知部61は、循環ポンプ強制停止スイッチ59がオンされるか、又は冷却動作終了信号出力部62により冷却動作終了信号が出力されるまで、循環ポンプ電源が導通した状態(すなわち循環ポンプ運転入力信号)を継続して検知する。
冷却動作終了信号出力部62は、熱媒ボイラ2の運転停止後の循環ポンプ5による熱媒油の冷却運転時に、熱媒油温度検出部8により測定される熱媒温度が所定の温度以下になったことを検知した場合、及び/又は熱媒ボイラ2の運転が停止されてから所定時間経過後に、冷却動作終了信号を出力する。
第1制御部63は、循環ポンプ運転入力信号出力部102による循環ポンプ運転入力信号が出力されている状態に限り、熱媒ボイラ2の燃焼を可能とするように制御する。例えば、第1制御部63は、熱媒ボイラ運転スイッチ22がオンされた場合、循環ポンプ運転入力信号を検知しているときに限り、熱媒ボイラ2の燃焼を開始する。
第1制御部63は、循環ポンプ運転入力信号を検知していない状態で、熱媒ボイラ運転スイッチ22がオンとなった場合、循環ポンプ起動スイッチa接点101及び電源オフディレータイマa接点108を自動的にオンにすることができる。そうすることで、第1制御部63は、熱媒ボイラ2の運転が開始された場合に、循環ポンプ5を自動的に起動することができる。このように、熱媒ボイラシステム1は、循環ポンプ5の停止していることを運転者が看過しても安全に作動する。
このように、熱媒ボイラシステム1は、循環ポンプ5の起動について、循環ポンプ起動スイッチ58をオンすることによる起動と、熱媒ボイラ2の運転開始に伴う自動起動との2系統の起動手段(起動方法)を備える。
第1制御部63は、循環ポンプ強制停止スイッチ59がオンされるか、又は冷却動作終了信号出力部62により冷却動作終了信号が出力されると、循環ポンプ冷却水電磁弁54を閉じるように制御し、冷却水の循環ポンプ5への供給を停止する。また、前述したように、第1制御部63は、冷却動作終了信号を冷却動作終了信号a接点110及び冷却動作終了信号b接点104に入力させることで、循環ポンプ5を自動的に即時停止することができる。
このように、循環ポンプ5の停止についても、循環ポンプ強制停止スイッチ59をオンすることによる停止と、制御部6(冷却動作終了信号出力部62)の出力する冷却動作終了信号に基づく停止との2系統の停止手段(停止方法)を備える。
このように、第1制御部63は、循環ポンプ5が運転していることを検知している場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を可能とするように制御することで、熱媒ボイラシステム1の安全性を確保することを可能とする。
例えば、第1制御部63は、電源回路10に過電流が流れた場合に過電流信号出力部106により出力される過電流信号を検知すると、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、冷却動作終了信号を出力するように構成することができる。
同様に、第1制御部63は、循環ポンプ過熱検知部55が循環ポンプ過熱状態を検知すると、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、冷却動作終了信号を出力するように構成することができる。
第1制御部63は、さらに、循環ポンプ温度検出部56が、循環ポンプ5の温度が所定の温度以下であることを検出した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、冷却動作終了信号を出力するように構成することができる。
第1制御部63は、さらに、熱媒流量検出部9により熱媒流量が所定の流量以下であることを検出した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、冷却動作終了信号を出力するように構成することができる。
第1制御部63は、さらに、ベアリング不良検知部57によりベアリング不良の異常を検出した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、冷却動作終了信号を出力するように構成することができる。
このように、循環ポンプ5に異常が発生した場合においても、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御するとともに、循環ポンプ5を即時停止することで、熱媒ボイラシステム1の安全性を向上することを可能とする。
第1制御部63は、冷却動作終了信号に基づいて、循環ポンプ5を自動的に即時停止する際に、冷却動作終了信号がどの原因に基づいて出力されたかを表すメッセージ(又は、警報音)を出力部から出力することで、管理者に通報するように構成してもよい。
より具体的には、第1制御部63は、冷却動作終了信号の出力が、熱媒ボイラ2の燃焼停止後の循環ポンプ冷却運転の動作終了に基づくものであるのか、過電流信号出力部106により出力される過電流信号の検知に基づくものであるのか、循環ポンプ過熱検知部55による循環ポンプ過熱状態の検知に基づくものであるのか、循環ポンプ温度検出部56による循環ポンプ5の温度が所定の温度以下であることを検出したに基づくものであるのか、熱媒流量検出部9により熱媒流量が所定の流量以下であることを検出したことに基づくものであるのか、又はベアリング不良検知部57によりベアリング不良の異常に基づくものであるのか、を表すメッセージ(又は、警報音)を出力部から出力する。
なお、異常内容を表すメッセージに加えて(又は換えて)管理者あてにメールを送付してもよい。
第1制御部63は、循環ポンプ起動スイッチ58がオンされることに応答して(すなわち、循環ポンプ運転入力信号を検知することで)、循環ポンプ冷却水電磁弁54を開くように制御し、冷却水を循環ポンプ冷却水ライン53を介して、循環ポンプ5に供給し、循環ポンプ5を冷却する。そして、第1制御部63は、循環ポンプ運転入力信号出力部102により出力される循環ポンプ運転入力信号を検知する間、循環ポンプ冷却水電磁弁54を開くように制御する。
なお、前述したように、第1制御部63は、循環ポンプ5に異常を検知した場合においても、循環ポンプ運転入力信号がオンである限り、循環ポンプ冷却水電磁弁54を開くように制御する。こうすることで、循環ポンプ5に異常を検知した場合においても、冷却水を循環させることを可能とし、循環ポンプ5が過熱状態にならないようにすることができる。
これにより、本実施形態の熱媒ボイラシステム1は、循環ポンプの運転していることを検知している場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を可能とするように制御することで、熱媒ボイラシステム1の安全性を確保することを可能とする。
これにより、本実施形態の熱媒ボイラシステム1は、熱媒ボイラ2の運転停止後、熱媒油の冷却完了後に、循環ポンプ5を自動的に停止することができる。
これにより、本実施形態の熱媒ボイラシステム1の循環ポンプ5は、熱媒ボイラ2の燃焼停止動作から独立した運転停止手段を備えることができる。
これにより、瞬間停電(瞬電)が発生した場合であっても、循環ポンプ5が停止しないようにすることを可能とすることで、熱媒ボイラシステム1の安全性を確保することができる。
これにより、循環ポンプ5に異常を検知した場合であっても、循環ポンプ運転入力信号がオンである限り、冷却水を循環させることを可能とし、循環ポンプ5が過熱状態にならないようにすることができる。
これにより、第1制御部63は、循環ポンプ5の運転していないと判断される場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止するように制御することで、熱媒ボイラシステム1の安全性を確保することを可能とする。
また、第1制御部63は、循環ポンプ過熱検知部55が循環ポンプ過熱状態を検知すると、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御する。
また、第1制御部63は、循環ポンプ温度検出部56が、循環ポンプ5の温度が所定の温度以下であることを検出した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御する。
第1制御部63は、前記熱媒流量検出部9により熱媒流量が所定の流量以下であることを検出した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止させるように制御する。
こうすることで、循環ポンプ5に何らかの異常を検知した場合に、熱媒ボイラ2の燃焼を停止することで、熱媒ボイラシステム1の安全性を確保することを可能とする。
本実施形態では、第1制御部63は、循環ポンプ5の動作異常を検知した場合に、冷却動作終了信号を出力するように構成したが、第1制御部63は、冷却動作終了信号出力部62から冷却動作終了信号を出力させるように構成してもよい。
本実施形態では、第1制御部63は、循環ポンプ5の動作異常を検知した場合に、燃焼ボイラの燃焼を停止するように構成したが、第1制御部63は、燃焼ボイラの燃焼を停止させる替わりに、異常内容を表すメッセージ(又は、警報音)を出力部から出力することで、管理者に通報するように構成してもよい。この場合、管理者は、例えば、熱媒ボイラ運転スイッチ22により、熱媒ボイラ2の燃焼停止指示をすることができる。
なお、異常内容を表すメッセージに加えて(又は換えて)管理者あてにメールを送付してもよい。
本実施形態では、循環ポンプ5を熱媒ボイラ2の上流に設置したが、循環ポンプ5を熱媒ボイラ2の下流に設置するようにしてもよい。また、循環ポンプ5を熱媒ボイラ2の上流及び下流に設置するようにしてもよい。
本実施形態では、循環ポンプ5(モータ部52)の回転数制御について触れていないが、例えばインバータ装置を設け、熱媒ボイラ2の燃焼停止後に、インバータ装置によって、回転数を減少することで、電力消費量を削減するように、循環ポンプ5(モータ部52)の回転数制御を行うように構成してもよい。
2 熱媒ボイラ
21 燃焼装置
22 熱媒ボイラ運転スイッチ
3 熱使用部
4 熱媒循環ライン
5 循環ポンプ
51 ポンプ部
52 モータ部
53 循環ポンプ冷却水ライン
54 循環ポンプ冷却水電磁弁
55 循環ポンプ過熱検知部
56 循環ポンプ温度検出部
57 ベアリング不良検知部
58 循環ポンプ起動スイッチ
59 循環ポンプ強制停止スイッチ
6 制御部
61 循環ポンプ起動検知部
62 冷却動作終了信号出力部
63 第1制御部
7 信号線
8 熱媒油温度検出部
9 熱媒流量検出部
91 熱媒ボイラ入口圧力計
92 熱媒ボイラ出口圧力計
93 差圧検出装置
10 電源回路
101 循環ポンプ起動スイッチa接点
102 循環ポンプ運転入力信号出力部
103 循環ポンプ強制停止スイッチb接点
104 冷却動作終了信号b接点
105 保護装置(サーマル)
106 過電流信号出力部
107 電源オフディレータイマ
108 電源オフディレータイマa接点
109 循環ポンプ強制停止スイッチa接点
110 冷却動作終了信号a接点
Claims (11)
- 燃料を燃焼させて熱媒油の加熱を行う熱媒ボイラと、
前記熱媒ボイラと熱使用部とを接続し、該熱媒ボイラと該熱使用部との間で熱媒油を循環させる熱媒循環ラインと
前記熱媒循環ラインに配置される循環ポンプと、
前記熱媒ボイラの燃焼又は停止指示をするための熱媒ボイラ運転スイッチと、
前記循環ポンプを起動するための循環ポンプ起動スイッチと、
前記熱媒ボイラの燃焼を制御する制御部と、
を備える熱媒ボイラシステムであって、
前記制御部は、
前記循環ポンプ起動スイッチがオンされると、循環ポンプ電源が導通した状態を検知する循環ポンプ起動検知部と、
前記循環ポンプ起動検知部により循環ポンプ電源が導通した状態を検知しているときに、前記熱媒ボイラ運転スイッチがオンに操作されることで、前記熱媒ボイラの燃焼を開始するように制御する第1制御部と、を備え
前記熱媒ボイラ運転スイッチは、前記循環ポンプ起動スイッチがオンされることに連動してオンされるものではない、熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
前記熱媒循環ラインに設けられ熱媒油の温度を測定する熱媒油温度検出部を備え、
前記制御部は、さらに、
前記熱媒ボイラ運転スイッチがオフにされた場合、前記熱媒油温度検出部により測定される熱媒温度が所定の温度以下になったことを検知すると、冷却動作終了信号を出力する冷却動作終了信号出力部を備え、
前記第1制御部は、前記冷却動作終了信号出力部により出力される前記冷却動作終了信号により、前記循環ポンプを停止させるように制御する、請求項1に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
前記循環ポンプを強制停止させる循環ポンプ強制停止スイッチを備え、
前記循環ポンプ起動検知部は、前記循環ポンプ強制停止スイッチがオンされるか又は前記冷却動作終了信号出力部により前記冷却動作終了信号が出力されるまで、循環ポンプ電源が導通した状態を検知する、請求項2に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記冷却動作終了信号出力部は、さらに、
前記熱媒ボイラ運転スイッチがオフにされた場合、所定時間経過後に、冷却動作終了信号を出力する、請求項2に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
循環ポンプ電源オフ時に、所定時間、循環ポンプ電源の導通状態を保持する循環ポンプ電源保持部を備える、請求項1に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
前記循環ポンプを冷却するための冷却水を供給する循環ポンプ冷却水ラインと、
前記循環ポンプ冷却水ラインに設けられる循環ポンプ冷却水電磁弁と、
を備え、
前記第1制御部は、さらに、
前記循環ポンプ起動検知部により循環ポンプ電源が導通した状態を検知する間、前記循環ポンプ冷却水電磁弁を開くように制御する、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記第1制御部は、さらに、
前記熱媒ボイラの燃焼制御中に前記循環ポンプ起動検知部により循環ポンプ電源が導通した状態を所定時間継続して検知しない場合、前記熱媒ボイラの燃焼を停止させるように制御する、請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
負荷電流が規定値以上に流れる過電流を感知して、循環ポンプに電力を供給する循環ポンプ電源を遮断するとともに過電流信号を出力する保護装置を備え、
前記第1制御部は、さらに、
前記過電流信号を検知すると、前記熱媒ボイラの燃焼を停止させるように制御する、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
循環ポンプ過熱異常信号を接点で取り込んで循環ポンプが過熱状態であることを検知する循環ポンプ過熱検知部を備え、
前記第1制御部は、さらに、
前記循環ポンプ過熱検知部が循環ポンプ過熱状態を検知すると、前記熱媒ボイラの燃焼を停止させるように制御する、請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
循環ポンプの温度を検出する循環ポンプ温度検出部を備え、
前記第1制御部は、さらに、
前記循環ポンプ温度検出部が、循環ポンプの温度が所定の温度以下であることを検出した場合に、前記熱媒ボイラの燃焼を停止させるように制御する、請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。 - 前記熱媒ボイラシステムは、さらに、
循環ポンプ運転中に差圧検出装置により熱媒ボイラの熱媒油入口に設置された熱媒ボイラ入口圧力計と熱媒油出口に設置された熱媒ボイラ出口圧力計との差圧に基づいて、熱媒流量を検出する熱媒流量検出部を備え、
前記第1制御部は、さらに、
前記熱媒流量検出部により熱媒流量が所定の流量以下であることを検出した場合に、前記熱媒ボイラの燃焼を停止させるように制御する、請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の熱媒ボイラシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016012414A JP6610288B2 (ja) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 熱媒ボイラシステム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016012414A JP6610288B2 (ja) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 熱媒ボイラシステム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017133726A JP2017133726A (ja) | 2017-08-03 |
JP6610288B2 true JP6610288B2 (ja) | 2019-11-27 |
Family
ID=59502361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016012414A Active JP6610288B2 (ja) | 2016-01-26 | 2016-01-26 | 熱媒ボイラシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6610288B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5835935Y2 (ja) * | 1977-12-14 | 1983-08-13 | 株式会社ガスタ− | 給湯,暖房装置 |
JPS6036801Y2 (ja) * | 1978-07-10 | 1985-11-01 | 松下電器産業株式会社 | ガス燃焼器具用遅延タイマ−回路 |
JP3713223B2 (ja) * | 2001-08-08 | 2005-11-09 | 株式会社ノーリツ | 温水暖房装置 |
JP2008267793A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヒートポンプ暖房システム |
WO2014045771A1 (ja) * | 2012-09-20 | 2014-03-27 | 日産自動車株式会社 | 車両用冷却装置 |
-
2016
- 2016-01-26 JP JP2016012414A patent/JP6610288B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017133726A (ja) | 2017-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101562241B1 (ko) | 연소기기의 배기온도 검출센서 빠짐 검지방법 | |
JP4879228B2 (ja) | 温水暖房装置 | |
JP6874311B2 (ja) | 温水機器 | |
CN110023683B (zh) | 电锅炉的循环异常控制装置及其控制方法 | |
JP6610288B2 (ja) | 熱媒ボイラシステム | |
KR100598548B1 (ko) | 단일팬식 복합열원기 | |
KR100679818B1 (ko) | 보일러의 과열방지 장치 및 방법 | |
KR101731533B1 (ko) | 보일러의 온수 과열 방지방법 | |
JP6667365B2 (ja) | 給湯器 | |
JP2006226574A (ja) | 温水循環加熱装置 | |
JP2009052813A (ja) | 即湯制御装置及びこの即湯制御装置を備えた即湯システム | |
JP2017228483A (ja) | 制御装置 | |
JP2563491B2 (ja) | 給湯器の逆流安全装置 | |
JP5141307B2 (ja) | 貯湯式電気温水器 | |
JP4045890B2 (ja) | 給湯機の制御装置 | |
JP2001124357A (ja) | 即湯機能付き給湯器及び即湯機能付き給湯器の異常検出方法 | |
JP3584464B2 (ja) | 即時出湯装置及びその運転制御方法 | |
JP6745149B2 (ja) | 連結給湯システム | |
JP2017083085A (ja) | 給湯装置 | |
JP3572958B2 (ja) | 給湯装置 | |
JP2017172949A (ja) | 温水暖房装置 | |
JP4147486B2 (ja) | 複合熱源機の安全装置 | |
JP4988608B2 (ja) | 給湯風呂装置 | |
JP4631568B2 (ja) | 面状採暖具 | |
KR20170013458A (ko) | 보일러 내 완전동결 판단 및 그에 따른 동결방지 운전제어방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190912 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191001 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6610288 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |